TWI745129B - 光學膜偵測系統及應用其之光學膜偵測方法 - Google Patents

Abstract

光學膜偵測系統包括熱偵測裝置及處理器。熱偵測裝置用以偵測光學膜及環境的熱分布。處理器用以依據熱分布，判斷光學膜的膜邊界的位置。

Description

光學膜偵測系統及應用其之光學膜偵測方法

本發明是有關於一種偵測系統及應用其之偵測方法，且特別是有關於一種光學膜偵測系統及應用其之光學膜偵測方法。

習知偵測光學膜的方式是採用影像分析技術。例如，採用自動光學檢測(automated optical inspection,AOI)技術，擷取光學膜的影像，然後分析光學膜的特性。然而，影像分析技術通常涉及大量的資料運算及複雜演算法，且影像分析對於光學膜本身的皺褶的敏感度大，亦即，光學膜本身的皺褶可能導致影像分析結果的不準確。因此，如何提出一種能改善前述習知問題的技術是本技術領域業者努力的目標之一。

本發明係有關於一種光學膜偵測系統及應用其之光學膜偵測方法，可改善前述習知問題。

本發明一實施例提出一種光學膜偵測系統。光學膜偵測系統包括一第一熱偵測裝置及一處理器。第一熱偵測裝置用 以偵測光學膜及環境的一第一熱分布。處理器用以依據第一熱分布，取得光學膜的第一膜邊界的位置。

本發明另一實施例提出一種光學膜偵測方法。光學膜偵測方法包括以下步驟。偵測一光學膜的一第一熱分布；以及，依據第一熱分布，取得光學膜的一第一膜邊界的位置。

為了對本發明之上述及其他方面有更佳的瞭解，下文特舉實施例，並配合所附圖式詳細說明如下：

10:光學膜

11:第一局部

12:第二局部

100,100’,200,300:光學膜偵測系統

110,110’:第一熱偵測裝置

120:第二熱偵測裝置

130:處理器

140:測距裝置

150:反射元件

210,210’,210”:熱偵測組

220,220’:處理槽

230:滾輪

340:第一載件

340s:第一表面

350:第二載件

A1,A1’,A2:偵測軸

E11:第一膜邊界

E12:第一區域邊界

E21:第二膜邊界

E22:第二區域邊界

E3:上邊界

E4:下邊界

ER:參考位置

△E:偏移量

L1,L1’:第一距離

L2,L2’:第二距離

L3:間距

M1,M1’:第一溫度分布圖

M11,M11’:第一圖像邊界

M12,M12’:第三圖像邊界

M2:第二溫度分布圖

M21:第二圖像邊界

M22:第四圖像邊界

P1,P1’:像素

PL:平面

R1:第一修正比例

R2:第二修正比例

S1:第一熱分布

S2:第二熱分布

S3:所測得的數值

W1:寬度

第1A圖繪示本發明一實施例之光學膜偵測系統的示意圖。

第1B圖繪示第1A圖之光學膜偵測系統的另一視角的示意圖。

第2圖繪示第1A圖之光學膜偵測系統所偵測之第一溫度分布圖的示意圖。

第3圖繪示第1A圖之光學膜偵測系統所偵測之第二溫度分布圖M2的示意圖。

第4A圖繪示依照本發明另一實施例之光學膜偵測系統的示意圖。

第4B圖繪示第4A圖之光學膜偵測系統所偵測之第一溫度分布圖的示意圖。

第5A圖繪示依照本發明另一實施例之光學膜偵測系統的示意圖。

第5B圖繪示第5A圖之光學膜在經過處理槽前、後受到二熱偵測組偵測的示意圖。

第5C圖繪示第5B圖之光學膜在經過處理槽前、後的寬度變化示意 圖。

第6A圖繪示依照本發明另一實施例之光學膜偵測系統的示意圖。

第6B圖繪示第6A圖之光學膜偵測系統沿方向5B-5B’的剖面圖。

第7圖繪示第1A圖之光學膜偵測系統的光學膜偵測方法的流程圖。

第8圖繪示第5A圖之光學膜偵測系統的光學膜偵測方法的流程圖。

請參照第1A、1B、2及3圖，第1A圖繪示本發明一實施例之光學膜偵測系統100的示意圖，第1B圖繪示第1A圖之光學膜偵測系統100的另一視角的示意圖，第2圖繪示第1A圖之光學膜偵測系統100所偵測之第一溫度分布圖M1的示意圖，而第3圖繪示第1A圖之光學膜偵測系統100所偵測之第二溫度分布圖M2的示意圖。

