TWI727025B - 用於蝕刻以鈦為主之材料的溶液及方法 - Google Patents

用於蝕刻以鈦為主之材料的溶液及方法 Download PDF

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Abstract

本發明係有關於一種用於蝕刻以鈦為主之材料的溶液，其包含從約27重量%至約39重量%之過氧化氫，從約0.2重量%至約0.5重量%之氫氧化鉀，及於約0.002重量%至約0.02重量%之1,2-二胺基環己烷-N,N,N,N四乙酸(CDTA)，剩餘係水，該溶液不包含腐蝕抑制劑，且該溶液具有包含約7與約8之間的pH。
本發明進一步係有關於一種用於製備此一溶液的化學組成物，其係藉由使該組成物與濃縮過氧化氫混合，該化學組成物包含從約5重量%至約30重量%之氫氧化鉀，該氫氧化鉀濃度之範圍從約1%至約5%的濃度之CDTA，剩餘係水。
本發明亦係有關於一種使一鈦、氮化鈦或鈦鎢障壁層自一微電子裝置蝕刻的方法，該方法包含使此鈦、氮化鈦或鈦鎢障壁層與此溶液接觸足以移除此鈦、氮化鈦或鈦鎢障壁層之一時間。

Description

用於蝕刻以鈦為主之材料的溶液及方法
發明領域
本發明係有關於一即用型穩定溶液，其係用於蝕刻以鈦為主之材料，特別是形成於微電子裝置上之以鈦為主之障壁層，同時與可能曝露於此材料之其它材料，諸如，銅、鋁/銅、錫或其合金，及/或介電材料係實質上可相容。本發明亦係有關於用於使用該溶液蝕刻以鈦為主之材料之一方法。
發明背景
於製造新一代電接觸，例如，銅柱(copper pillar)，一障壁層係於銅沉積之前沉積，以便降低於介電質之擴散及增強黏著性能。薄障壁層可藉由CVD(化學氣相沉積)或PVD(物理氣相沉積)方法沉積，且通常係少於或等於100nm厚。選擇用於此等障壁層之金屬係鈦、氮化鈦，或鈦鎢。
於銅柱製造，以鈦為主之障壁層係沉積於已具有至在下面的銅金屬層及最終至鋁墊材的接觸孔之一介電表面上，然後，一銅膠層係藉由PVD沉積。於此堆疊物 上，一厚光阻劑被施用及顯影形成孔洞，電化學銅會經由此等孔洞生長，且最終一錫或錫/銀合金之薄層會沉積於銅之頂部上。移除剩餘光阻劑後，PVD膠(籽)層銅及障壁層之堆疊物需相較於其它露出之金屬被選擇性地移，形成隔離之導性柱。銅移除通常於釋的硫酸或磷酸及過氧化氫混合物中實行。一些鋁墊材可為幾乎未被覆蓋且保持部份露出(由於微影術對準誤差或特別設計規定)，然後，所欲地係具有可與銅、鋁，及錫或錫合金相容之一障壁層移除溶液。
以鈦為主之障壁層的移除通常係依賴濃的熱過氧化氫(5至30重量%)，S.C.1.(標準清潔液1，與過氧化氫混合之氨)或相似混合物，或於室溫的極稀之以氟化氫為主之溶液，其特別係用於純鈦溶解。
平常之障壁層移除溶液遭受數種弱點。例如，過氧化氫幾乎不能被再循環，其係由於在受金屬污染時分解及蝕刻速率快速變化。再者，當氮化鈦或鈦作為障壁層時，純過氧化氫幾乎不能移除通常存在於表面及與介電質之界面處之氧化鈦。SC1(過氧化氫-氫氧化銨之混合物)會增強氧化鈦之蝕刻速率，但對於與鋁之相容性變得極難以控制。事實上，氨與過氧化氫的混合物之使用點需要格外特別之硬體以使此混合物保持低於8之pH，以供鋁相容及控制銅氧化。另一方面，稀氟化氫溶液會輕易溶解氧化鈦，但不溶解氮化鈦或鈦鎢。此外，稀氟化氫溶液係與鋁、錫或其合金，及以氧化矽為主之介電質高度不相容。 再者，相當難以控制以氟化氫為主之蝕刻劑的蝕刻輪廓，其係由於極高蝕刻速率，即使於極低濃度(溶解無法於沖洗步驟之早期階段停止)。
