TWI754017B - 自清潔裝置、基板處理裝置及清洗具的自清潔方法 - Google Patents

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Abstract

本發明係一種抑制藥液等之液體蓄積於清潔構件上的自清潔裝置。
自清潔裝置60係具備：清潔構件63，係對清洗基板的清洗具M1進行清洗者；及噴射部64a，係將液體朝向清潔構件或清洗具進行噴射。清潔構件係具有供清洗具推壓從而對清洗具進行清洗的清潔面63a，清潔面係相對於水平面呈傾斜。

Description

自清潔裝置、基板處理裝置及清洗具的自清潔方法
本發明係關於一種自清潔(self cleaning)裝置及基板處理裝置。
自以往以來，已知有一種如下述專利文獻1所示的基板處理裝置。此基板處理裝置係具備：研磨部，係研磨基板；清洗部，係以清洗具(滾筒海綿(roll sponge))清洗被研磨過的基板；及自清潔裝置，係對清洗具進行清洗。再者，此自清潔裝置係具備：清潔構件(清洗板)，係對清洗具進行清洗；及噴射部，係噴射液體(純水噴嘴(nozzle)及藥液噴嘴)。
在此自清潔裝置中，係可將液體朝向清洗具噴射，同時一邊使清洗具旋轉，一邊推壓於清潔構件，藉此洗去附著於清洗具的污垢等。
[先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本特開2015-65379號公報
然而，在此種自清潔裝置中，有時藥液等之液體會蓄積在清潔構件上，故無法將清洗具充分地清洗。當自清潔裝置所進行之清洗具的清洗不夠充分時，藉由此清洗具清洗基板的性能就有降低之虞。
本發明係有鑑於此種情形而研創者，其目的為提供一種可抑制藥液等之液體蓄積於清潔構件上的自清潔裝置。
為了解決上述問題，本發明之第一態樣的自清潔裝置係具備：清潔構件，係對清洗基板的清洗具進行清洗者；及噴射部，係將液體朝向前述清潔構件或前述清洗具進行噴射；前述清潔構件係具有供前述清洗具推壓從而對前述清洗具進行清洗的清潔面，前述清潔面係相對於水平面呈傾斜。
依據上述態樣的自清潔裝置，清潔構件的清潔面係相對於水平面呈傾斜。藉此，噴射部朝向清潔構件或清洗具進行噴射的液體，會因為重力而從清潔面上自行掉落。因此，可抑制液體蓄積於清潔面上。
此外，前述清潔面相對於水平面的傾斜角度係可為20度以上。
此時，可使清潔面中之液體會蓄積之面積的比例為預定量以下，而可更確實地抑制液體蓄積於清潔 面上。
此外，前述清洗具被推壓於前述清潔面時前述清洗具所移動的方向與前述清潔面的法線所構成的角度係可為45度以下。
此時，相較於例如上述法線與清洗具之移動方向所構成的角度為較45度更大時，可確實地將清洗具推壓於清潔面，而可更效率良好地對清洗具進行清洗。
為了解決上述問題，本發明之第2態樣的基板處理裝置係具備：研磨部，係研磨基板；清洗部，係具有清洗前述基板的清洗具；及自清潔裝置，係對前述清洗具進行清洗。
依據上述態樣的基板處理裝置，係抑制液體蓄積於自清潔裝置所具備之清潔構件的清潔面上，藉此即可確實地洗去附著於清洗具的污垢。藉此，可使清洗具更長期間地使用，或可使用此清洗具而對基板更確實地進行清洗。
依據本發明的上述態樣，可抑制藥液等的液體蓄積於清潔構件上。
1‧‧‧基板處理裝置
10‧‧‧載入/載出部
11‧‧‧前載入部
12‧‧‧載入/載出單元
13‧‧‧搬運機械人
20‧‧‧研磨部
20A‧‧‧第1研磨單元
20B‧‧‧第2研磨單元
20C‧‧‧第3研磨單元
20D‧‧‧第4研磨單元
21‧‧‧研磨平台
22‧‧‧頂環
23‧‧‧研磨液供給噴嘴
24‧‧‧修整器
25‧‧‧噴霧器
26‧‧‧第1線性傳送器
27‧‧‧第2線性傳送器
30‧‧‧清洗部
