TWI764679B - 偏光片、偏光板及圖像顯示裝置 - Google Patents

Abstract

本發明之課題在於提供一種偏光片，其不易隨著溫度變化而產生破裂。上述課題之解決手段係使膜狀的偏光片2的端面2a之粗度曲線要素的平均高度Rc為0.05至1.7μm。

Description

偏光片、偏光板及圖像顯示裝置

本發明係關於偏光片、偏光板及圖像顯示裝置。

近年來，係要求具備液晶單元或有機EL元件等的圖像顯示裝置之薄型化。

因此，圖像顯示裝置用之偏光片亦成形為薄的膜狀。由於膜狀的偏光片脆且易裂，因此為了保護偏光片，係於製造偏光板時於偏光片的兩面貼合保護膜。而且，製造偏光板時，為了提高偏光板的尺寸精度，係將由保護膜及偏光片等所構成之積層體的端部進行研磨(例如參照專利文獻1)。

〔先前技術文獻〕

〔專利文獻〕

〔專利文獻1〕 日本專利第3875331號公報

近年來，為了使偏光板薄化，而進行僅於偏光片的單面貼合有保護膜之偏光板的開發。然而，僅於單面疊合保護膜之偏光片與於兩面疊合保護膜之偏光片相比，較容易產生破裂(龜裂)。此種破裂係由於隨著溫度變化之偏光片的膨脹或收縮所引起。尤其是瞭解到會容易因為偏光片的急劇溫度變化(熱衝擊)而產生破裂。

而且，近年來，為了提升設計性，而要求圖像顯示裝置的邊框窄。對應此種要求，亦對偏光板的端部要求高的尺寸精度。為了以高精度調整偏光板的尺寸，需將由保護膜及偏光片等所構成之積層體的端部以高精度進行切削(研磨)。但是，僅於單面疊合保護膜之偏光片與於兩面疊合保護膜之偏光片相比，在切削時較容易對偏光片的端面造成負擔，偏光片的端面容易變粗糙。此種端面的粗度容易隨著溫度變化而引起偏光片的破裂。尤其是瞭解到，位於無保護膜之表面側的偏光片的端面與位於疊合保護膜之表面側的偏光片的端面相比，係較容易產生破裂。

本發明係有鑑於上述情事所成者，目的在於提供一種尺寸精度高且不易隨著溫度變化而產生破裂之偏光片、具備該偏光片之偏光板、及包含該偏光板之圖像顯示裝置。

本發明的一態樣之偏光片係膜狀的偏光片，偏光片的端面之粗度曲線要素的平均高度Rc為0.05至1.7μm。平均高度Rc亦可為0.05至0.28μm。

本發明的一態樣之偏光板，係具備上述之偏光片、與疊合於偏光片的一表面之第一光學膜。

本發明的一態樣中，偏光片的圍起一個端面的邊之中的第一邊係鄰接於第一光學膜，圍起端面的邊之中的第二邊係位於第一邊的相對側，端面中之沿著第二邊的部分之均方根粗度Rq可為0.03至0.15μm。

本發明的一態樣中，第一光學膜亦可為保護膜。

本發明的一態樣之偏光板，可進一步具備：疊合於偏光片的另一表面之黏著劑層、疊合於黏著劑層之第二光學膜。

本發明的一態樣之偏光板，可進一步具備：疊合於第一光學膜之黏著劑層、疊合於黏著劑層之第二光學膜。

本發明的一態樣中，第二光學膜亦可為反射型偏光片。

本發明的一態樣之圖像顯示裝置包含上述之偏光板。

依據本發明，可提供尺寸的精度高且不易隨著溫度變化而產生破裂之偏光片、具備該偏光片之偏光板、及包含該偏光板之圖像顯示裝置。

1:偏光板

2:膜狀的偏光片

2a:偏光片的端面

2as:端面的側部(端面中之沿著第二邊的部分)

3:保護膜(第一光學膜)

4:反射型偏光片(第二光學膜)

5:感壓式黏著劑層

10:切削工具

10a:支撐體

100:積層體

100a:端面

11a、11b、11c、11d、11e、11f:切削部

1A:偏光板

A:旋轉軸線

B:切削刃

S:切削面

S1:第一邊

S2:第二邊

S3:第三邊

S4:第四邊

第1圖中之(a)為本發明之一實施形態之偏光板的示意性斜視圖，第1圖中之(b)為第1圖中之(a)所示之偏光板的端面的一部分(部分b)的示意性擴大圖。

第2圖為本發明之一實施形態之偏光板的製造所使用之切削工具的側面圖。

第3圖為第2圖所示之切削工具之正面圖。

第4圖為表示第2圖所示之切削工具與由複數個偏光板所構成之積層體的位置之示意圖。

第5圖為表示第3圖所示之切削工具與由複數個偏光板所構成之積層體的位置之示意圖。

以下係參照圖式來說明本發明之適宜的實施形態。圖式中，係於同等的構成要素註以同等的符號。本發明並不限定於下述實施形態。各圖所示之X、Y及Z意指互為垂直相交的3個座標軸。各座標軸所表示的方向於全部圖中為共通。圖中所見之尺寸及尺寸的比率未必與實際者一致。

〔偏光片、偏光板及圖像顯示裝置〕

如第1圖中之(a)所示，本實施形態之偏光板1係具備：膜狀的偏光片2、疊合於偏光片2的一表面之第一光學膜(3)、疊合於偏光片2的另一表面之感壓式黏著劑層5、疊合於感壓式黏著劑層5之第二光學膜(4)。第一光學膜係例如保護膜3。第二光學膜係例如反射型偏光片4。 偏光板1所具備之偏光片2、以及光學膜及層可皆為透明。本實施形態之偏光板1中，僅於偏光片2的單面，光學膜(第一光學膜)為非經由感壓式黏著劑層而是經由接著劑層直接密著於偏光片2。

