TWI763017B - 用於金屬環境之天線結構與裝置 - Google Patents

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Abstract

本發明提供一種用於金屬環境之天線結構，包括有一放射導體、一第一接地導體以及一第二接地導體。該放射導體具有一第一開路結構以及一第二開路結構，該第一開路結構之一端於該放射導體之一第一側開通，該第二開路結構之一端於該放射導體之一第二側開通。該第一接地導體，用以和該放射導體一第三側電性連接。該第二接地導體，用以和該放射導體的一第四側電性連接。在另一實施例中，本發明提供一種天線裝置，將該天線結構包覆在一基板上，以在金屬環境中可以進行讀寫。

Description

用於金屬環境之天線結構與裝置
本發明為一種天線結構設計，特別是指一種可以應用在金屬物品上以提升操作頻寬以及不受金屬物品正反面限制的一種用於金屬環境之天線結構與裝置。
習用技術中，當RFID運用在超高頻(UHF)頻段時，由於其電磁散射耦合(electromagnetic scattering and coupling)的特性，對於金屬和液體的環境較為敏感，如果沒有適當的設計，可能導致無法運作的問題。
探究其原因，根據電磁波理論，當均勻電磁波(uniform electromagnetic wave)斜向入射平坦的良導體(good conductor)所構成的天線時，由於良導體內部將無電磁波存在，因此在良導體表面會發生反射的現象。另一方面，由於貼附有天線的金屬物品也會造成電磁波反射現象，因此也可能造成入射與反射電磁波之間相位變化而形成破壞性干涉。
除上述之原因之外，再由電流映像定理得知，當偶極天線(Dipole Antenna)放置於金屬物品上方時，例如：金屬表面上方，也會造成金屬物品的背面感應出反向電流，進而抵銷電磁波，故可以推論出標籤易受到金屬的影響，而無法有效運用在金屬上。
根據波長的入射與反射理論，射頻標籤擺放在距離金屬半波長處時，入射波與反射波震幅為零幾乎沒有甚麼能量。當射頻標籤擺放在距離金屬四分之一波長處時，入射波與反射波震幅會產生建設性干涉。儘管四分之一波長可以有好的訊號效果，但是由於體積上的限制在實際的應用上很少會將射頻標籤擺在四分之一波長處。將距離縮短又會使Tag和金屬間的儲能增加造成能量輻射不出去，因此，如何在UHF標籤天線與金屬距離很近時，能發揮出長讀取距離為思考的課題。
請參閱圖1A與圖1B所示，該圖為習用之應用於UHF頻段的天線結構與天線裝置示意圖。圖1A所示的天線結構10為平面導F型天線(planar inverted-F antenna,PIFA)。在應用時，天線結構10順應著為長方體結構的基板11的表面，黏貼在基板11表面上，其中天線10的第一區段100，設置在基板11的第一表面110，第二區段101黏貼在與第一表面110連接的側面111上，第三區段102黏貼在與側面111連接的第二表面112上，以構成天線裝置1。第二表面112和第一表面110相對應。在運作時，透過調整短路部106和供電部107的尺寸去微調天線與設置在正面的IC晶片105阻抗達到相互匹配。
雖然前述習用的PIFA可以用在金屬物品的使用環境，但是可以讀取的距離範圍的頻寬均偏窄，因此如何可以設計出兼顧讀距與頻寬範圍的天線結構，是有待解決的問題。
本發明提供一種天線結構，具有放射導體以及與放射導體耦接的接地導體，透過在放射導體上形成開路結構，縮短使天線產生共振的波長，進而達到天線整體體積小型化的效果。
