TWI732789B - 固體前驅物之冷燒結 - Google Patents

固體前驅物之冷燒結 Download PDF

Info

Publication number
TWI732789B
TWI732789B TW105132458A TW105132458A TWI732789B TW I732789 B TWI732789 B TW I732789B TW 105132458 A TW105132458 A TW 105132458A TW 105132458 A TW105132458 A TW 105132458A TW I732789 B TWI732789 B TW I732789B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
precursor
solid
compacted
evaporator
vapor
Prior art date
Application number
TW105132458A
Other languages
English (en)
Other versions
TW201726967A (zh
Inventor
湯瑪士 H 包姆
大衛 詹姆士 艾德瑞吉
羅柏茲 L 二世 懷特
李雨綺
Original Assignee
美商恩特葛瑞斯股份有限公司
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 美商恩特葛瑞斯股份有限公司 filed Critical 美商恩特葛瑞斯股份有限公司
Publication of TW201726967A publication Critical patent/TW201726967A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI732789B publication Critical patent/TWI732789B/zh

Links

Images

Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/448Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for generating reactive gas streams, e.g. by evaporation or sublimation of precursor materials
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/448Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for generating reactive gas streams, e.g. by evaporation or sublimation of precursor materials
    • C23C16/4481Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for generating reactive gas streams, e.g. by evaporation or sublimation of precursor materials by evaporation using carrier gas in contact with the source material
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B22CASTING; POWDER METALLURGY
    • B22FWORKING METALLIC POWDER; MANUFACTURE OF ARTICLES FROM METALLIC POWDER; MAKING METALLIC POWDER; APPARATUS OR DEVICES SPECIALLY ADAPTED FOR METALLIC POWDER
    • B22F3/00Manufacture of workpieces or articles from metallic powder characterised by the manner of compacting or sintering; Apparatus specially adapted therefor ; Presses and furnaces
    • B22F3/02Compacting only
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C04CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04BLIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B35/00Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C04CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04BLIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B35/00Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
    • C04B35/515Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on non-oxide ceramics
    • C04B35/5152Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on non-oxide ceramics based on halogenides other than fluorides
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C04CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04BLIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B35/00Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
    • C04B35/622Forming processes; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
    • C04B35/626Preparing or treating the powders individually or as batches ; preparing or treating macroscopic reinforcing agents for ceramic products, e.g. fibres; mechanical aspects section B
    • C04B35/63Preparing or treating the powders individually or as batches ; preparing or treating macroscopic reinforcing agents for ceramic products, e.g. fibres; mechanical aspects section B using additives specially adapted for forming the products, e.g.. binder binders
    • C04B35/6303Inorganic additives
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C04CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04BLIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B35/00Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
    • C04B35/622Forming processes; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
    • C04B35/626Preparing or treating the powders individually or as batches ; preparing or treating macroscopic reinforcing agents for ceramic products, e.g. fibres; mechanical aspects section B
    • C04B35/63Preparing or treating the powders individually or as batches ; preparing or treating macroscopic reinforcing agents for ceramic products, e.g. fibres; mechanical aspects section B using additives specially adapted for forming the products, e.g.. binder binders
    • C04B35/632Organic additives
    • C04B35/634Polymers
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C09DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09DCOATING COMPOSITIONS, e.g. PAINTS, VARNISHES OR LACQUERS; FILLING PASTES; CHEMICAL PAINT OR INK REMOVERS; INKS; CORRECTING FLUIDS; WOODSTAINS; PASTES OR SOLIDS FOR COLOURING OR PRINTING; USE OF MATERIALS THEREFOR
    • C09D1/00Coating compositions, e.g. paints, varnishes or lacquers, based on inorganic substances
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C09DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09DCOATING COMPOSITIONS, e.g. PAINTS, VARNISHES OR LACQUERS; FILLING PASTES; CHEMICAL PAINT OR INK REMOVERS; INKS; CORRECTING FLUIDS; WOODSTAINS; PASTES OR SOLIDS FOR COLOURING OR PRINTING; USE OF MATERIALS THEREFOR
    • C09D5/00Coating compositions, e.g. paints, varnishes or lacquers, characterised by their physical nature or the effects produced; Filling pastes
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/0021Reactive sputtering or evaporation
    • C23C14/0036Reactive sputtering
    • C23C14/0063Reactive sputtering characterised by means for introducing or removing gases
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C30CRYSTAL GROWTH
    • C30BSINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B25/00Single-crystal growth by chemical reaction of reactive gases, e.g. chemical vapour-deposition growth
    • C30B25/02Epitaxial-layer growth
    • C30B25/14Feed and outlet means for the gases; Modifying the flow of the reactive gases
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C04CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04BLIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/02Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
    • C04B2235/30Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
    • C04B2235/44Metal salt constituents or additives chosen for the nature of the anions, e.g. hydrides or acetylacetonate
    • C04B2235/444Halide containing anions, e.g. bromide, iodate, chlorite
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C04CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04BLIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/60Aspects relating to the preparation, properties or mechanical treatment of green bodies or pre-forms
    • C04B2235/604Pressing at temperatures other than sintering temperatures

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Structural Engineering (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Wood Science & Technology (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)

Abstract

本發明描述一種固體遞送前驅物,其可用於揮發以產生用於一汽相沈積程序之前驅物蒸汽。該固體遞送前驅物包括例如呈諸如團粒、薄片、小片、珠粒、圓盤或單塊之一形式之壓實顆粒前驅物之固體本體。當利用於諸如化學汽相沈積、脈衝化學汽相沈積或原子層沈積之一汽相沈積程序中時,相對於顆粒前驅物,呈壓實顆粒前驅物之固體本體形式之該固體遞送前驅物在經受揮發條件時提供實質上增加的前驅物蒸汽通量。因此,汽相沈積程序操作可在較短時間週期內進行,藉此達成諸如半導體產物、平板顯示器、太陽能板、LED、光學塗層等產物之增大的製造速率。