31A‧‧‧第1清洗單元
31B‧‧‧第2清洗單元
32A‧‧‧第1搬運單元
32B‧‧‧第2搬運單元
33‧‧‧乾燥單元
40‧‧‧控制部
60‧‧‧自清潔裝置
61‧‧‧基台
61a‧‧‧排水溝
61b‧‧‧排水口
62‧‧‧傾斜台
63‧‧‧清潔構件
63a‧‧‧清潔面
64‧‧‧藥液管
64a‧‧‧噴射孔(噴射部)
65‧‧‧水管
65a‧‧‧噴射孔(噴射部)
66‧‧‧管支持台
H‧‧‧外殼
M1‧‧‧清洗具
M2‧‧‧清洗具
M3‧‧‧乾燥模組
N‧‧‧法線
P‧‧‧移動方向
PD‧‧‧研磨墊
Q‧‧‧暫置台
R1‧‧‧搬運機械人
R2‧‧‧搬運機械人
TP1‧‧‧第1搬運位置
TP2‧‧‧第2搬運位置
TP3‧‧‧第3搬運位置
TP4‧‧‧第4搬運位置
TP5‧‧‧第5搬運位置
TP6‧‧‧第6搬運位置
TP7‧‧‧第7搬運位置
θ1、θ2、θ3‧‧‧傾斜角度
θ4‧‧‧推壓角度
第1圖係第1實施形態之基板處理裝置的俯視透視圖。
第2圖係第1圖之自清潔裝置的說明圖。
第3圖係第1圖之自清潔裝置的立體圖。
第4圖係第1圖之自清潔裝置的剖面圖。
(第1實施形態)
以下參照第1圖至第4圖來說明第1實施形態之基板處理裝置1的構成。另外，在以下說明中所使用的各圖式中，為了使各構件為可辨識的大小，已適當變更了比例尺。
在本實施形態中，係設定XYZ正交座標系統以說明各構成的位置關係。X方向係基板處理裝置1的長度方向，Z方向係鉛垂方向，Y方向係與X方向及Z方向之雙方向正交的方向。
如第1圖所示，基板處理裝置1係一種具備被劃分為載入(load)/載出(unload)部10、研磨部20、及清洗部30的大致矩形狀的外殼(housing)H，對於晶圓(基板)進行研磨處理及清洗處理(包含乾燥處理)的研磨裝置。
此外，基板處理裝置1係具備鄰接於清洗部30而設置的自清潔裝置60。
載入/載出部10係將處理前的晶圓載入(搬入)於基板處理裝置1之內部，且將處理後的晶圓載出(搬出)於基板處理裝置1之外部的部位。此載入/載出部10係具備前載入(front load)部11及載入/載出單元(unit)12。前載入部11係供載置晶圓匣(wafer cassette)的部位，該晶圓匣係儲存多數個晶圓。在本實施形態中，係設有4個前載入部11。前載入部11係構成為可搭載開放式晶圓匣(open cassette)、SMIF(Standard Manufacturing Interface， 標準製造介面)盒(pod)、或FOUP(Front Opening Unified Pod，前開式晶圓盒)等晶圓匣。
載入/載出單元12係從載置於前載入部11的晶圓匣取出處理前的晶圓，且將處理後的晶圓送回晶圓匣的單元。此載入/載出單元12係具備構成為可沿著前載入部11的排列方向移動的2台搬運機械人(robot)(載入器(loader))13。此等搬運機械人13係沿著前載入部11的排列方向而移動，可對搭載於前載入部11的晶圓匣進行取入取出(access)。
研磨部20係對於搬入於基板處理裝置1之內部的晶圓進行研磨處理(平坦化處理)的部位。此研磨部20係具備沿著基板處理裝置1之長度方向而排列的4個研磨單元(第1研磨單元20A、第2研磨單元20B、第3研磨單元20C、及第4研磨單元20D)。此等研磨單元20A至20D係具備研磨平台(table)21、頂環(top ring)22、研磨液供給噴嘴23、修整器(dresser)24、及噴霧器(atomizer)25。
在研磨平台21中係安裝有具有研磨面的研磨墊(pad)PD。頂環22係一邊將晶圓推壓於研磨平台21上的研磨墊PD一邊進行研磨。研磨液供給噴嘴23係將研磨液或修整(dressing)液(例如純水)供給至研磨墊PD。修整器24係進行研磨墊PD之研磨面的修整。噴霧器25係對於研磨墊PD的研磨面，噴射液體(例如純水)與氣體(例如氮氣)的混合流體或霧狀的液體等。