偏光片2、第一光學膜(3)、感壓式黏著劑層5及第二光學膜(4)皆為具有大致相同的尺寸之矩形。偏光板1整體亦為矩形的膜。惟，偏光片2及偏光板1等的各形狀係因偏光板1所貼附的圖像顯示元件的表面形狀而異，故不受限定。偏光片2及偏光板1各自的形狀，例如亦可為多角形、圓形或橢圓形。偏光片2及偏光板1各自之輪廓的一部分或全部，可為直線亦可為曲線。

本實施形態之圖像顯示裝置，例如亦可為液晶顯示裝置或有機EL顯示裝置。液晶顯示裝置例如可包含：液晶單元、貼附於液晶單元的一表面或兩表面之偏光板1。有機EL顯示裝置例如可包含：有機EL元件、貼附於有機EL元件的表面之偏光板1。液晶單元中，通常可配置2片偏光板。配置於液晶單元的背面側之偏光板所具備之偏光片與配置於液晶單元的視認側之偏光板所具備之偏光片相比，較容易曝於熱中。因此，若將具備本實施形態之偏光片2的偏光板1配置於液晶單元的背面側，則能抑制隨著溫度變化之偏光片2的破裂。其理由如後所述。

偏光片2的端面2a之粗度曲線要素的平均高度Rc為0.05至1.7μm。平均高度Rc亦可為0.05至0.28μm、0.07至1.7μm、0.07至1.604μm、0.07至1.0μm 或0.07至0.28μm。端面2a之粗度曲線要素的平均高度Rc亦可由例如下述式1所定義。

式1中，Rc為基準長度1之粗度曲線要素(輪廓曲線要素)的高度Zt的平均。i為1以上m以下的自然數，m為2以上的自然數。Zti為基準長度1之第i個輪廓曲線要素的高度。輪廓曲線要素係指相鄰接的一組山與谷，輪廓曲線要素的高度Zt係指相鄰接的一組山(極大值)與谷(極小值)之差。Rc可例如藉由雷射顯微鏡於偏光片2的端面2a上進行測定。

端面2a之粗度曲線要素的平均高度Rc越大，換言之，端面2a越粗糙，則端面2a越會因隨著溫度變化的膨脹或收縮而不均勻地變形。尤其是端面2a會因為隨著熱衝擊之急劇地膨脹或收縮而不均勻且急劇地變形。偏光片2往一軸方向或二軸方向延伸時，偏光片2的膨脹或收縮為非等向性(anisotropic)。由於該等因素，隨著偏光片2之溫度變化，容易以端面2a為起點而於偏光片2產生破裂。例如，以輪廓曲線要素之谷(即為端面2a之深凹處)為起點而產生破裂。但是，本實施形態中，端面2a之粗度曲線要素的平均高度Rc係0.05至1.7μm，故能減少如上所述之各項破裂因素，而能抑制偏光片2隨著溫度 變化而產生破裂。於平均高度Rc為0.05至1.7μm之端面2a形成之破裂的長度，係有較於平均高度Rc大於1.7μm之端面2a形成之破裂的長度更短的傾向。於偏光片2的兩面密著有保護膜時，於端面2a的整體範圍內，偏光片2的端面2a之粗度曲線要素的平均高度Rc為幾乎均勻。另一方面，僅於偏光片2的單面側密著有保護膜時，偏光片2的端面2a之粗度曲線要素的平均高度Rc係有隨著遠離偏光片2與保護膜之界面(接著面)而變大之傾向。因偏光片2係延伸膜，故容易開裂，尤其是位於無保護膜之表面側的偏光片的端面容易因研磨刃處理而變粗糙。因此，偏光片2的端面2a之粗度曲線要素的平均高度Rc容易隨著遠離偏光片2與保護膜之界面而變大。偏光片2的端面2a之粗度曲線要素的平均高度Rc並非均勻時，於偏光片2的端面2a所測定到的粗度曲線要素的平均高度Rc中之最大值，亦可為例如0.05至0.28μm。偏光片2的端面2a之粗度曲線要素的平均高度Rc並非均勻時，於平均高度Rc之最大值為0.05至0.28μm的端面2a所形成的破裂的長度，係有較於平均高度Rc之最大值大於0.28μm的端面2a所形成的破裂的長度更短之傾向。此外，偏光片2的端面2a之粗度曲線要素的平均高度Rc並非均勻時，於平均高度Rc之最大值為0.05至0.28μm之端面2a所形成的破裂的個數係有較於平均高度Rc之最大值大於0.28μm之端面2a所形成的破裂的個數更少之傾向。

偏光片或偏光板的端面未經研磨時，偏光片 的端面不會因研磨而變粗糙，故偏光片的端面的平均高度Rc大致為零，於偏光片的端面不易產生破裂。換言之，端面2a的平均高度Rc越小，則越不易於偏光片的端面產生破裂。但是，當不研磨偏光片或偏光板的端面時，難以將偏光片或偏光板的尺寸以高精度調整至期望值(例如，製品規格的公差之範圍)。因此，端面2a的平均高度Rc未達0.05μm之偏光片的尺寸的精度係較端面2a的平均高度Rc為0.05μm以上之偏光片的尺寸的精度更差。換言之，具有經研磨之端面的偏光片的尺寸精度係較具有未經研磨之端面的偏光片的尺寸精度更高。

矩形狀的偏光片2具有4個端面2a。可使偏光片2所具有的複數個端面2a之中，一部分的端面2a之粗度曲線要素的平均高度Rc係0.05至1.7μm。亦可使偏光片2所具有的全部的端面2a之粗度曲線要素的平均高度Rc係0.05至1.7μm。Rc為0.05至1.7μm的端面2a越多，則越容易抑制偏光片2之破裂的產生。

如第1圖中之(b)所示，偏光片2的一個端面2a，係由第一邊S1、第二邊S2、第三邊S3及第四邊S4所圍起。換言之，端面2a的周邊是由第一邊S1、第二邊S2、第三邊S3及第四邊S4所構成。圍起端面2a之四邊之中的第一邊S1係鄰接於保護膜3(第一光學膜)。圍起端面2a之四邊之中的第二邊S2係位於第一邊S1的相對側。換言之，第二邊S2鄰接於感壓式黏著劑層5。第二邊S2為未鄰接於保護膜3之邊。

