TWI749827B - 表面處理銅箔、覆銅積層板及印刷配線板 - Google Patents

Abstract

本發明係一種表面處理銅箔，其具有銅箔及形成於該銅箔之至少一面之表面處理層。該表面處理銅箔之將表面處理層之突出峰部與中心部分離之負荷面積率SMr1為16〜28%。

Description

表面處理銅箔、覆銅積層板及印刷配線板

本發明係關於一種表面處理銅箔、覆銅積層板及印刷配線板。

覆銅積層板被廣泛用於可撓性印刷配線板等各種用途中。該可撓性印刷配線板藉由以下方法製造：對覆銅積層板之銅箔進行蝕刻而形成導體圖案（亦稱為「配線圖案」），並利用焊料將電子零件連接安裝於導體圖案上。

近年來，於電腦、移動終端等電子機器中，隨著通信之高速化及大容量化，電氣訊號之高頻化不斷發展，需要一種能夠應對這種趨勢之可撓性印刷配線板。尤其是電氣訊號之頻率越高則訊號功率之損耗（衰減）越大，越容易變得無法讀取資料，因此要求降低訊號功率之損耗。

電子線路中之訊號功率損耗（傳輸損耗）主要可分為兩種。一種是導體損耗，即由銅箔所導致之損耗，另一種是介電損耗，即由樹脂基材所導致之損耗。 導體損耗於高頻區域具有集膚效應，並且電流具有流經導體表面之特性，因此如果銅箔表面粗糙，則意味著會導致電流沿著複雜的路徑流動。因此，為了減少高頻訊號之導體損耗，理想的是降低銅箔之表面粗糙度。以下，於本說明書中僅記載為「傳輸損耗」及「導體損耗」時，主要係指「高頻訊號之傳輸損耗」及「高頻訊號之導體損耗」。

另一方面，由於介電損耗取決於樹脂基材之種類，理想的是於流通高頻訊號之電路基板中使用由低介電常數材料（例如液晶聚合物、低介電常數聚醯亞胺）形成之樹脂基材。又，介電損耗還受使銅箔與樹脂基材之間接著之接著劑影響，因此理想的是不使用接著劑地使銅箔與樹脂基材之間接著。 對此，為了不使用接著劑地使銅箔與樹脂基材之間接著，提出於銅箔之至少一面形成表面處理層之方法。例如，於專利文獻1中提出一種於銅箔上設置由粗化粒子形成之粗化處理層，並於最表層形成矽烷偶合處理層之方法。 [先前技術文獻] [專利文獻]

[專利文獻1]日本特開2012-112009號公報

[發明所欲解決之課題]

粗化處理層雖然可藉由粗化粒子之定錨效應提高銅箔與樹脂基材間之接著性，但存在因集膚效應而加大導體損耗之情形，因此理想的是減少電沈積於銅箔表面之粗化粒子。另一方面，若減少電沈積於銅箔表面之粗化粒子，粗化粒子之定錨效應便會降低，從而無法充分獲得銅箔與樹脂基材之接著性。尤其是相較於以往之樹脂基材而言，由液晶聚合物、低介電常數聚醯亞胺等低介電常數材料形成之樹脂基材難以與銅箔接著，故期望開發出提高銅箔與樹脂基材間之接著性的方法。 又，矽烷偶合處理層雖然具有提高銅箔與樹脂基材間之接著性的效果，但根據其種類有時提高接著性之效果並不充分。

本發明之實施形態係為了解決如上所述之問題而完成者，其目的在於提供一種表面處理銅箔，其可提高與樹脂基材、尤其是適合高頻用途之樹脂基材之接著性。 又，本發明之實施形態之目的在於提供一種覆銅積層板，其樹脂基材、尤其是適合高頻用途之樹脂基材與表面處理銅箔之間的接著性優異。 進而，本發明之實施形態之目的在於提供一種印刷配線板，其樹脂基材、尤其是適合高頻用途之樹脂基材與電路圖案之間的接著性優異。 [解決課題之技術手段]

本發明人等為了解決上述問題而對表面處理銅箔進行了銳意研究，其結果發現於表面處理層之表面粗糙度之各種指標中，將突出峰部與中心部分離之負荷面積率SMr1、突出峰部高度Spk、及中心部之水平差Sk與表面處理銅箔與樹脂基材間之接著性密切相關，基於以上見解，藉由將SMr1、Spk或Sk控制在特定範圍內，可提高表面處理銅箔與樹脂基材間之接著性，從而完成本發明之實施形態。

