TWI729129B - 附鍍錫之銅端子材料及端子以及電線末端部分結構 - Google Patents

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Abstract

一種於鋁線材製成的電線末端壓接的端子，為使用銅或銅合金基材而不會產生電蝕的端子材料，其於銅或銅合金所形成之基材(2)上依順序層積由鋅或鋅合金製成之中間鋅層(4)，及由錫或錫合金製成之錫層(5)，其中，中間鋅層(4)為，厚度在0.1μm以上5.0μm以下，鋅濃度在5質量%以上者，錫層(5)之鋅濃度為0.4質量%以上15質量%以下，且錫層(5)之結晶粒徑為0.1μm以上3.0μm以下者為佳。

Description

附鍍錫之銅端子材料及端子以及電線末端部分結構
本發明為關於一種電線末端部分結構，其為用於鋁線材製成的電線末端壓接的端子，其特徵為，於由銅或銅合金所製成之基材表面，施予由錫或錫合金之電鍍而得的附鍍錫之銅端子材料，及由其端子材料製成之端子，和使用其端子之電線末端部分結構。
本申請案為，基於2016年5月10日申請之特願2016-94713號以及2017年5月9日申請之特願2017-92816號而主張優先權，其內容援用於此。
過去，於銅或銅合金構成之電線末端部分，壓接由銅或銅合金構成之端子，並將此端子與設置於其他機器之端子連接，可將其電線與上述其他機器進行連接。又，為了使電線輕量化等，會有將電線由銅或銅合金，換成鋁或鋁合金予以構成之情形。
例如，專利文獻1中，揭示了由鋁合金製成之汽車導線束用鋁電線。
但是，將電線(導線)使用鋁或鋁合金構成，端子使用銅或銅合金構成時，於水進入端子與電線之壓接部 時，因相異金屬間之電位差會有產生電蝕的可能。因此，隨著其電線之腐蝕，於壓接部會有產生電阻值提升或是壓接力降低之疑慮。
此種腐蝕之防止法，可舉例如專利文獻2及專利文獻3記載之內容。
專利文獻2中，揭示了具備由第1之金屬材料構成之裸金屬塊部，及由比第1之金屬材料的標準電極電位之值為更小之第2之金屬材料所構成，且裸金屬塊部表面之至少一部分為由設置淺薄的帶鍍之中間層，及由比第2之金屬材料的標準電極電位之值為更小之第3之金屬材料所構成，並於中間層表面之至少一部分設置淺薄的帶鍍之表面層之端子。根據記載，第1之金屬材料為銅或其合金，第2之金屬材料為鉛或其合金，抑或是錫或其合金，鎳或是其合金，鋅或是其合金，第3之金屬材料為鋁或其合金。
專利文獻3中，揭示了於包覆電線之末端區域中，在端子模具之一方形成之鉚接部被包覆電線之包覆部分的外圍所鉚接，且至少於鉚接部之端部露出區域以及其附近區域之全外圍用塑模樹脂完整包覆之導線束的末端結構。
又，專利文獻4中揭示之連接器用電接觸材料為，具有由金屬材料製成之基材、基材上形成之合金層、及合金層之表面形成之導電性被膜層，且其合金層除了需含有Sn以外，還含有由Cu、Zn、Co、Ni及Pd之中選擇之1種或2種以上之添加元素，而導電性被膜層為含有 Sn3O2(OH)2之氫氧化物者。並且，因含有此Sn3O2(OH)2之氫氧化物的導電性被膜層，故可提升高溫環境下之耐久性，使長時間使用也可維持低接觸電阻。
此外，專利文獻5中，揭示了於銅或銅合金之表面，以Ni鍍層基底、中間用Sn-Cu鍍層、以及表面Sn鍍層之順序的Sn鍍材，其中Ni鍍層基底為Ni或Ni合金構成、中間Sn-Cu鍍層為至少於接觸表面Sn鍍層側形成Sn-Cu-Zn合金層之Sn-Cu系合金構成、表面Sn鍍層為含有5~1000質量ppm之Zn的Sn合金構成，最表面另外具有Zn濃度超過0.1質量%至10質量%為止之高濃度Zn層之Sn鍍材。
[先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]特開2004-134212號公報