本發明提供一種用於金屬環境之天線結構與裝置，其中至少在基板的四個表面以上形成有天線結構，在一實施例中，天線結構更可以形成在基板的五或六個表面或側面上。除了在放射導體長度方向兩側的導體結構將基板包覆，並且更進一步在放射導體的寬度方向上設置導體貼覆在基板的表面以增加天線輻射面積，提升天線增益，進而增加讀取距離。
在一實施例中，本發明提供一種用於金屬環境之天線結構，包括有：一放射導體，具有一第一開路結構以及一第二開路結構，該第一開路結構之一端於該放射導體之一第一側開通，該第二開路結構之一端於該放射導體之一第二側開通；以及一接地導體，用以和該放射導體電性連接。
在一實施例中，本發明提供一種種用於金屬環境之天線結構，包括有一放射導體、一第一接地導體以及一第二接地導體。該放射導體具有第一開路結構以及第二開路結構，該第一開路結構之一端於該放射導體之一第一側開通，該第二開路結構之一端於該放射導體之一第二側開通。該第一接地導體，用以和該放射導體一第三側電性連接。該第二接地導體，用以和該放射導體的一第四側電性連接。
在一實施例中，本發明提供一種用於金屬環境之天線裝置，包括有：一無線射頻晶片、一基板、以及一天線結構。該基板，具有一第一表面、在一第一方向的兩側分別具有與該第一表面相互連接，且沿一第三方向延伸的一第一側面與一第二側面、在一第二方向的兩側分別具有與該第一表面相互連 接，且沿該第三方向延伸的一第三側面以及一第四側面，以及與該第一表面在第三方向相互對應且分別與該第一側面、第二側面、第三側面與該第四側面相互連接的一第二表面。該天線結構，形成於該基板上且與該射頻晶片電性連接，該天線結構更具有：一放射導體、一接地導體以及一連接導體。該放射導體，其係形成於該第一表面上，該放射導體具有一第一開路結構以及一第二開路結構，該第一開路結構之一端於該放射導體之一第一側開通，該第二開路結構之一端於該放射導體之一第二側開通。該接地導體，其係形成於該第二表面上用以和該放射導體電性連接。該連接導體，用以和該接地導體與該放射導體電性連接。
在另一實施例中，本發明提供一種用於金屬環境之天線裝置，包括有一無線射頻晶片、一基板以及一天線結構。該基板具有一第一表面、在一第一方向(X)的兩側分別具有與該第一表面相互連接，且沿一第三方向(Z)延伸的一第一側面與一第二側面、在一第二方向(Y)的兩側分別具有與該第一表面相互連接，且沿該第三方向延伸的一第三側面以及一第四側面，以及與該第一表面在第三方向(Z)相互對應且分別與該第一側面、第二側面、第三側面與該第四側面相互連接的一第二表面。該天線結構，形成於該基板上且與該射頻晶片電性連接，該天線結構更具有一放射導體、第一與第二接地導體以及第一與第二連接導體。該放射導體形成於該第一表面上，該放射導體具有一第一開路結構以及一第二開路結構，該第一開路結構之一端於該放射導體之一第一側開通，該第二開路結構之一端於該放射導體之一第二側開通。該第一接地導體與一第二接地導體係形成於該第二表面上。該第一與第二連接導體，其係分別形成於位於該第一表面兩側的該第一側面與該第二側面上，該第一連接導體電性連接該 第一接地導體與該放射導體的一第三側，該第二接地導體電性連接該第二接地導體與該放射導體的一第四側。
在一實施例中，本發明提供一種用於金屬環境之天線裝置，包括有一無線射頻晶片、具有六面體之一基板以及一天線結構。該天線結構，形成於該基板上且與該射頻晶片電性連接，該天線結構更具有一放射導體、一第一接地導體與一第二接地導體以及一第一連接導體與一第二連接導體，該放射導體具有一第一開路結構以及一第二開路結構，該第一開路結構之一端於該放射導體之一第一側開通，該第二開路結構之一端於該放射導體之一第二側開通，該第一連接導體電性連接該第一接地導體與該放射導體的一第三側，該第二接地導體電性連接該第二接地導體與該放射導體的一第四側，其中，該天線結構至少形成於該基板之至少四個面上。