光學膜偵測系統100可偵測及/或取得光學膜10的資訊，例如是光學膜10的邊界位置、寬度或其它與邊界位置有關的特性。光學膜10例如是單層膜或多層膜，包含對光學之增益、配向、補償、轉向、直交、擴散、保護、防黏、耐刮、抗眩、反射抑制、高折射率等有所助益的膜，例如，可為偏光膜、離型膜、廣視角膜、增亮膜、反射膜、保護膜、具有控制視角補償或雙折射(birefraction)等特性的配向液晶膜、硬塗膜、抗反射膜、防黏膜、擴散膜、防眩膜等各種表面經處理的膜或上述之組合，但不限於此。

在一實施例中，光學膜10可包括一聚乙烯醇(PVA)樹脂膜，其可藉由皂化聚醋酸乙烯樹脂製得。聚醋酸乙烯樹脂的例子包括醋酸乙烯之單聚合物，即聚醋酸乙烯，以及醋酸乙烯之共聚合物和其他能與醋酸乙烯進行共聚合之單體。其他能與醋酸乙烯進行共聚合之單體的例子包括不飽和羧酸(例如丙烯酸、甲基丙烯酸、丙烯酸乙酯、正丙烯酸丙酯、甲基丙烯酸甲酯)、烯烴(例如乙烯、丙烯、1-丁烯、2-甲丙烯)、乙烯醚(例如乙基乙烯醚、甲基乙烯醚、正丙基乙烯醚、異丙基乙烯醚)、不飽和磺酸(例如乙烯基磺酸、乙烯基磺酸鈉)等。

光學膜偵測系統100包括第一熱偵測裝置110、第二熱偵測裝置120、處理器130、測距裝置140及反射元件150。處理器130例如是任何採用半導體製程所形成的實體電路，如半導體晶片、半導體封裝件等。

第一熱偵測裝置110用以偵測光學膜10及環境的第一熱分布S1。處理器130用以依據第一熱分布S1，取得光學膜10的第一膜邊界E11的位置。如此，不需複雜的影像處理裝備(如，自動光學檢測設備)及/或影像處理演算法，依據光學膜10的本身溫度與環境溫度的差異，即可取得光學膜10的膜邊界的位置。前述「環境」指的是光學膜10以外的實體或空間，如光學膜10的背景。在一實施例中，「環境」可為空氣、處理槽體或處理槽液體等。

相較於自動光學檢測，第一熱偵測裝置110對於光學膜10的敏感度較小。詳言之，光學膜10的形變，如皺褶或反折、水平移動/晃動或垂直移動/晃動不影響第一熱偵測裝置110偵測光學膜10的熱分布的精度，或影響甚小。如此，即使在偵測過程中光學膜10發生形變、移動或晃動，光學膜偵測系統100也能精確地偵測光學膜10的邊界位置。此外，第一熱偵測裝置110本身不對光學膜10加熱，而是單純偵測光學膜10本身的熱分布。只要光學膜10相對於環境溫度較高或較低，光學膜偵測系統100即能依據光學膜10本身的熱分布，偵測出光學膜10的邊界位置。

在一實施例中，第一熱偵測裝置110的偵測光譜範圍例如是介於8微米~14微米，掃描頻度例如是介於0.5Hz~64Hz之間。在一實施例中，第一熱偵測裝置110可為一遠紅外線裝置。

在一實施例中，第一熱偵測裝置110例如是熱成像裝置(thermal imaging device)，其可偵測光學膜10及環境的第一熱分布S1，並傳送第一熱分布S1給處理器130。處理器130依據第一熱分布S1取得光學膜10的溫度分布。在一實施例中，第一熱分布S1例如是包含N筆輻射信號強度值。處理器130依據此N筆信號強度值，轉換成一n×m陣列(即，二維陣列，其中n×m=N)的第一溫度分布圖M1，如第2圖所示。第一溫度分布圖M1包含光學膜10的熱分布及環境的熱分布。處理器130可依據一輻射信號強度值與溫度值的對應關係(未繪示)，取得一輻射信號強度所對應之溫度值。前述的對應關係例如是表格或數學方程式。 如第2圖所示，第一溫度分布圖M1包含n×m個像素P1，各像素P1具有一顏色，其表示對應的溫度值。n及m例如是等於或大於1的正整數，且n與m可相等或不相等。在本實施例中，n例如是32，而m例如是24，然本發明實施例不受此限。