Description

固體前驅物之冷燒結
本發明係關於使用於固體遞送應用中之固體前驅物,在該固體遞送應用中,揮發固體前驅物以形成用於例如半導體產物、平板顯示器、太陽能板、LED及光學塗層之製造中之汽相沈積程序之對應前驅物蒸汽,本發明亦係關於包括此等固體前驅物之固體遞送設備及用於製備並利用此等固體前驅物之程序。
在使用經揮發以形成用於諸如半導體產物、平板顯示器、太陽能板、LED及光學塗層之製造之應用之對應前驅物蒸汽之固體前驅物時,固體前驅物通常呈一精細劃分形式使用以最大化表面體積比,使得當加熱時,一對應最大表面積可用於固體至一蒸汽形式之相變。
固體前驅物,即在環境溫度及壓力條件(例如,25℃及1atm壓力)下為固體之前驅物在涉及封裝及處理特性、體積考量、易純化性及可製造性之許多應用中具有優於替代的液體或氣體前驅物之顯著優點。
歸因於固體前驅物在前述應用中之廣泛使用,此項技術繼續集中於達成在針對此目的而經利用之蒸汽產生操作中提供前驅物蒸汽之更高通量之改良,以及此等蒸汽產生操作之熱管理之增強,且前驅物呈使更多前驅物能夠裝載於一相同體積的蒸發器中之一形式,從而導致蒸汽供應系統之一 較低的擁有成本(cost-of-ownership)。
本發明係關於使用於固體遞送應用中之固體前驅物,該等固體遞送應用用於汽相沈積程序,諸如化學汽相沈積、脈衝化學汽相沈積及原子層沈積,本發明亦係關於包括此等固體前驅物之固體遞送設備及利用此等固體前驅物之程序。
在一項態樣中,本發明係關於一種固體遞送前驅物,其可用於揮發以產生用於一汽相沈積程序之前驅物蒸汽,該固體遞送前驅物包括壓實顆粒前驅物之固體本體。
在另一態樣中,本發明係關於一種固體遞送設備,其包括一蒸發器,該蒸發器包括固持本發明之一固體遞送前驅物之一蒸發器器皿。
本發明之另一態樣係關於一種製造設施,其經構形以製造選自由以下各項組成之群組之一產物:半導體產物、平板顯示器、太陽能板、LED及光學塗層,此製造設施包括本發明之一固體遞送設備,該固體遞送設備經構形以將前驅物蒸汽遞送至該製造設施中之一前驅物蒸汽利用工具。
在另一態樣中,本發明係關於一種汽相沈積程序,包括揮發本發明之一固體遞送前驅物以產生對應前驅物蒸汽,及在汽相沈積條件下將一材料自前驅物蒸汽沈積於一基板上。
本發明之一額外態樣係關於一種製備本發明之一固體遞送前驅物之方法,此方法包括在足夠的壓力下壓實顆粒前驅物以將顆粒前驅物固結成一單體式固體本體。
將自以下描述及隨附申請專利範圍更完全明白本發明之其他態樣、特徵及實施例。
10:蒸發器
12:器皿
14:底面
16:外接側壁
18:蓋
20:入口閥/載體氣體入口閥
22:托盤
23:下管/內部載體氣體下管
30:通管
38:密封O形環
圖1係針對壓實前驅物之揮發而使用於本發明之各種實施例中之一類型的一蒸發器之一透視圖。
圖2係針對與一各別先前基線形成對照之運轉1及2,前驅物蒸汽之通量率(以克每小時(g/hr)為單位)隨一蒸發器中剩餘的前驅物之填充重量(以克為單位)變化之一圖表,使針對壓實前驅物團粒(pellets)量測之前驅物蒸汽通量與在先前基線測試中之對應蒸發條件下針對對應較低密度粉末前驅物材料量測之前驅物蒸汽通量對照而繪製為各別運轉1及2中之一小時平均資料(◆)及兩小時平均資料(■)。
本發明係關於固體前驅物,其使用在固體遞送中以形成用於諸如半導體產物、平板顯示器、太陽能板、LED及光學塗層之製造之汽相沈積應用之對應蒸汽。本發明係關於固體前驅物以及含有此等固體前驅物之固體遞送封裝,及用於製備並使用此等固體前驅物之程序。
如本發明之先前技術部分中所指示,此項技術通常採用呈一精細劃分形式(如經加熱以形成對應前驅物蒸汽之粉末)之固體前驅物。在此使用中,例如藉由使用銑削及研磨操作而最小化顆粒材料之粒子大小,以便最大化表面體積比且提供用於自加熱的固體粒子產生蒸汽之最大表面積通常被視為高度期望的。
然而,與此習知常識相反,出乎意料且意外地發現,當為形成呈團粒(pellets)、薄片、小片、珠粒(beads)、圓盤、單塊等形式之壓實固體本體而高度壓實顆粒固體前驅物材料時,此等壓實固體本體在用於自前驅物固體產生前驅物蒸汽之揮發操作中經加熱時能夠產生顯著較高位準的前驅物 材料通量。此外,作為一附屬優點,此等壓實固體本體避免當將對應精細劃分之粉末材料用於蒸汽產生時所遇到的粒子運輸及「粉化」及固體移位行為,以及放寬對蒸發器器皿中之微細粒子過濾器之要求,該等微細顆粒過濾器係必要的以便避免蒸汽中挾帶前驅物之微細粒子,該蒸汽自蒸發器器皿排放以遞送至一下游前驅物蒸汽利用程序系統。
已證明本發明之優點係,在同一溫度及與揮發固體接觸之載體氣體之同一流動速率下,相對於呈精細劃分之粉末形式之對應前驅物可達成之通量,提供經遞送前驅物蒸汽通量之至少15%、至高50%及更高之實質性增加。在特定實施例中,經遞送前驅物蒸汽通量之增加可係20%、25%、30%、35%、40%或45%中之至少任一者,至高可係一相應較高值,在特定範圍中,該相應較高值至高可係40%、45%、50%、55%、60%、65%、70%、75%、100%、200%、500%、1000%或更高。
因此本發明預期壓實固體前驅物本體,其相對於呈一低密度粉末形式合成之對應前驅物而經實質上壓實。在各種實施例中,壓實固體前驅物本體可具有如由量測壓實材料(例如,呈團粒(pellets)、薄片、珠粒(beads)、圓盤、單塊形式或呈其他壓實件形式)之一個別件之體密度之比重瓶技術判定之一片密度,該片密度比呈粉末形式之一相同質量的前驅物之體密度(其經量測為自由流動粉末之一包絡密度)高至少15%,且在特定實施例中,壓實固體前驅物本體之片密度可比呈顆粒形式之相同質量的前驅物之體密度高至少20%、25%、30%、35%、40%、45%、50%、55%、60%、65%、70%、75%、80%、85%、90%、95%、100%、110%、120%、130%、140%、150%,且至高2000%或更高,其中呈顆粒形式之前驅物之體密度經量測為自由流動粉末之一包絡密度,且其中壓實材料之一個別件之體密度可接近 該材料之絕對密度之100%,例如,可至少係該材料之絕對密度之80%、82%、85%、87%、90%、91%、92%、93%、94%、95%、96%、97%、98%及99%。
如在此內容脈絡中所用,呈粉末形式之前驅物之包絡密度或體密度藉由將自由流動的粉末倒入在其中粉末不進一步經搖晃、壓實或固結之一容器或「包絡體」而判定,使得所判定的密度包含孔、間隙體積及粉末樣本中之其他空隙體積。
前驅物材料之絕對密度係在不包含空隙體積之情況下判定之密度,且因此係前驅物材料之一無空隙固有密度。