[專利文獻2]特開2013-33656號公報
[專利文獻3]特開2011-222243號公報
[專利文獻4]特開2015-133306號公報
[專利文獻5]特開2008-285729號公報
然而，專利文獻3記載之構造雖可防止腐蝕，但額外之樹脂塑模工程使製造成本增加，此外，存在樹脂使端子截面積增加導致妨礙導線束的小型化之問題，專利 文獻2記載之鍍鋁系第3之金屬材料因需要使用離子性液體等，存在成本非常高之問題。
但是，於銅或銅合金之基材上鍍錫之鍍錫端子材料經常被使用。將此鍍錫端子材料壓接於鋁製電線之情形，雖因錫與鋁之腐蝕電位相近故應不容易產生電蝕，但若鹽水等附著於壓接部則會產生電蝕。
此情形，就算如專利文獻4中具有Sn3O2(OH)2之氫氧化物層的情形，也存在暴露於腐蝕環境或加熱環境下氫氧化物層會迅速的損失並使持續性降低之問題。此外如專利文獻5中於Sn-Cu系合金層上層積Sn-Zn合金，最表層帶有富鋅層者，因鍍Sn-Zn合金之產率較差，存在Sn-Cu合金層之銅若暴露於表層之情形會使對鋁線材之防蝕效果消失之問題。
本發明為鑑於前述之問題所產生者，為提供一種由銅或銅合金基材製成不會產生電蝕的附鍍錫之銅端子材料、由其端子材料製成之端子，以及由其端子製成之電線末端部分結構，其為壓接於鋁線材製成之電線的末端之端子。
本發明之附鍍錫之銅端子材料為，於銅或使用銅合金之基材上，依順序層積由鋅或鋅合金製成之中間鋅層、及由錫或錫合金製成之錫層，前述中間鋅層為，厚度在0.1μm以上5.0μm以下，鋅濃度在5質量%以上者，前 述錫層之鋅濃度為0.4質量%以上15質量%以下者。
此附鍍錫之銅端子材料為，因於表面之錫層中，含有比錫更接近鋁的腐蝕電位之鋅，故可提升鋁線之防止腐蝕之效果，此外因於基材之錫層之間，形成比銅錫合金層更接近鋁的腐蝕電位之鋅或鋅合金之中間鋅層，故就算錫層消失也可透過中間鋅層來抑制電蝕的產生。
錫層之鋅濃度若不滿0.4質量%則會降低腐蝕電位，使鋁線之防蝕效果減少，若超過15質量%則錫層的耐蝕性會顯著的減少，並使暴露於腐蝕環境時錫層被腐蝕而使接觸電阻惡化。
中間鋅層，若其厚度不滿0.1μm，則錫層消失後容易露出基材，使基材之銅與鋁之間產生電蝕，若厚度超過5.0μm則會使加壓加工性惡化故不佳。中間鋅層之鋅濃度若未滿5質量%，則中間鋅層之耐蝕性會惡化，使暴露於鹽水等之腐蝕環境時，中間鋅層會迅速被腐蝕消失並露出基材，使得與鋁之間容易產生電蝕。
本發明之附鍍錫之銅端子材料中，對於銀氯化銀電極之腐蝕電位以-500mV以下-900mV以上為佳。
因可將腐蝕電流抑制較低，故具有較佳之防蝕效果。
本發明之附鍍錫之銅端子材料中，前述錫層之結晶粒徑以0.1μm以上3.0μm以下為佳。
錫層中之鋅為，施予鍍鋅或鋅合金之後施予鍍錫並因擴散處理等之方法分散於錫層中，若錫層之結晶粒徑較細，因其晶界中容易存在鋅，故可提升防蝕效果。 若其結晶粒徑不滿0.1μm，則因晶界密度過高造成鋅的擴散過度並使錫層之耐蝕性惡化，置於腐蝕環境中會使錫層被腐蝕，並惡化與鋁線之接觸電阻。若其結晶粒徑超過3.0μm，則因鋅的擴散不足，故使防蝕鋁線之效果降低。
本發明之附鍍錫之銅端子材料中，前述錫層為，由前述基材側設置之結晶粒徑為0.1μm以上0.8μm以下，且厚度為0.1μm以上5.0μm以下之第一錫層，及該第一錫層上設置之結晶粒徑為超過0.8μm、3.0μm以下，且厚度為0.1μm以上5.0μm以下之第二錫層所形成。
此外錫層亦可成為雙層結構，透過使其下層之第一錫層的結晶粒比上層之第二錫層更細，而增加第一錫層之擴散路徑而使含鋅量提升，而減少第二錫層之鋅擴散路徑時，可抑制過剩的鋅擴散於表面，所造成的表面接觸電阻之增加，而發揮其高防蝕性。