即，本發明之實施形態係關於一種表面處理銅箔，其具有銅箔及形成於上述銅箔之至少一面之表面處理層，將上述表面處理層之突出峰部與中心部分離之負荷面積率SMr1為16〜28%。 又，本發明之實施形態係關於一種表面處理銅箔，其具有銅箔及形成於上述銅箔之至少一面之表面處理層，上述表面處理層之突出峰部高度Spk為1.2〜2.5 μm。 又，本發明之實施形態係關於一種表面處理銅箔，其具有銅箔及形成於上述銅箔之至少一面之表面處理層，上述表面處理層之中心部之水平差Sk為1.0〜2.0 μm。 又，本發明之實施形態係關於一種覆銅積層板，其具備上述表面處理銅箔及與上述表面處理銅箔之表面處理層接著之樹脂基材。 進而，本發明之實施形態係關於一種印刷配線板，其具備對上述覆銅積層板之上述表面處理銅箔進行蝕刻所形成之電路圖案。 [發明之效果]

根據本發明之實施形態，可提供一種表面處理銅箔，其能夠提高與樹脂基材、尤其是適合高頻用途之樹脂基材之接著性。 又，根據本發明之實施形態，可提供一種覆銅積層板，其樹脂基材、尤其是適合高頻用途之樹脂基材與表面處理銅箔之間的接著性優異。 進而，根據本發明之實施形態，可提供一種印刷配線板，其樹脂基材、尤其是適合高頻用途之樹脂基材與電路圖案之間的接著性優異。

以下，對本發明之較佳之實施形態具體地進行說明，但本發明並不受該等限定地解釋，可於不脫離本發明之主旨之範圍內，基於業者之知識而進行各種變更、改良等。以下之實施形態中所揭示之多個構成要素可藉由適當地組合而形成各種發明。例如，可從以下之實施形態所示之全部構成要素中刪除幾個構成要素，亦可將不同實施形態之構成要素適當組合。

（實施形態1） 本發明之實施形態1係關於一種表面處理銅箔，其具有銅箔及形成於銅箔之至少一面之表面處理層，將表面處理層之突出峰部與中心部分離之負荷面積率SMr1為16〜28%。 又，本發明之實施形態1係關於一種覆銅積層板，其具備上述表面處理銅箔及與上述表面處理銅箔之表面處理層接著之樹脂基材。 進而，本發明之實施形態1係關於一種印刷配線板，其具備對上述覆銅積層板之表面處理銅箔進行蝕刻所形成之電路圖案。

本發明之實施形態1之表面處理銅箔之表面處理層可僅形成於銅箔之一面，亦可形成於銅箔之兩面。又，於表面處理層形成於銅箔之兩面之情形時，表面處理層之種類可相同，亦可不同。

將突出峰部與中心部分離之負荷面積率SMr1係表示位於中心部之上方的突出峰部之比率，突出峰部之比率越大則SMr1之值越大。SMr1依據ISO 25178進行測定。於表面處理銅箔之表面處理層接著樹脂基材之情形時，若表面處理層之突出峰部之比率較小，則從表面處理層剝離樹脂基材時之力（以下稱為「剝離力」）集中於中心部之表面。對此，藉由將表面處理層之SMr1設為16%以上（增大突出峰部之比率），由於突出峰部之存在而能夠容易使剝離力朝向突出峰部之高度方向分散。其結果，表面處理銅箔與樹脂基材之接著力變高。另一方面，藉由將表面處理層之SMr1設為28%以下，可抑制由集膚效應所導致之傳輸損耗之增大。

表面處理層之突出峰部高度Spk較佳為1.2〜2.5 μm。 此處，突出峰部高度Spk依據ISO 25178進行測定。於表面處理銅箔之表面處理層接著樹脂基材之情形時，若表面處理層之突出峰部較低，則剝離力便會集中於中心部之表面。對此，藉由將表面處理層之Spk設為1.2 μm以上（使突出峰部變高），由於突出峰部之存在而能夠容易使剝離力朝向突出峰部之高度方向分散。其結果，表面處理銅箔與樹脂基材之接著力變高。另一方面，藉由將表面處理層之Spk設為2.5 μm以下，可抑制由集膚效應所導致之傳輸損耗之增大。

於表面處理層中，表面處理層之中心部之水平差Sk較佳為1.0〜2.0 μm。 此處，表面處理層之中心部之水平差Sk表示除去突出峰部與突出穀部之部分（中心部）的高度差異之程度，依據ISO 25178進行測定。於表面處理銅箔之表面處理層接著樹脂基材之情形時，若中心部之高度差異較小，則中心部變為大致平面狀，剝離力集中於其上表面。對此，藉由將表面處理層之Sk設為1.0 μm以上（增大中心部之高度差異），使中心部之上表面為凸凹面狀，從而能夠容易使剝離力朝向中心部之高度方向分散。其結果，表面處理銅箔與樹脂基材之接著力變高。另一方面，藉由將表面處理層之Sk設為2.0 μm以下，可抑制由集膚效應所導致之傳輸損耗之增大。