壓實前驅物材料本體之片密度係包含壓實本體內之任何空隙但不包含壓實本體外部之任何空隙體積之壓實前驅物材料本體之體密度。
將瞭解,壓實本體內之空隙將依據壓實本體之起始材料所經受之壓實之性質及程度而減少。例如,起始材料可呈粉末形式,在用於對材料施加壓縮並將其固結成一單件形式之一壓縮模具或其他設備中將該粉末形式的起始材料壓縮為產物壓實本體。由於增大壓縮力之量值,故進一步「壓縮出」前驅物材料之空隙,且壓實本體之體密度逐漸變得更接近前驅物材料之固有或真實(絕對)密度。壓實可例如藉由一製粒機、一單點壓力機、一多點壓力機、一擠出機或經構形以將壓實壓力施加至起始材料使得起始材料經壓實為具有較高密度之一單體式本體形式之任何其他適合設備而實現。
壓實前驅物材料之單體式本體可具有任何適合尺寸,且可具有任何適合形狀或構形。在各種實施例中,壓實前驅物材料可經提供為具有0.2cm或更大之尺寸之一單體式本體,雖然在其他實施例中,具有較小大小之壓 實前驅物材料單體式本體可係較佳的。藉由闡釋性實例方式,各種實施例中之前驅物材料之單體式本體可呈一薄片或小片形式,該薄片或小片具有其各尺寸在從0.2cm至2.5cm之一範圍中且厚度在從0.2cm至2.5cm之一範圍中之一表面。作為另一實例,前驅物材料之單體式本體可呈一圓柱形圓塊形式,該圓柱形圓塊具有在從2cm至20cm之一範圍中之一直徑,及在從1cm至4cm之一範圍中之一厚度。壓實前驅物材料之單體式本體之形狀或構形可係幾何規則的或特性不規則的,且通常其可呈適合於在其中採用前驅物材料之特定蒸發器或蒸發環境之任何空間填充幾何形式。例如,在一些實施例中,前驅物材料之單體式本體可通常等效於或在其他方面符合蒸發器容器中之內部體積之尺寸,前驅物材料之單體式本體部署於該蒸發器容器中。當採用複數個壓實單體式本體時,前驅物材料單體式本體之大小及形狀可經選定以提供蒸發器之內部體積之最佳空間填充。例如,單體式本體可係圓柱形狀的團粒(pellets),該等團粒(pellets)具有相等的長度(L)及直徑(D)尺寸,例如團粒(pellets)厚度2mm且直徑2mm(即,L/D=1)。
前驅物材料(其之壓實單體式本體根據本發明形成)可包括針對所關注之一特定應用使用於固體遞送之任何適合前驅物材料。實例包含但不限制於以下各項中之至少一者:氯化鉿、氯化鋯、5-二甲基氨基鉭(PDMAT)、三甲基銦、雙環戊二烯基鎂、四甲基鋅、四乙基鋅、鎢六羰基、五氯化鎢、六氯化鎢、固体金屬β-二酮、固體金屬脒化物、固體金屬甲脒及固体金屬羧酸鹽,以及在20℃至30℃之環境溫度條件及約1atm之環境壓力下為固體之任何其他前驅物材料。
用於形成壓實前驅物單體式本體之起始材料可呈可壓實以形成此等單體式本體之任何適合起始材料形式。較佳地,起始材料呈一精細劃分形 式,如一粉末或粒狀材料。壓實為一單體式本體時之起始材料必須而後保持充分的結構完整性以供呈此形式之前驅物材料之後續使用。例如,壓實前驅物材料單體式本體在於使用點處裝載至一蒸發器中以用於產生前驅物蒸汽時,期望保持充分的結構完整性以在此裝載及後續安裝及蒸發器之初始使用期間維持單體式本體形式,且有利地具有充分的結構完整性以適應封裝及從製造地點至使用點之運輸。一般言之,期望貫穿至少初始蒸發操作維持壓實前驅物材料之原始單體式本體形式,但在一些例項中,期望形成壓實前驅物材料之具有分割層或漸逝區域之一單體式本體,使得例如在對壓實前驅物材料本體施加熱之後,壓實材料之一較大初始本體劃分成較小組成件。
在此方面,若壓實前驅物材料單體式本體在蒸發器器皿之一製造點處或一填充點處放置於一蒸發器中,且經填充蒸發器隨後作為一閉合器皿運輸至使用地點,則壓實材料單體式本體必須在對後續蒸汽產生操作無不利影響之情況下適應此處理及後續運輸及在程序設施處(將在該處產生供使用之蒸汽)之蒸發器器皿安裝。因此,較佳地,依將貫穿後續蒸發操作之至少一初始階段維持且具有最小磨損、粉化行為等之一形式形成前驅物材料之壓實單體式本體。
一般言之,壓實材料應充分地自黏附,使得粒子係起始材料之微粒,該等微粒彼此黏結成形成前驅物材料之單體式本體之固結質量塊,或替代地,若壓實材料不充分地自黏附以維持一單體式形式,則可向起始材料添加一惰性非揮發性黏合劑或其他基質材料以確保在本發明之前驅物材料之生產中圓滿達成且維持單體式本體形式。
此例項中之黏合劑或基質材料較佳在壓實材料單體式本體為產生前 驅物蒸汽而經受之揮發條件下係非揮發性的,或若在此等條件下係揮發性的,則期望黏合劑或基質材料之對應蒸汽相對於產生的前驅物蒸汽所流向之汽相沈積程序係良性的。黏合劑或基質材料可例如包括一非揮發性、非反應性聚合物介質、一高純度、非揮發性碳質材料或者具有高純度及非揮發性、非反應性特性之其他適合黏合劑或基質材料,該黏合劑或基質材料有效地將結構完整性賦予給壓實前驅物材料,使得其在後續處理、封裝及至少初始使用期間保持其單體式本體形式。因此期望黏合劑或基質材料對在其中利用對應前驅物材料之固體遞送揮發及汽相沈積程序呈惰性。
在一些例項中,相對於相同起始材料中之同系或在其他方面緊密相關的化合物,起始材料之組合物將對壓實前驅物材料單體式本體之形態及實體特性具有一影響。例如,已發現在一些例項中,具有不同小部分的六氯化鎢之五氯化鎢與六氯化鎢之混合物需要不同位準的壓實,以便達成一類似的結構完整性及形態特性。將瞭解,可容易憑經驗判定特定壓實條件,以針對前驅物起始材料中之相關化合物之特定混合組合物判定最佳壓力位準及溫度條件。儘管預期相關材料之混合物,但純前驅物材料較佳用於產生前驅物蒸汽。
一般言之,前驅物起始材料之壓實可在環境或接近環境溫度條件下(例如在從15℃至30℃之一範圍中之溫度下)執行,以實現顆粒前驅物起始材料之固結。在一些實施例中,較高溫度可利用於壓實操作中,且在其他實施例中,在前驅物起始材料之壓實中之熱(高溫)處理可能係期望的,以實現顆粒前驅物起始材料之固結。
儘管本發明之壓實單體式本體前驅物材料相比於自其形成此壓實單體式本體之顆粒材料,可用於實現前驅物蒸汽之更高通量的達成,可在各 種程序條件下利用壓實單體式本體,在該等條件下產生等效於或甚至低於此等壓實單體式本體之顆粒源材料可達成之通量之通量,但其中壓實單體式本體形式之前驅物材料提供諸如易於處理及抗顆粒挾帶之其他優點。
本發明進一步預期一種製造設施,其經構形以製造需要供應來自本發明之一固體遞送設備之一蒸汽之一產物,其中固體遞送設備包括含有本發明之一固體遞送前驅物之一蒸發器,且其中製造設施包括呈一構形之固體遞送設備,該構形用於將蒸汽自固體遞送設備之蒸發器遞送至製造設施中之一蒸汽利用工具。
圖1係針對壓實前驅物之揮發而使用於本發明之各種實施例中之一類型的一蒸發器之一透視圖。
