TWI745184B - 天線結構 - Google Patents

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TWI745184B
TWI745184B TW109142103A TW109142103A TWI745184B TW I745184 B TWI745184 B TW I745184B TW 109142103 A TW109142103 A TW 109142103A TW 109142103 A TW109142103 A TW 109142103A TW I745184 B TWI745184 B TW I745184B
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鄭世杰
郭信郎
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智易科技股份有限公司
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Abstract

一種天線結構，包括基板、阻抗控制線、第一阻抗控制區及金屬件。阻抗控制線位於基板的第一側。第一阻抗控制區設於基板，位於阻抗控制線的一側，靠近阻抗控制線的第二端，與阻抗控制線之間藉由第一鏤空部隔開。金屬件設於基板且連接阻抗控制線的第一端、第二端和第一阻抗控制區。藉此，本發明藉由阻抗控制線和第一阻抗控制區控制5.85~7.25 GHz之間的高頻率的頻段範圍的阻抗，提供電流完整流動區域，提升阻抗控制效果、效率和增益，XZ平面的全向的輻射場型相當均勻，降低高頻率的頻段範圍的訊號損耗率，基板可選用FR-4等平價材料，適合安裝在Wi-Fi 6E的產品上。

Description

天線結構
本發明是有關一種天線結構，特別是一種用於高頻率的頻段範圍的天線結構。
第六代的Wi-Fi 6(也稱為802.11 ax)可提供更快的速度、更低的延遲和更高的裝置密度，將會是室內網路的絕佳存取選擇，例如：體育館、車站、商圈、音樂廳。一般的Wi-Fi 6使用的是2.4 GHz和5 GHz等低頻率的頻段範圍，Wi-Fi 6E則使用6 GHz以上等高頻率的頻段範圍。
習知的天線結構主要是設計給Wi-Fi 6的產品使用，適合應用在2.4 GHz和5 GHz等低頻率的頻段範圍，其基板使用的是FR-4等平價材料。
惟，習知的天線結構在6 GHz以上等高頻率的頻段範圍使用時，訊號容易損耗，效率、增益和輻射場型不符合需求，不適合安裝在Wi-Fi 6E的產品上。
上述問題可透過使用Rogers系列等專為高頻電路材料設計的基板解決。然而，Rogers系列的基板相當昂貴，增加成本。
本發明的主要目的在於提供一種天線結構，能夠藉由結構上的巧妙配置，提供電流完整流動區域，提升阻抗控制效果、效率和增益，XZ平面的全向的輻射場型相當均勻，降低高頻率的頻段範圍的訊號損耗率。
本發明的又一目的在於提供一種天線結構，基板的材料可選用FR-4等平價材料，降低成本。
本發明的再一目的在於提供一種天線結構，能夠以較小的體積應用在5.85~7.25 GHz之間的高頻率的頻段範圍，相當適合安裝在Wi-Fi 6E的產品上。
為了達成前述的目的，本發明提供一種天線結構，包括一基板、一阻抗控制線、一第一阻抗控制區以及一金屬件。
基板的寬度方向的兩側分別界定為一第一側及一第二側，基板的長度方向的兩端分別界定為一第一端及一第二端。
阻抗控制線位於基板的第一側，其長度方向平行於基板的長度方向，並且其兩端分別界定為一第一端及一第二端，阻抗控制線的第一端靠近基板的第一端，阻抗控制線的第二端靠近基板的第二端。
第一阻抗控制區設置於基板，位於阻抗控制線的一側，靠近阻抗控制線的第二端，其長度方向平行於基板的長度方向，並且其與阻抗控制線之間藉由一第一鏤空部隔開。
金屬件設置於基板，並且連接阻抗控制線的第一端、阻抗控制線的第二端和第一阻抗控制區的一端。
較佳地，阻抗控制線的長度為
Figure 02_image001
~
Figure 02_image003
。
較佳地，阻抗控制線的寬度為0.5 mm。
