TWI745859B - 雙極化天線 - Google Patents

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TWI745859B
TWI745859B TW109104238A TW109104238A TWI745859B TW I745859 B TWI745859 B TW I745859B TW 109104238 A TW109104238 A TW 109104238A TW 109104238 A TW109104238 A TW 109104238A TW I745859 B TWI745859 B TW I745859B
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Abstract

一種雙極化天線包含第一天線單元以及隔離帶隙。第一天線單元形成於介質基板上,且被導通的第一天線單元用以接收或發出具有第一極化方向及第二極化方向的訊號。隔離帶隙形成於介質基板上,且設置鄰近於該第一天線單元。第一極化方向與隔離帶隙之間形成第一夾角,且第一夾角不為0°或90°。

Description

雙極化天線
本揭示文件是關於天線的技術領域,特別是關於一種具有高隔離度的雙極化天線。
近年來各種無線通訊技術快速發展,訊號的品質及傳輸速度被要求得更高。為了支援更廣的區域網路,許多無線通訊產品中包含天線,用以接收來自另一電子裝置的訊號,或用以發射訊號至另一電子裝置。然而,天線在多輸入多輸出(multi-input multi-output)的應用中,多個訊號之間的隔離度低,使得訊號品質低下。
本揭示文件提供一種雙極化天線,包含第一天線單元以及隔離帶隙。第一天線單元形成於介質基板上,且被導通的第一天線單元用以接收或發出具有第一極化方向及第二極化方向的訊號。隔離帶隙形成於介質基板上,且設置鄰近於該第一天線單元。第一極化方向與隔離帶隙之間形成第一夾角,且第一夾角不為0°或90°。雙極化天線具有良好的指向性以及隔離度。
本揭示文件亦提供一種雙極化天線,包含天線陣列以及第一隔離帶隙。天線陣列形成於介質基板上,且被導通的天線陣列用以接收或發出具有第一極化方向及第二極化方向的訊號。第一隔離帶隙形成於介質基板上,且設置鄰近於天線陣列。第一極化方向與第一隔離帶隙之間形成夾角,且夾角不為0°或90°。雙極化天線具有良好的指向性以及隔離度。
下文係舉實施例配合所附圖式作詳細說明,以更好地理解本揭示文件的態樣,但所提供之實施例並非用以限制本揭露所涵蓋的範圍,而結構操作之描述非用以限制其執行之順序,任何由元件重新組合之結構,所產生具有均等功效的裝置,皆為本揭露所涵蓋的範圍。此外,根據業界的標準及慣常做法,圖式僅以輔助說明為目的,並未依照原尺寸作圖,實際上各種特徵的尺寸可任意地增加或減少以便於說明。下述說明中相同元件將以相同之符號標示來進行說明以便於理解。
此外,在本文中所使用的用詞『包含』、『包括』、『具有』、『含有』等等,均為開放性的用語,即意指『包含但不限於』。此外,本文中所使用之『及/或』,包含相關列舉項目中一或多個項目的任意一個以及其所有組合。
在本文中,當一元件被稱為『連接』或『耦接』時,可指『電性連接』或『電性耦接』。『連接』或『耦接』亦可用以表示二或多個元件間相互搭配操作或互動。此外,雖然本文中使用『第一』、『第二』、…等用語描述不同元件,該用語僅是用以區別以相同技術用語描述的元件或操作。除非上下文清楚指明,否則該用語並非特別指稱或暗示次序或順位,亦非用以限定本發明。
在本文中所使用的比較性用詞如『較低』、『底部』、『較高』、『頂部』、『左側』或『右側』等,僅用來說明本文提及的實施例中圖示。除了圖示中之方向取向外,亦包含其他不同的取向之相對性用詞。例如,如果在一圖示中將裝置翻過來,其中元件與另一元件間之描述可能由「較低」轉為「較高」。其中,「較低」用詞可包含二個方向取向「較低」及「較高」,僅是取決於圖示之面向。相同地,如果在一圖示中將裝置翻過來,其中一元件與另一元件間之描述可能由「較低」或「下方」轉為「上方」。「較低」或「下方」等用詞可包含二個在上或在下的方向取向。