此外，處理器130用以：依據第一溫度分布圖M1的數個像素的數個溫度值，判斷第一溫度分布圖M1中對應光學膜10之第一膜邊界E11的至少一像素。舉例來說，如第2圖所示，第一溫度分布圖M1的像素P1’與鄰近像素P1(例如是反應環境溫度的像素)的顏色具有差異，表示像素P1’與鄰近像素P1具有一溫度差，處理器130依據溫度差，判斷第一溫度分布圖M1中對應光學膜10之第一膜邊界E11的像素為像素P1’。在實施例中，溫度差例如是介於攝氏0度~攝氏40度之間。當溫度差大於攝氏2度時處理器130即可準確分辨第一膜邊界E11的位置，且分辨正確率高於自動光學檢測設備。在一實施例中，在第一溫度分布圖M1中，對應光學膜10區域的數個像素的溫度值例如是介於攝氏23度至攝氏65度之間，而對應環境區域的數個像素的溫度值例如是介於攝氏23度至攝氏25度之間。然而，前述溫度值可視光學膜10的製程種類及所處環境種類而定，本發明實施例不加以限定。

第二熱偵測裝置120的種類及/或運作原理與第一熱偵測裝置110相同，於此不再贅述。處理器130取得第二溫度分布圖M2的原理與前述取得第一溫度分布圖M1的原理相同，於 此不再贅述。

在一實施例中，如第1B圖所示，第一熱偵測裝置110與第二熱偵測裝置120例如是共面，如共平面(如，與平面PL對齊)配置，使第一熱偵測裝置110及第二熱偵測裝置120相對於光學膜10的距離相等。本發明實施例之第一熱偵測裝置110與第二熱偵測裝置120的配置方式不受第1A圖所限。

在另一實施例中，第一熱偵測裝置110可相對光學膜10傾斜配置。第一熱偵測裝置110具有一偵測軸A1，其例如是第一熱偵測裝置110的偵測方向。偵測軸A1於XZ平面的投影相對於Z軸的夾角可介於+/-90度之間。例如，當角度為0度時，偵測軸A1垂直於光學膜10的膜面，第一熱偵測裝置110的方位即第1A圖所示之方位；當角度為+90度時，第一熱偵測裝置110正對光學膜10的上邊界E3；當角度為-90度時，第一熱偵測裝置110正對光學膜10的下邊界E4。相似地，第二熱偵測裝置120可相對光學膜10傾斜配置。第二熱偵測裝置120具有一偵測軸A2，其例如是第二熱偵測裝置120的偵測方向。偵測軸A2於XZ平面的投影相對於Z軸的夾角可介於+/-90度之間。例如，當角度為0度時，偵測軸A2垂直於光學膜10的膜面，第二熱偵測裝置120的方位即第1A圖所示之方位；當角度為+90度時，第二熱偵測裝置120正對光學膜10的上邊界E3；當角度為-90度時，第二熱偵測裝置120正對光學膜10的下邊界E4。

圖示的Z軸例如是垂直於光學膜10的膜面，XY平 面例如是平行於光學膜10的膜面，X軸例如是平行於第一膜邊界E11，而Y軸例如是垂直於第一膜邊界E11。

在另一實施例中，第一熱偵測裝置110的偵測軸A1於YZ平面的投影相對於Z軸的夾角可介於+/-90度之間。例如，當角度為0度時，偵測軸A1垂直於光學膜10的膜面，第一熱偵測裝置110的方位即第1A圖所示之方位；當角度為+90度時，第一熱偵測裝置110正對光學膜10的第一膜邊界E11；當角度為-90度時，第一熱偵測裝置110正對光學膜10的第二膜邊界E21。相似地，第二熱偵測裝置120的偵測軸A2於YZ平面的投影相對於Z軸的夾角可介於+/-90度之間。例如，當角度為0度時，偵測軸A1垂直於光學膜10的膜面，第二熱偵測裝置120的方位即第1A圖所示之方位；當角度為-90度時，第二熱偵測裝置120正對光學膜10的第二膜邊界E21；當角度為+90度時，第二熱偵測裝置120正對光學膜10的第一膜邊界E11。