端面2a中沿著第二邊S2的部分(2as)之均方根粗度Rq可為0.03至0.50μm。以下，有將端面2a中沿著第二邊S2的部分記為端面2a的「側部2as」之情形。均方根粗度Rq亦可為0.03至0.466μm、0.03至0.30μm、0.03至0.15μm、或0.031至0.081μm。端面2a的側部2as的均方根粗度Rq，例如可由下述式2定義。

式2中，l(英文字母的小寫L)為端面2a的側部2as的基準長度。Z(x)為基準長度1上的任意位置x之粗度曲線的高度。Rq可例如藉由雷射顯微鏡於端面2a的側部2as測定而得。換言之，Rq可沿著偏光片2的端面2a的第二邊S2測定而得。偏光片2的厚度方向(Z軸方向)之側部2as的寬度，只要能測定Rq，窄亦無妨。假如，將偏光片2的端面2a以第一邊S1與第二邊S2的正中間(中央)等分成二個區域時，Rq可謂是表示二個區域之中無保護膜3的第二邊S2側的一半的機械強度之指標。因此，偏光片2的厚度方向(Z軸方向)之側部2as的寬度亦可為偏光片2的厚度的一半以下。偏光片2的厚度方向(Z軸方向)之側部2as的寬度，亦可與Rq的測定所使用之雷射的點徑大致相同。偏光片2的厚度方向(Z軸方向)之側部2as的寬度亦可為相當於使用雷射顯微鏡 之Rq的量測極限的寬度。

密著有保護膜3之第一邊S1側與無保護膜3之第二邊S2側相比，係較容易藉由保護膜3來抑制隨著溫度變化之偏光片2的膨脹或收縮。

相對而言，位於無保護膜3之第二邊S2側之側部2as與密著有保護膜3之第一邊S1側相比，係較容易隨著溫度變化而膨脹或收縮。並且，位於無保護膜3之第二邊S2側之側部2as的Rq越大，側部2as越會因隨著溫度變化膨脹或收縮而不均勻地變形。換言之，側部2as越粗糙，則側部2as越容易因隨著溫度變化膨脹或收縮而不均勻地變形。尤其是側部2as容易因為隨著熱衝擊之急劇的膨脹或收縮而不均勻且急劇地變形。偏光片2往一軸方向或二軸方向延伸時，偏光片2的膨脹或收縮為非等向性(anisotropic)。由於該等因素，容易隨著偏光片2的溫度變化而以側部2as為起點於偏光片2產生破裂。換言之，容易隨著偏光片2的溫度變化，而於端面2a中沿著未鄰接保護膜之第二邊S2的部分產生破裂。例如，容易以粗度曲線的谷(即側部2as之深凹處)為起點而產生破裂。但是，即使於偏光片2的第二邊S2側的表面未疊合保護膜之情形下，藉由減低位於無保護膜3之第二邊S2側之側部2as的Rq，也能容易地減少如上述之各項破裂的因素，而容易地抑制隨著溫度變化產生偏光片2的破裂。換言之，位於無保護膜3之第二邊S2側之側部2as的Rq小時，容易抑制產生位於第二邊S2側的側部2as的破裂。例如， 均方根粗度Rq為0.03至0.15μm時，容易抑制產生位於第二邊S2側的側部2as的破裂。未研磨偏光片或偏光板的端面時，偏光片的端面不會因為研磨而變粗，故均方根粗度Rq大致為零，不易於偏光片的端面產生破裂。但是，未研磨偏光片或偏光板的端面時，難以將偏光片或偏光板的尺寸以高精度調整為期望值(例如，製品規格的公差之範圍)。因此，均方根粗度Rq未達0.03μm之偏光片的尺寸的精度係有較均方根粗度Rq為0.03μm以上之偏光片的尺寸的精度更低之傾向。

矩形狀的偏光片2具有4個端面2a。可使偏光片2所具有的複數個端面2a之中，一部分的端面2a的側部2as的均方根粗度Rq係0.03至0.15μm。亦可使偏光片2所具有的全部的端面2a的側部2as的均方根粗度Rq係0.03至0.15μm。具有Rq為0.03至0.15μm之側部2as之端面2a越多，則越容易抑制於偏光片2的第二邊S2側產生破裂。

構成偏光片2之樹脂，例如可為：聚乙烯醇系樹脂、聚乙酸乙烯酯樹脂、乙烯/乙酸乙烯酯共聚合樹脂(EVA)樹脂、聚醯胺樹脂或聚酯系樹脂。偏光片2可往一軸方向或二軸方向延伸。偏光片2可經碘或二色性染料染色。染色後之偏光片2可經硼酸處理。偏光片2亦可為於聚乙烯醇膜吸附定向有碘者。

偏光片2的厚度，例如可為：2至30μm、2至15μm、或2至10μm。一般而言，偏光片的厚度越薄， 越容易於偏光片產生破裂。但是，具備本實施形態之偏光片2的偏光板1中，即使於偏光片2的厚度為10μm以下時，亦可良好地抑制於偏光片2之破裂。

保護膜3例如可為：纖維素系樹脂(三乙醯纖維素等)、聚烯烴系樹脂(聚丙烯系樹脂等)、環狀烯烴系樹脂(降莰烯系樹脂等)、丙烯酸系樹脂(聚甲基丙烯酸甲酯系樹脂等)或聚酯系樹脂(聚對苯二甲酸乙二酯系樹脂等)。

保護膜3的厚度可為5至90μm、5至80μm或5至50μm。

保護膜3可經由接著劑層而貼合於偏光片2的表面。亦可將構成保護膜3之樹脂的溶液塗佈於偏光片2上而形成塗膜，並乾燥塗膜，藉此直接於偏光片2的表面形成保護膜。

構成接著劑層之樹脂，例如可為環氧樹脂。環氧樹脂例如可為氫化環氧樹脂、脂環式環氧樹脂或脂肪族環氧樹脂。亦可於環氧樹脂添加聚合起始劑(光陽離子聚合起始劑、熱陽離子聚合起始劑、光自由基聚合起始劑或熱自由基聚合起始劑等)、或其他添加劑(增敏劑等)。構成接著劑層之樹脂，例如可為：丙烯醯胺、丙烯酸酯、胺基甲酸酯丙烯酸酯及環氧丙烯酸酯等丙烯酸系樹脂。亦可於接著劑層使用含聚乙烯醇系樹脂之水系接著劑。

