TWI742201B - 整合式原子層沉積工具 - Google Patents

整合式原子層沉積工具 Download PDF

Info

Publication number
TWI742201B
TWI742201B TW106140676A TW106140676A TWI742201B TW I742201 B TWI742201 B TW I742201B TW 106140676 A TW106140676 A TW 106140676A TW 106140676 A TW106140676 A TW 106140676A TW I742201 B TWI742201 B TW I742201B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
processing chamber
batch
processing
wafer
single wafer
Prior art date
Application number
TW106140676A
Other languages
English (en)
Other versions
TW201830563A (zh
Inventor
慕庫德 史瑞尼凡生
哈利 波奈康提
約瑟夫 尤都史凱
亞歷山大Ｓ 波亞克
Original Assignee
美商應用材料股份有限公司
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 美商應用材料股份有限公司 filed Critical 美商應用材料股份有限公司
Publication of TW201830563A publication Critical patent/TW201830563A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI742201B publication Critical patent/TWI742201B/zh

Links

Images

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
    • C23C16/45523—Pulsed gas flow or change of composition over time
    • C23C16/45525—Atomic layer deposition [ALD]
    • C23C16/45527—Atomic layer deposition [ALD] characterized by the ALD cycle, e.g. different flows or temperatures during half-reactions, unusual pulsing sequence, use of precursor mixtures or auxiliary reactants or activations
    • C23C16/45536—Use of plasma, radiation or electromagnetic fields
    • C23C16/45542—Plasma being used non-continuously during the ALD reactions
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
    • C23C16/45523—Pulsed gas flow or change of composition over time
    • C23C16/45525—Atomic layer deposition [ALD]
    • C23C16/45544—Atomic layer deposition [ALD] characterized by the apparatus
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
    • C23C16/45523—Pulsed gas flow or change of composition over time
    • C23C16/45525—Atomic layer deposition [ALD]
    • C23C16/45527—Atomic layer deposition [ALD] characterized by the ALD cycle, e.g. different flows or temperatures during half-reactions, unusual pulsing sequence, use of precursor mixtures or auxiliary reactants or activations
    • C23C16/45534—Use of auxiliary reactants other than used for contributing to the composition of the main film, e.g. catalysts, activators or scavengers
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
    • C23C16/45523—Pulsed gas flow or change of composition over time
    • C23C16/45525—Atomic layer deposition [ALD]
    • C23C16/45544—Atomic layer deposition [ALD] characterized by the apparatus
    • C23C16/45548—Atomic layer deposition [ALD] characterized by the apparatus having arrangements for gas injection at different locations of the reactor for each ALD half-reaction
    • C23C16/45551—Atomic layer deposition [ALD] characterized by the apparatus having arrangements for gas injection at different locations of the reactor for each ALD half-reaction for relative movement of the substrate and the gas injectors or half-reaction reactor compartments
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/458—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for supporting substrates in the reaction chamber
    • C23C16/4582—Rigid and flat substrates, e.g. plates or discs
    • C23C16/4583—Rigid and flat substrates, e.g. plates or discs the substrate being supported substantially horizontally
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/54—Apparatus specially adapted for continuous coating
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02002—Preparing wafers
    • H01L21/02005—Preparing bulk and homogeneous wafers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/28—Manufacture of electrodes on semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/268
    • H01L21/283—Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current
    • H01L21/285—Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current from a gas or vapour, e.g. condensation
    • H01L21/28506—Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current from a gas or vapour, e.g. condensation of conductive layers
    • H01L21/28512—Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current from a gas or vapour, e.g. condensation of conductive layers on semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table
    • H01L21/28556—Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current from a gas or vapour, e.g. condensation of conductive layers on semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table by chemical means, e.g. CVD, LPCVD, PECVD, laser CVD
    • H01L21/28562—Selective deposition
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
    • H01L21/67161—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the layout of the process chambers
    • H01L21/67167—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the layout of the process chambers surrounding a central transfer chamber
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
    • H01L21/6719—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the construction of the processing chambers, e.g. modular processing chambers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
    • H01L21/67196—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the construction of the transfer chamber
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68764—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by a movable susceptor, stage or support, others than those only rotating on their own vertical axis, e.g. susceptors on a rotating caroussel
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68771—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by supporting more than one semiconductor substrate

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)

Abstract

處理平臺具有中央移送站、第一批次處理腔室、第一單晶圓處理腔室，該中央移送站具機器人，該第一批次處理腔室連接到中央移送站的第一側面，該第一單晶圓處理腔室連接到該中央移送站的第二側面，其中該第一批次處理腔室經配置在一批次時間同時處理x個晶圓，及該第一單晶圓處理腔室經配置而在約該批次時間的1/x時間內處理一晶圓。亦描述了使用處理平臺和處理複數個晶圓的方法。

