TWI742539B - 反射器製造方法及相關之反射器 - Google Patents

反射器製造方法及相關之反射器 Download PDF

Info

Publication number
TWI742539B
TWI742539B TW109105679A TW109105679A TWI742539B TW I742539 B TWI742539 B TW I742539B TW 109105679 A TW109105679 A TW 109105679A TW 109105679 A TW109105679 A TW 109105679A TW I742539 B TWI742539 B TW I742539B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
substrate
reflector
radiation
bonding
lithography
Prior art date
Application number
TW109105679A
Other languages
English (en)
Other versions
TW202040592A (zh
Inventor
山德 巴斯 盧波
登 波斯 西特喜 希巨門 凡
Original Assignee
荷蘭商Ａｓｍｌ荷蘭公司
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 荷蘭商Ａｓｍｌ荷蘭公司 filed Critical 荷蘭商Ａｓｍｌ荷蘭公司
Publication of TW202040592A publication Critical patent/TW202040592A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI742539B publication Critical patent/TWI742539B/zh

Links

Images

Classifications

    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
    • B29D—PRODUCING PARTICULAR ARTICLES FROM PLASTICS OR FROM SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE
    • B29D11/00—Producing optical elements, e.g. lenses or prisms
    • B29D11/0074—Production of other optical elements not provided for in B29D11/00009- B29D11/0073
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
    • B29C—SHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
    • B29C65/00—Joining or sealing of preformed parts, e.g. welding of plastics materials; Apparatus therefor
    • B29C65/48—Joining or sealing of preformed parts, e.g. welding of plastics materials; Apparatus therefor using adhesives, i.e. using supplementary joining material; solvent bonding
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
    • B29C—SHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
    • B29C65/00—Joining or sealing of preformed parts, e.g. welding of plastics materials; Apparatus therefor
    • B29C65/02—Joining or sealing of preformed parts, e.g. welding of plastics materials; Apparatus therefor by heating, with or without pressure
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B17/00—Layered products essentially comprising sheet glass, or glass, slag, or like fibres
    • B32B17/06—Layered products essentially comprising sheet glass, or glass, slag, or like fibres comprising glass as the main or only constituent of a layer, next to another layer of a specific material
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B38/00—Ancillary operations in connection with laminating processes
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/0005—Production of optical devices or components in so far as characterised by the lithographic processes or materials used therefor
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
    • G03F7/70605—Workpiece metrology
    • G03F7/70616—Monitoring the printed patterns
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
    • G03F7/7085—Detection arrangement, e.g. detectors of apparatus alignment possibly mounted on wafers, exposure dose, photo-cleaning flux, stray light, thermal load
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
    • B29C—SHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
    • B29C59/00—Surface shaping of articles, e.g. embossing; Apparatus therefor
    • B29C59/02—Surface shaping of articles, e.g. embossing; Apparatus therefor by mechanical means, e.g. pressing
    • B29C2059/027—Grinding; Polishing
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B38/00—Ancillary operations in connection with laminating processes
    • B32B2038/0052—Other operations not otherwise provided for
    • B32B2038/0064—Smoothing, polishing, making a glossy surface
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B2457/00—Electrical equipment
    • B32B2457/14—Semiconductor wafers
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B38/00—Ancillary operations in connection with laminating processes
    • B32B38/18—Handling of layers or the laminate
    • B32B38/1866—Handling of layers or the laminate conforming the layers or laminate to a convex or concave profile

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Public Health (AREA)
  • Epidemiology (AREA)
  • Environmental & Geological Engineering (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Ophthalmology & Optometry (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Optical Elements Other Than Lenses (AREA)

Abstract

本發明揭示一種製造一反射器之方法。該方法包含研磨複數個實質上平坦基板之最上部實質上平坦基板的至少最上部表面，使每一實質上平坦基板變形為所要形狀，及將經變形之基板接合在一起以形成該反射器。在一實施例中，該變形及接合係使用一模具一起執行。