構成感壓式黏著劑層5之樹脂，例如可為丙烯酸系樹脂、聚矽氧系樹脂、聚酯、聚胺基甲酸酯、或聚 醚等。可將包含該等樹脂及任意的添加成分之溶液塗佈於偏光片2的表面而形成塗膜，並乾燥塗膜，藉此形成感壓式黏著劑層5。

感壓式黏著劑層5的厚度，例如可為2至500μm、2至200μm或2至50μm。

亦可將形成於分隔件(separator)上之感壓式黏著劑層5轉印於偏光片2的表面。分隔件，係以保護感壓式黏著劑層或防止異物附著等為目的，而貼附於偏光片2其他光學膜。分隔件為可剝離的膜。例如，將偏光板1貼附於圖像顯示元件時，係將分隔件剝離而露出感壓式黏著劑層。分隔件係於偏光板1之製造過程中暫時性使用，之後可從偏光板1剝離。構成分隔件之樹脂，例如可為聚乙烯系樹脂、聚丙烯系樹脂或聚酯系樹脂(聚對苯二甲酸乙二酯等)。

分隔件的厚度，例如可為2至500μm、2至200μm或2至100μm。

反射型偏光片4(第二光學膜)例如可為由聚碳酸酯等所成之多層膜。反射型偏光片4的厚度，例如可為15至200μm。

偏光板1整體的厚度，例如可為10至500μm、10至300μm、或10至200μm。

〔偏光板的端部之切削加工〕

藉由以下所說明之偏光板1的端部之切削加工，可將 偏光板1所具備之偏光片2的端面2a之粗度曲線要素的平均高度Rc調控於0.05至1.7μm之範圍內。而且，藉由以下所說明之切削加工，可將偏光板1所具備之偏光片2的端面2a的側部2as的均方根粗度Rq調控於0.03至0.15μm之範圍內。以下參照第2圖至第5圖詳細說明切削加工。

首先，製作具有與本實施形態之偏光板1相同的積層構造之複數個偏光板1A。各偏光板1A除了其端面未經切削之外，係與本實施形態之偏光板1相同。未經切削之偏光板1A的端面2a未變粗糙，故各偏光板1A所具備之偏光片2的端面2a的Rc未達0.05。而且，未經切削之各偏光板1A的端面2a的側部2as的Rq未達0.03。如第4圖及第5圖所示，重疊複數個偏光板1A而形成積層體100。各偏光板1A的尺寸完全相同，於積層體100中各偏光板1A的表面整體係完全地互相疊合。第4圖所示之積層體100的端面100a為包含偏光片2的端面之面。換言之，於積層體100的端面100a內，匯集各偏光板1A所具備之偏光片2的端面。如第4圖所示，積層體100的端面100a(換言之，偏光片2的端面)係與切削工具10之切削面S相對，且與切削面S上的切削刃接觸。為了圖示上的方便，積層體100係由4個偏光板1A所構成，惟構成積層體100之偏光板1A的數目並不特別受到限定。

如第2圖所示，切削工具10係固定於支撐體10a(cutter arbor，軸桿)。切削工具10係對著旋轉軸線A進行旋轉。切削工具10的旋轉數(旋轉速度)可調 整自如。又，如第2圖至第5圖所示，切削工具10為圓盤狀。切削工具10的旋轉軸線A係與被切削的積層體100的端面100a(換言之，各偏光片2的端面)垂直相交。將積層體100於水平方向移動1mm的時間設為單位時間時，每單位時間之切削工具10的旋轉數會影響偏光片2的端面2a之粗度曲線要素的平均高度Rc。而且，每單位時間之切削工具10的旋轉數亦會影響偏光片2的端面2a的側部2as的均方根粗度Rq。每單位時間之切削工具10的旋轉數，例如可為3.5至14次或5.6至10.2次。切削工具10的旋轉數於該等範圍內時，容易將偏光片2的端面2a之粗度曲線要素的平均高度Rc調控為0.05至1.7μm。而且，切削工具10的旋轉數於上述範圍內時，容易將偏光片2的端面2a的側部2as的均方根粗度Rq調控為0.03至0.15。

切削工具10具有相對於旋轉軸線A而言為垂直的切削面S。因此，切削面S與被切削的積層體100的端面100a平行。換言之，切削面S與被切削的偏光片2的端面2a平行。如第2圖及第3圖所示，於切削面S上設有包含切削部11a、11b及11c的第1切削部群，與包含切削部11d、11e及11f的第2切削部群。各切削部具有用以削取端面之切削刃B。各切削部係於旋轉軸線A的周圍配置成大致等間隔。各切削部係由切削面S朝被切削的積層體100的端面100a突出。切削刃B係配置於各切削部之突出的頂面。各切削部所具有的切削刃B，係以相對於切削面S而言為平行且延伸存在之方式配置。換言之，各切 削部所具有的切削刃B，係以相對於積層體100中的各偏光片2的端面2a而言為平行且延伸存在之方式配置。又，為了圖示上的方便，第4圖及第5圖中係省略設置於切削工具10之切削面S的各切削部，惟與第2圖至第5圖所示之切削工具10係全為相同者。

使切削工具10朝旋轉方向(第2圖至第5圖中的箭號方向)旋轉時，切削部11a、11b及11c係依此順序與積層體100的端面100a對接，切削該端面100a(各偏光片2的端面2a)。由切削面S算起至切削部11a的切削刃B為止的距離，係較由切削面S算起至切削部11b之切削刃B為止的距離更小。由切削面S算起至切削部11b之切削刃B為止的距離，係較由切削面S算起至切削部11c之切削刃B為止的距離更小。亦即，切削部11b之切削刃B的突出高度係較切削部11a的切削刃B的突出高度更高，切削部11c之切削刃B的突出高度係較切削部11b之切削刃B的突出高度更高。