此外，研磨部20係具備：第1線性傳送器 (linear transporter)26、及第2線性傳送器27。第1線性傳送器26係與第1研磨單元20A及第2研磨單元20B鄰接配置，在圖中所示的4個搬運位置(第1搬運位置TP1、第2搬運位置TP2、第3搬運位置TP3、第4搬運位置TP4)之間搬運晶圓。另外，在第1線性傳送器26與清洗部30之間係配置有晶圓的暫置台Q。
第1搬運位置TP1係第1線性傳送器26從搬運機械人13接受晶圓的位置。第2搬運位置TP2係在第1研磨單元20A的頂環22與第1線性傳送器26之間進行晶圓之傳遞的位置。第3搬運位置TP3係在第2研磨單元20B的頂環22與第1線性傳送器26之間進行晶圓之傳遞的位置。第4搬運位置TP4係在第2線性傳送器27與第1線性傳送器26之間進行晶圓之傳遞的位置。
第2線性傳送器27係與第3研磨單元20C及第4研磨單元20D鄰接配置，在圖中所示的3個搬運位置(第5搬運位置TP5、第6搬運位置TP6、第7搬運位置TP7)之間搬運晶圓。
第5搬運位置TP5係在第1線性傳送器26與第2線性傳送器27之間進行晶圓之傳遞的位置。第6搬運位置TP6係在第3研磨單元20C的頂環22與第2線性傳送器27之間進行晶圓之傳遞的位置。第7搬運位置TP7係在第4研磨單元20D的頂環22與第2線性傳送器27之間進行晶圓之傳遞的位置。
清洗部30係進行已被研磨部20研磨過之 晶圓的清洗處理及乾燥處理的部位。此清洗部30係具備沿著基板處理裝置1之長度方向排列的5個單元(第1清洗單元31A、第1搬運單元32A、第2清洗單元31B、第2搬運單元32B及乾燥單元33)。
第1清洗單元31A及第2清洗單元31B係分別具備清洗晶圓的清洗具M1、M2。以清洗具M1、M2而言，係可使用朝Y方向延伸的圓柱狀滾筒。以清洗具M1、M2的材質而言，係可使用多孔質的PVA(polyvinyl alcohol，聚乙烯醇)製海綿、聚氨脂發泡體(urethane foam)等。
第1清洗單元31A及第2清洗單元31B係將藥液朝向晶圓噴射，且使清洗具M1、M2的外周面抵接於晶圓並使清洗具M1、M2旋轉，藉此清洗晶圓。以藥液而言，係可使用SC1(氨(ammonia)/過氧化氫混合水溶液)等。
第1搬運單元32A及第2搬運單元32B係分別具備可上下動作的搬運機械人R1、R2。搬運機械人R1係在暫置台Q、第1清洗單元31A、第2清洗單元31B之間搬運晶圓。搬運機械人R2係在第2清洗單元31B及乾燥單元33之間搬運晶圓。
乾燥單元33係具備乾燥模組M3，該乾燥模組M3係將已被清洗單元31A、31B清洗的晶圓予以乾燥。此乾燥模組M3係例如藉由洛塔戈尼(音譯，Rotagoni)乾燥將晶圓予以乾燥。在此，所謂洛塔戈尼乾燥係指一邊旋轉晶圓，一邊將IPA蒸氣(異丙醇(isoprepyl alcohol)與 N2氣體的混合氣)與超純水供給至晶圓的表面同時進行晶圓之乾燥的乾燥法。
此外，基板處理裝置1係在外殼H的內部具備統合控制基板處理裝置1之動作的控制部40。此控制部40係藉由輸出對應設於基板處理裝置1之各種感測器(sensor)之檢測結果的控制信號而統合控制基板處理裝置1的動作。例如，控制部40係進行根據各研磨單元20A至20D之膜厚感測器的檢測結果而調整頂環22的推壓力，或以預定的時序(timing)藉由自清潔裝置60而對清洗具M1進行清洗的控制。
自清潔裝置60係對清洗具M1進行清洗的裝置。清洗具M1係以預定的時序從清洗部30被移動至自清潔裝置60(參照第2圖)。