Description

反射器製造方法及相關之反射器
本發明係關於一種用於(但非獨占式地)度量衡裝置之光學系統及相關方法。
微影裝置為經建構以將所要圖案塗覆至基板上之機器。微影裝置可用於例如積體電路(IC)之製造中。微影裝置可例如將圖案化器件(例如光罩)處之圖案(亦通常被稱作「設計佈局」或「設計」)投影至提供於基板(例如晶圓)上之輻射敏感材料(抗蝕劑)層上。
為了將圖案投影於基板上，微影裝置可使用電磁輻射。此輻射之波長判定可形成於基板上的特徵之最小大小。當前在使用中之典型波長為365nm(i線)、248nm、193nm及13.5nm。相比於使用例如具有193nm之波長之輻射的微影裝置，使用具有在4至20nm之範圍內的波長(例如，6.7nm或13.5nm)之極紫外線(EUV)輻射的微影裝置可用以在基板上形成較小特徵。
低k1微影可用於處理尺寸小於微影裝置之典型解析度極限的特徵。在此類製程中，可將解析度公式表達為CD=k1×λ/NA，其中λ為所使用輻射之波長，NA為微影裝置中之投影光學件之數值孔徑，CD為 「臨界尺寸」(通常為經印刷之最小特徵大小，但在此情況下為半間距)，且k1為經驗解析度因數。一般而言，k1愈小，則在基板上再生類似於由電路設計者規劃之形狀及尺寸以便達成特定電功能性及效能的圖案變得愈困難。為了克服此等困難，可將複雜微調步驟應用於微影投影裝置及/或設計佈局。此等步驟包括例如但不限於：NA之最佳化、自訂照明方案、使用相移圖案化器件、設計佈局之各種最佳化，諸如設計佈局中之光學近接校正(OPC，有時亦被稱作「光學及製程校正」)，或通常被定義為「解析度增強技術」(RET)之其他方法。或者，用於控制微影裝置之穩定性之嚴格控制迴路可用於改良在低k1下的圖案之再生。
度量衡裝置或檢測裝置可用以判定藉由微影裝置在基板上製造之圖案之特性。現今光學度量衡技術之許多形式係已知的，且隨著所製造圖案中之臨界尺寸縮小，此等光學度量衡技術可能缺乏解析度。一種選項為在此度量衡裝置中使用具有相對較低波長，例如在軟X射線或極紫外線(EUV)光譜範圍內之輻射。相對較低波長可在0.1nm至100nm之範圍內，或在1nm至50nm之範圍內，或在10nm至20nm之範圍內。可藉由使用高階諧波產生(Higher Harmonic Generation；HHG)之原理而產生在此類波長內之輻射：紅外線(IR)輻射之短脈衝經聚焦於HHG介質(例如特定氣體)中且該HHG介質將所接收IR輻射之一部分轉換為軟X射線或EUV輻射。由HHG產生之輻射可包含相對較寬光譜中之處於不同波長的多個峰值。
在度量衡裝置中，照明子系統將輻射光束導向朝向基板上之所關注區。舉例而言，目標提供於所關注區處。較佳地，輻射光束聚焦於所關注區或目標上。此類照明子系統可包含反射光學組件(亦即，反射 器或鏡面)，其例如在掠入射時導向輻射光束。此類鏡面可能夠將軟X射線及/或EUV光譜範圍寬頻帶輻射導向至感測器上，且在一些情況可能夠聚焦此類寬頻帶輻射。
將期望改良目前製造此類鏡面之方法。
根據一態樣或實施例，包含製造一反射器之方法，其包含：研磨複數個實質上平坦基板之最上部實質上平坦基板的至少最上部表面；使每一實質上平坦基板變形為所要形狀；及將經變形之基板接合在一起以形成該反射器。
本發明亦揭示一種以此類方法製造之反射器，及包含此類反射器之照明子系統、度量衡裝置以及微影裝置。
本文中所描述之任何態樣或實施例之至少一個特徵可替換本文中所描述之任何態樣或實施例之任何對應特徵。本文中所描述之任何態樣或實施例之至少一個特徵可與本文中所描述之任何其他態樣或實施例組合。
200:度量衡裝置
202:紅外線雷射
204:HHG機構
206:視情況選用之IR阻擋元件
500:步驟
510:步驟
520:步驟
530:步驟/模具
540:步驟
550:步驟
700:光譜儀
704:照明輻射
708:反射輻射
710:反射光譜
712:光柵
713:偵測器
714:參考偵測器
732:照明子系統
750:高階偵測器
B:輻射光束
BD:光束遞送系統
BK:烘烤板
C:目標部分
CH:冷卻板
CL:電腦系統
DE:顯影器
IL:照明系統
IF:位置量測系統
LA:微影裝置
LACU:微影控制單元
LB:裝載匣
LC:微影單元
m1:第一反射器
m2:第二反射器
m3:第三反射器
M'1:光罩對準標記
M'2:光罩對準標記
MT:光罩支撐件/度量衡工具/散射計
OS:光學系統
PEB:曝光後烘烤步驟
P'1:基板對準標記
P'2:基板對準標記
PM:第一***
PS:投影系統
PW:第二***
SC:旋塗器
SC1:第一標度
SC2:第二標度
SC3:第三標度
SCS:監督控制系統
SF:高階量測信號
SO:輻射源
SR:參考量測信號
ST:反射量測信號
T:目標
TCU:塗佈顯影系統控制單元
W:基板
WT:基板支撐件
現將參看隨附示意性圖式而僅借助於實例來描述本發明之實施例，其中：-圖1描繪微影裝置之示意性綜述；-圖2描繪微影單元之示意性綜述；-圖3描繪整體微影之示意性表示，其表示用以最佳化半導體製造之三種關鍵技術之間的合作；-圖4描繪使用在軟X射線或EUV光譜範圍內之輻射的度量衡裝置之 示意性表示；及-圖5描繪根據本發明之實施例之所提出的製造反射器之方法之流程圖。
在本發明之文件中，術語「輻射」及「光束」用以涵蓋所有類型之電磁輻射，包括紫外輻射(例如具有為365、248、193、157或126nm之波長)及極紫外輻射(EUV，例如具有在約5至100nm之範圍內之波長)。
如本文中所使用之術語「倍縮光罩」、「光罩」或「圖案化器件」可被廣泛地解譯為係指可用以向入射輻射光束賦予經圖案化橫截面之通用圖案化器件，該經圖案化橫截面對應於待在基板之目標部分中產生之圖案。在此內容背景中，亦可使用術語「光閥」。除經典光罩(透射或反射、二元、相移、混合式等)以外，其他此類圖案化器件之實例包括可程式化反射器陣列及可程式化LCD陣列。
圖1示意性地描繪微影裝置LA。微影裝置LA包括：照明系統(亦被稱作照明器)IL，其經組態以調節輻射光束B(例如，UV輻射、DUV輻射或EUV輻射)；光罩支撐件(例如，光罩台)MT，其經建構以支撐圖案化器件(例如，光罩)MA且連接至經組態以根據某些參數準確地定位圖案化器件MA之第一***PM；基板支撐件(例如，晶圓台)WT，其經建構以固持基板(例如，抗蝕劑塗佈晶圓)W且連接至經組態以根據某些參數準確地定位基板支撐件之第二***PW；及投影系統(例如，折射投影透鏡系統)PS，其經組態以將由圖案化器件MA賦予至輻射光束B之圖案投影至基板W之目標部分C(例如，包含一或多個晶粒)上。
在操作中，照明系統IL例如經由光束遞送系統BD自輻射源SO接收輻射光束。照明系統IL可包括用於引導、塑形及/或控制輻射的各種類型之光學組件，諸如折射、反射、磁性、電磁、靜電及/或其他類型之光學組件或其任何組合。照明器IL可用以調節輻射光束B，以在圖案化器件MA之平面處在其橫截面中具有所要空間及角強度分佈。
本文中所使用之術語「投影系統」PS應被廣泛地解釋為涵蓋適於所使用之曝光輻射或適於諸如浸潤液體之使用或真空之使用之其他因素的各種類型之投影系統，包括折射、反射、反射折射、合成、磁性、電磁及/或靜電光學系統或其任何組合。可認為本文中對術語「投影透鏡」之任何使用均與更一般術語「投影系統」PS同義。
微影裝置LA可屬於如下類型，其中基板之至少一部分可由具有相對較高折射率之液體(例如水)覆蓋以便填充投影系統PS與基板W之間的空間，此亦被稱作浸潤微影。在以引用之方式併入本文中的US6952253中給出關於浸潤技術之更多資訊。
微影裝置LA亦可屬於具有兩個或更多個基板支撐件WT(又名「雙載物台」)之類型。在此類「多載物台」機器中，可並行地使用基板支撐件WT，及/或可對位於基板支撐件WT中之一者上的基板W進行準備基板W之後續曝光的步驟，同時將另一基板支撐件WT上之另一基板W用於在另一基板W上曝光圖案。