若第一錫層之結晶粒徑不滿0.1μm時，則因鋅會過度擴散而使接觸電阻增加，超過0.8μm時，則因鋅的擴散不足而使腐蝕電流變大。若第二錫層之結晶粒徑為0.8μm以下時，則因鋅會過度擴散而使接觸電阻劣化，超過3.0μm時，則因鋅的擴散不足而使防蝕效果劣化。
本發明之附鍍錫之銅端子材料中，前述中間鋅層為由含有鎳、錳、鉬、錫、鎘、鈷中任意1種以上之鋅合金製成，前述鋅濃度為65質量%以上95質量%以下。
使中間鋅層為含有任意一種以上之合金，可防止鋅過度擴散同時提升中間鋅層本身之耐蝕性，就算暴 露於腐蝕環境而造成錫層消失時，也可長時間保持膜並防止腐蝕電流增加。鎳鋅合金或錫鋅合金，因其提升中間鋅層之耐蝕性的效果較高，故以其為特佳。
本發明之附鍍錫之銅端子材料中，為於前述錫層上，形成鋅濃度為5at%以上40at%以下，且厚度為SiO2換算後為1nm以上10nm以下之表面金屬鋅層為佳。可更確實的抑制與鋁製電線接觸時所產生的電蝕。
本發明之附鍍錫之銅端子材料中，於前述基材與前述中間鋅層之間，形成有由鎳或鎳合金製成之底層，該底層之厚度為0.1μm以上5.0μm以下，鎳含有比例為80質量%以上。
基材與中間鋅層間之底層，具有防止銅由銅或銅合金製成之基材往中間鋅層或錫層擴散的功能。此底層之厚度，若為不滿0.1μm時，則防止銅擴散之效果較低，超過5.0μm時，則加壓加工時容易產生裂痕。又，其鎳含有比例若不滿80質量%時，則防止銅往中間鋅層及錫層擴散之效果較小。
又，本發明之附鍍錫之銅端子材料中，成形為長條形之同時，沿著其長邊側之乘載部，由經加壓加工成形為端子之複數的端子用部件沿著前述乘載部之長邊側間隔並排的狀態下分別連接。
且，本發明之端子為，由上述附鍍錫之銅端子材料製成之端子，本發明之電線末端部分結構為，其端子壓接於鋁或鋁合金製成之電線末端。
根據本發明之附鍍錫之銅端子材料，透過使表面之錫層含有鋅，可提升對鋁製電線之防蝕效果，又，因於其錫層和基材間設置中間鋅層，就算錫層消失的情形也可防止與鋁製電線之電蝕並抑制電阻值的提升或固定力的降低。
1‧‧‧附鍍錫之銅端子材料
2‧‧‧基材
3‧‧‧底層
4‧‧‧中間鋅層
5‧‧‧錫層
5a‧‧‧第一錫層
5b‧‧‧第二錫層
6‧‧‧表面金屬鋅層
7‧‧‧氧化物層
10‧‧‧端子
11‧‧‧連接部
12‧‧‧電線
12a‧‧‧芯線
12b‧‧‧包覆部
13‧‧‧芯線鉚接部
14‧‧‧包覆鉚接部
[圖1]模式化表示本發明之鍍錫之銅合金端子材料的實施形態之斷面圖。
[圖2]實施形態之端子材料的平面圖。
[圖3]表示實施形態之端子材料適用的端子例之斜視圖。
[圖4]表示壓接圖3之端子於電線的末端部分之正面圖。
[圖5]模式化表示本發明之其他實施形態之斷面圖。
[圖6]試料15之端子材料斷面的顯微照片。
[圖7]試料14之端子材料的表面部分中深度方向之化學狀態分析圖，關於(a)為錫，(b)為鋅之分析圖。
以下，將就本發明之實施形態的附鍍錫之銅 端子材料、端子以及電線末端部分結構做說明。
本實施形態之附鍍錫之銅端子材料1為，如圖2所示之整體，為了將複數端子成形之形成為長條形之箍材，沿著其長邊側之乘載部21，由經成形為端子之複數的端子用部件22沿著乘載部21之長邊側間隔放置，各端子用部件22藉由狹窄的連接部23連接於乘載部21。各端子用部件22成形為如圖3所示之端子10的形狀，透過將連接部23切除，而完成端子10。
此端子10為，於圖3之例中為表示母端子，整體由前端開始，與公端子(圖示略)嵌合之連接部11，鉚接電線12露出之芯線12a之芯線鉚接部13，鉚接電線12之包覆部12b之包覆鉚接部14之順序成形。
圖4為將端子10鉚接於電線12之末端部分結構，為將芯線鉚接部13與電線12之芯線12a直接接觸。
且，此附鍍錫之銅端子材料1為，如圖1所示模式化斷面，於銅或銅合金製成之基材2上依鎳或鎳合金製成之底層3、鋅或鋅合金製成之中間鋅層4，錫層5之順序層積。
基材2僅需為，由銅或銅合金製成者，其組成並不特別限制。
