TWI763555B - 單端接收器 - Google Patents
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Abstract
一種單端接收器,包含電流模式邏輯電路、差動至單端放大器以及電壓偵測器。電流模式邏輯電路用以接收輸入訊號以及參考電壓值,並用以輸出第一輸出訊號。差動至單端放大器耦接於電流模式邏輯電路,並用以接收第一輸出訊號與輸出第二輸出訊號,其中差動至單端放大器內部訊號依據第一輸出訊號被產生,且第二輸出訊號依據差動至單端放大器內部訊號被產生。電壓偵測器耦接於差動至單端放大器,並用以依據參考電壓值輸出控制訊號至差動至單端放大器。差動至單端放大器更用以依據控制訊號調整差動至單端放大器內部訊號的電壓值,以使第二輸出訊號的工作週期被調整。
Description
本揭示中所述實施例內容是有關於一種單端接收器,特別關於一種在不同的輸入偏壓位準的情況下改善工作週期的單端接收器。
參考電壓值可以在不同的應用下被調整。在單端接收器中,當從電流模式邏輯電路傳輸到差動至單端放大器時,輸入訊號的工作週期容易受到參考電壓值的影響。因此,如何保持輸入周期的電壓值以使輸出訊號的閾值不失真是一個需要解決的問題。
本揭示之一些實施方式是關於一種單端接收器,包含電流模式邏輯電路、差動至單端放大器以及電壓偵測器。電流模式邏輯電路用以接收輸入訊號以及參考電壓值,並用以輸出第一輸出訊號。差動至單端放大器耦接於電流模式邏輯電路,並用以接收第一輸出訊號與輸出第二輸出訊號,其中差動至單端放大器內部訊號依據第一輸出
訊號被產生,且第二輸出訊號依據差動至單端放大器內部訊號被產生。電壓偵測器耦接於差動至單端放大器,並用以依據參考電壓值輸出控制訊號至差動至單端放大器。差動至單端放大器更用以依據控制訊號調整差動至單端放大器內部訊號的電壓值,以使第二輸出訊號的工作週期被調整。
100:單端接收器
110:電流模式邏輯電路
130:差動至單端放大器
150:電壓偵測器
SI:輸入訊號
VREF:參考電壓值
SO1:輸出訊號
SC:控制訊號
SO2:輸出訊號
132A,132B:控制電路
133A1,133A2:子控制電路
133B1,133B2:子控制電路
134:電流鏡電路
134A,134B:子電流鏡電路
136:差動對電路
OT:輸出端
SIN:差動至單端放大器內部訊號
SO1_H,SO1_L:節點
T1,T2,T3,T4,T5,T6,T7,T8,T9,T10:電晶體
T11,T12,T13,T14,T15:電晶體
T16,T17,T18,T19:電晶體
300:關係圖表
400:關係圖表
VS:調整電壓差值
VD:電壓差值
為讓本揭示之上述和其他目的、特徵、優點與實施例能夠更明顯易懂,所附圖式之說明如下:第1圖是依照本揭示一些實施例所繪示的一種單端接收器的示意圖;第2圖是依照本揭示一些實施例所繪示的一種單端接收器的示意圖;第3圖是依照本揭示一些實施例所繪示的一種電壓差值和輸出訊號的調整電壓差值之間的關係示意圖;以及第4圖是依照本揭示一些實施例所繪示的另一種電壓差值和輸出訊號的調整電壓差值之間的關係示意圖。
在本文中所使用的用詞『耦接』亦可指『電性耦接』,且用詞『連接』亦可指『電性連接』。『耦接』及『連接』亦可指二個或多個元件相互配合或相互互動。
請參閱第1圖。第1圖是依照本揭示一些實施例所繪示的一種單端接收器100的示意圖。單端接收器100包含電流模式邏輯電路110、差動至單端放大器130和電壓偵測器150。於連接關係上,電流模式邏輯電路110耦接於差動至單端放大器130,而差動至單端放大器130耦接於電壓偵測器150。如第1圖所繪示的單端接收器係作為例示說明之用,本案的實施方式不以此為限制。
於操作關係上,電流模式邏輯電路110接收輸入訊號SI與參考電壓值VREF,並依據輸入訊號SI與參考電壓值VREF輸出輸出訊號SO1。電壓偵測器150接收參考電壓值VREF並依據參考電壓值VREF輸出控制訊號SC。訊號放大器130接收輸出訊號SO1以及控制訊號SC並依據輸出訊號SO1以及控制訊號SC輸出輸出訊號SO2。
請參閱第2圖。第2圖是依照本揭示一些實施例所繪示的一種單端接收器100的示意圖。
差動至單端放大器130更用以依據控制訊號SC調整差動至單端放大器內部訊號SIN的電壓值,以使輸出訊號SO2的工作週期被調整為接近輸入訊號SI。差動至單端放大器內部訊號SIN係依據輸出訊號SO1被產生,而輸出訊號SO2係依據分至單端放大器內部訊號SIN被產生。
