TWI746400B - 拉晶裝置 - Google Patents
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Abstract
本發明公開的拉晶裝置包括導流筒,其包括內筒、外筒和其間的隔熱材料。隔熱材料包括筒狀固氈,其纖維的繞製方向靠近垂直於內筒側壁的法線方向,以使纖維材料的延伸方向靠近與導流筒的內筒側壁平行的方向。根據本發明的拉晶裝置,將用以形成隔熱材料的固氈的纖維材料繞製方向設置成靠近垂直於內筒側壁的法線方向,以使纖維材料的延伸方向靠近與導流筒的內筒側壁平行的方向。當熱量從坩鍋或矽熔體通過導流筒側壁傳到內側時,由於熱量的傳導方向與纖維材料的延伸方向垂直從而減小了熱傳導的效率,使得隔熱材料的阻熱效果達到最大。
Description
本發明涉及半導體製造技術領域,尤其涉及一種拉晶裝置。
直拉法(Czochralski,Cz)是製備半導體及太陽能用矽單晶的一種重要方法,通過碳素材料組成的熱場對放入坩鍋的高純矽材料進行加熱使之熔化,之後通過將晶種浸入熔體當中並經過一系列(溶料、穩溫、引晶、放肩、等徑、收尾、冷卻)工藝過程,最終獲得單晶棒。
使用CZ法的半導體單晶矽或太陽能單晶矽的晶棒生長中,晶棒和矽熔體的溫度分佈直接影響晶棒的品質和生長速度。在CZ晶棒的生長期間,導流筒(或稱反射屏)作為拉晶熱場中的重要部件,是阻止矽熔體液面和石英坩鍋的熱量輻射到晶棒,起到提高拉晶速度和控制晶體的缺陷的作用。
參看圖1,顯示一種拉晶裝置的結構示意圖。如圖1所示,拉晶裝置包括爐體1,爐體1內設置有坩鍋11,坩鍋11外側設置有對其進行加熱的加熱器12,坩鍋11內容納有矽熔體13。在爐體1頂部設置有提拉裝置14,在提拉裝置14的帶動下,晶種從矽熔體液面提拉拉出晶棒10,為了實現晶棒的穩定增長,在爐體1底部還設置有驅動坩鍋11旋轉和上下移動的驅動裝置15以及設置在爐體外側用以對坩鍋內的矽熔體施加磁場的磁場施加裝置17。同時,繼續參看圖1,拉晶裝置還包括環繞晶棒10四周設置熱屏裝置。熱屏裝置包括有導流筒16,導流筒16設置為桶型,其作為熱屏裝置一方面用以在晶棒生長過程中隔離石英坩鍋以及坩鍋內的矽熔體對晶棒表面產生的熱輻射,提升晶棒的冷卻速度和軸向溫度梯度,增加晶棒生長速度,另一方面,影響矽熔體表面的熱場分佈,而避免晶棒的中心和邊緣的軸向溫度梯度差異過大,保證晶棒與矽熔體液面之間的穩定生長;同時導流筒還用以對從晶棒生長爐上部導入的惰性氣體進行導流,使之以較大的流速通過矽熔體表面,達到控制晶棒內氧含量和雜質含量的效果。在半導體晶棒生長過程中,在提拉裝置14的帶動下,晶棒10垂直向上穿過導流筒16。
參看圖2,顯示一種導流筒的截面結構示意圖。如圖2所示,導流筒設置為環狀的筒形結構,由外筒161、內筒162,以及內外筒之間的隔熱材料163組成。隔熱材料的作用是阻止進入外筒的熱量傳遞到內筒,避免內筒的溫度升高,同時使面向內筒的晶體的熱不容易傳遞出來,使得晶棒的溫度梯度小。由於導流筒16與坩鍋11以及坩鍋內的矽熔體13之間的相對面在拉晶過程中不斷變化,如圖2所示,在導流筒底部位置,坩鍋以及坩鍋內的矽熔體的熱量需要通過底部較厚的隔熱材料163向內筒162傳遞,在導流筒上部位置,坩鍋以及坩鍋內的矽熔體的熱量需要通過上部較薄的隔熱材料163向內筒162傳遞。