20、20a、20b、20c:天線結構
200:放射導體
200a:放射導體
201:第一開路結構
201a:端部
202:第二開路結構
202a:端部
203:第一接地導體
203a:接地導體
204:第二接地導體
205:第一導體部
205a:導體部
206:第二導體部
207:第一供電導體
208:第二供電導體
209a:第一連接導體
209b:第二連接導體
209c:連接導體
209d、209e:連接導體
3、3a、3b、3c、3d、3e:天線裝置
30:基板
300:第一表面
301:第一側面
302:第二側面
303:第三側面
304:第四側面
305:第二表面
4:無線射頻晶片
5:撓性基材
90:中心軸
A:第一側
B:第二側
C:第三側
D:第四側
VIA:貫孔導體
圖1A與圖1B為習用之應用於UHF頻段的天線結構與天線裝置示意圖。
圖2為本發明之用於金屬環境之天線結構之一實施例示意圖。
圖3A至圖3C分別為本發明之天線結構不同實施例示意圖。
圖4為本發明之天線結構的尺寸關係之一實施例示意圖。
圖5A與5B分別為本發明之天線裝置之一實施例的立體分解與立體示意圖。
圖5C為本發明之多方體基板之一實施例立體示意圖。
圖5D為使用如圖3A所示的天線結構所形成的天線裝置示意圖。
圖5E為使用如圖3B所示的天線結構所形成的天線裝置示意圖。
圖6A與圖6B為傳統PIFA天線結構與本發明之天線裝置貼在金屬物品不同位置所正面量測的讀距與頻率範圍關係曲線。
圖6C與圖6D為傳統PIFA天線結構與本發明之天線裝置貼在金屬物品不同位置所背面量測的讀距與頻率範圍關係曲線。
圖7A至圖7C為本發明之天線裝置另一實施例示意圖。
在下文將參考隨附圖式，可更充分地描述各種例示性實施例，在隨附圖式中展示一些例示性實施例。然而，本發明概念可能以許多不同形式來體現，且不應解釋為限於本文中所闡述之例示性實施例。確切而言，提供此等例示性實施例使得本發明將為詳盡且完整，且將向熟習此項技術者充分傳達本發明概念的範疇。類似數字始終指示類似元件。以下將以多種實施例配合圖式來說明用於金屬環境之天線結構與裝置，然而，下述實施例並非用以限制本發明。
請參閱圖2所示，該圖為本發明之用於金屬環境之天線結構之一實施例示意圖。在本實施例中，該天線結構20為將金屬材質，例如：鋁、銅或銀等，但不以此為限制，印刷於具有絕緣的撓性基材5上，該撓性基材5的材料可以為聚對苯二甲酸乙二酯(polyethylene terephthalate,PET)或聚醯亞胺(Polyimide,PI)等材料所構成，但不以此為限制。本實施例的天線結構20為可以用在UHF頻段的天線結構。
天線結構包括有一放射導體200、一第一接地導體203以及一第二 接地導體204。該放射導體200具有一第一開路結構201以及一第二開路結構202，其中，該第一開路結構201之一端部201a於該放射導體200之一第一側A開通，該第二開路結構202之一端部202a於該放射導體200之一第二側B開通。本實施例中，該第一開路201與第二開路202為不含有金屬材質的區域，其係對稱地設置在該放射導體200通過該第三側C與第四側D之中心軸90的兩側。該第一與第二開路201與202的構形並無一定的限制，本實施例中，該第一與第二開路為L形的結構。藉由本實施例的開路結構的設計，可以讓天線結構可以在小於二分之一波長的情況下，產生共振。本實施例中，天線結構可以在四分之一波長的位置時產生共振。例如：假如頻率925MHz時，四分之一波長的位置為81mm。
藉由該第一與第二開路結構201與202的佈局，在該放射導體200上形成一第一供電導體207以及一第二供電導體208，分別代表正極與負極，該第一供電與第二供電導體207與208與無線射頻晶片4電性連接。使得無線射頻晶片4可以藉由該天線結構20與讀取器進行讀寫通訊。