Description

整合式原子層沉積工具
本揭示案一般涉及用於沉積薄膜的設備和方法。具體言之，本揭示案涉及整合式原子層沉積批次處理工具和使用方法。
藉由在基板表面上產生複雜圖案化的材料層的製程使得積體電路成為可能。在基板上產生圖案化材料需要針對沉積和去除材料層的受控方法。現代半導體製造處理越來越重視在製程步驟之間沒有空斷（air break）的膜的集成。此類需求對於設備製造商來說允許將各種製程室整合到單一工具中是一個挑戰。
原子層沉積（ALD）是用於沉積薄膜的一種已經變得流行的製程。原子層沉積是此類一種方法，其中將基板暴露於前驅物，前驅物化學吸附於基板表面，接著暴露於與所化學吸附的前驅物反應的反應劑（reactant）。ALD製程是自限性的，且可以提供分子層級的薄膜厚度控制。然而，由於需要在暴露於前驅物和反應劑之間淨化反應腔室，所以ALD處理可能是耗時的。
因此，在本領域中對於用於半導體製造有效地沉積膜的設備和方法是有其需求的。
本揭示案的一個或更多個實施例係針對處理平臺，其包括其中具有機器人的中央移送站。中央移送站具有複數個側面。第一批次處理腔連接到中央移送站的第一側面。第一批次處理腔室經配置在一批次時間同時處理x個晶圓。第一單晶圓處理腔室連接到中央移送站的第二側面。第一單晶圓處理腔室經配置而在約該批次時間的1/x時間內處理一晶圓。
本揭示案另外的實施例針對處理平臺，其包括其中具有機器人的中央移送站。中央移送站具有複數個側面。機器人具有第一臂和第二臂。第一批次處理腔連接到中央移送站的第一側面。第一批次處理腔室經配置在一批次時間同時處理x個晶圓。第一單晶圓處理腔室連接到中央移送站的第二側面。第一單晶圓處理腔室經配置而在約該批次時間的1/x時間內處理一晶圓。第二批次處理腔連接到中央移送站的第三側面。第二批次處理腔室經配置而在第二批次時間內同時處理y個晶圓。第二單晶圓處理腔室連接到中央移送站的第四側面。第二單晶圓處理腔室經配置而在約該第二批次時間的1/y時間內處理一晶圓。第一緩衝站連接到中央移送站的第五側面。第二緩衝站連接到中央移送站的第六側面。狹縫閥定位於處理腔室和中央移送站之間。控制器連接到機器人且經配置用機器人的第一臂在第一單晶圓處理腔室和第一批次處理腔室之間移動晶圓以及用機器人的第二臂在第二單晶圓處理腔室和第二批次處理腔室之間移動晶圓。控制器經配置使用第一臂在第一緩衝站與第一單晶圓處理腔室或第一批次處理腔室中的一個或更多個處理腔室之間移動晶圓，以及控制器經配置使用第二臂在第二緩衝站與第二單晶圓處理腔室或第二批次處理腔室中的一個或更多個處理腔室之間移動晶圓。該等處理腔室中的各者進一步包括複數個進出門，該複數個進出門在處理腔室的側面上，以允許手動進出該處理腔室而不須將處理腔室自中央移送站移除。單一電源連接器向處理腔室的各者和中央移送站提供電力。
本揭示案的進一步實施例針對批次處理複數個半導體晶圓的方法。該方法包括以下步驟： （a1）使用機器人的第一臂將晶圓定位在第一單晶圓處理腔室中； （b1）在第一單晶圓處理腔室中在第一批次時間的1/x時間內處理該晶圓； （c1）使用第一臂將在第一單晶圓處理腔室中處理的該晶圓移動到第一批次處理腔室，該第一批次處理腔室經配置在該第一批次處理時間內同時處理x個晶圓； （d1）重複（a1）到（c1）步驟直到第一批次處理腔室裝載有x個晶圓； （e1）使用第一機器人將一晶圓定位在該第一單晶圓處理腔室中； （f1）在第一單晶圓處理腔室中處理該晶圓； （g1）將一晶圓自第一批次處理腔室移除以在第一批次處理腔室中打開一處理空間； （h1）將該晶圓從第一單晶圓處理腔室移動到該第一批次處理腔室中的該開放處理空間；及 （i1）重複（e1）到（h1）步驟直到已經透過第一單晶圓處理腔室和第一批次處理腔室中的各者已經處理了一預定數量的晶圓。
在描述本發明的幾個示例性實施例之前，應當理解，本發明不限於以下說明書中所闡述的構造細節或處理步驟。本發明能夠以各種方式來實施或施行其他實施例。
本說明書所用的「晶圓」或「基板」是指任何基板或在製造過程期間在所施行膜處理的基板上形成的材料表面。例如，可在其上施行處理的基板表面包括如下的材料，矽、氧化矽、應變矽、絕緣體上矽（SOI）、摻碳的氧化矽、非晶矽、摻雜矽、鍺、砷化鎵、玻璃、藍寶石及任何其他材料，如金屬、金屬氮化物、金屬合金以及取決於應用的其他導電材料。基板包括但不限於半導體晶圓。可將基板暴露於預處理製程以拋光、蝕刻、還原、氧化、羥基化、退火、UV固化、電子束固化和/或烘烤基板表面。除了直接在基板本身的表面上進行膜處理外，在本發明中，所揭露的任何膜處理步驟亦可在如以下更詳盡揭露的基板上形成的底層（underlayer）上進行，術語「基板表面」意欲包括上下文所示的底層。因此，例如，在膜/層或部分膜/層已經沉積到基板表面上的情況下，新沉積的膜/層所暴露的表面成為基板表面。
本揭示的實施例提供原子層沉積平臺，除了一個或兩個批次處理腔室之外，亦允許安裝額外的非ALD或ALD處理腔室。一些實施例有利地提供可以作為另一個平臺擴充的平臺，如，叢集工具，如來自加州聖塔克拉拉的應用材料公司的Producer® GT™ 。某些實施例進一步擴充能力以施行膜沉積或去除的各種製程，而無需在完成之前在系統外部輸送晶圓。某些實施例可以有利地與選擇性沉積和蝕刻製程一起使用而沒有空斷。
圖1表示根據本揭示案的一個或更多個實施例的處理平臺100。圖1所示的實施例僅為代表一種可能的配置，不應視為限制本揭示案的範圍。例如，在一些實施例中，處理平臺100具有不同數量的處理腔室、緩衝室和機器人配置。
處理平臺100包括中央移送站110，中央移送站110具有複數個側面111、112、113、114、115、116。所示移送站110具有第一側面111、第二側面112、第三側面113、第四側面114、第五側面115和第六側面116。儘管所示為六個側面，但是發明所屬領域中具有通常知識者將理解，根據例如處理平臺100的整體配置，移送站110可以具有任何合適數量的側面。在一些實施例中，中央移送站110具有四個側面。在一些實施例中，中央移送站110具有個四側面，每個側面具有兩個進出門，以允許兩個處理腔室（包括緩衝腔室）連接到中央移送站110的每一側面。
移送站110具有定位在其中的機器人117。機器人117可以是能夠在處理期間移動晶圓的任何合適的機器人。在一些實施例中，機器人117具有第一臂118和第二臂119。第一臂118和第二臂119可以彼此獨立移動。第一臂118和第二臂119可以在x-y平面上移動及/或沿著z軸移動。在一些實施例中，機器人117包括第三臂或第四臂（未圖示）。每個臂可以獨立於其他手臂移動。在一些實施例中，臂連接到個別的機器人。
第一批次處理腔室120可以連接到中央移送站110的第一側面111。第一批次處理腔室120可以經配置在批次處理時間內同時處理x個晶圓。在一些實施例中，第一批次處理腔室120可以經配置同時處理約四個（x=4）到約12個（x=12）個範圍內的晶圓。在一些實施例中，第一批次處理腔室120經配置同時處理六個（x=6）晶圓。如本發明所屬領域具有通常知識者將理解的，批次處理腔室120可以在加載/卸載獨立晶圓之間處理複數個晶圓，而每個晶圓可在任何給定時間經受不同的製程條件。例如，空間原子層沉積腔室（如圖2至6所示）將晶圓暴露於不同處理區域中的不同製程條件，使得當移動晶圓透過每個區域時，完成製程。