目前的隔熱材料有軟氈和固氈之分。固氈以形狀穩定,性能穩定,在半導體晶體生長的熱場中廣泛使用。隔熱材料根據所需形狀由石墨纖維纏繞成筒狀固氈,最後在表面包裹處理後製成,如專利申請CN102367588A所公開的,石墨氈廣泛用於拉晶裝置的隔熱保溫層,其中在導流筒中,石墨氈通過設置在外導流筒和內導流筒之間進行隔熱。固氈由於其由纖維纏繞形成,其熱傳導和熱膨脹性能根據其纖維方向呈各向異性。就熱傳導係數而言,沿著纖維的延伸方向的熱傳導係數是沿著垂直於纖維的延伸方向的法線方向的2-3倍。如圖2所示,隔熱材料163由纖維沿著一個方向纏繞形成一個整體(圖2中隔熱材料163的線條示出為纖維),其中,在導流筒底部區域,熱量沿著纖維的延伸方向通過隔熱材料163傳遞到內筒162,而在導流筒上部區域,熱量沿著垂直於纖維的延伸方向的法線方向通過隔熱材料163傳遞到內筒162。由於沿著纖維的延伸方向的熱傳導係數較沿著垂直於纖維的延伸方向的法線方向的熱傳導係數較大,使得內筒底部的溫度較高,平均溫度達到1050℃,限制了晶棒的溫度通過內筒傳遞出來,從而使晶體的溫度梯度較小,降低了拉晶速度,影響了拉晶品質。
為了解決現有技術中的問題,本發明提供了一種拉晶裝置。
在發明內容部分中引入了一系列簡化形式的概念,這將在具體實施方式部分中進一步詳細說明。本發明的發明內容部分並不意味著要試圖限定出所要求保護的技術方案的關鍵特徵和必要技術特徵,更不意味著試圖確定所要求保護的技術方案的保護範圍。
為了解決現有技術中的問題,本發明提供了一種拉晶裝置,包括導流筒。所述導流筒包括內筒、外筒和設置在內筒和外筒之間的隔熱材料,所述隔熱材料包括採用纖維材料繞製形成的筒狀固氈,其中,所述纖維材料的繞製方向靠近垂直於所述內筒側壁的法線方向,以使所述纖維材料的延伸方向靠近與所述導流筒的內筒側壁平行的方向。
示例性地,所述導流筒包括從上到下的第一部分和第二部分,所述外筒包括外筒上部和外筒下部,所述內筒包括內筒上部和內筒下部,所述內筒上部與所述外筒上部以及位於所述內筒上部和所述外筒上部之間的第一固氈構成所述第一部分,所述內筒下部與所述外筒下部以及位於所述內筒下部和所述外筒下部之間的第二固氈構成所述第二部分
示例性地,所述第二部分相對於所述第一部分向所述導流筒內側突出。
示例性地,所述第一部分與所述第二部分的所述纖維材料的繞製方向不同。
示例性地,所述第一部分設置為圓柱形筒,所述第一部分中的所述第一固氈的纖維材料的繞製方向沿著靠近垂直於所述外筒上部的法線方向。
示例性地,所述內筒下部包括水平設置的平面或者在半徑方向上向下傾斜的斜面,所述第二部分中的所述第二固氈的纖維材料的繞製方向沿著靠近垂直於所述內筒下部的法線方向。
示例性地,所述第一部分中的所述第一固氈的纖維材料的延伸方向與垂直於所述內筒上部的側壁的法線的夾角的範圍為75-105°。
示例性地,所述第二部分中的所述第二固氈的纖維材料的延伸方向與垂直於所述內筒下部的法線之間的夾角的範圍為75-105°。
示例性地,所述第一部分中的所述第一固氈的纖維材料的延伸方向與所述內筒上部的側壁平行。
示例性地,所述第二部分中的所述第二固氈的纖維材料的延伸方向與所述內筒下部平行。
根據本發明的拉晶裝置,將用以形成隔熱材料的固氈的纖維材料繞製方向設置成靠近垂直於所述內筒側壁的法線方向,以使所述纖維材料的延伸方向靠近與所述導流筒的內筒側壁平行的方向,當熱量從坩鍋或坩鍋內的矽熔體通過導流筒側壁傳到內側時,由於熱量的傳導方向與纖維材料的延伸方向垂直從而減小了熱傳導的效率,使得隔熱材料的阻熱效果達到最大。
在下文的描述中,給出了大量具體的細節以便提供對本發明更為徹底的理解。然而,對於本領域技術人員而言顯而易見的是,本發明可以無需一個或多個這些細節而得以實施。在其他的例子中,為了避免與本發明發生混淆,對於本領域周知的一些技術特徵未進行描述。
為了徹底理解本發明,將在下列的描述中提出詳細的描述,以說明本發明的拉晶裝置。顯然,本發明的施行並不限於半導體技術領域技術人員所熟習的特殊細節。本發明的較佳實施例詳細描述如下,然而除了這些詳細描述外,本發明還可以具有其他實施方式。
應予以注意的是,這裡所使用的術語僅是為了描述具體實施例,而非意圖限制根據本發明的示例性實施例。如在這裡所使用的,除非上下文另外明確指出,否則單數形式也意圖包括複數形式。此外,還應當理解的是,當在本說明書中使用術語“包含”和/或“包括”時,其指明存在所述特徵、整體、步驟、操作、元件和/或組件,但不排除存在或附加一個或多個其他特徵、整體、步驟、操作、元件、組件和/或它們的組合。
