TWI736225B - 影像處理晶片測試方法 - Google Patents
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Abstract
一種影像處理晶片測試方法,包含:控制一電源供應電路來提供一第一操作電壓給包含儲存裝置的一影像處理晶片;從儲存裝置讀取被寫入的第一影像資料時,測試裝置接收對應第一影像資料的第一錯誤偵測碼並判斷第一錯誤偵測碼是否代表錯誤發生;若錯誤發生,則將第一操作電壓紀錄為錯誤操作電壓;若錯誤未發生,則提供一第二操作電壓給影像處理晶片,且從儲存裝置讀取被寫入的第二影像資料時,測試裝置接收對應第二影像資料的第二錯誤偵測碼並判判斷第二錯誤偵測碼是否代表錯誤發生。
Description
本發明有關於影像處理晶片測試方法,特別有關於可自動測試影像處理晶片的錯誤操作電壓的影像處理晶片測試方法。
傳統上對影像處理晶片進行測試時,會以手動方式調整提供給影像處理晶片的操作電壓,並觀察連接到影像處理晶片的顯示器上是否有顯示問題(例如閃爍或拉絲),來判斷操作電壓是否為適當的操作電壓。
然而,這樣的操作方式僅能發現會造成較嚴重顯示問題的操作電壓,當顯示問題較輕微時,觀察者可能因有問題的影像僅在極短時間內顯現出來或是較不明顯而無法發現相對應的錯誤操作電壓。
因此,本發明一目的為提供一種可自動且精確測試錯誤操作電壓的影像處理晶片測試方法。
本發明一實施例提供了一種影像處理晶片測試方法,藉由在一測試裝置上執行至少一程式而施行,包含:控制一電源供應電路來提供一第一操作電壓給一影像處理晶片,該影像處理晶片包含至少一儲存裝置;寫入一第一影像資料至該儲存裝置;從該儲存裝置讀取該第一影像資料時,該測試裝置接收對應該第一影像資料的第一錯誤偵測碼並判斷該第一錯誤偵測碼是否代表錯誤發生;若該第一錯誤偵測碼代表該錯誤發生,則將該第一操作電壓紀錄為錯誤操作電壓;若該第一錯誤偵測碼代表該錯誤未發生,則提供一第二操作電壓給該影像處理晶片,寫入一第二影像資料至該儲存裝置,且從該儲存裝置讀取該第二影像資料時,該測試裝置接收對應該第二影像資料的第二錯誤偵測碼並判判斷該第二錯誤偵測碼是否代表錯誤發生。
根據前述實施例,可自動且精準的偵測影像晶片,因此可克服習知技術中無法自動且難以精準的偵測到錯誤操作電壓的問題。
以下將以多個實施例來描述本發明的內容,還請留意,各實施例中的元件可透過硬體 (例如裝置或電路)或是韌體 (例如微處理器中寫入至少一程式)來實施。此外,以下描述中的”第一”、”第二”以及類似描述僅用來定義不同的元件、參數、資料、訊號或步驟,並非用以限定其次序。
第1圖繪示了根據本發明一實施例的使用本發明所提供的影像處理晶片測試方法的影像晶片測試系統100的方塊圖。如第1圖所示,影像晶片測試系統100包含一測試裝置101、一電源供應電路103以及一影像處理晶片105。電源供應電路103和影像處理晶片105可位於同一電路板上且影像處理晶片105包含一儲存裝置107。測試裝置101用以執行至少一程式來執行本發明所提供的影像處理晶片測試方法。根據本發明所提供的影像處理晶片測試方法,測試裝置101會控制電源供應電路103來依序提供至少一個操作電壓給影像處理晶片105。測試裝置101會在影像資料從接收儲存裝置107被讀取時接收對應影像資料的錯誤偵測碼並判斷錯誤偵測碼是否代表著影像資料在從儲存裝置109讀出時發生錯誤。若錯誤偵測碼代表著未發生錯誤則繼續提供下一個操作電壓來進行測試,若錯誤偵測碼EC代表著發生錯誤則將現今的操作電壓紀錄為錯誤操作電壓。
舉例來說,如第1圖所示,測試裝置101會控制電源供應電路103來提供一第一操作電壓V1給影像處理晶片105,其包含一儲存裝置107。第一影像資料Im1會被寫入至儲存裝置107,且在從儲存裝置107讀取第一影像資料Img1時,測試裝置101會接收對應第一影像資料Img1的第一錯誤偵測碼EC1並判斷第一錯誤偵測碼EC1是否代表錯誤發生。若第一錯誤偵測碼EC1代表錯誤發生,則將第一操作電壓V1紀錄為錯誤操作電壓。若第一錯誤偵測碼EC1代表錯誤未發生,則提供一第二操作電壓V2給影像處理晶片105,並寫入一第二影像資料Img2至儲存裝置107。且從儲存裝置107讀取第二影像資料Img2時,測試裝置101接收對應第二影像資料Img2的第二錯誤偵測碼EC2並判斷第二錯誤偵測碼EC2是否代表錯誤發生。