使切削工具10朝旋轉方向旋轉時，切削部11d、11e及11f係依此順序與積層體100的端面100a對接，切削該端面100a(各偏光片2的端面2a)。由切削面S算起至切削部11d之切削刃B為止的距離，係較由切削面S算起至切削部11e之切削刃B為止的距離更小。由切削面S算起至切削部11e之切削刃B為止的距離，係較由切削面S算起至切削部11f之切削刃B為止的距離更小。亦即，切削部11e之切削刃B的突出高度係較切削部11d 之切削刃B的突出高度更高，切削部11f之切削刃B的突出高度係較切削部11e之切削刃B的突出高度更高。

如第3圖所示，由旋轉軸線A算起至切削部11b之切削刃B為止的距離，係較由旋轉軸線A算起至切削部11a的切削刃B為止的距離更短。由旋轉軸線A算起至切削部11c之切削刃B為止的距離，係較由旋轉軸線A算起至切削部11b之切削刃B為止的距離更短。由旋轉軸線A算起至切削部11e之切削刃B為止的距離，係較由旋轉軸線A算起至切削部11d之切削刃B為止的距離更短。由旋轉軸線A算起至切削部11f之切削刃B為止的距離，係較至切削部11e之切削刃B為止的距離更短。

切削部11a、11b、11d、11e為粗削用，該等切削刃B係例如以聚晶金剛石所構成。各切削部群中，位於最後端之切削部11c、11f為完善加工用，該等切削刃B係例如以單晶金剛石所構成。惟，各切削刃B的材質並不受限定。

各切削部藉由切削工具10的旋轉而描繪的圓，較佳為與積層體100中的各偏光片2的表面(朝向Z軸方向之各偏光片2的表面)幾乎垂直地相交。例如，與旋轉軸線A之距離最短的切削部11c及11f之各切削刃B所描繪的圓，較佳為與積層體100中的各偏光片2的表面幾乎垂直地相交。換言之，如第5圖所示，相對於各偏光片2的表面之各切削刃B的進入角θ係以越接近90°為越佳。換言之，相對於朝向Z軸方向之積層體100的表面之 各切削刃B的進入角θ係以越接近90°為越佳。例如，與旋轉軸線A之距離最短的切削部11c及11f之各切削刃B的進入角θ係以越接近90°為越佳。為了使進入角θ接近90°，切削工具10之切削面S的直徑係以大於積層體100的厚度為佳。而且，切削工具10之切削面S的直徑，係以足夠將堆疊的全部偏光板1A的各端面一併均勻地進行切削之程度的大小為較佳。如第4圖及第5圖所示，積層體100所配置的高度係以與切削工具10的旋轉軸線A的高度大致相同為較佳。換言之，平行於各偏光片2的端面2a的方向(Z軸方向)之積層體100的位置係以與同方向之切削工具10的旋轉軸線A的位置大致相同為較佳。換言之，平行於積層體100的端面100a的方向之積層體100的位置係以與同方向之切削工具10的旋轉軸線A的位置大致相同為較佳。亦可將調整切削刃B的進入角θ作為目的，而調整積層體100的厚度。換言之，可將調整切削刃B的進入角θ作為目的，而調整構成積層體100之偏光板1A的數目。與切削工具10的直徑相比，積層體100的厚度越小，則切削刃B的進入角θ越接近90°。亦可將調整積層體100與切削工具10的旋轉軸線A之相對位置關係作為目的，而調整積層體100的厚度。換言之，亦可將調整積層體100與切削工具10的旋轉軸線A的相對位置關係作為目的，而調整構成積層體100之偏光板1A的數目。如以上所述，將各切削刃B的進入角θ調整為大致垂直，並將積層體100的位置與切削工具10的旋轉軸線A的位 置對合，且適當地調整切削工具10的旋轉數，藉此容易將偏光板1所具備之偏光片2的端面2a之粗度曲線要素的平均高度Rc調控於0.05至1.7μm之範圍內。而且，將各切削刃B的進入角θ調整至大致垂直，將積層體100的位置與切削工具10的旋轉軸線A的位置對合，且適當地調整切削工具10的旋轉數，藉此容易將偏光板1所具備之偏光片2的側部2as的均方根粗度Rq調控於0.03至0.15μm之範圍內。為了將Rc及Rq分別調控於上述之範圍內所需的切削工具10的旋轉數，可藉由予備實驗掌握。為了調整積層體100與切削工具10的旋轉軸線A之相對位置關係，切削工具10可在相對於積層體100的端面100a(各偏光片2的端面2a)而言為平行的方向移動自如。例如，切削工具10的位置可在Z軸方向(上下方向)調整自如。此時，於Z軸方向之積層體100的位置可為固定。在相對於積層體100的端面100a(各偏光片2的端面2a)而言為平行的方向，積層體100可移動自如。例如，於Z軸方向(例如上下方向)之積層體100的位置可調整自如。此時，於Z軸方向之切削工具10的位置可為固定。

構成積層體100之各偏光板1A中，偏光片2較佳為位於較保護膜3更上方的位置。而且，保護膜3的彈性模數較佳為高於偏光片2的彈性模數。如第2圖至第5圖所示，切削工具10的各切削刃B，係由積層體100的上側往下側移動。因此，偏光片2位於較保護膜3更上方之處時，各切削刃B係先與偏光片2接觸，繼而與保護膜 3接觸。換言之，各切削刃B係由彈性模數低的偏光片2進入，繼而進入彈性模數高的保護膜3。以此方式配置偏光片2及保護膜3時，係容易將偏光片2的端面2a之粗度曲線要素的平均高度Rc調控於0.05至1.7μm之範圍內，容易將偏光片2的側部2as的均方根粗度Rq調控於0.03至0.15μm之範圍內。