對表面處理層之種類並無特別限定，可使用本技術領域中公知之各種表面處理層。 作為表面處理層之例，可列舉：粗化處理層、耐熱處理層、防銹處理層、鉻酸鹽處理層、矽烷偶合處理層等。該等層可單獨使用或將2種以上組合使用。其中，就與樹脂基材之接著性之觀點而言，表面處理層較佳為具有粗化處理層。 又，於表面處理層具有選自由耐熱處理層、防銹處理層、鉻酸鹽處理層及矽烷偶合處理層所組成之群中的1種以上層之情形時，該等層較佳為設置於粗化處理層上。

此處，作為一例，將於銅箔之一面具有粗化處理層之表面處理銅箔的剖面示意圖示於圖1。 如圖1所示，形成於銅箔10之一面之粗化處理層包含：一次粗化粒子20、被覆一次粗化粒子20之覆蓋鍍覆層30、及形成於覆蓋鍍覆層30上之二次粗化粒子40。較佳為由覆蓋鍍覆層30被覆之一次粗化粒子20為大致球狀，並且二次粗化粒子40以樹枝狀擴展之方式形成。若為此種結構，則容易將表面處理層之SMr1、Spk及Sk控制在上述範圍內。

作為一次粗化粒子20，並無特別限定，可由選自由銅、鎳、鈷、磷、鎢、砷、鉬、鉻及鋅所組成之群中的元素或包含2種以上之元素之合金形成。其中一次粗化粒子20較佳為由銅或銅合金形成，尤佳為由銅形成。 作為覆蓋鍍覆層30，並無特別限定，可由銅、銀、金、鎳、鈷、鋅等形成。 作為二次粗化粒子40，並無特別限定，可由選自由鎳、鈷、銅、鋅所組成之群中的金屬或包含2種以上金屬之合金形成。其中二次粗化粒子40較佳為由銅合金形成，尤佳為由Cu-Co-Ni合金形成。

粗化處理層可藉由電鍍形成。其條件並無特別限定，可根據所使用之電鍍裝置進行調整，典型條件如下所示。 （一次粗化粒子20之形成條件R1） 鍍覆液組成：5〜15 g/L之Cu、40〜100 g/L之硫酸 鍍覆液溫度：20〜50℃ 電鍍條件：電流密度30〜60 A/dm² 、庫侖量40〜100 As/dm²

（覆蓋鍍覆層30之形成條件R2） 鍍覆液組成：10〜30 g/L之Cu、70〜130 g/L之硫酸 鍍覆液溫度：30〜60℃ 電鍍條件：電流密度4.8〜15 A/dm² ，庫侖量10〜35 As/dm²

（二次粗化粒子40之形成條件Y） 鍍覆液組成：10〜20 g/L之Cu、5〜15 g/L之Co、5〜15 g/L之Ni pH：2〜3 鍍覆液溫度：30〜40℃ 電鍍條件：電流密度15〜45 A/dm² ，庫侖量15〜55 As/dm²

一次粗化粒子20之形成條件R1中，庫侖量越小越會抑制一次粗化粒子20於Z方向（垂直於銅箔10之方向）上之生長。又，覆蓋鍍覆層30之形成條件R2中，庫侖量越大則層越會於XYZ方向上均勻且較厚地生長。因此，藉由將庫侖量（R1）/庫侖量（R2）控制在6.0以下，較佳為控制在4.0以下，可將由覆蓋鍍覆層30被覆之一次粗化粒子20之形狀控制為大致球狀〜大致半球狀之形狀。並且，將由覆蓋鍍覆層30被覆之一次粗化粒子20控制為大致球狀〜大致半球狀之形狀，然後形成二次粗化粒子40，藉此變得容易將二次粗化粒子40以呈樹枝狀擴展之方式形成於覆蓋鍍覆層30上。 再者，若庫侖量（R1）/庫侖量（R2）超過6.0，則一次粗化粒子20於Z方向上之生長變大，因此由覆蓋鍍覆層30被覆之一次粗化粒子20之形狀成為大致橢球〜大致半橢球之形狀。因此，形成於覆蓋鍍覆層30上之二次粗化粒子40變得難以呈樹枝狀擴展。

