TWI763925B - 光學堆疊薄膜及觸控面板 - Google Patents

光學堆疊薄膜及觸控面板

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Abstract

光學堆疊薄膜，包含：包含熱塑性樹脂［A］之至少一A層，以及由熱塑性樹脂［B］而成之B層。前述至少一A層設置於前述B層之至少一側的面上。前述B層之厚度方向的延遲Rthb滿足下述式（1）。由前述熱塑性樹脂［A］而成之厚度1.5 mm之薄膜（a1）的斷裂點伸長率Sa滿足下述式（2）。（1）｜Rthb｜≦40 nm。（2）Sa≧100%。

Description

光學堆疊薄膜及觸控面板
本發明係關於光學堆疊薄膜及觸控面板。
光學薄膜有時會依用途而彎折使用，故已有人正在進行具備耐曲折性之光學薄膜的開發（專利文獻1、2）。
《專利文獻》 專利文獻1：國際專利公開第2016/147764號（對應公報：美國專利申請公開第2018/043663號說明書）。 專利文獻2：日本專利公開第2002-292808號公報（對應公報：美國專利申請公開第2002/136853號說明書）。
然而，以專利文獻1及2的技術，無法充分提升曲折性並非良好之光學薄膜的耐曲折性。
再者，近年，隨著具可撓性之影像顯示元件之開發進展，亦對包含影像顯示元件之觸控面板的部件要求耐曲折性。
因此，要求耐曲折性良好的光學堆疊薄膜。
本發明人等為了解決上述問題專心致志進行研究的結果，發現藉由將包含「斷裂點伸長率在做成指定厚度之薄膜時為指定值以上之熱塑性樹脂」的A層，設置於由熱塑性樹脂［B］而成之B層的至少一側的面上，可解決上述問題，進而完成本發明。亦即，本發明提供以下內容。
［1］光學堆疊薄膜，其包含：包含熱塑性樹脂［A］至少一A層，以及由熱塑性樹脂［B］而成之B層； 前述至少一A層設置於前述B層之至少一側的面上； 前述B層之厚度方向的延遲Rthb滿足下述式（1）； 由前述熱塑性樹脂［A］而成之厚度1.5 mm之薄膜（a1）的斷裂點伸長率Sa滿足下述式（2）： （1）｜Rthb｜≦40 nm； （2）Sa≧100%。
［2］如記載於［1］之光學堆疊薄膜，由前述熱塑性樹脂［A］而成之厚度4 mm之薄膜（a2）的彎曲模數Ea滿足下述式（3），由前述熱塑性樹脂［B］而成之厚度4 mm之薄膜（b）的彎曲模數Eb滿足下述式（4）。 （3）300 MPa≦Ea≦900 MPa （4）2200 MPa≦Eb≦2800 MPa
［3］如記載於［1］或［2］之光學堆疊薄膜，前述熱塑性樹脂［A］包含嵌段共聚物氫化物［2］或前述嵌段共聚物氫化物［2］之烷氧矽基改質物［3］； 前述嵌段共聚物氫化物［2］係嵌段共聚物［1］經氫化的物質； 前述嵌段共聚物［1］具有：每一分子前述嵌段共聚物［1］二個以上之聚合物嵌段［C］與每一分子前述嵌段共聚物［1］一個以上之聚合物嵌段［D］，所述聚合物嵌段［C］含有芳族乙烯化合物單元，所述聚合物嵌段［D］含有鏈狀共軛二烯化合物單元；前述聚合物嵌段［C］佔前述嵌段共聚物［1］之整體的重量分率wC與前述聚合物嵌段［D］佔前述嵌段共聚物［1］之整體的重量分率wD的比（wC／wD）為30／70～60／40； 前述嵌段共聚物氫化物［2］係前述嵌段共聚物［1］之主鏈及側鏈之碳－碳不飽和鍵以及芳環之碳－碳不飽和鍵經氫化的物質。
［4］如記載於［3］之光學堆疊薄膜，前述熱塑性樹脂［A］包含前述嵌段共聚物氫化物［2］之烷氧矽基改質物［3］。
［5］如記載於［1］～［4］之任一項之光學堆疊薄膜，前述B層的斷裂點伸長率Sb滿足下述式（5）。 （5）5%≦Sb≦60%
［6］如記載於［1］～［5］之任一項之光學堆疊薄膜，前述熱塑性樹脂［B］含有含脂環結構聚合物。
［7］如記載於［1］～［6］之任一項之光學堆疊薄膜，其包含二個前述A層，前述A層分別設置於前述B層的兩面上。
［8］一種觸控面板，其係包含觸控感測器部件與影像顯示元件的觸控面板， 前述觸控感測器部件依序包含第一導電性層、［1］～［7］之任一項之光學堆疊薄膜，以及第二導電性層，並設置於前述影像顯示元件的觀看側。
［9］一種觸控面板，其係包含觸控感測器部件與影像顯示元件的觸控面板， 前述觸控感測器部件依序包含第一導電性層、［1］～［6］之任一項之光學堆疊薄膜，以及第二導電性層，並設置於前述影像顯示元件的觀看側； 前述影像顯示元件能夠以觀看側的面為內側來彎曲； 前述觸控感測器部件配置成前述光學堆疊薄膜之前述A層側的面與前述影像顯示元件之前述觀看側的面相向而對。
［10］一種觸控面板，其係包含觸控感測器部件與影像顯示元件的觸控面板， 前述觸控感測器部件依序包含第一導電性層、［1］～［6］之任一項之光學堆疊薄膜，以及第二導電性層，且設置於前述影像顯示元件的觀看側； 前述影像顯示元件能夠以觀看側的面為外側來彎曲； 前述觸控感測器部件配置成前述光學堆疊薄膜之前述B層側的面與前述影像顯示元件之前述觀看側的面相向而對。
根據本發明，可提供耐曲折性良好的光學堆疊薄膜。
以下揭示實施型態及示例物以詳細說明本發明。惟本發明並非受以下所揭示之實施型態及示例物所限者，在未脫離本發明之申請範圍及其均等範圍之範圍中得任意變更並實施。並且，相同元件有時標註相同符號而省略其說明。
於以下說明中除非另有註記，否則在不損及本發明之效果的範圍內，所謂元件的方向為「平行」、「垂直」及「正交」，亦可包含例如±5°之範圍內的誤差。
於以下的說明中除非另有註記，否則薄膜之厚度方向的延遲Rth係以Rth＝［（nx＋ny）／2－nz］×d表示的值。於此，nx表示在垂直於薄膜之厚度方向的方向（面內方向）中賦予最大折射率之方向的折射率。ny表示在薄膜之前述面內方向中正交於nx方向之方向的折射率。nz表示薄膜之厚度方向的折射率。d表示薄膜之厚度。除非另有註記，否則延遲的量測波長為590 nm。
［1.光學堆疊薄膜］
本發明之光學堆疊薄膜包含：包含熱塑性樹脂［A］之至少一A層，以及由熱塑性樹脂［B］而成之B層；前述至少一A層設置於前述B層之至少一側的面上。亦即，本發明之光學堆疊薄膜包含一層以上的B層，以及於B層之一側或兩側的面設置之一層以上的A層。
前述B層之厚度方向的延遲Rthb及由前述熱塑性樹脂［A］而成之厚度1.5 mm之薄膜（a1）的斷裂點伸長率Sa滿足下述式（1）及下述式（2）。 （1）｜Rthb｜≦40 nm （2）Sa≧100% 於此，｜Rthb｜表示B層之厚度方向的延遲Rthb的絕對值。
［1.1.A層］
A層包含熱塑性樹脂［A］。
［熱塑性樹脂［A］］
熱塑性樹脂［A］通常包含熱塑性聚合物，視需要而更包含任意成分。
熱塑性樹脂［A］中之熱塑性聚合物的含有率，相對於熱塑性樹脂［A］之總重量，以55重量%以上為佳，以60重量%以上為較佳，以65重量%以上為更佳。熱塑性樹脂［A］中之熱塑性聚合物的含有率得定為100重量%以下。
作為熱塑性樹脂［A］所包含之聚合物，可列舉例如：聚乙烯和聚丙烯等脂族烯烴聚合物；脂環烯烴聚合物；聚對酞酸乙二酯、聚對酞酸丁二酯等聚酯；聚苯硫醚等聚芳硫醚；聚乙烯醇；聚碳酸酯；聚芳酯；纖維素酯聚合物；聚醚碸；聚碸；聚烯丙基碸；聚氯乙烯；棒狀液晶聚合物；包含苯乙烯或苯乙烯衍生物之均聚物，或者苯乙烯或苯乙烯衍生物與任意單體之共聚物的聚苯乙烯系聚合物；苯乙烯等芳族化合物與丁二烯或異戊二烯等共軛二烯之共聚物的氫化物（包含芳環氫化物）；聚丙烯腈；聚甲基丙烯酸甲酯；或者，此些多元共聚聚合物等。並且，作為得做成聚苯乙烯系聚合物之單體的任意單體，可列舉例如：丙烯腈、順丁烯二酸酐、甲基丙烯酸甲酯及丁二烯。此些可單獨使用一種，亦可以任意比例組合二種以上使用。
熱塑性樹脂［A］以包含嵌段共聚物氫化物［2］或前述嵌段共聚物氫化物［2］之烷氧矽基改質物［3］為佳。
