TWI724817B - 發光二極體顯示器 - Google Patents

Abstract

本發明揭露一種發光二極體顯示器，其包含顯示區塊、複數個電晶體以及感應線圈。顯示區塊包含最大為20x20個像素所形成的像素矩陣，像素矩陣中的每一個像素包含發光二極體。複數個電晶體對應像素矩陣設置，像素矩陣之每一行包含第一電晶體且像素矩陣之每一列包含第二電晶體，第一電晶體及第二電晶體分別連接發光二極體之兩端。感應線圈對應顯示區塊設置且鄰近複數個電晶體，感應線圈提供驅動訊號至複數個電晶體以控制發光二極體發光。

Description

發光二極體顯示器

本發明是關於一種發光二極體顯示器，特別是關於一種減少漏電流路徑，避免逆偏電壓累積造成串擾(cross talk)的發光二極體顯示器。

在各種顯示面板當中，發光二極體顯示器的顯示面板一直是重點開發的技術，在這當中，由於發光二極體本身的特性，僅在順偏時產生電流而發光，在逆偏時因電子電洞受空乏區位能障壁關係無法產生電流，因而無法發光。然而在逆偏時，其漏電流仍舊存在，當逆偏漏電流在像素矩陣中累積到一定的程度，例如達到一個灰階的亮度，即有可能點亮其他發光二極體，發生錯誤啟動的現象，進而使得發光二極體顯示面板產生串擾的問題。

綜觀前所述，習知的發光二極體顯示器由於發光二極體本身的特性，在逆偏時會存在漏電流，若累積過多會產生異常的灰階亮度，造成顯示器之缺陷，因此，本發明藉由設計一種發光二極體顯示器結構，針對現有技術之缺失加以改善，解決漏電流之問題，進而增進產業上之實施利用。

有鑑於上述習知技術之問題，本發明之目的在於提供一種發光二極體顯示器，其具有特殊之像素矩陣結構，藉此解決現有發光二極體顯示器上之漏電流累積造成顯示器產生異常灰階亮度之問題。

根據上述目的，本發明之實施例提出一種發光二極體顯示器，其包含顯示區塊、複數個電晶體以及感應線圈。顯示區塊包含最大為20x20個像素所形成的像素矩陣，像素矩陣中的每一個像素包含發光二極體。複數個電晶體對應像素矩陣設置，像素矩陣之每一行包含第一電晶體且像素矩陣之每一列包含第二電晶體，第一電晶體及第二電晶體分別連接發光二極體之兩端。感應線圈對應顯示區塊設置且鄰近複數個電晶體，感應線圈提供驅動訊號至複數個電晶體以控制發光二極體發光。

在本發明的實施例中，複數個電晶體與像素矩陣可設置於不同層。

在本發明的實施例中，發光二極體顯示器可包含第一顯示區塊、第二顯示區塊、第三顯示區塊及第四顯示區塊形成之陣列，其分別包含最大為20x20個像素所形成的像素矩陣。

在本發明的實施例中，複數個電晶體可設置於第一顯示區塊、第二顯示區塊、第三顯示區塊及第四顯示區塊之間，第一顯示區塊、第二顯示區塊、第三顯示區塊及第四顯示區塊分別包含各自之第一電晶體及第二電晶體。

在本發明的實施例中，感應線圈可包含外匝線路及內匝線路，外匝線路連接至第一顯示區塊、第二顯示區塊、第三顯示區塊及第四顯示區塊之第一電晶體，內匝線路連接至第一顯示區塊、第二顯示區塊、第三顯示區塊及第四顯示區塊之第二電晶體。

在本發明的實施例中，第一顯示區塊與第四顯示區塊當中之發光二極體可為正接方向，第二顯示區塊與第三顯示區塊當中之發光二極體可為反接方向。

在本發明的實施例中，複數個電晶體可設置於第一顯示區塊、第二顯示區塊、第三顯示區塊及第四顯示區塊之外側，第一顯示區塊、第二顯示區塊、第三顯示區塊及第四顯示區塊分別包含各自之第一電晶體及第二電晶體。

在本發明的實施例中，感應線圈可包含外匝線路及內匝線路，外匝線路連接至第一顯示區塊、第二顯示區塊、第三顯示區塊及第四顯示區塊之第一電晶體，內匝線路連接至第一顯示區塊、第二顯示區塊、第三顯示區塊及第四顯示區塊之第二電晶體。