如第1A圖所示，第一熱偵測裝置110所偵測的第一熱分布S1是光學膜10的第一局部11及環境的熱分布，而第二熱偵測裝置120所偵測的第二熱分布S2是光學膜10的第二局部12及環境的熱分布。處理器130更用以：(1).依據第一熱分布S1判斷第一膜邊界E11的位置；(2).依據第二熱分布S2判斷第二膜邊界E21的位置。在實施例中，第一膜邊界E11與第二膜邊界E21係光學膜10的相對二邊，第一膜邊界E11與第二膜邊界E21之間的距離為光學膜10的寬度W1。

處理器130更用以：依據第一局部11與第二局部12之間的間距L3、第一局部11的第一膜邊界E11的位置與第二局部12的第二膜邊界E21的位置，取得第一膜邊界E11與第二膜邊界E21之間的寬度W1。以下舉例詳細說明。

第2圖之第一溫度分布圖M1包括相對之第一圖像邊界M11與第三圖像邊界M12，第3圖之第二溫度分布圖M2包括相對之第二圖像邊界M21與第四圖像邊界M22。

光學膜10包含第一局部11及第二局部12。第一圖像邊界M11與第三圖像邊界M12分別對應第一局部11之相對的第一區域邊界E12與第一膜邊界E11，而第二圖像邊界M21與第四圖像邊界M22分別對應光學膜10的第二局部12之相對的第二區域邊界E22與第二膜邊界E21。處理器130更用以：(1).取得第一圖像邊界M11與第三圖像邊界M12之間的第一距離L1’；(2).取得第二圖像邊界M21與第四圖像邊界M22之間的第二距離L2’；(3).依據光學膜10之第一區域邊界E12與第二區域邊界E22之間的間距L3、第一溫度分布圖M1之第一距離L1’與第二溫度分布圖M2之第二距離L2’，取得第一膜邊界E11與第二膜邊界E21之間的寬度W1。

在一實施例中，處理器130可依據第一溫度分布圖M1上的第一距離L1’取得光學膜10的實際的第一距離L1(第一距離L1繪示於第1A圖)，且依據第二溫度分布圖M2上的第二距離L2’取得光學膜10的實際的第二距離L2(第二距離L2繪示於 第1A圖)，並依據第一距離L1、第二距離L2與間距L3取得光學膜10的寬度W1。舉例來說，第一距離L1’與第一距離L1具有一第一修正比例R1，而第二距離L2’與第二距離L2具有一第二修正比例R2。處理器130用以：(1).取得第一距離L1’與第一修正比例的一第一積值(即，L1'×R1的積值)；(2).以第一積值做為第一距離L1；(3).取得第二距離L2’與第二修正比例的一第二積值(即，L2'×R2的積值)；(4).以第二積值做為第二距離L2；以及，(5).依據下式(a)取得第一膜邊界E11與第二膜邊界E21之間的寬度W1。

W1=L1+L2+L3.....(a)

前述的第一修正比例R1及第二修正比例R2可預先儲存於處理器130，其可以在第一熱偵測裝置110、第二熱偵測裝置120與光學膜10之間的相對幾何關係架設完成後，經實驗或校正取得。視實際狀況而定，第一修正比例R1及/或第二修正比例R2的數值可以是等於1或是大於1或小於1的任意整數。

此外，前述間距L3例如是預先儲存於處理器130，在此例子中，光學膜偵測系統100可省略測距裝置140及反射元件150。或者，光學膜偵測系統100在偵測光學膜10的熱分布過程中由測距裝置140現場測得間距L3。例如，如第1A及1B圖所示，測距裝置140配置在第一熱偵測裝置110，用以偵測測距裝置140與反射元件150之間的距離。測距裝置140所測得的數值S3可等於第一局部11之第一區域邊界E12與第二局部12之 第二區域邊界E22之間的間距L3，或測距裝置140所測得的數值S3與一修正值(未繪示)的數學運算(如，加、減、乘、除中至少一種)的結果可等於間距L3。在一實施例中，數值S3為距離值，數值S3與修正值的積值等於間距L3。前述修正值可儲存於處理器130，其可以在第一熱偵測裝置110、第二熱偵測裝置120、光學膜10、測距裝置140與反射元件150之間的相對幾何關係架設完成後，經實驗或校正取得。