於部分實施例中,當參考電壓值VREF高於標準參考電壓值時,差動至單端放大器130更用以經由節點SO1_H減少差動至單端放大器內部訊號SIN的電壓值。另一方面,當參考電壓值VREF低於標準參考電壓值時,差
動至單端放大器130用以經由節點SO1_L增加差動至單端放大器內部訊號SIN。
如第2圖所繪示,差動至單端放大器130包含差動對電路136、控制電路132A、控制電路132B與電流鏡電路134。電流鏡電路134包含子電流鏡電路134A與子電流鏡電路134B。於連接關係上,控制電路132A連接於電流鏡電路134A,控制電路132B連接於子電流鏡電路134B,且子電流鏡電路134A和子電流鏡電路134B連接於差動對電路136。控制電路132B耦接於輸出端OT。
差動對電路136包含電晶體T9、T10、T11、T12、T13、T15和T17。子電流鏡電路134A包含電晶體T14與T16。子電流鏡電路134B包含電晶體T18和T19。控制電路132A包含電晶體T1,T2、T5和T6。控制電路132B包含電晶體T3、T4、T7和T8。
於操作關係上,差動對電路136用以接收輸出訊號SO1。於部分實施例中,差動對電路136由電晶體T11和T12的控制端接收輸出訊號SO1。
當參考電壓值VREF低於標準參考電壓值時,控制電路132A不導通而控制電路132B導通,以使差動至單端放大器內部訊號SIN的電壓值經由節點SO1_L增加。詳細而言,由於當控制電路132B導通時,節點SO1_L的電壓值增加,差動至單端放大器內部訊號SIN的電壓值因此增加。
另一方面,當參考電壓值VREF高於標準參考電壓值時,控制電路132A導通而控制電路132B不導通,以使差動至單端放大器內部訊號SIN的電壓值經由節點SO1_H減小。詳細而言,由於當控制電路132A導通時,節點SO1_H的電壓值增加,差動至單端放大器內部訊號SIN的電壓值因此減小。
於部分實施例中,控制電路132A包含子控制電路133A1,而控制電路132B包含子控制電路133B1。子控制電路133A1包含電晶體T1和電晶體T2。電晶體T1與電晶體T2彼此串聯。子控制電路133B1包含電晶體T3和電晶體T4。電晶體T3和電晶體T4彼此串聯。
當參考電壓值vREF高於標準參考電壓值時,電晶體T1導通和電晶體T2用以拉起節點SO1_H的電壓值。電晶體T3和電晶體T4不導通。
另一方面,當參考電壓值VREF低於標準參考電壓值時,電晶體T3導通,而電晶體T4用以拉起節點SO1_L的電壓值。電晶體T1不導通。
於部分實施例中,電晶體T1的控制端和電晶體T3的控制端用以接收控制訊號SC以被導通或不被導通。
於部分實施例中,控制電路132A更包含子控制電路133A2,而控制電路132B更包含子控制電路133B2。子控制電路133A1和子控制電路133A2互相並聯。子控制電路133B1和子控制電路133B2互相並聯。
子控制電路133A2包含電晶體T5和電晶體T6。子控制電路133B2包含電晶體T7和電晶體T8。
於部分實施例中,電壓偵測器150更用以依據參考電壓值VREF和標準參考電壓值之間的電壓差值輸出控制訊號SC。
於部分實施例中,當電壓差值增加時,被導通的子控制電路的數量值增加。
於部分實施例中,電壓偵測器150更包含表單。於部分實施例中,當電壓差值低於第一電壓差值閾值且參考電壓值VREF高於標準參考電壓值,子控制電路133A1導通,且子控制電路133A2、子控制電路133B1和子控制電路133B2不導通。
當電壓差值不低於第一電壓差值閾值且於低於第二電壓差值閾值且參考電壓值VREF高於標準參考電壓值時,子控制電路133A1和子控制電路133A2導通,且子控制電路133B1和子控制電路133B2不導通。
於部分實施例中,當電壓差值低於第一電壓差值閾值且參考電壓值VREF低於標準參考電壓值時,子控制電路133B1導通,且子控制電路133B2、子控制電路133A1和子控制電路133A2不導通。
當電壓差值不低於第一電壓差值閾值且低於第二電壓差值閾值且參考電壓值VREF低於標準參考電壓值時,子控制電路133B1且子控制電路133B2導通,而子控制電路133A1和子控制電路133A2不導通。
越多子控制電路導通時,節點SO1_H或SO1_L的電壓值增加越多。
導通的子控制電路的數量值係由控制訊號SC所控制。