在本文中所述之「大致上」、「大約」、「近似」等用語一般表示為一定值或平均值之20%範圍內,或較佳地為10%內,或更加地為5%內。本文所述之數值若為近似值,則可推斷其係指「大約」、「近似」等用語。
無線通訊的各種產品中多以天線實現訊號傳輸的功能。一些應用中,為了增加訊號的傳輸距離,產品更包含具有天線的中繼器(repeater),用以調整並放大訊號。一些產品中,應用在多輸入多輸出的天線是以雙極化天線實現。由天線傳輸的多個訊號可能會發生串音干擾(crosstalk)的現象,因此天線要求高隔離度(isolation)。
一些應用中,金屬結構會設置鄰近於天線,用以對應於天線的訊號產生共振並形成具有高阻抗的結構,以阻擋具有相似頻率的電磁波通過,並實現高隔離度的要求。然而,目前的金屬結構與天線的結構或前述二者之間的設置會完全阻隔天線訊號的傳輸。特別是當天線為雙極化天線時,此缺陷更嚴重。有鑑於此,本揭示文件提供一種能克服此缺陷且具有高隔離度與指向性的雙極化天線。
本揭示文件的各種實施例中,雙極化天線是架構於三維坐標系中,包含三個相互正交的座標軸x、y、z。一些實施例中,雙極化天線是架構於其他類型的坐標系中,不以此為限。
第1A圖繪示根據本揭示文件之一實施例的雙極化天線100的示意圖,其中第1A圖是在x-y平面上的俯視圖。
雙極化天線100包含天線單元110以及隔離帶隙120。天線單元110及隔離帶隙120皆形成於介質基板(dielectric board)M上,且天線單元110及隔離帶隙120為相鄰設置。
天線單元110為一種微帶天線(patch antenna),包含第一饋入點111及第二饋入點112。第一饋入點111及第二饋入點112皆耦接與介質基板M平行的另一介質基板(圖中未示),且分別用以饋入訊號而接收或發射具有水平極化方向及垂直極化方向的訊號。
在x-y平面上,天線單元110是呈平行四邊形,包含一對具有第一長度L1的第一邊緣113以及一對具有第二長度L2的第二邊緣114。第一饋入點111設置鄰近於第一邊緣113中的一者(如第1A圖中所標示者),且第二饋入點112設置鄰近於第二邊緣114中的一者(如第1A圖中所標示者),其中此第二邊緣114與此第一邊緣113為相鄰的邊緣。
一些實施例中,在x-y平面上,第一饋入點111設置鄰近於第一邊緣113的中心點(圖中未示),且第二饋入點112設置鄰近於第二邊緣114的中心點(圖中未示)。一些實施例中,第一邊緣113的中心點與隔離帶隙120之間的距離(圖中未示)以及第二邊緣114的中心點與隔離帶隙120之間的距離(圖中未示)相同。一些實施例中,第一饋入點111與隔離帶隙120之間的距離(圖中未示)以及第二饋入點112與隔離帶隙120之間的距離(圖中未示)相同。
一些實施例中,在x-y平面上,天線單元110是呈正方形。一些實施例中,在x-y平面上,天線單元110是呈菱形,在此不限制天線單元110相對於x-y平面上的形狀。
天線單元110的中心點C與隔離帶隙120之間的距離(例如,第1A圖所示的距離DS)大約在天線單元110的操作頻率的0.3倍波長至0.5倍波長的範圍之間(即,3 λ/10≦距離DS≦λ/2),以達到良好的隔離效果。一些實施例中,天線單元110的中心點C與隔離帶隙120之間的距離大約為天線單元110的操作頻率的0.4倍波長(即,2 λ/5),以達到更佳的隔離效果。
第一邊緣113的第一長度L1以及第二邊緣114的第二長度L2皆大約等於天線單元110的操作頻率的0.25倍波長(即,λ/4),以達到良好的阻抗匹配並具有良好的指向性。一些實施例中,第一長度L1與第二長度L2 相等。
隔離帶隙120包含複數個隔離結構121。一些實施例中,隔離帶隙120為一種電磁帶隙(electromagnetic band gap,EBG),用以抑制x-y平面上的表面波。
在x-y平面上,隔離結構121為長條狀的金屬結構並為相互毗鄰設置,且隔離帶隙120是以兩個隔離結構為一對。隔離結構121包含複數個隔離單元122。在x-y平面上,隔離單元122為矩形並相互毗鄰設置。本揭示文件中各個實施例的隔離結構以及隔離單元的數量或形狀僅為示意說明,在此並不限制。