可使旋轉的切削工具10於與積層體100的端面100a平行的方向(Y方向)以一定速度移動。隨著切削工具10的移動，積層體100的端面100a(各偏光片2的端面2a)被徐緩地切削。此時，可固定積層體100的位置。於與積層體100的端面100a平行的方向(Y方向)，亦可使積層體100以一定的速度接近切削工具10。隨著積層體100的移動，積層體100的端面100a(各偏光片2的端面2a)被徐緩地切削。此時，切削工具10的位置可為固定。

藉由上述之切削方法，與以往所採行之藉由雷射進行積層體100的裁切相比，係能以較高的精度調整構成積層體100之各偏光板1A的尺寸。

以上，係說明本發明之適宜的實施形態，惟本發明並不受上述實施形態任何限定。

例如，偏光板可具備：偏光片、疊合於偏光片之第一光學膜(例如保護膜)、疊合於第一光學膜之感壓式黏著劑層、疊合於感壓式黏著劑層之第二光學膜(例如反射型偏光片)。

第一光學膜或第二光學膜亦可為：附防眩功能之膜、附抗表面反射功能之膜、反射膜、半透射反射膜、視野角補償膜、離型膜、光學補償層、觸控感應層、抗靜電層或防汙層。當然，第一光學膜亦可為反射型偏光片，第二光學膜亦可為保護膜。

〔實施例〕

以下列舉實施例及比較例以進一步具體說明本發明之內容。又，本發明不限定於下述實施例。

〔實施例1〕

(1)偏光片之製作

準備厚度為20μm之聚乙烯醇膜。此聚乙烯醇膜的平均聚合度為約2400，皂化度為99.9莫耳%以上。

將聚乙烯醇膜以乾式進行約4倍的一軸延伸。保持延伸造成之聚乙烯醇膜的伸展狀態，同時將聚乙烯醇膜浸漬於40℃的純水1分鐘。繼而，將聚乙烯醇膜浸漬於第一染色液(水溶液)60秒鐘。第一染色液的溫度係調整為28℃。第一染色液中之碘：碘化鉀：水的質量比為0.1：5：100。繼而，將聚乙烯醇膜於第二染色液(水溶液)中浸漬300秒鐘。第二染色液的溫度係調整為68℃。第二染色液中之碘化鉀：硼酸：水的質量比為10.5：7.5：100。繼而，將聚乙烯醇膜以純水洗淨5秒鐘。純水的溫度係調整為5℃。將洗淨後之聚乙烯醇膜在70℃乾燥180秒鐘。藉由以上程序，得到屬於長條的帶狀膜之偏光片。偏光片係於經 一軸延伸之聚乙烯醇膜吸附定向有碘。偏光片的厚度為7μm。

(2)水系接著劑的調製

將聚乙烯醇粉末溶解於95℃的熱水，調製聚乙烯醇水溶液。將水溶液中之聚乙烯醇的濃度調整為3質量%。聚乙烯醇粉末係使用KURARAY股份公司製之「KL-318」。聚乙烯醇粉末的平均聚合度為1800。於聚乙烯醇水溶液中混合交聯劑，得到水系接著劑。交聯劑係使用田岡化學工業股份公司製之「Sumirez Resin 650」。添加至聚乙烯醇水溶液之交聯劑的質量係調整為相對於聚乙烯醇粉末2質量份為1質量份。

(3)單面保護偏光板的製作

將上述之偏光片於其長方向連續地運送。於運送偏光片的同時，由卷軸體連續地送出保護膜，運送保護膜，同時對保護膜施行電暈處理。保護膜係使用日本zeon股份公司製之ZEONOR膜「ZF 14-023」。保護膜的厚度為23μm。運送偏光片及保護膜，同時由卷軸體連續地送出剝離膜，並運送剝離膜。剝離膜係使用Konica Minolta股份公司製之三乙醯纖維素膜(TAC膜)「KC8UX2MW」。剝離膜的厚度為80μm。剝離膜未經施行皂化處理。

其次，使上述水系接著劑介於偏光片與保護膜之間，使純水介於偏光片與剝離膜之間，並將該等以一 對貼合輥夾起，藉此得到積層膜。此積層膜係具備：偏光片、疊合於偏光片的一表面之水系接著劑層、疊合於水系接著劑層之保護膜、疊合於偏光片的另一表面之純水層、疊合於純水層之剝離膜者。將此積層膜運送至乾燥裝置，將水系接著劑層進行乾燥，同時揮發去除純水層。乾燥裝置內的溫度係調整為80℃。乾燥時間為300秒。藉由從乾燥後之積層體將剝離膜進行剝離，得到單面保護偏光板。此單面保護偏光板為具備：偏光片、疊合於偏光片的一表面之經乾燥的水系接著劑層、疊合於水系接著劑層之保護膜者。

(4)附增亮膜之偏光板的製作

於上述的單面保護偏光板所具備之偏光片的表面，經由感壓式黏著劑層貼合增亮膜，得到附增亮膜之偏光板。貼合時，以使偏光片之延伸方向與增亮膜之延伸軸成為平行之方式，調整單面保護偏光板及增亮膜各自的朝向。感壓式黏著劑層係使用丙烯酸系樹脂。增亮膜係使用3M股份公司製之反射型偏光片之「APF」。

(5)附分隔件之偏光板的製作

準備覆有感壓式黏著劑層之膜狀的分隔件。感壓式黏著劑層係使用丙烯酸系樹脂。將分隔件經由感壓式黏著劑層貼附於上述附增亮膜之偏光板所具備之增亮膜的表面，得到附分隔件之偏光板。

附分隔件之偏光板，係具備：偏光片、疊合於偏光片的一表面之水系接著劑層、疊合於水系接著劑層之保護膜(第一光學膜)、疊合於偏光片的另一表面之第一感壓式黏著劑層、疊合於第一感壓式黏著劑層之增亮膜(第二光學膜)、疊合於增亮膜之第二感壓式黏著劑層、疊合於第二感壓式黏著劑層之分隔件者。