圖2表示包括氣體分配組件220（亦稱為注入器或注入器組件）和承載盤組件240的處理腔室200的截面圖。氣體分配組件220是在處理腔室中使用的任何類型的氣體輸送裝置。氣體分配組件220包括面向承載盤組件240的前表面221。前表面221可以具有任何數量或種類的開口以將氣流向承載盤組件240輸送。氣體分配組件220進一步包括外邊緣224，在所示實施例中，外邊緣224為實質圓形。
所使用的氣體分配組件220的具體類型可以根據正在使用的具體製程而改變。本揭示案的實施例可以用於控制承載盤和氣體分配組件之間縫隙的任何類型的處理系統。儘管可以採用各種類型的氣體分配組件（如噴頭），但是本揭示案的實施例具有對於具有空間氣體分配組件可能是特別有用，其具有複數個實質平行的氣體通道。如在本說明書和申請專利範圍中所使用的，術語「實質平行」是指氣體通道的長軸在大致相同的方向上延伸。氣體通道的平行度可能會有輕微的偏差。在二元反應中，複數個實質平行的氣體通道可以包括至少一個第一反應氣體A通道、至少一個第二反應氣體B通道、至少一個淨化氣體P通道和/或至少一個真空V通道。來自第一反應氣體A通道、第二反應氣體B通道和淨化氣體P通道的氣體引導向晶圓的頂表面。某些氣流橫跨晶圓的表面水平移動，自透過淨化氣體P通道自處理區域流出。從氣體分配組件的一端移動到另一端的基板將依次暴露於每個處理氣體，從而在基板表面上形成一層。
在一些實施例中，氣體分配組件220是由單個注入器單元製成的剛性（rigid）固定式主體。在一個或更多個實施例中，氣體分配組件220由複數個獨立扇區（sector，如注入器單元222）組成，如圖3所示。單件式主體或多扇區主體可以與本揭示案所述的各式實施例一起使用。
承載盤組件240定位在氣體分配組件220下方。承載盤組件240包括頂表面241和頂表面241中的至少一個凹部242。承載盤組件240亦具有底表面243和邊緣244。根據正在處理的基板60的形狀和尺寸，凹部242可以是任何合適的形狀和尺寸。在圖2所示的實施例中，凹部242具有平坦的底部以支撐晶圓的底部；然而，可以改變凹部的底部。在一些實施例中，凹部具有繞凹部的外周邊緣的階部區域，調整階部區域的尺寸以支撐晶圓的外周邊緣。由階部所支撐的晶圓的外周邊緣的量可以根據如晶圓的厚度和已經存在於晶圓背面上的特徵的存在而改變。
在一些實施例中，如圖2所示，調整承載盤組件240頂表面241中的凹部242的尺寸，使得凹部242中所支撐的基板60具有與承載盤240頂表面241實質共面的頂表面61。如在本說明書和申請專利範圍中所使用的，術語「實質共面」是指晶圓的頂表面和承載盤組件的頂表面在±0.2mm內共面。在一些實施例中，頂表面在0.5mm、±0.4mm、±0.35mm、±0.30mm、±0.25mm、±0.20mm、±0.15mm、±0.10mm或±0.05mm內共面。
圖2的承載盤組件240包括支撐柱260，其能夠升高、降低及旋轉承載盤組件240。承載盤組件可包括加熱器、氣體管線或者在支撐柱260的中心內的電組件。支撐柱260可以是增加或減小承載盤組件240和氣體分配組件220之間縫隙的主要構件，而將承載盤組件240移動到適當位置。承載盤組件240亦可包括微調致動器262，其可以對承載盤組件240進行微調，以在承載盤組件240和氣體分配組件220之間產生預定縫隙270。
在一些實施例中，縫隙270的間距在約0.1mm至約5.0mm的範圍內、或者在約0.1mm至約3.0mm的範圍內、或者在約0.1mm至約2.0mm的範圍內、或者在約0.2mm至約1.8mm的範圍、或者在約0.3mm至約1.7mm的範圍、或者在約0.4mm至約1.6mm的範圍、或者在約0.5mm至約1.5mm的範圍、或者在在約0.6mm至約1.4mm的範圍內、或者在約0.7mm至約1.3mm的範圍內、或者在約0.8mm至約1.2mm的範圍內、或者在約0.9mm至約1.1mm的範圍內，或約1mm。
圖中所示的處理腔室200是旋轉料架式腔室，其中承載盤組件240可以固持複數個基板60。如圖3所示，氣體分配組件220可包括複數個獨立的注入器單元222，當晶圓在注入器單元下方移動時，每個注入器單元222能夠將膜沉積在晶圓上。兩個派狀（pie-shaped）注入器單元222所示定位在承載盤組件240的大致相對側且在承載盤組件240上方。這個數量的注入器單元222僅是為了說明目的。應該理解，可以包括較多或較少的注入器單元222。在一些實施例中，存在足夠數量的派狀注入器單元222以形成與承載盤組件240的形狀相符的形狀。在一些實施例中，各個獨立的派狀注入器單元222可以被獨立地移動、移除和/或替換而不影響任何其他注入器單元222。例如，可升高一個區段以允許機器人進出承載盤組件240和氣體分配組件220之間的區域以加載/卸載基板60。
具有複數個氣體注入器的處理腔室可以用於同時處理複數個晶圓，使得晶圓經受相同的處理流程。例如，如圖4所示，處理腔室200具有四個氣體注入器組件和四個基板60。在處理開始時，基板60可以定位在氣體分配組件220之間。將承載盤組件240旋轉45°（17）將導致在氣體分配組件220之間的每個基板60被移動到氣體分配組件220以用於膜沉積，如氣體分配組件220下方的虛線圓所示。額外45°的旋轉將使基板60自氣體分配組件220移開。基板60和氣體分配組件220的數量可以為相同或不同。在一些實施例中，存在與處理氣體分配組件相同數量的晶圓。在一個或更多個實施例中，正在處理的晶圓的數量是氣體分配組件數量的幾分之一或整數倍。例如，若有四個氣體分配組件，則有4x個正在處理的晶圓，其中x是大於或等於1的整數值。在示例性實施例中，氣體分配組件220包括由氣幕分開的八個處理區域，且承載盤組件240可以固持六個晶圓。
圖4所示的處理腔室200僅代表一種可能的配置，不應視為限制本揭示案的範圍。此處，處理腔室200包括複數個氣體分配組件220。在所示的實施例中，繞處理腔室200均勻分佈有四個氣體分配組件220（亦稱為注入器組件）。所示的處理腔室200是八角形的；然而，發明所屬領域中具有通常知識者將會理解，這僅為一種可能的形狀，不應視為限制本揭示案的範圍。所示的氣體分配組件220是梯形的，但可以是單個的圓形部件、或者由複數個派狀區段組成，如圖3所示。
圖4所示的實施例包括裝載閘腔室280或者像緩衝站那樣的輔助腔室。腔室280連接到處理腔室200的一側面，以允許自腔室200裝載/卸載例如基板（亦稱為基板60）。晶圓機器人可定位在腔室280中以將基板移動到承載盤上。
旋轉料架（如承載盤組件240）的旋轉可以是連續的或間歇的（不連續的）。在連續處理中，晶圓不斷地旋轉，以使它們依次暴露於每個注入器。在不連續處理中，晶圓可以移動到注入器區域並停止，隨後移動到注入器之間的區域84並停止。例如，旋轉料架可以旋轉，使得晶圓從注入器間的區域跨過注入器（或停止在注入器附近）移動以及接著繼續移動到旋轉料架可以再次暫停的下一個注入器間的區域。注入器之間的暫停可提供時間以用於每個層沉積之間額外的處理步驟（如暴露於電漿）。
圖5表示氣體分配組件220的扇區或部分（其可稱為注入器單元222）。注入器單元222可以單獨使用或與其他注入器單元組合使用。例如，如圖6所示，圖5注入器單元222中的四個被組合以形成單個氣體分配組件220。（為了清楚起見，沒有示出分開四個注入器單元的線。）儘管除了淨化氣體端口255和真空端口245之外，圖5的注入器單元222還具有第一反應氣體端口225和第二氣體端口235兩者，但是注入器單元222不需要所有這些部件。