在本發明的實施例中，第一顯示區塊與第四顯示區塊當中之發光二極體可為正接方向，第二顯示區塊與第三顯示區塊當中之發光二極體可為反接方向。

在本發明的實施例中，感應線圈可包含外匝線路及內匝線路，外匝線路連接至第一顯示區塊與第四顯示區塊之第一電晶體以及第二顯示區塊與第三顯示區塊之第二電晶體，內匝線路連接至第一顯示區塊與第四顯示區塊之第二電晶體以及第二顯示區塊與第三顯示區塊之第一電晶體。

在本發明的實施例中，發光二極體可包含紅色發光二極體、綠色發光二極體及藍色發光二極體。

承上所述，依本發明實施例所揭露的發光二極體顯示器，通過限制像素矩陣的大小，可避免發光二極體顯示器當中的像素，在逆偏時因為漏電流累積而造成串擾(cross talk)的問題產生。同時通過發光二極體的正接與反接方 式，或者感應線圈外匝線路與內匝線路的布線方式，達到不同顯示區塊可分別在驅動訊號的正負半週發光，進一步提升發光二極體顯示器的顯示品質。

10:發光二極體顯示器

11:顯示區塊

12,25,35,45,55,65:感應線圈

20,30,40,50,60:陣列

21,31,41,51,61:第一顯示區塊

22,32,42,52,62:第二顯示區塊

23,33,43,53,63:第三顯示區塊

24,34,44,54,64:第四顯示區塊

26,36,46,56,66:外匝線路

27,37,47,57,67:內匝線路

R:紅色發光二極體

G:綠色發光二極體

B:藍色發光二極體

X1,X2,X3,...X60:第一電晶體

Y1,Y2,Y3,...Y20:第二電晶體

為使本發明之技術特徵、內容與優點及其所能達成之功效更為顯而易見，茲將本發明配合附圖，並以實施例之表達形式詳細說明如下：

第1圖為本發明實施例之發光二極體顯示器之示意圖。

第2圖為本發明實施例之發光二極體顯示器之陣列之示意圖。

第3圖為本發明實施例之發光二極體顯示器之正負半週發光之示意圖。

第4圖為本發明另一實施例之發光二極體顯示器之陣列之示意圖。

第5圖為本發明另一實施例之發光二極體顯示器之正負半週發光之示意圖。

第6圖為本發明又一實施例之內外匝線路形成正負半週發光之示意圖。

為利瞭解本發明之技術特徵、內容與優點及其所能達成之功效，茲將本發明配合附圖，並以實施例之表達形式詳細說明如下，而其中所使用之圖式，其主旨僅為示意及輔助說明書之用，未必為本發明實施後之真實比例與精準配置，故不應就所附之圖式的比例與配置關係解讀、侷限本發明於實際實施上的權利範圍，合先敘明。

在附圖中，為了清楚起見，放大了層、膜、面板、區域、導光件等的厚度或寬度。在整個說明書中，相同的附圖標記表示相同的元件。應當理解，當諸如層、膜、區域或基板的元件被稱為在另一元件「上」或「連接到」 另一元件時，其可以直接在另一元件上或與另一元件連接，或者中間元件可以也存在。相反地，當元件被稱為「直接在另一元件上」或「直接連接到」另一元件時，不存在中間元件。如本文所使用的「連接」，其可以指物理及/或電性的連接。再者，「電性連接」或「耦合」係可為二元件間存在其它元件。此外，應當理解，儘管術語「第一」、「第二」、「第三」在本文中可以用於描述各種元件、部件、區域、層及/或部分，其係用於將一個元件、部件、區域、層及/或部分與另一個元件、部件、區域、層及/或部分區分開。因此，僅用於描述目的，而不能將其理解為指示或暗示相對重要性或者其順序關係。

除非另有定義，本文所使用的所有術語(包括技術和科學術語)具有與本發明所屬技術領域的通常知識者通常理解的含義。將進一步理解的是，諸如在通常使用的字典中定義的那些術語應當被解釋為具有與它們在相關技術和本發明的上下文中的含義一致的含義，並且將不被解釋為理想化的或過度正式的意義，除非本文中明確地如此定義。

請參閱第1圖，其為本發明實施例之發光二極體顯示器之示意圖。如圖所示，發光二極體顯示器10包含顯示區塊11、複數個電晶體以及感應線圈12。顯示區塊11包含最大為20x20個像素所形成的像素矩陣，每一個像素包含紅色子像素、綠色子像素及藍色子像素，因此，顯示區塊11也可稱為60x20個子像素所形成的像素矩陣。在像素矩陣當中，每一個像素包含發光二極體，紅色子像素包含紅色發光二極體R，綠色子像素包含綠色發光二極體G，藍色子像素包含藍色發光二極體B。