此外，測距裝置140與反射元件150之間的距離是可調整的，可產生以下技術效果至少一者：(1).配合該修正值，使測距裝置140所測得的數值S3與該修正值的數學運算結果等於間距L3；(2).使測距裝置140所測得的數值S3等於第一局部11之第一區域邊界E12與第二局部12之第二區域邊界E22之間的間距L3。

反射元件150配置於第二熱偵測裝置120，其可反射測距裝置140的發射訊號，使測距裝置140可接收到反射訊號，並依據反射訊號計算而得知測距裝置140與反射元件150之間的距離。反射元件150例如是反射鏡，可其它任何可反射測距裝置140的發射訊號的元件。在一實施例中，反射元件150可整合於第二熱偵測裝置120，例如，反射元件150可以是第二熱偵測裝置120的一部分，如第二熱偵測裝置120之外殼的一部分。

請參照第4A及4B圖，第4A圖繪示依照本發明另一實施例之光學膜偵測系統100’的示意圖，而第4B圖繪示第4A圖之光學 膜偵測系統100’所偵測之第一溫度分布圖M1’的示意圖。光學膜偵測系統100’包括第一熱偵測裝置110’及處理器130。光學膜偵測系統100’具有與前述光學膜偵測系統100相似或相同的特徵，不同處在於，光學膜偵測系統100’的熱偵測裝置的數量係一個，且省略測距裝置140及反射元件150。在本實施例中，第一熱偵測裝置110’的偵測軸A1’正對光學膜10的中間點，然此非用以限制本發明實施例。然第一熱偵測裝置110’的偵測軸A1’可正對光學膜10的任意位置，不限於中間點。此外，第一熱偵測裝置110’相對於光學膜10的配置方位可類似前述第一熱偵測裝置110或第二熱偵測裝置120相對於光學膜10的配置方位。

在本實施例中，第一熱偵測裝置110’可偵測光學膜10及環境之第一熱分布S1’。第一熱分布S1’例如是光學膜10的部分或全部的熱分布，其包含第一膜邊界E11及第二膜邊界E21。處理器130依據第一熱分布S1’，取得對應第一熱分布S1’之第一溫度分布圖M1’，其中第一溫度分布圖M1’包括相對之第三圖像邊界M12’與第四圖像邊界M22’，其中第三圖像邊界M12’與第四圖像邊界M22’分別對應光學膜10之相對的第一膜邊界E11與第一區域邊界E12。

光學膜偵測系統100’可採用前述光學膜偵測系統100的所採方法，分析第一溫度分布圖M1’，以取得光學膜10之寬度W1。

請參照第5A~5C圖，第5A圖繪示依照本發明另一實施 例之光學膜偵測系統200的示意圖，第5B圖繪示第5A圖之光學膜10在經過處理槽220前、後受到二熱偵測組210偵測的示意圖，而第5C圖繪示第5B圖之光學膜10在經過處理槽220前、後的寬度變化示意圖。

光學膜偵測系統200包括至少一熱偵測組210、處理器130、至少一處理槽220及數個滾輪230處理槽220例如是膨潤槽、染色槽、交聯槽及水洗槽中之一，但本揭露不限於此。此些滾輪230可傳輸光學膜10。

各熱偵測組210包括一個第一熱偵測裝置110、一個第二熱偵測裝置120、一個測距裝置140及一個反射元件150，為避免圖式過於複雜，第5B圖未繪示測距裝置140及反射元件150。熱偵測組210可採用前述相同方法，偵測光學膜10的寬度W1。各熱偵測組210可配置在不同位置，以偵測光學膜10經過不同處理槽220的寬度變化。

以相鄰二熱偵測組210來說，相鄰二熱偵測組210可分別配置在對應之處理槽220的上、下游位置，以偵測光學膜10經過處理槽220前、後的寬度。舉例來說，如第5A圖所示，數個熱偵測組210包含熱偵測組210’及210”，數個處理槽220包含處理槽220’。熱偵測組210’配置於處理槽220’的上游，以偵測光學膜10經過處理槽220’前的寬度W1’(寬度W1’繪示於第5C圖)，熱偵測組210”配置於處理槽220’的下游，以偵測光學膜10經過處理槽220’後的寬度W1”(寬度W1”繪示於第5C圖)。