隔離單元122包含頂面金屬片(例如,第1A圖所示的隔離單元122的矩形,未標示)以及連接金屬柱(例如,第1A圖所示的隔離單元122中的圓形,未標示)。頂面金屬片形成於介質基板M上,並耦接連接金屬柱。連接金屬柱未連接頂面金屬片的一端(第1A圖中未示)耦接與介質基板M平行的另一基板,用以當頂面金屬片接收具有特定頻率(例如,天線單元110的操作頻率)的訊號時產生電磁感應,以形成具有高阻抗的特性,並阻擋具有特定頻率的訊號通過。因此,隔離帶隙120能夠阻擋部分天線單元110所接收或發射的訊號,特別是在x-y平面上的表面訊號,以提高天線單元110的指向性。
隔離單元122的最大邊長的長度(例如,第1A圖所示的邊長的長度L3)小於天線單元110的操作頻率的 0.1倍波長(即,λ/10)。隔離單元122之間的隔離間隔的距離(例如,第1A圖所示的間隔的距離D1)小於天線單元110的操作頻率的0.02倍波長(即,λ/50)。
一些實施例中,在x-y平面上,隔離單元122為正方形,且隔離單元122的邊長的特徵以及隔離單元122之間的間隔的特徵皆如上所述,在此並不限制隔離單元122的形狀。
一些實施例中,隔離單元122對應於第7圖及第8圖所示的隔離單元722,並於下文更詳細地描述。
上述雙極化天線100的相對位置以及各元件的尺寸能增加訊號的輻射場型的前後比(front-to-back ratio,FtB ratio),並能提升訊號的傳輸距離以及整體效率。一些實施例中,雙極化天線100的操作頻帶包含27GHz至29GHz之間的操作頻率(對應為毫米波的頻帶),因此雙極化天線100能用以應用於第五代行動通訊技術(5th generation mobile networks,5G)。
請一併參閱第1B圖,繪示根據第1A圖的雙極化天線的操作示意圖。為了圖示簡潔以及促進理解本案,第1B圖未標示部分與第1A圖相同的元件。
當雙極化天線100工作時,訊號在Z方向上傳遞,且具有水平極化方向以及具有垂直極化方向的訊號同時由天線單元110接收或發射。如第1B圖所示,具有水平極化方向的訊號S1由第一饋入點111(標示於第1A圖)接收或發射,且同時具有垂直極化方向的訊號S2由第二饋入點 112(標示於第1A圖)接收或發射。
水平極化方向(例如,第1B圖所示的訊號S1的電場方向
Figure 109104238-A0305-02-0011-3
)與隔離帶隙120之間形成第一夾角θ1,且垂直極化方向(例如,第1B圖所示的訊號S2的電場方向
Figure 109104238-A0305-02-0011-4
)與隔離帶隙之間形成第二夾角θ2。第一夾角θ1的大小與第二夾角θ2的大小皆不為0°或90°。在本實施例中亦可以理解為,水平極化方向是以x軸為基準軸,與x軸之間具有第一夾角θ1。垂直極化方向是以x軸為基準軸,並與x軸之間具有第二夾角θ2
一些實施例中,第一夾角θ1的大小在40°至50°的範圍內。一些實施例中,第一夾角θ1的大小與第二夾角θ2的大小相等。一些實施例中,第一夾角θ1與第二夾角θ2互為餘角(complementary angles)。
如此一來,雙極化天線100可以同時傳輸二個具有不同極化方向的訊號(例如,第1B圖所示的訊號S1、S2),且此訊號不會被隔離帶隙120阻擋,以利訊號傳輸至其他訊號處理端。同時,利用隔離帶隙120的電磁隔離作用,可以阻隔其他雜訊,進而增加雙極化天線100與其他通訊元件之間的隔離度。
第2圖繪示根據本揭示文件之一實施例的雙極化天線的示意圖,其中第2圖是在x-y平面上的俯視圖。
雙極化天線200包含第一天線單元210、隔離帶隙220以及第二天線單元230。第一天線單元210、隔離帶隙220以及第二天線單元230皆形成於介質基板M上,且隔離帶隙220相鄰設置於第一天線單元210與第二天線單元230之間。
在x-y平面上,第一天線單元210的中心點C1與隔離帶隙220之間的最短距離(例如,第2圖所示的距離DS1)大約在第一天線單元210的操作頻率的0.3倍波長至0.5倍波長的範圍之間(即,3λ/10≦距離DS1≦λ/2),以達到良好的隔離效果。一些實施例中,第一天線單元210的中心點C1與隔離帶隙220之間的距離大約為第一天線單元210的操作頻率的0.4倍波長(即,2λ/5),以達到更佳的隔離效果。