顯示區塊11還包含複數個電晶體，這些電晶體是對應像素矩陣設置，亦即對應像素矩陣中每個像素之發光二極體設置。在本實施例當中，像素 矩陣之每一行分別設置第一電晶體X1,X2,X3,...X60，而像素矩陣之每一列分別設置第二電晶體Y1,Y2,Y3,...Y20，各個行與列的第一電晶體及第二電晶體分別連接發光二極體之兩端，以第一行的紅色子像素R為例，第一電晶體X1連接於每一個紅色發光二極體R之陽極，各個第二電晶體Y1,Y2,Y3,...Y20則分別連接紅色發光二極體R之陰極。在圖中，這些第一電晶體X1,X2,X3,...X60與第二電晶體Y1,Y2,Y3,...Y20是設置在發光二極體的外側，但本發明不侷限於此，電晶體結構可與發光二極體設置在不同層，彼此重疊以減少周圍電路布局。此外，第一電晶體X1,X2,X3,...X60與第二電晶體Y1,Y2,Y3,...Y20則是電性連接至感應線圈12，感應線圈12是對應顯示區塊11來設置，可配置在像素矩陣的底部，其可包含一個或多個線圈，鄰近於上述之各個電晶體，藉由感應線圈12提供驅動訊號至各個電晶體以控制發光二極體發光。

就發光二極體的特性而言，當感應線圈12提供之驅動訊號控制第一電晶體X2及第二電晶體Y2導通時，第二行第二列的綠色發光二極體G點亮，但第二行往下的所有綠色發光二極體G也可能因為漏電流累積超過一個灰階亮度而點亮，造成串擾(cross talk)的現象，或者逆偏漏電流經由第一行將紅色發光二極體R點亮。在本實施例中，由於限制顯示區塊11的大小，使得掃描線與資料線的數量也有所限制，即便累積後之漏電流仍不足以點亮其他發光二極體，因此在本揭露的發光二極體顯示器10當中，可有效避免串擾的情況產生。

請參閱第2圖，其為本發明實施例之發光二極體顯示器之陣列之示意圖。如圖所示，發光二極體顯示器的陣列20包含第一顯示區塊21、第二顯示區塊22、第三顯示區塊23及第四顯示區塊24，其中每一個顯示區塊中分別包含20x20個像素所形成的像素矩陣。在本實施例中，像素矩陣為20x20個像素， 亦即60x20個子像素(紅、綠、藍)形成的像素矩陣，但本發明不侷限於此，像素矩陣當中之像素數量可小於20x20個像素。

第一顯示區塊21包含對應像素設置的複數個電晶體，其中，每一行分別設置第一電晶體X1,X2,...X60，而每一列分別設置第二電晶體Y1,Y2,...Y20，第一電晶體X1,X2,...X60連接於像素中發光二極體的陽極，第二電晶體Y1,Y2,...Y20連接發光二極體之陰極。類似地，第二顯示區塊22的每一行設置第一電晶體X61,X62,...X120，每一列則設置第二電晶體Y1,Y2,...Y20，第一電晶體X61,X62,...X120連接於像素中發光二極體的陽極，第二電晶體Y1,Y2,...Y20連接發光二極體之陰極；第三顯示區塊23的每一行設置第一電晶體X1,X2,...X60，每一列則設置第二電晶體Y21,Y22,...Y40，第一電晶體X1,X2,...X60連接於像素中發光二極體的陽極，第二電晶體Y21,Y22,...Y40連接發光二極體之陰極；第四顯示區塊24的每一行設置第一電晶體X61,X62,...X120，每一列則設置第二電晶體Y21,Y22,...Y40，第一電晶體X61,X62,...X120連接於像素中發光二極體的陽極，第二電晶體Y21,Y22,...Y40連接發光二極體之陰極。在本實施例中，這些第一電晶體X1,X2,...X120與第二電晶體Y1,Y2,...Y40設置在第一顯示區塊21、第二顯示區塊22、第三顯示區塊23及第四顯示區塊24之間。