除了基板支撐件WT以外，微影裝置LA亦可包含量測載物台。量測載物台經配置以固持感測器及/或清潔器件。感測器可經配置以量測投影系統PS之屬性或輻射光束B之屬性。量測載物台可固持多個感測器。清潔器件可經配置以清潔微影裝置之部分，例如投影系統PS之部分 或提供浸潤液體之系統的部分。量測載物台可在基板支撐體WT遠離投影系統PS時在投影系統PS下移動。
在操作中，輻射光束B入射於被固持於光罩支撐件MT上之圖案化器件(例如光罩)MA上，且係由存在於圖案化器件MA上之圖案(設計佈局)而圖案化。在已橫穿光罩MA之情況下，輻射光束B傳遞通過投影系統PS，其將該光束聚焦至基板W之目標部分C上。藉助於第二***PW及位置量測系統IF，可準確地移動基板支撐件WT，例如以便在聚焦且對準之位置處在輻射光束B之路徑中定位不同目標部分C。類似地，第一***PM及可能的另一位置感測器(其未在圖1中明確地描繪)可用以相對於輻射光束B之路徑來準確地定位圖案化器件MA。可使用光罩對準標記M'1、M'2及基板對準標記P'1、P'2來對準圖案化器件MA及基板W。儘管如所說明之基板對準標記P'1、P'2佔據專用目標部分，但該等標記可位於目標部分之間的空間中。基板對準標記P'1、P'2在位於目標部分C之間時被稱為切割道對準標記。
如圖2中所展示，微影裝置LA可形成微影單元LC(有時亦被稱作微影單元(lithocell)或微影叢集((litho)cluster))之部分，該微影單元LC通常亦包括用以對基板W執行曝光前製程及曝光後製程之裝置。習知地，此等裝置包括沈積抗蝕劑層之旋塗器SC、顯影經曝光之抗蝕劑的顯影器DE、例如用於調節基板W之溫度(例如用於調節抗蝕劑層中之溶劑)的冷卻板CH及烘烤板BK。基板處置器或機器人RO自輸入/輸出埠I/O1、I/O2拾取基板W、在不同製程裝置之間移動基板W且將基板W遞送至微影裝置LA之裝載匣LB。微影單元中通常亦統稱為塗佈顯影系統之器件通常處於塗佈顯影系統控制單元TCU之控制下，該塗佈顯影系統控制單元 TCU自身可受到監督控制系統SCS控制，該監督控制系統SCS亦可例如經由微影控制單元LACU來控制微影裝置LA。
為了正確且一致地曝光由微影裝置LA曝光之基板W，需要檢測基板以量測經圖案化結構之屬性，諸如後續層之間的疊對誤差、線寬、臨界尺寸(CD)等。出於此目的，可在微影單元LC中包括檢測工具(未圖示)。若偵測到誤差，則可例如對後續基板之曝光或對待對基板W執行之其他處理步驟進行調整，尤其是在同一批量或批次之其他基板W仍待曝光或處理之前進行檢測的情況下。
亦可被稱作度量衡裝置或度量衡工具MT之檢測裝置係用以判定基板W之屬性，且尤其判定不同基板W之屬性如何變化或與同一基板W之不同層相關聯的屬性如何在不同層間變化。檢測裝置可替代地經建構以識別基板W上之缺陷，且可例如為微影單元LC之部分，或可整合至微影裝置LA中，或可甚至為獨立器件。檢測裝置可量測潛影(在曝光之後在抗蝕劑層中之影像)上之屬性，或半潛影(在曝光後烘烤步驟PEB之後在抗蝕劑層中之影像)上之屬性，或經顯影抗蝕劑影像(其中抗蝕劑之曝光部分或未曝光部分已被移除)上之屬性，或甚至經蝕刻影像(在諸如蝕刻之圖案轉印步驟之後)上之屬性。
通常，微影裝置LA中之圖案化製程為在處理中之最關鍵步驟中的一者，其需要基板W上之結構之尺寸標定及置放的高準確度。為了確保此高準確度，可將三個系統組合於所謂的「整體」控制環境中，如圖3中示意性地描繪。此等系統中之一者為微影裝置LA，其(實際上)連接至度量衡工具MT(第二系統)且連接至電腦系統CL(第三系統)。此「整體」環境之關鍵在於最佳化此等三個系統之間的合作以增強總體製程窗且提供 嚴格控制迴路，以確保由微影裝置LA執行之圖案化保持在製程窗內。製程窗定義特定製造製程產生經定義結果(例如功能性半導體器件)內--通常允許微影製程或圖案化製程中之製程參數變化內--的一系列製程參數(例如劑量、焦點、疊對)。度量衡工具MT可提供可出於多種目的而使用的資訊。由度量衡工具MT提供之資訊取決於在製造製程中執行度量衡量測之載物台。有可能在度量衡工具MT與用於製造製程中之其他工具之間產生回饋迴路，而例如作為微影、蝕刻或化學機械研磨(CMP)步驟之部分。由本發明之態樣或實施例提供之資訊可由度量衡工具MT使用，作為回饋迴路之部分，或由用於製造製程中之任何其他工具使用。
電腦系統CL可使用待圖案化之設計佈局(之部分)以預測使用哪種解析度增強技術且執行計算微影模擬及計算以判定哪種光罩佈局及微影裝置設定達成圖案化製程之最大總體製程(在圖3中由第一標度SC1中之雙箭頭描繪)。通常，解析度增強技術經配置以匹配微影裝置LA之圖案化可能性。電腦系統CL亦可用以偵測微影裝置LA當前正在製程窗內何處操作(例如，使用來自度量衡工具MT之輸入)以預測歸因於例如次佳處理是否可存在缺陷(在圖3中由第二標度SC2中之指向「0」之箭頭描繪)。
度量衡工具MT可將輸入提供至電腦系統CL以實現準確模擬及預測，且可將回饋提供至微影裝置LA以識別例如微影裝置LA之校準狀態中的可能漂移(在圖3中由第三標度SC3中之多個箭頭描繪)。
在微影製程中，需要頻繁地對所產生結構進行量測，例如用於製程控制及驗證。用以進行此類量測之工具通常被稱為度量衡工具MT。用於進行此類量測之不同類型的度量衡工具MT為吾人所知，包括掃描電子顯微鏡或各種形式之散射計度量衡工具MT。散射計為多功能器 具，其允許藉由在光瞳或與散射計之接物鏡之光瞳共軛的平面中具有感測器來量測微影製程之參數(量測通常被稱作以光瞳為基礎之量測)，或藉由在影像平面或與影像平面共軛之平面中具有感測器來量測微影製程之參數，在此狀況下量測通常被稱作以影像或場為基礎之量測。此類散射計及相關聯量測技術進一步描述於以全文引用之方式併入本文中之專利申請案US20100328655、US2011102753A1、US20120044470A、US20110249244、US20110026032或EP1,628,164A中。前述散射計可使用來自軟x射線及可見光至近IR波長範圍之光來量測光柵。
在第一實施例中，散射計MT為角度解析散射計。在此散射計中，重建構方法可經應用至經量測信號以重建構或計算光柵之屬性。此重建構可例如由模擬散射輻射與目標結構之數學模型之交互作用且比較模擬結果與量測之結果引起。調整數學模型之參數直至經模擬交互作用產生相似於自真實目標觀測到之繞射圖案的繞射圖案為止。
在第二實施例中，散射計MT為光譜散射計MT。在此光譜散射計MT中，由輻射源發射之輻射經導向至目標上且來自目標之經反射或經散射輻射經導向至光譜儀偵測器上，該光譜儀偵測器量測鏡面反射輻射的光譜(亦即依據波長而變化之強度之量測)。自此資料，可例如藉由嚴密耦合波分析(Rigorous Coupled Wave Analysis)及非線性回歸或藉由與經模擬光譜庫比較來重建構產生偵測到之光譜的目標之結構或輪廓。
在第三實施例中，散射計MT為橢圓量測散射計。橢圓量測散射計允許藉由量測針對各偏振狀態之散射輻射來判定微影製程之參數。此類度量衡裝置藉由在度量衡裝置之照明區段中使用例如適當偏振濾光器來發射偏振光(諸如線性、圓形或橢圓)。適用於度量衡裝置之源亦可 提供偏振輻射。現有橢圓量測散射計之各種實施例描述於以全文引用之方式併入本文中之美國專利申請案11/451,599、11/708,678、12/256,780、12/486,449、12/920,968、12/922,587、13/000,229、13/033,135、13/533,110及13/891,410中。