蒸發器10包括一器皿12,該器皿由一適合的導熱材料(舉例而言,諸如銀、銀合金、銅、銅合金、鋁、鋁合金、鉛、镍包层、不鏽鋼、石墨、塗佈碳化矽的石墨、氮化硼、陶瓷材料等中之任一者或此等類型的材料之兩者或兩者以上的組合物、混合物或合金)製作。器皿亦可包括其表面上之保護塗層。
器皿包括一起形成器皿之一內部體積之一底面14及外接側壁16。器皿可具促進載體氣體穿過器皿之內部體積之一平穩流動之任何適合形狀。在圖1中所示之闡釋性實施例中,器皿具有一圓柱形狀。器皿包含其上安裝一載體氣體入口閥20之一蓋18,該載體氣體入口閥經配置以在閥打開時選擇性地將載體氣體引入至器皿之內部體積中。
在器皿之內部體積中定位複數個經垂直堆疊托盤22。經堆疊托盤彼此隔開且為易於清潔及再填充而可自器皿移除。在器皿內定位一內部載體氣體下管23,該內部載體氣體下管(例如)藉由焊接、銅焊等連接至蓋中之與 入口閥20相聯結之一氣體入口且將載體氣體輸送至內部體積之底部,該底部在經垂直堆疊托盤陣列中之最低托盤下方。在所示之實施例中,下管23通過各托盤之一圓柱套環,該圓柱套環延伸穿過托盤之底面。為協助確保下管與托盤之底面之接合點處之一防洩漏密封,一密封O形環38可定位於連續托盤之間。一額外外O形環亦可用於各托盤側壁之頂部表面上之托盤之間的密封。
如所繪示,個別托盤22之各者具有用以形成一托盤腔之一底面及側壁,該托盤腔用於放置並支撐壓實前驅物之單體式本體。托盤較佳由一非反應性導熱材料(舉例而言,諸如銀、銀合金、銅、銅合金、鋁、鋁合金、鉛、镍包层、不鏽鋼、石墨、塗佈碳化矽的石墨、氮化硼、陶瓷材料或前述材料之兩者或兩者以上之一組合物、混合物或複合物)製作。托盤在蒸發器器皿之內部體積內可彼此呈垂直隔開關係,如一連續托盤堆疊。在此托盤堆疊中,貫穿堆疊之相鄰托盤之間之間隔可係恆定的,或替代地,托盤可隔開達不同間隔距離,以在蒸發器之操作中提供前驅物材料之最佳消耗,使得蒸發器器皿之內部體積中之前驅物蒸汽產生通量貫穿此內部體積維持於一適合的高位準。
當蒸發器器皿內部體積含有一前驅物材料支撐托盤陣列時,托盤可彼此相同,或替代地,托盤陣列可包括不同類型的托盤。例如,在各種實施例中,托盤可具有由外接側壁圍繞之不同高度,使得由陣列中之不同托盤固持之前驅物材料之壓實單體式本體之體積可變化。因此,可採用具有一較高側壁之一托盤來固持比由具有一較短側壁之一托盤所固持大的前驅物材料之壓實單體式本體之一體積。
圖1之所繪示之實施例中之個別托盤之各者包括複數個通管30,其中 各通管包含用於使一載體氣體移動穿過通管之一通路。通管可具有提供穿過其之氣體流動之任何形狀或構形。較佳地,通管係圓柱形狀或圓錐形狀。各種實施例中之通管自托盤之底面向上延伸且界定與托盤底面中之一對應開口連通之一中心通路。在其他實施例中,通管以相同方式自托盤之底面向上延伸,但亦於托盤下方向下延伸,使得中心通路由通管圍封,例如,作為通管在托盤之底面上方及下方之一中心孔。
通管可以任何適合方式(例如,藉由焊接、銅焊、機械緊固件附接、壓入配合、锻造等)固定至托盤之底面。在替代方案中,通管可整體形成為托盤底面之部分。在一特定實施例中,通管之各者之高度與托盤側壁之高度近似相同,雖然預期其中通管之各者之高度大於或小於此側壁之其他實施例。
各別托盤之側壁可具有足夠高度,使得托盤可堆疊以形成蒸發器之器皿之內部體積中之一垂直延伸之堆疊陣列。
在另一實施例中,托盤可不製作有側壁,且可藉助於器皿之內壁表面上之支撐件、藉由圓周密封墊片或其他安裝結構或元件而安裝於內部體積中。預期額外實施例,其中托盤呈彼此垂直隔開關係而安裝為一總成。例如,托盤可在蒸發器之組裝及拆卸期間於一框架或其他定位結構上安裝為一單體式陣列,該單體式陣列視需要***至器皿之內部體積中及從該內部體積撤回。
在一項特定實施例中,托盤之各者具有一外接側壁,且各通管之高度小於托盤側壁之高度,藉此在通管之末端上方提供一頭部空間供氣體在各別托盤內擴散及循環。
替代地或另外,托盤可在其中製作有多孔開口,其中前驅物之壓實單 體式本體支撐於托盤之頂部表面上,其中載體氣體流動穿過通管及/或多孔開口,以在蒸發器之操作期間吸收自前驅物之壓實固體本體揮發之前驅物蒸汽。將理解,存在於托盤結構中之通管及/或多孔開口之尺寸係如此的以致,保持前驅物之壓實固體本體支撐於托盤上。在各種其他實施例中,托盤之各者或(替代地)托盤之一或多者可由一多孔玻璃質材料(諸如一經燒結金屬基質或一經燒結陶瓷基質材料)形成,從而提供滲透通道,氣體可在蒸汽產生操作中流過該等滲透通道,且壓實前驅物材料支撐於該等滲透通道上。
多孔玻璃質亦可用於蒸發器設備之前驅物蒸汽出口處,以過濾排放的前驅物蒸汽使得其在一所要程度上不含顆粒。多孔玻璃質亦可用於蒸發器設備之一載體氣體入口處,以相應地過濾因為與前驅物材料之壓實單體式本體接觸而經引入至蒸發器設備之載體氣體。
在各種實施例中,各通管自托盤之底部向上垂直地延伸至可例如在從約0.5mm至約5mm之一範圍中、且更佳在從約1.5mm至約3.0mm之一範圍中之一高度。
如圖1中所示,通管在各托盤中之定位可與通管在一相鄰托盤中之位置略有偏移,藉此在載體氣體與前驅物蒸汽之所得氣體混合物運輸穿過通管進入下一相鄰托盤區域之前迫使載體氣體在托盤內循環以使載體氣體與前驅物之壓實固體本體接觸。藉由此配置,載體氣體與前驅物之壓實固體本體之接觸之多個位準允許載體氣體以一高效率的方式變得飽和。
蒸發器10之大小可取決於將供應至下游流體利用裝備(諸如一化學汽相沈積(CVD)設備、一脈衝CVD設備、一原子層沈積(ALD)設備、一離子佈植系統、一濺鍍設備或一汽相磊晶設備)之蒸汽的量而大幅變化。在各種 實施例中,蒸發器具有一圓柱構形,該圓柱構形具有可在從3英寸至6英寸之一範圍中之一內徑。蒸發器器皿之內部體積中之托盤之數目將由蒸發器之大小判定。在各種實施例中,三個至五個托盤圍封於蒸發器器皿中。
含有複數個托盤之蒸發器可經加熱且保持在一所要溫度下,該溫度適合於待蒸發之前驅物之壓實固體、自蒸發器遞送至下游前驅物蒸汽利用設施之載體氣體混合物中之前驅物蒸汽之所要濃度及用於蒸發操作中之一組特定操作條件。
蒸發器器皿之加熱可以任何適合方式進行。在一項實施例中,一帶狀加熱器纏繞蒸發器。在另一實施例中,使用具有覆蓋蒸發器之至少大部分外表面之一形狀之一塊狀加熱器來加熱蒸發器器皿。在又另一實施例中,高溫下之一熱傳導流體可與蒸發器器皿之外表面接觸,以實現對其加熱。另一實施例涉及藉由照射於蒸發器器皿上之紅外線或其他輻射能量而加熱。在固體遞送程序之特定實施方案中必要或期望時,亦可加熱與蒸發器器皿相聯結之流量電路或者選定組件或其部分。