發光二極體顯示器同樣設有感應線圈25，對應第一顯示區塊21、第二顯示區塊22、第三顯示區塊23及第四顯示區塊24，提供驅動訊號至各個電晶體。其中，感應線圈25包含外匝線路26及內匝線路27，外匝線路26分別連接至第一顯示區塊21與第二顯示區塊22、第三顯示區塊23與第四顯示區塊24之第一電晶體X1,X2,...X120，內匝線路27分別連接至第一顯示區塊21與第三顯示區塊23、第二顯示區塊22與第四顯示區塊24之第二電晶體Y1,Y2,...Y40。內匝線 路27與外匝線路26同樣設置在各個顯示區塊的內側，內匝線路27連出來時需要經由跨線穿過外匝線路26。

請參閱第3圖，其為本發明實施例之發光二極體顯示器之正負半週發光之示意圖。如圖所示，發光二極體顯示器的陣列30包含第一顯示區塊31、第二顯示區塊32、第三顯示區塊33及第四顯示區塊34，其中每一個顯示區塊中分別包含20x20個像素所形成的像素矩陣。與前述實施例類似地，第一顯示區塊31的每一行分別設置第一電晶體X1,X2,...X60，每一列分別設置第二電晶體Y1,Y2,...Y20；第二顯示區塊32的每一行設置第一電晶體X61,X62,...X120，每一列則設置第二電晶體Y1,Y2,...Y20；第三顯示區塊33的每一行設置第一電晶體X1,X2,...X60，每一列設置第二電晶體Y21,Y22,...Y40；第四顯示區塊34的每一行設置第一電晶體X61,X62,...X120，每一列則設置第二電晶體Y21,Y22,...Y40。上述的複數個電晶體設置在第一顯示區塊31、第二顯示區塊32、第三顯示區塊33及第四顯示區塊34之間。

與前述實施例不同之處，本實施例的第一顯示區塊31與第四顯示區塊34當中之發光二極體為正接方向，第二顯示區塊32與第三顯示區塊33當中之發光二極體為反接方向。進一步說明，正接方向是指第一電晶體連接至發光二極體之陽極，第二電晶體連接至發光二極體之陰極，也就是在第一顯示區塊31的第一電晶體X1,X2,...X60與第四顯示區塊34當中的第一電晶體X61,X62,...X120是連接於對應像素當中發光二極體之陽極，而第一顯示區塊31的第二電晶體Y1,Y2,...Y20與第四顯示區塊34當中的第二電晶體Y21,Y22,...Y40是連接於對應像素當中發光二極體之陰極，正接方向之顯示區塊，其像素之發光二極體在驅動訊號的正半週時發光。相對地，反接方向是指第一電晶體連接至發光二 極體之陰極，第二電晶體連接至發光二極體之陽極，也就是在第二顯示區塊32的第一電晶體X61,X62,...X120與第三顯示區塊33當中的第一電晶體X1,X2,...X60是連接於對應像素當中發光二極體之陰極，而第二顯示區塊31的第二電晶體Y1,Y2,...Y20與第三顯示區塊33當中的第二電晶體Y21,Y22,...Y40是連接於對應像素當中發光二極體之陽極，反接方向之顯示區塊，其像素之發光二極體在驅動訊號的負半週時發光。藉由讓不同顯示區塊於正負半週分別進行顯示，可以減少顯示區塊全亮及全暗造成顯示畫面閃爍之問題，進而提升發光二極體顯示器之顯示品質。

請參閱第4圖，其為本發明另一實施例之發光二極體顯示器之陣列之示意圖。如圖所示，發光二極體顯示器的陣列40包含第一顯示區塊41、第二顯示區塊42、第三顯示區塊43及第四顯示區塊44，其中每一個顯示區塊中分別包含20x20個像素所形成的像素矩陣，即60x20個子像素(紅、綠、藍)形成的像素矩陣。第一顯示區塊41的每一行分別設置第一電晶體X1,X2,...X60，每一列分別設置第二電晶體Y1,Y2,...Y20；第二顯示區塊42的每一行設置第一電晶體X61,X62,...X120，每一列則設置第二電晶體Y1,Y2,...Y20；第三顯示區塊43的每一行設置第一電晶體X1,X2,...X60，每一列設置第二電晶體Y21,Y22,...Y40；第四顯示區塊44的每一行設置第一電晶體X61,X62,...X120，每一列則設置第二電晶體Y21,Y22,...Y40。在本實施例中，複數個電晶體是設置在第一顯示區塊41、第二顯示區塊42、第三顯示區塊43及第四顯示區塊44的外側。