底層3為，厚度0.1μm以上5.0μm以下，且鎳含有比例為80質量%以上。此底層3，具有防止銅由基材2往中間鋅層4或錫層5之擴散的功能，其厚度，若為不滿0.1μm則防止銅擴散之效果較低，超過5.0μm則加壓加工時 容易產生裂痕。底層3之厚度以0.3μm以上2.0μm以下較佳。
又，底層3之鎳含有比例若不滿80質量%則防止銅往中間鋅層4及錫層5擴散之效果較小。此鎳含有比例以90質量%以上為較佳。
中間鋅層4為，厚度0.1μm以上5.0μm以下，且鋅濃度為5質量%以上。
此中間鋅層4若厚度不滿0.1μm則會有降低表面腐蝕電位之結果，若厚度超過5.0μm則可能於對端子10加壓加工時產生裂痕。中間鋅層4之厚度以0.3μm以上2.0μm以下為較佳。
中間鋅層4之鋅濃度若未滿5質量%，則中間鋅層4之耐蝕性會惡化使暴露於鹽水等之腐蝕環境時，中間鋅層4會迅速被腐蝕消失並露出基材，使得與鋁之間容易產生電蝕。中間鋅層4之鋅濃度以65質量%以上為較佳。
此中間鋅層4，可為由含有鎳、錳、鉬、錫、鎘、鈷中任意1種以上之鋅合金製成。
此些鎳、錳、鉬、錫、鎘、鈷為，適合用來提升中間鋅層本身之耐蝕性，藉由使中間鋅層4為含有其中任意一種以上之合金，就算暴露於過度之腐蝕環境而造成錫層5消失時，也可長時間保持膜並防止腐蝕電流增加。此情形下，含有鎳，錳，鉬，錫，鎘，鈷其中任意一種以上之添加物，可含5質量%以上於中間鋅層4中。即，中間鋅層4之鋅濃度為5質量%以上95質量%以下，以65質 量%以上95質量%以下為佳。
錫層5為，鋅濃度0.4質量%以上15質量%以下。此錫層5之鋅濃度若不滿0.4質量%則會降低腐蝕電位使鋁線之防蝕效果減少，若超過15質量%則錫層5的耐蝕性會顯著的減少並使暴露於腐蝕環境時錫層5被腐蝕而惡化接觸電阻。此錫層5之鋅濃度以1.5質量%以上6.0質量%以下為較佳。
又，錫層5之厚度以0.2μm以上10.0μm以下為佳，若過薄會造成焊料浸潤性降低，並可能招使接觸電阻的提升，若過厚，則會招使表面動摩擦係數的提升，使用連接器等時之拆卸阻力會有提升的傾向。
又，此錫層5之結晶粒徑，以0.1μm以上3.0μm以下為佳，以0.3μm以上2μm以下為特佳。於後述之擴散處理中，錫層5之晶界中存在鋅可提升防蝕效果。若其結晶粒徑不滿0.1μm，則因晶界密度過高造成鋅的擴散過度並使錫層之耐蝕性惡化，置於腐蝕環境中會使錫層被腐蝕，並惡化與鋁線之接觸電阻。若其結晶粒徑超過3.0μm，則因鋅的擴散不足，故使防蝕鋁線之效果降低。
又，此錫層5為於中間鋅層4上形成之第一錫層5a，及其上形成之第二錫層5b之層積結構。第一錫層5a之結晶粒徑為0.1μm以上0.8μm以下且厚度為0.1μm以上5.0μm以下，第二錫層5b之結晶粒徑為超過0.8μm、3.0μm以下且厚度為0.1μm以上5.0μm以下。
此外更使錫層5成為雙層結構，使其下層之第 一錫層5a的結晶粒比上層之第二錫層5b更細，增加第一錫層5a之擴散路徑使含鋅量提升，減少第二錫層5b之鋅擴散路徑抑制因鋅過度擴散於表面造成的表面接觸電阻增加，發揮其高防蝕性。
此錫層5，雖以純錫為最佳，但也可為含有鋅、鎳、銅等之錫合金。
且，由此構成之附鍍錫之銅端子材料1，其腐蝕電位對於銀氯化銀電極為-500mV以下-900mV以上(-500mV~-900mV)，因鋁之腐蝕電位為-700mV以下-900mV以上，故具有較佳之防蝕效果。
接下來，將就附鍍錫之銅端子材料1之製造方法做說明。
準備由銅或銅合金製成之板材，做為基材2。藉由施予切割、打孔等加工於此板材，成形為如圖2所示之，於乘載部21上將複數的端子用部件22透過連接部23連接製成之箍材。且，藉由將此箍材用脫脂、酸洗等處理清潔表面後，依順序施予為了形成底層3之鍍鎳或鎳合金，為了形成中間鋅層4之鍍鋅或鋅合金，為了形成錫層5之鍍錫或錫合金。
