TWI753943B - 玻璃基板及積層基板 - Google Patents
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Abstract
本發明之第一發明係關於一種玻璃基板,其鹼金屬氧化物之含量以氧化物基準之莫耳百分率表示計為0~0.1%,失透溫度黏性為103.2
dPa・s以上,且30℃~220℃下之平均熱膨脹係數α為7.80~9.00(ppm/℃)。本發明之第二發明係關於一種玻璃基板,其鹼金屬氧化物之含量以氧化物基準之莫耳百分率表示計為0~0.1%,光彈性常數C為10~26 nm/cm/Mpa,且該玻璃基板用於半導體封裝用之支持基板。
Description
本發明係關於一種玻璃基板及積層基板。
於半導體元件之領域中,元件之積體度增加,另一方面,元件之小型化正在發展。伴隨於此,對具有高積體度之元件之封裝技術之要求正在提高。 近年來,於半導體封裝之領域中,晶圓級封裝(WLP,Wafer Lever Package)或面板級封裝(PLP,Panel Lever Package)等技術受到關注(參照專利文獻1等)。該技術係例如將矽晶片放置於玻璃基板上,利用密封樹脂進行模塑,藉此進行密封之技術。由於能夠將端子配置於較矽晶片之面積大之面積上,故而可實現高效率之配線,作為結果,能夠提昇每單位面積之積體度。又,能夠藉由進行大面積化而降低成本。 一般而言,密封樹脂之熱膨脹率大於玻璃基板之熱膨脹率,因此玻璃基板及密封樹脂之熱膨脹率差較大。因此,於使用WLP技術進行封裝時,產生如下問題,即由該熱膨脹率差引起之翹曲產生。為了解決此種問題,先前採取了如下方法:向密封樹脂中加入各種填料,而使該密封樹脂之熱膨脹率與玻璃基板之熱膨脹率一致,從而抑制於上述封裝步驟中之翹曲。 [先前技術文獻] [專利文獻] [專利文獻1]日本專利特開2015-78113號公報 [專利文獻2]日本專利特開平8-333133號公報
[發明所欲解決之問題] 然而,若向密封樹脂中加入大量之填料,則會產生如下問題:由於密封樹脂之流動性降低,故而密封樹脂不會被填充至各個角落,由此導致可靠性降低。因此,並不向密封樹脂加入填料以調整熱膨脹係數,為了使玻璃基板之熱膨脹率與密封樹脂之熱膨脹率相匹配,而要求有具有較大之熱膨脹係數之玻璃基板。 又,如上述之WLP等由於包含矽晶片,故而若玻璃基板含有鹼金屬氧化物,則有產生例如於熱處理步驟等中,該鹼金屬氧化物成為離子而污染矽晶片,從而使配設於矽晶片上之LSI(Large Scale Integration,大規模積體電路)電路等發生短路等諸多問題之虞。因此,期望玻璃基板中之鹼金屬氧化物之含量儘量少。 然而,具有較高之熱膨脹係數之先前之玻璃含有大量之鹼金屬氧化物。於專利文獻1中揭示有於20~200℃之溫度範圍內之平均線熱膨脹係數為50×10-7
~66×10-7
/℃之支持玻璃基板,但含有5質量%以上之Na2
O或K2
O等鹼金屬氧化物。又,於專利文獻2中揭示有於0~300℃之溫度範圍內之線熱膨脹率為60~90×10-7
/℃之玻璃,但含有5質量%左右之鹼金屬氧化物。 又,由於使用形態為薄板,故而要求生產性良好地進行向薄板之成形,但若為先前之無鹼玻璃,則存在如下課題:失透溫度較高,而向基板之成形困難,且於塊成形後必須進行切片、研磨等。 因此,本發明之第一發明之目的在於提供一種鹼金屬氧化物之含量儘量少、且熱膨脹係數與先前相比充分大、生產性優異之玻璃基板及使用該玻璃基板之積層基板。又,本發明之第二發明之目的在於提供一種鹼金屬氧化物之含量儘量少,且適於半導體封裝用之支持基板之玻璃基板及使用該玻璃基板之積層基板。 [解決問題之技術手段] 本發明人等發現,藉由將失透溫度黏性及於30℃~220℃下之平均熱膨脹係數設為特定範圍,可獲得鹼金屬氧化物之含量儘量少、且熱膨脹係數與先前相比充分大、生產性優異之玻璃基板,從而完成第一發明。 又,本發明人等發現,藉由將光彈性常數C設為特定範圍,可獲得鹼金屬氧化物之含量儘量少、且可用作半導體封裝用之支持基板之玻璃基板,從而完成第二發明。 第一發明之玻璃基板係鹼金屬氧化物之含量以氧化物基準之莫耳百分率表示計為0~0.1%,失透溫度黏性為103.2
dPa・s以上,且於30℃~220℃下之平均熱膨脹係數α為7.80~9.00(ppm/℃)。 第二發明之玻璃基板係鹼金屬氧化物之含量以氧化物基準之莫耳百分率表示計為0~0.1%,光彈性常數C為10~26 nm/cm/MPa,且用於半導體封裝用之支持基板。 本發明之積層基板係由上述玻璃基板與半導體基板經由樹脂層積層而成,且上述半導體基板由上述玻璃基板所支持。 本發明之積層玻璃基板係由上述玻璃基板與其他玻璃基板積層而成。 [發明之效果] 第一發明能夠提供一種鹼金屬氧化物之含量儘量少、且熱膨脹率與先前相比充分大、生產性優異之玻璃基板及積層基板。 又,第二發明能夠提供一種鹼金屬氧化物之含量儘量少、且適於半導體封裝用之支持基板之玻璃基板及使用該玻璃基板之積層基板。