(6)切削加工

將上述附分隔件之偏光板裁切為120mm×70mm之尺寸，得到100片偏光板。裁切係使用Super Cutter。100片偏光板的構造、組成及尺寸係相同。對齊100片偏光板的四邊，將100片偏光板重疊，藉此得到積層體。以下，為了說明上的方便，係將包含100片偏光板之積層體視為與第4圖及第5圖所示之積層體100相同。使用切削工具，切削積層體100所具有的4個端面100a。4個端面100a的切削加工之方法係完全相同。實施例所使用的切削工具，除了第1切削部群及第2切削部群分別具有5個切削部以外，係與第2圖至第5圖所示之切削工具10相同。以下為了方便說明，係將實施例所使用之切削工具視為與第2圖至第5圖所示之切削工具10相同。以下，將各圖中的Z軸方向視為上方向，將X軸方向及Y軸方向視為水平方向。形成積層體100時，係以在各偏光板1A中偏光片2位於保護膜3之上之方式重疊100片偏光板1A。

以5個切削刃B的突出高度沿著與切削工具 10的旋轉方向為相反的方向而逐漸變高之方式，將各切削部群的5個切削刃B配置於切削面S上。而且，以由旋轉軸線A算起至切削部之切削刃B為止的距離沿著與切削工具10的旋轉方向為相反的方向而逐漸變短之方式，將各切削部群的5個切削部配置於切削面S上。將構成第1切削部群及第2切削部群的共計10個之切削部以圍起旋轉軸線A之方式等間隔配置。隔著旋轉軸線A而相對之一對切削刃B的高度為相同。隔著旋轉軸線A而相對之一對切削部之切削刃B與旋轉軸線A的距離為相同。切削工具10的各切削刃群係具有高度不同的5個切削刃B，故切削工具10的一次旋轉便相當於深度不同的5個階段之切削。

積層體100的端面100a的切削加工中，係使用一對的切削工具10。一對的切削工具10之切削面S係相向。以使積層體100能容納於一對的切削工具10之間之方式，調整一對的切削工具10的間隔。以切削工具10的旋轉軸線A成為水平之方式，調整切削工具10的朝向。固定各切削工具10的位置，使各切削工具10以旋轉軸線A為中心旋轉。以使積層體100的端面100a垂直於切削工具10的旋轉軸線A(切削面S之法線)之方式，調整積層體100的端面100a的朝向。而且，以使積層體100的表面成為水平之方式，調整積層體100的朝向。

將具有與積層體100相同的厚度且較積層體100小一圈的合成樹脂盤配置於積層體100之下，調整積層體100所配置的高度。如第4圖及第5圖所示，藉由調 整積層體100所配置的高度，各切削刃B對於積層體100中的各偏光片2的表面之進入角θ成為大致垂直，積層體100所配置的高度成為與切削工具10的旋轉軸線A的高度大致相同。積層體100所配置的高度之調整所使用的合成樹脂盤的厚度為60mm。

切削加工中，係將積層體100所配置的高度維持一定。切削加工中，係使積層體100於水平方向(Y軸方向)以一定的速度移動，將積層體100徐緩地導入至旋轉的一對切削工具10之間。換言之，係藉由一切削工具10之切削面S而徐緩地切削積層體100的一個端面100a，同時藉由另一切削工具10之切削面S而徐緩地切削積層體100的另一個端面100a。使積層體100於水平方向(Y軸方向)持續移動，直到積層體100的端面100a整體被切削為止。

各偏光板1中，因偏光片2配置於保護膜3之上，故切削工具10的一次旋轉中，切削工具10的各切削刃B係先切削積層體100中的各偏光片2的端面，繼而切削鄰接於各偏光片2之各保護膜3的端面。

將積層體100於水平方向移動1mm的時間視為單位時間時，將每單位時間之切削工具10的旋轉數調整為10.2次。

藉由以上的步驟，得到100片偏光板(實施例1之偏光板)。

(7-1)粗度曲線要素的平均高度Rc的測定

以下述程序，測定實施例1之偏光板1所具備之偏光片2的端面2a之粗度曲線要素的平均高度Rc。測定對象之偏光片2的端面2a，意指藉由切削工具10施行切削之端面。Rc的測定，係使用olympus股份公司製之3D測定雷射顯微鏡「OLS4100」。由實施例1之100片偏光板中隨機地抽取5片偏光板1。測定一個偏光板1所具備之偏光片2的4個端面中相對於偏光片2的延伸軸方向而言為垂直的2個端面2a的Rc，算出2個端面2a的Rc的平均值。以相同的方法算出5片偏光板1所具備之偏光片2各自的Rc平均值，再將該等5個Rc的平均值進一步平均。用以上程序算出的實施例1之Rc為0.07μm。

(7-2)均方根粗度Rq的測定

以下述程序，測定實施例1之偏光板1所具備之偏光片2的端面2a的側部2as的均方根粗度Rq。測定對象之偏光片2的端面2a，意指藉由切削工具10施行切削之端面。Rq的測定，係使用olympus股份公司製之3D測定雷射顯微鏡「OLS4100」。由實施例1之100片偏光板中隨機地抽取5片偏光板1。測定一個偏光板1所具備之偏光片2的4個端面中相對於偏光片2的延伸軸方向而言為垂直的2個端面2a的Rq，算出2個端面2a的Rq的平均值。以相同的方法算出5片偏光板1所具備之偏光片2各自的Rq的平均值，再將該等5個Rq的平均值進一步平均。用 以上程序算出的實施例1之Rq為0.031μm。

(8)熱衝擊試驗

以下述程序，使用實施例1的一片偏光板(切削加工後之偏光板)進行熱衝擊試驗。

從附分隔件之偏光板將分隔件剝離，經由黏著劑層將偏光板貼附於無鹼玻璃板，得到試驗用之試樣。無鹼玻璃板係使用康寧公司製之「Eagle-XG」。將試樣封入高壓釜內20分鐘，對試樣施以加壓處理。高壓釜內的溫度係維持於50℃。高壓釜內的壓力係維持於5MPa。將加壓處理後之試樣於溫度為23℃且相對濕度為60%之氣體環境下放置1日。