如第3圖所示，自清潔裝置60係具備基台(base)61、傾斜台62、清潔構件63、藥液管64、水管65及管支持台66。另外，自清潔裝置60整體係在Y方向較X方向更長。因此，Y方向即成為自清潔裝置60中的長度方向。
基台61係支持傾斜台62及管支持台66。在基台61中，係形成有沿著Y方向延伸的排水溝61a。排水溝61a的底面係隨著朝向Y方向的一側，逐漸地朝向下方延伸。此外，在排水溝61a之Y方向中之一側的端部，係形成有排水口61b。因此，排水溝61a內的液體，會因為重力而自行朝向Y方向的一側流動，且從排水口61b排出。
傾斜台62係被固定於基台61上。清潔構件63係被固定於傾斜台62。
清潔構件63係在X方向鄰接排水溝61a，且配置於較排水溝61a更上方。清潔構件63係形成為在Y方向較長、在X方向較短的長方形板狀。清潔構件63的上面係供清洗具M1推壓從而清洗該清洗具M1的清潔面63a。清潔面63a係隨著朝向X方向中之排水溝61a側，逐漸地朝向下方延伸。換言之，清潔面63a係朝向排水溝61a傾斜。
清潔構件63係藉由石英而形成。另外，清潔構件63的材質及形狀，係可配合清洗具M1的材質及形狀等而適當變更。例如，亦可採用聚氯乙烯(PVC，polyvinyl chloride)作為清潔構件63的材質。
藥液管64及水管65係朝Y方向延伸，且被管支持台66支持。水管65係位於藥液管64的上方。在藥液管64中係形成有將流動於藥液管64內的藥液予以噴射的噴射孔(噴射部)64a。噴射孔64a係在藥液管64的側面，沿著該藥液管64所延伸的方向隔開間隔地形成有複數個。在水管65中係形成有將流動於水管65內的純水予以噴射的噴射孔(噴射部)65a。噴射孔65a係在水管65的側面，沿著該水管65所延伸的方向隔開間隔地形成有複數個。
接著說明上述構成之基板處理裝置1的作用。
從前載入部11被搬運機械人13所取出的晶 圓，係依序被第1研磨單元20A及第2研磨單元20B研磨，且被載置於暫置台Q。同樣地，一部分的晶圓，係依序被第3研磨單元20C及第4研磨單元20D研磨，且被載置於暫置台Q。如此，基板處理裝置1係可對於複數個晶圓同時進行研磨處理。
被載置於暫置台Q的晶圓係被設於清洗部30的第1搬運單元32A依序搬運至第1清洗單元31A及第2清洗單元31B，且被第1清洗單元31A及第2清洗單元31B依序清洗。被清洗的晶圓係被第2搬運單元32B搬運至乾燥單元33進行乾燥。被乾燥單元33乾燥後的晶圓，係被搬運機械人13送回前載入部11的晶圓匣。
伴隨著晶圓的清洗，污垢會附著於清洗具M1。因此，清洗具M1係以預定的時序被移動至自清潔裝置60進行清洗。
在本實施形態中，係使清洗具M1旋轉同時推壓於清潔構件63，且將藥液朝向清洗具M1進行噴射，藉此去除附著於清洗具M1的污垢。此時之清洗具M1的旋轉方向，亦可為第4圖所示之正面觀察下的順時針(CW)旋轉及逆時針(CCW)旋轉的任一者。此外，清洗具M1的旋轉速度係可與對晶圓進行清洗時的旋轉速度相等，亦可與之不同。另外，清洗具M1的旋轉係可僅在將清洗具M1推壓於清潔構件63的期間執行，亦可在使清洗具M1於清洗部30與自清潔裝置60之間移動的期間亦繼續執行。
在將清洗具M1推壓於清潔構件63的狀態下使之旋轉 預定量之後，使清洗具M1上升而從清潔構件63退開，且將純水朝向清潔構件63及清洗具M1進行噴射，藉此去除清潔構件63及清洗具M1的污垢。
另外，從藥液管64之噴射孔64a噴射的藥液，係以與在清洗單元31A、31B中被用於晶圓之清洗的藥液相同者為佳。此外，在本實施形態中雖使用了藥液及純水，但亦可使用1種或3種以上的液體而對清洗具M1及清潔構件63進行清洗。此外，純水亦可不使用於清洗具M1的清洗，而僅被使用於清潔構件63的清洗。