參照圖5和圖6，根據一個或更多個實施例的氣體分配組件220可包括複數個扇區（或注入器單元222），每個扇區為相同或不同。氣體分配組件220定位在處理腔室內且包括氣體分配組件220的前表面221中的複數個長形氣體端口225、235、255。複數個長形氣體端口225、235、255和真空端口245從鄰近內周邊緣223的區域向鄰近氣體分配組件220的外周邊緣224的區域延伸。所示的複數個氣體端口包括第一反應氣體端口225、第二氣體端口235、圍繞第一反應氣體端口和第二反應氣體端口的各個氣體端口之真空端口245以及淨化氣體端口255。
參照圖5或6所示的實施例，當說到端口從至少約略內周邊區域延伸到至少約略外周邊區域時，端口可以不僅僅是從內區域向外區域徑向延伸。當真空端口245圍繞反應氣體端口225和反應氣體端口235時，端口可以切向延伸。在圖5和6所示的實施例中，真空端口245將圍繞楔形反應氣體端口225、235在所有邊緣（包括鄰近的內周區域與外周區域）上。
參考圖5，當基板沿著路徑227移動時，基板表面的每個部分暴露於各種反應氣體。為了跟隨路徑227，基板將暴露於或「遇到」淨化氣體端口255、真空端口245、第一反應氣體端口225、真空端口245、淨化氣體端口255、真空端口245、第二氣體端口235和真空端口245。因此，在圖5所示路徑227的末端，基板已經暴露於第一反應氣體225和第二反應氣體235以形成一層。所示的注入器單元222形成四分之一圓，但可以更大或更小。圖6中所示的氣體分配組件220可以視為是圖4注入器單元222中的四個以串聯連接的組合。
圖5的注入器單元222表示分隔反應氣體的氣幕250。術語「氣幕（gas curtain）」用於描述將活性氣體從混合中分離出來的氣流或真空的任何組合。圖5所示的氣幕250包括第一反應氣體端口225旁邊的真空端口245的部分，中間的淨化氣體端口255以及第二氣體端口235旁邊的真空端口245的部分。氣流和真空的組合可以用於防止或最小化第一反應氣體和第二反應氣體的氣相反應。
參考圖6，來自氣體分配組件220的氣流和真空的組合形成分隔成複數個處理區域350。處理區域粗略界定為圍繞獨立反應氣體端口225、235，以及氣幕250於350之間。圖6所示的實施例構成八個分開的處理區域350，其中八個分開的氣幕250在處理區域350之間。處理腔室可以具有至少兩個處理區域。在一些實施例中，有至少三個、四個、五個、六個、七個、八個、九個、十個、十一個或十二個處理區域。
在處理期間，基板可在任何給定時間暴露於多於一個處理區域350。然而，暴露於不同處理區域的部分將具有將兩個處理區域分開的氣幕。例如，若基板的前緣進入包括第二氣體端口235的處理區域，則基板的中間部分將位於氣幕250下方，且基板的後緣將處於包括第一反應氣體端口225的處理區域中。
工廠介面280（其可以是例如裝載閘腔室）所示連接到處理腔室200。所示基板60疊加（superimpose）在氣體分配組件220上以提供參考框架。基板60通常可坐在承載盤組件上以被固持在氣體分配板220的前表面221附近。基板60經由工廠介面280裝載到處理腔室200中，裝載到基板支撐件或承載盤組件（見圖4）上。因為基板位於第一反應氣體端口225附近且位於兩個氣幕250a、250b之間，所以所示基板60可以定位在處理區域內。沿路徑227旋轉基板60將把基板繞處理腔室200逆時針移動。因此，基板60將暴露於第一處理區域350a至第八處理區域350h，其包括其間的所有處理區域。
本揭示案的實施例係針對包括具有複數個處理區域350a至350h的處理腔室200的處理方法，其中每個處理區域藉由氣幕250而與相鄰區域分開。例如，圖6中所示的處理腔室。根據氣流的佈置，處理腔室內的氣幕和處理區域的數量可以為任何合適的數量。圖6所示的實施例具有八個氣幕250和八個處理區域350a至350h。
參考回圖1，處理平臺100包括連接到中央移送站110的第二側面112的第一單晶圓處理腔室140（SWPC）。第一單晶圓處理腔室140經配置以處理（第一批次處理腔室的）批次時間的約1/x的晶圓。例如，若批次處理腔室120用12分鐘來處理六個晶圓，則第一單晶圓處理腔室140經配置用約兩分鐘（即，12的1/6）來處理晶圓。
單晶圓處理腔室140可以是配置一次處理一個晶圓的任何合適的處理腔室。合適的單晶圓處理腔室包括但不限於化學氣相沉積（CVD）腔室、原子層沉積（ALD）腔室、物理氣相沉積（PVD）腔室、快速熱處理（RTP）腔室、退火腔室、清洗腔室或緩衝腔室。
在一些實施例中，處理平臺進一步包括連接到中央移送站110的第三側面113的第二批次處理腔室130。第二批次處理腔室130可以經配置在第二批次時間內同時處理y個晶圓。
第二批次處理腔室130可以與第一批次處理腔室120相同或不同。在一些實施例中，第一批次處理腔室120和第二批次處理腔室130經配置在相同的批次時間內以相同數量的晶圓施行相同的製程，使得x和y相同及第一批次時間和第二批次時間相同。在一些實施例中，第一批次處理腔室120和第二批次處理腔室130經配置而具有不同數量的晶圓（x不等於y）、不同批次時間狀況中的一個或更多個狀況，或者兩者皆是。
在圖1所示的實施例中，處理平臺100包括連接到中央移送站110的第四側面114的第二單晶圓處理腔室150。第二單晶圓處理腔室150經配置在第二批次的約1/y的時間內處理晶圓。
第二單晶圓處理腔室150可以與第一單晶圓處理腔室140相同或不同。在一些實施例中，第一批次處理腔室120和第二批次處理腔室130經配置在相同的批次時間內處理相同數量（x=y）的晶圓，及第一單晶圓處理腔室140和第二單晶圓處理腔室150經配置在相同的時間內（1/x=1/y）施行相同的製程。
處理平臺100可以包括連接到機器人117的控制器195（未圖示連接）。控制器195可以經配置用機器人117的第一臂118在第一單晶圓處理腔室140和第一批次處理腔室120之間移動晶圓。在一些實施例中，控制器195亦經配置用機器人117的第二臂119在第二單晶圓處理腔室150和第二批次處理腔室130之間移動晶圓。當以這種方式使用時，在兩個腔室之間移動意味著機器人可以將晶圓從第一腔室來回移動到第二腔室。
處理平臺100亦可以包括連接到中央移送站110的第五側面115的第一緩衝站151和/或連接到中央移送站110的第六側面116的第二緩衝站152。第一緩衝站151和第二緩衝站152可以施行相同或不同的功能。例如，緩衝站可固持晶圓匣，晶圓在經處理後並返回到原始的匣，或者第一緩衝站151可固持未處理的晶圓，晶圓在處理後移動到第二緩衝站152。在一些實施例中，一個或更多個緩衝站經配置在處理之前和/或之後預處理、預熱或清洗晶圓。
在一些實施例中，控制器195經配置使用機器人117的第一臂118在第一緩衝站151與第一單晶圓處理腔室140和第一批次處理腔室120中的一個或更多個處理腔室之間移動晶圓。在一些實施例中，控制器195經配置使用機器人117的第二臂119在第二緩衝站152與第二單晶圓處理腔室150或第二批次處理腔室130中的一個或更多個處理腔室之間移動晶圓。
處理平臺100亦可在中央移送站110與任何處理腔室之間包括一個或更多個狹縫閥160。在所示的實施例中，在複數個處理腔室120、130、140、150中的各者與中央移送站110之間有狹縫閥160。狹縫閥160可以打開和關閉以將處理腔室內的環境與中央移送站110內的環境隔離開。例如，若處理腔室在處理期間將產生電漿，則對於處理腔室，關閉處理腔室的狹縫閥以防止雜散電漿損壞移送站中的機器人可能是有幫助的。
