TWI751613B - 半導體元件的檢測方法及其裝置 - Google Patents

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Abstract

一種半導體元件的檢測方法及其裝置，該檢測裝置包含一適用於承載該半導體元件的承載單元，及一與該承載單元間隔設置的拍攝單元。該檢測方法是在該半導體以一背面朝向該承載單元定位時，以該拍攝單元對應該半導體元件之該背面而拍攝取得一第一背面影像，再利用該承載單元的一固定座及多個定位盤相互配合，使該等定位盤相對該半導體元件旋轉後，再藉由該拍攝單元拍攝該半導體元件之該背面，取得一第二背面影像，最後合成該第一背面影像及該第二背面影像，取得該半導體元件完整的背面影像。

Description

半導體元件的檢測方法及其裝置
本發明是有關於一種藉由擷取影像執行檢測的方法及裝置，特別是指一種半導體元件的檢測方法及其裝置。
參閱圖1，為一現有之適用於針對一半導體元件10執行檢測的檢測裝置2，該檢測裝置2包含一適用於定位該半導體元件10的載台21，及一配置於該載台21相對上方，並用於拍攝該半導體元件10而取得檢測影像的影像擷取設備22。其中，該半導體元件10具有一形成有製程圖樣的正面101，及一相反於該正面101的背面102。使用該檢測裝置2檢測半導體元件10時，是使該半導體元件10以該背面102朝向該載台21的方向定位，再利用一線光源S提供所需光線，由該影像擷取設備22拍攝該正面101，以針對所述製程圖樣執行檢測。
然而，近年來半導體產業蓬勃發展，不但製程漸趨成熟而可製作更多層、更複雜的結構，為因應製程的細膩化，也可能需要針對該半導體元件10之該背面102的結構狀態、是否存在缺陷進行檢測，才有利於進一步提高整體良率。因此，使用該現有之檢測裝置2即已無法因應同時針對該半導體元件10之該背面102的檢測需求。
因此，本發明之目的，即在提供一種能檢測半導體元件背面之半導體元件的檢測方法及其檢測裝置。
於是，本發明半導體元件的檢測方法，包含一預備步驟、一固定步驟、一第一拍攝步驟、一移動步驟、一第二拍攝步驟，及一合成步驟。
該預備步驟是準備一檢測裝置，該檢測裝置包括一適用於承載該半導體元件的承載單元，及一與該承載單元間隔設置的拍攝單元。該承載單元具有一位於中央而可升降移動的固定座，及多個圍繞該固定座間隔設置的定位盤；該拍攝單元具有一適用於拍攝該半導體元件的第一影像擷取器。
該固定步驟是使該半導體元件以一背面朝向該承載單元的方向定位於該固定座及該等定位盤上，且定義該等定位盤投影至該半導體元件的一第一投影區。
該第一拍攝步驟是使該第一影像擷取器對應該半導體元件之該背面而拍攝取得一第一背面影像。
該移動步驟包括一使該固定座向上移動至高於該等定位盤之位置的上升子步驟、一使該等定位盤與該半導體元件相對旋轉至該等定位盤投影至該半導體元件之一與該第一投影區完全未重疊之第二投影區的旋轉子步驟，及一個該固定座與該半導體元件一同下降，使該半導體元件重新定位於該等定位盤上的復位子步驟。
該第二拍攝步驟是使用該第一影像擷取器拍攝該半導體元件之該背面，取得一第二背面影像。
該合成步驟是合成該第一背面影像及該第二背面影像，取得該半導體元件完整的背面影像。
另外，本發明半導體元件的檢測裝置，包含一適用於承載該半導體元件的承載單元，及一與該承載單元間隔設置的拍攝單元。
該承載單元具有一位於中央而可升降移動的固定座，及多個圍繞該固定座間隔設置的定位盤。
該拍攝單元具有一適用於拍攝該半導體元件的第一影像擷取器。
本發明之功效在於：利用該承載單元的該等定位盤與該半導體元件可相對轉動的設計，能藉由該第一影像擷取器，拍攝該等定位盤以不同位置定位該半導體元件的該第一背面影像及該第二背面影像，由於該等定位盤投影至該半導體元件的該第一投影區與該第二投影區完全未重疊，因此只要在該合成步驟中去除該等定位盤遮蔽的部分，合成該第一背面影像及該第二背面影像，即可得到該半導體元件背面的完整影像，以因應檢測該半導體元件之背面的檢測需求。
參閱圖2與圖3，本發明半導體元件的檢測方法之一第一方法實施例，是配合本發明半導體元件的檢測裝置之一裝置實施例執行，並包含一預備步驟31、一固定步驟32、一第一拍攝步驟33、一移動步驟34、一第二拍攝步驟35，及一合成步驟36。在本實施方式中，多是以該半導體元件為矽晶圓的情況來說明，但本發明並不僅限於檢測矽晶圓的使用情境。