相似地,第二天線單元230的中心點C2與隔離帶隙220之間的最短距離(例如,第2圖所示的距離DS2)大約在第二天線單元230的操作頻率的0.3倍波長至0.5倍波長的範圍之間(即,3λ/10≦距離DS2≦λ/2),以達到良好的隔離效果。一些實施例中,第二天線單元230的中心點C2與隔離帶隙220之間的距離大約為第二天線單元230的操作頻率的0.4倍波長(即,2λ/5),以達到更佳的隔離效果。
一些實施例中,第一天線單元210以及第二天線單元230為相同的天線結構,且皆相似於第1圖所示的天線單元110,在此不再敘述相同處。
一些實施例中,第一天線單元210與第二天線單元230是以隔離帶隙220的中心處為對稱軸呈對稱。因此,第一天線單元210的中心點C1與隔離帶隙220之間的最短距離等同於第二天線單元230的中心點C2與隔離帶隙220之間的最短距離。換言之,距離DS1與距離DS2相同。此外,第一天線單元210的第一饋入點211對應於第二天線單元230的第一饋入點231,且第一天線單元210的第二饋入點212對應於第二天線單元230的第二饋入點232。
隔離帶隙220包含多個隔離結構221,且每一個隔離結構221包含多個隔離單元222,分別相似於第1圖所示的隔離帶隙120、隔離結構121及隔離單元122,在此不再敘述相同處。
隔離帶隙220包含兩對隔離結構221,即四個隔離結構221。當隔離結構221越多,雙極化天線200的隔離度越高。因此,藉由具有兩對隔離結構221的隔離帶隙220,第一天線單元210與第二天線單元230在操作時互不影響。
第3圖繪示根據本揭示文件之一實施例的雙極化天線的示意圖,其中第3圖是在x-y平面上的俯視圖。
雙極化天線300包含天線陣列310、第一隔離帶隙320以及第二隔離帶隙330。天線陣列310、第一隔離帶隙320以及第二隔離帶隙330皆形成於介質基板M上,且天線陣列310相鄰設置於第一隔離帶隙320以及第二隔離帶隙330之間。
天線陣列310包含多個天線單元(例如,第3圖所示的天線單元310a、310b、310c、310d、310e、310f,圖中未逐一標示)。一些實施例中,每一個天線單元相似於第1圖或第2圖所示的天線單元,在此不再敘述相同處。天線單元的數量僅為示例說明,在此不限制。
一些實施例中,天線陣列310可以劃分為至少一第一群組以及至少一第二群組,且第一群組與第二群組分別包含多個天線單元。例如,在第3圖中,天線陣列310包含二個第一群組P1與二個第二群組P2,且在x-y平面上,第一群組P1與第二群組P2相對於Y軸方向上呈相互交替設置。
一些實施例中,在x-y平面上,以第一隔離帶隙320或第二隔離帶隙330為基準,對於每一個天線單元中的饋入點相對於此天線單元的位置而言,第一群組中的天線單元的第一饋入點及第二饋入點較遠離於第一隔離帶隙320或第二隔離帶隙330,且第二群組中的天線單元的第一饋入點及第二饋入點較靠近於第一隔離帶隙320或第二隔離帶隙330。例如,在第3圖中,在x-y平面上,以第一隔離帶隙320為基準,對於第一群組P1中的天線單元310a而言,第一饋入點311a及第二饋入點312a分別鄰近設置於第一邊緣313a及第二邊緣314a。因此,對於此天線單元310a而言,相對於與第一隔離帶隙320的距離,第一饋入點311a及第二饋入點312a較遠離第一隔離帶隙320。同理,對於第二群組P2中的天線單元310b而言,第一饋入點311b及第二饋入點312b分別鄰近設置於第一邊緣313b及第二邊緣314b。因此,對於此天線單 元310b而言,相對於與第一隔離帶隙320的距離,第一饋入點311b及第二饋入點312b較靠近第一隔離帶隙。
在x-y平面上,任兩個相鄰的天線單元之間的距離,例如,如第3圖所示,第一群組P1中的天線單元310c的中心點C與鄰近的一個天線單元310d的中心點C或天線單元310e的中心點C的距離為距離D2,皆相同。