作為耐熱處理層及防銹處理層，並無特別限定，可由本技術領域中公知之材料形成。再者，耐熱處理層有時亦會發揮作為防銹處理層之功能，因此亦可形成具有耐熱處理層及防銹處理層兩種功能的一個層作為耐熱處理層及防銹處理層。 作為耐熱處理層及/或防銹處理層，可為包含選自由鎳、鋅、錫、鈷、鉬、銅、鎢、磷、砷、鉻、釩、鈦、鋁、金、銀、鉑族元素、鐵、鉭所組成之群中的1種以上元素（可為金屬、合金、氧化物、氮化物、硫化物等任意形態）之層。其中較佳為耐熱處理層及/或防銹處理層為Ni-Zn層或Zn層。尤其是若為Ni含量少於Zn含量之Ni-Zn層、或不含Ni之Zn層，則可並不較大程度地降低耐熱效果及防銹效果地降低導體損耗，因此較佳。

耐熱處理層及防銹處理層可藉由電鍍形成。其條件並無特別限定，可根據所使用之電鍍裝置調整，使用普通電鍍裝置形成耐熱處理層（Ni-Zn層）時之條件如下所示。 鍍覆液組成：1〜30 g/L之Ni、1〜30 g/L之Zn 鍍覆液pH：2〜5 鍍覆液溫度：30〜50℃ 電鍍條件：電流密度1〜10 A/dm² ，時間0.1〜5秒

作為鉻酸鹽處理層，並無特別限定，可由本技術領域中公知之材料形成。 此處，本說明書中之所謂「鉻酸鹽處理層」係指由包含鉻酸酐、鉻酸、重鉻酸、鉻酸鹽或重鉻酸鹽之液體所形成之層。鉻酸鹽處理層可為包含鈷、鐵、鎳、鉬、鋅、鉭、銅、鋁、磷、鎢、錫、砷、鈦等元素（可為金屬、合金、氧化物、氮化物、硫化物等任意形態）之層。作為鉻酸鹽處理層之例，可列舉：經鉻酸酐或重鉻酸鉀水溶液處理之鉻酸鹽處理層、經包含鉻酸酐或重鉻酸鉀及鋅之處理液處理之鉻酸鹽處理層等。

鉻酸鹽處理層可藉由浸漬鉻酸鹽處理、電解鉻酸鹽處理等公知之方法形成。該等條件並無特別限定，例如形成通常的浸漬鉻酸鹽處理層時之條件如下所示。 鉻酸鹽液組成：1〜10 g/L之K₂ Cr₂ O₇ 、0.01〜10 g/L之Zn 鉻酸鹽液pH：2〜5 鉻酸鹽液溫度：30〜55℃

作為矽烷偶合處理層，並無特別限定，可由本技術領域中公知之材料形成。 此處，本說明書中之「矽烷偶合處理層」係指由矽烷偶合劑形成之層。 作為矽烷偶合劑，並無特別限定，可使用本技術領域中公知之矽烷偶合劑。作為矽烷偶合劑之例，可列舉：胺基系矽烷偶合劑、環氧系矽烷偶合劑、巰基系矽烷偶合劑、甲基丙烯醯氧基系矽烷偶合劑、乙烯基系矽烷偶合劑、咪唑系矽烷偶合劑、三

系矽烷偶合劑等。其中，較佳為胺基系矽烷偶合劑、環氧系矽烷偶合劑。上述矽烷偶合劑可單獨使用或將2種以上組合使用。 作為代表性之矽烷偶合處理層之形成方法，可列舉藉由塗佈N-2-(胺基乙基)-3-胺基丙基三甲氧基矽烷（信越化學工業股份有限公司製造之KBM603）之1.2體積%水溶液（pH：10）並使其乾燥而形成矽烷偶合處理層之方法。

作為銅箔，並無特別限定，可為電解銅箔或壓延銅箔中之任一種。電解銅箔通常藉由使銅從硫酸銅鍍浴電解析出於鈦鼓或不鏽鋼鼓上而製造，具有形成於鼓側之平坦的S面（磨光面）、及形成於與S面相反側之M面（磨砂面）。通常情況下，電解銅箔之M面具有凹凸，因此於電解銅箔之M面形成表面處理層，使該表面處理層與樹脂基材接著，藉此可提高表面處理層與樹脂基材之接著性。

作為銅箔之材料，並無特別限定，於銅箔為壓延銅箔之情形時，可使用通常作為印刷配線板之電路圖案而使用之精銅（JIS H3100 合金編號C1100）、無氧銅（JIS H3100 合金編號C1020或JIS H3510 合金編號C1011）等高純度之銅。又，例如亦可使用如含Sn之銅、含Ag之銅、添加有Cr、Zr或Mg等之銅合金、添加有Ni及Si等之卡遜系銅合金等銅合金。再者，本說明書中之「銅箔」亦包括銅合金箔之概念。