以下,對本發明之一實施形態進行說明。再者,所謂表示數值範圍之「~」,係以包含其前後所記載之數值作為下限值及上限值之含義使用,只要未特別說明,則以下「~」具有相同之含義而使用。 又,於本說明書中,只要未特別明確說明,則玻璃基板及其製造方法中之各成分之含量係以氧化物基準之莫耳百分率表示。 首先,對本發明之一實施形態之玻璃基板進行說明。再者,雖於以下以使用矽基板作為半導體基板之實施形態為中心進行說明,但亦可適當地應用於矽基板以外之半導體基板。 圖1(A)及圖1(B)係與矽基板貼合之本發明之一實施形態之玻璃基板之剖視圖。於圖1(A)所表示之本發明之一實施形態之玻璃基板G1與矽基板10之間介隔剝離層20(亦可作為接合層發揮功能),例如於200℃~400℃之溫度下將該等進行貼合,而獲得圖1(B)所表示之積層基板30。作為矽基板10,例如使用原尺寸之矽晶圓、矽晶片、矽晶片被樹脂模塑而成之基板、形成有元件之晶圓等。剝離層20為例如可耐受200~400℃之溫度之樹脂。 本發明之一實施形態之玻璃基板係藉由與矽基板貼合而使用。例如用於扇出型之晶圓級封裝用之支持基板、藉由晶圓級封裝而使元件之小型化有效之MEMS(micro electromechanical system,微機電系統)、CMOS(Complementary Metal Oxide Semiconductor,互補金氧半導體)及CIS(Contact Image Sensor,接觸式圖像傳輸器)等影像感測器用之玻璃基板、具有貫通孔之玻璃基板(玻璃***層;GIP)、以及半導體背面研磨用之支持玻璃等。本發明之一實施形態之玻璃基板尤其是作為扇出型之晶圓級封裝用之支持基板較佳。 圖2係將本發明之一實施形態之玻璃基板用作扇出型之晶圓級封裝用之支持基板的本發明之一實施形態之積層基板之剖視圖。 於扇出型之晶圓級封裝中,例如於200℃~400℃之溫度下,使玻璃基板G2與矽基板40(矽晶片)經由樹脂等剝離層50(亦可作為接合層發揮功能)進行積層。進而,藉由以樹脂60包埋矽基板40而獲得積層基板70。其後,使紫外線通過玻璃基板G2而照射至剝離層50,藉此將玻璃基板G2與由樹脂60包埋之矽基板40剝離。玻璃基板G2可再利用。由樹脂60包埋之矽基板40係藉由銅線等配線。再者,亦可將利用樹脂60包埋矽晶片而成之基板設為矽基板。 本發明之一實施形態之玻璃基板如下所述,30℃~220℃下之平均熱膨脹係數α大於先前之無鹼玻璃,為7.80~9.00(ppm/℃),而容易使玻璃基板之熱膨脹率與密封樹脂之熱膨脹率相匹配。因此,作為扇出型之晶圓級封裝用之支持基板較佳。 本發明之一實施形態之玻璃基板係鹼金屬氧化物之含量以氧化物基準之莫耳百分率表示計為0~0.1%。此處,鹼金屬氧化物為Li2
O、Na2
O、K2
O等。只要鹼金屬氧化物之含量以氧化物基準之莫耳百分率表示計為0.1%以下,則於將矽基板等半導體基板與玻璃基板進行貼合之熱處理步驟及利用密封樹脂進行包埋(樹脂密封)時之熱處理步驟中,鹼金屬離子難以向半導體基板擴散。 鹼金屬氧化物之含量以氧化物基準之莫耳百分率表示計更佳為0.05%以下,進而較佳為0.02%以下,尤佳為實質上不含有鹼金屬氧化物。此處,所謂實質上不含有鹼金屬氧化物,係指如下情況:完全不含有鹼金屬氧化物;或者亦可含有製造上不可避免地混入之雜質作為鹼金屬氧化物。 又,第一發明之一實施形態之玻璃基板係於30℃~220℃下之平均熱膨脹係數α為7.80~9.00(ppm/℃)。只要α為7.80~9.00(ppm/℃),則與先前之無鹼基板相比,熱膨脹係數充分大,而容易使玻璃基板之熱膨脹率與密封樹脂之熱膨脹率相匹配。又,於將玻璃基板與半導體基板貼合後,在利用密封樹脂進行包埋時之熱處理步驟時,能夠使該玻璃基板與該密封樹脂之熱膨脹率相匹配,因此,能夠減少或消除利用密封樹脂包埋後之封裝整體之翹曲。 第一發明之一實施形態之玻璃基板較佳為α為7.85(ppm/℃)以上,更佳為7.90(ppm/℃)以上,進而較佳為8.00(ppm/℃)以上。另一方面,第一發明之玻璃基板較佳為α為8.50(ppm/℃)以下,更佳為8.40(ppm/℃)以下,進而較佳為8.35(ppm/℃)以下,尤佳為8.30(ppm/℃)以下。 第二發明之一實施形態之玻璃基板較佳為α為7.80(ppm/℃)以上,更佳為7.85(ppm/℃)以上,進而較佳為7.90(ppm/℃)以上,尤佳為8.00(ppm/℃)以上。另一方面,第二發明之玻璃基板較佳為α為9.00(ppm/℃)以下,更佳為8.50(ppm/℃)以下,進而較佳為8.40(ppm/℃)以下,尤佳為8.35(ppm/℃)以下。 此處,所謂30℃~220℃之平均熱膨脹係數α,係利用JIS R3102(1995年)所規定之方法測得之測定熱膨脹係數之溫度範圍為30℃~220℃之平均熱膨脹係數。 又,本發明之一實施形態之玻璃基板較佳為於50℃~350℃下之平均熱膨脹係數β為8.10~9.30(ppm/℃)。只要β為8.10~9.30(ppm/℃),則於將玻璃基板與矽基板貼合之熱處理步驟中,容易減小產生於積層基板之殘留應變。此處,關於由玻璃基板與矽基板之間之剝離層所產生之影響,由於剝離層與玻璃基板或矽基板相比非常薄,故而可忽視。 又,於用作晶圓級封裝之情形時,於將玻璃基板G2與矽基板40(矽晶片)貼合之熱處理步驟中,進而利用樹脂60包埋矽基板40。只要β為8.10~9.30(ppm/℃),則容易減小產生於玻璃基板G2、矽基板40及樹脂60之殘留應變。 β更佳為8.20(ppm/℃)以上,進而較佳為8.25(ppm/℃)以上,尤佳為8.30(ppm/℃)以上,最佳為8.35(ppm/℃)以上。另一方面,β更佳為8.70(ppm/℃)以下,進而較佳為8.65(ppm/℃)以下,尤佳為8.60(ppm/℃)以下,最佳為8.55(ppm/℃)以下。 此處,所謂50℃~350℃之平均熱膨脹係數β,係利用JIS R3102(1995年)所規定之方法測得之測定熱膨脹係數之溫度範圍為50℃~350℃之平均熱膨脹係數。 第一發明之一實施形態之玻璃基板其失透溫度黏性(ηTL