WO2008/114616或US2015/0210966教示之調配物未提供具有產業興趣的足夠高之對鈦金屬的蝕刻速率，而CN100526507教示之調配物係較不穩定，係其由於其後將看到般在高溫之氨蒸發。於WO 2015/156171中所述之調配物可被使用；但是使用之複合劑，胺基膦酸酯類，不能提供具有產業興趣的足夠久之穩定性。
所欲的是具有一即用型溶液，其於足夠期間係穩定而具有產業興趣，不會大量攻擊銅或鋁，且可相較於其它露出金屬(例如，銅、鋁，及錫或錫合金)選擇性地相當快速溶解三種普遍使用之障壁物(TiN、Ti及TiW)之任何者，且固有地良好控制蝕刻輪廓。
發明簡要說明
因此，本發明之一目的係提供一種穩定調配物，其相較於銅、鋁，及錫與其合金選擇性蝕刻以鈦為主之障壁，同時輕易維持良好控制蝕刻輪廓。
為了此目的，本發明提供一種用於蝕刻以鈦為主之材料之溶液，其包含從約27重量%至約39重量%之過氧化氫，從約0.2重量%至約0.5重量%之氫氧化鉀，及約0.002重量%至約0.02重量%之1,2-二甲基環己烷-N,N,N,N四乙酸(CDTA)，且剩餘係水。有利地，該溶液 具有包含約7與約8之間的pH。
於一較佳實施例，用於蝕刻以鈦為主之材料之此溶液包含從約27重量%至約39重量%之過氧化氫，從約0.2重量%至約0.5重量%之氫氧化鉀，及於約0.002重量%至約0.02重量%之1,2-二胺基環己烷-N,N,N,N四乙酸(CDTA)，剩餘係水，該溶液不包含腐蝕抑制劑，且具有包含約7與約8之間的pH。
於本文中，術語“剩餘係水”意指水之重量百分率係相對於100%減掉存在於溶液中之其它化學物質的重量百分率總和。因此，水之重量百分率係依存在於溶液中或容許存在於溶液中之化學物質的重量百分率而定。此等化學物質至少包括過氧化氫、氫氧化鉀，及1,2-二胺基環己烷-N,N,N,N四乙酸(CDTA)。其它化學物質可存在，只要其等不是一腐蝕抑制劑。
如上揭露之一溶液能有效率地蝕刻以鈦為主之材料，同時避免腐蝕除了鈦以外的可能露出之金屬，諸如，銅或鋁。
特別地，相較於其它露出金屬能選擇性移除鈦且未使用腐蝕抑制劑能降低蝕刻溶液之製造成本，因此，降低用於使用此等溶液蝕刻微電子裝置之方法的成本。
於本文中，術語"微電子裝置"係指用於微電子、積體電路、能源收集，或電腦晶片應用而製造之半導體基材、平板顯示器、相變化記憶體裝置、太陽能板，及包括太陽能電池裝置、光伏元件，及微電子機械系統 (MEMS)之其它產品。需瞭解術語"微電子裝置"、"微電子基材"，及"微電子裝置材料"並非意指以任何方式限制，且包括最終會變成一微電子裝置或微電子組件之任何基材或結構。
於本文中，術語“以鈦為主之障壁層”意指具有包含5與500nm之間的厚度，由鈦、氮化鈦、鈦鎢，或此等之混合物組成之任何薄膜。
於此處使用時，術語"約"係打算相對應於所述值之±5%。
於此處使用時，術語“室溫”意指範圍從20℃至25℃之溫度。