在散射計MT之一個實施例中，散射計MT適用於藉由量測反射光譜及/或偵測組態中之不對稱性(該不對稱性係與疊對之範圍有關)來量測兩個未對準光柵或週期性結構之疊對。可將兩個(通常重疊)光柵結構施加於兩個不同層(未必為連續層)中，且該兩個光柵結構可形成為處於晶圓上實質上相同的位置。散射計可具有如例如共同擁有之專利申請案EP1,628,164A中所描述之對稱偵測組態，以使得任何不對稱性為可明確區分的。此提供用以量測光柵中之未對準之直接方式。可在全文係以引用方式併入本文中之PCT專利申請公開案第WO 2011/012624號或美國專利申請案第US 20160161863號中找到經由作為目標之週期性結構之不對稱性來量測含有該等週期性結構之兩個層之間的疊對誤差的另外實例。
其他所關注參數可為焦點及劑量。可藉由如全文係以引用方式併入本文中之美國專利申請案US2011-0249244中所描述之散射量測(或替代地藉由掃描電子顯微法)同時判定焦點及劑量。可使用具有針對焦點能量矩陣(FEM-亦被稱作焦點曝光矩陣)中之每一點之臨界尺寸及側壁角量測之獨特組合的單一結構。若可得到臨界尺寸及側壁角之此等獨特組合，則可根據此等量測獨特地判定焦點及劑量值。
度量衡目標可為藉由微影製程主要在抗蝕劑中形成且亦在例如蝕刻製程之後形成的複合光柵之集合。此等光柵使由量測光學件捕捉之輻射繞射。量測光學件之設計可使得由散射計使用之波長及光學件之 NA可捕捉來自度量衡目標之繞射階，使得可判定光柵之諸如間距及線寬之參數。如較早所指示，繞射信號可用以判定兩個層之間的移位(亦被稱作「疊對」)或可用以重建構如藉由微影製程所產生的原始光柵之至少一部分。此重建構可用以提供微影製程之品質指導，且可用以控制微影製程之至少部分。目標可具有經組態以模仿目標中之設計佈局之功能性部分之尺寸的較小子分段。歸因於此子分段，目標將表現得更相似於設計佈局之功能性部分，使得總體製程參數量測更佳類似於設計佈局之功能性部分。可在填充不足模式中或在填充過度模式中量測目標。在填充不足模式中，量測光束產生小於總體目標之光點。在填充過度模式中，量測光束產生大於總體目標之光點。在此填充過度模式中，亦有可能同時量測不同目標，因此同時判定不同處理參數。
使用特定目標進行之微影參數之總體量測品質至少部分藉由用以量測此微影參數之量測配方予以判定。術語「基板量測配方」可包括量測自身之一或多個參數、經量測之一或多個圖案之一或多個參數，或此兩者。舉例而言，若用於基板量測配方中之量測為以繞射為基礎之光學量測，則量測之參數中之一或多者可包括輻射之波長、輻射之偏振、輻射相對於基板之入射角、輻射相對於基板上之圖案之定向，等等。用以選擇量測配方之準則中之一者可例如為量測參數中之一者對於處理變化之敏感度。更多實例描述於美國專利申請案US2016-0161863及尚未公開之美國專利申請案15/181,126中，該等申請案以全文引用的方式併入本文中。
作為對光學度量衡方法之替代方案，亦考慮使用軟X射線或EUV輻射，例如在介於0.1nm與100nm之間，或視情況介於1nm與50nm之間或視情況介於10nm與20nm之間的波長範圍內之輻射。度量衡工具 在上文所呈現之波長範圍中之一者中運行的一個實例為透射小角度X射線散射(如全文內容係以引用方式併入本文中的US 2007224518A中之T-SAXS)。Lemaillet等人在「Intercomparison between optical and X-ray scatterometry measurements of FinFET structures」(Proc.of SPIE,2013,8681)中論述使用T-SAXS之輪廓(CD)量測。吾人已知在掠入射下使用X射線(GI-XRS)及極紫外線(EUV)輻射之反射量測術技術用於量測基板上之膜及層堆疊之屬性。在一般反射量測術領域內，可應用測角計及/或光譜技術。在測角術中，量測在不同入射角下之反射光束之變化。另一方面，光譜反射量測術量測在給定角度下反射之波長之光譜(使用寬頻帶輻射)。舉例而言，EUV反射量測術已在供用於EUV微影中之倍縮光罩(圖案化器件)之製造之前用於光罩基底之檢測。
應用之範圍有可能使軟X射線或EUV域中之波長之使用係不足夠的。因此，已公開專利申請案US 20130304424A1及US2014019097A1(Bakeman等人/KLA)描述混合度量衡技術，其中將使用x射線進行之量測及運用在120nm與2000nm之範圍內之波長的光學量測組合在一起以獲得諸如CD之參數之量測。CD量測係藉由經由一或多個共同部分將x射線數學模型及光學數學模型耦合來獲得。
圖4展示可使用軟X射線或EUV輻射以判定基板之特性，例如晶圓W上之目標T之特性的度量衡裝置200。度量衡裝置200包含紅外線(IR)雷射202、HHG機構204、選用IR阻擋元件206、照明子系統732，該照明子系統732可包含參考偵測器714、高階偵測器750及光譜儀700。照明子系統732包含光學系統OS，光學系統之實例在本文中進一步詳細地加以描述。
IR雷射202接種高階諧波產生(HHG)機構204。IR雷射202產生IR輻射之短驅動脈衝，其以HHG介質之形式聚焦於HHG機構204內。HHG介質可為氣體。HHG介質已根據高階諧波產生原理而將IR輻射之一部分轉換成軟X射線及/或EUV輻射。緊湊的SXR輻射源包括HHG源，其中來自雷射之紅外線泵浦輻射藉由與氣態介質相互作用而轉換成較短波長輻射。HHG源可購自例如美國科羅拉多州博爾德市(Boulder Colorado)之KMLabs(http：//www.kmlabs.com/)。
所產生之軟X射線及/或EUV輻射進入照明子系統732。在進入照明子系統之前，視情況選用之IR阻擋元件206可阻擋IR驅動光束之相當大部分。照明子系統732可包含參考量測分支，該參考量測分支包含產生參考量測信號SR之參考偵測器714。參考偵測器714可為量測所產生之軟X射線及/或EUV輻射中之差異波長之強度的光譜儀之部分。
度量衡裝置200可包含用以收納並固持處於特定位置之基板的子系統，該基板諸如(例如)晶圓W。在一實施例中，子系統為晶圓台。晶圓W可包含一或多個特性可經判定之目標T。照明子系統732經配置以在使用中將照明輻射704導向至晶圓W上之目標T上，且照明子系統732可經配置以將照明輻射704聚焦至目標T上。
目標T或晶圓W上之任何其他結構可散射或繞射照明輻射704。反射輻射708(亦即鏡面反射輻射)係由光譜儀700接收。光譜儀可包含將輻射708反射成具有不同波長之反射光譜710的光柵712。反射光譜710係由產生反射量測信號ST之偵測器713捕捉。來自目標T之較高繞射階輻射照射於產生高階量測信號SF之高階偵測器750上。
裝置200中之一些或全部可被抽空，且抽空區可包括晶圓 W。
度量衡裝置200可包含接收參考量測信號SR、高階量測信號SF及/或反射量測信號ST之處理器(未圖示)及/或控制器。處理器及/或控制器可經配置以處理此等信號從而判定目標T之所關注屬性之量測值。視情況，處理器及/或控制器亦可藉由控制IR雷射202及/或HHG機構204從而控制軟X射線及/或EUV輻射之產生。該處理器及/或控制器亦可控制收納並固持晶圓W之子系統。
在下文中，論述適合於將輻射光束聚焦於包含目標T之所關注區上的一光學系統及另一光學系統。所論述之光學系統可用於度量衡裝置200之照明子系統732中。請注意，其亦可用於包含照明輻射源及用以收納並固持基板之基板台的檢測裝置中。
光學系統OS或另一光學系統OS上之潛在需求可以五項概括：光學系統OS可聚焦軟X射線或EUV光譜範圍內的輻射；光學系統OS可聚焦具有寬頻帶特性之輻射(或在相對較寬光譜中包含多波長峰值，或具有窄頻帶特性但允許例如藉由使用可調整單色器選擇中心波長)；光學系統OS可具有帶繞射極限聚焦的相對較大縮小率；光學系統OS可擬合於相對較小體積內以使得度量衡裝置具有相對較小佔據面積；及光學系統OS可使用參考量測分支之參考光柵。如本文中進一步描述，光學系統之縮小率可藉由表觀源尺寸與所關注區處之對應光束點尺寸之間的比率予以限定，其中光學系統將表觀源成像至所關注區上以形成光束點。