在另一實施例中本發明預期,藉由一熱氣體在器皿中之循環而加熱源試劑,以實現蒸發器中之前驅物之壓實固體本體之對流加熱。
加熱蒸發器器皿之方法不受特定限制,只要蒸發器藉此達到用於揮發前驅物之壓實固體本體之一所要溫度位準且以一準確且可靠方式維持於此溫度位準處即可。
期望以一熱均勻的方式加熱蒸發器器皿,使得器皿之內部體積中之溫度偏差最小化。在特定實施例中,其中托盤與壁直接熱接觸,經由來自壁之熱傳導而加熱此等托盤提供一種用以蒸發托盤上之前驅物之壓實固體本體之方便且有效的方法。
在一些應用中可期望,利用蒸發器器皿之內部體積中之經增加表面積結構來增強前驅物之壓實固體本體之加熱之程度及速率,以用於其揮發。
作為用於達成前驅物之壓實固體本體之高效蒸發之另一手段,可在將載體氣體引入至蒸發器器皿之內部體積之前加熱載體氣體,以協助前驅物之壓實固體本體之加熱及其揮發。例如,將載體氣體供應至入口閥20之流量線可係熱追蹤的,或以其他方式經受加熱,以實現載體氣體依一所要溫度位準遞送至蒸發器器皿。
在一些應用中可期望,蒸發器器皿具有一較大熱質量,以便在處理期間維持更一致的溫度。用於一給定應用中之蒸發器之特定溫度將取決於下游前驅物蒸汽利用設備(例如,CVD設備、ALD設備或離子佈植系統及特定類型)之操作條件、蒸汽壓力及所提供之前驅物之壓實固體本體之量。在各種實施例中,可採用在適合範圍中或適合值(例如,在從約40℃至約300℃之一範圍中、在從200℃至300℃之一範圍中,或在其他特定溫度範圍中)之蒸發器溫度。
在特定實施例中,利用前驅物之壓實固體本體之蒸發器遞送系統可各進一步包括:用於將一載體氣體供應至蒸發器器皿之線;用於自蒸發器器皿排放源試劑蒸汽之線;流量電路組件,諸如流量控制閥、質量流量控制器、調節器、流量限制孔元件、熱電偶、壓力傳感器、監測及控制裝置、用於將熱能輸入至蒸發器器皿之加熱器、用於維持載體氣體供應線及源試劑蒸汽排放線中之溫度之加熱器等。
在一些實施例中,對前驅物蒸汽排放線進行加熱以維持比蒸發溫度高之溫度,以便防止此等排放線中之冷凝。排放線之加熱程度可具有任何適合位準,該位準提供避免冷凝之必要安全裕度。例如,在特定應用中,可 將線加熱至超過前驅物材料之蒸發溫度5℃至10℃之溫度。在其他實施例中可期望,將前驅物蒸汽排放線加熱至接近但小於前驅物蒸汽之分解溫度之高溫度。
應瞭解,根據本發明之用於揮發前驅物之壓實固體本體之蒸發器設備可具有廣泛變化的類型,且可類似於或(替代地)顯著地不同於結合圖1闡釋性描述之特定蒸發器。例如,蒸發器可利用其他支撐結構用於前驅物之壓實固體本體,或替代地可包括與前驅物之壓實固體本體之一床完全包裝在一起而在器皿之內部體積中無特定輔助支撐結構或表面之一蒸發器器皿。
參考如繪示本發明之一特定實施例之下文非限制性實例更完整展示本發明之壓實前驅物之特徵及優點。
實例1
五氯化鎢之壓實團粒(pellets)由此前驅物之粉末形式之一起始材料製備,該起始材料在粒化之前具有40μm至90μm之一粒子大小及0.3g/mL至0.5g/mL之一粉末密度。施加至初始粉末材料之壓力係4800psi。所得團粒(pellets)係具有一圓柱形式之圓盤形狀,其具有13.8mm之一直徑及2.0mm至2.7mm之一厚度。團粒(pellets)之密度介於3g/mL至3.2g/mL之範圍內。一千克(1kg)的團粒(pellets)裝載於一MegaVapTM蒸發器(美國馬薩諸賽州比勒利卡之Entegris公司)中且經加熱以產生對應前驅物蒸汽。比較結果與一對應先前測試(「先前基線」),其中在相同加熱條件下將一千克(1kg)的粉末形式起始材料引入至一相同蒸發器以產生前驅物蒸汽。
在兩組不同的程序條件下進行連續運轉。第一組程序條件(運轉1)包含用於產生前驅物蒸汽之蒸發器之操作,該操作持續4小時之一週期,依165℃之一蒸發器溫度、穿過蒸發器之依每分鐘500標準立方厘米(sccm)之 體積流率之一氬載體氣體流、依60托(torr)之一蒸發器壓力,其中載體氣體預加熱(+5℃)、蒸發器閥加熱(+10℃)且排放氣體線加熱(+20℃)。第二組程序條件(運轉2)包含用於產生前驅物蒸汽之蒸發器之操作,該操作持續4小時之一週期、依160℃之一蒸發器溫度、穿過蒸發器之依每分鐘200標準立方厘米(sccm)之體積流率之一氬載體氣體流、依15托之一蒸發器壓力,其中載體氣體預加熱(+5℃)、蒸發器閥加熱(+10℃)且排放氣體線加熱(+20℃)。
連續測試之結果展示於圖2中,其中針對與各別先前基線形成對照之運轉1及2之各者,將前驅物蒸汽之通量率(以克每小時(g/hr)為單位)繪製為隨蒸發器中剩餘的前驅物之填充重量(以克為單位)變化。使針對壓實前驅物團粒(pellets)量測之前驅物蒸汽通量與在對應蒸發條件下針對對應粉末前驅物材料量測之前驅物蒸汽通量對照而將圖2中之資料繪製為各別運轉1及2中之一小時平均資料(◆)及兩小時平均資料(■)。
對於運轉1中之4小時的前驅物操作,來自含有經粒化前驅物之蒸發器器皿之前驅物蒸汽通量始終為前驅物蒸汽在從56g/hr至62g/hr之一範圍中,對比於41.9g/hr的先前基線前驅物蒸汽通量,從而表示前驅物蒸汽通量之34%至48%之一增大,其中一平均增大超過40%。
對於運轉2中之4小時的前驅物操作,來自蒸發器器皿之前驅物蒸汽通量在蒸發器操作之初期時實質上超過80g/hr之先前基線前驅物蒸汽通量,其中針對使用經粒化前驅物之蒸汽產生之初始一小時平均值比先前基線值高15%,且其中針對使用經粒化前驅物之蒸汽產生之初始2小時平均值約比先前基線值高10%。
運轉2中之經粒化前驅物之各別通量位準顯示至先前基線值以下位準 之一連續下降,但與運轉1資料的此不一致歸因於蒸發器在蒸發器之操作中處於一早期固體消耗點處,此係因為運轉1中之蒸發器完全裝載經粒化前驅物,而運轉2中之蒸發器所含有的經粒化前驅物的量小於70%且依比運轉1中所執行實質上高的一通量位準較快地消耗。然而資料展示,藉由恰當地選擇程序條件,使用本發明之壓實前驅物有可能達成來自蒸發器器皿之相比於使用粉末化前驅物可達成之通量位準顯著更高位準的前驅物蒸汽通量。
雖然本文中已參考特定態樣、特徵及闡釋性實施例陳述本發明,但將瞭解,本發明之利用不因此受限,而是擴展至且涵蓋眾多其他變動、修改及替代實施例,如應在基於本文中描述的基礎上向熟習本發明之領域之一般技術者所提議。相應地,如後文主張之本發明意欲在其之精神及範疇內被廣泛地理解及解譯,如包含全部此等變動、修改及替代實施例。
10:蒸發器
12:器皿
14:底面
16:外接側壁
18:蓋
20:入口閥/載體氣體入口閥
22:托盤
23:下管/內部載體氣體下管
30:通管
38:密封O形環