［嵌段共聚物氫化物［2］］
嵌段共聚物氫化物［2］係具有下述嵌段共聚物［1］受氫化經氫化而形成之結構的物質。惟嵌段共聚物氫化物［2］不受其製造方法所限。以下亦將嵌段共聚物氫化物［2］稱為「氫化物［2］」。
［嵌段共聚物［1］］
嵌段共聚物［1］係具有聚合物嵌段［C］與聚合物嵌段［D］的嵌段共聚物，所述聚合物嵌段［C］於嵌段共聚物［1］之每一分子具有二個以上，所述聚合物嵌段［D］於前述嵌段共聚物［1］之每一分子具有一個以上。
聚合物嵌段［C］係含有芳族乙烯化合物單元的聚合物嵌段。於此，所謂芳族乙烯化合物單元，係指具有將芳族乙烯化合物聚合而形成之結構的結構單元。惟芳族乙烯化合物單元不受其製造方法所限。
作為對應於聚合物嵌段［C］所具有之芳族乙烯化合物單元的芳族乙烯化合物，可列舉例如：苯乙烯；α-甲基苯乙烯、2-甲基苯乙烯、3-甲基苯乙烯、4-甲基苯乙烯、2,4-二甲基苯乙烯、2,4-二異丙基苯乙烯、4-三級丁基苯乙烯，5-三級丁基-2-甲基苯乙烯等具有碳數1～6之烷基作為取代基的苯乙烯類；4-氯苯乙烯、二氯苯乙烯，4-一氟苯乙烯等具有鹵素原子作為取代基的苯乙烯類；4-甲氧苯乙烯等具有碳數1～6之烷氧基作為取代基的苯乙烯類；4-苯基苯乙烯等具有芳基作為取代基的苯乙烯類；1-乙烯基萘、2-乙烯基萘等乙烯基萘類；等。此些可單獨使用一種，亦可以任意比例組合二種以上使用。此些之中，就可降低吸濕性而言，以苯乙烯、具有碳數1～6之烷基作為取代基的苯乙烯類等不含有極性基之芳族乙烯化合物為佳，就工業易取得性而言，尤以苯乙烯為佳。
聚合物嵌段［C］中之芳族乙烯化合物單元的含有率，以90重量%以上為佳，以95重量%以上為較佳，以99重量%以上為尤佳。藉由聚合物嵌段［C］中之芳族乙烯化合物單元的量為如前所述之多，可提高A層的硬度及耐熱性。
聚合物嵌段［C］除了芳族乙烯化合物單元以外亦可還包含任意結構單元。聚合物嵌段［C］可單獨包含一種任意結構單元，亦可包含以任意比例組合二種以上之任意結構單元。
作為聚合物嵌段［C］所得包含之任意結構單元，可列舉例如：鏈狀共軛二烯化合物單元。於此，所謂鏈狀共軛二烯化合物單元，係指具有將鏈狀共軛二烯化合物聚合而形成之結構的結構單元。作為對應於鏈狀共軛二烯化合物單元的鏈狀共軛二烯化合物，可列舉例如：與作為對應於聚合物嵌段［D］所具有之鏈狀共軛二烯化合物單元的鏈狀共軛二烯化合物之例而列舉者相同之例。
並且，作為聚合物嵌段［C］所得包含之任意結構單元，可列舉例如：具有將芳族乙烯化合物及鏈狀共軛二烯化合物以外之任意不飽和化合物聚合而形成之結構的結構單元。作為任意不飽和化合物，可列舉例如：鏈狀乙烯化合物、環狀乙烯化合物等乙烯化合物；不飽和環狀酸酐；不飽和醯亞胺化合物；等。此些化合物亦可具有腈基、烷氧基羰基、羥基羰基或鹵素基等取代基。此些之中，就吸濕性的觀點而言，以乙烯、丙烯、1-丁烯、1-戊烯、1-己烯、1-庚烯、1-辛烯、1-壬烯、1-癸烯、1-十二烯、1-二十烯、4-甲基-1-戊烯、4,6-二甲基-1-庚烯等每一分子碳數2～20之鏈狀烯烴；乙烯基環己烷等每一分子碳數5～20之環狀烯烴；等不含有極性基之乙烯基化合物為佳，以每一分子碳數2～20之鏈狀烯烴為較佳，以乙烯、丙烯為尤佳。
聚合物嵌段［C］中之任意結構單元的含有率，以10重量%以下為佳，以5重量%以下為較佳，以1重量%以下為尤佳。
嵌段共聚物［1］一分子中之聚合物嵌段［C］的數量，以二個以上為佳，且以五個以下為佳，以四個以下為較佳，以三個以下為尤佳。在一分子中所具有的多個聚合物嵌段［C］可彼此相同，亦可相異。
在一分子的嵌段共聚物［1］中存在多個相異之聚合物嵌段［C］的情況下，將聚合物嵌段［C］中，重量平均分子量為最大之聚合物嵌段的重量平均分子量定為Mw（A1），重量平均分子量為最少之聚合物嵌段的重量平均分子量定為Mw（A2）。此時，Mw（A1）與Mw（A2）的比「Mw（A1）／Mw（A2）」，以4.0以下為佳，以3.0以下為較佳，以2.0以下為尤佳。藉此，可壓低各種物性數值的參差。
聚合物嵌段［D］係含有鏈狀共軛二烯化合物單元的聚合物嵌段。如前所述，所謂鏈狀共軛二烯化合物單元，係指具有將鏈狀共軛二烯化合物聚合而形成之結構的結構單元。惟鏈狀共軛二烯化合物單元不受其製造方法所限。
作為對應於聚合物嵌段［D］所具有之鏈狀共軛二烯化合物單元的鏈狀共軛二烯化合物，可列舉例如：1,3-丁二烯、異戊二烯、2,3-二甲基-1,3-丁二烯、1,3-戊二烯等。此些可單獨使用一種，亦可以任意比例組合二種以上使用。其中，就可降低吸濕性而言，以不含有極性基之鏈狀共軛二烯化合物為佳，尤以1,3-丁二烯、異戊二烯為佳。
聚合物嵌段［D］中之鏈狀共軛二烯化合物單元的含有率，以70重量%以上為佳，以80重量%以上為較佳，以90重量%以上為尤佳。藉由聚合物嵌段［D］中之鏈狀共軛二烯化合物單元的量為如前所述之多，可提升A層的可撓性。
聚合物嵌段［D］除了鏈狀共軛二烯化合物單元以外亦可還包含任意結構單元。聚合物嵌段［D］可單獨包含一種任意結構單元，亦可包含以任意比例組合二種以上之任意結構單元。
作為聚合物嵌段［D］所得包含之任意結構單元，可列舉例如：芳族乙烯化合物單元，以及具有將芳族乙烯化合物及鏈狀共軛二烯化合物以外之任意不飽和化合物聚合而形成之結構的結構單元。作為此些芳族乙烯化合物單元，以及具有將任意不飽和化合物聚合而形成之結構的結構單元，可列舉例如：與作為聚合物嵌段［C］所亦可包含者而示例者相同之例。
聚合物嵌段［D］中之任意結構單元的含有率，以30重量%以下為佳，以20重量%以下為較佳，以10重量%以下為尤佳。藉由聚合物嵌段［D］中之任意結構單元的含有率為低，可提升A層的可撓性。
嵌段共聚物［1］一分子中之聚合物嵌段［D］的數量通常為一個以上，但亦可為二個以上。在嵌段共聚物［1］中之聚合物嵌段［D］的數量為二個以上的情況下，此些聚合物嵌段［D］可彼此相同，亦可相異。
在一分子的嵌段共聚物［1］中存在多個相異之聚合物嵌段［D］的情況下，將聚合物嵌段［D］中，重量平均分子量為最大之聚合物嵌段的重量平均分子量定為Mw（B1），重量平均分子量為最少之聚合物嵌段的重量平均分子量定為Mw（B2）。此時，Mw（B1）與Mw（B2）的比「Mw（B1）／Mw（B2）」以4.0以下為佳，以3.0以下為較佳，以2.0以下為尤佳。藉此，可壓低各種物性數值的參差。
嵌段共聚物［1］之嵌段的型態，可為鏈狀型嵌段，亦可為星型嵌段。其中，鏈狀型嵌段因機械強度優異而佳。在嵌段共聚物［1］具有鏈狀型嵌段之型態的情況下，嵌段共聚物［1］之分子鏈的兩端為聚合物嵌段［C］的情形，因可將A層的黏性壓至期望的低值而佳。
嵌段共聚物［1］的尤佳嵌段型態，係如以［C］－［D］－［C］表示，於聚合物嵌段［D］之兩端鍵結聚合物嵌段［C］的三嵌段共聚物；如以［C］－［D］－［C］－［D］－［C］表示，於聚合物嵌段［C］之兩端鍵結聚合物嵌段［D］，並進一步於該兩聚合物嵌段［D］之另一端分別鍵結聚合物嵌段［C］的五嵌段共聚物。尤其因製造容易且可容易將物性落於期望範圍，故以［C］－［D］－［C］之三嵌段共聚物為尤佳。
於嵌段共聚物［1］中，聚合物嵌段［C］佔嵌段共聚物［1］之整體的重量分率wC與聚合物嵌段［D］佔嵌段共聚物［1］之整體的重量分率wD之比（wC／wD）落於特定範圍。具體而言，前述之比（wC／wD）通常為20／80以上，以25／75以上為佳，以30／70以上為較佳，以40／60以上為尤佳，且通常為60／40以下，以55／45以下為佳。藉由前述之比wC／wD為前述範圍之下限值以上，可提升A層的硬度及耐熱性，或減小雙折射。並且，藉由前述之比wC／wD為前述範圍之上限值以下，可提升A層的可撓性。於此，聚合物嵌段［C］的重量分率wC表示聚合物嵌段［C］整體的重量分率，聚合物嵌段［D］的重量分率wD表示聚合物嵌段［D］整體的重量分率。