在一實施例中，一或多個反射器係用於操控由源產生之輻射光束B。輻射可在反射器上之掠入射角或近正入射角處照射。應理解，術語「反射器」可包含或指反射器。在一些實施例中，至少一個反射器可 包含反射元件，其可充當反射器。在一些實施例中，至少一個反射器可包含繞射元件，其可用以進行以下操作中之至少一者：反射、繞射及散射輻射。因此，繞射元件亦可充當反射器並繞射輻射。在術語「反射器」或「鏡面」在本文中使用的情況下，此可被理解為係指通用術語「反射器」。
EUV及SXR範圍內的輻射難以導向或聚焦，此係因為此類波長之折射光學元件僅可應用於一些非常特定的應用(例如菲涅爾波帶片)。因此對於大部分應用而言，必須使用反射器來執行EUV及軟X射線之導向及聚焦。此類反射器可包含例如，掠入射(例如相對於表面大約15度或更小)反射器，或窄帶多層塗佈近正入射反射器(通常稱為布拉格鏡面)。由於EUV及軟X射線輻射之極短波長，此類輻射之反射器的圖形誤差、斜率誤差及表面粗糙度要求係極嚴格的，以便聚集具有低波前像差之光及來自歸因於表面不完美性之表面散射的光斑。此類反射器之表面品質通常按不同長度比例或藉由功率頻譜密度(PSD)規定，或藉由參考以下三種不同方案中之均方根(RMS)整合數值以更緊湊方式來規定：極低的空間頻率或圖形誤差(通常空間頻率接近於光束佔據面積或通光孔徑之大小及/或<1mm-1)；中空間頻率或斜率誤差(通常為0.1mm-1至1mm-1)及高空間頻率或粗糙度(通常>1mm-1)。此等方案之準確定義通常為應用驅動的。
因而，為了聚焦輻射，需要高精確度的光反射器，其具有極低表面粗糙度(例如小於0.1nm RMS)、低斜率誤差(例如低於1μrad RMS)及低圖形誤差(例如低於1nm峰谷)。另外，反射器基板應包含具有低熱膨脹之材料，此係因為EUV輻射易於被吸收且轉換為熱量。當前製造此類反射器之方法包含在基板上之先進研磨技術，隨後視情況應用一或多 個塗層。塗層可包含例如銥、釕、金或諸如鉬-矽之多層堆疊或任何其他適合之塗層。藉由研磨使基板表面非常光滑；且為了實現必需光滑度，可使用先進研磨技術或超研磨技術。此類超研磨技術可包含磁流變精整(MRF)、離子束修形(IBF)或彈性發射機械加工(EEM)。在MRF中，懸浮於載體流體中之磁性粒子之漿體用於研磨，其使得使用磁場控制流體之一些屬性。IBF係基於離子至基板表面上之衝擊，將該等離子之部分能量轉移至表面上的原子使得其自固體射出，此製程亦被稱作濺射。EEM包含非接觸式機械加工製程，其中細粉粒子藉由水流動達至鏡面。表面原子之間的相互作用(較佳對於原子之群集或自表面中突出之峰)導致表面原子之移除，從而使原子尺度上的表面平滑。
儘管採用MRF、IBF或EEM之此類製造技術被展示為對在EUV及SXR範圍內製造輻射之反射器有效，但該等方法係困難、昂貴且耗時的。在經研磨表面並不平坦之情況時尤其如此。導致低粗糙度之研磨製程亦具有極低之材料移除率。此使得移除較大體積、例如改良中或低空間頻率中之表面品質非常耗時。此外，在中或低空間頻率上改良鏡面為確定性製程。此意謂在迭代製程中，藉由表面度量衡工具(類似白光干涉儀)量測表面，且將所得資料饋入至研磨機中以在所要之區域中選擇性地移除材料。表面度量衡愈來愈難以對具有較大彎曲之基板執行，且因此嚴重限制可經研磨至EUV或SXR波長處所需表面品質之鏡面的最大彎曲。因此，現將描述用於製造此類反射器之經改良更簡單的方法。
所提出之方法包含自塑形反射器以獲得必需輪廓之研磨/平滑步驟的去耦。提出使用已知技術可進行的研磨平坦表面直至非常光滑為止，且接著塑形反射器以在反射器表面上產生彎曲。產生彎曲及產生非常 光滑之表面因此變為獨立步驟。此類方法利用相較平滑具有特定定義之輪廓平滑平坦表面之相對簡單性的優勢。
提出該方法包含將一組平坦基板(諸如矽基板或晶圓)接合在一起。舉例而言，該等基板可基本上與在IC製造中經受曝光、蝕刻及切割之彼等類似。在一實施例中，可在認為有必要時(例如取決於所需彎曲程度)初始地薄化個別基板以支撐所需彎曲。
圖5概念地說明所提出之製造製程。在步驟500處，獲得複數個矽基板。在視情況選用之步驟510處，矽基板可製得更薄。此步驟可藉由例如晶圓背磨或蝕刻來執行。
在步驟520處，至少一個基板之頂部表面(亦即當基板經接合時之主表面、最上部表面、反射表面)經研磨至所需程度。此步驟可包含研磨將最大程度處於堆疊之頂部處的基板之頂部表面，而其他表面僅需要研磨至所選擇接合製程之必需程度(且若接合製程係基於黏著劑的，則可能完全不需要研磨)。在表面仍然平坦時對其進行研磨係非常有利的，此係因為研磨彎曲表面更加困難。除粗糙度外，亦應在研磨步驟期間控制橫跨基板之厚度均一性。每一基板應具有非常均一的厚度，此係由於厚度變化將導致反射器表面之形狀變化。
前述研磨或超研磨技術中之任一者可至少用於主表面、最上部表面。其他接合表面可使用不大廣泛之研磨技術，例如使用已經用於IC製造中之晶圓製備的晶圓研磨工具及裝置。舉例而言，化學機械研磨(CMP)可用於接合表面。
在步驟530及540處，基板經塑形、堆疊且接合在一起。在一特定實施例中，此可包含使用冷接合、直接接合或融熔接合技術(亦即 在無黏著劑之情況下)將每一基板單獨地塑形且接合至堆疊。直接接合描述在無任何額外中間層之情況下之晶圓接合製程。接合製程係基於在兩個表面之間的化學鍵之形成，當該等表面結合在一起時滿足材料(諸如矽)之諸多需求。用於接合之表面需求包括晶圓表面為足夠清潔、平坦及光滑的。因而，在使用直接接合時，以上提及之研磨步驟可包含研磨全部基板以促進此類接合。直接接合可包含在室溫下預接合及在高溫下退火之步驟。
因而，方法可包含將第一基板置放於模具中及施加足夠的力以使得其由模具530塑形。接著將下一基板置放於經塑形之第一基板之頂部上，以使得其亦由模具塑形且與第一基板接合。此接著針對全部基板進行重複。此處所說明之模具為陽模，亦即將模具之形狀拷貝成最終反射器形狀，而非將導致彎曲之反轉之陰模。可使用模具之任一類型。
最終，經接合之基板自模具釋放(步驟550)。最終結果與彎曲矽鏡面相似，但沒有保持其形狀所需之主動支撐，且具有無限大量的支撐點。可隨後再使用模具以用於製造另一反射器。在一實施例中，最終反射器可具有以下品質中之一些且較佳地為全部：極低表面粗糙度(例如小於0.1nm RMS)、低斜率誤差(例如低於1μrad RMS)及低圖形誤差(例如低於1nm峰谷)。
應瞭解，經接合之基板在自模具釋放時可能略微變形。因此，模具之形狀應包含此變形之預校正。此可包含例如在釋放之後模型化變形(例如使用有限元件模型化封裝件或類似者)及計算所要反射器形狀之最佳化校正模具形狀。
應瞭解，本文所描述之方法純粹為例示性且可使用不同接 合、研磨及/或模製技術。替代地或另外，在邏輯上或可能之情況下，可改變任一製程步驟之次序。製造製程並非必需為線性製程，且若步驟之間不存在直接從屬性，則可並行地及/或以另一次序執行該等步驟。
所提出之方法且尤其在反射器之製造中使用平坦矽晶圓可帶來額外效益。舉例而言，當晶圓仍然平坦時，提議開啟在頂部層上圖案化光柵之選項以例如產生光譜儀光柵。在另一實例中，圖案化光柵可包含可變線路空間(VLS)光柵，以例如用於塑形成平場光譜儀。此類光柵之圖案化可使用諸如圖1中所展示之微影裝置或掃描器；或替代地，使用全像技術而非微影；或替代地，使用基於光學或電子束之直接寫入微影製程來執行。
使用致動器功能化晶圓層中之一或多者以使鏡面變形係有可能的。由於層中之每一者應保持良好定義且均一的厚度，因此在一實施例中，此類致動器可嵌入於該等基板中之一或多者中。此類致動器亦可用以校正例如來源於組件基板之厚度變化之殘餘製造誤差(例如斜率誤差或圖形誤差)。可替代地或另外，致動器可用以將額外(例如圖形)組件施加至不存在於模具中之表面形狀。舉例而言，致動器可在形狀(例如圓柱形形狀)之頂部上增加2D自由形式校正，此是藉由使用模具之彎曲製程施加。對於複雜形狀，可合宜地將光學表面之形狀認作各種形狀或圖形組件之總和。原則上，橫向長度之控制及校正按比例縮小至子毫米應為可實現的。