有利地，該蝕刻溶液係藉由使(i)由範圍從約5重量%至約30重量%之濃度的氫氧化鉀，氫氧化鉀濃度之範圍從約1%至約4%的濃度之CDTA製成之一濃縮物與(ii)範圍從約30重量%至約40重量%的起始濃度之過氧化氫混合而製備，以便達到包含約7與約8之間的pH。
本發明之另一目的係一種化學組成物，其係用於藉由使該組成物與濃縮過氧化氫混合製備上述溶液，該化學組成物包含從約5重量%至約30重量%之氫氧化鉀，氫氧化鉀濃度之範圍從約1%至約5%的濃度之CDTA，剩餘係水。
本發明之另一目的係一種用於使一鈦、氮化鈦或鈦鎢障壁層自一微電子裝置蝕刻之方法，該方法包含使此鈦、氮化鈦或鈦鎢障壁層與上述蝕刻溶液接觸足以移 除此鈦、氮化鈦或鈦鎢障壁層之一時間。
依據一實施例，此溶液係使用一使用點摻合技術(point of use blending technique)使範圍從30重量%至40重量%之起始濃度的濃縮過氧化氫與上述化學組成物以一適合比例混合，以便達到包含約7與約8之間的pH而製備。
依據一實施例，蝕刻溶液係於配送於微電子裝置上之後立即被置於廢料排放，或改向至一化學槽，數小時或數個欲被蝕刻之基材。
依據一實施例，蝕刻溶液係於包含約15與約60℃之間，較佳係約20℃與約50℃之間的溫度加熱及與微電子裝置接觸。
本發明之一另外目的係一種用於製備上述蝕刻溶液之方法。該方法包含使上述化學組成物與範圍從30重量%至40重量%之起始濃度的濃縮過氧化氫混合以便達包含約7與8之間的pH。
圖式簡要說明
本發明之其它特徵及優點由基於所附圖式之下列說明會變明顯，其中：- 圖1係顯示混合物中之CDTA濃度(以濃縮物中之KOH濃度的%)對相對蝕刻速率之影響的圖，其係以30重量%之濃KOH為基準，用以使30w%過氧化氫之pH調整於7.5(判定相對蝕刻速率，最高值被作為 等於1之一參考值，且其它值係相對於該參考值而取得)；- 圖2係顯示於pH 7.5之不同鹼性過氧化氫溶液於室溫時之鈦厚度(Å)相對於浸漬時間(s)之圖；- 圖3係顯示於一新蝕刻溶液中於一銅柱下之側面鈦蝕刻的相片；- 圖4係顯示於以於50℃之一浴中維持24小時後之一蝕刻溶液的此銅柱下之側面鈦蝕刻的相片；- 圖5係顯示於一製造工具於50℃之鈦蝕刻速率(Å/min)相對於老化時間(浴時間，小時)之變化的圖：曲線A相對應於H2O2來源A；曲線B相對應於H2O2來源B。
發明實施例之詳細說明
真正的挑戰在於以一可接受速率蝕刻氧化鈦表面或界面且相較於鋁及銅金屬保持選擇性之困難性。由熟習此項技藝者得知以鈦及鎢為主之材料會以一可觀速率溶於過氧化氫中。亦已知經由添加氨或任何鹼使pH升高，係經由增加被認為係以鈦為主之材料中之活性物種的HO2-濃度，而不僅會增強對本體材料之蝕刻速率，而且會增強氧化鈦之溶解速率。但是，考量大部份工具硬體之實際限制，係難以使一混合物維持於具有一穩定pH之使用點，因此，因此，露出金屬之腐蝕及過氧化物分解會幾乎不被控制。
發明人發現當與於一特定pH之濃縮過氧化 氫混合時，以鈦蝕刻速率及穩定性而言，氫氧化鉀係優於所有其它鹼。此外，使用CDTA(1,2-二胺基環己烷-N,N,N,N四乙酸)作為錯合劑不僅有效率地避免過氧化物分解達數個小時，即使於高溫及最高達8之pH，而且顯著增加於測試濃度之KOH/過氧化氫混合物的鈦蝕刻速率。