欲形成底層3之鍍鎳或鎳合金僅需為可產生緻密之鎳主體膜者並無特別限制，可使用已知的瓦特浴、胺基磺酸浴、檸檬酸浴等由電鍍形成。鍍鎳合金可使用如鎳鎢(Ni-W)合金、鎳磷(Ni-P)合金、鎳鈷(Ni-Co)合金、鎳鉻(Ni-Cr)合金、鎳鐵(Ni-Fe)合金、鎳鋅(Ni-Zn)合金、鎳硼 (Ni-B)合金等。
考量到對端子10之加壓彎曲性及對銅之阻隔性，由胺基磺酸浴產生之鍍純鎳為佳。
欲形成中間鋅層4之鍍鋅或鋅合金僅需為可產生緻密之膜者並無特別限制，鍍鋅可使用公知的硫酸鹽浴、氯化浴、鋅酸鹽浴等。鍍鋅合金的話，若為鍍鋅銅合金可使用氰化浴、鍍鋅鎳合金可使用硫酸鹽浴，氯化浴，鹼浴、鍍鋅錫合金可使用含有檸檬酸等之絡合劑浴。鍍鋅鈷合金可用硫酸鹽浴，鍍鋅錳合金可使用含檸檬酸硫酸鹽浴，鍍鋅鉬合金可使用硫酸鹽浴以成膜。
欲形成錫層5之鍍錫或錫合金，可用已知的方法進行電鍍，例如有機酸浴(例如苯酚磺酸浴、烷烴磺酸浴或鏈烷醇磺酸浴)，硼氟酸浴、鹵素浴、硫酸浴或焦磷酸浴等之酸性浴，或如鉀浴或鈉浴等鹼性浴。欲使錫層5之結晶粒徑控制於0.8μm以下的情形，可添加使結晶粒徑微細化之添加劑如福馬林、苯甲醛、萘醛等醛類，或甲基丙烯酸、丙烯酸等飽和烴化合物。
如此，依順序於基材2上施予鍍鎳或鎳合金，鍍鋅或鍍鋅合金，鍍錫或錫合金後，施予熱處理。
此熱處理為，將素材之表面溫度加熱至30℃以上190℃以下的溫度。藉由此熱處理，鍍鋅或鍍鋅合金層中之鋅會往鍍錫層內擴散。鋅擴散會快速的發生，故只需暴露於30℃以上之溫度24小時以上。但，鋅合金會排斥熔融錫，於錫層5中形成錫排斥區，故不會加熱至超過 190℃之溫度。又，若長時間暴露於超過160℃反而會使錫往中間鋅層側擴散，並可能阻礙鋅之擴散。為此，較佳的條件為，加熱溫度為30℃以上160℃以下，持續時間為30分鐘以上60分鐘以下。
如此製成之附鍍錫之銅端子材料1，整體為於基材2上依鎳或鎳合金製成之底層3、鋅或鋅合金製成之中間鋅層4、錫層5之順序層積。
且，使用加壓加工等方式將箍材原樣加工為圖3所示之端子10的形狀，透過將連接部23切除，完成端子10。
圖4所示為將端子10鉚接於電線12之末端部分結構，芯線鉚接部13與電線12之芯線12a為直接接觸。
此端子10，就算是與鋁製芯線12a壓接的狀態，因錫層5中含有比起錫更接近鋁之腐蝕電位的鋅，防止鋁線被腐蝕之效果較高，故可有效防止電蝕的產生。
又，於圖2中箍材的狀態進行電鍍處理，並做熱處理，可使端子10之端面及基材2皆不露出，可發揮良好之防蝕效果。
且，錫層5下有形成中間鋅層4，萬一發生磨耗等使錫層5之一部分或全部消失之情形，其下之中間鋅層4因與鋁之腐蝕電位接近，可確實抑制電蝕產生。
又，本發明並不受上述實施形態所限制，於不脫離本發明之精神與範圍的前提所實施之變更皆包含於本發明中。
例如，先前之實施形態，雖於最表面形成錫層5，但如圖5所示，可於錫層5上形成表面金屬鋅層6。此表面金屬鋅層6為，藉由前述熱處理使鍍鋅或鍍鋅合金層中的鋅經由鍍錫層往表面擴散形成於錫層5之表面者，形成之鋅濃度為5at%以上40at%以下且厚度為SiO2換算後1nm以上10nm以下。因表面由表面金屬鋅層形成，故可確實抑制因與鋁製電線接觸產生之電蝕。
又，表面金屬鋅層6上會形成薄的氧化物層7。
[實施例]
基材使用C1020之銅板，脫脂，酸洗後，欲形成底層之情形依序進行鍍鎳，鍍鋅或鍍鋅合金，鍍錫。主要電鍍條件如以下所示，中間鋅層之鋅含有比例依電鍍液中之鋅離子與添加合金元素離子之比例變量做調整。下述之鍍鋅鎳合金條件為，鋅濃度於15質量%之舉例。又，試料1~5、15以及17~20為使鍍錫作為單層、試料6~14以及16為使鍍錫作為結晶粒徑相異之雙層結構。試料17為，不施予鍍鋅或鋅合金，將銅板脫脂，酸洗後，依序進行鍍鎳，鍍錫。試料1~13不施予作為底層之鍍鎳。於底層施予鍍鎳合金之試料中，試料16為施予鍍鎳磷。