在圖2的實施例中，該天線結構20更進一步具有一第一連接導體209a以及一第二連接導體209b，其中，該第一連接導體209a電性連接該第一接地導體203與該放射導體的一第三側C，該第二接地導體209b電性連接該第二接地導體204與該放射導體200的一第四側D。本實施例中，放射導體200、第一與第二連接導體209a與209b以及第一與第二接地導體203與204，為一體成形的結構。
如圖3A至圖3C所示，其係分別為本發明之天線結構不同實施例示意圖。在圖3A的實施例中，基本上與圖2相似，差異的是本實施例的天線結構 20a，更具有一第一導體部205，與該放射導體200之第一側A電性連接。該第一導體部205的幾何構形，並無一定限制，本實施例為矩形，第一導體部205也是由金屬材料，例如：鋁、銅或銀等所構成。在另一實施例中，如圖3B所示，本實施例中，基本上與圖3A相似，差異的是本實施例的天線結構20b，更具有一第二導體部206，與該放射導體200之第二側B電性連接。該第二導體部206的幾何構形，並無一定限制，本實施例為和第一導體部205相同的矩形，且以對稱軸90為對稱中心，對稱設置在放射導體200的第一側A與第二側B上。在另一實施例中，如圖3C所示，本實施例基本上與圖3B相同，差異的是，本實施中的天線結構20c中，第一與第二導體部205與206相互錯位，且非對稱地設置在放射導體200的第一與第二側A與B。此外，要說明的是，雖然第一與第二導體部205與206在本實施例中為相同的結構，但在另一實施例中，第一與第二導體部205與206在也可以為不同形狀的結構。
根據電波在自由空間中的傳播距離公式(Friis free-space formula)為如下式(1)所示：
Figure 109129513-A0101-12-0008-1
其中，Pth為晶片最低啟動功率，λ為中心頻率波長，Gr為標籤天線增益，τ為功率傳輸係數(Power Transmission Coefficient)，Pt為讀取器所提供功率強度，Gt為讀取器天線最大增益。其中，Gr與τ為設計標籤的天線結構所需要的重要參數。又根據下式(2)所示：
Figure 109129513-A0101-12-0008-2
式(2)其為Gr的公式，由該公式可以清楚得知，天線增益Gr和天線面積Ae呈現正相關，如果天線面積越大，則可以增加Gr進而增加讀取距離。
根據上述的說明可以了解，本發明的圖3A到圖3C的實施例中，透過第一導體部205以及第二導體部206可以增加天線結構輻射面積，進而提升天線增益，使讀距增遠。此外，因為第一導體部205以及第二導體部206增加了天線增益，也可以解決背面金屬板邊讀距略差的問題。
關於天線結構的尺寸，以圖3B的實施例來說明，如圖4所示，L範圍可落在52~185mm，W範圍可落在10~70mm。Lf範圍可落在2~60mm。Lb範圍可落在1~20mm，Lc範圍可落在0.5~20mm，Ld範圍可落在3~40mm，Le範圍可落在3~40mm。Wa1和Wa2範圍可落在0.5~15mm，Wb1和Wb2範圍可落在0.5~35mm。要說明的是，尺寸大小係根據使用情境而定，因此實現並不以前述尺寸為限制。