Claims (10)

  1. 一種固體遞送前驅物,其可用於揮發以產生用於一汽相沈積程序之前驅物蒸汽,該固體遞送前驅物包括壓實顆粒前驅物之固體本體,壓實顆粒前驅物之固體本體的密度比相同質量的顆粒前驅物之體密度高至少20%,顆粒前驅物之體密度經量測為自由流動粉末之一包絡密度,壓實顆粒前驅物之固體本體的密度為顆粒前驅物材料之絕對密度之至少80%。
  2. 如請求項1之固體遞送前驅物,其中壓實顆粒前驅物之固體本體呈一團粒(pellets)、薄片、珠粒(beads)、圓盤或單塊形狀。
  3. 如請求項1之固體遞送前驅物,其中壓實顆粒前驅物之固體本體的密度為顆粒前驅物材料之絕對密度之82%、85%、87%、90%、91%、92%、93%、94%、95%、96%、97%、98%及99%中之一者。
  4. 如請求項1之固體遞送前驅物,其中該壓實顆粒前驅物在20℃至30℃之環境溫度條件及約1atm之環境壓力下為固體。
  5. 如請求項1之固體遞送前驅物,其中壓實顆粒前驅物之固體本體包括選自由以下各項組成之群組之至少一個前驅物:氯化鉿、氯化鋯、5-二甲基氨基鉭(PDMAT)、三甲基銦、雙環戊二烯基鎂、四甲基鋅、四乙基鋅、六羰基鎢、五氯化鎢、六氯化鎢、金屬β-二酮、金屬脒化物及金屬羧酸鹽。
  6. 如請求項1之固體遞送前驅物,其中壓實顆粒前驅物之固體本體包括一黏合劑或基質材料。
  7. 如請求項1之固體遞送前驅物,其中壓實顆粒前驅物之固體本體包括五氯化鎢及六氯化鎢。
  8. 一種固體遞送設備,其包括一蒸發器,該蒸發器包括固持如請求項1至7中任一項之固體遞送前驅物之一蒸發器器皿。
  9. 一種汽相沈積程序,其包括揮發如請求項1至7中任一項之固體遞送前驅物以產生對應前驅物蒸汽,及在汽相沈積條件下將一材料自該前驅物蒸汽沈積於一基板上。
  10. 如請求項9之汽相沈積程序,其在製造選自由以下各項組成之群組之產物之一方法中進行:半導體產物、平板顯示器、太陽能板、LED及光學塗層。
TW105132458A 2015-10-06 2016-10-06 固體前驅物之冷燒結 TWI732789B (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US201562238078P 2015-10-06 2015-10-06
US62/238,078 2015-10-06