較佳地，第一阻抗控制區的長度為
Figure 02_image005
~
Figure 02_image007
。
較佳地，第一阻抗控制區與阻抗控制線的距離為
Figure 02_image009
。
較佳地，所述的天線結構更包括一第二阻抗控制區，靠近基板的第二側與基板的第二端之間的角落，並且與金屬件之間藉由一第二鏤空部隔開。
較佳地，第二阻抗控制區與金屬件的距離為
Figure 02_image009
乘以1.5。
較佳地，第二阻抗控制區的形狀為L形。
較佳地，所述的天線結構更包括一第三鏤空部，第三鏤空部靠近基板的第一端與基板的第二側之間的角落，金屬件環繞於第三鏤空部的周圍。
較佳地，所述的天線結構更包括一第二阻抗控制區及一第三鏤空部，第二阻抗控制區靠近基板的第二側與基板的第二端之間的角落，第二阻抗控制區的形狀為L形，第三鏤空部靠近基板的第一端與基板的第二側之間的角落；其中，金屬件包括一第一片體，第一片體包括一梯形部及一矩形部，梯形部包括一上底、一下底、一垂直邊及一斜邊，上底平行於下底且與基板的第一側重疊，垂直邊與基板的第二端重疊且垂直於上底和下底，斜邊位於垂直邊的相對側並且傾斜於上底和下底，斜邊連接阻抗控制線的第二端和第一阻抗控制區的一端，矩形部從下底靠近斜邊的一側往基板的第二側的方向延伸，第二阻抗控制區與下底之間藉由一第二鏤空部隔開，第二阻抗控制區與下底之間的距離為
Figure 02_image009
乘以1.5；以及其中，金屬件包括一第二片體，第二片體包括一分流部、一低頻部、一高頻部及一匯流部，分流部連接阻抗控制線的第一端、低頻部的一端和高頻部的一端，低頻部位於基板的第一端與第三鏤空部之間以及基板的第二側與第三鏤空部之間，高頻部位於第一鏤空部與第三鏤空部之間，匯流部連接低頻部的另一端與高頻部的另一端並且靠近矩形部，第二阻抗控制區與匯流部之間藉由第二鏤空部隔開，第二阻抗控制區與匯流部的距離為
Figure 02_image009
乘以1.5。
為了達成前述的目的，本發明提供一種天線結構，包括一基板、一阻抗控制線、一第一阻抗控制區、一金屬件、一第二阻抗控制區以及一第三鏤空部。
基板的寬度方向的兩側分別界定為一第一側及一第二側，基板的長度方向的兩端分別界定為一第一端及一第二端。
阻抗控制線位於基板的第一側，其長度方向平行於基板的長度方向，並且其兩端分別界定為一第一端及一第二端，阻抗控制線的第一端靠近基板的第一端，阻抗控制線的第二端靠近基板的第二端，阻抗控制線的長度為
Figure 02_image001
~
Figure 02_image003
。
第一阻抗控制區設置於基板，位於阻抗控制線的一側，靠近阻抗控制線的第二端，其長度方向平行於基板的長度方向，並且其與阻抗控制線之間藉由一第一鏤空部隔開，第一阻抗控制區的長度為
Figure 02_image005
~
Figure 02_image007
，第一阻抗控制區與阻抗控制線的距離為
Figure 02_image009
。
金屬件設置於基板，並且連接阻抗控制線的第一端、阻抗控制線的第二端和第一阻抗控制區的一端。
第二阻抗控制區靠近基板的第二側與基板的第二端之間的角落，與金屬件之間藉由一第二鏤空部隔開，與金屬件之間的距離為
Figure 02_image009
乘以1.5，並且其形狀為L形。
第三鏤空部靠近基板的第一端與基板的第二側之間的角落，金屬件環繞於第三鏤空部的周圍。
較佳地，阻抗控制線的寬度為0.5 mm。
較佳地，金屬件包括一第一片體，第一片體包括一梯形部及一矩形部，梯形部包括一上底、一下底、一垂直邊及一斜邊，上底平行於下底且與基板的第一側重疊，垂直邊與基板的第二端重疊且垂直於上底和下底，斜邊位於垂直邊的相對側並且傾斜於上底和下底，斜邊連接阻抗控制線的第二端和第一阻抗控制區的一端，矩形部從下底靠近斜邊的一側往基板的第二側的方向延伸，第二阻抗控制區與下底之間藉由第二鏤空部隔開，第二阻抗控制區與下底之間的距離為
Figure 02_image009