)為103.2
dPa・s以上。只要失透溫度黏性為103.2
dPa・s以上,則能夠穩定地成形。又,能夠生產性良好地進行向薄板之成形。第一發明之一實施形態之玻璃基板之失透溫度黏性較佳為103.5
dPa・s以上,更佳為104.0
dPa・s以上。 第二發明之一實施形態之玻璃基板較佳為失透溫度黏性(ηTL
)為103.2
dPa・s以上,更佳為103.5
dPa・s以上,進而較佳為104.0
dPa・s以上。 本發明之一實施形態之玻璃基板較佳為具有如以下之組成。即,其特徵在於:作為母組成,以氧化物基準之莫耳百分率表示計,含有: SiO2
:50~70%、 Al2
O3
:2~8%、 B2
O3
:0~5%、 MgO:0~5%、 CaO:0~6%、 SrO:4~20%、 BaO:14~35%、 MgO+CaO+SrO+BaO:25~40%。 SiO2
係形成玻璃之骨架之成分。只要SiO2
之含量為50%以上,則對於HCl、HF等酸性溶液及NaOH等鹼性溶液之化學耐久性變高。又,耐熱性、耐候性變得良好。SiO2
之含量更佳為58%以上,進而較佳為58.5%以上。另一方面,只要SiO2
之含量為70%以下,則玻璃熔解時之黏性不會變得過高,而熔融性變得良好。只要熔融性良好,則能夠於較低之溫度下熔解,藉此可抑制燃料之使用量,而使熔解窯不易受損。SiO2
之含量更佳為60%以下,進而較佳為59.5%以下。 只要Al2
O3
之含量為2%以上,則對於HCl、HF等酸性溶液及NaOH等鹼性溶液之化學耐久性變高。又,耐候性、耐熱性變得良好,且楊氏模數變高。Al2
O3
之含量更佳為2.5%以上,進而較佳為3.5%以上,尤佳為3.7%以上。另一方面,只要Al2
O3
之含量為8%以下,則玻璃熔解時之黏性不會變得過高,而熔融性變得良好。又,能夠降低失透溫度,而能夠穩定地成形。Al2
O3
之含量更佳為7%以下,進而較佳為6%以下,尤佳為5%以下。 B2
O3
並非必需成分,但藉由含有其,玻璃熔解時之黏性不會變得過高,而熔融性變得良好。又,能夠降低失透溫度,而能夠穩定地成形。進而,於本發明之一實施形態之組成範圍內,由於硼離子進行4配位,故而與通常之CTE(Coefficient of Thermal Expansion,熱膨脹係數)為3~5 ppm/℃左右之平板顯示器基板用之無鹼玻璃不同,楊氏模數變高,而能夠抑制於製造玻璃基板時之下述緩冷步驟中產生之玻璃基板之翹曲或破裂。B2
O3
之含量更佳為1%以上,進而較佳為2%以上。另一方面,只要B2
O3
之含量為5%以下,則能夠使玻璃轉移溫度Tg變高。B2
O3
之含量更佳為4%以下,進而較佳為3%以下。 MgO並非必需成分,但藉由含有其,玻璃熔解時之黏性不會變得過高,而熔融性變得良好。又,耐候性提高,且楊氏模數變高。MgO之含量更佳為1%以上,進而較佳為1.5%以上。另一方面,只要MgO之含量為5%以下,則難以失透。MgO之含量更佳為4%以下,進而較佳為3%以下。 CaO並非必需成分,但藉由含有其,玻璃熔解時之黏性不會變得過高,而熔融性變得良好。又,耐候性提高。CaO之含量更佳為1%以上,進而較佳為2%以上。另一方面,只要CaO之含量為6%以下,則能夠降低失透溫度,而能夠穩定地成形。又,對於HCl、HF等酸性溶液及NaOH等鹼性溶液之化學耐久性變高。CaO之含量更佳為5.0%以下,進而較佳為4.5%以下,尤佳為4.0%以下。 只要SrO之含量為4%以上,則玻璃熔解時之黏性不會變得過高而熔融性變得良好。又,耐候性提高。進而,能夠提高熱膨脹係數。進而,有降低光彈性常數之效果。SrO之含量更佳為7%以上,進而較佳為10%以上,尤佳為11%以上。另一方面,只要SrO之含量為20%以下,則能夠降低失透溫度,而能夠穩定地成形。SrO之含量更佳為14%以下,進而較佳為13.5%以下,尤佳為13.0%以下,最佳為12.0%以下。 只要BaO之含量為14%以上,則玻璃熔解時之黏性不會變得過高而熔融性變得良好。又,耐候性提高。進而,能夠提高熱膨脹係數。又,尤其是有降低光彈性常數之效果。BaO之含量更佳為17%以上,進而較佳為19%以上。另一方面,只要BaO之含量為35%以下,則能夠降低失透溫度,而能夠穩定地成形。BaO之含量較佳為30%以下,更佳為24%以下,進而較佳為23%以下。 本發明之一實施形態之玻璃基板較佳為以氧化物基準之莫耳百分率表示計,MgO、CaO、SrO、及BaO之合計含量為25~40%。只要MgO、CaO、SrO、及BaO之合計含量為25%以上,則玻璃熔解時之黏性不會變得過高而熔融性變得良好。又,耐候性提高。MgO、CaO、SrO、及BaO之合計含量更佳為30%以上,進而較佳為35%以上,尤佳為35.5%以上,最佳為36%以上。 另一方面,只要MgO、CaO、SrO、及BaO之合計含量為40%以下,則對於HCl、HF等酸性溶液及NaOH等鹼性溶液之化學耐久性變高。又,能夠降低失透溫度,而能夠穩定地成形。MgO、CaO、SrO、及BaO之合計含量更佳為38%以下,進而較佳為37%以下。 本發明之一實施形態之玻璃基板較佳為藉由下述式(1)所求出之值為81~93,該式(1)係以氧化物基準之莫耳百分率表示顯示出各氧化物之含量之比率之關係。 0.174×(SiO2
之含量)-0.012×(Al2
O3
之含量)+0.317×(B2
O3