發光二極體顯示器的感應線圈45，其包含外匝線路46及內匝線路47，外匝線路46分別連接至第一顯示區塊41與第二顯示區塊42、第三顯示區塊43與第四顯示區塊44之第一電晶體X1,X2,...X120，內匝線路47分別連接至第一 顯示區塊41與第三顯示區塊43、第二顯示區塊42與第四顯示區塊44之第二電晶體Y1,Y2,...Y40。內匝線路47與外匝線路46設置在各個顯示區塊的外側，外匝線路46與內匝線路47於交叉處需設置跨線。

請參閱第5圖，其為本發明實施例之發光二極體顯示器之正負半週發光之示意圖。如圖所示，發光二極體顯示器的陣列50包含第一顯示區塊51、第二顯示區塊52、第三顯示區塊53及第四顯示區塊54，其中每一個顯示區塊中分別包含20x20個像素所形成的像素矩陣。與第4圖之實施例類似地，第一顯示區塊51的每一行分別設置第一電晶體X1,X2,...X60，每一列分別設置第二電晶體Y1,Y2,...Y20；第二顯示區塊52的每一行設置第一電晶體X61,X62,...X120，每一列則設置第二電晶體Y1,Y2,...Y20；第三顯示區塊53的每一行設置第一電晶體X1,X2,...X60，每一列設置第二電晶體Y21,Y22,...Y40；第四顯示區塊54的每一行設置第一電晶體X61,X62,...X120，每一列則設置第二電晶體Y21,Y22,...Y40。上述的複數個電晶體設置在第一顯示區塊51、第二顯示區塊52、第三顯示區塊53及第四顯示區塊54的外側。

與前述實施例不同之處，本實施例的第一顯示區塊51與第四顯示區塊54當中之發光二極體為正接方向，第二顯示區塊52與第三顯示區塊53當中之發光二極體為反接方向。第一顯示區塊51的第一電晶體X1,X2,...X60與第四顯示區塊54當中的第一電晶體X61,X62,...X120是連接於對應像素當中發光二極體之陽極，而第一顯示區塊51的第二電晶體Y1,Y2,...Y20與第四顯示區塊54當中的第二電晶體Y21,Y22,...Y40是連接於對應像素當中發光二極體之陰極，第一顯示區塊51及第四顯示區塊54，其像素之發光二極體在驅動訊號的正半週時發光。相對地，第二顯示區塊52的第一電晶體X61,X62,...X120與第三顯示區 塊53當中的第一電晶體X1,X2,...X60是連接於對應像素當中發光二極體之陰極，而第二顯示區塊51的第二電晶體Y1,Y2,...Y20與第三顯示區塊53當中的第二電晶體Y21,Y22,...Y40是連接於對應像素當中發光二極體之陽極，第二顯示區塊52及第三顯示區塊53，其像素之發光二極體在驅動訊號的負半週時發光。 藉由讓不同顯示區塊於正負半週分別進行顯示，可以減少顯示區塊全亮及全暗造成顯示畫面閃爍之問題，進而提升發光二極體顯示器之顯示品質。

請參閱第6圖，其為本發明實施例之內外匝線路形成正負半週發光之示意圖。如圖所示，發光二極體顯示器的陣列60包含第一顯示區塊61、第二顯示區塊62、第三顯示區塊63及第四顯示區塊64，其中每一個顯示區塊中分別包含20x20個像素所形成的像素矩陣。第一顯示區塊61的每一行分別設置第一電晶體X1,X2,...X60，每一列分別設置第二電晶體Y1,Y2,...Y20；第二顯示區塊62的每一行設置第一電晶體X61,X62,...X120，每一列則設置第二電晶體Y1,Y2,...Y20；第三顯示區塊63的每一行設置第一電晶體X1,X2,...X60，每一列設置第二電晶體Y21,Y22,...Y40；第四顯示區塊64的每一行設置第一電晶體X61,X62,...X120，每一列則設置第二電晶體Y21,Y22,...Y40。上述的複數個電晶體設置在第一顯示區塊61、第二顯示區塊62、第三顯示區塊63及第四顯示區塊64之間。

在前述實施例中，透過將不同顯示區塊中的發光二極體反接來達到不同顯示區塊分別於正負半週發光的效果，在本實施例中，發光二極體可維持同一方向，減少製程上之複雜度，僅利用感應線圈65的外匝線路66及內匝線路67的布線，達到分別於正負半週發光之效果。進一步來說，外匝線路66連接至第一顯示區塊61與第四顯示區塊64之第一電晶體X1,X2,...X120，且連接至第 二顯示區塊62與第三顯示區塊63之第二電晶體Y1,Y2,...Y40，內匝線路67連接至第二顯示區塊62與第三顯示區塊63之第一電晶體X1,X2,...X120，且連接第一顯示區塊61與第四顯示區塊44之第二電晶體Y1,Y2,...Y40。依據上述外匝線路46與內匝線路47的設置，第一顯示區塊61及第四顯示區塊64，其像素之發光二極體在驅動訊號的正半週時發光，第二顯示區塊62及第三顯示區塊63，其像素之發光二極體在驅動訊號的負半週時發光。