請參閱圖5A與5B所示，該圖為本發明之天線裝置之一實施例的立體分解與立體示意圖。在本實施例中，天線裝置3具有一基板30以及一天線結構2，該基板30為非金屬材質均可以使用，例如：高分子基板、PCB基板等。該基板30，可以為多面之立方體基板，例如：長方體，正方體，或如圖5C所示的多方體。在本實施例為一長方體基板，其係為六面體結構。本實施例中，基板30具有一第一表面300、在第一方向(X)的兩側分別具有與該第一表面300相互連接，且沿第三方向(Z)延伸的一第一側面301與一第二側面302、在第二方向(Y)的兩側分別具有與該第一表面300相互連接，且沿該第三方向延伸的一第三側面303以及一第四側面304，以及與該第一表面300在第三方向(Z)相互對應且分別與該第一側面301、第二側面302、第三側面303與該第四側面304相互連接的一 第二表面305。基板30的尺寸可以根據使用需求而定，在一實施例中，基板的長度Ls範圍可落在25~75mm，寬度Ws範圍可落在8~40mm，而高度Hs範圍可落在1~15mm。前述之尺寸僅為實施例，並不以此範圍為限制。
該天線結構20，可以黏貼於該基板30的至少四個面、至少五個面或六面上，且與無線射頻晶片4電性連接。該天線結構20更具有一放射導體200、一第一與第二接地導體203與204以及一第一與第二連接導體209a與209b。該放射導體200，其係形成於該第一表面300上，該放射導體200具有一第一開路結構201以及一第二開路結構202，該第一開路結構201之一端於該放射導體200之一第一側A開通，該第二開路結構202之一端於該放射導體200之一第二側B開通。該第一接地導體203與一第二接地導體204，其係形成於該第二表面305上。該第一連接導體209a與一第二連接導體209b，其係分別形成於位於該第一表面300兩側的該第一側面301與該第二側面302上，該第一連接導體209a電性連接該第一接地導體203與該放射導體的一第三側C，該第二接地導體209b電性連接該第二接地導體204與該放射導體200的一第四側D。本實施例的天線結構20的特徵係如前述圖2所示，在此不做贅述。
在一實施例中，製造圖5B所示的天線結構20的方法，可以先放射導體200將黏貼於基板30的第一表面300上，再將第一連接導體209a和第二連接導體209b分別彎折黏貼於基板30的第一側面301與第二側面302上。接著讓第一接地導體203與第二接地導體204再次彎折並相互交疊(Overlap)形成於該第二表面305上，使得整個天線結構20將基板30的第一表面300、第一側面301與第二側面302以及第二表面305。要說明的是，雖然圖5B所示的第一與第二接地導體203與204為相互交疊的形成在第二表面305上，但並不以此為限制，在另一實施例 中，也可以不交疊，例如：第一與第二接地導體203與204邊緣相接觸，或相距一特定距離等。
如圖5D所示，其為使用如圖3A所示的天線結構20a所形成的天線裝置3a示意圖。在本實施例中，天線結構20a的第一導體部205再往基板的負Z方向折疊而黏貼到第三側面303上。同樣地，如圖5E所示，其為使用如圖3B所示的天線結構20b所形成的天線裝置3b示意圖。在本實施例中，天線結構20b的第一導體部205與第二導體部206分別往基板的負Z方向折疊而黏貼到第三側面303與第四側面304上。圖5D與圖5E透過天線結構五面或六面的摺疊黏貼設置在基板上，可以進一步提高天線增益長讀取距離，適用於貼附金屬任何位置上。
以下說明本發明天線裝置所產生的功效。請參閱圖6A所示，其為使用如圖1A所示傳統PIFA天線裝置1、圖5B天線裝置3以及圖5E天線裝置3b分別貼在金屬物品92，例如：金屬板(15cm x 15cm)的中間區域，透過正面讀取時(正面代表在天線裝置設置在金屬物品表面的那一面)所形成的頻率與讀取距離關係曲線圖。其中曲線93a代表圖1A所示天線裝置1的頻率與讀取距離關係曲線、曲線94a代表圖5B的天線裝置3的頻率與讀取距離關係曲線，以及曲線95a代表圖5D的天線裝置3的頻率與讀取距離關係曲線。由量測結果可得知圖1A所示的天線裝置1讀距峰值於美規頻段為10米，而圖5B的天線裝置3讀距峰值於美規頻段(902~928MHz)為12.2米，圖5E的天線裝置3b讀距峰值於美規頻段為14.3米，由量測數據可以看出5B的天線裝置3或圖5E的天線裝置3b無論是最遠讀距與讀距頻寬均優於圖1A所示的天線裝置1。