之含量)+0.988×(MgO之含量)+1.715×(CaO之含量)+2.011×(SrO之含量)+2.251×(BaO之含量)+0.076 (1) 式(1)係表示玻璃組成與在50℃~350℃下之平均熱膨脹係數之關係之回歸方程式。該回歸方程式係藉由測定SiO2
之含量、Al2
O3
之含量、B2
O3
之含量、MgO之含量、CaO之含量、SrO之含量及BaO之含量分別不同之約100個玻璃於50℃~350℃下之平均熱膨脹係數而獲得。只要式(1)之值為81~93,則容易使於30℃~220℃下之平均熱膨脹係數為7.800~9.000(ppm/℃)之範圍。 式(1)之值更佳為82以上,進而較佳為82.5以上,進而更佳為83以上,尤佳為84以上,最佳為85以上。另一方面,只要式(1)之值為93以下,則於樹脂密封中之熱處理步驟中,容易使密封樹脂與玻璃基板之熱膨脹率(熱膨脹係數)相吻合,因此易於減少封裝整體之翹曲。式(1)之值更佳為90以下,進而較佳為88以下,最佳為87以下。 本發明之一實施形態之玻璃基板較佳為以氧化物基準之莫耳百分率表示計,SiO2
及Al2
O3
之合計含量為60%以上。只要為60%以上,則對於酸性溶液及鹼性溶液之化學耐久性變高。SiO2
及Al2
O3
之合計含量更佳為63%以上,進而較佳為63.5%以上,尤佳為64%以上。另一方面,SiO2
及Al2
O3
之合計含量較佳為70%以下。只要為70%以下,則玻璃熔解時之黏性不會變得過高而熔融性變得良好,且平均熱膨脹係數不會變得過低。 本發明之一實施形態之玻璃基板亦可含有SnO2
、SO3
、Cl及F等。若含有SnO2
、SO3
、Cl及F,則能夠抑制泡之產生而製造,從而玻璃基板所含有之泡較少。 本發明之一實施形態之玻璃基板為了提高耐候性,亦可含有ZrO2
。於含有ZrO2
之情形時,以氧化物基準之莫耳百分率表示計,較佳為2%以下,進而較佳為1%以下,尤佳為0.5%以下。 本發明之一實施形態之玻璃基板為了調整黏性或平均熱膨脹係數,亦可含有ZnO。於含有ZnO之情形時,以氧化物基準之莫耳百分率表示計,較佳為2%以下,進而較佳為1%以下,尤佳為0.5%以下。 本發明之一實施形態之玻璃基板為了提高玻璃之化學耐久性或楊氏模數,亦可含有Y2
O3
、La2
O3
及TiO2
,該等之合計含量以氧化物基準之莫耳百分率表示計,較佳為2%以下,進而較佳為1%以下,尤佳為0.5%以下。 本發明之一實施形態之玻璃基板為了提高紫外線透過率,亦可含有還原劑。於含有還原劑之情形時,以氧化物基準之質量百分率表示,分別較佳為2%以下,進而較佳為1%以下,尤佳為0.5%以下,最佳為0.2%以下。作為還原劑,可列舉碳、焦炭等。 若考慮條紋、著色等,則本發明之一實施形態之玻璃基板較佳為實質上不含有V2
O5
、P2
O5
、CeO2
、Y2
O3
、La2
O3
及TiO2
。 若考慮環境負荷,則本發明之一實施形態之玻璃基板較佳為實質上不含有As2
O3
及Sb2
O3
。又,若考慮穩定地進行浮式法成形,則較佳為實質上不含有ZnO。 本發明之一實施形態之玻璃基板亦可含有Fe2
O3
。Fe2
O3
之含量以氧化物基準之質量百萬分率表示計,可為10 ppm以上,亦可為20 ppm以上,亦可為50 ppm以上。又,Fe2
O3
之含量以氧化物基準之質量百萬分率表示計,可為800 ppm以下,亦可為600 ppm以下,亦可為400 ppm以下。 只要Fe2
O3
之含量為上述範圍,則能夠使紅外線之透過率充分降低,且抑制紫外線透過率之降低。具體而言,可藉由含有Fe2
O3
而降低紅外線之透過率,提高熔解步驟中之能量效率,而能夠獲得高品質之玻璃。又,藉由將Fe2
O3
之含量抑制在上述範圍內,而能夠抑制紫外線透過率之降低,因此能夠防止於照射紫外線而將剝離層剝離時之剝離效率之降低或剝離不均之產生。 本發明之一實施形態之玻璃基板較佳為波長360 nm之光之透過率於厚度1 mm時為15%以上。只要玻璃基板之波長360 nm之光之透過率為15%以上,則藉由照射紫外線,能夠容易地將玻璃基板自與半導體基板經由剝離層積層而成之積層基板剝離。波長360 nm之光之透過率更佳為20%以上,進而較佳為25%以上,尤佳為30%以上。 第二發明之一實施形態之玻璃基板之光彈性常數C為10~26 nm/cm/MPa。第二發明之一實施形態之玻璃基板之光彈性常數C較佳為12 nm/cm/MPa以上,更佳為13 nm/cm/MPa以上,進而較佳為14 nm/cm/MPa以上,尤佳為15 nm/cm/MPa以上。又,第二發明之一實施形態之玻璃基板之光彈性常數C較佳為24 nm/cm/MPa以下,更佳為21 nm/cm/MPa以下,進而較佳為19 nm/cm/MPa以下,尤佳為18 nm/cm/MPa以下,進而尤佳為17 nm/cm/MPa以下。 藉由設為光彈性常數C成為10 nm/cm/MPa以上之組成,而能夠抑制玻璃基板之自重彎曲,從而於用作半導體封裝用之支持基板時,能夠防止由彎曲引起之搬送步驟之不良等。只要光彈性常數C為10 MPa以上,則無需使SrO或BaO等成分變得過多,而能夠防止玻璃之比重變得過大及玻璃基板彎曲等不良。又,能夠防止失透性變高。 又,只要光彈性常數C為26 nm/cm/MPa以下,則雙折射變得充分小,故而較佳。具體而言,只要光彈性常數C為26 nm/cm/MPa以下,則即便於因與樹脂之熱膨脹率差而產生應力之情形時或於玻璃基板存在殘留應力之情形時,亦能夠使玻璃基板之雙折射變得充分小。