以上所述僅為舉例性，而非為限制性者。任何未脫離本發明之精神與範疇，而對其進行之等效修改或變更，均應包含於後附之申請專利範圍中。

10:發光二極體顯示器

11:顯示區塊

12:感應線圈

R:紅色發光二極體

G:綠色發光二極體

B:藍色發光二極體

X1,X2,X3,...X60:第一電晶體

Y1,Y2,Y3,...Y20:第二電晶體

Claims (8)

1. 一種發光二極體顯示器，其包含：一顯示區塊，該顯示區塊包含最大為20x20個像素所形成的一像素矩陣，該像素矩陣中的每一個像素包含一發光二極體；複數個電晶體，對應該像素矩陣設置，該像素矩陣之每一行包含一第一電晶體且該像素矩陣之每一列包含一第二電晶體，該第一電晶體及該第二電晶體分別連接該發光二極體之兩端；以及一感應線圈，對應該顯示區塊設置且鄰近該複數個電晶體，該感應線圈提供一驅動訊號至該複數個電晶體以控制該發光二極體發光；其中該發光二極體顯示器包含一第一顯示區塊、一第二顯示區塊、一第三顯示區塊及一第四顯示區塊形成之陣列，其分別包含最大為20x20個像素所形成的該像素矩陣；其中該第一顯示區塊與該第四顯示區塊當中之該發光二極體為正接方向，該第二顯示區塊與該第三顯示區塊當中之該發光二極體為反接方向，正接方向是該第一電晶體連接至該發光二極體之陽極，該第二電晶體連接至該發光二極體之陰極，反接方向是該第一電晶體連接至該發光二極體之陰極，該第二電晶體連接至該發光二極體之陽極。
2. 如申請專利範圍第1項所述之發光二極體顯示器，其中該複數個電晶體與該像素矩陣設置於不同層。
3. 如申請專利範圍第1項所述之發光二極體顯示器，其中該複 數個電晶體設置於該第一顯示區塊、該第二顯示區塊、該第三顯示區塊及該第四顯示區塊之間，該第一顯示區塊、該第二顯示區塊、該第三顯示區塊及該第四顯示區塊分別包含各自之該第一電晶體及該第二電晶體。
4. 如申請專利範圍第3項所述之發光二極體顯示器，其中該感應線圈包含一外匝線路及一內匝線路，該外匝線路連接至該第一顯示區塊、該第二顯示區塊、該第三顯示區塊及該第四顯示區塊之該第一電晶體，該內匝線路連接至該第一顯示區塊、該第二顯示區塊、該第三顯示區塊及該第四顯示區塊之該第二電晶體。
5. 如申請專利範圍第1項所述之發光二極體顯示器，其中該複數個電晶體設置於該第一顯示區塊、該第二顯示區塊、該第三顯示區塊及該第四顯示區塊之外側，該第一顯示區塊、該第二顯示區塊、該第三顯示區塊及該第四顯示區塊分別包含各自之該第一電晶體及該第二電晶體。
6. 如申請專利範圍第5項所述之發光二極體顯示器，其中該感應線圈包含一外匝線路及一內匝線路，該外匝線路連接至該第一顯示區塊、該第二顯示區塊、該第三顯示區塊及該第四顯示區塊之該第一電晶體，該內匝線路連接至該第一顯示區塊、該第二顯示區塊、該第三顯示區塊及該第四顯示區塊之該第二電晶體。
7. 如申請專利範圍第5項所述之發光二極體顯示器，其中該感應線圈包含一外匝線路及一內匝線路，該外匝線路連接至該第一顯示區塊與該第四顯示區塊之該第一電晶體以及該第 二顯示區塊與該第三顯示區塊之該第二電晶體，該內匝線路連接至該第一顯示區塊與該第四顯示區塊之該第二電晶體以及該第二顯示區塊與該第三顯示區塊之該第一電晶體。
8. 如申請專利範圍第1項所述之發光二極體顯示器，其中該發光二極體包含一紅色發光二極體、一綠色發光二極體及一藍色發光二極體。

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