在x-y平面上,天線單元的中心點與第一隔離帶隙320或第二隔離帶隙330之間的最小距離(例如,第3圖所示,第二群組P2中的天線單元310f的中心點C與第一隔離帶隙320的距離D3)大約在天線單元的操作頻率的0.3倍波長至0.5倍波長的範圍之間(即,3 λ/10≦距離D3≦λ/2),以達到良好的隔離效果。一些實施例中,天線單元的中心點與第一隔離帶隙320或第二隔離帶隙330之間的最小距離大約為天線單元的操作頻率的0.4倍波長(即,2 λ/5),以達到更佳的隔離效果。
第一隔離帶隙320包含一對隔離結構321,即二個隔離結構321,且每一個隔離結構321包含多個隔離單元322。第二隔離帶隙330亦包含一對隔離結構331,即二個隔離結構331,且每一個隔離結構331包含多個隔離單元332。第一隔離帶隙320與第二隔離帶隙330相似於第1圖或第2圖所示的隔離帶隙,在此不再敘述相同處。
如第3圖所示的實施例中,除了前述實施例中雙極化天線的功效外,此實施例的雙極化天線300更提供或加強一些優點。例如,由於雙極化天線300包含具有多個 天線單元的天線陣列310,雙極化天線300具有良好的指向性以及訊號的高傳輸距離。由於雙極化天線300包含第一隔離帶隙320與第二隔離帶隙330,雙極化天線300具有高隔離度。
第4圖繪示根據本揭示文件之一實施例的雙極化天線的示意圖,其中第4圖是在x-y平面上的俯視圖。
雙極化天線400包含天線陣列410、第一隔離帶隙420以及第二隔離帶隙430。天線陣列410、第一隔離帶隙420以及第二隔離帶隙430皆形成於介質基板M上,且天線陣列410相鄰設置於第一隔離帶隙420以及第二隔離帶隙430之間。天線陣列410包含多個天線單元(例如,第4圖所示的天線單元410a、410b,圖中未逐一標示)。第4圖所示的雙極化天線400相似於第3圖所示的雙極化天線300,在此不再敘述相同處。
第一隔離帶隙420包含兩對隔離結構421,即四個隔離結構421,且每一個隔離結構421包含多個隔離單元422。第二隔離帶隙430包含兩對隔離結構431,即四個隔離結構431,且每一個隔離結構421包含多個隔離單元432。第一隔離帶隙420與第二隔離帶隙430相似於第1圖、第2圖或第3圖中一者所示的隔離帶隙,在此不再敘述相同處。
如第4圖所示的實施例中,此實施例的雙極化天線400亦具有良好的指向性、高隔離度以及訊號的高傳輸距離。
一些實施例中,根據第3圖及第4圖所示的雙極化天線300、400,實現28GHz的操作頻率,以模擬5G的應用。同時,根據第3圖所示的雙極化天線300,將第3圖中的第一隔離帶隙320及第二隔離帶隙330移除,形成控制組的雙極化天線(沒有隔離帶隙),並以此雙極化天線實現28GHz的操作頻率。表一是以28GHz為操作頻率,前述各種實施例中雙極化天線的輻射場型的前後比。
Figure 109104238-A0305-02-0017-1
如表一所示,控制組的輻射場型的前後比相對最低。具有包含一對隔離結構的隔離帶隙的雙極化天線(例如,第3圖的雙極化天線300)或是具有包含兩對以上隔離結構的隔離帶隙的雙極化天線(例如,第4圖的雙極化天線400)的輻射場型的前後比皆高於控制組。因此,本揭示文件提出的雙極化天線能夠適用於5G技術,且為具有高隔離度與指向性的應用。
第5圖繪示根據本揭示文件之一實施例的雙極化天線的示意圖,其中第5圖是在x-y平面上的俯視圖。第5圖所示的雙極化天線500相似於第3圖所示的雙極化天線300,在此不再敘述相同處。
在x-y平面上,第二隔離帶隙530是呈顛倒的U 字型,並與第一隔離帶隙520形成封閉的中空矩形。天線陣列510設置於第一隔離帶隙520與第二隔離帶隙530之間。或者可以理解為,在x-y平面上,天線陣列510被第一隔離帶隙520與第二隔離帶隙530包圍。
第6圖繪示根據本揭示文件之一實施例的雙極化天線的示意圖,其中第6圖是在x-y平面上的俯視圖。第6圖所示的雙極化天線600相似於第4圖所示的雙極化天線400及第5圖所示的雙極化天線500,在此不再敘述相同處。