由於能夠使雙折射變得充分小,故而能夠防止於照射作為同調光之雷射光之步驟(厚度之精密感測、剝離步驟)中之不良。 第一發明之一實施形態之玻璃基板之光彈性常數C較佳為10 nm/cm/MPa以上,更佳為12 nm/cm/MPa以上,進而較佳為13 nm/cm/MPa以上,尤佳為14Pa以上,進而尤佳為15 nm/cm/MPa以上。又,第一發明之一實施形態之玻璃基板之光彈性常數C較佳為26 nm/cm/MPa以下,更佳為24 nm/cm/MPa以下,進而較佳為21 nm/cm/MPa以下,尤佳為19 nm/cm/MPa以下,進而尤佳為18 nm/cm/MPa以下,最佳為17 nm/cm/MPa以下。 本發明之一實施形態之玻璃基板較佳為玻璃失透溫度為1250℃以下。只要玻璃失透溫度為1250℃以下,則能夠穩定地成形。玻璃失透溫度更佳為1200℃以下,進而較佳為1170℃以下,尤佳為1150℃以下,最佳為1100℃以下。 所謂玻璃失透溫度,係將已粉碎之玻璃粒子放入至鉑製盤中,於控制為一定溫度之電爐中進行17小時熱處理,藉由熱處理後之光學顯微鏡觀察,於玻璃表面及內部未析出結晶之溫度的最大值。 本發明之一實施形態之玻璃基板較佳為楊氏模數為65 GPa以上。楊氏模數係藉由超音波脈衝法而測得之值。只要楊氏模數為65 GPa以上,則能夠抑制於製造玻璃基板時之下述緩冷步驟中產生之玻璃基板之翹曲或破裂。又,能夠抑制由與矽基板貼合時之與矽基板之接觸、或玻璃基板之搬運時之與周邊構件之接觸所引起之破損。 楊氏模數更佳為70 GPa以上,進而較佳為75 GPa以上,尤佳為77 GPa以上。楊氏模數較佳為100 GPa以下。只要楊氏模數為85 GPa以下,則能夠抑制玻璃變脆,而抑制切削玻璃基板時之缺損。楊氏模數更佳為82 GPa以下,進而較佳為79 GPa以下。 本發明之一實施形態之玻璃基板較佳為厚度為2.0 mm以下。只要厚度為2.0 mm以下,則於將玻璃基板與半導體基板貼合而製成積層基板之情形時,能夠使該積層基板為小型。厚度更佳為1.5 mm以下,進而較佳為1.0 mm以下,尤佳為0.8 mm以下。厚度較佳為0.1 mm以上。只要厚度為0.1 mm以上,則能夠抑制由與半導體基板貼合時之與半導體基板之接觸、或玻璃基板之搬運時之與周邊構件之接觸所引起之破損。又,能夠抑制玻璃基板之自重彎曲。厚度更佳為0.2 mm以上,進而較佳為0.3 mm以上。 本發明之一實施形態之玻璃基板較佳為至少一主表面之面積為70~7000 cm2
。只要玻璃基板之面積為70 cm2
以上,則能夠配置多個半導體基板,從而於使玻璃基板與半導體基板積層之步驟中生產性提高。至少一主表面之面積更佳為80 cm2
以上,進而較佳為170 cm2
以上,尤佳為300 cm2
以上,最佳為700 cm2
以上。 只要至少一主表面之面積為7000 cm2
以下,則玻璃基板之處理變得容易,而能夠抑制由與半導體基板貼合時之與半導體基板之接觸、或玻璃基板之搬運時之與周邊構件之接觸所引起之破損。至少一主表面之面積更佳為6000 cm2
以下,進而較佳為4000 cm2
以下,尤佳為3000 cm2
以下。 本發明之一實施形態之玻璃基板較佳為密度為3.70 g/cm3
以下。只要密度為3.70 g/cm3
以下,則玻璃基板較為輕量,而玻璃基板之處理較為容易。又,能夠減少由玻璃基板之自重所引起之彎曲。密度更佳為3.60 g/cm3
以下,進而較佳為3.55 g/cm3
以下。密度較佳為2.50 g/cm3
以上。只要密度為3.00 g/cm3
以上,則玻璃之維氏硬度變高,而能夠使玻璃表面不易損傷。密度更佳為3.10 g/cm3
以上,進而較佳為3.20 g/cm3
以上,尤佳為3.30 g/cm3
以上,最佳為3.40 g/cm3
以上。 本發明之一實施形態之玻璃基板較佳為主表面之形狀為圓形。只要為圓形,則與圓形之矽基板等半導體基板之積層較為容易。此處,所謂圓形,並不限定於真圓,包括與直徑相同之真圓之尺寸差為50 μm以下之情形。 但是,玻璃基板並不限定於圓形,亦可為矩形,亦可於玻璃基板之端部具有凹口或定向平面(Orientation Flat)。於圓形之情形時,外周之一部分亦可為直線。 本發明之一實施形態之玻璃基板於為圓形之情形時,直徑較佳為7 cm以上。只要直徑為7 cm以上,則能夠自藉由將玻璃基板與矽基板等半導體基板貼合而形成之積層基板獲得較多之半導體元件,從而生產性提高。直徑更佳為10 cm以上,進而較佳為15 cm以上,尤佳為20 cm以上,最佳為25 cm以上。直徑較佳為50 cm以下。只要直徑為50 cm以下,則玻璃基板之處理較為容易。直徑更佳為45 cm以下,進而較佳為40 cm以下,尤佳為35 cm以下。 本發明之一實施形態之玻璃基板較佳為β-OH為0.05~0.65 mm-1
。β-OH係表示玻璃基板中之水分含量之指標,藉由將β-OH設為0.05 mm-1
以上,能夠抑制泡之產生而製造,從而玻璃基板之泡較少。β-OH更佳為0.1 mm-1
以上,進而較佳為0.15 mm-1
以上,尤佳為0.17 mm-1
以上。另一方面,藉由將β-OH設為0.65 mm-1
以下,能夠提高耐熱性。β-OH更佳為0.55 mm-1
以下,進而較佳為0.5 mm-1
以下,尤佳為0.45 mm-1
以下。此處,β-OH係藉由以下之式所求出之值。 β-OH(mm-1
)=-log10
(T3500
cm-1
/T4000
cm-1
)/t 於上述式中,T3500
cm-1
為波數(wave number)3500 cm-1