前述嵌段共聚物［1］的重量平均分子量（Mw）以40,000以上為佳，以50,000以上為較佳，以60,000以上為尤佳，且以200,000以下為佳，以150,000以下為較佳，以100,000以下為尤佳。
並且，嵌段共聚物［1］的分子量分布（Mw／Mn）以3以下為佳，以2以下為較佳，以1.5以下為尤佳，且以1.0以上為佳。於此，Mn表示數量平均分子量。
前述嵌段共聚物［1］的重量平均分子量（Mw）及分子量分布（Mw／Mn），得藉由以四氫呋喃（THF）作為溶析劑之凝膠滲透層析法（Gel Permeation Chromatography，GPC）作為聚苯乙烯換算值而量測。
作為嵌段共聚物［1］的製造方法，可列舉例如：藉由活性陰離子聚合等方法，使含有芳族乙烯化合物之單體組成物（a）與含有鏈狀共軛二烯化合物之單體組成物（b）交替聚合的方法；使含有芳族乙烯化合物之單體組成物（a）與含有鏈狀共軛二烯化合物之單體組成物（b）依序聚合之後，藉由耦合劑使聚合物嵌段［D］之末端彼此耦合的方法。
單體組成物（a）中之芳族乙烯化合物的含有量以90重量%以上為佳，以95重量%以上為較佳，以99重量%以上為尤佳。並且，單體組成物（a）亦可含有芳族乙烯化合物以外的任意單體成分。作為任意單體成分，可列舉例如：鏈狀共軛二烯化合物、任意不飽和化合物。相對於單體組成物（a），任意單體成分的量以10重量%以下為佳，以5重量%以下為較佳，以1重量%以下為尤佳。
單體組成物（b）中之鏈狀共軛二烯化合物的含有量以70重量%以上為佳，以80重量%以上為較佳，以90重量%以上為尤佳。並且，單體組成物（b）亦可含有鏈狀共軛二烯化合物以外的任意單體成分。作為任意單體成分，可列舉：芳族乙烯化合物、任意不飽和化合物。相對於單體組成物（b），任意單體成分的量以30重量%以下為佳，以20重量%以下為較佳，以10重量%以下為尤佳。
作為將單體組成物聚合以獲得各自聚合物嵌段的方法，得使用例如：自由基聚合、陰離子聚合、陽離子聚合、配位陰離子聚合、配位陽離子聚合等。就聚合操作及後續工序中容易進行氫化反應的觀點而言，以藉由活性聚合進行自由基聚合、陰離子聚合、陽離子聚合等的方法為佳，尤以藉由活性陰離子進行的方法為尤佳。
聚合得在聚合起始劑的存在下進行。舉例而言，於活性陰離子聚合中，得使用正丁基鋰、二級丁基鋰、三級丁基鋰、己基鋰、苯基鋰等單有機鋰；二鋰甲烷、1,4-二鋰丁烷、1,4-二鋰-2-乙基環己烷等多官能性有機鋰化合物；等作為聚合起始劑。此些可單獨使用一種，亦可以任意比例組合二種以上使用。
聚合溫度以0℃以上為佳，以10℃以上為較佳，以20℃以上為尤佳，且以100℃以下為佳，以80℃以下為較佳，以70℃以下為尤佳。
聚合反應的型態，得使用例如：溶液聚合及漿料聚合等。其中，若使用溶液聚合，則容易去除反應熱。
在進行溶液聚合的情況下，作為溶劑，得使用得溶解各工序中所獲得之聚合物的非活性溶劑。作為非活性溶劑，可列舉例如：正丁烷、正戊烷、異戊烷、正己烷、正庚烷、異辛烷等脂族烴溶劑；環戊烷、環己烷、甲基環戊烷、甲基環己烷、十氫萘、雙環[4.3.0]壬烷，三環[4.3.0.12,5 ]癸烷等脂環烴溶劑；苯、甲苯等芳烴溶劑；等。此些可單獨使用一種，亦可以任意比例組合二種以上使用。其中，若使用脂環烴溶劑作為溶劑，則氫化反應時亦可直接作為非活性溶劑使用，嵌段共聚物［1］的溶解性良好，故為佳。溶劑的使用量相對於總使用單體100重量份，以200重量份～2000重量份為佳。
在各自單體組成物包含二種以上單體的情況下，為了抑制僅某一成分之鎖鏈變長，得使用雜亂劑（randomizer）。尤其在藉由陰離子聚合進行聚合反應的情況下，以使用例如路易士鹼化合物作為雜亂劑為佳。作為路易士鹼化合物，可列舉例如：二甲醚、二***、二異丙醚、二丁醚、四氫呋喃、二苯醚、乙二醇二***、乙二醇甲基苯基醚等醚化合物；四甲基乙二胺、三甲胺、三乙胺、吡啶等三級胺化合物；三級戊基氧化鉀、三級丁基氧化鉀等鹼金屬烷氧化合物；三苯基膦等膦化合物；等。此些可單獨使用一種，亦可以任意比例組合二種以上使用。
［氫化物［2］］
氫化物［2］係具有將嵌段共聚物［1］之不飽和鍵氫化而形成之結構的聚合物。於此，經氫化之嵌段共聚物［1］的不飽和鍵，既包含嵌段共聚物［1］之主鏈及側鏈之碳－碳不飽和鍵，亦包含芳環之碳－碳不飽和鍵。
氫化率以係嵌段共聚物［1］之主鏈及側鏈之碳－碳不飽和鍵以及芳環之碳－碳不飽和鍵的90%以上為佳，以其97%以上為較佳，以其99%以上為尤佳。氫化率愈高，愈可優化A層的透明性、耐熱性及耐候性，進一步易於減小A層之雙折射的情形。於此，氫化物［2］的氫化率，得藉由1 H-NMR之量測而求得。
尤其，主鏈及側鏈之碳－碳不飽和鍵的氫化率以95%以上為佳，以99%以上為較佳。藉由提高主鏈及側鏈之碳－碳不飽和鍵的氫化率，可更為提高A層的耐光性及耐氧化性。
並且，芳環之碳－碳不飽和鍵的氫化率以90%以上為佳，以93%以上為較佳，以95%以上為尤佳。藉由提高芳環之碳－碳不飽和鍵的氫化率，將聚合物嵌段［C］氫化而獲得之聚合物嵌段的玻璃轉移溫度會變高，故可有效提高A層的耐熱性。
氫化物［2］的重量平均分子量（Mw）以40,000以上為佳，以50,000以上為較佳，以60,000以上為尤佳，且以200,000以下為佳，以150,000以下為較佳，以100,000以下為尤佳。藉由氫化物［2］的重量平均分子量（Mw）落於前述範圍，可提升A層的機械強度及耐熱性，進一步易於減小A層之雙折射的情形。
氫化物［2］的分子量分布（Mw／Mn）以3以下為佳，以2以下為較佳，以1.5以下為尤佳，且以1.0以上為佳。藉由氫化物［2］的分子量分布（Mw／Mn）落於前述範圍，可提升A層的機械強度及耐熱性，進一步易於減小A層之雙折射的情形。
氫化物［2］的重量平均分子量（Mw）及分子量分布（Mw／Mn），得藉由以四氫呋喃作為溶析劑之凝膠滲透層析法（GPC），以聚苯乙烯換算值量測。
前述氫化物［2］得藉由將嵌段共聚物［1］氫化而製造。作為氫化方法，以可提高氫化率而嵌段共聚物［1］之鏈斷裂反應少的氫化方法為佳。作為此種氫化方法，可列舉例如：記載於國際專利公開第2011/096389號、國際專利公開第2012/043708號的方法。
作為具體的氫化方法之例，可列舉例如：使用包含選自由鎳、鈷、鐵、銠、鈀、鉑、釕及錸而成之群組之至少一種金屬之氫化觸媒進行氫化的方法。氫化觸媒可單獨使用一種，亦可以任意比例組合二種以上使用。氫化觸媒能使用非均相觸媒、均相觸媒之任一種。並且，氫化反應以在有機溶劑中進行為佳。
［烷氧矽基改質物［3］］
烷氧矽基改質物［3］，係具有將烷氧矽基導入至上述嵌段共聚物［1］之氫化物［2］而形成之結構的聚合物。惟烷氧矽基改質物［3］不受其製造方法所限。烷氧矽基可直接鍵結於上述氫化物［2］，亦可透過例如伸烷基等二價有機基而間接鍵結。經導入烷氧矽基之烷氧矽基改質物［3］，其與玻璃、金屬等無機材料之接合性尤其優異。因此，A層通常與前述無機材料之接合性優異。
烷氧矽基改質物［3］中之烷氧矽基的導入量，相對於烷氧矽基導入前之氫化物［2］100重量份，以0.1重量份以上為佳，以0.2重量份以上為較佳，以0.3重量份以上為尤佳，且以10重量份以下為佳，以5重量份以下為較佳，以3重量份以下為尤佳。若烷氧矽基的導入量落於前述範圍，則可防止經水分等分解之烷氧矽基彼此之交聯度變得過高，故可高度維持A層對於無機材料的接合性。
烷氧矽基的導入量，得由1 H-NMR光譜量測。並且，量測烷氧矽基的導入量時，在導入量為少的情況下，得增加累積次數來量測。