將經過以上的步驟之試樣設置於冷熱衝擊試驗器之試驗槽內。並且，將包含下述工序1至工序3的循環重複12次。冷熱衝擊試驗器係使用ESPEC股份公司製之「TSA-301L-W」。

工序1：將試驗槽內的溫度維持於-40℃、30分鐘的工序。

工序2：工序1後，將試驗槽內的溫度維持於23℃、5分鐘的工序。

工序3：工序2後，將試驗槽內的溫度維持於85℃、30分鐘的工序。

將循環重複12次後，將試樣由試驗槽取出。繼而，以光學顯微鏡觀察試樣的端邊，調查於偏光片2的 端面2a是否有破裂。光學顯微鏡係使用keyence股份公司製之「VHX-5000」。求出於偏光片2的端面2a之每單位長度的破裂數目。「單位長度」係指於偏光片的端面內之垂直於偏光片的厚度方向且長度為10mm之線段。「每單位長度的破裂數目」意指於偏光片的端面與單位長度交錯的破裂的個數。實施例1的破裂數目為零。

(9)偏光板的尺寸的精度之評估

測定實施例1之偏光板的一邊的長度，評估該測定值是否於目標值±50μm的公差之範圍內。實施例1之偏光板的一邊的長度的測定值係於目標值±50μm的公差之範圍內。換言之，確認到實施例1之偏光板的尺寸的精度高。

〔實施例2至9〕

實施例2至9中，係將每單位時間之切削工具10的旋轉數調整為下述表1所示之值。實施例5至7及9之切削加工中，合成樹脂盤並未配置於積層體100之下。換言之，實施例5至7及9的各切削加工中，積層體100所配置的高度係較實施例1低。因此，實施例5至7及9各自的切削加工中，相對於積層體100中的各偏光片2的表面之各切削刃B的進入角θ並非垂直。而且，實施例5至7及9各自的切削加工中，積層體100所配置的高度並未與切削工具10的旋轉軸線A的高度大致相同。

除了關於切削加工之上述事項之外，係以與 實施例1相同的方法製作實施例2至9之各偏光板。以與實施例1相同的方法測定實施例2至9各自的Rc及Rq。將實施例2至9各自的Rc及Rq示於下述表1。以與實施例1相同的方法測定實施例2至9各自的破裂數目。當於偏光片的端面形成破裂時，亦測定破裂的長度。破裂的長度，係指由位於偏光片的端面之破裂的端部算起至另一個破裂的端部為止的距離。將實施例2至9各自的破裂數目及破裂長度示於下述表1。表1所示之破裂的長度為於各偏光片的端面所形成的破裂之中最長的破裂的長度。以與實施例1相同的方法評估實施例2至9之各偏光板的尺寸精度。將實施例2至9之各偏光板的尺寸精度示於下述表1。

〔比較例1〕

比較例1之切削加工中，合成樹脂盤並未配置於積層體100之下。換言之，比較例1之切削加工中，積層體100所配置的高度係較實施例1低。因此，比較例1之切削加工中，相對於積層體100中的各偏光片2的表面之各切削刃B的進入角θ並非垂直。而且，比較例1之切削加工中，積層體100所配置的高度並未與切削工具10的旋轉軸線A的高度大致相同。此外，比較例1之切削加工中，係將每單位時間之切削工具10的旋轉數調整為下述表1所示之值。

除了關於切削加工的上述事項之外，係以與 實施例1相同的方法製作比較例1之偏光板。以與實施例1相同的方法測定比較例1之Rc及Rq。比較例1之Rc及Rq係示於下述表1。以與實施例1至9相同的方法測定比較例1的破裂數目及破裂長度。將比較例1的破裂數目及破裂長度示於下述表1。以與實施例1相同的方法評估比較例1之偏光板的尺寸精度。將比較例1之偏光板的尺寸精度示於下述表1。

〔比較例2〕

除了未進行切削加工之外，係以與實施例1相同的方法製作比較例2之偏光板。以與實施例1相同的方法測定比較例2的Rc及Rq。將比較例2的Rc及Rq示於下述表1。以與實施例1相同的方法測定比較例2的破裂數目。

將比較例2的破裂數目示於下述表1。以與實施例1相同的方法評估比較例2之偏光板的尺寸精度。比較例2之偏光板的一邊的長度之測定值係於目標值±50μm的公差之範圍外。換言之，確認到比較例2之偏光板的尺寸的精度低。

〔產業上之可利用性〕

本發明之偏光板，係可應用於例如貼附於液晶單元或有機EL元件等之構成液晶電視、有機EL電視或智慧型手機等圖像顯示裝置的光學零件。

1:偏光板

2:膜狀的偏光片

2a:偏光片的端面

2as:端面的側部(端面中之沿著第二邊的部分)

3:保護膜(第一光學膜)

4:反射型偏光片(第二光學膜)

5:感壓式黏著劑層

S1:第一邊

S2:第二邊

S3:第三邊

S4:第四邊

Claims (5)

1. 一種偏光片，係膜狀的偏光片，前述偏光片的至少一個端面之粗度曲線要素的平均高度Rc為0.05至0.221μm，圍起前述偏光片的前述端面的邊之中沿著一個邊的部分之前述端面的均方根粗度Rq為0.03至0.15μm。
2. 一種偏光板，係具備申請專利範圍第1項所述之偏光片、及疊合於前述偏光片的一表面之第一光學膜。
3. 如申請專利範圍第2項所述之偏光板，其中，圍起前述偏光片的前述端面的邊之中的第一邊係鄰接於前述第一光學膜，圍起前述端面的邊之中的第二邊係位於前述第一邊的相對側，前述端面之沿著前述第二邊的部分之均方根粗度Rq為0.03至0.15μm。
4. 如申請專利範圍第2項或第3項所述之偏光板，係進一步具備疊合於前述偏光片的另一表面之黏著劑層、與疊合於前述黏著劑層之第二光學膜。
5. 一種圖像顯示裝置，係包含申請專利範圍第2項至第4項中任一項所述之偏光板。

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