該預備步驟31是準備該裝置實施例，該裝置實施例包含一適用於承載該半導體元件的承載單元4，及一與該承載單元4間隔設置的拍攝單元5。該承載單元4具有一位於中央而可升降移動的固定座41、六個圍繞該固定座41間隔設置的定位盤42，及六個環繞該固定座41且與該等定位盤42錯位設置的承接桿43。該拍攝單元5具有適用於拍攝該半導體元件的第一影像擷取器51，及一與該第一影像擷取器51間隔設置的第二影像擷取器52。其中，該拍攝單元5的該第一影像擷取器51是配合一第一光源L1，概適用於拍攝該半導體元件的背面，而該第二影像擷取器52較佳是相對於該承載單元4設置於該第一影像擷取器51的相反側，並且配合一第二光源L2作業，因此得以在不需設計過多移動幅度的情況下，與該第一影像擷取器51相互配合，適用於拍攝該半導體元件的正面。
參閱圖4並配合圖3，每一個定位盤42具有一靠近該第一影像擷取器51的底面421、一相反於該底面421且面積大於該底面421的頂面422，及一銜接於該底面421與該頂面422之間的導角環面423。該導角環面423能在該等定位盤42固定該半導體元件時，減少可能遮蔽拍攝用之光線的死角範圍，避免產生難以辨識影像特徵的陰影，優化該第一影像擷取器51的拍攝效果。
參閱圖5並配合圖2與圖3，要先說明的是，該固定座41、該等定位盤42，及該等承接桿43，都設置有利用建立真空而吸附的機制，唯此部分在例如建立真空與破壞真空的技術細節，皆屬於相關領域的習知技術，只要得以利用開啟或關閉真空源達成建立與破壞真空的目的，藉以控制吸附半導體元件與否即可，故後續不再贅述。該固定步驟32是使該半導體元件以一背面朝向該承載單元4的方向，先定位於該固定座41上，接著利用該等承接桿43的輔助支撐，使得該半導體元件的中央以及相對外圍都有對應支撐，再使該固定座41與該等承接桿43一同下降，直到固定在較下方位置的該等定位盤42上。此時，定義該等定位盤42投影至該半導體元件的一第一投影區。
要特別說明的是，由於目前半導體產業蓬勃發展，時常需要因應12吋甚至12吋以上的大尺寸晶圓檢測，或者是材質相對較軟而具有些許可撓曲性的晶圓，在該固定步驟32中同時藉由位於相對中央的該固定座41以及位於相對外側之該等承接桿43支撐固定半導體晶圓，能避免大尺寸的該半導體元件產生翹曲(Warpage)，使得該半導體元件盡可能維持平整，除了利於建立真空而吸附，也能防止拍攝之影像中所呈現的影像特徵產生變形，以提高檢測的效能。
參閱圖5與圖6並配合圖2，該第一拍攝步驟33是在該等定位盤42確實定位該半導體元件後，在該等定位盤42投影至該半導體元件的位置為該第一投影區的情況下，使該固定座41與該等承接桿43脫離該半導體元件，接著使用該第一影像擷取器51對應該半導體元件之該背面，拍攝取得一個該等定位盤42遮蔽該半導體元件一部分的第一背面影像。
參閱圖7與圖8並配合圖2，該移動步驟34包括一使該固定座41向上移動至高於該等定位盤42之位置的上升子步驟341、一使該等定位盤42與該半導體元件相對該固定座41旋轉至該等定位盤42投影至該半導體元件之一與該第一投影區完全未重疊之第二投影區的旋轉子步驟342、一使該等承接桿43朝向該半導體元件升高直到與該固定座41一同定位該半導體元件的支撐子步驟343，及一個該固定座41與該半導體元件一同下降，使該半導體元件重新定位於該等定位盤42上的復位子步驟344。定義該承載單元4具有N個環繞該固定座41而等角間隔設置的定位盤42，在該移動步驟34中，該等定位盤42是相對於該固定座41旋轉360/2N度，故在該等定位盤42有六個的情況下，該等定位盤42是如圖8所示地旋轉30度。
該第二拍攝步驟35是該等定位盤42投影至該半導體元件之位置為該第二投影區，也就是與該第一投影區完全不重疊的情況下，使用該第一影像擷取器51拍攝該半導體元件之該背面，取得一與該第一背面影像不同的第二背面影像。
該合成步驟36是合成該第一背面影像及該第二背面影像，由於在該第一背面影像中，該等定位盤42是投影至該第一投影區的位置，而在該第二背面影像中，該等定位盤42則是投影至該第二投影區的位置，在該第一投影區與該第二投影區完全不重疊的情況下，可彼此互補被遮蔽的部分，在合成後取得該半導體元件完整的背面影像，達成對該半導體元件背面執行檢測的目的。