請參閱圖6B所示，其為使用如圖1A所示傳統PIFA天線裝置1、圖 5B天線裝置3以及圖5E天線裝置3b分別貼在金屬物品92，例如：金屬板(15cm x 15cm)的邊緣區域，透過正面讀取時所形成的頻率與讀取距離關係曲線圖。其中曲線93b代表圖1A所示天線裝置1的頻率與讀取距離關係曲線、曲線94b代表圖5B的天線裝置3的頻率與讀取距離關係曲線，以及曲線95b代表圖5E的天線裝置3的頻率與讀取距離關係曲線。由量測結果可得知圖1A所示的天線裝置1讀距峰值於美規頻段為10米，而圖5B的天線裝置3讀距峰值於美規頻段為12.3米，圖5E的天線裝置3b讀距峰值於美規頻段為14.3米，由量測數據可以看出5B的天線裝置3或圖5E的天線裝置3b無論是最遠讀距與讀距頻寬均優於圖1A所示的天線裝置1。
請參閱圖6C所示，其為使用如圖1A所示傳統PIFA天線裝置1、圖5B天線裝置3以及圖5E天線裝置3b分別貼在金屬物品92，例如：金屬板(15cm x 15cm)的邊緣區域，透過背面讀取時(背面代表在天線裝置設置在金屬物品表面的那一面的反面)所形成的頻率與讀取距離關係曲線圖。其中曲線93c代表圖1A所示天線裝置1的頻率與讀取距離關係曲線、曲線94c代表圖5B的天線裝置3的頻率與讀取距離關係曲線，以及曲線95c代表圖5D的天線裝置3的頻率與讀取距離關係曲線。由量測結果可得知圖1A所示天線裝置1讀距峰值於美規頻段為7.5米，而圖5B的天線裝置3讀距峰值於美規頻段為5.2米，圖5E的天線裝置3b讀距峰值於美規頻段為7.5米，由量測數據可以看出圖5E的天線裝置3b無論是最遠讀距與讀距頻寬均優於圖1A所示的天線裝置1。
請參閱圖6D所示，其為使用如圖1A所示傳統PIFA天線裝置1、圖5B天線裝置3以及圖5E天線裝置3b分別貼在金屬物品92，例如：金屬板(15cm x 15cm)的中間區域，透過背面讀取時所形成的頻率與讀取距離關係曲線圖。其中曲線93d代表圖1A所示天線裝置1的頻率與讀取距離關係曲線、曲線94d代表圖5B的天線裝置3的頻率與讀取距離關係曲線，以及曲線95d代表圖5E的天線裝置3的頻率與讀取距離關係曲線。由量測結果可得知圖1A所示的天線裝置1讀距峰值於美規頻段為2.6米，而圖5B的天線裝置3讀距峰值於美規頻段為4.8米，圖5E的天線裝置3b讀距峰值於美規頻段為5.2米，由量測數據可以看出圖5E的天線裝置3b無論是最遠讀距與讀距頻寬均優於圖1A所示的天線裝置1。
要說明的是，雖然前述的實施例中揭露了放射導體、接地導體，連接導體等結構形成在可撓性的黏著基板上，但不以此為限制。例如，在一實施例中，如圖7A所示，天線裝置3c的放射導體200a與接地導體203a以及連接導體209c等金屬材料，可以透過製程形成在基板30的表面。本實施例中，製程的方式為電鍍，但不以此為限制，例如表面塗佈、印刷的方式都可以實施。以圖7A為例，第一次的製程，可以先在基板30的第一表面300與第二表面305形成放射導體200a與接地導體203a。接著第二次製程，在基板30的兩側面上形成連接導體209c。此外，如圖7B所示，本實施例的天線裝置3d的連接導體並不形成在基板30的側面，本實施例的連接導體包括有第一連接導體209d以及第二連接導體209e，其係分別是貫穿基板30的貫孔導體(VIA)，使得放射導體200a與接地導體203a可以透過貫孔導體(VIA)相互電性連接，其中該第一貫穿導體209d位於該放射導體200a之第三側C且貫穿該基板30，該第二貫穿導體209e位於該放射導體200a之第四側D且貫穿該基板30。而在圖7C的實施例中，天線裝置3e更進一步地，在放射導體200a開路的至少一側，可以透過製程，在基板30的表面形成導 體部205a，使得天線裝置3e的基板30至少有四個表面以上具有天線結構。