現在,將參照附圖更詳細地描述根據本發明的示例性實施例。然而,這些示例性實施例可以多種不同的形式來實施,並且不應當被解釋為只限於這裡所闡述的實施例。應當理解的是,提供這些實施例是為了使得本發明的公開徹底且完整,並且將這些示例性實施例的構思充分傳達給本領域普通技術人員。在附圖中,為了清楚起見,誇大了層和區域的厚度,並且使用相同的附圖標記表示相同的元件,因而將省略對它們的描述。
為了解決現有技術中的問題,本發明提供了一種拉晶裝置,包括導流筒,所述導流筒包括內筒、外筒和設置在內筒和外筒之間的隔熱材料,所述隔熱材料包括採用纖維材料繞製形成的筒狀固氈,其中,所述纖維材料的繞製方向靠近垂直於所述內筒側壁的法線方向,以使所述纖維材料的延伸方向靠近與所述導流筒的內筒側壁平行的方向。
下面參看圖3和圖4A-圖4C對根據本發明的一種拉晶裝置進行示例性介紹。圖3根據本發明的一個實施例的一種拉晶裝置的結構示意圖;圖4A為根據本發明的一個實施例的拉晶裝置中導流筒的結構示意圖;圖4B為根據本發明的另一個實施例的拉晶裝置中導流筒的結構示意圖;圖4C為根據本發明的另一個實施例的拉晶裝置中導流筒的結構示意圖。
如圖3所示,拉晶裝置包括爐體2,爐體2內設置有坩鍋21,坩鍋21外側設置有對其進行加熱的加熱器22,坩鍋21內容納有矽熔體23。在爐體2頂部設置有提拉裝置24,在提拉裝置24的帶動下,晶種從矽熔體液面提拉拉出晶棒20,為了實現晶棒的穩定增長,在爐體2底部還設置有驅動坩鍋21旋轉和上下移動的驅動裝置25以及設置在爐體外側用以對坩鍋內的矽熔體施加磁場的磁場施加裝置27。同時,繼續參看圖3,拉晶裝置還包括環繞晶棒20四周設置熱屏裝置。熱屏裝置包括有導流筒26,導流筒26設置為桶型,其作為熱屏裝置一方面用以在晶棒20生長過程中隔離石英坩鍋21以及坩鍋21內的矽熔體23對晶棒20表面產生的熱輻射,提升晶棒20的冷卻速度和軸向溫度梯度,增加晶棒20生長速度材料,另一方面,影響矽熔體23表面的熱場分佈,而避免晶棒20的中心和邊緣的軸向溫度梯度差異過大,保證晶棒20與矽熔體23液面之間的穩定生長;同時導流筒26還用以對從晶棒生長爐上部導入的惰性氣體進行導流,使之以較大的流速通過矽熔體23表面,達到控制晶棒20內氧含量和雜質含量的效果。在半導體晶棒20生長過程中,在提拉裝置24的帶動下,晶棒20垂直向上穿過導流筒26。
參看圖4A,顯示根據本發明的一種拉晶裝置中的導流筒26的結構示意圖。導流筒26圍繞矽晶棒20設置為上下開口的筒狀結構,其關於中心軸對稱。其中,圖4A示出為導流筒26在矽晶棒20一側的截面結構示意圖。
示例性的,筒形包括但不限於圓柱形筒狀結構,圓錐形筒狀結構等。
如圖4A所示,導流筒26設置為圓柱形筒狀結構。
導流筒26包括第一部分(虛線框26a中的部分)和第二部分(虛線框26b中的部分),導流筒26的外筒包括外筒上部261a和外筒下部261b,導流筒26的內筒包括內筒上部262a和內筒下部262b,隔熱材料包括由纖維材料繞製形成的固氈,其中包括第一固氈263a和第二固氈263b。
如圖4A所示,外筒上部261a、內筒上部262a和位於外筒上部261a與內筒上部262a之間的第一固氈263a構成導流筒26的第一部分(虛線框26a中的部分),外筒下部261b、內筒下部262b和位於外筒下部261b與內筒下部262b之間的第二固氈263b構成導流筒26的第二部分(虛線框26b中的部分)。
示例性的,內筒162和外筒161的材料設置為石墨。
在本發明中,隔熱材料163設置為採用纖維材料繞製形成的筒狀固氈。
示例性的,繞製隔熱材料的纖維材料包括玻璃纖維、石墨纖維等。
在本實施例中,採用石墨纖維繞製形成筒狀固氈作為隔熱材料。