銅箔之厚度並無特別限定，例如可設為1〜1000 μm、或1〜500 μm、或1〜300 μm、或3〜100 μm、或5〜70 μm、或6〜35 μm、或9〜18 μm。

具有上述構成之表面處理銅箔可依據本技術領域中公知之方法製造。此處，表面處理層之SMr1、Spk及Sk可藉由調整表面處理層之形成條件、尤其是上述粗化處理層之形成條件等而進行控制。

本發明之實施形態1之表面處理銅箔將使表面處理層之突出峰部與中心部分離之負荷面積率SMr1控制在16〜28%，因此於表面處理銅箔之表面處理層接著樹脂基材之情形時，由於突出峰部之存在而能夠容易使剝離力朝向突出峰部之高度方向分散。因此，該表面處理銅箔可提高與樹脂基材、尤其是適合高頻用途之樹脂基材之接著性。

本發明之實施形態1之覆銅積層板可藉由於上述表面處理銅箔之表面處理層接著樹脂基材而製造。 作為樹脂基材，並無特別限定，可使用本技術領域中公知之樹脂基材。作為樹脂基材之例，可列舉：紙基材酚系樹脂、紙基材環氧樹脂、合成纖維布基材環氧樹脂、玻璃布-紙複合基材環氧樹脂、玻璃布-玻璃不織布複合基材環氧樹脂、玻璃布基材環氧樹脂、聚酯膜、聚醯亞胺膜、液晶聚合物、氟樹脂等。

作為表面處理銅箔與樹脂基材之接著方法，並無特別限定，可依據本技術領域中公知之方法進行。例如，使表面處理銅箔與樹脂基材積層並進行熱壓接合即可。 如上所示地製造之覆銅積層板可用於製造印刷配線板。

本發明之實施形態1之覆銅積層板使用上述表面處理銅箔，因此可提高與樹脂基材、尤其是適合高頻用途之樹脂基材之接著性。

本發明之實施形態1之印刷配線板可藉由對上述覆銅積層板之表面處理銅箔進行蝕刻形成電路圖案而製造。作為電路圖案之形成方法，並無特別限定，可使用減成法、半加成法等公知之方法。其中，電路圖案之形成方法較佳為減成法。

於藉由減成法製造印刷配線板之情形時，較佳為以如下方式進行。首先，對覆銅積層板之表面處理銅箔的表面塗佈抗蝕劑，進行曝光及顯影而形成特定抗蝕圖案。其次，藉由蝕刻將未形成抗蝕圖案之部分（不需要的部分）之表面處理銅箔去除而形成電路圖案。最後，去除表面處理銅箔上之抗蝕圖案。 再者，該減成法中之各種條件並無特別限定，可依據本技術領域中公知之條件進行。

本發明之實施形態1之印刷配線板使用上述覆銅積層板，故樹脂基材、尤其是適合高頻用途之樹脂基材與電路圖案之間的接著性優異。

（實施形態2） 本發明之實施形態2係關於一種表面處理銅箔，其具有銅箔及形成於銅箔之至少一面之表面處理層，表面處理層之突出峰部高度Spk為1.2〜2.5 μm。 又，本發明之實施形態2係關於一種覆銅積層板，其具備上述表面處理銅箔及與上述表面處理銅箔之表面處理層接著之樹脂基材。 進而，本發明之實施形態2係關於一種印刷配線板，其具備對上述覆銅積層板之表面處理銅箔進行蝕刻所形成之電路圖案。 再者，於本發明之實施形態2之說明中，省略關於與本發明之實施形態1相同之特徵的說明。

於本發明之實施形態2之表面處理銅箔中，藉由將表面處理層之Spk設為1.2 μm以上，由於突出峰部之存在而能夠容易使剝離力朝向突出峰部之高度方向分散，因此表面處理銅箔與樹脂基材之接著力變高。另一方面，藉由將表面處理層之Spk設為2.5 μm以下，可抑制由集膚效應所導致之傳輸損耗之增大。

於表面處理層中，表面處理層之中心部之水平差Sk較佳為1.0〜2.0 μm。 藉由將表面處理層之Sk設為1.0 μm以上，使中心部之上表面為凸凹面狀，能夠容易使剝離力朝向中心部之高度方向分散，因此表面處理銅箔與樹脂基材之接著力變高。另一方面，藉由將表面處理層之Sk設為2.0 μm，可抑制由集膚效應所導致之傳輸損耗之增大。