知此，發明人決定設計一即用型混合物，其係以具有包含30重量%與40重量%之間的起始濃度之濃縮過氧化氫為主，其pH係藉由添加一濃縮液調整至7與8之間，此濃縮液係由約5重量%至約30重量%之氫氧化鉀及包含於此濃縮液中的氫氧化鉀濃度之約1%與約5%之間的濃度之CDTA所組成。
當使用高於40重量%之過氧化氫及/或高於8之pH時，於自行加速分解於意外污染或鬆散控制溫度之情況發生之前，溫度安全界限變得太微小。
當高於30重量%之氫氧化鉀被用於製備濃縮物時，則變得難以使CDTA溶解至適當濃度。
當低於5重量%之氫氧化鉀被用於濃縮物製備時，則添加至過氧化氫以達目標pH的水顯著地降低最終溶液的效率。
當CDTA濃度高於濃縮物中之氫氧化鉀濃度之5%時，最終混合物對鈦之蝕刻速率係顯著減少。
當CDTA濃度低於濃縮物中之氫氧化鉀濃度之1%時，則最終混合物之壽命及對鈦之蝕刻速率二者皆明顯降低。
如上所述般使溶液之pH調整至7與8之間的值能有效率地蝕刻以鈦為主之材料，同時避免腐蝕除了鈦以外之可能露出金屬，諸如，銅或鋁。
因此，本發明提供一種溶液，其相較於其它露出金屬選擇性地蝕刻以鈦為主之材料，且未使用通常需要之腐蝕抑制劑。圖1係顯示以用於使30重量%之過氧化氫的pH調整於7.5之30重量%的濃KOH為主之混合物中的CDTA濃度的影響之圖。
用於蝕刻以鈦為主之障壁物的一溶液被描述，該溶液包含約30重量%與約40重量%之間的起始濃度之過氧化氫，或由此所組成，或基本上由此所組成，其pH係藉由添加一含水濃縮物調整至包含約7與約8之間的值，此含水濃縮物含有：(i)約5重量%與約30重量%之間的氫氧化鉀，及(ii)氫氧化鉀濃度之約1%與約5%之間的濃度之CDTA。此溶液使以鈦為主之材料自於上含有此材料之一微電子裝置的表面有效且有效率地溶解，且不會大量腐蝕存在於微電子裝置上之其它材料，諸如，銅、鋁，及錫或其合金，且降低過氧化物分解，即使於金屬上料之情況，使混合物“再循環”達數小時，而不會顯著改變其蝕刻性質。
於一實施例，最終溶液係由氫氧化鉀、過氧化氫、CDTA及水組成或基本上由此等組成。
於一較佳實施例，溶液係由氫氧化鉀、過氧化氫、CDTA，及水組成或由此等組成，且不含有任何腐 蝕抑制劑。
相對應之最終溶液係約略由約27重量%至約39重量%之過氧化氫，約0.2重量%至約0.5重量%之氫氧化鉀，及約20ppm至約200ppm之CDTA組成。
相較於此溶液之總重量，進入本發明之此溶液中之此重量%過氧化氫係被稱為純過氧化氫。過氧化氫之來源可為具有等於或高於30重量%之任何起始濃度且具有或不具有磷酸鹽/膦酸鹽/司塔納鹽(stanate)穩定劑之可購得過氧化氫，但亦可藉由以純水稀釋一更濃的過氧化氫溶液而製備。
與此溶液之總重量相比，此溶液中之此重量%氫氧化鉀係被稱為純氫氧化鉀。
於一較佳實施例，最終溶液係包含約27重量%至約39重量%之過氧化氫，，約0.0020重量%(20ppm)至約0.02重量%(200ppm)之環己烷二胺四乙酸，及約0.2重量%之至約0,5重量%之氫氧化鉀，剩餘係水，或由此等組成或基本上由此等組成。
此處所述之溶液係藉由簡單添加個別成份且混合至均質狀況而輕易調配。再者，溶液可以單一包裝調配物或於使用點時或之前混合的二部份調配物輕易調配，例如，此二部份調配物之個別部份可於工具處或於此工具上游之一貯存槽內混合。為此，使用點摻合技術(例如，就在配送前於線上混合此等組份)可被使用。