示例性的,如圖4A所示,所述第二部分(虛線框26b中的部分)相對於所述第一部分虛線框26a中的部分,向所述導流筒26內側突出。
導流筒26一方面作為熱屏蔽裝置用以屏蔽坩鍋21和矽熔體23向矽晶棒20輻射的熱量,通過將導流筒26設置為所述第二部分26b相對於所述第一部分26a向所述導流筒26內側突出,可以將由導流筒26底部的矽熔體23和坩鍋21向矽晶棒20輻射的熱量進一步屏蔽,提高屏蔽效果。導流筒26第二方面作為氬氣導流裝置,在拉晶過程中,對通入拉晶腔室內部的氬氣進行導流,將所述第二部分26b相對於所述第一部分26a向所述導流筒26內側突出設置,有效減小氬氣通過導流筒26流向矽熔體23液面的通道,從而使從爐體2頂部通入的通過導流筒26倒流到矽熔體23液面位置處的氬氣流速增加,矽熔體23液面的剪切力增加,據此,對矽熔體23的流動結構進行進一步調整,使矽熔體23的流動狀態沿著圓周方向更加均勻,這進一步改善了晶體生長的速度均勻性,改善了拉晶品質。
示例性的,所述第一部分26a與所述第二部分26b的所述纖維材料的繞製方向不同。
由於固氈由纖維材料纏繞形成,固氈的熱傳導和熱膨脹性能根據其纖維材料方向呈各向異性。就熱傳導係數而言,沿著纖維材料的延伸方向的熱傳導係數是沿著垂直於纖維材料的延伸方向的法線方向的2-3倍。
在本實施例中,將用以形成隔熱材料的固氈的纖維材料繞製方向設置成靠近垂直於所述內筒162側壁的法線方向,以使所述纖維材料的延伸方向靠近與所述導流筒26的內筒162側壁平行的方向,當熱量從坩鍋21或坩鍋21內的矽熔體23通過導流筒26側壁傳到內側時,由於熱量的傳導方向與纖維材料的延伸方向垂直從而減小了熱傳導的效率,使得隔熱材料163的阻熱效果達到最大。
示例性的,所述第一部分26a設置為圓柱形筒,所述第一部分26a中的所述第一固氈263a的纖維材料的繞製方向沿著靠近垂直於所述外筒上部261a的法線方向。
如圖4A所示,導流筒26的第一部分設置為圓柱形筒,其中,圖4A中示出為導流筒26的第一部分26a的截面為矩形。進一步,繼續參看圖4A,形成導流筒26的第一部分26a的第一固氈263a的纖維材料沿著垂直於第一部分26a的內筒162側壁(即內筒上部262a)的法線方向進行繞製,使得纖維材料的延伸方向平行於第一部分26a的內筒162的側壁(即內筒上部262a)。
示例性的,所述內筒下部262b包括水平設置的平面或者向下傾斜的斜面,所述第二部分26b中的所述第二固氈263b的纖維材料的繞製方向沿著靠近垂直於所述內筒下部262b的法線方向。
如圖4A所示,導流筒26的第二部分26b較第一部分26a向內側突出,同時,內筒下部262b為水平設置的平面,使得導流筒26的第二部分26b設置內徑較第一部分26a小的為圓柱形桶。
參看圖4B,顯示根據本發明另一個實施例的一種拉晶裝置中的導流筒26的結構示意圖。其中,圖4B中的導流筒26與圖4A結構相似,所不同之處在於,圖4B中導流筒26的第二部分26b較第一部分26a向內側突出,同時,內筒下部262b為在半徑方向上向下傾斜的斜面,使得導流筒26的第二部分26b設置內徑較第一部分26a小的、頂部為在半徑方向上向下傾斜的為圓柱形桶。
參看圖4C,顯示根據本發明另一個實施例的一種拉晶裝置中的導流筒26的結構示意圖。其中,圖4C中的導流筒26與圖4A和圖4B結構相似,所不同之處在於,圖4C中導流筒26的第二部分26b較第一部分26a向內側突出,同時,內筒下部262b為在半徑方向上向下傾斜的斜面,使得導流筒26的第二部分26b設置向下延伸的錐形桶。
繼續參看圖4A,形成導流筒26的第二部分26b的第二固氈263b的纖維材料沿著垂直於第二部分26b的內筒162側壁(即內筒下部262b)的法線方向繞製,使得纖維材料的延伸方向平行於第二部分26b的內筒162側壁(即內筒下部262b)。