要特別說明的是，在本實施方式中，因技術主軸在於拍攝該半導體元件背面，也就是朝向該承載單元4而可能被遮蔽一部分的一面，故拍攝相反於該背面之正面的部分則未重點描述。然而，由於該拍攝單元5亦設置有專門用於拍攝該半導體元件正面的該第二影像擷取器52，為了利於控制並且減少執行檢測的步驟，該第二影像擷取器52能在該第一拍攝步驟33或該第二拍攝步驟35時，與該第一影像擷取器51一同拍攝，即可同時獲得該半導體元件之正面的影像。
參閱圖9與圖10並配合圖2，為本發明半導體元件的檢測方法之一第二方法實施例，該第二方法實施例與該第一方法實施例的區別在於：該移動步驟34的該旋轉子步驟342中，該固定座41與該等承接桿43同步旋轉。也就是說，不同於該第一方法實施例中是使該等定位盤42旋轉，在本第二方法實施例中，則是在該半導體元件還固定於該固定座41與該等承接桿43時，使該固定座41與該等承接桿43帶動該半導體元件旋轉，以達成使該半導體元件相對於該等定位盤42旋轉的目的。在該半導體元件與該等定位盤42同樣產生相對旋轉的情況下，只要確保轉動的角度能讓該第一投影區與該第二投影區完全不重疊，即也能在該合成步驟36中，利用該第一背面影像與該第二背面影像彼此互補被遮蔽的部分，在合成後取得該半導體元件完整的背面影像，達成對該半導體元件背面執行檢測的目的。
重新參閱圖2與圖3，要另外說明的是，在實務上該半導體元件的該背面有可能塗佈透明的光阻劑或者其他塗層處理，將造成拍攝作業上的困難，其主要原因是：(1)該第二光源L2照射於該半導體元件上的入射角與反射角不盡相同，因此不同位置上，會有不同程度的角度光程差。(2)不同厚度的光阻劑，會有不同的厚度光程差。於是，不同的角度光程差與厚度光程差之組合，其對應的建設性干涉之波長也不同，進而影響到後續的該合成步驟36的效果。例如，本第二方法實施例之該旋轉子步驟342是使該半導體元件旋轉，旋轉後雖然該半導體元件之相同點位的厚度光程差不變，但其角度光程差產生改變，於是旋轉前後的影像將有不同的色彩表現，使得該合成步驟36時，在該第一影像與該第二影像的交界處，會有明顯的斷差感，使得瑕疵的判讀上造成困難。而本第一方法實施例之該旋轉子步驟342是使該等定位盤42轉動，因此在半導體元件實質上未移動的情況下，相同點位的厚度光程差與角度光程差都不會改變，故能確保在該合成步驟36中合成的影像，不會因情況有所差異的色差現象而受到不良影響。
綜上所述，本發明半導體元件的檢測方法及其裝置，即便是以該承載單元4固定的背面，也可以透過該等定位盤42與該半導體元件可相對旋轉的機制，在拍攝兩次影像並且相互合成後，取得未被遮蔽的完整影像，得以達成針對半導體元件之背面檢測的目的。因此，確實能達成本發明之目的。
惟以上所述者，僅為本發明之實施例而已，當不能以此限定本發明實施之範圍，凡是依本發明申請專利範圍及專利說明書內容所作之簡單的等效變化與修飾，皆仍屬本發明專利涵蓋之範圍內。
31:預備步驟 32:固定步驟 33:第一拍攝步驟 34:移動步驟 341:上升子步驟 342:旋轉子步驟 343:支撐子步驟 344:復位子步驟 35:第二拍攝步驟 36:合成步驟 4:承載單元 41:固定座 42:定位盤 421:底面 422:頂面 423:導角環面 43:承接桿 5:拍攝單元 51:第一影像擷取器 52:第二影像擷取器 L1:第一光源 L2:第二光源
本發明之其他的特徵及功效，將於參照圖式的實施方式中清楚地呈現，其中： 圖1是一示意圖，說明使用一現有之檢測裝置檢測一半導體元件的情況； 圖2是一方塊流程圖，說明本發明半導體元件的檢測方法之一第一方法實施例及一第二方法實施例； 圖3是一示意圖，說明本發明半導體元件的檢測裝置之一裝置實施例； 圖4是一側視圖，說明該裝置實施例之一承載單元的多個定位盤； 圖5是一流程示意圖，配合圖2說明該第一方法實施例的一固定步驟； 圖6是一示意圖，配合圖2說明該第一方法實施例的一第一拍攝步驟； 圖7是一流程示意圖，配合圖2說明該第一方法實施例的一移動步驟； 圖8是一示意圖，配合圖2說明該第一方法實施例之一旋轉子步驟，以及該等定位盤在該旋轉子步驟中的轉動情況； 圖9是一流程示意圖，說明本發明半導體元件的檢測方法之一第二方法實施例；及 圖10是一示意圖，配合圖9說明該第二方法實施例的該旋轉子步驟。
31:預備步驟
32:固定步驟
33:第一拍攝步驟
34:移動步驟
341:上升子步驟
342:旋轉子步驟
343:支撐子步驟
344:復位子步驟
35:第二拍攝步驟
36:合成步驟