烷氧矽基改質物［3］得藉由將烷氧矽基導入至前述嵌段共聚物［1］的氫化物［2］而製造。作為將烷氧矽基導入氫化物［2］的方法，可列舉例如：在過氧化物的存在下使氫化物［2］與乙烯性不飽和矽烷化合物反應的方法。
作為乙烯性不飽和矽烷化合物，得使用可與氫化物［2］接枝聚合，而可將烷氧矽基導入至氫化物［2］者。作為此種乙烯性不飽和矽烷化合物之例，可列舉：乙烯基三甲氧矽烷、乙烯基三乙氧矽烷、二甲氧基甲基乙烯基矽烷、二乙氧基甲基乙烯基矽烷等具有乙烯基的烷氧矽烷；烯丙基三甲氧矽烷、烯丙基三乙氧矽烷等具有烯丙基的烷氧矽烷；對苯乙烯基三甲氧矽烷、對苯乙烯基三乙氧矽烷等具有對苯乙烯基的烷氧矽烷；3-甲基丙烯醯氧基丙基三甲氧矽烷、3-甲基丙烯醯氧基丙基甲基二甲氧矽烷、3-甲基丙烯醯氧基丙基三乙氧矽烷、3-甲基丙烯醯氧基丙基甲基二乙氧矽烷等具有3-甲基丙烯醯氧基丙基的烷氧矽烷；3-丙烯醯氧基丙基三甲氧矽烷、3-丙烯醯氧基丙基三乙氧矽烷等具有3-丙烯醯氧基丙基的烷氧矽烷；2-降𦯉烯-5-基三甲氧矽烷等具有2-降𦯉烯-5-基的烷氧矽烷；等。此些之中，就較易於獲得本發明之效果而言，以乙烯基三甲氧矽烷、乙烯基三乙氧矽烷、二甲氧基甲基乙烯基矽烷、二乙氧基甲基乙烯基矽烷、烯丙基三甲氧矽烷、烯丙基三乙氧矽烷、對苯乙烯基三甲氧矽烷為佳。並且，乙烯性不飽和矽烷化合物可單獨使用一種，亦可以任意比例組合二種以上使用。
乙烯性不飽和矽烷化合物之量，相對於導入烷氧矽基前之氫化物［2］100重量份，以0.1重量份以上為佳，以0.2重量份以上為較佳，以0.3重量份以上為尤佳，且以10重量份以下為佳，以5重量份以下為較佳，以3重量份以下為尤佳。
在構成A層的樹脂中，氫化物［2］或烷氧矽基改質物［3］的比例，以80重量%～100重量%為佳，以90重量%～100重量%為較佳，以95重量%～100重量%為尤佳。
［熱塑性樹脂［A］的物性］
由熱塑性樹脂［A］形成之厚度1.5 mm之薄膜（a1）的斷裂點伸長率Sa，通常滿足下述式（2）。 （2）Sa≧100%
藉此，可提升光學堆疊薄膜的耐曲折性。
斷裂點伸長率Sa通常為100%以上，以200%以上為佳，以300%以上為較佳。通常得將斷裂點伸長率Sa做成定為1000%以下。
斷裂點伸長率Sa及後述的斷裂點伸長率Sb，得依據JIS K7127量測。
由熱塑性樹脂［A］形成之厚度4 mm之薄膜（a2）的彎曲模數Ea，通常滿足下述式（3）。 （3）300 MPa≦Ea≦900 MPa
彎曲模數Ea以300 MPa以上為佳，以350 MPa以上為較佳，且以900 MPa以下為佳，以850 MPa以下為較佳。
藉此，可將A層做成具有柔軟性的層體，可提升光學堆疊薄膜的耐曲折性。
彎曲模數Ea及後述的彎曲模數Eb，得依據JIS K7171量測。
［熱塑性樹脂［A］以外的任意成分］
A層除了熱塑性樹脂［A］以外，得包含任意成分。作為任意成分，可列舉例如：氫化聚丁烯等液態石蠟。
A層中之熱塑性樹脂［A］以外的任意成分以45重量%以下為佳，以40重量%以下為較佳。A層中之熱塑性樹脂［A］以外的任意成分得定為0重量%以上。
［1.2.B層］
B層係由熱塑性樹脂［B］而成，以僅由熱塑性樹脂［B］形成為佳。
［熱塑性樹脂［B］］
熱塑性樹脂［B］通常包含熱塑性聚合物，視需要而更包含任意成分。
相對於熱塑性樹脂［B］之總重量，熱塑性樹脂［B］中之熱塑性聚合物的含有率以55重量%以上為佳，以60重量%以上為較佳，以65重量%以上為更佳。熱塑性樹脂［B］中之熱塑性聚合物的含有率得定為100重量%以下。
作為熱塑性樹脂［B］所包含之聚合物，可列舉例如：作為熱塑性樹脂［A］所包含之聚合物而列舉的聚合物。
就機械特性、耐熱性、透明性、低吸濕性、低透濕性、尺寸穩定性及輕量性優異諸點而言，熱塑性樹脂［B］以含有含脂環結構（亦稱為脂環式環狀結構）聚合物為佳。
含脂環結構聚合物，係其聚合物結構單元含有脂環結構的聚合物。
含脂環結構聚合物可於主鏈具有脂環結構，可於側鏈具有脂環結構，亦可於主鏈及側鏈二者具有脂環結構。其中，就機械強度及耐熱性的觀點而言，以至少於主鏈含有脂環結構的聚合物為佳。
作為脂環結構，可列舉例如：飽和脂環烴（環烷）結構、不飽和脂環烴（環烯、環炔）結構等。其中，就機械強度及耐熱性的觀點而言，以環烷結構及環烯結構為佳，其中尤以環烷結構為佳。
構成脂環結構的碳數係為每一個脂環結構中以4個以上為佳，以5個以上為較佳，且以30個以下為佳，以20個以下為較佳，以15個以下為尤佳的範圍。藉由將構成脂環結構的碳數定於此範圍，包含含脂環結構聚合物之樹脂之機械強度、耐熱性及成形性取得高度平衡。
於含脂環結構聚合物中，具有脂環結構之結構單元的比例，得視使用目的而適當選擇。
作為含脂環結構聚合物，可列舉例如：降𦯉烯系聚合物、單環環烯烴系聚合物、環狀共軛二烯系聚合物、乙烯脂環烴聚合物，以及此些的氫化物。此些之中，因透明性及成形性良好，故以降𦯉烯系聚合物為較佳。
作為降𦯉烯系聚合物之例，可列舉：具有降𦯉烯結構之單體的開環聚合物及其氫化物；具有降𦯉烯結構之單體的加成聚合物及其氫化物。並且，作為具有降𦯉烯結構之單體的開環聚合物之例，可列舉：具有降𦯉烯結構之一種單體的開環均聚物、具有降𦯉烯結構之二種以上單體的開環共聚物，以及具有降𦯉烯結構之單體及得與其共聚合之任意單體的開環共聚物。再者，作為具有降𦯉烯結構之單體的加成聚合物之例，可列舉：具有降𦯉烯結構之一種單體的加成均聚物、具有降𦯉烯結構之二種以上單體的加成共聚物，以及具有降𦯉烯結構之單體及得與其共聚合之任意單體的加成共聚物。此些之中，就成形性、耐熱性、低吸濕性、低透濕性、尺寸穩定性及輕量性的觀點而言，具有降𦯉烯結構之單體的開環聚合物之氫化物尤其合適。
作為具有降𦯉烯結構之單體，可列舉例如：雙環[2.2.1]庚-2-烯（慣用名稱：降𦯉烯）、三環[4.3.0.12,5 ]癸-3,7-二烯（慣用名稱：二環戊二烯）、7,8-苯并三環[4.3.0.12,5 ]癸-3-烯（慣用名稱：甲橋四氫茀）、四環[4.4.0.12,5 .17,10 ]十二-3-烯（慣用名稱：四環十二烯），以及此些化合物的衍生物（例如於環具有取代基者）等。於此，作為取代基，可列舉例如：烷基、伸烷基、極性基等。此些取代基亦可相同或相異，並多個鍵結於環。具有降𦯉烯結構之單體可單獨使用一種，亦可以任意比例組合二種以上使用。
作為極性基的種類，可列舉例如：雜原子或具有雜原子的原子團等。作為雜原子，可列舉例如：氧原子、氮原子、硫原子、矽原子、鹵素原子等。作為極性基的具體例，可列舉羧基、羰氧羰基、環氧基、羥基、氧基、酯基、矽醇基、矽基、胺基、腈基、磺酸基等。
作為能與具有降𦯉烯結構之單體開環共聚合的單體，可列舉例如：環己烯、環庚烯、環辛烯等單環烯烴類及其衍生物；環己二烯、環庚二烯等環狀共軛二烯及其衍生物；等。能與具有降𦯉烯結構之單體開環共聚合的單體可單獨使用一種，亦可以任意比例組合二種以上使用。
具有降𦯉烯結構之單體的開環共聚物，得藉由例如在開環聚合觸媒的存在下將單體聚合或共聚合而製造。
作為能與具有降𦯉烯結構之單體加成共聚合的單體，可列舉例如：乙烯、丙烯、1-丁烯等碳數2～20的α-烯烴及此些之衍生物；環丁烯、環戊烯、環己烯等環烯烴及其衍生物；1,4-己二烯、4-甲基-1,4-己二烯、5-甲基-1,4-己二烯等非共軛二烯；等。此些之中，以α-烯烴為佳，以乙烯為較佳。並且，能與具有降𦯉烯結構之單體加成共聚合的單體可單獨使用一種，亦可以任意比例組合二種以上使用。
具有降𦯉烯結構之單體的加成聚合物，得藉由例如在加成聚合觸媒的存在下將單體聚合或共聚合而製造。
上述開環聚合物及加成聚合物的氫化物，得藉由例如在開環聚合物及加成聚合物的溶液中，於包含鎳、鈀等過渡金屬之氫化觸媒的存在下，將碳－碳不飽和鍵氫化90%以上為佳而製造。