乘以1.5；以及其中，金屬件包括一第二片體，第二片體包括一分流部、一低頻部、一高頻部及一匯流部，分流部連接阻抗控制線的第一端、低頻部的一端和高頻部的一端，低頻部位於基板的第一端與第三鏤空部之間以及基板的第二側與第三鏤空部之間，高頻部位於第一鏤空部與第三鏤空部之間，匯流部連接低頻部的另一端與高頻部的另一端並且靠近矩形部，第二阻抗控制區與匯流部之間藉由第二鏤空部隔開，第二阻抗控制區與匯流部之間的距離為
Figure 02_image009
乘以1.5。
本發明的功效在於，本發明的天線結構能夠藉由阻抗控制線的電感效應控制6 GHz附近的高頻率的頻段範圍的阻抗，能夠藉由第一阻抗控制區的電感效應控制7 GHz附近的高頻率的頻段範圍的阻抗，能夠提供電流較為完整的流動區域，增加輻射頻寬，提升阻抗控制效果、效率和增益，XZ平面的全向的輻射場型相當均勻，降低高頻率的頻段範圍的訊號損耗率。
再者，本發明的天線結構能夠藉由第二阻抗控制區的電容效應的輔助，進一步提升阻抗控制效果、效率和增益。
此外，基板的材料可選用如FR-4等平價材料，降低成本。
又，本發明的天線結構能夠以較小的體積應用在5.85~7.25 GHz之間的高頻率的頻段範圍，相當適合安裝在Wi-Fi 6E的產品上。
以下配合圖式及元件符號對本發明的實施方式做更詳細的說明，俾使熟習該項技藝者在研讀本說明書後能據以實施。
請參閱圖1，圖1是本發明的天線結構的示意圖。如圖1所示，本發明提供一種天線結構，包括一基板10、一阻抗控制線20、一第一阻抗控制區30、一金屬件40、一第二阻抗控制區50以及一第三鏤空部80。
基板10的寬度方向的兩側分別界定為一第一側11及一第二側12，基板10的長度方向的兩端分別界定為一第一端13及一第二端14。
阻抗控制線20位於基板10的第一側11，其長度方向平行於基板10的長度方向。換言之，阻抗控制線20沿著基板10的第一側11延伸。阻抗控制線20的兩端分別界定為一第一端21及一第二端22，阻抗控制線20的第一端21靠近基板10的第一端13，阻抗控制線20的第二端22靠近基板10的第二端14。較佳地，阻抗控制線20的長度L1為
Figure 02_image001
~
Figure 02_image003
，阻抗控制線20的寬度W為0.5 mm。
第一阻抗控制區30設置於基板10，位於阻抗控制線20的一側，靠近阻抗控制線20的第二端22，其長度方向平行於基板10的長度方向，並且其與阻抗控制線20之間藉由一第一鏤空部60隔開。較佳地，第一阻抗控制區的長度L2為
Figure 02_image005
~
Figure 02_image007
，第一阻抗控制區30與阻抗控制線20的距離D1為
Figure 02_image009
。
金屬件40設置於基板10，並且連接阻抗控制線20的第一端21、阻抗控制線20的第二端22和第一阻抗控制區30的一端。
第二阻抗控制區50靠近基板10的第二側12與基板10的第二端14之間的角落，並且與金屬件40之間藉由一第二鏤空部70隔開。較佳地，第二阻抗控制區50與金屬件40的距離為
Figure 02_image009
乘以1.5，第二阻抗控制區50的形狀為L形。
第三鏤空部80靠近基板10的第一端13與基板10的第二側12之間的角落，金屬件40環繞於第三鏤空部80的周圍。
更明確地說，金屬件40包括一第一片體41及一第二片體42。第一片體41包括一梯形部411及一矩形部412，梯形部411包括一上底4111、一下底4112、一垂直邊4113及一斜邊4114，上底4111平行於下底4112且與基板10的第一側11重疊，垂直邊4113與基板10的第二端14重疊且垂直於上底4111和下底4112，斜邊4114位於垂直邊4113的相對側並且傾斜於上底4111和下底4112，斜邊4114連接阻抗控制線20的第二端22和第一阻抗控制區30的一端。矩形部412從下底4112靠近斜邊4114的一側往基板10的第二側12的方向延伸。第二阻抗控制區50與金屬件40的第一片體41的下底4112之間藉由第二鏤空部70隔開。較佳地，第二阻抗控制區50與下底4112的距離D2為
Figure 02_image009