<鍍鎳條件>
‧電鍍浴組成
胺基磺酸鎳：300g/L
氯化鎳：5g/L
硼酸：30g/L
‧浴溫：45℃
‧電流密度：5A/dm2
<鍍鋅條件>
‧硫酸鋅七水合物：250g/L
‧硫酸鈉：150g/L
‧pH=1.2
‧浴溫：45℃
‧電流密度：5A/dm2
<鍍鎳鋅合金條件>
‧電鍍浴組成
硫酸鋅七水合物：75g/L
硫酸鎳六水合物：180g/L
硫酸鈉：140g/L
‧pH=2.0
‧浴溫：45℃
‧電流密度：5A/dm2
<鍍錫鋅合金條件>
‧電鍍浴組成
硫酸錫(II)：40g/L
硫酸鋅七水合物：5g/L
檸檬酸三鈉：65g/L
非離子性界面活性劑：1g/L
‧pH=5.0
‧浴溫：25℃
‧電流密度：3A/dm2
<鍍鋅錳合金條件>
‧電鍍浴組成
硫酸錳一水合物：110g/L
硫酸鋅七水合物：50g/L
檸檬酸三鈉：250g/L
‧pH=5.3
‧浴溫：30℃
‧電流密度：5A/dm2
<鍍錫條件>
‧電鍍浴組成
甲磺酸錫：200g/L
甲磺酸：100g/L
增白劑
‧浴溫：35℃
‧電流密度：5A/dm2
其次，將其附鍍層銅板於30℃~160℃溫度、30分鐘以上60分鐘以內之時間範圍內施予如表1所示之熱處理製成試料。
將產出的試料，對其底層及中間鋅層，分別量測其個別厚度、底層之鎳含有量、中間鋅層及錫層中之鋅濃度、錫層之結晶粒徑、錫層上之表面金屬鋅層之厚度與鋅濃度，以及表面之腐蝕電位。
底層及中間鋅層之厚度之量測為利用掃描型離子顯微鏡進行斷面觀察。
中間鋅層及底層之鎳含有比例為，使用SeikoInstruments股份公司製之聚焦離子束設備：FIB(型號：SMI3050TB)，將試料薄化至100nm以下並製成觀察試料，並利用日本電子股份公司製之掃描穿透型電子顯微鏡：STEM(型號：JEM-2010F)，將此觀察試料於加速電壓200kV下進行觀察，使用附屬於STEM之能量分散型X光分析設備：EDS(Thermo公司製)進行量測。
錫層中之鋅濃度為使用日本電子股份公司製之電子束MicroAnalyzer：EPMA(型號JXA-8530F)，於加速電壓6.5V、束徑
Figure 106115480-A0202-12-0018-10
30μm下量測其試料表面。
錫層中之結晶粒徑為，使用聚焦離子束(FIB)進行斷面加工，並利用量測之掃描型離子顯微鏡(SIM)圖拉出與表面平行之長度5μm線段，最後用該線與晶界重疊之數目用線段法求得。第一錫層與第二錫層為，透過SIM圖顯示之界線作區隔。
表面金屬鋅層之厚度與濃度為，針對各試料，用ULVAC-PHI股份公司製之XPS(X-ray Photoelectron Spectroscopy)分析設備：ULVAC PHI model-5600LS，於試料表面用氬離子進行蝕刻時由XPS分析進行量測。該分析條件如以下所示。
X光源：Standard MgKα 350W
傳遞能量：187.85eV(Survey)、58.70eV(Narrow)
量測間隔：0.8eV/step(Survey)、0.125eV(Narrow)
相對試料面之光電子起飛角：45deg
分析區域：約800μm
Figure 106115480-A0202-12-0019-11
對於厚度，使用由同機種量測之SiO2蝕刻速率，並根據量測所需時間計算出「SiO2換算膜厚」。
SiO2蝕刻速率之計算方法為，將20nm厚之SiO2膜於2.8×3.5mm之長方形區域對氬離子進行蝕刻，並用蝕刻20nm之SiO2膜所需時間相除計算出。上述分析設備之情形為耗時8分鐘故蝕刻速率為2.5nm/min。XPS雖分辨率高出約0.5nm，但用Ar離子束蝕刻所耗時會因各材料不同，故為得到膜厚其數值，需採購膜厚已知且平坦之試料，並計算出其蝕刻速率。因上述並不容易，故使用膜厚已知之SiO2膜計算出之蝕刻速率做基準，並使用蝕刻耗時計算出之「SiO2換算膜厚」。為此需注意「SiO2換算膜厚」與實際氧化物之膜厚不同。用SiO2換算蝕刻速率做膜厚之基準，雖實際之膜厚為未知，但因其明確性，可定量性評估膜厚。