之光之透過率(%),T4000
cm-1
為波數4000 cm-1
之光之透過率(%),t為玻璃基板之厚度(mm)。 本發明之一實施形態之玻璃基板較佳為於玻璃基板之至少一主表面具有遮光膜。藉由於玻璃基板之主表面形成遮光膜,而於玻璃基板或積層基板之檢查步驟中容易檢測出玻璃基板或積層基板之位置。位置係利用由向玻璃基板或積層基板照射光而產生之反射光進行特定。玻璃基板由於容易透過光,故而藉由於玻璃基板之主表面形成遮光膜而使反射光變強,從而變得容易檢測出位置。遮光膜較佳為包含Ti。 本發明之一實施形態之玻璃基板較佳為應變點為620℃以上。只要應變點為620℃以上,則能夠於玻璃基板與半導體基板貼合時等之熱處理步驟中將玻璃基板之尺寸變化抑制為較少。應變點更佳為650℃以上,進而較佳為670℃以上,尤佳為690℃以上。 本發明之一實施形態之玻璃基板較佳為玻璃轉移點(Tg)為680℃以上。只要玻璃轉移點(Tg)為680℃以上,則能夠於樹脂密封或基板貼合等中之熱處理步驟中將玻璃基板之尺寸變化抑制為較少。玻璃轉移點(Tg)更佳為700℃以上,進而較佳為705℃以上,尤佳為710℃以上。 本發明之一實施形態之玻璃基板較佳為黏度成為102
dPa・s之溫度(T2
)為1600℃以下。只要T2
為1600℃以下,則熔融性良好。T2
更佳為1550℃以下,進而較佳為1450℃以下,尤佳為1425℃以下。 又,黏度成為104
dPa・s之溫度(T4
)較佳為1200℃以下。只要T4
為1200℃以下,則熔融性良好。T4
更佳為1150℃以下,進而較佳為1125℃以下,最佳為1100℃以下。再者,若考慮確保其他物性之容易性,則黏度成為104
dPa・s之溫度(T4
)為1000℃以上。 繼而,對本發明之一實施形態之半導體封裝用之支持基板進行說明。 半導體封裝用之支持基板係與半導體基板經由樹脂層進行積層,且以支持該半導體基板之方式發揮功能之上述玻璃基板。該支持基板如上述般,鹼金屬氧化物之含量儘量少、且熱膨脹率與先前相比較大,生產性優異。因此,能夠經濟地製造如上述之WLP或PLP等半導體封裝,並且能夠避免由來自半導體晶片等之發熱引起之該封裝之密封樹脂之剝離等問題,進而,能夠防止鹼金屬氧化物成為離子而污染半導體基板,從而避免使配設於半導體基板上之LSI電路等發生短路等諸多問題。 繼而,對本發明之一實施形態之積層基板進行說明。 實施形態之積層基板之特徵在於:其係將上述玻璃基板與矽基板等半導體基板積層而形成。以上述方式形成之積層基板能夠於將半導體基板與玻璃基板等貼合之熱處理步驟中使鹼金屬離子難以擴散至半導體基板,又,容易使密封樹脂與玻璃基板之熱膨脹率相匹配,而減少翹曲。 繼而,對本發明之一實施形態之積層玻璃基板進行說明。實施形態之積層玻璃基板之特徵在於:其係將上述玻璃基板與其他玻璃基板積層而形成。本發明之一實施形態之積層玻璃基板可用作上述支持基板或半導體背面研磨用之支持玻璃。 例如,將圖3所示之積層基板80之支持基板(支持玻璃)90設為由本發明之一實施形態之玻璃基板G3與玻璃基板G4積層而成之積層玻璃基板。支持基板90藉由剝離玻璃基板G4以代替研磨支持基板90,從而即便不研磨支持基板90及積層體80亦能夠容易地進行薄板化。又,即便於作為支持基板所容許之厚度薄於玻璃基板G3之情形時,只要將G4剝離後對G3僅研磨所需之量即可,從而能夠縮短(簡化)研磨步驟。 圖3所示之由玻璃基板與矽基板等半導體基板積層而成之積層基板80為了防止樹脂密封時之翹曲或減少積層基板之彎曲量,較佳為支持基板90較厚。關於支持基板90,相較於由1片玻璃基板構成,由複數片玻璃基板(積層玻璃基板)構成者更能夠減少彎曲量。又,即便欲使支持基板90更厚,根據玻璃之成形方法,亦難以製造較厚之單板。藉由使用將所需片數之任意厚度之玻璃基板進行積層而成之積層玻璃基板作為支持基板90,而能夠顯著地解決如上述之問題。 構成支持基板90之各玻璃基板可為相同之玻璃基板,亦可為不同之玻璃基板。各玻璃基板為了抑制熱處理時之翹曲量,較佳為具有同等之熱膨脹係數。 又,於各玻璃基板為不同之玻璃基板之情形時,各玻璃基板之鹼金屬氧化物之含量亦可不同。例如,於圖3之情形時,距離半導體基板較近之玻璃基板G3與距離半導體基板較遠之玻璃基板G4相比,將鹼金屬氧化物之含量較少之基板配置為玻璃基板G3,將鹼金屬氧化物之含量較多之基板配置為玻璃基板G4。 作為玻璃基板G3之鹼金屬氧化物之含量較少之基板,只要應用本發明之玻璃基板即可。由於鹼金屬氧化物之含量較少之玻璃基板G3位於半導體基板與玻璃基板G4之間,故而能夠防止半導體基板被自玻璃基板G4所包含之鹼金屬氧化物產生之離子污染。 作為可使用鹼金屬氧化物之含量較多之玻璃作為玻璃基板G4之優點,存在如下優點:鹼金屬氧化物之含量較多之玻璃由於基板之成形相對容易,故而能夠生產性良好地成形基板。 作為其他優點,由於玻璃基板G4之鹼金屬氧化物之含量並無限制,故而可使用30℃~220℃下之平均熱膨脹係數α大於9.00(ppm/℃)之已知組成。藉此,能夠調整積層基板整體之熱膨脹,而進一步減少於封裝步驟中之翹曲。 繼而,對本發明之一實施形態之玻璃基板之製造方法進行說明。 於製造本發明之一實施形態之玻璃基板之情形時,較佳為經過熔解、澄清、成形、緩冷及切割步驟。 於熔解步驟中,以成為所需之玻璃組成之方式製備原料,將原料投入至熔解爐中,較佳為加熱至1450~1650℃左右而獲得熔融玻璃。 原料中使用氧化物、碳酸鹽、硝酸鹽、氫氧化物,且根據情形可使用氯化物等鹵化物等。於在熔解步驟或澄清步驟中存在熔融玻璃與鉑接觸之步驟之情形時,有微小之鉑粒子溶出至熔融玻璃中而以異物形式混入至所獲得之玻璃板中之情形,但硝酸鹽原料之使用有防止該鉑異物之溶出之效果,故而較佳為使用硝酸鹽原料。 作為硝酸鹽,可使用硝酸鍶、硝酸鋇、硝酸鎂、硝酸鈣等。更佳為使用硝酸鍶。關於原料粒度,亦可適當使用如下原料,即自不會產生熔融殘留之程度之數百微米之較大粒徑的原料直至原料搬送時之飛散不會產生且不會作為二次粒子凝聚之程度之數微米左右的較小粒徑之原料。亦可使用造粒體。亦可適當調整含水量、β-OH、Fe之氧化還原度或氧化還原[Fe2 +