Claims (12)

  1. 一種半導體元件的檢測方法，包含：一預備步驟，準備一檢測裝置，該檢測裝置包括一承載單元，適用於承載該半導體元件，並具有一位於中央而可升降移動的固定座，及多個圍繞該固定座間隔設置的定位盤，及一拍攝單元，與該承載單元間隔設置，並具有一適用於拍攝該半導體元件的第一影像擷取器；一固定步驟，使該半導體元件以一背面朝向該承載單元的方向定位於該固定座及該等定位盤上，且定義該等定位盤投影至該半導體元件的一第一投影區；一第一拍攝步驟，使該第一影像擷取器對應該半導體元件之該背面而拍攝取得一第一背面影像；一移動步驟，包括一使該固定座向上移動至高於該等定位盤之位置的上升子步驟、一使該等定位盤與該半導體元件相對旋轉至該等定位盤投影至該半導體元件之一與該第一投影區完全未重疊之第二投影區的旋轉子步驟，及一個該固定座與該半導體元件一同下降，使該半導體元件重新定位於該等定位盤上的復位子步驟；一第二拍攝步驟，使用該第一影像擷取器拍攝該半導體元件之該背面，取得一第二背面影像；及一合成步驟，合成該第一背面影像及該第二背面影像，取得該半導體元件完整的背面影像。
  2. 如請求項1所述半導體元件的檢測方法，其中，該拍攝單 元還具有一第二影像擷取器，在該第一拍攝步驟時，該第二影像擷取器對應該半導體元件之正面而拍攝取得一正面影像。
  3. 如請求項1所述半導體元件的檢測方法，其中，該拍攝單元還具有一第二影像擷取器，在該第二拍攝步驟時，該第二影像擷取器對應該半導體元件之正面而拍攝取得一正面影像。
  4. 如請求項1所述半導體元件的檢測方法，其中，定義該承載單元具有N個環繞該固定座而等角間隔設置的定位盤，在該移動步驟中，該等定位盤是相對於該固定座旋轉360/2N度。
  5. 如請求項1所述半導體元件的檢測方法，其中，該承載單元還具有多個環繞該固定座且與該等定位盤錯位設置的承接桿。
  6. 如請求項5所述半導體元件的檢測方法，其中，該移動步驟的該旋轉子步驟中，該等承接桿是與該等定位盤同步旋轉。
  7. 如請求項6所述半導體元件的檢測方法，其中，該移動步驟還包括一介於該旋轉子步驟與該復位子步驟之間的支撐子步驟，在該支撐子步驟中，該等承接桿朝向該半導體元件升高，直到與該固定座一同定位該半導體元件，在該復位子步驟中，該等承接桿是與該固定座一同下降。
  8. 如請求項5所述半導體元件的檢測方法，其中，該移動步驟的該旋轉子步驟中，該固定座是與該等承接桿同步旋 轉。
  9. 如請求項8所述半導體元件的檢測方法，其中，在該復位子步驟中，該等承接桿是與該固定座一同下降。
  10. 一種半導體元件的檢測裝置，包含：一承載單元，適用於承載該半導體元件，並具有一位於中央而可升降移動的固定座、多個圍繞該固定座間隔設置的定位盤，及多個環繞該固定座且與該等定位盤錯位設置的承接桿；及一拍攝單元，與該承載單元間隔設置，並具有一適用於拍攝該半導體元件的第一影像擷取器。
  11. 如請求項10所述半導體元件的檢測裝置，其中，該拍攝單元還具有一適用於拍攝該半導體元件的第二影像擷取器。
  12. 如請求項10所述半導體元件的檢測裝置，其中，每一個定位盤具有一靠近該第一影像擷取器的底面、一相反於該底面且面積大於該底面的頂面，及一銜接於該底面與該頂面之間的導角環面。
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Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP7430451B2 (ja) * 2020-04-02 2024-02-13 株式会社ディスコ 切削装置