第一隔離帶隙620與第二隔離帶隙630分別包含兩對隔離結構(第6圖未標示),即四個隔離結構。在x-y平面上,天線陣列610被第一隔離帶隙620與第二隔離帶隙630包圍。
如第5圖或第6圖所示的實施例中,除了前述實施例中雙極化天線的功效外,此些實施例的雙極化天線更提供或加強一些優點。例如,藉由第一隔離帶隙與第二隔離帶隙環繞天線陣列的設置,能更提高雙極化天線的隔離度。
第7圖繪示根據本揭示文件之一實施例的雙極化天線700的部分剖面示意圖,其中第7圖是在x-z平面上的俯視圖。第7圖所示的雙極化天線700相似於第3圖所示的雙極化天線300、第4圖所示的雙極化天線400、第5圖所示的雙極化天線500及第6圖所示的雙極化天線600,並以第3圖至第6圖中任一所示者的Y方向為剖面 線,繪示在x-z平面上的部分雙極化天線700。
雙極化天線700包含天線陣列710、第一隔離帶隙720以及第二隔離帶隙730。天線陣列710、第一隔離帶隙720以及第二隔離帶隙730皆形成於介質基板M上,且介質基板M設置於接地面G上。
一些實施例中,介質基板M的介電常數(dielectric constant)在2至6的範圍內。介質基板M的介電常數關聯於雙極化天線700的操作波長以及雙極化天線700中各元件的尺寸及其之間的相對設置。
天線陣列710相鄰設置於第一隔離帶隙720以及第二隔離帶隙730之間。天線陣列710包含多個天線單元710a、710b、710c、710d。一些實施例中,每一個天線單元相似於第1圖至第6圖中任一者所示的天線單元,在此不再敘述相同處。天線單元的數量僅為示例說明,在此不限制。
第一隔離帶隙720包含多個隔離單元722。第一隔離帶隙720相似於第1圖至第6圖中任一者所示的隔離帶隙,且隔離單元722相似於第1圖至第6圖中任一者所示的隔離單元,在此不再敘述相同處。隔離單元722的數量僅為示例說明,在此不限制。
第二隔離帶隙730包含多個隔離單元732。第二隔離帶隙730相似於第1圖至第6圖中任一者所示的隔離帶隙,且隔離單元732相似於第1圖至第6圖中任一者所示的隔離單元,在此不再敘述相同處。隔離單元732的數 量僅為示例說明,在此不限制。
一些實施例中,隔離單元722以及隔離單元732為相同的結構,且相對於天線陣列710分別具有相同的設置。
第8圖繪示根據第7圖的雙極化天線中的隔離單元722的部分剖面示意圖,其中第8圖是在x-z平面上的俯視圖。
隔離單元722包含頂面金屬片723以及連接金屬柱724。一些實施例中,隔離單元722是呈蘑菇形(mushroom-shape)。
頂面金屬片723形成於介質基板M上,並耦接連接金屬柱724。
一些實施例中,頂面金屬片723是呈現小正方形,並與接地面G大致上互相平行。一些實施例中,頂面金屬片723是呈現正三小形、圓形、橢圓形或梯形,在此不限制頂面金屬片723的形狀。
連接金屬柱724形成於介質基板M中,並經由連接金屬柱724耦接至接地面G。
一些實施例中,連接金屬柱724是呈現圓柱形,並皆與接地面G及頂面金屬片723大致上互相垂直。一些實施例中,連接金屬柱724是呈現三角柱或四角柱,在此不限制連接金屬柱724的形狀。
隔離單元722的最大邊長的長度(例如,第8圖所示的邊長的長度L3)小於雙極化天線700的操作頻率的 0.1倍波長(即,λ/10)。隔離單元722之間的隔離間隔的距離(例如,第8圖所示的間隔的距離D1)小於雙極化天線700的操作頻率的0.02倍波長(即,λ/50)。隔離單元722的高度(例如,第8圖所示的高度H1,包含由頂面金屬片723的頂面至連接金屬柱724的底端的距離)小於雙極化天線700的操作頻率的0.1倍波長(即,λ/10)。
綜上,本揭示文件提出的雙極化天線能適用於高隔離度與指向性的應用。當雙極化天線工作時,由於每個極化方向與隔離帶隙之間形成非0°或90°的夾角,具有不同極化方向的訊號不會被隔離帶隙阻擋而因此可以傳輸至另一訊號處理端。同時,雙極化天線能透過隔離帶隙阻擋其他的雜訊,因此雙極化天線具有良好的訊號隔離度。
雖然本揭示文件已以實施例揭露如上,然其並非用以限定本揭示文件,任何熟習此技藝者,在不脫離本揭示文件之精神和範圍內,當可作各種之更動與潤飾,因此本揭示文件之保護範圍當視後附之申請專利範圍所界定者為準。