乘以1.5。第二片體42包括一分流部421、一低頻部422、一高頻部423及一匯流部424，分流部421連接阻抗控制線20的第一端21、低頻部422的一端和高頻部423的一端，低頻部422位於基板10的第一端13與第三鏤空部80之間以及基板10的第二側12與第三鏤空部80之間，高頻部423位於第一鏤空部60與第三鏤空部80之間，匯流部424連接低頻部422的另一端與高頻部423的另一端並且靠近矩形部412。第二阻抗控制區50與金屬件40的第二片體42的匯流部424之間藉由第二鏤空部70隔開。較佳地，第二阻抗控制區50與匯流部424之間的距離D3為
Figure 02_image009
乘以1.5。
請參閱圖2，圖2是本發明的天線結構的電流流動路徑示意圖。如圖2所示，電流沿著阻抗控制線20通過阻抗控制線20的第一端21進入分流部421，進入分流部421的電流分成低頻電流和高頻電流，低頻電流通過低頻部422，高頻電流通過高頻部423，低頻電流和高頻電流匯集於匯流部424。匯集於匯流部424的電流進一步通過矩形部412和梯形部411從阻抗控制線20的第二端22回到阻抗控制線20，並且從阻抗控制線20的第二端22流動至阻抗控制線20的第一端21，以形成一環狀流動路徑。
請參閱圖3和圖4，圖3是本發明的天線結構的回波損耗曲線圖，圖4是安裝有本發明的天線結構的產品的回波損耗曲線圖。如圖3所示，本發明的天線結構在5.85~7.25 GHz之間的高頻率的頻段範圍的回波耗損(Return loss)低於-12 dB。如圖4所示，安裝有本發明的天線結構安裝的產品在5.85~7.25 GHz之間的高頻率的頻段範圍的回波耗損(Return loss)同樣低於-12 dB。因此，本發明的天線結構在5.85~7.25 GHz之間的高頻率的頻段範圍發射出去的電磁波，反射回來的能量損失較小。
請參閱圖5，圖5是本發明的天線結構的水平波辦圖。如圖5所示，本發明的天線結構的水平波辦十分均勻，代表本發明的天線結構在XZ平面的全向的輻射場型相當均勻。
本發明的天線結構在5.85~7.25 GHz之間的高頻率的頻段範圍的效率和增益的測試數據結果顯示於下列表一。
《表一》
頻率(MHz) 5850 5950 6050 6150 6250 6350 6450 6550
效率(%) 80 86 80 77 79 78 72 69
增益(dBi) 4.8 5.6 5.6 5.2 5.2 5.1 5.0 4.9
頻率(MHz) 6650 6750 6850 6950 7050 7150 7250  
效率(%) 68 60 66 66 66 64 64  
增益(dBi) 4.3 3.6 4.6 4.8 4.3 4.9 5.2  
如表一所示，本發明的天線結構在5.85~7.25 GHz之間的高頻率的頻段範圍的效率可達到64~80%，增益可達到3.6~5.6dBi。
藉此，本發明的天線結構能夠藉由阻抗控制線20的電感效應控制6 GHz附近的高頻率的頻段範圍的阻抗，能夠藉由第一阻抗控制區30的電感效應控制7 GHz附近的高頻率的頻段範圍的阻抗，能夠提供電流較為完整的流動區域，增加輻射頻寬，提升阻抗控制效果、效率和增益，XZ平面的全向的輻射場型相當均勻。因此，本發明的天線結構在5.85~7.25 GHz之間的高頻率的頻段範圍的回波耗損(Return loss)低於-12 dB，安裝有本發明的天線結構安裝的產品在5.85~7.2 5GHz之間的高頻率的頻段範圍的回波耗損(Return loss)同樣低於-12 dB，本發明的天線結構在5.85~7.25 GHz之間的高頻率的頻段範圍發射出去的電磁波，反射回來的能量損失較小，降低高頻率的頻段範圍的訊號損耗率。
再者，本發明的天線結構能夠藉由限制阻抗控制線20的長度L1為
Figure 02_image001
~
Figure 02_image003
以提供較佳的電感效應控制6 GHz附近的高頻率的頻段範圍的阻抗，同時能夠藉由限制第一阻抗控制區30與阻抗控制線20的相對位置以及限制第一阻抗控制區30與阻抗控制線20之間的距離D1為
Figure 02_image009
以及限制第一阻抗控制區30的長度L2為
Figure 02_image005
~
Figure 02_image007
以提供較佳的電感效應控制7 GHz附近的高頻率的頻段範圍的阻抗，電流的共振路徑長度約為