所述之溶液可作為“新配送物”，即，藉由使 此化學品送至廢料排放或更有趣地，藉由使此化學品再循環至化學槽持續數小時。
於使用此溶液使以鈦為主之材料自其上具有此材料之微電子裝置移除，此溶液典型上係與此裝置於範圍從約15℃至約60℃，較佳係約25℃至約50℃之溫度接觸從約45秒至約10分鐘，較佳係約1分鐘至約5分鐘之時間。此接觸時間及溫度係例示性，且使以鈦為主之材料自此裝置有效地完全移除之任何其它適合時間及溫度條件可被使用。有利地，此溶液使以鈦為主之材料自其上具有此材料之一微電子裝置的表面有效且有效率移除，且不會大量移除存在於此微電子裝置上之其它材料，諸如，銅、鋁、錫或錫合金。
此溶液之特徵及優點係藉由如下探討之例示範例作更完全顯示。
範例
範例1
六溶液係如下般製備。
首先，製備含有5.5重量%之氫氧化鉀或此莫耳當量之五個受測之其它鹼(鋰、鈉、銫、四甲基銨，及氫氧化銨)及0.1重量%之CDTA的六個濃混合物。然後，於六個不同燒杯中，每一濃縮物添加至純過氧化氫，以便達到約7.5之相同pH。
每一溶液之測得之pH、溫度，及算得之過氧化氫濃度係於表1中報導。
Figure 106110612-A0305-02-0014-1
圖2顯示藉由PVD沉積於氧化矽上之100nm鈦，於室溫浸漬於不同製備溶液中之相對於浸漬時間之厚度變化。剩餘鈦厚度係經由電阻測量評估。剩餘厚度係每分鐘或每2分鐘測量。此圖確認於選定之pH及過氧化物濃度，相較於其它鹼，KOH產生較高鈦蝕刻速率。亦清楚的是相對於時間之厚度變化沿著膜厚度並不是線性，且判定一簡單蝕刻速率值係有點困難。於膜溶解之開始及結束時之減低蝕刻速率係歸因於在與空氣及與底下介電質(氧化矽)二界面處之一薄氧化層存在。以下稱為“蝕刻速率”之此數值實際上係相對應於一特定時間被移除之鈦的值，因此，併入用以移除頂氧化物層所需之時間。
於下列範例2至4，測試係依據普遍用於過氧化氫之一標準測試進行，其係由如下組成：於一特別元件中使過氧化氫於96℃加熱，此元件於上係置放一分餾管以避免水蒸發，且於16小時後評估過氧化氫濃度損失。
此濃度損失係等於在20℃於一年觀察到之過氧化氫損失。
由於使用之錯合劑快速熱分解，測試溫度需下降至65℃。即使與於一年觀察之降解無輕易相關性，此測試提供有意義資訊且使吾等能於不同溶液及成份之間作比較。
H2O2濃度係於老化及/或藉由滴定(過錳酸鉀滴定)裝填污染物之前及之後作評估。
此等範例中提供之蝕刻速率係以於50℃時之30秒靜態浸置移除之厚度的二倍計算。厚度係藉由使剩餘膜經由四點探針以本體電阻測量作評估。
每一測試除複兩次，且提供之數值實際上係二組結果之平均值。
範例2：組份對鈦蝕刻速率及溶液穩定性之影響
下列十個溶液係如下般製備。
純的30重量%過氧化氫以含有5.5重量%KOH或8.2重量%之28重量%NH4OH之濃縮物溶液，及不同錯合劑調整為pH 7.5。錯合劑係於與過氧化氫混合前以0.055重量%(於最終混合物中係約30ppm)，0.11重量%(於最終混合物中之係約60ppm)，或0.22重量%(於最終混合物中係約120ppm)之濃度添加至濃縮物溶液。
穩定性測試之錯合劑係CDTA(反-1,2-二胺基環己烷-N,N,N,N四乙酸)、EDDS(七二胺二琥珀酸)、EDTA(乙二胺四乙酸)，及DTPMP(二亞乙基三胺五甲基磷酸)。