綜合上述，本發明之天線結構與裝置，透過在放射導體上形成開路結構，縮短使天線產生共振的波長，進而達到天線整體體積小型化的效果。此外，放射導體的長度方向上的導體結構將基板包覆，更進一步在放射導體的寬度上設置導體貼覆在基板的表面以增加天線輻射面積，提升天線增益，達到增加讀取距離的功效。
以上所述，乃僅記載本發明為呈現解決問題所採用的技術手段之較佳實施方式或實施例而已，並非用來限定本發明專利實施之範圍。即凡與本發明專利申請範圍文義相符，或依本發明專利範圍所做的均等變化與修飾，皆為本發明專利範圍所涵蓋。
3b:天線裝置
30:基板
20b:天線結構
200:放射導體
201:第一開路結構
202:第二開路結構
205:第一導體部
206:第二導體部
209a:第一連接導體
209b:第二連接導體
303:第三側面
304:第四側面
4:無線射頻晶片
5:撓性基材

Claims (24)

  1. 一種用於金屬環境之天線結構，包括有：一放射導體，具有一第一開路結構以及一第二開路結構，該第一開路結構之一端於該放射導體之一第一側開通，該第二開路結構之一端於該放射導體之一第二側開通；一第一導體部，與該放射導體之第一側電性連接；以及一接地導體，用以和該放射導體電性連接。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之用於金屬環境之天線結構，其係更具有一第二導體部，與該放射導體之第二側電性連接。
  3. 如申請專利範圍第2項所述之用於金屬環境之天線結構，其中該第二導體部與該第一導體部對稱地設置在該第一側與該第二側上。
  4. 如申請專利範圍第1項所述之用於金屬環境之天線結構，其中該第一開路結構與該第二開路結構對稱地設置在通過該放射導體的一第三側與一第四側之中心軸的兩側。
  5. 如申請專利範圍第1項所述之用於金屬環境之天線結構，其中該第一開路結構與該第二開路結構為L形結構。
  6. 如申請專利範圍第1項所述之用於金屬環境之天線結構，其中該第一開路結構與該第二開路結構之間更具有一第一供電導體以及一第二供電導體。
  7. 如申請專利範圍第1項所述之用於金屬環境之天線結構，其中該接地導體更包括有第一接地導體以及一第二接地導體，其中該第一接地導體用 以和該放射導體的一第三側電性連接，該第二接地導體用以和該放射導體的一第四側電性連接。
  8. 如申請專利範圍第7項所述之用於金屬環境之天線結構，其中該放射導體與該第一接地導體之間更具有一第一連接導體，該放射導體與該第二接地導體之間更具有一第二連接導體。
  9. 一種用於金屬環境之天線裝置，包括有：一無線射頻晶片；一基板，具有一第一表面、在一第一方向的兩側分別具有與該第一表面相互連接，且沿一第三方向延伸的一第一側面與一第二側面、在一第二方向的兩側分別具有與該第一表面相互連接，且沿該第三方向延伸的一第三側面以及一第四側面，以及與該第一表面在第三方向相互對應且分別與該第一側面、第二側面、第三側面與該第四側面相互連接的一第二表面；以及一天線結構，形成於該基板上且與該射頻晶片電性連接，該天線結構更具有：一放射導體，其係形成於該第一表面上，該放射導體具有一第一開路結構以及一第二開路結構，該第一開路結構之一端於該放射導體之一第一側開通，該第二開路結構之一端於該放射導體之一第二側開通；一接地導體，其係形成於該第二表面上用以和該放射導體電性連接；一第一導體部，與該放射導體之第一側電性連接，該第一導體部形成於該第三側面上；以及 一連接導體，用以和該接地導體與該放射導體電性連接。