腐蝕電位為將試料切割成10×50mm，於端面等銅露出部用環氧樹脂包覆後，浸漬於23℃ 5質量%之氯化鈉水溶液中，將用飽和氯化鉀水溶液作為內塔液裝填之Metrome公司製雙結型銀氯化銀電極(Ag/AgCl電極)作為參考電極，用北斗電工股份公司製HA1510之自然電位測量功能進行量測。
此量測結果表示於表1。
針對產出之試料，量測並評估其腐蝕電流，彎曲加工性，接觸電阻。
<腐蝕電流>
腐蝕電流為，將直徑2mm之露出部用殘餘樹脂包覆之純鋁線與直徑6mm之露出部用殘餘樹脂包覆之試料於1mm距離下將露出部相對的擺置，並於23℃、5質量%之食鹽水中量測流經鋁線及試料之間的腐蝕電流。腐蝕電流量測為使用北斗電工股份公司製無電阻電流計HA1510，將試料於150℃加熱1小時並比較加熱前後之腐蝕電流。並且比較1000分鐘之平均電流值，及施予更長時間測試之1000~3000分鐘之平均電流值。
<彎曲加工性>
彎曲加工性為，將試驗片切割使其長邊為軋製側，並使用JISH3110規定之W彎曲測試夾具，對軋製側往直角方向施予9.8×103N之負載進行彎曲加工。其後，用實體顯微鏡進行觀察。彎曲加工性之評定為，測試後之彎曲加工部以無明顯的可辨識裂痕之等級評定為「優」，雖可辨識裂痕，但不可由產生之裂痕辨識露出之銅合金母材之等級評定為「良」，可由產生之裂痕辨識出銅合金母材之等級評定為「不良」。
<接觸電阻>
接觸電阻之量測方法為以JCBA-T323為基準，使用4端子接觸電阻測試機(股份公司山崎精機研究所製：CRS-113-AU)，於滑動型(1mm)且負載0.98N時量測接觸電阻。對平板試料之電鍍表面進行量測。
此結果表示於表2
圖6為試料15之斷面的顯微鏡照片，可確認由基材側形成底層(鎳層)、中間鋅層(鋅合金層)、錫層。
圖7為，試料7之深度方向的化學狀態分析圖。由結合能之化學位移開始，從最表面至1.25nm之深度為氧化物(錫鋅氧化物層)主體，2.5nm之後可辨識金屬鋅濃化層，並判斷為金屬鋅主體。
由表2的結果可知，中間鋅層形成為厚0.1μm以上5.0μm以下，且鋅含有比例為5質量%以上，錫層之鋅濃度為0.4質量%以上15質量%以下，可觀察到腐蝕電位於相對銀氯化銀電極(Ag/AgCl電極)之參考電極-500mV~-900mV範圍內之試料1~3，其加熱前0~1000分鐘之腐蝕電流較低，彎曲加工性較佳。
又，錫層之結晶粒徑於0.1~3.0μm範圍內之試料4、5，其加熱前0~1000分鐘之腐蝕電流較結晶粒徑肥大之試料1~3低，防電蝕效果較高。層積錫之結晶粒徑0.8~3.0μm之錫層(第二錫層)於結晶粒徑0.1~0.7μm之微細結晶粒徑的錫層(第一錫層)上之試料6、7之防蝕效果與試料1~5相同以上，但因其接觸電阻較低，連接可靠度較高。試料8~13為含有鎳、錳、鉬、錫、鎘、鈷其中任意一種以上之中間鋅層，用1000~3000分鐘或持續更長時間之腐蝕測試的情形，其腐蝕電流之增加也非常少，可提升長時間的鋁之防蝕能力。試料14~16為於基材與中間鋅層之間，形成厚度0.1μm以上5.0μm以下，且鎳含有比例為80質量%以上之底層，其加熱後較不具有底層之試料1~15有較佳之防電蝕效果。
其中，將擴散處理保持於30℃以上160℃以下之溫度30分鐘以上60分鐘以下之時間，形成之表面金屬鋅層的鋅濃度為5at%以上40at%以下且厚度於SiO2換算後為1nm以上10nm以下之厚度的試料12~16，其彎曲加工性良好，接觸電阻也較其他低，為特佳之結果。