上述含脂環結構聚合物，可為結晶性，亦可為非晶性。
所謂具有結晶性的聚合物，意指具有熔點，亦即可用示差掃描熱量計（DSC）量測熔點的聚合物。
在含脂環結構聚合物為結晶性的情況下，該聚合物的熔點以200℃以上為佳，以230℃以上為較佳，且以290℃以下為佳。藉由樹脂［B］包含具有此種熔點之含脂環結構聚合物，可獲得成形性與耐熱性之平衡優異的B層。
構成B層的樹脂中，上述含脂環結構聚合物的比例以80重量%～100重量%為佳，以90重量%～100重量%為較佳，以95重量%～100重量%為尤佳。
［熱塑性樹脂［B］的物性］
由熱塑性樹脂［B］而成之厚度4 mm之薄膜（b）的彎曲模數Eb，以滿足下述式（4）為佳： （4）2200 MPa≦Eb≦2800 MPa。
彎曲模數Eb以2200 MPa以上為佳，以2250 MPa以上為較佳，且以2800 MPa以下為佳，以2700 MPa以下為較佳。
［B層的物性］
B層之厚度方向的延遲Rthb通常滿足下述式（1）。 （1）｜Rthb｜≦40 nm
延遲Rthb的絕對值（｜Rthb｜）通常為0 nm以上，且通常為40 nm以下，以30 nm以下為佳，以20 nm以下為較佳。
藉此，在將光學堆疊薄膜與影像顯示元件一同使用的情況下，得抑制虹彩斑紋的發生。
B層的斷裂點伸長率Sb以滿足下述式（5）為佳。 （5）5%≦Sb≦60%
即使係斷裂點伸長率Sb相對如此小的層，亦可藉由堆疊A層來提升耐曲折性。
斷裂點伸長率Sb以5%以上為佳，以6%以上為較佳，且以60%以下為佳，以58%以下為較佳。
［1.3.任意層體］
光學堆疊薄膜除了A層及B層以外，亦可視光學堆疊薄膜的使用目的而包含任意層體。作為任意層體，可列舉例如：折射率匹配層及硬塗層。
［1.4.光學堆疊薄膜的構成例］
以下使用圖式說明光學堆疊薄膜的構成例。本發明並不受此些構成例所限，亦可視需要而包含其他構成元件。舉例而言，亦可包含折射率匹配層、硬塗層等功能層作為其他構成元件。
［光學堆疊薄膜之實施型態F-1］
光學堆疊薄膜之實施型態F-1中，A層設置於B層之一側的面上。
圖1為繪示光學堆疊薄膜之實施型態F-1的剖面示意圖。
如圖1所繪示，光學堆疊薄膜100具備A層101及B層102。B層102具有面102U及面102D，A層101直接設置於B層102之一側的面102U上。
［光學堆疊薄膜之之實施型態F-2］
光學堆疊薄膜之實施型態F-2中，光學堆疊薄膜包含二層A層，A層分別設置於B層之兩面上。
圖2為繪示光學堆疊薄膜之實施型態F-2的剖面示意圖。
如圖2所繪示，光學堆疊薄膜200依序具備A層101、B層102、A層101，二層A層101、101分別直接設置於面102U或面102D上。
［1.5.光學堆疊薄膜的製造方法］
光學堆疊薄膜可用任意方法製造。可列舉例如：分別形成A層及B層再堆疊的方法，以及藉由共擠製法、共流延法等方法同時製造A層及B層而獲得堆疊薄膜的方法。
作為形成A層或B層的方法，可列舉例如：熔融擠製法，以及將包含A層或B層之材料與溶劑的溶液塗布於表面施有離形處理之支撐薄膜而形成塗布層，隨後自塗布層去除溶劑，而獲得附帶支撐薄膜之A層或B層的方法。
作為將分別形成之A層及B層堆疊的方法，可列舉例如：於加熱的同時將A層及B層加壓貼合的方法、透過接合劑層貼合A層及B層的方法。
於堆疊A層及B層時，亦可於A層或B層的表面進行電暈處理等表面處理。
在由附帶支撐薄膜之A層或B層製造堆疊薄膜的情況下，可於堆疊A層與B層前去除支撐薄膜，亦可於附帶著支撐薄膜的狀態下直接堆疊A層或B層而獲得堆疊體後，再自堆疊體去除支撐薄膜，以獲得光學堆疊薄膜。
［1.6.光學堆疊薄膜的用途］
本發明的光學堆疊薄膜可使用於各種光學用途。舉例而言，可作為觸控面板的部件使用。
本發明的光學堆疊薄膜因耐曲折性良好，而尤可與具有可撓性的影像顯示元件（可撓顯示元件）組合，做成例如具可撓性之觸控面板等具有可撓性的裝置。
［2.觸控面板］
本發明之觸控面板包含觸控感測器部件與影像顯示元件。
觸控感測器部件依序包含第一導電性層、上述光學堆疊薄膜及第二導電性層。觸控感測器部件設置於影像顯示元件的觀看側。
並且，觸控感測器部件可為於上述光學堆疊薄膜上形成第二導電性層，再透過介電體將形成有第二導電性層之光學堆疊薄膜貼合於第一導電性層而獲得的部件，亦可為透過介電體將形成於其他基材（例如：玻璃基材或薄膜基材）上之第二導電性層貼合於包含第一導電性層及上述光學堆疊薄膜之堆疊體者。
並且，第一導電性層及／或第二導電性層亦可為將形成於其他基材上之導電性層轉印至上述光學堆疊薄膜而獲得的層體。
［2.1.影像顯示元件］
作為影像顯示元件，可使用任意影像顯示元件，可列舉例如：液晶顯示元件、有機電致發光（有機EL）顯示元件。作為影像顯示元件，可使用具有能以影像顯示元件之觀看側的面為內側而使其彎曲之構造的元件、具有能以影像顯示元件之觀看側的面為外側而使其彎曲之構造的元件、具有能以影像顯示元件之觀看側的面為內側及以影像顯示元件之觀看側的面為外側而使其彎曲之構造的元件。
影像顯示元件以具有可撓性之影像顯示元件為佳。
［2.2.導電性層］
第一導電性層及第二導電性層為具有導電性的層體。具有導電性的層體，通常係做成包含具有導電性之材料（導電材料）的層體而形成。作為導電材料，可列舉例如：金屬、導電性金屬氧化物、導電性奈米線及導電性聚合物。並且，導電材料可單獨使用一種，亦可以任意比例組合二種以上使用。
導電性層的平面形狀，以良好作為觸控面板（例如：電容式觸控面板）運作的圖案為佳，若列舉具體例，可列舉記載於日本專利公表第2011-511357號公報、日本專利公開第2010-164938號公報、日本專利公開第2008-310550號公報、日本專利公表第2003-511799號公報、日本專利公表第2010-541109號公報的圖案。
導電性層以具有高透明性為佳。
［2.3.觸控面板的構成例］
以下使用圖式說明觸控面板的構成例。本發明並不受此些構成例所限，亦可視需要而包含其他構成元件。舉例而言，亦可包含折射率匹配層、硬塗層等功能層作為其他構成元件。
［觸控面板之實施型態P-1］
觸控面板之實施型態P-1中，觸控面板包含觸控感測器部件與影像顯示元件。觸控感測器部件依序包含第一導電性層、光學堆疊薄膜及第二導電性層。並且，觸控感測器部件設置於影像顯示元件的觀看側，觸控感測器部件配置成光學堆疊薄膜之A層側的面與影像顯示元件之前述觀看側的面相向而對。
圖3為繪示觸控面板之實施型態P-1的剖面示意圖。
如圖3所繪示，觸控面板300具備影像顯示元件301、觸控面板部件350。觸控面板部件350直接設置於影像顯示元件301之觀看側的面301U上。觸控面板部件350依序具備導電性層302、光學堆疊薄膜100及導電性層303。光學堆疊薄膜100具備B層102與直接設置於B層102之單面上的A層101。光學堆疊薄膜100之A層101側的面101D朝向影像顯示元件301之觀看側的面301U。
［觸控面板之實施型態P-2］
觸控面板之實施型態P-2中，觸控面板包含觸控感測器部件與影像顯示元件，觸控感測器部件依序包含第一導電性層、光學堆疊薄膜及第二導電性層，觸控感測器部件設置於影像顯示元件的觀看側這點，與實施型態P-1相同，但觸控感測器部件配置成光學堆疊薄膜之B層側的面與影像顯示元件之觀看側的面相向而對這點，與實施型態P-1相異。
圖4為繪示觸控面板之實施型態P-2的剖面示意圖。
如圖4所示，觸控面板400具備影像顯示元件301、觸控面板部件450。觸控面板部件450直接設置於影像顯示元件301之觀看側的面301U上。觸控面板部件450依序具備導電性層302、光學堆疊薄膜100及導電性層303。光學堆疊薄膜100之B層102側的面102D朝向影像顯示元件301之觀看側的面301U。