100:雙極化天線
110:天線單元
111:第一饋入點
112:第二饋入點
113:第一邊緣
114:第二邊緣
120:隔離帶隙
121:隔離結構
122:隔離單元
M:介質基板
G:接地面
C:中心點
C1:中心點
C2:中心點
x、y、z:方向
D1:距離
D2:距離
D3:距離
DS:距離
DS1:距離
DS2:距離
L1:第一長度
L2:第二長度
L3:長度
H1:高度
S1、S2:訊號
θ1:第一夾角
θ2:第二夾角
Figure 109104238-A0305-02-0023-2
:電場方向
200:雙極化天線
210:第一天線單元
211:第一饋入點
212:第二饋入點
220:隔離帶隙
221:隔離結構
222:隔離單元
230:第二天線單元
231:第一饋入點
232:第二饋入點
300:雙極化天線
310:天線陣列
310a:天線單元
310b:天線單元
310c:天線單元
310d:天線單元
310e:天線單元
310f:天線單元
311a:第一饋入點
312a:第二饋入點
313a:第一邊緣
314a:第二邊緣
311b:第一饋入點
312b:第二饋入點
313b:第一邊緣
314b:第二邊緣
320:第一隔離帶隙
321:隔離結構
322:隔離單元
330:第二隔離帶隙
331:隔離結構
332:隔離單元
P1:第一群組
P2:第二群組
400:雙極化天線
410:天線陣列
410a:天線單元
410b:天線單元
420:第一隔離帶隙
421:隔離結構
422:隔離單元
430:第二隔離帶隙
431:隔離結構
432:隔離單元
500:雙極化天線
510:天線陣列
520:第一隔離帶隙
530:第二隔離帶隙
600:雙極化天線
610:天線陣列
620:第一隔離帶隙
630:第二隔離帶隙
700:雙極化天線
710:天線陣列
720:第一隔離帶隙
722:隔離單元
723:頂面金屬片
724:連接金屬柱
730:第二隔離帶隙
732:隔離單元
710a:天線單元
710b:天線單元
710c:天線單元
710d:天線單元
第1A圖繪示根據本揭示文件之一實施例的雙極化天線的示意圖。 第1B圖繪示根據第1A圖的雙極化天線的操作示意圖。 第2圖繪示根據本揭示文件之一實施例的雙極化天線的示意圖。 第3圖繪示根據本揭示文件之一實施例的雙極化天線的示意圖。 第4圖繪示根據本揭示文件之一實施例的雙極化天線的示意圖。 第5圖繪示根據本揭示文件之一實施例的雙極化天線的示意圖。 第6圖繪示根據本揭示文件之一實施例的雙極化天線的示意圖。 第7圖繪示根據本揭示文件之一實施例的雙極化天線的部分剖面示意圖。 第8圖繪示根據第7圖的雙極化天線的部分剖面示意圖。
國內寄存資訊(請依寄存機構、日期、號碼順序註記) 無 國外寄存資訊(請依寄存國家、機構、日期、號碼順序註記) 無
100:雙極化天線
110:天線單元
120:隔離帶隙
121:隔離結構
M:介質基板
x、y、z:方向
S1、S2:訊號
θ1:第一夾角
θ2:第二夾角
Figure 109104238-A0304-11-0002-11
:電場方向

Claims (20)

  1. 一種雙極化天線,包含:一第一天線單元,形成於一介質基板上,且被導通的該第一天線單元用以接收或發出具有一第一極化方向及一第二極化方向的訊號;一第二天線單元,形成於一介質基板上,且被導通的該第二天線單元用以接收或發出具有該第一極化方向及該第二極化方向的訊號;以及一隔離帶隙,形成於該介質基板上且設置鄰近於該第一天線單元,其中該第一極化方向與該隔離帶隙之間形成一第一夾角,且該第一夾角不為0°或90°,其中該第一天線單元的中心點與該隔離帶隙之間的最短距離等於該第二天線單元的中心點與該隔離帶隙之間的最短距離。
  2. 如請求項1所述之雙極化天線,其中該第二極化方向與該隔離帶隙之間形成一第二夾角,且該第二夾角不為0°或90°。