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW201726967A TW201726967A (zh) 2017-08-01
TWI732789B true TWI732789B (zh) 2021-07-11

Family

ID=58488470

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW105132458A TWI732789B (zh) 2015-10-06 2016-10-06 固體前驅物之冷燒結

Country Status (6)

Country Link
US (1) US11035038B2 (zh)
JP (2) JP2018535315A (zh)
KR (4) KR102674049B1 (zh)
CN (1) CN108350574B (zh)
TW (1) TWI732789B (zh)
WO (1) WO2017062670A1 (zh)

Families Citing this family (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2019104962A (ja) * 2017-12-12 2019-06-27 株式会社高純度化学研究所 Aldまたはcvd成膜用タングステン前駆体
US20190186003A1 (en) * 2017-12-14 2019-06-20 Entegris, Inc. Ampoule vaporizer and vessel
CN110885970B (zh) * 2018-09-11 2024-06-21 北京北方华创微电子装备有限公司 固体前驱体蒸汽的稳压和纯化装置以及ald沉积设备
KR20220084351A (ko) * 2019-10-21 2022-06-21 마테리온 코포레이션 벌크 밀도가 개선된 옥시염화 몰리브덴
CN111900341B (zh) * 2020-05-14 2021-11-23 常州华芯装备工程有限公司 一种锂离子材料提取复合物的制备方法
US11584990B2 (en) 2021-07-02 2023-02-21 Applied Materials, Inc. Bottom fed sublimation bed for high saturation efficiency in semiconductor applications
FI130131B (en) * 2021-09-07 2023-03-09 Picosun Oy Precursor container
CN115678556B (zh) * 2022-10-17 2023-10-03 闽都创新实验室 一种长余辉闪烁晶体及其制备方法和应用
CN116655355B (zh) * 2023-07-31 2023-10-10 成都大学 一种用于固化铯的碱硬锰矿陶瓷固化体的制备方法

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW200821406A (en) * 2006-08-31 2008-05-16 Advanced Tech Materials Solid precursor-based delivery of fluid utilizing controlled solids morphology