最終混合物中之約略鹼濃度係自用以使pH 調整於7.5之濃縮物的質量計算。
Figure 106110612-A0305-02-0016-2
Figure 106110612-A0305-02-0016-3
情楚地看起來於測試條件下，以鈦蝕刻速率及穩定性而言，KOH/CDTA對係最佳結合。由溶液5之結果亦明顯係當pH上升，蝕刻速率增加，但穩定性降低。
範例3：金屬污染物對蝕刻溶液穩定性之影響
四個溶液係以與範例2中所述之一相似程序製備。
此等溶液係於經覆蓋之燒杯中於50℃加熱，且以鈦裝填係藉由浸漬每公升為2.5個具有300mm直徑之圓片之相等物(每100毫升係¼圓片)持續一足夠時間以移除存在於試片表面上之所有100nm鈦膜而達成。此等溶液係於污染後及於以溶解鈦老化後以pH變化及鈦蝕刻速率變化作評估。
表4教示四個溶液之組成。
Figure 106110612-A0305-02-0017-4
表5顯示每一溶液於鈦污染之前，鈦污染之後，及當溶液於50℃維持6小時之鈦蝕刻速率(Å/分鐘)。
Figure 106110612-A0305-02-0017-5
此測試顯示CDTA能有效率地避免過氧化氫分解，即使於嚴重鈦污染存在中。
範例4：溶液對鈦、銅及錫之相容性
四個溶液係以與範例3相同之程序製備。
磷酸添加至濃縮物溶液以檢查當pH填加時 其對鋁之保護能力。磷酸係一普遍使用之鋁腐蝕抑制劑。
沉積於氧化矽上之500nm PVD鋁，沉積於氧化矽上之40nm PVD銅，及沉積於一薄的20nm銅層之1.5μm錫的圓片試片被用以評估與此等金屬之相容性。
此等溶液於50℃加熱，且銅及鋁試片浸漬1小時，而由於較長浸漬時間觀察到脫層(剝落)，錫試片僅浸漬10分鐘。試片上之剩餘膜厚度值經由四點探針藉由電阻測量評估。
表6教示四個溶液之組成。
Figure 106110612-A0305-02-0018-6
表7顯示每一溶液之鋁、鋁及氮化鈦的蝕刻速率。
Figure 106110612-A0305-02-0018-7
評論：如表6及7中所示之溶液3及4並非本發明之部份，且係作為如下探討之與溶液1及2之比較的基礎。
添加低濃度磷酸有效地免當溶液之pH升高 時鋁腐蝕。具有於7與8之間緩衝的pH之所有此處測試的溶液於評估下係可與金屬相容，事實上，完全溶解一慣常鈦障壁的時間係於2至5分鐘之範圍，因此，銅、鋁，及錫蝕刻會保留於數埃至數十埃之圍(如可由第4&6欄看出)，因此，未危及用於目標應用之尺寸係於μm範圍的裝置之電性能。再者，此等結果顯示相較於鋁，錫係選擇性被蝕刻，即使當無鋁之腐蝕抑制劑存在於溶液中時。
範例5
自二不同過氧化氫來源(來源A及來源B)開始，調整於pH 7.6，含有約28重量%之過氧化氫，約0.36重量%之氫氧化鉀，及約0.012w重量%(120ppm)之CDTA的二溶液被提供用於一製造工具(SEMITOOL RAIDERTM單圓片工具)測試。測試模型(tests vehicles)係模擬緻密且小的5-6μm直徑之銅柱的經圖案化之300mm圓片。測試目標係檢查於一產業工具中移除於結構化圓片上之一100nm鈦障壁層所需之時時。溶液係維持於50℃±2℃加熱。使用之溶液流速係750毫升/分。