同樣的,若第二錯誤偵測碼EC2代表錯誤發生,則將第二操作電壓V2紀錄為錯誤操作電壓。若第二錯誤偵測碼EC2代表錯誤未發生,則提供一第三操作電壓V3給影像處理晶片105。然後第三影像資料Img3會被儲存至儲存裝置107,且從儲存裝置107讀取第三影像資料Img3時,測試裝置101會接收對應第三影像資料Img3的第三錯誤偵測碼EC3並判斷第三錯誤偵測碼EC3是否代表錯誤發生。前述第一操作電壓V1、第二操作電壓V2以及第三操作電壓V3的動作可一直重覆進行直到滿足預定條件。此預定條件可為測試到預定數目的錯誤操作電壓 (例如測試到一個錯誤操作電壓或是五個錯誤操作電壓)。或者,也可以一直重覆進行直到操作電壓達一預定次數,舉例來說,可以預設成測試20個操作電壓V1-V20。而且,前述的第一影像資料Img1、第二影像資料Img2以及第三影像資料Img3可以包含相同的影像內容,也可以包含不同的影像內容。
在一實施例中,第三操作電壓V3小於第二操作電壓V2,且第二操作電壓V2小於第一操作電壓V1。也就是說,測試裝置101控制電源供應電路103所提供的操作電壓會逐次降低。依此方式偵測到的第一個錯誤操作電壓的上一個操作電壓,便是影像處理晶片105可運作的最低操作電壓。舉例來說,測試裝置101依序提供操作電壓V1, V2…Vn給影像處理晶片105,操作電壓V1最高,然後操作電壓V2…Vn逐漸降低。對應操作電壓V1, V2…Vn-1的錯誤偵測碼均未指示發生錯誤,而對應操作電壓Vn的錯誤偵測碼指示發生錯誤。在此例中,會將操作電壓Vn紀錄為錯誤操作電壓,而操作電壓Vn-1紀錄為最低操作電壓。在一實施例中,若影像處理晶片105運作在操作電壓Vn雖有錯誤,但此錯誤相當微小,仍可將操作電壓Vn紀錄為最低操作電壓。
在一實施例中,第三操作電壓V3高於第二操作電壓V2,且第二操作電壓V2高於第一操作電壓V1。也就是說,測試裝置101所給予的操作電壓會逐次增加,依此偵測到的第一個錯誤操作電壓的上一個操作電壓,便是影像處理晶片105所能承受的最大操作電壓。舉例來說,測試裝置101依序提供操作電壓V1, V2…Vn給影像處理晶片105,操作電壓V1最低 (可為前述的最低操作電壓)然後操作電壓V2…Vn逐漸增加。對應操作電壓V1或V2…Vn-1的錯誤偵測碼均未指示發生錯誤,而對應操作電壓Vn的錯誤偵測碼指示發生錯誤。在此例中,會將操作電壓Vn紀錄為錯誤操作電壓,而操作電壓Vn-1紀錄為最高操作電壓。在一實施例中,若影像處理晶片105運作在操作電壓Vn雖有錯誤,但此錯誤相當微小,仍可將操作電壓Vn紀錄為最高操作電壓。
第1圖所示的各元件可以各種裝置或電路來實施。測試裝置101可為一電腦或是其他可控制電源供應電路103的裝置。在一實施例中,儲存裝置107為一雙倍數據率(Double Data Rate,DDR)記憶體。錯誤偵測碼可為各種能夠用來確認儲存裝置讀出的資料是否正確的碼。在一實施例中,錯誤偵測碼為循環冗餘碼(Cyclical Redundancy Check,CRC)。測試裝置101可取得根據未輸入前的影像資料所產生的參考錯誤偵測碼,然後比對影像資料從儲存裝置107讀出時所產生的錯誤偵測碼,來判斷讀出的影像資料是否有錯誤。然請留意,對應不同的錯誤偵測碼,測試裝置101可有不同的判斷機制。此類變化均應