/(Fe2 +
+Fe3 +
)]等熔解條件。 於澄清步驟中,本發明中之玻璃基板可使用SO3
或SnO2
作為澄清劑。又,亦可應用利用減壓之消泡法。作為SO3
源,較佳為選自Al、Mg、Ca、Sr及Ba之至少1種元素之硫酸鹽,更佳為鹼土金屬之硫酸鹽,其中,CaSO4
・2H2
O、SrSO4
、及BaSO4
使泡變大之作用明顯,故而尤佳。 作為利用減壓之消泡法中之澄清劑,較佳為使用Cl或F等鹵素。作為Cl源,較佳為選自Al、Mg、Ca、Sr及Ba之至少1種元素之氯化物,更佳為鹼土金屬之氯化物,其中,SrCl2
・6H2
O及BaCl2
・2H2
O由於使泡變大之作用明顯且潮解性較小,故而尤佳。 作為F源,較佳為選自Al、Mg、Ca、Sr及Ba之至少1種元素之氟化物,更佳為鹼土金屬之氟化物,其中,CaF2
增大玻璃原料之熔解性之作用明顯,故而更佳。 於成形步驟中,應用如下浮式法,該浮式法係將熔融玻璃流至熔融金屬上,製成板狀而獲得玻璃帶。 於緩冷步驟中,對玻璃帶進行緩冷。 於切割步驟中,在緩冷後將玻璃帶切割成特定之大小而獲得玻璃基板。 本發明並不限定於上述實施形態。於能夠達成本發明之目的之範圍內之變形或改良等係包含於本發明中。 例如,於製造本發明之一實施形態之玻璃基板之情形時,於成形步驟中,亦可應用熔融法或加壓成形法等而將熔融玻璃製成板狀。 又,於製造本發明之一實施形態之玻璃基板之情形時,亦可使用鉑坩堝。於使用鉑坩堝之情形時,熔解步驟如下:以成為所獲得之玻璃基板之組成之方式製備原料,將放入有原料之鉑坩堝投入至電爐中,較佳為加熱至1450~1650℃左右,***鉑攪拌器,攪拌1~3小時而獲得熔融玻璃。 又,亦可於將進行切割所獲得之玻璃基板例如以成為較玻璃轉移點Tg高50℃左右之溫度之方式加熱後,緩冷至室溫狀態。藉由此種方式,能夠去除玻璃基板之殘留應變。 [實施例] 以下,列舉實施例對本發明具體地進行說明,但本發明並不限定於該等例。 以成為表1~3所示之玻璃組成之方式,調合矽砂等各種玻璃原料,並相對於目標組成之原料100%,以氧化物基準之質量百分率表示計,添加以SO3
換算計為0.1~1%之硫酸鹽及0.1~1%之Cl,使用鉑坩堝,以1550~1650℃之溫度加熱3小時以進行熔解。於熔解時,***鉑攪拌器攪拌1小時以進行玻璃之均質化。繼而使熔融玻璃流出,於成形為板狀之後,將板狀之玻璃放入至較玻璃轉移點Tg高50℃左右之溫度之電爐中,以冷卻速度1℃/分鐘使電爐降溫,進行冷卻直至玻璃成為室溫。 測定所獲得之玻璃之平均熱膨脹係數(單位:ppm/℃)、密度(單位:g/cm3
)、楊氏模數(單位:GPa)、光彈性常數(nm/cm/MPa)、玻璃轉移點Tg(單位:℃)、T4
(單位:℃)、T2
(單位:℃)、失透溫度(單位:℃)、及失透溫度黏性(dPa・s)。將結果示於表1~3。 玻璃中之鹼金屬氧化物之含量以氧化物基準之莫耳百分率表示計為0.1%以下。又,玻璃中之Fe2
O3
殘存量為10~300 ppm,SO3
殘存量為10~300 ppm。 於以下表示各物性之測定方法。再者,於表1~3中,空欄係表示未測定。 (平均熱膨脹係數) 依據JIS R3102(1995年)所規定之方法,使用示差熱膨脹儀(TMA,thermomechanical analysis)進行測定。對測定溫度範圍30℃~220℃及測定溫度50℃~350℃之2種進行測定。於表中,將測定溫度範圍為30~220℃且單位以ppm/℃表示之平均熱膨脹係數記為CTE(30-220)。又,於表中,將測定溫度範圍為50~350℃且單位以ppm/℃表示之平均熱膨脹係數記為CTE(50-350)。 (密度) 藉由阿基米德法測定不含有泡之約20 g之玻璃塊。 (楊氏模數) 藉由超音波脈衝法對厚度0.5~10 mm之玻璃進行測定。 (玻璃轉移點Tg) 依據JIS R3103-3(2001年)所規定之方法,使用TMA進行測定。 (T4
) 使用旋轉黏度計測定黏度,並測定黏度成為104
dPa・s時之溫度T4
(℃)。 (T2
) 使用旋轉黏度計測定黏度,並測定黏度成為102
dPa・s時之溫度T2
(℃)。 (失透溫度) 失透溫度係將已粉碎之玻璃粒子放入至鉑製盤中,於控制為一定溫度之電爐中進行17小時熱處理,藉由熱處理後之光學顯微鏡觀察,於玻璃表面及內部未析出結晶之溫度的最大值。 (失透溫度黏性) 使用旋轉黏度計測定高溫(1000℃~1600℃)下之熔融玻璃之玻璃黏度,根據所測得之結果,求出Fulcher式之係數,並根據使用該係數之Fulcher式而求出。 (光彈性常數) 使用窯業協會雜誌vol.87 No.10 (1979) p519所記載之圓板壓縮法進行測定。 [表1]
[表2]
[表3]
於表1~3中,例1~15、18~29為實施例,例16、17為比較例。 如表1~3所示般,作為實施例之例1~15、18~29之本發明之玻璃基板之失透溫度黏性為103.2