［觸控面板之實施型態P-3］
觸控面板之實施型態P-3中，觸控面板包含觸控感測器部件與影像顯示元件，觸控感測器部件包含薄膜作為光學堆疊薄膜，所述薄膜包含二層A層，前述A層分別設置於B層之兩面上。
圖5為繪示觸控面板之實施型態P-3的剖面示意圖。
如圖5所繪示，觸控面板500具備影像顯示元件301與觸控面板部件550。觸控面板部件550直接設置於影像顯示元件301之觀看側的面301U上。觸控面板部件550依序具備導電性層302、光學堆疊薄膜200及導電性層303。光學堆疊薄膜200之單側的面101D朝向影像顯示元件301之觀看側的面301U。
［觸控面板之實施型態P-4］
觸控面板之實施型態P-4中，觸控面板包含觸控感測器部件與影像顯示元件，影像顯示元件為具有可以觀看側的面為內側而使其彎曲之構造的元件。觸控感測器部件配置成觸控感測器部件所具備之光學堆疊薄膜之A層側的面與影像顯示元件之觀看側的面相向而對。
圖6為繪示觸控面板之實施型態P-4的剖面示意圖。
如圖6所繪示，觸控面板600具備影像顯示元件601與觸控面板部件650。觸控面板部件650直接設置於影像顯示元件601之觀看側的面601U上。
影像顯示元件601具有可以觀看側的面601U為內側而使其彎曲之構造。並且，觸控面板部件650以具有可撓性的方式構成。因此，觸控面板600亦能以影像顯示元件601之觀看側的面601U為內側而使其彎曲。於圖6中，以實線表示的型態，示意表示使觸控面板600彎曲時的型態，而以虛線表示的型態，示意表示使觸控面板600彎曲前的型態。
觸控面板部件650依序具備導電性層602、光學堆疊薄膜100及導電性層603。光學堆疊薄膜100之A層101側的面101D朝向影像顯示元件601之觀看側的面601U。
於本實施型態中，以影像顯示元件601之觀看側的面601U為內側使觸控面板600彎曲時，於光學堆疊薄膜100所具備之A層101施有拉伸應力。光學堆疊薄膜100即使在以於A層101反覆施予拉伸應力的方式反覆曲折的情況下，破裂的發生亦受到抑制。因此，觸控面板600之耐曲折性優異。
［觸控面板之實施型態P-5］
觸控面板之實施型態P-5中，觸控面板包含觸控感測器部件與影像顯示元件，影像顯示元件為具有可以觀看側的面為外側而使其彎曲之構造的元件。觸控感測器部件配置成觸控感測器部件所具備之光學堆疊薄膜之B層側的面與影像顯示元件之觀看側的面相向而對。
圖7為繪示觸控面板之實施型態P-5的剖面示意圖。
如圖7所繪示，觸控面板700具備影像顯示元件701與觸控面板部件750。觸控面板部件750直接設置於影像顯示元件701之觀看側的面701U上。
影像顯示元件701具有可以觀看側的面701U為外側而使其彎曲之構造。並且，觸控面板部件750以具有可撓性的方式構成。因此，觸控面板700亦能以影像顯示元件701之觀看側的面701U為外側而使其彎曲。於圖7中，以實線表示的型態，示意表示使觸控面板700彎曲時的型態，而以虛線表示的型態，示意表示使觸控面板700彎曲前的型態。
觸控面板部件750依序具備導電性層702、光學堆疊薄膜100及導電性層703。光學堆疊薄膜100之B層102側的面102D朝向影像顯示元件701之觀看側的面701U。
於本實施型態中，以影像顯示元件701之觀看側的面701U為外側使觸控面板700彎曲時，於光學堆疊薄膜100所具備之A層101施有拉伸應力。光學堆疊薄膜100即使在以於A層101反覆施予拉伸應力的方式反覆曲折的情況下，破裂的發生亦受到抑制。因此，觸控面板700之耐曲折性優異。
《實施例》
以下揭示實施例以具體說明本發明。惟本發明並非受以下所揭示之實施例所限者，在未脫離本發明之申請專利範圍及其均等範圍之範圍中得任意變更而實施。
以下說明中除非另有註記，否則表示量的「%」及「份」為重量基準。並且，以下所說明的操作除非另有註記，否則係在常溫及常壓的條件下進行。
［評價方法］
［厚度方向的延遲Rth的量測方法］
在波長590 nm使用相位差量測裝置（Axometrics公司製，製品名「Axoscan」），量測Rth。Rth為以下述式求得的數值。 Rth＝［（nx＋ny）／2－nz］×d
［厚度的量測方法］
針對量測對象的薄膜，用卡規（MITSUTOYO製造）量測任意四個位置的厚度，再取得其平均值作為膜厚。
［重量平均分子量及數量平均分子量的量測方法］
聚合物的重量平均分子量及數量平均分子量，係使用凝膠滲透層析（GPC）系統（TOSOH公司製之「HLC-8320」），作為聚苯乙烯換算值而量測。量測時，使用H型管柱（TOSOH公司製）作為管柱，使用四氫呋喃作為溶析劑。並且，量測時的溫度為40℃。
［聚合轉化率的量測方法］
聚合物之合成過程中的聚合轉化率係藉由GPC量測。
［氫化嵌段共聚物之氫化率的量測方法］
聚合物之氫化率，藉由以鄰二氯苯-d4 作為溶劑並於145℃之1 H-NMR量測而量測。
［斷裂點伸長率］
依據JIS K7127量測出量測對象之薄膜的斷裂點伸長率。自量測對象之薄膜衝壓出1B型之啞鈴狀的試驗片作為量測試料。沿熔融擠製或射出成形時之薄膜的流動方向（MD方向）自薄膜衝壓五片，沿正交於流動方向之薄膜幅寬方向（TD方向）衝壓五片，合計十片作為量測試樣。使用附有恆溫恆濕槽之拉伸試驗機（INSTRON公司製之「5564型」）作為量測裝置。並且，在拉伸速度為20 mm／min下實施，將沿MD方向衝壓之試驗片（N＝5）及沿TD方向衝壓之試驗片（N＝5）之斷裂點伸長率的平均值作為薄膜的斷裂點伸長率。
［彎曲模數］
依據JIS K7171量測出量測對象之薄膜的彎曲模數。由量測對象之樹脂藉由射出成形而形成4 mm之片狀薄膜，將此作為量測試樣。使用拉伸試驗機（INSTRON公司製之「5564型」）作為量測裝置。
［耐曲折性試驗］
使用桌上型耐久試驗器（YUASA系統機器股份有限公司製之「DLDMLH-FS」），藉由面狀體無負載U字伸縮試驗的方法，對於各實施例及比較例中所獲得之光學堆疊薄膜進行耐曲折性試驗。在伸縮幅度50 mm、曲率半徑2 mm、伸縮速度80次／分鐘的條件下，以A層（於不存在A層之薄膜的情況下為B層）為外側（施有拉伸應力之側）的方式重複進行彎折。曲折次數為超過1000次至一萬次則於每1000次，超過一萬次至五萬次則於每5000次，超過五萬次則於每一萬次即停止裝置，並目視確認薄膜，若於薄膜確認到發生就算微小的破裂則評價為「破裂」，在有摺痕的情況下評價為「摺痕」，在曲折部分有白濁的情況下評價為「白濁」。以曲折次數十萬次作為上限進行四次評價，以四次之中直至發生「破裂」、「摺痕」或「白濁」之曲折次數為最多次的結果作為評價結果。
［虹彩斑紋評價］
準備市售品的ON-CELL型顯示面板，自面板僅剝除觸控感測器部分，安裝實施例及比較例中所獲得之光學堆疊薄膜代替觸控感測器部分。此時，以光學堆疊薄膜的慢軸平行於面板之偏光板之吸收軸的方式為之。之後，以偏光板的慢軸作為0度，自方位角45度、極角70度的方向以目視觀察顯示面板，確認虹彩斑紋的有無。
［製造例1］
（三嵌段共聚物氫化物（a1）的製造）
參考記載於國際專利公開第2014/077267號的方法，將苯乙烯25份、異戊二烯50份及苯乙烯25份依序聚合，製造三嵌段共聚物氫化物（a1）（重量平均分子量Mw＝48,200；分子量分布Mw／Mn＝1.04；主鏈及側鏈之碳－碳不飽和鍵及芳環之碳－碳不飽和鍵的氫化率近乎100%）的粒料。
藉由射出成形自所獲得之氫化物（a1）形成厚度4 mm的薄膜，量測彎曲模數的結果，彎曲模數為760 MPa。並且，藉由射出成形自所獲得之氫化物（a1）形成厚度1.5 mm的薄膜，量測斷裂點伸長率的結果，斷裂點伸長率為520%。