在一些實施例中，處理腔室不容易自中央移送站110移除。為了允許將在任何處理腔室上進行的維護，每個處理腔室可進一步在處理腔室的側面上包括複數個進出門170。進出門170允許手動進出處理腔室而不須將處理腔室自中央移送站110移除。在所示的實施例中，除了連接到移送站的側面之外，每個處理腔室的每一側面都具有進出門170。包括如此多的進出門170可能會使處理腔室所採用的構造複雜化，因為腔室內的硬體需要經配置為可進出透過門。
一些實施例的處理平臺包括連接到移送站110的水箱180。水箱180可經配置向處理腔室的任一者或全部提供冷卻劑。儘管被稱為「水」箱，但是發明所屬領域中具有通常知識者將理解到，可以使用任何冷卻劑。
對於連接到電場及氣體供應，處理平臺100的尺寸可能是麻煩的且難以連接。在一些實施例中，單個電力連接器190連接到處理平臺100以向每個處理腔室和中央移送站110提供電力。
處理平臺100可以連接到工廠介面102以允許晶圓或晶圓匣被裝載到平臺100中。工廠介面102內的機器人103可以將晶圓或匣移動進出緩衝站151、152。晶圓或匣可以藉由中央移送站110中的機器人117在平臺100內移動。在一些實施例中，工廠介面102是另一個叢集工具的移送站。
控制器195可以經設置並耦接到處理平臺100的各式部件以控制其操作。控制器195可以是控制整個處理平臺100的單個控制器，或控制處理平臺100的各個部分的複數個控制器。例如，處理平臺100可以包括用於各個獨立處理腔室、中央移送站、工廠介面和機器人的個別控制器。在一些實施例中，控制器195包括中央處理單元（CPU）196、記憶體197和支援電路198。控制器195可直接控制處理平臺100、或者經由與特定處理腔室和/或支撐系統部件相關聯的電腦（或控制器）來控制處理平臺100。控制器195可以是可以在工業裝置中用於控制各式腔室與副處理器的任意形式之通用電腦處理器。控制器195的記憶體197或電腦可讀取媒體可係一個或更多個容易取得之記憶體，如隨機存取記憶體（RAM）、唯讀記憶體（ROM）、軟碟、硬碟、光儲存媒體（如光碟或數位影碟）、快閃驅動裝置或任何其他的數位儲存格式，本端的或是遠端的。支援電路198與CPU 196耦接而用傳統方式支援處理器。這些電路包括快取、電源供應、時脈電路、輸入/輸出電路與子系統以及類似物。一個或更多個處理可作為軟體子程式儲存在記憶體198中，軟體子程式可經執行或引起以本說明書所述方法控制處理平臺100或獨立處理腔室的操作。軟體子程式亦可由第二CPU（未圖示）儲存及（或）執行，第二CPU位於CPU 196正控制的硬體之遠端。控制器195可以包括一個或更多個配置，其可以包括用於控制流量、氣閥、氣源、旋轉、移動、加熱、冷卻或用於施行各種配置的其他製程的任何命令或功能。
參照圖7A至圖7C，本揭示案的一個或更多個實施例針對批次處理複數個半導體晶圓的方法700。透過工廠介面、手動或透過單獨的叢集工具將晶圓或複數個晶圓裝載到緩衝站中。
在圖7A開始，在702，將晶圓從緩衝站移動到單晶圓處理腔室（SWPC）。所述的製程可以同時在第一和第二組處理腔室中施行，或者所述的製程可以被分成不同的製程。藉由位於中央移送站內的機器人的第一臂將晶圓從緩衝站移動到SWPC。
在704，在第一單晶圓處理腔室中在第一批次時間的1/x時間內處理晶圓。第一批次時間是在SWPC之後使用的批次處理腔室（BPC）中處理x個晶圓所需的時間。
在710，發生複數個製程，其可以是同時的，亦可以為是依任意順序的。在712，另一個晶圓從緩衝站移動到SWPC。在714，處理後的晶圓從SWPC移動到BPC。可以由相同機器人手臂施行晶圓的移動，使得依次施行712和714，其中714首先提供空腔的SWPC腔室。在一些實施例中，由機器人（或不同的機器人）的不同臂施行晶圓的移動，使得可以協調移動以減少移送的時間。
在720，複數個製程幾乎同時發生。在722，以批次時間的1/x時間處理SWPC中的晶圓。在724中，旋轉BPC內的旋轉料架（即承載盤組件），以允許製程的第一部分在BPC中施行。BPC可以在一段稱為批次處理時間的時間內處理x個晶圓。
重複此過程，直到第一批次處理腔室裝載有x個晶圓。在730，達到查詢（query）批次處理腔室裝載的決定點。若批次處理腔室滿了；這意味著它具有裝載在旋轉料架上的x個晶圓，該方法在圖7B上繼續。若BPC沒有滿（即在旋轉料架上具有少於x個晶圓）則循環重複步驟710和720，直到730的決定點為真。
移到圖7B中所述的方法700的部分，在740，發生多個獨立的階段，其可以是順序的、同時的、重疊的或以上之組合。在742，經處理的晶圓從批次處理腔室旋轉料架卸載並移動到緩衝站。自第一批次處理腔室中取出晶圓的步驟在第一批次處理腔室中打開處理空間，以便裝載另一晶圓。緩衝站可以是晶圓原先進入處理平臺所透過的緩衝站，亦可以是不同的緩衝站。
在744，新的晶圓從緩衝台移動到單晶圓處理腔室。在746，由單晶圓處理腔室處理的晶圓移動到批次處理腔室的開放處理空間並定位在旋轉料架上。可以藉由相同的機器人手臂或不同的機器人手臂或不同的機器人移動晶圓。當使用相同的機器人臂來移動所有的晶圓時，協調移動的順序，使得在下一個晶圓移動到該腔室之前，在每個處理腔室中產生有一開放位置。
在750，藉由旋轉BPC 752的旋轉料架，在單晶圓處理腔室754和批次處理腔室中均發生處理。
在752，達到另一個決定點，以決定是否所有的晶圓已經從緩衝台移動到至少單晶圓處理腔室。若不是所有的晶圓已經到達單晶圓處理腔室，則重複740和750步驟，直到預定數量的晶圓已經移動到單晶圓處理腔室。一旦所有的晶圓已經移動到單晶圓處理腔室，則該方法繼續到圖7C。
參考圖7C，在760，SWPC中的晶圓被處理762，以及BPC的旋轉料架被旋轉764。在770，將在SWPC中處理的晶圓移動到BPC 772，以及將由BPC處理的晶圓移動到緩衝台774。在此過程中的這個點，最後一個晶圓已經從SWPC中移除。
在780，旋轉批次處理腔室的旋轉料架以繼續處理。在785，將晶圓從BPC的圓盤旋轉料架上取出並移送到緩衝站。在790，到達決定點以決定是否所有的晶圓已經從批次處理腔室中移除。若不是，則重複780和785步驟，直到預定數量的晶圓已經透過第一單晶圓處理腔室和第一批次處理腔室中的各者被處理。
一旦所有的晶圓已經從批次處理腔室卸載，則此過程完成795，以及可以發生任何額外的處理。例如，晶圓可以被移送到另一個處理平臺以施行額外的處理步驟。
在一些實施例中，第一單晶圓處理腔室140和第一批次處理腔室120兩者與第二單晶圓處理腔室150和第二批次處理腔室130同時使用。第二處理腔室的處理順序與第一處理腔室相同。若第二批次處理腔室經配置施行與第一批次處理腔室不同的製程，則可以協調機器人的時間（timing）以同時操作兩者的製程。若第一批次處理腔室和第二批次處理腔室以及第一單晶圓處理腔室和第二單晶圓處理腔室皆經配置施行相同的製程，則每個製程的開始時間可以錯開，使得機器人臂可以有效地為兩者的製程列（process train）移動晶圓而沒有干擾。在一些實施例中，在第一製程列（第一單晶圓處理腔室和第一批次處理腔室）中發生的製程由第一機器人臂移動，同時第二機器人臂正操作第二製程列（第二單晶圓處理腔室和第二批次處理腔室）。
根據一個或更多個實施例，在形成一層之前和/或之後基板經受處理。此處理可以在相同的腔室中或者在一個或更多個個別的處理腔室中施行。在一些實施例中，基板從第一腔室移動到個別的第二腔室以用於進一步處理。基板可以從第一腔室直接移動到個別的處理腔室，或者基板可以從第一腔室移動到一個或更多個移送腔室，以及接著移動到個別的處理腔室。因此，處理設備可包括與移送站連通的複數個腔室。這種裝置可被稱為「叢集工具」或「叢集系統」等。