本發明之實施形態2之表面處理銅箔可依據本技術領域中公知之方法製造。此處，表面處理層之Spk及Sk可藉由調整表面處理層之形成條件、尤其是上述粗化處理層之形成條件等而進行控制。

本發明之實施形態2之表面處理銅箔將表面處理層之突出峰部高度Spk控制在1.2〜2.5 μm，因此由於突出峰部之存在而能夠容易使剝離力朝向突出峰部之高度方向分散。因此，該表面處理銅箔可提高與樹脂基材、尤其是適合高頻用途之樹脂基材之接著性。

本發明之實施形態2之覆銅積層板可藉由於上述表面處理銅箔之表面處理層接著樹脂基材而製造。 本發明之實施形態2之覆銅積層板使用了上述表面處理銅箔，因此可提高與樹脂基材、尤其是適合高頻用途之樹脂基材之接著性。

本發明之實施形態2之印刷配線板可藉由對上述覆銅積層板之表面處理銅箔進行蝕刻形成電路圖案而製造。 本發明之實施形態2之印刷配線板使用了上述覆銅積層板，因此樹脂基材、尤其是適合高頻用途之樹脂基材與電路圖案之間的接著性優異。

（實施形態3） 本發明之實施形態3係關於一種表面處理銅箔，其具有銅箔及形成於銅箔之至少一面之表面處理層，表面處理層之中心部之水平差Sk為1.0〜2.0 μm。 又，本發明之實施形態3係關於一種覆銅積層板，其具備上述表面處理銅箔及與上述表面處理銅箔之表面處理層接著之樹脂基材。 進而，本發明之實施形態3係關於一種印刷配線板，其具備對上述覆銅積層板之表面處理銅箔進行蝕刻所形成之電路圖案。 再者，於本發明之實施形態3之說明中，省略關於與本發明之實施形態1相同之特徵。

於本發明之實施形態3之表面處理銅箔中，藉由將表面處理層之Sk設為1.0 μm以上，使中心部之上表面為凸凹面狀，能夠容易使剝離力朝向中心部之高度方向分散，因此表面處理銅箔與樹脂基材之接著力變高。另一方面，藉由將表面處理層之Sk設為2.0 μm以下，可抑制由集膚效應所導致之傳輸損耗之增大。

本發明之實施形態3之表面處理銅箔可依據本技術領域中公知之方法而製造。此處，表面處理層之Sk可藉由調整表面處理層之形成條件、尤其是上述粗化處理層之形成條件等而進行控制。

本發明之實施形態3之表面處理銅箔將表面處理層之中心部之水平差Sk控制在1.0〜2.0 μm，因此使中心部之上表面為凸凹面狀，能夠容易使剝離力朝向中心部之高度方向分散。因此，該表面處理銅箔可提高與樹脂基材、尤其是適合高頻用途之樹脂基材之接著性。

本發明之實施形態3之覆銅積層板可藉由於上述表面處理銅箔之表面處理層接著樹脂基材而製造。 本發明之實施形態3之覆銅積層板使用了上述表面處理銅箔，因此可提高與樹脂基材、尤其是適合高頻用途之樹脂基材之接著性。

本發明之實施形態3之印刷配線板可藉由對上述覆銅積層板之表面處理銅箔進行蝕刻形成電路圖案而製造。 本發明之實施形態3之印刷配線板使用了上述覆銅積層板，因此樹脂基材、尤其是適合高頻用途之樹脂基材與電路圖案之間的接著性優異。 [實施例]

以下，藉由實施例對本發明之實施形態進一步具體地進行說明，但本發明並不受該等實施例任何限定。

（實施例1） 準備壓延銅箔A（再結晶化後之楊氏模數為120 GPa、厚度為12 μm），對其中一面進行脫脂及酸洗後，形成粗化處理層作為表面處理層，藉此獲得表面處理銅箔。粗化處理層之形成條件如下所示。 ＜一次粗化粒子之形成條件R1＞ 鍍覆液組成：11 g/L之Cu、50 g/L之硫酸 鍍覆液溫度：25℃ 電鍍條件：電流密度35.6 A/dm² 、庫侖量72.7 As/dm²

（覆蓋鍍覆層之形成條件R2） 鍍覆液組成：20 g/L之Cu、100 g/L之硫酸 鍍覆液溫度：50℃ 電鍍條件：電流密度9.9 A/dm² 、庫侖量30.3 As/dm²