［製造例2］
（三嵌段共聚物氫化物之烷氧矽基改質物（a1-s）的製造）
參考記載於國際專利公開第2014/077267號的方法，將苯乙烯25份、異戊二烯50份及苯乙烯25份依序聚合，而製造三嵌段共聚物氫化物（a1）（重量平均分子量Mw＝48,200；分子量分布Mw／Mn＝1.04；主鏈及側鏈之碳－碳不飽和鍵及芳環之碳－碳不飽和鍵的氫化率近乎100%）。再者，參考記載於前述國際專利公開第2014/077267號的方法，使乙烯基三甲氧矽烷2份鍵結至前述三嵌段共聚物氫化物（a1）100份，製造三嵌段共聚物氫化物之烷氧矽基改質物（a1-s）的粒料。
藉由射出成形自所獲得之改質物（a1-s）形成厚度4 mm的薄膜，量測彎曲模數的結果，彎曲模數為437 MPa。並且，藉由射出成形自所獲得之改質物（a1-s）形成厚度1.5 mm的薄膜，量測斷裂點伸長率的結果，斷裂點伸長率為520%。
［製造例3］
（氫化嵌段共聚物（a2）的製造）
（P3-1）嵌段共聚物的製造
將脫水環己烷270份、脫水苯乙烯75份及二正丁基醚7.0份置入具備攪拌裝置且內部充分以氮氣置換的反應器。於60℃攪拌整體的同時，加入正丁基鋰（15%環己烷溶液）5.6份使聚合開始。繼續於60℃攪拌整體60分鐘。將反應溫度維持於60℃直到反應停止。
於此時間點（聚合第一階段）的聚合轉化率為99.4%。
隨後，將脫水異戊二烯15份連續添加至反應液長達40分鐘，於添加完成後就此繼續攪拌30分鐘。於此時間點（聚合第二階段）的聚合轉化率為99.8%。
之後，進一步將脫水苯乙烯10份連續添加至反應液長達30分鐘，於添加完成後就此攪拌30分鐘。於此時間點（聚合第三階段）的聚合轉化率為近乎100%。
於此，藉由加入異丙醇1.0份使反應停止，獲得包含［C1］－［D］－［C2］型之嵌段共聚物（1-1）的聚合物溶液。所獲得之嵌段共聚物（1-1）中，Mw（1-1）＝82,400，Mw／Mn為1.32，wC／wD＝85／15。
（P3-2）氫化嵌段共聚物（a2）的製造
將於（P3-1）中所獲得之聚合物溶液轉移至具備攪拌裝置的耐壓反應器，添加並混合作為氫化觸媒之矽藻土負載型鎳觸媒（製品名「E22U」，鎳負載量60%，日揮觸媒化成公司製）4.0份及脫水環己烷30份。以氫氣置換反應器內部，進一步於攪拌溶液的同時供給氫，於溫度190℃、壓力4.5 MPa下進行氫化反應六小時。
藉由氫化反應而獲得之反應溶液中，包含有氫化嵌段共聚物（a2’）。氫化嵌段共聚物（a2’）的Mw（a2’）為71,800，分子量分布Mw／Mn為1.30，氫化率近乎100%。
氫化反應結束後，過濾反應溶液去除氫化觸媒後，添加溶解有係為酚系抗氧化劑之肆{3-[3,5-二(三級丁基)-4-羥基苯基]丙酸}新戊四醇酯（製品名「AO60」，ADEKA公司製）0.3份的二甲苯溶液2.0份，並溶解而做成溶液。
隨後，使用圓筒型濃縮乾燥器（製品名「Kontro」，日立製作所公司製），以溫度260℃、壓力0.001 MPa以下的條件處理上述溶液，自溶液去除環己烷、二甲苯及其他揮發成分，獲得熔融的樹脂。將此熔融的樹脂自模具擠製成股狀冷卻，並藉由造粒機（pelletizer）成形為粒料。藉此，製造包含氫化嵌段共聚物（a2）之樹脂（a2）的粒料95份。
所獲得之樹脂（a2）中之氫化嵌段共聚物（a2），Mw（a2）＝68,500，Mw／Mn＝1.30。
並且，藉由射出成形自所獲得之樹脂（a2）形成厚度4 mm的薄膜，量測彎曲模數的結果，彎曲模數為2100 MPa。並且，藉由射出成形自所獲得之樹脂（a2）形成厚度1.5 mm的薄膜，量測斷裂點伸長率的結果，斷裂點伸長率為2%。
［實施例1］
（光學堆疊薄膜的製造）
（A層的製造）
將於製造例2中所獲得之三嵌段共聚物氫化物之烷氧矽基改質物（a1-s）的粒料28 g、氫化聚丁烯（日油公司製之「PERLEAM（註冊商標） 24」）12 g與環己烷60 g混合，使粒料溶解，製備40%的聚合物溶液。將所獲得之聚合物溶液塗布於表面施有離形處理之離形用聚對酞酸乙二醇酯（PET）製薄膜（厚度50 μm）的離形面。溶液之塗布厚度係調整成所獲得之A層的厚度呈11 μm。塗布後，於110℃的加熱板上乾燥30分鐘，形成具有（離形薄膜）／（A層）之層體構成的堆疊體。
（B層的製造）
並且，準備環烯烴聚合物薄膜（1）（日本瑞翁公司製之「ZeonorFilm ZF16」，在做成厚度4 mm之情形中的彎曲模數為2500 MPa，斷裂點伸長率為9%，厚度為50 μm，厚度方向的延遲Rth為10 nm），作為由熱塑性樹脂B而成之B層。並且，以水接觸角成為45度以下之輸出對於B層用以貼合A層之面施以電暈處理。
之後，準備壓輥被加熱至70度的壓機，以B層之電暈處理面成為A層側的方式，將B層與A層貼合，獲得具有（離形薄膜）／（A層）／（B層）之構成的堆疊體。之後，剝除離形薄膜，獲得具有（A層）／（B層）之構成的光學堆疊薄膜。
將上述光學堆疊薄膜裝載於ON-CELL型顯示面板，確認虹彩斑紋的有無。
並且，針對上述光學堆疊薄膜進行耐曲折性試驗。
結果揭示於表1。
［實施例2］
除了於（B層的製造）中使用環烯烴聚合物薄膜（2）（日本瑞翁公司製之「ZeonorFilm ZF14」，在做成厚度4 mm之情形中的彎曲模數為2350 MPa，斷裂點伸長率為55%，厚度為45 μm，厚度方向的延遲Rth為5 nm）代替環烯烴聚合物薄膜（1）以外，其餘比照實施例1操作，獲得光學堆疊薄膜並進行評價。結果揭示於表1。
［實施例3］
除了於（B層的製造）中使用環烯烴聚合物薄膜（3）（日本瑞翁公司製之「ZeonorFilm ZF16」，在做成厚度4 mm之情形中的彎曲模數為2500 MPa，斷裂點伸長率為21%，厚度為35 μm，厚度方向的延遲Rth為10 nm）代替環烯烴聚合物薄膜（1）以外，其餘比照實施例1操作，獲得光學堆疊薄膜並進行評價。結果揭示於表1。
［實施例4］
除了於（B層的製造）中於B層的兩面施以電暈處理，以成為（離形薄膜）／（A層）／（B層）／（A層）／（離形薄膜）之構成的方式將B層與二枚A層貼合以外，其餘比照實施例1操作，獲得具有（A層）／（B層）／（A層）之構成的光學堆疊薄膜並進行評價。結果揭示於表1。
［實施例5］
除了於（A層的製造）中使用於製造例1所獲得之三嵌段共聚物氫化物（a1）的粒料代替三嵌段共聚物氫化物之烷氧矽基改質物（a1-s）之粒料，於（B層的製造）中使用環烯烴聚合物薄膜（3）（日本瑞翁公司製之「ZeonorFilm ZF16」，在做成厚度4 mm之情形中的彎曲模數為2500 MPa，斷裂點伸長率為21%，厚度為35 μm，厚度方向的延遲Rth為10 nm）代替環烯烴聚合物薄膜（1）以外，其餘比照實施例1操作，獲得光學堆疊薄膜並進行評價。結果揭示於表1。
［比較例1］
使用環烯烴聚合物薄膜（1）代替光學堆疊薄膜，比照實施例1進行評價。結果揭示於表2。
［比較例2］
使用環烯烴聚合物薄膜（2）代替光學堆疊薄膜，比照實施例1進行評價。結果揭示於表2。
［比較例3］
除了於（A層的製造）中使用包含氫化嵌段共聚物（a2）之樹脂（a2）代替三嵌段共聚物氫化物之烷氧矽基改質物（a1-s）之粒料，於（B層的製造）中使用環烯烴聚合物薄膜（3）代替環烯烴聚合物薄膜（1）以外，其餘比照實施例1操作，獲得光學堆疊薄膜並進行評價。結果揭示於表2。
［比較例4］
使用聚對酞酸乙二醇酯薄膜（東洋紡製之「COSMOSHINE A4100」，在做成厚度4 mm之情形中的彎曲模數為5100 MPa，斷裂點伸長率為110%，厚度為50 μm，厚度方向的延遲Rth為1500 nm）代替光學堆疊薄膜，比照實施例1進行評價。結果揭示於表2。
《表1》