一般而言，叢集工具是包括多個腔室的模組化系統，該等多個腔室施行各種功能，包括基板中心尋找和定向、脫氣、退火、沉積和/或蝕刻。根據一個或更多個實施例，叢集工具包括至少第一腔室和中央移送腔室。中央移送腔室可容納機器人，機器人可以使基板在處理腔室和裝載閘腔室之間穿梭。移送腔室通常保持在真空狀態且提供用於將基板從一個腔室往返移動到另一個腔室和/或位於叢集工具的前端的裝載閘腔室的中間階段。可適用於本發明的兩種眾所周知的叢集工具是均可自加州聖塔克拉拉的應用材料公司的取得的Centura®和Endura®。然而，為了施行如本說明書所述之過程的特定步驟，可以改變腔室的確切佈置和組合。可使用的其他處理腔室包括但不限於：循環層沉積（CLD）、原子層沉積（ALD）、化學氣相沉積（CVD）、物理氣相沉積（PVD）、蝕刻、預清洗、化學清洗、熱處理（如RTP）、電漿氮化、脫氣、定向、羥基化和其他基板製程。藉由在叢集工具上的腔室中施行製程，在沉積隨後的膜之前，可以避免具有大氣雜質的基板表面污染物，而不會氧化。
根據一個或更多個實施例，基板連續處於真空或「裝載閘」狀態，且當基板從一個腔室移動到下一個腔室時不暴露於周遭空氣。因此移送腔室處於真空狀態，並在真空壓力下「抽氣」。惰性氣體可存在於處理腔室或移送腔室中。在一些實施例中，使用惰性氣體作為淨化氣體以去除部分或全部反應物。根據一個或更多個實施例，淨化氣體注入於沉積腔室的出口以防止反應物從沉積腔室移動到移送腔室和/或另外的處理腔室。因此，惰性氣體的流動在腔室的出口處形成幕。
基板可以在單個基板沉積腔室中處理，其中在處理另一基板之前加載、處理及卸載單個基板。基板亦可以以連續方式處理（類似於輸送帶系統），其中多個基板被獨立地裝載到腔室的第一部分中，移動透過腔室並且從腔室的第二部分卸載。腔室和相關輸送帶系統的形狀可以形成直線路徑或彎曲路徑。此外，處理腔室可以是旋轉料架，其中多個基板繞中心軸移動，並在整個旋轉料架路徑中暴露於沉積、蝕刻、退火、清洗等製程。
在處理期間，可以加熱或冷卻基板。此類加熱或冷卻可以藉由任何合適的方法來實現，包括但不限於：改變基板支撐件的溫度及使加熱或冷卻的氣體流動到基板表面。在一些實施例中，基板支撐件包括可以經控制以傳導地改變基板溫度的加熱器/冷卻器。在一個或更多個實施例中，所採用的氣體（活性氣體或惰性氣體）被加熱或冷卻以局部地改變基板溫度。在一些實施例中，加熱器/冷卻器位於靠近基板表面的腔室內以對流地改變基板溫度。
在處理期間，基板亦可以是靜止的或旋轉的。旋轉的基板可以連續地旋轉或以離散的步驟旋轉。例如，基板可以在整個製程中旋轉，或者基板可以在暴露於不同的反應氣體或淨化氣體之間少量地旋轉。在處理期間（連續地或分步驟地）旋轉基板可藉由最小化例如氣流幾何的局部變化之影響來幫助產生更均勻的沉積或蝕刻。
整個說明書中的「一個實施例」、「某些實施例」、「一個或更多個實施例」或「實施例」是指結合該實施例所述的特定特徵、結構、材料或特性包括在本發明的至少一個實施例中。因此，整個說明書各處出現的如「在一個或更多個實施例中」、「在某些實施例中」、「在一個實施例中」或「在實施例中」用語不一定指本發明的相同實施例。此外，特定的特徵、結構、材料或特性可以以任何合適的方式在一個或更多個實施例中組合。
儘管已經參照特定實施例描述本發明，但是應當理解，這些實施例僅為說明本發明的原理和應用。對於發明所屬領域中具有通常知識者來說顯而易見的是，在不背離本發明的精神和範圍下，可以對本發明的方法和設備作作各種修改和變化。因此，本發明包括在專利申請範圍及其等效物的範圍內的修改和變化。
60‧‧‧基板61‧‧‧頂表面84‧‧‧區域100‧‧‧處理平臺102‧‧‧工廠介面103‧‧‧機器人110‧‧‧中央移送站111‧‧‧第一側面112‧‧‧第二側面113‧‧‧第三側面114‧‧‧第四側面115‧‧‧第五側面116‧‧‧第六側面117‧‧‧機器人118‧‧‧第一臂119‧‧‧第二臂120‧‧‧第一批次處理腔室130‧‧‧第二批次處理腔室140‧‧‧第一單晶圓處理腔室150‧‧‧第二單晶圓處理腔室151‧‧‧第一緩衝站152‧‧‧第二緩衝站160‧‧‧狹縫閥170‧‧‧進出門180‧‧‧水箱190‧‧‧電力連接器195‧‧‧控制器196‧‧‧中央處理單元（CPU）197‧‧‧記憶體198‧‧‧支援電路200‧‧‧處理腔室220‧‧‧氣體分配組件221‧‧‧前表面222‧‧‧注入器單元223‧‧‧內周邊緣224‧‧‧外周邊緣225‧‧‧第一反應氣體端口227‧‧‧路徑235‧‧‧第二氣體端口240‧‧‧承載盤組件241‧‧‧頂表面242‧‧‧凹部243‧‧‧底表面244‧‧‧邊緣245‧‧‧真空端口250‧‧‧氣幕250a、250b‧‧‧氣幕255‧‧‧淨化氣體端口260‧‧‧支撐柱262‧‧‧微調致動器270‧‧‧縫隙280‧‧‧裝載閘腔室350‧‧‧處理區域350a-350h‧‧‧處理區域700‧‧‧方法702‧‧‧步驟704‧‧‧步驟710‧‧‧步驟712‧‧‧步驟714‧‧‧步驟720‧‧‧步驟722‧‧‧步驟724‧‧‧步驟730‧‧‧步驟740‧‧‧步驟742‧‧‧步驟744‧‧‧步驟746‧‧‧步驟750‧‧‧步驟752‧‧‧步驟754‧‧‧步驟755‧‧‧步驟760‧‧‧步驟762‧‧‧步驟764‧‧‧步驟770‧‧‧步驟772‧‧‧步驟774‧‧‧步驟780‧‧‧步驟785‧‧‧步驟790‧‧‧步驟795‧‧‧步驟
本發明之特徵已簡要概述於前，並在以下有更詳盡之論述，可以藉由參考所附圖式中繪示之本發明實施例以作瞭解。然而，值得注意的是，所附圖式僅繪示了本發明的典型實施例，而由於本發明可允許其他等效之實施例，因此所附圖式並不會視為本揭示範圍之限制。
圖1表示根據本揭示案的一個或更多個實施例的處理平臺的示意圖；
圖2表示根據本揭示案的一個或更多個實施例的批次處理腔室的截面圖；
圖3表示根據本揭示案的一個或更多個實施例的批次處理腔室的局部透視圖；
圖4表示根據本揭示案的一個或更多個實施例的批次處理腔室的示意圖；
圖5表示根據本揭示案的一個或更多個實施例的批次處理腔室中使用的楔形氣體分配組件的一部分的示意圖；
圖6表示根據本揭示案的一個或更多個實施例的批次處理腔室的示意圖；及
圖7A至圖7C表示根據本揭示案的一個或更多個實施例的示例性處理順序。
在所附圖式中，類似的元件和/或特徵可具有相同的參考編號。此外，可藉由在參考編號後的破折號（dash）及在類似元件間作區別的第二參考編號將相同類型的不同元件區分出來。若在說明書中僅使用第一參考編號，則不管第二參考編號如何，該描述適用於具有相同第一參考編號的任何一個相似元件。
國內寄存資訊 (請依寄存機構、日期、號碼順序註記) 無
國外寄存資訊 (請依寄存國家、機構、日期、號碼順序註記) 無
100‧‧‧處理平臺
102‧‧‧工廠介面
103‧‧‧機器人
110‧‧‧中央移送站
111‧‧‧第一側面
112‧‧‧第二側面
113‧‧‧第三側面
114‧‧‧第四側面
115‧‧‧第五側面
116‧‧‧第六側面
117‧‧‧機器人
118‧‧‧第一臂
119‧‧‧第二臂
120‧‧‧第一批次處理腔室
130‧‧‧第二批次處理腔室
140‧‧‧第一單晶圓處理腔室
150‧‧‧第二單晶圓處理腔室
151‧‧‧第一緩衝站
152‧‧‧第二緩衝站
160‧‧‧狹縫閥
170‧‧‧進出門
180‧‧‧水箱
190‧‧‧電力連接器
195‧‧‧控制器
196‧‧‧中央處理單元(CPU)
197‧‧‧記憶體
198‧‧‧支援電路