（二次粗化粒子40之形成條件Y） 鍍覆液組成：15.5 g/L之Cu、7.5 g/L之Co、9.5 g/L之Ni pH：2.4 鍍覆液溫度：36℃ 電鍍條件：電流密度33.1 A/dm² 、庫侖量44.8 As/dm²

（實施例2〜14、及比較例1） 如表1所示地變更壓延銅箔之種類、R1、R2及Y之電流密度及庫侖量中之至少一者，除此以外與實施例1同樣地進行而獲得表面處理銅箔。再者，於表1中，壓延銅箔B為再結晶化後之楊氏模數為85 GPa、厚度為12 μm之壓延銅箔。

[表1]

	壓延銅箔之種類	電流密度（A/dm2 ）	庫侖量（As/dm2 ）
R1	R2	Y	R1	R2	Y	R1/R2
實施例1	A	35.6	9.9	33.1	72.7	30.3	44.8	2.4
實施例2	A	35.6	9.9	36.0	72.7	30.3	47.1	2.4
實施例3	A	35.6	9.9	37.8	72.7	30.3	49.4	2.4
實施例4	A	31.1	9.9	31.0	47.5	22.7	30.5	2.1
實施例5	A	39.3	4.9	30.9	80.3	15.2	40.4	5.3
實施例6	A	59.9	9.9	41.2	91.6	22.7	40.4	4.0
實施例7	A	51.6	9.9	41.2	78.9	22.7	40.4	3.5
實施例8	A	34.2	9.9	31.0	69.5	22.7	40.4	3.1
實施例9	A	34.2	9.9	29.3	69.5	22.7	36.9	3.1
實施例10	A	31.1	13.2	31.4	63.2	30.3	40.4	2.1
實施例11	B	41.9	6.6	31.0	85.3	15.2	40.4	5.6
實施例12	B	45.0	9.9	25.1	91.6	22.7	32.8	4.0
實施例13	B	45.0	9.9	19.3	91.6	22.7	18.0	4.0
實施例14	B	51.6	9.9	41.2	78.9	22.7	40.4	3.5
比較例1	B	45.3	4.7	30.1	61.5	7.2	26.9	8.6

對於上述實施例及比較例中所獲得之表面處理銅箔，使用掃描電子顯微鏡（SEM）觀察表面處理層之表面狀態。其結果，於實施例1〜14中確認到許多粗化粒子（尤其是二次粗化粒子）呈樹枝狀擴展之結構，相對於此，於比較例1中幾乎未確認到該結構。作為代表例，將實施例1及比較例1之表面處理銅箔之表面處理層（粗化處理層）之SEM照片（20,000倍、傾斜40°）示於圖2中。

繼而，對上述實施例及比較例中所獲得之表面處理銅箔進行下述特性評價。 ＜表面處理層之SMr1、Spk、Sk＞ 使用奧林巴斯股份有限公司製造之雷射顯微鏡（LEXT OLS4000）進行圖像攝影。使用奧林巴斯股份有限公司製造之雷射顯微鏡（LEXT OLS4100）之解析軟體進行所拍攝到之圖像之解析。SMr1、Spk及Sk之測定分別依據ISO 25178進行。又，該等之測定結果以任意3處測得之值之平均值為測定結果。再者，測定時之溫度設為23〜25℃。又，雷射顯微鏡及解析軟體之主要設定條件如下所示。 物鏡：MPLAPON50XLEXT（倍率：50倍、數值孔徑：0.95、液浸類型：空氣、機械鏡筒長度：∞、蓋玻璃厚度：0、視野數：FN18） 光學變焦倍率：1倍 掃描模式：XYZ高精度（高度解析度：10 nm、讀取資料之像素數：1024×1024） 讀取圖像尺寸[像素數]：橫257 μm×縱258 μm[1024×1024] （於橫向上進行測定，因此相當於257 μm之評價長度） DIC：關 多層：關 雷射強度：100 偏移（offset）：0 共焦水平（confocal level）：0 光束徑光闌：關 圖像平均：1次 雜訊降低：開 亮度不均修正：開 光學雜訊濾波器：開 截止：無（λc、λs、λf均無） 濾波器：高斯濾波器 雜訊去除：於測定前處理 表面（斜率）修正：實施