用以移除所有膜所需之時間被評估，且係施用50%過度蝕刻(相對應於150nm總鈦移除)。SEM相片被取得以評估於銅下被移除之側面鈦的量。低於0.2μm蝕刻不足(under-etch)(側面蝕刻，註記為LE)之鈦膜被達成(見圖3)。
此浴於在50℃±2℃加熱之槽中留置24小時。鈦蝕刻速率及側面蝕刻被再次評估。發現鈦蝕刻速率 係僅比新製溶液低9%(見圖5)，相較於新製溶液，於銅下之側面蝕刻LE未增加(見圖4)。
因此確認於一製造加工設備中，溶液於50℃能達成高且穩定之蝕刻速率持續數小時，且保持一相當可控制之側面蝕刻，此對於較小結構係具有高度關切。
雖然本發明已於此參考例示之實施例及特徵作各種揭露，但會瞭解上述實施例及特徵並不打算用以限制本發明，且其它變化、修改及其它實施例係熟習此項技藝者基於此處之揭露會想到。
參考資料
WO2008/114616
US2015/0210966
CN100526507
WO 2015/156171

Claims (9)

  1. 一種用於蝕刻以鈦為主之材料的溶液，其包含從約27重量%至約39重量%之過氧化氫、從約0.2重量%至約0.5重量%之氫氧化鉀、及於約0.002重量%至約0.02重量%之1,2-二胺基環己烷-N,N,N,N四乙酸(CDTA)，剩餘係水，該溶液不包含腐蝕抑制劑，且具有包含約7與約8之間的pH。
  2. 如請求項1的溶液，該蝕刻溶液係藉由混合(i)由範圍從約5重量%至約30重量%之濃度的氫氧化鉀、範圍從約氫氧化鉀濃度之1%至約4%的濃度之CDTA所製成之濃縮物，與(ii)範圍從約30重量%至約40重量%之起始濃度的過氧化氫，以便達到包含約7與約8之間的pH而製備。
  3. 一種用於製備如請求項1或2中任一項之溶液的化學組成物，其係藉由使該組成物與濃縮過氧化氫混合，該化學組成物包含從約5重量%至約30重量%之氫氧化鉀、範圍從約該氫氧化鉀濃度之1%至約5%的濃度之CDTA，剩餘係水。
  4. 一種使一鈦、氮化鈦或鈦鎢障壁層自一微電子裝置蝕刻的方法，該方法包含使該鈦、氮化鈦或鈦鎢障壁層與如請求項1或2中任一項之溶液接觸歷經一足以移除該鈦、氮化鈦或鈦鎢障壁層之時間。
  5. 如請求項4的方法，其中該溶液係使用一使用點摻合技術(point of use blending technique)使範圍 從30重量%至40重量%之起始濃度的濃縮過氧化氫與請求項3之組成物以一適合比例混合，以便達到包含約7與約8之間的pH而製備。
  6. 如請求項4或5中任一項的方法，其中該蝕刻溶液係在配送於該微電子裝置上歷經數小時或數個欲被蝕刻之基材之後立即被置於廢料排放，或改向至一化學槽。
  7. 如請求項4或5中任一項的方法，其中該蝕刻溶液係於包含約15℃與約60℃之間的溫度，加熱及與該微電子裝置接觸。
  8. 如請求項4或5中任一項的方法，其中該蝕刻溶液係於包含約20℃與約50℃之間的溫度，加熱及與該微電子裝置接觸。
  9. 一種用於製備如請求項1或2中任一項之蝕刻溶液的方法，其包含使請求項3之組成物與範圍從30重量%至40重量%之起始濃度的濃縮過氧化氫混合以便達包含約7與8之間的pH。
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