請參閱第3圖。第3圖是依照本揭示一些實施例所繪示的一種電壓差值和的節點SO1_H或SO1_L調整電壓差值之間的關係圖表300示意圖。VD係參考電壓值VREF和標準參考電壓值之間的電壓差值。VS係節點SO1_H或SO1_L的調整電壓差值。如第3圖所繪示,電壓差值VD和調整電壓差值VS係為正比關係。
請參閱第4圖。第4圖是依照本揭示一些實施例所繪示的另一種電壓差值和的節點SO1_H或SO1_L調整電壓差值之間的關係圖表400示意圖。如第4圖所繪示,電壓差值VD越大,調整電壓差值VS越大。
於部分實施例中,單端接收器100係位於DRAM記憶體的I/O端的接收器。
需注意的是,P型和N型電晶體於上述實施方式中僅為例示說明之用,其他電晶體均在本案的揭示範圍之內。
綜上所述,本案之實施例藉由提供一種單端接收器,於調整節點SO1_H或SO1_L的電壓值時差動至單端放大器內部訊號SIN的電壓值也隨之增減,以使輸出訊號SO2的工作週期和輸入訊號SI的工作週期相同或相近。
另外,上述例示包含依序的示範步驟,但該些步驟不必依所顯示的順序被執行。以不同順序執行該些步驟
皆在本揭示內容的考量範圍內。在本揭示內容之實施例的精神與範圍內,可視情況增加、取代、變更順序及/或省略該些步驟。
雖然本揭示已以實施方式揭露如上,然其並非用以限定本揭示,任何本領域具通常知識者,在不脫離本揭示之精神和範圍內,當可作各種之更動與潤飾,因此本揭示之保護範圍當視後附之申請專利範圍所界定者為準。
100:單端接收器
110:電流模式邏輯電路
130:差動至單端放大器
150:電壓偵測器
SI:輸入訊號
VREF:參考電壓值
SO1:輸出訊號
SC:控制訊號
SO2:輸出訊號
Claims (10)
- 一種單端接收器,包含:一電流模式邏輯電路,用以接收一輸入訊號以及一參考電壓值,並用以輸出一第一輸出訊號;一差動至單端放大器,耦接於該電流模式邏輯電路,並用以接收該第一輸出訊號與輸出一第二輸出訊號,其中一差動至單端放大器內部訊號依據該第一輸出訊號被產生,且該第二輸出訊號依據該差動至單端放大器內部訊號被產生;以及一電壓偵測器,耦接於該差動至單端放大器,並用以依據該參考電壓值輸出一控制訊號至該差動至單端放大器,其中該差動至單端放大器更用以依據該控制訊號調整該差動至單端放大器內部訊號的一電壓值,以使該第二輸出訊號的一工作週期被調整。
- 如請求項1所述的單端接收器,其中當該參考電壓值高於一標準參考電壓值時,該差動至單端放大器用以經由一第一節點減少該差動至單端放大器內部訊號的該電壓值,且當該參考電壓值低於該標準參考電壓值時,該差動至單端放大器用以經由一第二節點增加該差動至單端放大器內部訊號的該電壓值。
- 如請求項1所述的單端接收器,其中該差動 至單端放大器包含:一差動對電路,用以接收該第一輸出訊號;一第一控制電路;一第二控制電路,耦接於一輸出端;以及一電流鏡電路,包含:一第一子電流鏡電路,經由一第一節點耦接於該第一控制電路以及該差動對電路;以及一第二子電流鏡電路,經由一第二節點耦接於該第二控制電路以及該差動對電路。
- 如請求項3所述的單端接收器,其中當該參考電壓值高於一標準參考電壓值時,該第一控制電路被導通且該第二控制電路不導通以經由該第一節點減少該差動至單端放大器內部訊號的該電壓值,且當該參考電壓值低於該標準參考電壓值時,該第一控制電路不導通且該第二控制電路導通以經由該第二節點增加該差動至單端放大器內部訊號的該電壓值。
- 如請求項3所述的單端接收器,其中該第一控制電路包含:一第一子控制電路,其中該第一子控制電路包含:一第一電晶體以及一第二電晶體彼此串聯,其中當該參考電壓值高於該標準參考電壓值時,該第一電晶體導通以及該第二電晶體用以經由該第一節點降低 該差動至單端放大器內部訊號的該電壓值。
- 如請求項3所述的單端接收器,其中該第二控制電路包含:一第二子控制電路,其中該第二子控制電路包含:一第一電晶體以及一第二電晶體,彼此串聯,其中當該參考電壓值低於該標準參考電壓值時,該第一電晶體導通且該第二電晶體用以經由該第二節點拉起該差動至單端放大器內部訊號的該電壓值。
- 如請求項6所述的單端接收器,其中該第一電晶體的一控制端用以接收該控制訊號。
- 如請求項1所述的單端接收器,其中該電壓偵測器更用以依據該參考電壓值以及該標準參考電壓值之間的一電壓差值輸出該控制訊號。
- 如請求項3所述的單端接收器,其中該第二控制電路包含互相並聯的複數個第一子控制電路,其中當該參考電壓值低於一標準參考電壓值時,一數量值的該些第一子控制電路導通,其中當該參考電壓值以及該標準參考電壓值之間的一電壓差值增加,該數量值增加。