相對於此，比較例之試料17，因其不具有中間鋅層，故腐蝕電位較低，腐蝕電流較高。又，試料18，因其中間鋅層之厚度超過5.0μm，底層之鎳含有比例較低，故其加熱後之腐蝕電流值有明顯的惡化且彎曲加工性劣化，且因錫層之結晶粒徑為0.1μm以下使鋅過度擴散導致腐食電位降至-900mV vs.Ag/AgCl以下，故使接觸電阻惡化。試料19，因其底層之厚度較薄，且中間鋅層厚度也非常薄，故錫層之密合性較差，彎曲加工時容易產生裂痕，且因錫層之鋅濃度較低，故其加熱前之腐蝕電流值較高，加熱後之腐蝕電流值更高。試料20，因其底層之厚度超過5.0μm、錫層之結晶粒徑較大故錫層中的鋅濃度較低、腐蝕電流較高、並於彎曲加工時產生裂痕。
[產業上利用性]
本發明提供一種使用於鋁線材製成的電線末端壓接的端子之不會產生電蝕的附鍍錫之銅端子材料，及由該端子材料製成之端子，和使用該端子之電線末端部分結構。
1‧‧‧附鍍錫之銅端子材料
2‧‧‧基材
3‧‧‧底層
4‧‧‧中間鋅層
5‧‧‧錫層
5a‧‧‧第一錫層
5b‧‧‧第二錫層

Claims (9)

  1. 一種附鍍錫之銅端子材料，其特徵為，於銅或銅合金所製成之基材上，依順序層積由鋅合金製成之中間鋅層，及由錫合金製成之錫層；前述中間鋅層為由含有鎳、錳、鉬、錫、鎘、鈷中任意1種以上之鋅合金所製成，厚度在0.1μm以上5.0μm以下，鋅濃度在65質量%以上95質量%以下者；前述錫層之鋅濃度為0.4質量%以上15質量%以下者。
  2. 如請求項1之附鍍錫之銅端子材料，其對於銀氯化銀電極之腐蝕電位為-500mV以下-900mV以上者。
  3. 如請求項1之附鍍錫之銅端子材料，其中，前述錫層之結晶粒徑為0.1μm以上3.0μm以下者。
  4. 如請求項1之附鍍錫之銅端子材料，其中，前述錫層為，由前述基材側設置之結晶粒徑為0.1μm以上0.8μm以下，且厚度為0.1μm以上5.0μm以下之第一錫層，及該第一錫層上設置之結晶粒徑為超過0.8μm、3.0μm以下，且厚度為0.1μm以上5.0μm以下之第二錫層形成者。
  5. 如請求項1之附鍍錫之銅端子材料，其中，於前述錫層上，形成鋅濃度為5at%以上40at%以下，且厚度以SiO2 換算膜厚為1nm以上10nm以下之表面金屬鋅層，前述鋅濃度及厚度為利用下述條件的氬離子進行蝕刻時由XPS分析進行量測而得到，X光源：Standard MgKα 350W；傳遞能量：187.85eV(Survey)、58.70eV(Narrow)；量測間隔：0.8eV/step(Survey)、0.125eV(Narrow)；相對試料面之光電子起飛角：45deg；分析區域：約800μm
    Figure 106115480-A0305-02-0030-2
    ；關於前述厚度，係將20nm厚之SiO2膜於2.8×3.5mm之長方形區域對氬離子進行蝕刻，並用蝕刻20nm之SiO2膜所需時間相除來計算出SiO2蝕刻速率，使用前述SiO2蝕刻速率，並根據量測所需時間而計算出前述SiO2換算膜厚。
  6. 如請求項1之附鍍錫之銅端子材料，其中，於前述基材與前述中間鋅層之間，形成有由鎳或鎳合金製成之底層，該底層之厚度為0.1μm以上5.0μm以下，鎳含有比例為80質量%以上。
  7. 如請求項1之附鍍錫之銅端子材料，其中，於將前述附鍍錫之銅端子材料(1)成形為長條形之同時，沿著其長邊側之乘載部(21)，由經加壓加工成形為端子(10)之複數的端子用部件(22)沿著前述乘載部(21)之長邊側間隔並排的狀態下分別連接者。
  8. 一種端子，其特徵為，由如請求項1之附鍍錫之銅端子材料所製成者。
  9. 一種電線末端部分結構，其特徵為，由如請求項8之端子壓接於鋁或鋁合金製成之電線末端者。
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