Figure 02_image001
~1
Figure 02_image011
，阻抗控制效果達到80%以上。
更且，阻抗控制線的寬度限制在0.5 mm則可提供更好的阻抗控制效果、效率和增益。
此外，本發明的天線結構能夠藉由第二阻抗控制區50的電容效應的輔助，進一步提升阻抗控制效果、效率和增益。
又，本發明的天線結構能夠藉由限制第二阻抗控制區50與金屬件40的下底4112的距離D2和匯流部的距離D3為
Figure 02_image009
乘以1.5，使得阻抗控制效果進一步提升約20%。因此，本發明的天線結構在5.85~7.25 GHz之間的高頻率的頻段範圍的效率可達到64~80%，增益可達到3.6~5.6 dBi。
值得一提的是，本發明的天線結構基於結構上的巧妙配置，能夠提供較佳的阻抗控制，降低高頻率的頻段範圍的訊號損耗率，因此基板10的材料可選用如FR-4等平價材料，不需要使用到如Rogers系列等較為昂貴的材料，降低成本。
還有，本發明的天線結構能夠以較小的體積應用在5.85~7.25 GHz之間的高頻率的頻段範圍，相當適合安裝在Wi-Fi 6E的產品上。
以上所述者僅為用以解釋本發明的較佳實施例，並非企圖據以對本發明做任何形式上的限制，是以，凡有在相同的發明精神下所作有關本發明的任何修飾或變更，皆仍應包括在本發明意圖保護的範疇。
10:基板 11:第一側 12:第二側 13:第一端 14:第二端 20:阻抗控制線 21:第一端 22:第二端 30:第一阻抗控制區 40:金屬件 41:第一片體 411:梯形部 4111:上底 4112:下底 4113:垂直邊 4114:斜邊 412:矩形部 42:第二片體 421:分流部 422:低頻部 423:高頻部 424:匯流部 50:第二阻抗控制區 60:第一鏤空部 70:第二鏤空部 80:第三鏤空部 D1~3:距離 L1~2:長度 W:寬度
［圖1］是本發明的天線結構的示意圖。 ［圖2］是本發明的天線結構的電流路徑示意圖。 ［圖3］是本發明的天線結構的回波損耗曲線圖。 ［圖4］是安裝有本發明的天線結構的產品的回波損耗曲線圖。 ［圖5］是本發明的天線結構的水平波瓣圖。
10:基板
11:第一側
12:第二側
13:第一端
14:第二端
20:阻抗控制線
21:第一端
22:第二端
30:第一阻抗控制區
40:金屬件
41:第一片體
411:梯形部
4111:上底
4112:下底
4113:垂直邊
4114:斜邊
412:矩形部
42:第二片體
421:分流部
422:低頻部
423:高頻部
424:匯流部
50:第二阻抗控制區
60:第一鏤空部
70:第二鏤空部
80:第三鏤空部
D1~3:距離
L1~2:長度
W:寬度

Claims (12)

  1. 一種天線結構，包括：一基板，其寬度方向的兩側分別界定為一第一側及一第二側，其長度方向的兩端分別界定為一第一端及一第二端；一阻抗控制線，位於該基板的該第一側，其長度方向平行於該基板的長度方向，並且其兩端分別界定為一第一端及一第二端，該阻抗控制線的該第一端靠近該基板的該第一端，該阻抗控制線的該第二端靠近該基板的該第二端；一第一阻抗控制區，設置於該基板，位於該阻抗控制線的一側，靠近該阻抗控制線的該第二端，其長度方向平行於該基板的長度方向，並且其與該阻抗控制線之間藉由一第一鏤空部隔開；一金屬件，設置於該基板，並且連接該阻抗控制線的該第一端、該阻抗控制線的該第二端和該第一阻抗控制區的一端；以及一第二阻抗控制區，靠近該基板的該第二側與該基板的該第二端之間的角落，並且與該金屬件之間藉由一第二鏤空部隔開。
  2. 如請求項1所述的天線結構，其中，該阻抗控制線的長度為λ/2~λ/4。
  3. 如請求項1所述的天線結構，其中，該阻抗控制線的寬度為0.5mm。
  4. 如請求項1所述的天線結構，其中，該第一阻抗控制區的長度為λ/8~λ/16。
  5. 如請求項1所述的天線結構，其中，該第一阻抗控制區與該阻抗控制線的距離為λ/20。
  6. 如請求項1所述的天線結構，其中，該第二阻抗控制區與該金屬件的距離為λ/20乘以1.5。