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW201140088A (en) * 2010-01-18 2011-11-16 Formfactor Inc Test systems and methods for testing electronic devices
WO2016201689A1 (zh) * 2015-06-19 2016-12-22 华为技术有限公司 储纤盒及光纤收线装置
TW201926516A (zh) * 2017-11-13 2019-07-01 萬潤科技股份有限公司 載台

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5096291A (en) * 1990-05-16 1992-03-17 Irvine Optical Corporation Inspection systems having rotating motion
JP3929189B2 (ja) * 1998-11-30 2007-06-13 オリンパス株式会社 ウェハ検査装置
KR100492158B1 (ko) * 2002-11-19 2005-06-02 삼성전자주식회사 웨이퍼 검사 장치
KR100846065B1 (ko) * 2006-12-29 2008-07-11 주식회사 실트론 웨이퍼 검사장치 및 방법
JP4914761B2 (ja) * 2007-05-16 2012-04-11 オリンパス株式会社 外観検査装置
JP5490741B2 (ja) * 2011-03-02 2014-05-14 東京エレクトロン株式会社 基板搬送装置の位置調整方法、及び基板処理装置

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW201140088A (en) * 2010-01-18 2011-11-16 Formfactor Inc Test systems and methods for testing electronic devices
WO2016201689A1 (zh) * 2015-06-19 2016-12-22 华为技术有限公司 储纤盒及光纤收线装置
TW201926516A (zh) * 2017-11-13 2019-07-01 萬潤科技股份有限公司 載台

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