  3. 如請求項1所述之雙極化天線,其中該第一天線單元包含:一第一饋入點,用以接收或發出具有該第一極化方向的訊號;以及一第二饋入點,用以接收或發出具有該第二極化方向的 訊號,其中該第一饋入點設置鄰近於該第一天線單元的一第一邊緣,該第二饋入點設置鄰近於與該第一邊緣相鄰的該第一天線單元的一第二邊緣,且該第一邊緣的中心點與該第二邊緣的中心點分別與該隔離帶隙之間的距離相等。
  4. 如請求項3所述之雙極化天線,其中該第一邊緣及該第二邊緣的長度分別大約等於該第一天線單元的操作頻率的0.25倍波長。
  5. 如請求項1所述之雙極化天線,其中該第一天線單元的中心點與該隔離帶隙之間的一距離在該第一天線單元的操作頻率的0.3倍波長至0.5倍波長的範圍內。
  6. 如請求項1所述之雙極化天線,其中該隔離帶隙包含:複數隔離結構,其中該等隔離結構相互毗鄰設置。
  7. 如請求項第6項所述之雙極化天線,其中該等隔離結構的每一者為長條狀的金屬結構,且該等隔離結構的數量為偶數。
  8. 如請求項第7項所述之雙極化天線,其中該等隔離結構的每一者包含:複數隔離單元,其中該等隔離單元彼此鄰近設置,且該等隔離單元的相鄰二者之間相距的一隔離間隔小於該第一天線單元的操作頻率的0.02倍波長。
  9. 如請求項第8項所述之雙極化天線,其中該等隔離單元的每一者的最大邊長或高度小於該第一天線單元的操作頻率的0.1倍波長。
  10. 如請求項第8項所述之雙極化天線,其中該等隔離單元的每一者包含:一連接金屬柱;以及一頂面金屬片,該頂面金屬片經由該連接金屬柱耦接至接地面。
  11. 如請求項第1項所述之雙極化天線,其中該隔離帶隙設置於該第一天線單元與該第二天線單元之間,且該第一天線單元與該第二天線單元以該隔離帶隙為對稱軸呈對稱。
  12. 如請求項第1項所述之雙極化天線,其中該第一夾角在40°至50°的範圍內。
  13. 一種雙極化天線,包含:一天線陣列,形成於一介質基板上,且被導通的該天線陣列用以接收或發出具有一第一極化方向及一第二極化方向的訊號,其中該天線陣列至少劃分一第一群組及一第二群組,該第一群組及該第二群組分別具有複數天線單元;以及一第一隔離帶隙,形成於該介質基板上且設置鄰近於該天線陣列,其中該第一極化方向與該第一隔離帶隙之間形成一夾角,且該夾角不為0°或90°,其中該第一群組的該等天線單元的每一者的中心點與該隔離帶隙之間的最短距離相等,及該第二群組的該等天線單元的每一者的中心點與該隔離帶隙之間的最短距離相等。
  14. 如請求項第13項所述之雙極化天線,其中該第二極化方向與該第一極化方向為正交,且該第二極化方向與該第一隔離帶隙之間形成該夾角。
  15. 如請求項第13項所述之雙極化天線,其中該等天線單元的每一者包含:一第一饋入點,用以接收或發出具有該第一極化方向的訊號;以及一第二饋入點,用以接收或發出具有該第二極化方向的訊號, 其中該第一饋入點設置鄰近於該等天線單元的每一者的一第一邊緣,該第二饋入點設置鄰近於與該第一邊緣相鄰的該等天線單元的每一者的一第二邊緣,且該第一邊緣的中心點與該第二邊緣的中心點分別與該第一隔離帶隙之間的距離相等。
  16. 如請求項第15項所述之雙極化天線,其中對於該等天線單元的每一者而言,相對於與該第一隔離帶隙的距離,至少一第一部分的該等天線單元的每一者的該第一饋入點及該第二饋入點較遠離於該第一隔離帶隙,且至少一第二部分的該等天線單元的每一者的該第一饋入點及該第二饋入點較靠近於該第一隔離帶隙。
  17. 如請求項第15項所述之雙極化天線,其中該第一邊緣及該第二邊緣的長度分別大約等於該等天線單元的操作頻率的0.25倍波長。
  18. 如請求項第15項所述之雙極化天線,其中該等天線單元的中心點與該第一隔離帶隙之間的一最小距離在該等天線單元的操作頻率的0.3倍波長至0.5倍波長的範圍內。
  19. 如請求項第15項所述之雙極化天線,其中該等天線單元的相鄰二者之間相距的一天線單元間隔大約等於該等天線單元的操作頻率的0.5倍波長。
  20. 如請求項第13項所述之雙極化天線,更包含:一第二隔離帶隙,形成於該介質基板上並設置於該天線陣列的外側,其中該天線陣列設置於該第一隔離帶隙及該第二隔離帶隙之間。
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