致動器可包含例如熱致動器或壓電致動器。其中，熱致動器將更易於整合為標準晶圓處理技術，此係因為其為簡單電阻式元件。然而，應用此類熱致動器需要細心管理基板內之機械應力及熱梯度。另一方 面，壓電致動器可實現更精細度之控制，此係因為沒有需要保持之熱梯度，但需要較強電場及更多稀有材料。
亦有可能在反射器內部嵌入影像感測器。舉例而言，可使用此類感測器來偵測光束佔據面積。另外亦有可能為每個像素提供額外塗層以產生光譜資訊。簡單實例將為使用鋯之薄層來覆蓋一些像素，及使用鋁層(其具有與5至50nm非常不同之透射特性)覆蓋其他像素。可使用更多材料，例如硼、矽、鉬、釕。實例之第二類別包含應用週期性多層堆疊，例如MoSi多層，其可經調諧以抑制經選擇之窄頻帶光譜。甚至可設想更複雜的堆疊，例如非週期性多層，以若干罩蓋層終止之多層等。此等僅為少數實例，亦可設想許多其他實例。此類感測器可適用於例如在掃描器或度量衡工具中之先進劑量控制(包括光瞳解析及光譜資訊)。
在後續經編號條項中揭示其他實施例：
1.一種製造一反射器之方法，其包含：研磨複數個實質上平坦基板之最上部實質上平坦基板的至少最上部表面；使每一實質上平坦基板變形為所要形狀，及將經變形之基板接合在一起以形成該反射器。
2.如條項1之方法，其中該變形及接合步驟係使用一模具一起執行。
3.如條項2之方法，其中針對每一基板，該變形及接合步驟包含以下重複：在該模具中單獨地使該基板變形；及將該基板接合至該前述基板以形成定義該反射器之一堆疊。
4.如條項3之方法，其包含形成該模具，該模具具有對由於自該模具 釋放而導致之接合的基板之額外變形之一預校正。
5.如任一前述條項之方法，其中該基板之該接合包含在無黏著劑之情況下執行的一融熔接合方法。
6.如條項5之方法，其包含研磨該實質上平坦基板之全部接合表面以促進該融熔接合方法。
7.如條項6之方法，其中該最上部基板之該最上部表面經研磨至比其他接合表面更高之一標準。
8.如條項7之方法，其中該等其他接合表面係使用一化學機械研磨方法進行研磨。
9.如任一前述條項之方法，其中該方法為使得該反射器具有以下品質中之至少一些：小於0.1nm RMS之一表面粗糙度；低於1μrad RMS之一斜率誤差；及低於1nm峰谷之圖形誤差。
10 如任一前述條項之方法，其中該等基板包含矽基板。
11.如任一前述條項之方法，其中該最上部基板之該至少最上部表面的該研磨係使用一磁流變精整、離子束修形或彈性發射機械加工製程來執行。
12.如任一前述條項之方法，其包含在該接合步驟之前薄化該等基板之步驟。
13.如任一前述條項之方法，其包含在該變形步驟之前在該最上部實質上平坦基板的最上部表面前之頂部層上圖案化一光柵之步驟。
14.如條項13之方法，其中該光柵包含一光譜儀光柵。
15.如條項13之方法，其中該光柵包含一變線距光柵；用於一平場光譜儀。
16.如條項13、14或15之方法，其中圖案化一光柵之該步驟係使用一微影裝置來執行。
17.如條項13、14或15之方法，其中圖案化一光柵之該步驟係使用全像技術來執行。
18.如任一前述條項之方法，其包含在該等實質上平坦基板中之一或多者中嵌入至少一個致動器，該致動器可操作以使該反射器變形。
19.如條項18之方法，其中該等致動器可操作以針對殘餘製造誤差進行校正。
20.如條項18或19之方法，其中該等致動器可操作以施加諸如自由形式校正之額外圖形組件。
21.如條項18、19或20之方法，其中該等致動器包含嵌入於該接合基板內之熱致動器。
22.如條項18、19或20之方法，其中該等致動器包含壓電致動器。
23.如任一前述條項之方法，其包含將一影像感測器嵌入於該反射器內。
24.如條項23之方法，其中該影像感測器可操作以偵測入射其上之一光束的一佔據面積。
25.如條項23或24之方法，其中該影像感測器包含每個像素之複數個塗層，其可操作以自其上入射一光束產生光譜資訊。
26.一種根據如任一前述條項之方法製造的反射器。
27.一種照明子系統，其包含如條項26之至少一個反射器。
28.一種度量衡裝置，其包含如條項27之一照明子系統。
29.一種微影裝置，其包含如條項27之一照明子系統。
儘管可在本文中特定地參考在IC製造中微影裝置之使用，但應理解，本文所描述之微影裝置可具有其他應用。可能之其他應用包括製造整合式光學系統、用於磁域記憶體之導向及偵測圖案、平板顯示器、液晶顯示器(LCD)、薄膜磁頭等等。
儘管可在本文中特定地參考在微影裝置之內容背景中之本發明之實施例，但本發明之實施例可用於其他裝置中。本發明之實施例可形成光罩檢測裝置、度量衡裝置或量測或處理諸如晶圓(或其他基板)或光罩(或其他圖案化器件)之物件之任何裝置之部分。此等裝置可一般被稱作微影工具。此類微影工具可使用真空條件或環境(非真空)條件。
儘管上文可特定地參考在光學微影之內容背景中對本發明之實施例之使用，但應瞭解，本發明在內容背景允許之情況下不限於光學微影，且可用於其他應用(例如壓印微影)中。
儘管在本文中特定地參考「度量衡裝置」，但此術語亦可指檢測裝置或檢測系統。例如，包含本發明之一實施例的檢測裝置可用以偵測基板之缺陷或基板上之結構之缺陷。在此實施例中，基板上之結構之所關注特性可能係關於結構中之缺陷、結構之特定部分之不存在或基板上之非想要結構之存在。
在以上文件之內容背景中，引入術語HHG或HHG源。HHG係指高階諧波產生或有時被稱作高階諧波產生。HHG為非線性製程，在其中例如氣體、電漿或固體樣本之目標係由密集雷射脈衝照明。隨後，目標可發射頻率為雷射脈衝之輻射之頻率多倍的輻射。為倍數的此頻率被稱作雷射脈衝之輻射之諧波。可定義產生之HHG輻射為高於第五諧波之諧波且此等諧波稱為高階諧波。形成HHG製程之基礎之物理製程不 同於係關於產生較低諧波(通常為第2至第5諧波)之輻射的物理製程。較低諧波之輻射之產生係關於擾動理論。目標中之原子之(受限)電子的軌跡實質上係由基質離子之庫侖位能判定。在HHG中，有助於HHG製程之電子之軌跡實質上係由傳入雷射光之電場判定。在所謂的描述HHG之「三步驟模型」中，通過在彼力矩下之庫侖屏障之電子隧道實質上由雷射場抑制(步驟1)，沿著由雷射場判定之軌跡(步驟2)，且在釋放其動能及呈輻射形式之離子化能量時以一定概率重組(步驟3)。對HHG與較低諧波之輻射之產生之間的差異進行措辭之另一方式為將具有高於目標原子之離子化能量之光子能的所有輻射界定為「高階諧波」輻射，例如HHG產生輻射，且將具有低於離子化能量之光子能的所有輻射界定為非HHG產生輻射。若氖氣用作氣體目標，則具有短於62nm波長之所有輻射(具有高於20.18eV之光子能)係藉助於HHG製程產生。對於作為氣體目標之氬氣，具有高於約15.8eV之光子能之所有輻射係藉助於HHG製程產生。
貫穿本發明且在適當的情況下，術語「反射輻射」可被認為係指「鏡面反射輻射」。貫穿本發明且在適當的情況下，術語「繞射輻射」可被認為係指1繞射階輻射或更高繞射階輻射。
本文中所描述之一些實施例涉及包含第一反射器m1、第二反射器m2及第三反射器m3的光學系統OS。在此類實施例中，第二反射器m2及第三反射器m3可分別係指額外反射器及其他額外反射器之實例。本文中所描述之一些實施例涉及包含第一反射器m1、第二反射器m2、第三反射器m3及第四反射器m4的光學系統OS。在此類實施例中，第三反射器m3及第四反射器m4可分別係指額外反射器及其他額外反射器之實例。
雖然上文已描述本發明之特定實施例，但應瞭解，可以與 所描述方式不同之其他方式來實踐本發明。以上描述意欲為說明性，而非限制性的。因此，對於熟習此項技術者而言將顯而易見，可在不脫離下文 所陳述之申請專利範圍之範疇的情況下對如所描述之本發明進行修改。
500:步驟
510:步驟
520:步驟
530:步驟/模具
540:步驟
550:步驟