＜剝離強度＞ 使表面處理銅箔與樹脂基材[LCP：液晶聚合物樹脂（羥基苯甲酸（酯）與羥基萘甲酸（酯）之共聚物）膜（可樂麗股份有限公司製造之Vecstar（註冊商標）CTQ；厚度為50 μm或100 μm）]貼合後，於TD方向（壓延銅箔之寬度方向）上形成寬3 mm之電路。繼而，依據JIS C6471：1995測定於TD180°方向上以50 mm/分鐘之速度自樹脂基材之表面剝離電路（表面處理銅箔）時之強度（TD180°剝離強度）。進行3次測定，將其平均值作為剝離強度之結果。若剝離強度為0.50 kgf/cm以上，則可以說電路（表面處理銅箔）與樹脂基材之接著性良好。 再者，電路寬度之調整藉由使用氯化銅蝕刻液之通常之減成蝕刻方法進行。

將上述特性評價之結果示於表2中。

[表2]

	SMr1 （%）	Spk （μm）	Sk （μm）	剝離強度 （kgf/cm）	樹脂基材之厚度 （μm）
實施例1	22.1	2.14	1.12	0.85	100
實施例2	24.8	2.09	1.69	0.82	100
實施例3	26.4	2.32	1.35	0.84	100
實施例4	20.8	1.73	1.13	0.84	100
實施例5	23.0	1.56	0.30	0.69	100
實施例6	23.9	2.08	1.57	0.73	50
實施例7	22.9	1.91	1.56	0.74	50
實施例8	21.1	1.69	1.29	0.79	50
實施例9	19.4	1.54	1.15	0.63	50
實施例10	19.8	1.52	0.30	0.78	50
實施例11	22.7	1.81	1.78	0.61	50
實施例12	15.2	1.27	1.27	0.55	50
實施例13	16.3	1.28	1.50	0.58	50
實施例14	21.8	1.77	1.50	0.73	50
比較例1	15.1	0.9	0.93	0.47	50

如表1所示，表面處理層之SMr1、Spk及/或Sk處於特定之範圍內之實施例1〜14之表面處理銅箔的剝離強度較高。 另一方面，表面處理層之SMr1、Spk及Sk處於特定之範圍外之比較例1之表面處理銅箔的剝離強度較低。

根據以上結果可知：根據本發明之實施形態，可提供能夠提高與樹脂基材、尤其是適合高頻用途之樹脂基材之接著性的表面處理銅箔。又，根據本發明之實施形態，可提供樹脂基材、尤其是適合高頻用途之樹脂基材與表面處理銅箔之間的接著性優異之覆銅積層板。進而，根據本發明之實施形態，可提供樹脂基材、尤其是適合高頻用途之樹脂基材與電路圖案之間的接著性優異之印刷配線板。

無

[圖1]係於銅箔之一面具有粗化處理層之表面處理銅箔的剖面示意圖。 [圖2]係實施例1及比較例1之表面處理銅箔之表面處理層的SEM照片。

Claims (11)

1. 一種表面處理銅箔，其具有銅箔及形成於上述銅箔之至少一面之表面處理層，將上述表面處理層之突出峰部與中心部分離之負荷面積率SMr1為16~28%，上述表面處理層之突出峰部高度Spk為1.2~2.5μm。
2. 如請求項1之表面處理銅箔，其中，上述表面處理層之中心部之水平差Sk為1.0~2.0μm。
3. 一種表面處理銅箔，其具有銅箔及形成於上述銅箔之至少一面之表面處理層，上述表面處理層之突出峰部高度Spk為1.2~2.5μm。
4. 如請求項3之表面處理銅箔，其中，上述表面處理層之中心部之水平差Sk為1.0~2.0μm。
5. 一種表面處理銅箔，其具有銅箔及形成於上述銅箔之至少一面之表面處理層，上述表面處理層之中心部之水平差Sk為1.0~2.0μm，將上述表面處理層之突出峰部與中心部分離之負荷面積率SMr1為16~28%。
6. 如請求項1至5中任一項之表面處理銅箔，其中，上述表面處理層具有粗化處理層。
7. 如請求項6之表面處理銅箔，其中，上述粗化處理層包含：一次粗化粒子、被覆上述一次粗化粒子之覆蓋鍍覆層、及形成於上述覆蓋鍍覆層上之二次粗化粒子。
8. 如請求項6之表面處理銅箔，其中，上述表面處理層於上述粗化處理層上進而具有選自由耐熱處理層、防銹處理層、鉻酸鹽處理層及矽烷偶合處理層所組成之群中之1種以上之層。
9. 如請求項1至5中任一項之表面處理銅箔，其中，上述銅箔為壓延銅箔。
10. 一種覆銅積層板，其具備請求項1至9中任一項之表面處理銅箔及與上述表面處理銅箔之表面處理層接著之樹脂基材。
11. 一種印刷配線板，其具備對請求項10之覆銅積層板之上述表面處理銅箔進行蝕刻所形成之電路圖案。

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