  7. 如請求項1所述的天線結構，其中，該第二阻抗控制區的形狀為L形。
  8. 如請求項1所述的天線結構，更包括一第三鏤空部，該第三鏤空部靠近該基板的該第一端與該基板的該第二側之間的角落，該金屬件環繞於該第三鏤空部的周圍。
  9. 如請求項1所述的天線結構，更包括一第二阻抗控制區及一第三鏤空部，該第二阻抗控制區靠近該基板的該第二側與該基板的該第二端之間的角落，該第二阻抗控制區的形狀為L形，該第三鏤空部靠近該基板的該第一端與該基板的該第二側之間的角落；其中，該金屬件包括一第一片體，該第一片體包括一梯形部及一矩形部，該梯形部包括一上底、一下底、一垂直邊及一斜邊，該上底平行於該下底且與該基板的該第一側重疊，該垂直邊與該基板的該第二端重疊且垂直於該上底和該下底，該斜邊位於該垂直邊的相對側並且傾斜於該上底和該下底，該斜邊連接該阻抗控制線的該第二端和該第一阻抗控制區的一端，該矩形部從該下底靠近該斜邊的一側往該基板的該第二側的方向延伸，該第二阻抗控制區與該下底之間藉由一第二鏤空部隔開，該第二阻抗控制區與該下底之間的距離為λ/20乘以1.5；以及其中，該金屬件包括一第二片體，該第二片體包括一分流部、一低頻部、一高頻部及一匯流部，該分流部 連接該阻抗控制線的該第一端、該低頻部的一端和該高頻部的一端，該低頻部位於該基板的該第一端與該第三鏤空部之間以及該基板的該第二側與該第三鏤空部之間，該高頻部位於該第一鏤空部與該第三鏤空部之間，該匯流部連接該低頻部的另一端與該高頻部的另一端並且靠近該矩形部，該第二阻抗控制區與該匯流部之間藉由該第二鏤空部隔開，該第二阻抗控制區與該匯流部的距離為λ/20乘以1.5。
  10. 一種天線結構，包括：一基板，其寬度方向的兩側分別界定為一第一側及一第二側，其長度方向的兩端分別界定為一第一端及一第二端；一阻抗控制線，位於該基板的該第一側，其長度方向平行於該基板的長度方向，並且其兩端分別界定為一第一端及一第二端，該阻抗控制線的該第一端靠近該基板的該第一端，該阻抗控制線的該第二端靠近該基板的該第二端，該阻抗控制線的長度為λ/2~λ/4；一第一阻抗控制區，設置於該基板，位於該阻抗控制線的一側，靠近該阻抗控制線的該第二端，其長度方向平行於該基板的長度方向，並且其與該阻抗控制線之間藉由一第一鏤空部隔開，該第一阻抗控制區的長度為λ/8~λ/16，該第一阻抗控制區與該阻抗控制線的距離為λ/20；一金屬件，設置於該基板，並且連接該阻抗控制線的該第一端、該阻抗控制線的該第二端和該第一阻抗控制區的一端； 一第二阻抗控制區，靠近該基板的該第二側與該基板的該第二端之間的角落，與該金屬件之間藉由一第二鏤空部隔開，與該金屬件之間的距離為λ/20乘以1.5，並且其形狀為L形；以及一第三鏤空部，靠近該基板的該第一端與該基板的該第二側之間的角落，該金屬件環繞於該第三鏤空部的周圍。
  11. 如請求項10所述的天線結構，其中，該阻抗控制線的寬度為0.5mm。
  12. 如請求項10所述的天線結構，其中，該金屬件包括一第一片體，該第一片體包括一梯形部及一矩形部，該梯形部包括一上底、一下底、一垂直邊及一斜邊，該上底平行於該下底且與該基板的該第一側重疊，該垂直邊與該基板的該第二端重疊且垂直於該上底和該下底，該斜邊位於該垂直邊的相對側並且傾斜於該上底和該下底，該斜邊連接該阻抗控制線的該第二端和該第一阻抗控制區的一端，該矩形部從該下底靠近該斜邊的一側往該基板的該第二側的方向延伸，該第二阻抗控制區與該下底之間藉由該第二鏤空部隔開，該第二阻抗控制區與該下底之間的距離為λ/20乘以1.5；以及其中，該金屬件包括一第二片體，該第二片體包括一分流部、一低頻部、一高頻部及一匯流部，該分流部連接該阻抗控制線的該第一端、該低頻部的一端和該高頻部的一端，該低頻部位於該基板的該第一端與該第三鏤空部之間以及該基板的該第二側與該第三鏤空部之間，該高頻部位於該第一鏤空部與該第三鏤空部之間，該匯流部連接該低頻部的另一端與該高頻部的另一端並且靠近該矩形 部，該第二阻抗控制區與該匯流部之間藉由該第二鏤空部隔開，該第二阻抗控制區與該匯流部之間的距離為λ/20乘以1.5。
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