在此，在被使用於清洗具M1或清潔構件63之清洗的藥液或純水中，係混合著曾附著於清洗具M1的污垢。因此，當混合著該污垢的液體蓄積於清潔面63a上時，清洗具M1會有被再度污染的可能。此外，當包含藥液等的液體長時間蓄積於清潔面63a上時，會因為此液體變質等而有可能對於自清潔裝置60所進行之清洗具M1的清洗性能造成影響。綜上所述，被使用於清洗具M1之清洗的液體係以從清潔面63a上迅速排出為佳。
因此，在本實施形態中，如第4圖所示，係使清潔面63a相對於水平面(正交於鉛垂方向的平面)傾斜。因此，被使用於清洗具M1或清潔構件63之清洗的液體，會於清潔面63a上落下。藉此，即可抑制液體會長時間蓄積於清潔面63a上。另外，從清潔面63a掉落的液體，係流動於排水溝61a內，而從排水口61b被排出。
在以下的說明中，如第4圖所示，係將清潔面63a相 對於水平面的角度稱為傾斜角度θ1。
清潔面63a上之液體的排水性係可藉由蓄積有液體之部分的面積相對於清潔面63a之面積的比例來評估。經本案發明人等致力檢討後結果，發現只要傾斜角度θ1為20度以上，就可使上述比例與傾斜角度θ1為90度的情形(使清潔面63a相對於水平面垂直立起的情形)相等。另外，此時之上述比例係5%以下。因此，傾斜角度θ1係以20度以上為理想。
此外，當將清洗具M1推壓於清潔面63a時清洗具M1所移動的方向設為移動方向P，將清潔面63a所延伸之平面的法線設為法線N時，移動方向P與法線N所構成的推壓角度θ4係以45度以下為佳。此係因為當推壓角度θ4超過45度時，將清洗具M1朝向清潔面63a推壓之力的損耗會變大，而將清洗具M1進行清洗的效率會降低之故。
另外，在本實施形態中，由於移動方向P與鉛垂方向一致，因此推壓角度θ4與傾斜角度θ1亦一致。因此，當推壓角度θ4成為45度以下時，傾斜角度θ1亦成為45度以下。
綜上所述，傾斜角度θ1係以20度以上45度以下的範圍內為佳。
另外，第4圖所示之△Z係清洗具M1從自清潔動作前的待機位置，往自清潔中之推壓位置的移動量(下降量)。△Z係例如約3mm。當△Z為3mm時，清洗具 M1相對於清潔面63a的推壓量係成為2.8mm。
另外，如第4圖所示，當將從藥液管64之噴射孔64a噴射之藥液相對於水平面的噴射角度設為θ2時，θ2係例如約31度。此外，當將從水管65之噴射孔65a噴射之純水相對於水平面的噴射角度設為θ3時，θ3係例如約49度。此等角度θ2、θ3係可適當變更。
綜上所述，依據本實施形態的自清潔裝置60，清潔構件63的清潔面63a係相對於水平面呈傾斜。藉此，朝向清潔構件63或清洗具M1噴射的液體，即因為重力而從清潔面63a上自行掉落。因此，可抑制液體蓄積於清潔面63a上。
此外，藉由將傾斜角度θ1設為20度以上，可使清潔面63a中之液體蓄積之面積的比例為預定量以下(例如5%以下)，而可更確實地抑制液體蓄積於清潔面63a上。
此外，藉由將推壓角度θ4設為45度以下，即可將清洗具M1確實地推壓於清潔面63a，而更確實地將清洗具M1清洗。
此外，依據本實施形態的基板處理裝置1，係藉由抑制液體蓄積於清潔面63a上，可達成將附著於清洗具M1的污垢予以確實地洗去。藉此，可使清洗具M1更長時間地使用，亦可達成使用該清洗具M1而對晶圓更確實地進行清洗。
另外，本發明之技術範圍不限定於前述實 施形態，在不脫離本發明之旨趣之範圍內，均可施加各種變更。
例如，在前述實施形態中，雖將板狀的清潔構件63固定於傾斜台62，但清潔構件及傾斜台62亦可形成一體。此時，清潔構件係可具有朝水平延伸而安裝於基台61的安裝面及相對於該安裝面而傾斜的清潔面。
此外，在前述實施形態中，液體雖從形成於藥液管64及水管65的噴射孔64a、65a噴射，但亦可採用其他形態的噴射部。