Claims (20)

  1. 一種處理平臺，包括：一中央移送站，該中央移送站具有在其中的一機器人，該中央移送站具有複數個側面；一第一批次處理腔室，該第一批次處理腔室連接到該中央移送站的一第一側面，該第一批次處理腔室經配置在一批次時間同時處理x個晶圓；及一第一單晶圓處理腔室，該第一單晶圓處理腔室連接到該中央移送站的一第二側面，該第一單晶圓處理腔室經配置而在約該批次時間的1/x時間內處理一晶圓。
  2. 如請求項1所述之處理平臺，進一步包括一第二批次處理腔室，該第二批次處理腔室連接到該中央移送站的一第三側面。
  3. 如請求項2所述之處理平臺，進一步包括一第二單晶圓處理腔室，該第二單晶圓處理腔室連接到該中央移送站的一第四側面。
  4. 如請求項3所述之處理平臺，其中該機器人包括一第一臂和一第二臂，該第一臂和該第二臂可獨立移動。
  5. 如請求項4所述之處理平臺，進一步包括一控制器，該控制器連接到該機器人且經配置用該機器 人的一第一臂在該第一單晶圓處理腔室和該第一批次處理腔室之間移動晶圓以及用該機器人的一第二臂在該第二單晶圓處理腔室和該第二批次處理腔室之間移動晶圓。
  6. 如請求項4所述之處理平臺，其中該第二批次處理腔室經配置而在一第二批次時間內同時處理y個晶圓。
  7. 如請求項6所述之處理平臺，其中該第二單晶圓處理腔室經配置而在約該第二批次時間的1/y時間內處理一晶圓。
  8. 如請求項7所述之處理平臺，進一步包括一第一緩衝站與一第二緩衝站，該第一緩衝站連接到該中央移送站的一第五側面，該第二緩衝站連接到該中央移送站的一第六側面。
  9. 如請求項5所述之處理平臺，其中該控制器經配置使用該第一臂在該第一緩衝站與該第一單晶圓處理腔室或該第一批次處理腔室中的一個或更多個處理腔室之間移動晶圓。
  10. 如請求項9所述之處理平臺，其中該控制器經配置使用該第二臂在該第二緩衝站與該第二單晶圓處理腔室或該第二批次處理腔室中的一個或更多個處理腔室之間移動晶圓。
  11. 如請求項4所述之處理平臺，進一步包括在該等處理腔室中的各者與該中央移送站之間的一狹縫閥。
  12. 如請求項11所述之處理平臺，其中該等處理腔室中的各者進一步包括複數個進出門，該複數個進出門在該處理腔室的側面上，以允許手動進出該處理腔室而不須將該處理腔室自該中央移送站移除。
  13. 如請求項4所述之處理平臺，進一步包括連接到該中央移送站的一水箱，該水箱經配置向該等處理腔室的各者提供冷卻劑。
  14. 如請求項4所述之處理平臺，其中單一電源連接器向該等處理腔室的各者和該中央移送站提供電力。
  15. 一種處理平臺，包括：一中央移送站，該中央移送站具有在其中的一機器人，該中央移送站具有複數個側面，該機器人具有一第一臂和一第二臂；一第一批次處理腔室，該第一批次處理腔室連接到該中央移送站的一第一側面，該第一批次處理腔室經配置在一批次時間同時處理x個晶圓；一第一單晶圓處理腔室，該第一單晶圓處理腔室連接到該中央移送站的一第二側面，該第一單晶圓處理 腔室經配置而在約該批次時間的1/x時間內處理一晶圓；一第二批次處理腔室，該第二批次處理腔室連接到該中央移送站的一第三側面，該第二批次處理腔室經配置在一第二批次時間同時處理y個晶圓；一第二單晶圓處理腔室，該第二單晶圓處理腔室連接到該中央移送站的一第四側面，該第二單晶圓處理腔室經配置而在約該第二批次時間的1/y時間內處理一晶圓；一第一緩衝站，該第一緩衝站連接到該中央移送站的一第五側面，一第二緩衝站，該第二緩衝站連接到該中央移送站的一第六側面；一狹縫閥，該狹縫閥定位於處理腔室和該中央移送站之間；及一控制器，該控制器連接到該機器人且經配置用該機器人的該第一臂在該第一單晶圓處理腔室和該第一批次處理腔室之間移動晶圓以及用該機器人的該第二臂在該第二單晶圓處理腔室和該第二批次處理腔室之間移動晶圓，其中該控制器經配置使用該第一臂在該第一緩衝站與該第一單晶圓處理腔室或該第一批次處理腔室中的 一個或更多個處理腔室之間移動晶圓，以及該控制器經配置使用該第二臂在該第二緩衝站與該第二單晶圓處理腔室或該第二批次處理腔室中的一個或更多個處理腔室之間移動晶圓，其中該等處理腔室中的各者進一步包括複數個進出門，該複數個進出門在該處理腔室的側面上，以允許手動進出該處理腔室而不須將該處理腔室自該中央移送站移除，及其中單一電源連接器向該等處理腔室的各者和該中央移送站提供電力。
  16. 一種批次處理複數個半導體晶圓的方法，該方法包括以下步驟：(a1)使用一第一機器人的一第一臂將一晶圓定位在一第一單晶圓處理腔室中；(b1)在該第一單晶圓處理腔室中在一第一批次時間的1/x時間內處理該晶圓；(c1)使用該第一臂將在該第一單晶圓處理腔室中處理的該晶圓移動到一第一批次處理腔室，該第一批次處理腔室經配置在該第一批次時間內同時處理x個晶圓；(d1)重複(a1)到(c1)步驟直到該第一批次處理腔室裝載有x個晶圓； (e1)使用該第一機器人的該第一臂將一晶圓定位在該第一單晶圓處理腔室中；(f1)在該第一單晶圓處理腔室中處理該晶圓；(g1)將一晶圓自該第一批次處理腔室移除以在該第一批次處理腔室中打開一處理空間；(h1)將該晶圓從該第一單晶圓處理腔室移動到該第一批次處理腔室中的打開的該處理空間；及(i1)重複(e1)到(h1)步驟直到已經透過該第一單晶圓處理腔室和該第一批次處理腔室中的各者已經處理了一預定數量的晶圓。
  17. 如請求項16所述之方法，進一步包括以下步驟：(a2)使用一第二機器人的一第二臂將一晶圓定位在一第二單晶圓處理腔室中；(b2)在該第二單晶圓處理腔室中在一第二批次時間的1/y時間內處理該晶圓；(c2)使用該第二臂將在該第二單晶圓處理腔室中處理的該晶圓移動到一第二批次處理腔室，該第二批次處理腔室經配置在該第二批次時間內同時處理y個晶圓；(d2)重複(a2)到(c2)步驟直到該第二批次處理腔室裝載有y個晶圓； (e2)使用該第二機器人將一晶圓定位在該第二單晶圓處理腔室中；(f2)在該第二單晶圓處理腔室中處理該晶圓；(g2)將一晶圓自該第二批次處理腔室移除以在該第二批次處理腔室中打開一處理空間；(h2)將該晶圓從該第二單晶圓處理腔室移動到該第二批次處理腔室中的該開放處理空間；及(i2)重複(e2)到(h2)步驟直到已經透過該第二單晶圓處理腔室和該第二批次處理腔室中的各者已經處理了一預定數量的晶圓。
  18. 如請求項17所述之方法，其中約在相同時間施行(a1)至(i1)步驟及(a2)至(i2)步驟。
  19. 如請求項16所述之方法，其中由一第二機器人的一第二臂移除(g1)步驟中的該晶圓，同時該第一機器人的該第一臂施行(h1)步驟。
  20. 如請求項17所述之方法，其中由該第一機器人的該第一臂移除(g2)步驟中的該晶圓，同時該第二機器人的該第二臂施行(h2)步驟。
TW106140676A 2016-12-02 2017-11-23 整合式原子層沉積工具 TWI742201B (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US201662429215P 2016-12-02 2016-12-02
US62/429,215 2016-12-02