由於第一部分的第一固氈263a的纖維材料延伸方向平行於內筒上部262a,當坩鍋21或者矽熔體23的熱量通過導流筒26的第一部分26a向導流筒26的內側傳遞時,熱量沿著垂直於纖維材料的延伸方向傳遞,由於在垂直於纖維材料的延伸方向上熱傳導係數小,使得阻熱效果好。
同樣,由於第二部分的第二固氈263b的纖維材料延伸方向平行於內筒下部262b,當坩鍋21或者矽熔體23的熱量通過導流筒26的第二部分26b向導流筒26的內側傳遞時,熱量沿著垂直於纖維材料的延伸方向傳遞,由於在垂直於纖維材料的延伸方向上熱傳導係數小,使得阻熱效果好。
需要理解的是,上述將第一部分26a的第一固氈263a的纖維材料沿著垂直於第一部分26a的內筒162側壁(即內筒上部262a)的法線方向進行繞製,將第二部分26b的第二固氈263b的纖維材料沿著垂直於第二部分26b的內筒162側壁(即內筒下部262b)的法線方向繞製,僅僅是示例性的,在實際繞製過程中,將第一部分26a和第二部分26b的纖維材料繞製方向設置為不同,並且能夠分別儘量沿著靠近垂直與第一部分26a的內筒162側壁或者第二部分26b的內筒162側壁進行繞製,只要使纖維材料的延伸方向儘量沿著與導流筒26內壁的平面平行的方向,實現在熱量的傳播方向上,沿著垂直於纖維材料的延伸方向,就可以實現本發明降低隔熱材料熱傳導效果,增強隔熱的技術效果。
在根據本發明的一個實施例中,所述第一部分26a中的所述第一固氈263a的纖維材料的繞製方向沿著靠近垂直於所述內筒上部262a的法線方向,所述第一部分26a中的所述第一固氈263a的纖維材料的延伸方向與垂直於所述內筒上部262a的側壁的法線的夾角的範圍為75-105°。
在根據本發明的一個實施例中,所述第二部分26b中的所述第二固氈263b的纖維材料的繞製方向沿著靠近垂直於所述內筒下部262b的法線方向,所述第二部分26b中的所述第二固氈263b的纖維材料的延伸方向與垂直於所述內筒下部262b的法線之間的夾角的範圍為75-105°。
在根據一個實施例中,採用如圖2所示的導流筒26,其中導流筒26底部的固氈與導流筒26上部的固氈採用纖維材料沿著同一方向繞製,使得導流筒26內筒162底部的溫度較高,平均溫度達到1050℃,最終使得拉晶工藝的平均拉速為1.0mm/min。
而根據本發明的一個實施例中,採用如圖4A所示的導流筒26,其中,導流筒26底部的固氈與導流筒26上部的固氈採用纖維材料沿著不同的方向繞製,其中,導流筒26上部的固氈採用纖維材料沿著垂直於導流筒26側壁的法線方向繞製,從而導流筒26上部的固氈的纖維材料的延伸方向平行於導流筒26側壁,而導流筒26底部的固氈採用纖維材料沿著垂直於導流筒26底部的法線方向繞製,從而導流筒26底部的固氈的纖維材料的延伸方向平行於導流筒26底部,最終實現在拉晶過程中圖4A中導流筒26內筒162底部的溫度較圖2中實施例的導流筒26內筒162底部溫度下降,具體下降到1000℃,使拉晶工藝的平均拉速達到1.2mm/min,拉晶速度提高20%。
以上是對根據本發明的一種拉晶裝置的示例性介紹,根據本發明的拉晶裝置,將用以形成隔熱材料的固氈的纖維材料繞製方向設置成靠近垂直於所述內筒側壁的法線方向,以使所述纖維材料的延伸方向靠近與所述導流筒的內筒側壁平行的方向,當熱量從坩鍋或坩鍋內的矽熔體通過導流筒側壁傳到內側時,由於熱量的傳導方向與纖維材料的延伸方向垂直從而減小了熱傳導的效率,使得隔熱材料的阻熱效果達到最大。
本發明已經通過上述實施例進行了說明,但應當理解的是,上述實施例只是用於舉例和說明的目的,而非意在將本發明限制於所描述的實施例範圍內。此外本領域技術人員可以理解的是,本發明並不侷限於上述實施例,根據本發明的教導還可以做出更多種的變型和修改,這些變型和修改均落在本發明所要求保護的範圍以內。本發明的保護範圍由附屬的請求項及其等效範圍所界定。
1,2:爐體