處理器130可依據寬度W1’及寬度W1”，控制光學膜10的運動。例如，處理器130用以：(1).判斷寬度W1’與寬度W1”的比值(即，W1”/W1’的數值)是否等於一比值預設值，其中此比值預設值可以是一數值範圍內的任意數值，本發明實施例不限定前述數值範圍，其可視光學膜10的種類、製程、規格要求或其它會影響光學膜寬度的參數而定；(2).當寬度W1’與寬度W1”的比值不等於此比值預設值，表示光學膜10的寬度不在要求規格內，改變此些滾輪230的至少一者的運動參數(例如，改變滾輪230的位置、轉速、轉動方向及/或角度等)，以調整光學膜10的寬度。在實際光學膜製程中，處理器130可持續偵測光學膜10的最新寬度變化且依據光學膜10的寬度變化改變此些滾輪230的至少一者的運動參數(有需要的話)，直到光學膜10的寬度變化符合比值預設值。

請參照第6A及6B圖，第6A圖繪示依照本發明另一實施例之光學膜偵測系統300的示意圖，而第6B圖繪示第6A圖之光學膜偵測系統300沿方向6B-6B’的剖面圖。

光學膜偵測系統300包括第一熱偵測裝置110、第二熱偵測裝置120、處理器130、數個滾輪230(未繪示)、第一載件340及第二載件350。第一載件340具有一第一表面340s，第一表面340s鄰近且面向光學膜10，第一熱偵測裝置110配置在第一表面340s，以減少元件數量。第二載件350的結構同於或相似於第一載件340，於此不再贅述。第二熱偵測裝置120與第二載件350的相對關係同於或相似於第一熱偵測裝置110與第一載 件340的相對關係，於此不再贅述。在一實施例中，第一載件340及第二載件350可為一邊緣位置控制(Edge Position Control)装置。

如第6B圖所示，依據前述原理，第一熱偵測裝置110可持續偵測光學膜10的第一膜邊界E11的位置。此外，處理器130可依據光學膜10的第一膜邊界E11的位置，控制光學膜10的運動。舉例來說，處理器130用以：(1).依據據第一熱分布S1，取得光學膜10的第一膜邊界E11的位置；(2).取得第一膜邊界E11的位置與參考位置ER的偏移量△E；(3).判斷光學膜10的偏移量△E是否等於一偏移預設量，偏移預設量可以是一數值範圍的任意數值，本發明實施例不限定前述數值範圍，其可視光學膜10的種類、製程、規格要求或其它會影響光學膜的邊界位置的參數而定；以及，(4).當光學膜10的偏移量△E不等於此偏移預設量，表示光學膜10已偏離預設位置，改變此些滾輪230(未繪示)的至少一者的運動參數(例如，改變滾輪230的位置、轉速、轉動方向及/或角度等)，以調整光學膜10的第一膜邊界E11的位置。在實際光學膜製程中，處理器130可持續偵測光學膜10的第一膜邊界E11的最新位置變化且依據光學膜10的第一膜邊界E11的最新位置變化改變此些滾輪230的至少一者的運動參數(有需要的話)，直到光學膜10的第一膜邊界E11的最新位置變化變化符合偏移預設量。

請參照第7圖，其圖繪示第1A圖之光學膜偵測系統100的光學膜偵測方法的流程圖。

在步驟S110中，第一熱偵測裝置110偵測光學膜10及環境的第一熱分布S1。

在步驟S120中，處理器130依據第一熱分布S1，判斷光學膜10的第一膜邊界E11的位置。光學膜10包括第一局部11，第一局部11具有相對之第一膜邊界E11與第一區域邊界E12。

在步驟S130中，第二熱偵測裝置120偵測光學膜10及環境的第二熱分布S2。

在步驟S140中，處理器130依據第二熱分布S2，判斷光學膜10的第二膜邊界E21的位置。光學膜10包括第二局部12，第二局部12具有相對之第二膜邊界E21與第二區域邊界E22。

在步驟S150中，處理器130依據第一區域邊界E12與第二區域邊界E22之間的間距L3、第一膜邊界E11的位置與第二膜邊界E21的位置，取得第一膜邊界E11與第二膜邊界E21之間的寬度W1。步驟S150之取得寬度W1的詳細過程已於前述，於此不再贅述。