Figure 107132995-A0304-0001
《表2》
Figure 107132995-A0304-0002
上述表中的用語表示下述意義。 a1：三嵌段共聚物氫化物（a1） a1-s：三嵌段共聚物氫化物之烷氧矽基改質物（a1-s） 薄膜（1）：環烯烴聚合物薄膜（1） 薄膜（2）：環烯烴聚合物薄膜（2） 薄膜（3）：環烯烴聚合物薄膜（3） PET：聚對酞酸乙二醇酯 wC／wD：係為樹脂A之原料的嵌段共聚物中，重量分率wC與重量分率wD的比 Ea：針對由樹脂A而成之厚度4 mm之薄膜所測得的彎曲模數 Eb：針對由構成B層之樹脂B而成之厚度4 mm之薄膜所測得的彎曲模數 Sa：針對由樹脂A而成之厚度1.5 mm之薄膜所測得的斷裂點伸長率 Sb：針對B層所測得的斷裂點伸長率
根據以上結果，可知相較於實施例的光學堆疊薄膜，未堆疊A層而僅有B層之比較例1、比較例2之薄膜，在顯著較少的曲折次數下便在薄膜發生破裂。並且，可知厚度方向的延遲Rthb未滿足式（1）之比較例4的薄膜，在裝設於顯示面板的情況下觀察到虹彩斑紋，並且在使其曲折100×103 次的時間點於薄膜觀察到有摺痕與白濁。
並且，可知相較於實施例的光學堆疊薄膜，斷裂點伸長率Sa不滿足式（2）之比較例3的光學堆疊薄膜，亦在顯著較少的曲折次數下便在薄膜發生破裂。
因此，以上結果顯現本發明之光學堆疊薄膜的耐曲折性良好。
101‧‧‧A層102‧‧‧B層302、303、602、603、702、703‧‧‧導電性層350、450、550、650、750‧‧‧觸控面板部件100、200‧‧‧光學堆疊薄膜300、400、500、600、700‧‧‧觸控面板
圖1為繪示光學堆疊薄膜之實施型態F-1的剖面示意圖。 圖2為繪示光學堆疊薄膜之實施型態F-2的剖面示意圖。 圖3為繪示觸控面板之實施型態P-1的剖面示意圖。 圖4為繪示觸控面板之實施型態P-2的剖面示意圖。 圖5為繪示觸控面板之實施型態P-3的剖面示意圖。 圖6為繪示觸控面板之實施型態P-4的剖面示意圖。 圖7為繪示觸控面板之實施型態P-5的剖面示意圖。
100‧‧‧光學堆疊薄膜
101‧‧‧A層
102‧‧‧B層
102U、102D‧‧‧面

Claims (13)

  1. 一種光學堆疊薄膜，其包含：至少一A層，其包含熱塑性樹脂〔A〕；以及B層，其由熱塑性樹脂〔B〕而成；前述至少一A層設置於前述B層之至少一側的面上；前述B層之厚度方向的延遲Rthb滿足下述式(1)；由前述熱塑性樹脂〔A〕而成之厚度1.5mm之薄膜(a1)的斷裂點伸長率Sa滿足下述式(2)；由前述熱塑性樹脂〔A〕而成之厚度4mm之薄膜(a2)的彎曲模數Ea滿足下述式(3)；由前述熱塑性樹脂〔B〕而成之厚度4mm之薄膜(b)的彎曲模數Eb滿足下述式(4)：(1)｜Rthb｜≦40nm；(2)Sa≧100%；(3)300MPa≦Ea≦900MPa；(4)2200MPa≦Eb≦2800MPa。
  2. 一種光學堆疊薄膜，其包含：至少一A層，其包含熱塑性樹脂〔A〕；以及B層，其由熱塑性樹脂〔B〕而成；前述至少一A層設置於前述B層之至少一側的面上；前述B層之厚度方向的延遲Rthb滿足下述式(1)； 由前述熱塑性樹脂〔A〕而成之厚度1.5mm之薄膜(a1)的斷裂點伸長率Sa滿足下述式(2)：(1)｜Rthb｜≦40nm；(2)Sa≧100%；前述熱塑性樹脂〔A〕包含嵌段共聚物氫化物〔2〕或前述嵌段共聚物氫化物〔2〕之烷氧矽基改質物〔3〕；前述嵌段共聚物氫化物〔2〕係具有嵌段共聚物〔1〕經氫化而形成之結構的物質；前述嵌段共聚物〔1〕具有：每一分子前述嵌段共聚物〔1〕二個以上之聚合物嵌段〔C〕與每一分子前述嵌段共聚物〔1〕一個以上之聚合物嵌段〔D〕，所述聚合物嵌段〔C〕含有芳族乙烯化合物單元，所述聚合物嵌段〔D〕含有鏈狀共軛二烯化合物單元；前述聚合物嵌段〔C〕佔前述嵌段共聚物〔1〕之整體的重量分率wC與前述聚合物嵌段〔D〕佔前述嵌段共聚物〔1〕之整體的重量分率wD的比(wC/wD)為30/70~60/40；前述嵌段共聚物氫化物〔2〕係前述嵌段共聚物〔1〕之主鏈及側鏈之碳-碳不飽和鍵以及芳環之碳-碳不飽和鍵經氫化的物質。
  3. 一種光學堆疊薄膜，其包含：兩個A層，其包含熱塑性樹脂〔A〕；以及B層，其由熱塑性樹脂〔B〕而成；前述A層分別設置於前述B層的兩個面上； 前述B層之厚度方向的延遲Rthb滿足下述式(1)；由前述熱塑性樹脂〔A〕而成之厚度1.5mm之薄膜(a1)的斷裂點伸長率Sa滿足下述式(2)：(1)｜Rthb｜≦40nm；(2)Sa≧100%。
  4. 如請求項2或3所述之光學堆疊薄膜，其中由前述熱塑性樹脂〔A〕而成之厚度4mm之薄膜(a2)的彎曲模數Ea滿足下述式(3)，由前述熱塑性樹脂〔B〕而成之厚度4mm之薄膜(b)的彎曲模數Eb滿足下述式(4)：(3)300MPa≦Ea≦900MPa；(4)2200MPa≦Eb≦2800MPa。
  5. 如請求項1或3所述之光學堆疊薄膜，其中前述熱塑性樹脂〔A〕包含嵌段共聚物氫化物〔2〕或前述嵌段共聚物氫化物〔2〕之烷氧矽基改質物〔3〕；前述嵌段共聚物氫化物〔2〕係具有嵌段共聚物〔1〕經氫化而形成之結構的物質；前述嵌段共聚物〔1〕具有：每一分子前述嵌段共聚物〔1〕二個以上之聚合物嵌段〔C〕與每一分子前述嵌段共聚物〔1〕一個以上之聚合物嵌段〔D〕，所述聚合物嵌段〔C〕含有芳族乙烯化合物單元，所述聚合物嵌段〔D〕含有鏈狀共軛二烯化合物單元；前述聚合物嵌段〔C〕佔前述嵌段共聚物〔1〕之整體的重量分率 wC與前述聚合物嵌段〔D〕佔前述嵌段共聚物〔1〕之整體的重量分率wD的比(wC/wD)為30/70~60/40；前述嵌段共聚物氫化物〔2〕係前述嵌段共聚物〔1〕之主鏈及側鏈之碳-碳不飽和鍵以及芳環之碳-碳不飽和鍵經氫化的物質。
  6. 如請求項2所述之光學堆疊薄膜，其中前述熱塑性樹脂〔A〕包含前述嵌段共聚物氫化物〔2〕之烷氧矽基改質物〔3〕。
  7. 如請求項5所述之光學堆疊薄膜，其中前述熱塑性樹脂〔A〕包含前述嵌段共聚物氫化物〔2〕之烷氧矽基改質物〔3〕。
  8. 如請求項1至3之任一項所述之光學堆疊薄膜，其中前述B層的斷裂點伸長率Sb滿足下述式(5)：(5)5%≦Sb≦60%。
  9. 如請求項1至3之任一項所述之光學堆疊薄膜，其中前述熱塑性樹脂〔B〕含有含脂環結構聚合物。
  10. 如請求項1或2所述之光學堆疊薄膜，其包含二個前述A層，前述A層分別設置於前述B層的兩個面上。
  11. 一種觸控面板，其係包含觸控感測器部件與影像顯示元件的觸控面板，其中 前述觸控感測器部件依序包含第一導電性層、如請求項1至10之任一項之光學堆疊薄膜及第二導電性層，並設置於前述影像顯示元件的觀看側。
  12. 一種觸控面板，其係包含觸控感測器部件與影像顯示元件的觸控面板，其中前述觸控感測器部件依序包含第一導電性層、如請求項1、2、4至9之任一項之光學堆疊薄膜及第二導電性層，並設置於前述影像顯示元件的觀看側；前述影像顯示元件能夠以觀看側的面為內側來彎曲；前述觸控感測器部件配置成前述光學堆疊薄膜之前述A層側的面與前述影像顯示元件之前述觀看側的面相向而對。
  13. 一種觸控面板，其係包含觸控感測器部件與影像顯示元件的觸控面板，其中前述觸控感測器部件依序包含第一導電性層、請求項1、2、4至9之任一項之光學堆疊薄膜及第二導電性層，且設置於前述影像顯示元件的觀看側；前述影像顯示元件能夠以觀看側的面為外側來彎曲；前述觸控感測器部件配置成前述光學堆疊薄膜之前述B層側的面與前述影像顯示元件之前述觀看側的面相向而對。
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