10,20:晶棒
11,21:坩鍋
12,22:加熱器
13,23:矽熔體
14,24:提拉裝置
15,25:驅動裝置
16,26:導流筒
17,27:磁場施加裝置
26a:第一部分
26b:第二部分;
161:外筒
162:內筒
163:隔熱材料
261a:外筒上部
261b:外筒下部
262a:內筒上部
262b:內筒下部
263a:第一固氈
263b:第二固氈。
本發明的下列附圖在此作為本發明的一部分用於理解本發明。附圖中顯示本發明的實施例及其描述,用來解釋本發明的原理。附圖中:
圖1根據一個實施例的一種拉晶裝置的結構示意圖;
圖2為根據一個實施例的一種拉晶裝置中導流筒的結構示意圖;
圖3根據本發明的一個實施例的一種拉晶裝置的結構示意圖;
圖4A為根據本發明的一個實施例的拉晶裝置中導流筒的結構示意圖;
圖4B為根據本發明的另一個實施例的拉晶裝置中導流筒的結構示意圖;
圖4C為根據本發明的另一個實施例的拉晶裝置中導流筒的結構示意圖。
無
161:外筒
162:內筒
163:隔熱材料
Claims (10)
- 一種拉晶裝置,包括: 一導流筒,包括: 一內筒; 一外筒;及 一設置在該內筒和該外筒之間的隔熱材料,該隔熱材料包括一採用纖維材料繞製形成的筒狀固氈, 其中,該纖維材料的繞製方向靠近垂直於該內筒一側壁的法線方向,以使該纖維材料的延伸方向靠近與該導流筒的該內筒的該側壁平行的方向。
- 如請求項1所述的拉晶裝置,其中,該導流筒包括從上到下的一第一部分和一第二部分,該外筒包括一外筒上部和一外筒下部,該內筒包括一內筒上部和一內筒下部,該內筒上部與該外筒上部以及位於該內筒上部和該外筒上部之間的一第一固氈構成該第一部分,該內筒下部與該外筒下部以及位於該內筒下部和該外筒下部之間的一第二固氈構成該第二部分。
- 如請求項2所述的拉晶裝置,其中,該第二部分相對於該第一部分向該導流筒的內側突出。
- 如請求項3所述的拉晶裝置,其中,該第一部分與該第二部分的該纖維材料的繞製方向不同。
- 如請求項4所述的拉晶裝置,其中,該第一部分設置為圓柱形筒,該第一部分中的該第一固氈的纖維材料的繞製方向沿著靠近垂直於該外筒上部的法線方向。
- 如請求項5所述的拉晶裝置,其中,該內筒下部包括水平設置的一平面或者在半徑方向上向下傾斜的一斜面,該第二部分中的該第二固氈的纖維材料的繞製方向沿著靠近垂直於該內筒下部的法線方向。
- 如請求項3所述的拉晶裝置,其中,該第一部分中的該第一固氈的纖維材料的延伸方向與垂直於該內筒上部的該側壁的法線的夾角的範圍為75-105°。
- 如請求項3所述的拉晶裝置,其中,該第二部分中的該第二固氈的纖維材料的延伸方向與垂直於該內筒下部的法線之間的夾角的範圍為75-105°。
- 如請求項2所述的拉晶裝置,其中,該第一部分中的該第一固氈的纖維材料的延伸方向與該內筒上部的該側壁平行。
- 如請求項2所述的拉晶裝置,其中,該第二部分中的該第二固氈的纖維材料的延伸方向與該內筒下部平行。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN202110088626.2A CN112921395A (zh) | 2021-01-22 | 2021-01-22 | 拉晶装置 |
CN202110088626.2 | 2021-01-22 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
TWI746400B true TWI746400B (zh) | 2021-11-11 |
TW202229665A TW202229665A (zh) | 2022-08-01 |
Family
ID=76164788
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