dPa・s以上,於30℃~220℃下之平均熱膨脹係數α為7.80~9.00(ppm/℃)之範圍。 因此,可知與實施例相關之玻璃基板表現出穩定之成形性,於使玻璃基板與半導體基板貼合後,於利用密封樹脂進行包埋(樹脂密封)時之熱處理步驟時,能夠使該玻璃基板與該密封樹脂之熱膨脹率相匹配,因此能夠減少或消除利用密封樹脂包埋後之封裝整體之翹曲。 又,可知如上述般實施例之玻璃基板由於鹼金屬氧化物之含量以氧化物基準之莫耳百分率表示計為0.1%以下,故而於將矽基板等半導體基板與玻璃基板貼合之熱處理步驟及利用密封樹脂進行包埋(樹脂密封)時之熱處理步驟中,鹼金屬離子難以擴散至半導體基板中。 另一方面,作為比較例之例16之玻璃基板於30℃~220℃下之平均熱膨脹係數α未達7.80(ppm/℃),與實施例相比,該平均熱膨脹係數較小。因此,可知於將玻璃基板與半導體基板貼合後,於利用密封樹脂進行包埋(樹脂密封)時之熱處理步驟時,難以使該玻璃基板與該密封樹脂之熱膨脹率相匹配,而難以減少利用密封樹脂包埋後之封裝整體之翹曲。 又,關於作為比較例之例17之玻璃基板,可知鹼金屬氧化物之含量為0.1%以上,而有例如於熱處理步驟中鹼金屬氧化物離子擴散至半導體基板之虞。進而,可知光彈性常數大於26 nm/cm/MPa,而於用作半導體封裝用之支持基板時可能會產生不良。 以上,基於上述具體例對本發明詳細地進行了說明,但本發明並不限定於上述具體例,只要不脫離本發明之範疇,則可進行所有變形或變更。 雖已參照特定之態樣對本發明詳細地進行了說明,但對業者而言明確知曉,只要不脫離本發明之精神及範圍,則可進行各種各樣之變更及修正。再者,本申請案係基於2016年9月16日提出申請之日本專利申請案(日本專利特願2016-182125)及2017年3月23日提出申請之日本專利申請案(日本專利特願2017-57619),並藉由引用而將其全部內容援用於此。又,此處所引用之全部參照係作為整體併入至本文中。
10‧‧‧矽基板20‧‧‧剝離層30‧‧‧積層基板40‧‧‧矽基板50‧‧‧剝離層60‧‧‧樹脂70‧‧‧積層基板80‧‧‧積層基板90‧‧‧支持基板G1‧‧‧玻璃基板G2‧‧‧玻璃基板G3‧‧‧玻璃基板G4‧‧‧玻璃基板
圖1(A)及圖1(B)係表示與矽基板貼合之本發明之一實施形態之玻璃基板,圖1(A)係表示貼合前之剖視圖,圖1(B)係表示貼合後之剖視圖。 圖2係表示本發明之一實施形態之積層基板之剖視圖。 圖3係表示本發明之一實施形態之積層基板之剖視圖。
Claims (18)
- 一種玻璃基板,其鹼金屬氧化物之含量以氧化物基準之莫耳百分率表示計為0~0.1%,失透溫度黏性為103.2dPa‧s以上,且30℃~220℃下之平均熱膨脹係數α為7.80~9.00(ppm/℃)。
- 如請求項1之玻璃基板,其用於半導體封裝用之支持基板。
- 如請求項1或2之玻璃基板,其光彈性常數C為10~26nm/cm/MPa。
- 一種玻璃基板,其鹼金屬氧化物之含量以氧化物基準之莫耳百分率表示計為0~0.1%,失透溫度黏性為103.2dPa‧s以上,30℃~220℃下之平均熱膨脹係數α為7.80~9.00(ppm/℃),光彈性常數C為10~26nm/cm/MPa,且該玻璃基板係用於半導體封裝用之支持基板。
- 如請求項1、2或4之玻璃基板,其中作為母組成,以氧化物基準之莫耳百分率表示計,含有:SiO2:50~70%、Al2O3:2~8%、B2O3:0~5%、 MgO:0~5%、CaO:0~6%、SrO:4~20%、BaO:14~35%、MgO+CaO+SrO+BaO:25~40%。
- 如請求項1、2或4之玻璃基板,其中藉由下述式(1)所求出之值成為81~93,該式(1)係以氧化物基準之莫耳百分率表示顯示出各氧化物之含量之比率之關係:0.174×(SiO2之含量)-0.012×(Al2O3之含量)+0.317×(B2O3之含量)+0.988×(MgO之含量)+1.715×(CaO之含量)+2.011×(SrO之含量)+2.251×(BaO之含量)+0.076 (1)。
- 如請求項1、2或4之玻璃基板,其中以氧化物基準之莫耳百分率表示計,SiO2及Al2O3之合計含量為60%以上。
- 如請求項1、2或4之玻璃基板,其中波長360nm之光之透過率於厚度1mm時為15%以上。
- 如請求項1、2或4之玻璃基板,其失透溫度為1250℃以下。
- 如請求項1、2或4之玻璃基板,其楊氏模數為65GPa以上。
- 如請求項1、2或4之玻璃基板,其厚度為2.0mm以下。
- 如請求項1、2或4之玻璃基板,其中上述玻璃基板之一主表面之面積為70~7000cm2。
- 如請求項1、2或4之玻璃基板,其中上述玻璃基板之主表面之形狀為圓形。
- 如請求項1、2或4之玻璃基板,其中上述玻璃基板之β-OH為0.05~0.65mm-1。
- 如請求項1、2或4之玻璃基板,其中於上述玻璃基板之至少一主表面具有遮光膜。
- 一種積層玻璃基板,其係由如請求項1至15中任一項之玻璃基板與其他玻璃基板積層而成。
- 一種積層基板,其係由如請求項1至15中任一項之玻璃基板與半導體基板經由樹脂層積層而成,且上述半導體基板係由上述玻璃基板所支持。
- 如請求項17之積層基板,其中於上述玻璃基板之與積層有上述半導體基板之面相反側積層有其他玻璃基板。
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