Claims (15)

  1. 一種製造用於一度量衡裝置之一反射器之方法，該方法包含：研磨複數個實質上平坦基板之最上部(uppermost)實質上平坦基板的至少最上部表面；使每一實質上平坦基板變形(deforming)為所要形狀，及將經變形之基板接合在一起以形成該反射器。
  2. 如請求項1之方法，其中該變形及接合步驟係使用一模具一起執行。
  3. 如請求項2之方法，其中針對每一基板，該變形及接合步驟包含以下重複：在該模具中單獨地使該基板變形；及將該基板接合至該前述基板以形成定義該反射器之一堆疊，且該方法進一步包含視情況形成該模具，該模具具有對由於自該模具釋放而導致之接合的基板之額外變形之一預校正。
  4. 如請求項1至3中任一項之方法，其中該基板之該接合包含在無黏著劑之情況下執行的一融熔接合方法。
  5. 如請求項4之方法，其包含研磨該實質上平坦基板之全部接合表面以促進該融熔接合方法。
  6. 如請求項5之方法，其中該最上部基板之該最上部表面經研磨至比其他接合表面更高之一標準，且其中視情況，使用一化學機械研磨方法研磨該等其他接合表面。
  7. 如請求項1至3中任一項之方法，其中該方法使得該反射器具有以下品質中之至少一些：小於0.1nm RMS之一表面粗糙度；低於1μrad RMS之一斜率誤差；及低於1nm峰谷之圖形誤差。
  8. 如請求項1至3中任一項之方法，其中該最上部基板之至少該最上部表面的該研磨係使用一磁流變精整、離子束修形或彈性發射機械加工製程來執行。
  9. 如請求項1至3中任一項之方法，其包含在該接合步驟之前薄化該等基板之步驟。
  10. 如請求項1至3中任一項之方法，其包含在該變形步驟之前，在該最上部實質上平坦基板的最上部表面前之頂部層上圖案化一光柵之步驟。
  11. 如請求項10之方法，其中該光柵包含一變線距光柵；用於一平場光譜儀。
  12. 如請求項1至3中任一項之方法，其包含在該等實質上平坦基板中之一或多者中嵌入至少一個致動器，該致動器可操作以使該反射器變形， 且其中視情況，該等致動器包含嵌入於該接合基板內之熱致動器。
  13. 如請求項1至3中任一項之方法，其包含將一影像感測器嵌入於該反射器內，且其中視情況，該影像感測器可操作以偵測入射其上之一光束的一佔據面積。
  14. 一種根據如請求項1至13中任一項之方法製造的用於一度量衡裝置之一反射器。
  15. 一種度量衡裝置，其包含一照明子系統，該照明子系統包含如請求項14之至少一個反射器。
TW109105679A 2019-02-26 2020-02-21 反射器製造方法及相關之反射器 TWI742539B (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
EP19159257.5 2019-02-26
EP19159257.5A EP3703114A1 (en) 2019-02-26 2019-02-26 Reflector manufacturing method and associated reflector