此外，雖然未繪示，在步驟S150後，光學膜偵測系統100的光學膜偵測方法更包括數個步驟：處理器130取得二寬度W1的比值、判斷比值是否等於一比值預設值以及當比值不等於比值預設值，控制光學膜10的運動，以改變光學膜10的寬度W1。此外，控制光學膜10運動的方式已於前述，於此不再贅述。

第5A圖之光學膜偵測系統200的光學膜偵測方法同於或相似於前述光學膜偵測系統100取的光學膜偵測方法，於此不再贅述。

請參照第8圖，其圖繪示第6A圖之光學膜偵測系統300的光學膜偵測方法的流程圖。

在步驟S210中，第一熱偵測裝置110偵測光學膜10及環境的第一熱分布S1。

在步驟S220中，處理器130依據第一熱分布S1，判斷光學膜10的第一膜邊界E11的位置。光學膜10包括第一局部11，第一局部11具有相對之第一膜邊界E11與第一區域邊界E12。

在步驟S230中，如第6B圖所示，處理器130取得第一膜邊界E11的位置與一參考位置ER的一偏移量△E。

在步驟S240中，處理器130判斷光學膜10的偏移量△E是否等於偏移預設量。當偏移量△E不等於偏移預設量，表示光學膜10已偏離預設位置，流程進入步驟S250；當偏移量△E等於偏移預設量，表示光學膜10位於預設位置，流程回到步驟S210，處理器130持續偵測光學膜10的第一膜邊界E11的位置的最新變化。

在步驟S250中，處理器130控制光學膜10的運動。控制光學膜10運動的方式已於前述，於此不再贅述。

綜上所述，雖然本發明已以實施例揭露如上，然其並非 用以限定本發明。本發明所屬技術領域中具有通常知識者，在不脫離本發明之精神和範圍內，當可作各種之更動與潤飾。因此，本發明之保護範圍當視後附之申請專利範圍所界定者為準。

10:光學膜

11:第一局部

12:第二局部

100:光學膜偵測系統

110:第一熱偵測裝置

120:第二熱偵測裝置

130:處理器

140:測距裝置

150:反射元件

E11:第一膜邊界

E12:第一區域邊界

E21:第二膜邊界

E22:第二區域邊界

L1:第一距離

L2:第二距離

L3:間距

S1:第一熱分布

S2:第二熱分布

S3:所測得的數值

W1:寬度

Claims (20)