Family Cites Families (29)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4072599A (en) * 1975-08-28 1978-02-07 Reynolds Metals Company Carbon electrodes having stabilized binders derived from the entire organic fraction of bituminous coal
US4285732A (en) * 1980-03-11 1981-08-25 General Electric Company Alumina ceramic
US4921819A (en) * 1987-09-24 1990-05-01 E. I. Dupont De Nemours And Company Hafnia modified alumina fibers
US4981821A (en) 1988-06-16 1991-01-01 Martin Marietta Magnesia Specialties Inc. Low temperature binder compound for refractory aggregates and refractory products of improved cold strength
US5184662A (en) * 1990-01-22 1993-02-09 Quick Nathaniel R Method for clad-coating ceramic particles
US5608157A (en) 1995-10-18 1997-03-04 Micromeritics Instrument Corporation Method and apparatus for measuring envelope density
US5820678A (en) * 1997-05-30 1998-10-13 The Regents Of The University Of California Solid source MOCVD system
US6660328B1 (en) * 2000-03-31 2003-12-09 Florida State University Research Foundation Powder precursor delivery system for chemical vapor deposition
JP2002193680A (ja) * 2000-12-26 2002-07-10 National Institute Of Advanced Industrial & Technology 焼結方法及びその装置
WO2006081824A2 (en) 2005-02-03 2006-08-10 Amminex A/S High density storage of ammonia
CN101128394B (zh) * 2005-02-03 2012-07-18 氨合物公司 氨的高密度存储
JP5509593B2 (ja) * 2006-05-30 2014-06-04 宇部興産株式会社 有機金属化合物の供給装置
WO2008088563A2 (en) * 2007-01-17 2008-07-24 Advanced Technology Materials, Inc. Precursor compositions for ald/cvd of group ii ruthenate thin films
KR20100016477A (ko) * 2007-04-12 2010-02-12 어드밴스드 테크놀러지 머티리얼즈, 인코포레이티드 Ald/cvd용의 지르코늄, 하프늄, 티타늄 및 규소 전구체
US20090011266A1 (en) * 2007-07-02 2009-01-08 Georgia Tech Research Corporation Intermetallic Composite Formation and Fabrication from Nitride-Metal Reactions
US20090215225A1 (en) * 2008-02-24 2009-08-27 Advanced Technology Materials, Inc. Tellurium compounds useful for deposition of tellurium containing materials
BRPI0805606A2 (pt) * 2008-12-15 2010-09-14 Whirlpool S.A composição de materiais particulados para formação de produtos autolubrificantes em aço sinterizado, produto em aço sinterizado autolubrificante e processo de obtenção de produtos autolubrificantes em aço sinterizado
ES2343052B2 (es) * 2009-01-20 2011-02-28 Asturiana De Aleaciones, S.A. Procedimiento para obtener aluminato calcico a partir del residuo obtenido tras el tratamiento de las escorias salinas procedentes de la produccion de aluminio secundario.
SG177710A1 (en) * 2009-07-21 2012-02-28 Sigma Aldrich Co Llc Compositions and methods of use for forming titanium- containing thin films
US9279187B2 (en) * 2009-11-11 2016-03-08 Southwest Research Institute Method for applying a diffusion barrier interlayer for high temperature components
US8759600B2 (en) * 2010-06-28 2014-06-24 Uop Llc Reduced fluidization of solid particles in radial flow fluid/solid contacting
US9010430B2 (en) * 2010-07-19 2015-04-21 Baker Hughes Incorporated Method of using shaped compressed pellets in treating a well
US9303305B2 (en) * 2011-01-28 2016-04-05 Baker Hughes Incorporated Non-magnetic drill string member with non-magnetic hardfacing and method of making the same
JP2012255193A (ja) 2011-06-09 2012-12-27 Air Liquide Japan Ltd 固体材料ガスの供給装置および供給方法
US9637395B2 (en) * 2012-09-28 2017-05-02 Entegris, Inc. Fluorine free tungsten ALD/CVD process
US9230815B2 (en) * 2012-10-26 2016-01-05 Appled Materials, Inc. Methods for depositing fluorine/carbon-free conformal tungsten
JP6521390B2 (ja) * 2014-09-04 2019-05-29 日本碍子株式会社 酸化亜鉛焼結体及びその製造方法
US10443128B2 (en) * 2015-04-18 2019-10-15 Versum Materials Us, Llc Vessel and method for delivery of precursor materials
WO2018039620A1 (en) * 2016-08-26 2018-03-01 Sabic-Gapt Method of making a ceramic composite material by cold sintering

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW200821406A (en) * 2006-08-31 2008-05-16 Advanced Tech Materials Solid precursor-based delivery of fluid utilizing controlled solids morphology

Also Published As

Publication number Publication date
JP2018535315A (ja) 2018-11-29
CN108350574A (zh) 2018-07-31
US11035038B2 (en) 2021-06-15
CN108350574B (zh) 2020-06-05
KR102674049B1 (ko) 2024-06-12
KR20220059567A (ko) 2022-05-10
JP2020114941A (ja) 2020-07-30
US20180282863A1 (en) 2018-10-04
TW201726967A (zh) 2017-08-01
KR20180063242A (ko) 2018-06-11
KR20200113032A (ko) 2020-10-05
KR20210095966A (ko) 2021-08-03
WO2017062670A1 (en) 2017-04-13
JP7121444B2 (ja) 2022-08-18

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI732789B (zh) 固體前驅物之冷燒結
US10465286B2 (en) Method and apparatus to help promote contact of gas with vaporized material
US7300038B2 (en) Method and apparatus to help promote contact of gas with vaporized material
JP5266227B2 (ja) 制御された固体モルフォロジを利用する、固体前駆体に基づいた流体の送出
US7601225B2 (en) System for controlling the sublimation of reactants
WO2015164029A1 (en) Solid vaporizer
JP2013028854A (ja) 固体材料ガスの供給装置および供給方法
JPH05214537A (ja) 固体昇華用の気化器
US20220195595A1 (en) Precursor capsule, a vessel and a method
JP2004134741A (ja) 反応物の昇華を制御するためのシステム
CN205188435U (zh) 一种化学气相沉积装置