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW202040592A TW202040592A (zh) 2020-11-01
TWI742539B true TWI742539B (zh) 2021-10-11

Family

ID=65598457

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW109105679A TWI742539B (zh) 2019-02-26 2020-02-21 反射器製造方法及相關之反射器

Country Status (8)

Country Link
US (1) US20220134693A1 (zh)
EP (2) EP3703114A1 (zh)
JP (1) JP7330279B2 (zh)
KR (1) KR102676573B1 (zh)
CN (1) CN113474880A (zh)
IL (1) IL285233A (zh)
TW (1) TWI742539B (zh)
WO (1) WO2020173640A1 (zh)

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5724187A (en) * 1994-05-05 1998-03-03 Donnelly Corporation Electrochromic mirrors and devices
TWI308771B (en) * 2002-05-30 2009-04-11 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus, device manufacturing method, device manufactured thereby, control system, and computer program product
TW201606358A (zh) * 2014-07-11 2016-02-16 應用材料股份有限公司 極紫外線覆蓋層及其之製造與微影方法
US20160372628A1 (en) * 2015-06-19 2016-12-22 QMAT, Inc. Bond and release layer transfer process
TW201708846A (zh) * 2015-06-30 2017-03-01 蘇普利亞 傑西瓦爾 一種用於極紫外和軟x射線光學元件的塗層
TWI604228B (zh) * 2014-07-11 2017-11-01 應用材料股份有限公司 具有多層堆疊之極紫外線反射元件及其製造方法
TWI631411B (zh) * 2013-03-14 2018-08-01 美商應用材料股份有限公司 超平滑層紫外線微影術鏡及基板與其製造及微影術系統

Family Cites Families (21)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4927480A (en) * 1989-02-27 1990-05-22 Signet Armorlite, Inc. Method and clamping device for bonding thin lens wafers
JPH08201592A (ja) * 1995-01-26 1996-08-09 Nikon Corp 非球面反射光学素子
JPH10189406A (ja) * 1996-12-27 1998-07-21 Fujikoshi Mach Corp 鏡面ウェーハの接合装置
SG121818A1 (en) 2002-11-12 2006-05-26 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and device manufacturing method
US20060018045A1 (en) * 2003-10-23 2006-01-26 Carl Zeiss Smt Ag Mirror arrangement and method of manufacturing thereof, optical system and lithographic method of manufacturing a miniaturized device
US7791727B2 (en) 2004-08-16 2010-09-07 Asml Netherlands B.V. Method and apparatus for angular-resolved spectroscopic lithography characterization
JP2006173446A (ja) * 2004-12-17 2006-06-29 Nikon Corp 極端紫外線用の光学素子及びこれを用いた投影露光装置
US7481579B2 (en) 2006-03-27 2009-01-27 Jordan Valley Applied Radiation Ltd. Overlay metrology using X-rays
NL1036245A1 (nl) 2007-12-17 2009-06-18 Asml Netherlands Bv Diffraction based overlay metrology tool and method of diffraction based overlay metrology.
NL1036734A1 (nl) 2008-04-09 2009-10-12 Asml Netherlands Bv A method of assessing a model, an inspection apparatus and a lithographic apparatus.
NL1036857A1 (nl) 2008-04-21 2009-10-22 Asml Netherlands Bv Inspection method and apparatus, lithographic apparatus, lithographic processing cell and device manufacturing method.
KR101295203B1 (ko) 2008-10-06 2013-08-09 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. 2차원 타겟을 이용한 리소그래피 포커스 및 조사량 측정
NL2005162A (en) 2009-07-31 2011-02-02 Asml Netherlands Bv Methods and scatterometers, lithographic systems, and lithographic processing cells.
NL2007176A (en) 2010-08-18 2012-02-21 Asml Netherlands Bv Substrate for use in metrology, metrology method and device manufacturing method.
WO2013161906A1 (ja) * 2012-04-27 2013-10-31 並木精密宝石株式会社 複合基板の製造方法、半導体素子の製造方法、複合基板および半導体素子
US10801975B2 (en) 2012-05-08 2020-10-13 Kla-Tencor Corporation Metrology tool with combined X-ray and optical scatterometers
US10013518B2 (en) 2012-07-10 2018-07-03 Kla-Tencor Corporation Model building and analysis engine for combined X-ray and optical metrology
DE102014201622A1 (de) 2014-01-30 2015-08-20 Carl Zeiss Smt Gmbh Verfahren zum Herstellen eines Spiegelelements
KR102294349B1 (ko) 2014-11-26 2021-08-26 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. 계측 방법, 컴퓨터 제품 및 시스템
US10437158B2 (en) 2015-12-31 2019-10-08 Asml Netherlands B.V. Metrology by reconstruction
EP3367165A1 (en) 2017-02-23 2018-08-29 ASML Netherlands B.V. Methods of aligning a diffractive optical system and diffractive optical element

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5724187A (en) * 1994-05-05 1998-03-03 Donnelly Corporation Electrochromic mirrors and devices
TWI308771B (en) * 2002-05-30 2009-04-11 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus, device manufacturing method, device manufactured thereby, control system, and computer program product
TWI631411B (zh) * 2013-03-14 2018-08-01 美商應用材料股份有限公司 超平滑層紫外線微影術鏡及基板與其製造及微影術系統
TW201606358A (zh) * 2014-07-11 2016-02-16 應用材料股份有限公司 極紫外線覆蓋層及其之製造與微影方法
TWI604228B (zh) * 2014-07-11 2017-11-01 應用材料股份有限公司 具有多層堆疊之極紫外線反射元件及其製造方法
US20160372628A1 (en) * 2015-06-19 2016-12-22 QMAT, Inc. Bond and release layer transfer process
TW201708846A (zh) * 2015-06-30 2017-03-01 蘇普利亞 傑西瓦爾 一種用於極紫外和軟x射線光學元件的塗層

Also Published As

Publication number Publication date
JP7330279B2 (ja) 2023-08-21
TW202040592A (zh) 2020-11-01
KR102676573B1 (ko) 2024-06-18
EP3931866A1 (en) 2022-01-05
CN113474880A (zh) 2021-10-01
US20220134693A1 (en) 2022-05-05
EP3703114A1 (en) 2020-09-02
IL285233A (en) 2021-09-30
WO2020173640A1 (en) 2020-09-03
JP2022521373A (ja) 2022-04-07
KR20210121151A (ko) 2021-10-07

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI797362B (zh) 針對模擬系統之用於判定晶圓之層的蝕刻輪廓的方法
TWI765277B (zh) 用於在半導體製造程序中應用沉積模型之方法
TWI739103B (zh) 照明源裝置、其檢測方法、微影裝置及度量衡裝置
TWI643030B (zh) 基於通過波長相似性之度量衡堅固性
TWI773923B (zh) 光學系統、度量衡裝置及相關方法
KR20120031916A (ko) Ｅｕｖ 마스크 평평함을 평가하기 위한 방법 및 시스템
KR102166322B1 (ko) 메트롤로지 데이터로부터의 소스 분리
TWI787561B (zh) 基於局域電場調整圖案化製程之模型中之目標特徵之方法
TWI643028B (zh) 二維或三維形狀之階層式表示
TWI742384B (zh) 反射器及其製造方法、光學單元及檢測裝置
CN110945436B (zh) 用于参数确定的方法及其设备
US10983440B2 (en) Selection of substrate measurement recipes
TWI742539B (zh) 反射器製造方法及相關之反射器
NL2022635A (en) Reflector manufacturing method and associated reflector
TWI750933B (zh) 光學判定結構中之不同層中之金屬特徵之間的電接觸
TW202343150A (zh) 機械控制之應力工程光學系統及方法
EP3839631A1 (en) Determining relative positions of different layers in a structure
TW202340881A (zh) 用於從單照明源產生多個照明位點之系統及方法