第2圖繪示了根據本發明另一實施例的使用本發明所提供的影像處理晶片測試方法的影像晶片測試系統的方塊圖。在此實施例中,影像處理晶片105耦接到一顯示器203,當錯誤偵測碼代表錯誤發生時,顯示器203會顯示相對應的錯誤畫面 (例如閃爍或拉絲)。在前述說明中,提及了若影像處理晶片105運作在操作電壓Vn雖有錯誤,但此錯誤相當微小,仍可將操作電壓Vn紀錄為最低操作電壓。此處的微小錯誤可指顯示器203會顯示相對應的錯誤畫面,但錯誤之處相當小 (例如只有一兩個像素)或是錯誤畫面只有極短的時間,但不影響使用者欣賞影片的感受。請再參閱第2圖,在第2圖的實施例中,影像處理晶片105更包含耦接儲存裝置107的一顯示器驅動電路201。顯示器驅動電路201耦接儲存裝置107以及顯示器203以控制顯示器203來顯示從儲存裝置107讀出的影像資料。影像處理晶片105可更包含其他元件,例如儲存裝置控制電路等。此外,顯示器驅動電路201不限於包含在影像處理晶片105中。如第3圖所示,顯示器驅動電路201是獨立於影像處理晶片105的一電路而不包含在影像處理晶片105中。
第4圖繪示了根據本發明一實施例的影像處理晶片測試方法的流程圖,其可透過一測試裝置101執行至少一程式而執行,包含下列步驟:
步驟401
控制一電源供應電路103來提供一操作電壓給一影像處理晶片105,並寫入影像資料至影像處理晶片105中的儲存裝置107。
步驟403
從儲存裝置107讀取影像資料時,判斷對應影像資料的錯誤偵測碼是否代表錯誤發生。若錯誤發生則到步驟405,若錯誤未發生則到步驟407。
步驟405
將此操作電壓紀錄為錯誤操作電壓。
步驟407
提供下一操作電壓並回到步驟401。
根據前述實施例,可自動且精準的偵測影像晶片,因此可克服習知技術中無法自動且難以精準的偵測到錯誤操作電壓的問題。
以上所述僅為本發明之較佳實施例,凡依本發明申請專利範圍所做之均等變化與修飾,皆應屬本發明之涵蓋範圍。
100:影像晶片測試系統
101:測試裝置
103:電源供應電路
105:影像處理晶片
107:儲存裝置
201:顯示器驅動電路
203:顯示器
第1圖繪示了根據本發明一實施例的使用本發明所提供的影像處理晶片測試方法的影像晶片測試系統的方塊圖。
第2圖繪示了根據本發明另一實施例的使用本發明所提供的影像處理晶片測試方法的影像晶片測試系統的方塊圖。
第3圖繪示了根據本發明又一實施例的使用本發明所提供的影像處理晶片測試方法的影像晶片測試系統的方塊圖。
第4圖繪示了根據本發明一實施例的影像處理晶片測試方法的流程圖。
100:影像晶片測試系統
101:測試裝置
103:電源供應電路
105:影像處理晶片
107:儲存裝置
Claims (10)
- 一種影像處理晶片測試方法,藉由在一測試裝置上執行至少一程式而施行,包含: 控制一電源供應電路來提供一第一操作電壓給一影像處理晶片,該影像處理晶片包含至少一儲存裝置; 寫入一第一影像資料至該儲存裝置; 從該儲存裝置讀取該第一影像資料時,該測試裝置接收對應該第一影像資料的第一錯誤偵測碼並判斷該第一錯誤偵測碼是否代表錯誤發生; 若該第一錯誤偵測碼代表該錯誤發生,則將該第一操作電壓紀錄為錯誤操作電壓; 若該第一錯誤偵測碼代表該錯誤未發生,則提供一第二操作電壓給該影像處理晶片,寫入一第二影像資料至該儲存裝置,且從該儲存裝置讀取該第二影像資料時,該測試裝置接收對應該第二影像資料的第二錯誤偵測碼並判判斷該第二錯誤偵測碼是否代表錯誤發生。
- 如請求項1所述的影像處理晶片測試方法,其中該第二操作電壓小於該第一操作電壓。
- 如請求項2所述的影像處理晶片測試方法,更包含: 若該第二錯誤偵測碼代表該錯誤發生,則將該第二操作電壓紀錄為該錯誤操作電壓; 若該第二錯誤偵測碼代表該錯誤未發生,則提供一第三操作電壓給該影像處理晶片,儲存一第三影像資料至該儲存裝置,且從該儲存裝置讀取該第三影像資料時,該測試裝置接收對應該第三影像資料的第三錯誤偵測碼並判斷該第三錯誤偵測碼是否代表錯誤發生; 其中該第三操作電壓小於該第二操作電壓。
- 如請求項1所述的影像處理晶片測試方法,其中該第二操作電壓高於該第一操作電壓,且該第一操作電壓為該影像處理晶片可正常運作的最低電壓。
- 如請求項4所述的影像處理晶片測試方法,更包含: 若該第二錯誤偵測碼代表該錯誤發生,則將該第二操作電壓紀錄為該錯誤操作電壓; 若該第二錯誤偵測碼代表該錯誤未發生,則提供一第三操作電壓給該影像處理晶片,儲存一第三影像資料至該儲存裝置,且從該儲存裝置讀取該第三影像資料時,該測試裝置接收對應該第三影像資料的第三錯誤偵測碼並判斷該第三錯誤偵測碼是否代表錯誤發生; 其中該第三操作電壓高於該第二操作電壓。