1. 一種光學膜偵測系統，包括：一第一熱偵測裝置，用以：偵測一光學膜及一環境的一第一熱分布，其中該光學膜之溫度與該環境之一環境溫度具有差異；以及一處理器，用以：依據該第一熱分布，判斷該光學膜的一第一膜邊界的位置。
2. 如請求項1所述之光學膜偵測系統，更包括：一第二熱偵測裝置，用以：偵測該光學膜及該環境的一第二熱分布；其中，該處理器更用以：依據該第二熱分布，取得該光學膜的一第二膜邊界的位置。
3. 如請求項2所述之光學膜偵測系統，其中該第一熱分布係該光學膜的一第一局部的熱分布，而該第二熱分布係該光學膜的一第二局部的熱分布。
4. 如請求項2所述之光學膜偵測系統，其中該第一膜邊界與該第二膜邊界係該光學膜的相對二邊。
5. 如請求項2所述之光學膜偵測系統，其中該光學膜之一第一局部具有相對之該第一膜邊界與一第一區域邊界，該光 學膜之一第二局部具有相對之該第二膜邊界與一第二區域邊界；該處理器更用以：依據該第一熱分布，取得對應該第一熱分布之一第一溫度分布圖，其中該第一溫度分布圖包括相對之一第一圖像邊界與一第三圖像邊界；依據該第二熱分布，取得對應該第二熱分布之一第二溫度分布圖，其中該第二溫度分布圖包括相對之一第二圖像邊界與一第四圖像邊界；取得該第一圖像邊界與該第三圖像邊界之間一第一距離；取得該第二圖像邊界與該第四圖像邊界之間一第二距離；以及依據該第一區域邊界與該第二區域邊界之間的一間距、該第一距離與第二距離，取得該第一膜邊界與該二膜邊界之間的寬度。
6. 如請求項2所述之光學膜偵測系統，其中該光學膜之一第一局部具有相對之該第一膜邊界與一第一區域邊界，該光學膜之一第二局部具有相對之該第二膜邊界與一第二區域邊界；該處理器更用以：依據該第一區域邊界與該第二區域邊界之間的一間距、該第一膜邊界的位置與該第二膜邊界的位置，取得該第一膜邊界與該第二膜邊界之間的一寬度。
7. 如請求項6所述之光學膜偵測系統，更包括：一測距裝置，用以偵測該間距。
8. 如請求項6所述之光學膜偵測系統，其中該處理器更用以：取得二該寬度的一比值；判斷該比值是否等於一比值預設值；以及當該比值不等於該比值預設值，控制該光學膜的運動，以改變該光學膜的該寬度。
9. 如請求項1所述之光學膜偵測系統，其中該處理器更用以：取得該第一膜邊界的位置與一參考位置的一偏移量；判斷該光學膜的該偏移量是否等於一偏移預設量；以及當該偏移量不等於該偏移預設量，控制該光學膜的運動，以改變該第一膜邊界的位置。
10. 如請求項1~9之任一項所述之光學膜偵測系統，更包括：至少一處理槽及數個滾輪，其中該些滾輪用以傳輸該光學膜。
11. 如請求項10所述之光學膜偵測系統，其中該第一熱偵測裝置具有一偵測軸，且該偵測軸與該光學膜的夾角介於+/-90度之間。
12. 一種光學膜偵測方法，包括：偵測一光學膜及一環境的一第一熱分布，其中該光學膜之溫度與該環境之一環境溫度具有差異；以及依據該第一熱分布，判斷該光學膜的一第一膜邊界的位置。
13. 如請求項12所述之光學膜偵測方法，更包括：偵測該光學膜及該環境的一第二熱分布；以及依據該第二熱分布，取得該光學膜的一第二膜邊界的位置。
14. 如請求項13所述之光學膜偵測方法，其中該第一熱分布係該光學膜的一第一局部的熱分布，而該第二熱分布係該光學膜的一第二局部的熱分布。
15. 如請求項13所述之光學膜偵測方法，其中該第一膜邊界與該第二膜邊界係該光學膜的相對二邊。
16. 如請求項13所述之光學膜偵測方法，其中該光學膜之一第一局部具有相對之該第一膜邊界與一第一區域邊界，該光學膜之一第二局部具有相對之該第二膜邊界與一第二區域邊界；該光學膜偵測方法更包括：依據該第一熱分布，取得對應該第一熱分布之一第一溫度分布圖，其中該第一溫度分布圖包括相對之一第一圖像邊界與一第三圖像邊界；依據該第二熱分布，取得對應該第二熱分布之一第二溫度分布圖，其中該第二溫度分布圖包括相對之一第二圖像邊界與一第四圖像邊界；取得該第一圖像邊界與該第三圖像邊界之間一第一距離；取得該第二圖像邊界與該第四圖像邊界之間一第二距離；以及 依據該第一區域邊界與該第二區域邊界之間的一間距、該第一距離與第二距離，取得該第一膜邊界與該二膜邊界之間的寬度。
17. 如請求項13所述之光學膜偵測方法，其中該光學膜之一第一局部具有相對之該第一膜邊界與一第一區域邊界，該光學膜之一第二局部具有相對之該第二膜邊界與一第二區域邊界更包括：依據該第一區域邊界與該第二區域邊界之間的一間距、該第一膜邊界的位置與該第二膜邊界的位置，取得該第一膜邊界與該二膜邊界之間的一寬度。
18. 如請求項17所述之光學膜偵測方法，更包括：偵測該間距。
19. 如請求項17所述之光學膜偵測方法，更包括：取得二該寬度的一比值；判斷該比值是否等於一比值預設值；以及當該比值不等於該比值預設值，控制該光學膜的運動，以改變該第一膜邊界的該寬度。
20. 如請求項12所述之光學膜偵測方法，更包括：取得該第一膜邊界的位置與一參考位置的一偏移量；判斷該光學膜的該偏移量是否等於一偏移預設量；以及當該偏移量不等於該偏移預設量，控制該光學膜的運動，以改變該第一膜邊界的位置。

Images