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW201830563A TW201830563A (zh) 2018-08-16
TWI742201B true TWI742201B (zh) 2021-10-11

Family

ID=62240447

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW106140676A TWI742201B (zh) 2016-12-02 2017-11-23 整合式原子層沉積工具

Country Status (3)

Country Link
US (1) US20180155834A1 (zh)
TW (1) TWI742201B (zh)
WO (1) WO2018102519A1 (zh)

Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102592920B1 (ko) * 2018-07-16 2023-10-23 삼성전자주식회사 로드락 모듈 및 이를 포함하는 반도체 제조 장치
KR20210071094A (ko) * 2018-11-19 2021-06-15 매슨 테크놀로지 인크 워크피스 처리를 위한 시스템 및 방법
US10998209B2 (en) 2019-05-31 2021-05-04 Applied Materials, Inc. Substrate processing platforms including multiple processing chambers
WO2020251696A1 (en) * 2019-06-10 2020-12-17 Applied Materials, Inc. Processing system for forming layers
FI129628B (en) * 2019-09-25 2022-05-31 Beneq Oy Method and apparatus for processing a substrate surface
US11257677B2 (en) * 2020-01-24 2022-02-22 Applied Materials, Inc. Methods and devices for subtractive self-alignment
US20230257869A1 (en) * 2020-06-30 2023-08-17 Qorvo Biotechnologies, Llc System for depositing piezoelectric materials, methods for using the same, and materials deposited with the same

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20060137609A1 (en) * 2004-09-13 2006-06-29 Puchacz Jerzy P Multi-single wafer processing apparatus
US20110041764A1 (en) * 2006-06-26 2011-02-24 Aaron Webb Batch processing platform for ald and cvd
US20120210937A1 (en) * 2004-11-22 2012-08-23 Applied Materials, Inc. Substrate processing apparatus using a batch processing chamber
JP2013042112A (ja) * 2011-07-15 2013-02-28 Tokyo Electron Ltd 基板搬送装置、基板処理システムおよび基板搬送方法、ならびに記憶媒体
US20140154887A1 (en) * 2012-12-03 2014-06-05 Applied Materials, Inc. Semiconductor device processing tools and methods for patterning substrates

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5447409A (en) * 1989-10-20 1995-09-05 Applied Materials, Inc. Robot assembly
TW359849B (en) * 1994-12-08 1999-06-01 Tokyo Electron Ltd Sputtering apparatus having an on board service module
US20110265951A1 (en) * 2010-04-30 2011-11-03 Applied Materials, Inc. Twin chamber processing system
JP6294365B2 (ja) * 2016-01-29 2018-03-14 株式会社日立国際電気 基板処理装置、半導体装置の製造方法、プログラム及び記録媒体

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20060137609A1 (en) * 2004-09-13 2006-06-29 Puchacz Jerzy P Multi-single wafer processing apparatus
US20120210937A1 (en) * 2004-11-22 2012-08-23 Applied Materials, Inc. Substrate processing apparatus using a batch processing chamber
US20110041764A1 (en) * 2006-06-26 2011-02-24 Aaron Webb Batch processing platform for ald and cvd
JP2013042112A (ja) * 2011-07-15 2013-02-28 Tokyo Electron Ltd 基板搬送装置、基板処理システムおよび基板搬送方法、ならびに記憶媒体
US20140154887A1 (en) * 2012-12-03 2014-06-05 Applied Materials, Inc. Semiconductor device processing tools and methods for patterning substrates

Also Published As

Publication number Publication date
WO2018102519A1 (en) 2018-06-07
US20180155834A1 (en) 2018-06-07
TW201830563A (zh) 2018-08-16

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI742201B (zh) 整合式原子層沉積工具
TWI729101B (zh) 用於旋轉料架基座中的晶圓旋轉的設備及方法
CN110226214B (zh) 用于介电膜的选择性沉积的方法及设备
TWI794175B (zh) 處理基板的方法
JP2016510946A (ja) 噴射器から基板までの間隙の制御のための装置および方法
TWI732846B (zh) 透過控制前驅物混合來強化金屬的空間ald
TW201928108A (zh) 釕的選擇性原子層沉積
TWI791508B (zh) 用於沉積低介電常數膜的方法與設備
TWI734770B (zh) 用於防止空間ald處理腔室中之背側沉積的設備
US10854428B2 (en) Spatial atomic layer deposition chamber with plasma pulsing to prevent charge damage
TWI723997B (zh) 用於批次處理之注射器及使用方法
TWI671429B (zh) 在空間ald處理腔室中用以增加沉積均勻性的裝置
KR102307233B1 (ko) 금속 산화물 후처리를 위한 방법들
US11746417B2 (en) Clean isolation valve for reduced dead volume
US11581213B2 (en) Susceptor wafer chucks for bowed wafers
US11332828B2 (en) Gas distribution assembly mounting for fragile plates to prevent breakage
US11798825B2 (en) In-situ wafer rotation for carousel processing chambers
TW201908511A (zh) 用於沉積鎢成核層的方法及設備