TW110111817A TWI746400B (zh) | 2021-01-22 | 2021-03-31 | 拉晶裝置 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN112921395A (zh) |
TW (1) | TWI746400B (zh) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
TWI832389B (zh) * | 2021-12-29 | 2024-02-11 | 大陸商西安奕斯偉材料科技股份有限公司 | 一種用於單晶生長的熱場調節裝置和方法 |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN117654858A (zh) * | 2024-02-01 | 2024-03-08 | 杭州幄肯新材料科技有限公司 | 一种长晶炉用导流筒内毡的制作方法 |
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CN111020691A (zh) * | 2019-12-03 | 2020-04-17 | 徐州鑫晶半导体科技有限公司 | 拉制晶棒的***和控制方法 |
TW202018133A (zh) * | 2018-11-12 | 2020-05-16 | 大陸商上海新昇半導體科技有限公司 | 一種單晶生長爐的反射屏及單晶生長爐 |
Family Cites Families (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6379460B1 (en) * | 2000-08-23 | 2002-04-30 | Mitsubishi Materials Silicon Corporation | Thermal shield device and crystal-pulling apparatus using the same |
CN103204665A (zh) * | 2012-01-11 | 2013-07-17 | 周介明 | 一种纤维与颗粒混杂的无机复合材料毡及其制作方法 |
CN104328485B (zh) * | 2014-11-17 | 2017-01-04 | 天津市环欧半导体材料技术有限公司 | 一种提高直拉硅单晶生长速度的导流筒 |
CN210030952U (zh) * | 2019-04-09 | 2020-02-07 | 浙江明峰电子科技有限公司 | 一种单晶硅生产用导流装置 |
CN110592661A (zh) * | 2019-09-11 | 2019-12-20 | 上海新昇半导体科技有限公司 | 一种晶体生长装置 |
CN211112314U (zh) * | 2019-12-03 | 2020-07-28 | 徐州鑫晶半导体科技有限公司 | 导流筒 |
-
2021
- 2021-01-22 CN CN202110088626.2A patent/CN112921395A/zh active Pending
- 2021-03-31 TW TW110111817A patent/TWI746400B/zh active
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Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN112921395A (zh) | 2021-06-08 |
TW202229665A (zh) | 2022-08-01 |
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