此外，在第2圖中，雖顯示了對上側的清洗具M1進行清洗的自清潔裝置60，但亦可另行設置對下側之清洗具M1進行清洗的自清潔裝置60。或者，亦可由第2圖的自清潔裝置60對上下兩方的清洗具M1進行清洗。同樣地，亦可另行設置對第2清洗單元31B之清洗具M2進行清洗的自清潔裝置60，亦可由第1圖的自清潔裝置60，對清洗具M1及清洗具M2雙方進行清洗。
除此之外，在不脫離本發明之旨趣的範圍內，亦可將上述之實施形態中的構成要素適當置換為公知的構成要素，此外，亦可將上述之實施形態或變形例予以適當組合。
60‧‧‧自清潔裝置
61‧‧‧基台
61a‧‧‧排水溝
61b‧‧‧排水口
62‧‧‧傾斜台
63‧‧‧清潔構件
63a‧‧‧清潔面
64‧‧‧藥液管
64a‧‧‧噴射孔(噴射部)
65‧‧‧水管
65a‧‧‧噴射孔(噴射部)
66‧‧‧管支持台
M1‧‧‧清洗具
N‧‧‧法線
P‧‧‧移動方向
θ1、θ2、θ3‧‧‧傾斜角度
θ4‧‧‧推壓角度

Claims (9)

  1. 一種自清潔裝置，係具備：清潔構件，係對清洗基板的清洗具進行清洗者；及複數個第1噴射部，係將藥液朝向前述清潔構件或前述清洗具進行噴射；複數個第2噴射部，係將純水朝向前述清潔構件或前述清洗具進行噴射；前述清潔構件係具有供前述清洗具推壓從而對前述清洗具進行清洗的清潔面；前述清潔面係相對於水平面呈傾斜；前述複數個第1噴射部係沿著前述清結構件所延伸的方向隔開間隔配置；前述複數個第2噴射部係沿著前述清結構件所延伸的方向隔開間隔配置；前述複數個第2噴射部係位於比前述複數個第1噴射部更上方的位置。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之自清潔裝置，其中，前述清潔面相對於水平面的傾斜角度係20度以上。
  3. 如申請專利範圍第1項或第2項所述之自清潔裝置，其中，前述清洗具被推壓於前述清潔面時，前述清洗具所移動的方向與前述清潔面的法線所構成的角度係45度以下。
  4. 如申請專利範圍第1項或第2項所述之自清潔裝置， 更包括基台，該基台係支持前述清潔構件；前述基台係具有沿著前述清潔構件的延伸方向延伸之排水溝；前述清潔面係朝向前述排水溝傾斜。
  5. 如申請專利範圍第1項或第2項所述之自清潔裝置，其中，前述清潔構件的材質為石英或聚氯乙烯。
  6. 一種基板處理裝置，係具備：研磨部，係研磨基板；清洗部，係具有清洗前述基板的清洗具；以及申請專利範圍第1項至第5項中任一項所述之自清潔裝置，係將前述清洗具進行清洗。
  7. 如申請專利範圍第6項所述之基板處理裝置，更具備控制部，前述控制部係控制藉由前述自清潔裝置來清洗前述清洗具的時序。
  8. 一種清洗具的自清潔方法，係包括下列步驟：將清洗基板後的清洗具移動至具有清潔構件之自清潔裝置之步驟；從第1噴射部朝向前述清潔構件或前述清洗具噴射藥液，並同時使前述清洗具旋轉且將前述清洗具推壓於前述清潔構件的清潔面之步驟；以及在使前述清洗具上升而從前述清潔構件退開之狀態下，從位於比前述第1噴射部更上方之第2噴射部，朝向前述清潔構件或前述清洗具噴射純水之步驟；前述清潔面係相對於水平面呈傾斜。
  9. 一種清洗具的自清潔方法，係包括下列步驟：使用以清洗基板的清洗具旋轉同時將前述清洗具推壓於清潔構件的清潔面，並將藥液朝向前述清洗具供給之步驟，其中，前述清潔構件所具有的前述清潔面係相對於水平面呈傾斜；在將前述清洗具推壓於前述清潔面之狀態下，使前述清洗具旋轉預定量之步驟；使前述清洗具上升而從前述清潔構件退開之步驟；以及從比前述藥液的噴射位置更上方的位置將純水朝向前述清潔構件及前述清洗具噴射，而將前述清潔構件及前述清洗具的污垢去除之步驟。
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