- 如請求項1所述的影像處理晶片測試方法,其中該錯誤偵測碼為循環冗餘碼(Cyclical Redundancy Check) 。
- 如請求項6所述的影像處理晶片測試方法,其中該儲存裝置為一雙倍數據率(Double Data Rate,DDR)記憶體。
- 如請求項1所述的影像處理晶片測試方法,其中該影像處理晶片更包含耦接該儲存裝置的一顯示器驅動電路,該顯示器驅動電路耦接一顯示器以控制該顯示器來顯示從該儲存裝置讀出的影像資料,當該錯誤偵測碼代表該錯誤發生時,該顯示器會顯示相對應的錯誤畫面。
- 如請求項1所述的影像處理晶片測試方法,更包含獨立於該影像處理晶片且耦接該儲存裝置的一顯示器驅動電路,該顯示器驅動電路耦接一顯示器以控制該顯示器來顯示從該儲存裝置讀出的影像資料,當該錯誤偵測碼代表該錯誤發生時,該顯示器會顯示相對應的錯誤畫面。
- 如請求項1所述的影像處理晶片測試方法,其中該第一影像資料以及該第二影像資料包含相同的影像內容。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
TW109113177A TWI736225B (zh) | 2020-04-20 | 2020-04-20 | 影像處理晶片測試方法 |
US17/037,733 US11200821B2 (en) | 2020-04-20 | 2020-09-30 | Image processing chip test method |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
TW109113177A TWI736225B (zh) | 2020-04-20 | 2020-04-20 | 影像處理晶片測試方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
TWI736225B true TWI736225B (zh) | 2021-08-11 |
TW202141057A TW202141057A (zh) | 2021-11-01 |
Family
ID=78080913
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
TW109113177A TWI736225B (zh) | 2020-04-20 | 2020-04-20 | 影像處理晶片測試方法 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US11200821B2 (zh) |
TW (1) | TWI736225B (zh) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN110675794B (zh) * | 2019-09-12 | 2021-07-06 | Tcl华星光电技术有限公司 | 电源管理芯片及其驱动方法、驱动*** |
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-
2020
- 2020-04-20 TW TW109113177A patent/TWI736225B/zh active
- 2020-09-30 US US17/037,733 patent/US11200821B2/en active Active
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Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
TW202141057A (zh) | 2021-11-01 |
US20210327318A1 (en) | 2021-10-21 |
US11200821B2 (en) | 2021-12-14 |
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