- 如請求項9所述的單端接收器,其中該電壓 偵測器更包含一表單,且該數量值係依據該表單被決定。
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Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US11990903B1 (en) | 2022-11-15 | 2024-05-21 | Qualcomm Incorporated | Low-power low-voltage differential signaling receiver with signal distortion correction |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6151150A (en) * | 1996-10-03 | 2000-11-21 | Oki Electric Industry Co., Ltd. | Method and apparatus for level decision and optical receiver using same |
US6801059B2 (en) * | 2000-07-20 | 2004-10-05 | Hyundai Electronics Industries Co., Ltd. | Comparator with offset voltage |
CN1249447C (zh) * | 1997-08-05 | 2006-04-05 | 泰拉丁公司 | 通道设置密集且低成本的用于互补型金属氧化物半导体的测试器 |
TW201633709A (zh) * | 2014-12-15 | 2016-09-16 | 諾迪克半導體股份有限公司 | 差動比較器 |
TW201702564A (zh) * | 2015-07-02 | 2017-01-16 | 財團法人金屬工業研究發展中心 | 溫度感測裝置 |
Family Cites Families (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7271635B2 (en) * | 2004-07-15 | 2007-09-18 | Micron Technology | Method and apparatus for reducing duty cycle distortion of an output signal |
-
2021
- 2021-05-19 US US17/324,113 patent/US11381225B1/en active Active
- 2021-07-09 TW TW110125403A patent/TWI763555B/zh active
- 2021-07-27 CN CN202110851103.9A patent/CN115378380A/zh active Pending
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6151150A (en) * | 1996-10-03 | 2000-11-21 | Oki Electric Industry Co., Ltd. | Method and apparatus for level decision and optical receiver using same |
CN1249447C (zh) * | 1997-08-05 | 2006-04-05 | 泰拉丁公司 | 通道设置密集且低成本的用于互补型金属氧化物半导体的测试器 |
US6801059B2 (en) * | 2000-07-20 | 2004-10-05 | Hyundai Electronics Industries Co., Ltd. | Comparator with offset voltage |
TW201633709A (zh) * | 2014-12-15 | 2016-09-16 | 諾迪克半導體股份有限公司 | 差動比較器 |
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