  10. 如申請專利範圍第9項所述之用於金屬環境之天線裝置，其係更具有一第二導體部，與該放射導體之第二側電性連接，該第二導體部形成於該第四側面上。
  11. 如申請專利範圍第10項所述之用於金屬環境之天線結構，其中該第一導體部與該第二導體部對稱地設置在該第三側面與該第四側面上。
  12. 如申請專利範圍第9項所述之用於金屬環境之天線結構，其中該第一開路結構與該第二開路結構對稱地設置在通過該放射導體的一第三側與一第四側之中心軸的兩側。
  13. 如申請專利範圍第9項所述之用於金屬環境之天線結構，其中該第一開路結構與該第二開路結構為L形結構。
  14. 如申請專利範圍第9項所述之用於金屬環境之天線裝置，其中該天線結構形成於一撓性基材上，藉由該撓性基材黏著於該基板上。
  15. 如申請專利範圍第9項所述之用於金屬環境之天線裝置，其中該接地導體更包括有第一接地導體以及一第二接地導體，其中該第一接地導體用以和該放射導體的一第三側電性連接，該第二接地導體用以和該放射導體的一第四側電性連接。
  16. 如申請專利範圍第15項所述之用於金屬環境之天線裝置，其中該連接導體更具有一第一連接導體以及一第二連接導體，該第一連接導體，位於該第一表面旁側的該第一側面上與該放射導體以及該第一接地導體電性連 接，該第二連接導體，位於該第一表面旁側的該第二側面上與該放射導體以及該第二接地導體電性連接。
  17. 如申請專利範圍第9項所述之用於金屬環境之天線裝置，其中該連接導體更具有一第一貫孔導體以及一第二貫孔導體，其中該第一貫穿導體位於該放射導體之第三側且貫穿該基板，該第二貫穿導體位於該放射導體之第四側且貫穿該基板。
  18. 如申請專利範圍第9項所述之用於金屬環境之天線裝置，其中該天線結構係由一金屬材料直接形成於該基板之表面上。
  19. 一種用於金屬環境之天線裝置，包括有：一無線射頻晶片；一基板，其係為多面體；一天線結構，形成於該基板上且與該射頻晶片電性連接，該天線結構更具有一放射導體、一接地導體以及一連接導體，該放射導體具有一第一開路結構以及一第二開路結構，該第一開路結構之一端於該放射導體之一第一側開通，該第二開路結構之一端於該放射導體之一第二側開通，該連接導體電性連接該接地導體與該放射導體；其中，該天線結構至少形成於該基板之至少四個面上。
  20. 如申請專利範圍第19項所述之用於金屬環境之天線裝置，其中該基板為一六面體，具有一第一表面、在一第一方向的兩側分別具有與該第一表面相互連接，且沿一第三方向延伸的一第一側面與一第二側面、在一第二方向的兩側分別具有與該第一表面相互連接，且沿該第三方向延伸的一第三側面 以及一第四側面，以及與該第一表面在第三方向相互對應且分別與該第一側面、第二側面、第三側面與該第四側面相互連接的一第二表面。
  21. 如申請專利範圍第20項所述之用於金屬環境之天線裝置，其中該連接導體更具有一第一連接導體以及一第二連接導體，該第一連接導體與該第二連接導體其係分別形成於位於該第一表面兩側的該第一側面與該第二側面上。
  22. 如申請專利範圍第20項所述之用於金屬環境之天線裝置，其中該接地導體形成於該第二表面上。
  23. 如申請專利範圍第20項所述之用於金屬環境之天線結構，其中至少一導體部形成在該第三側面或該第四側面上。
  24. 如申請專利範圍第19項所述之用於金屬環境之天線裝置，其中該天線結構係由一金屬材料直接形成於該基板之表面上。
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