TWI721491B - 發光二極體的轉移方法及發光二極體顯示面板的製備方法 - Google Patents

發光二極體的轉移方法及發光二極體顯示面板的製備方法 Download PDF

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Abstract

一種LED的轉移方法，包括：提供一接收基板及複數LED，接收基板具有複數接收區域，每一接收區域用於接收一個LED，每一LED的相對兩端分別設置有磁性相反的第一電極及第二電極或可供磁吸引材料；利用第一電磁平板磁性吸附複數LED，使每一LED均保持第一電極朝上或第二電極朝上後轉移至一第一平臺；利用一第二電磁平板磁性吸附第一平臺上的複數LED，使其粗定位後轉移至一第二平臺上；以及利用一第三電磁平板磁性吸附第二平臺上的複數LED，使其細定位後對應轉移至接收基板的接收區域。還提供一種LED顯示面板的製備方法。

Description

發光二極體的轉移方法及發光二極體顯示面板的製備方法
本發明涉及顯示技術領域，尤其涉及一種發光二極體(Light Emitting Diode，LED)的轉移方法及LED顯示面板的製備方法。
目前，LED的尺寸越來越趨向於微小化，這使得將大量微小的LED轉移到一接收基板上的步驟在技術上很難實現。
本發明提供一種LED的轉移方法，其包括以下步驟：步驟S11：提供一接收基板及複數LED，所述接收基板具有複數接收區域，每一接收區域用於對應接收一個所述LED，每一LED的相對兩端分別設置有磁性相反的第一電極及第二電極或可供磁吸引材料；步驟S12：提供一第一電磁平板，利用所述第一電磁平板磁性吸附所述複數LED，使每一LED均保持第一電極朝上或第二電極朝上後轉移至一第一平臺；步驟S13：提供一第二電磁平板，所述第二電磁平板的表面上具有第一絕緣非磁性材料層，所述第一絕緣非磁性材料層上具有暴露所述第二電磁平板的表 面的複數第一通孔，每一第一通孔的尺寸均大於每一LED的尺寸，所述複數第一通孔與所述複數接收區域為一一對應的，且所述第二電磁平板通電後對應每一個第一通孔的位置可吸附一個所述LED，其他位置不可吸附所述LED，利用所述第二電磁平板吸附所述第一平臺上的所述複數LED，使其粗定位後轉移至一第二平臺上；以及步驟S14：提供一第三電磁平板，所述第三電磁平板的表面上具有第二絕緣非磁性材料層，所述第二絕緣非磁性材料層上具有暴露所述第三電磁平板的表面的複數第二通孔，每一第二通孔的尺寸均大於每一LED的尺寸並小於每一第一通孔的尺寸，所述複數第二通孔與所述複數接收區域為一一對應的，所述第三電磁平板通電後對應每一個第二通孔的位置可吸附一個所述LED，其他位置不可吸附LED，利用所述第三電磁平板吸附所述第二平臺上的所述複數LED，使其細定位後對應轉移至所述接收基板的接收區域。
本發明實施例還提供一種LED顯示面板的製備方法，所述LED顯示面板定義有複數畫素單元，每一畫素單元包括複數發不同種顏色光的LED，所述LED顯示面板的製備方法包括以下步驟：步驟S21：提供一接收基板，所述接收基板具有複數接收區域，每一接收區域用於對應接收一個LED；步驟S22：提供發所述不同種顏色光中的一種顏色光的複數LED，每一LED的相對兩端分別設置有磁性相反的第一電極及第二電極或可供磁吸引材料；步驟S23：提供一第一電磁平板，利用所述第一電磁平板磁性吸附所述步驟S22中提供的複數LED，使每一LED均保持第一電極朝上或第二電極朝上後轉移至一第一平臺； 步驟S24：提供一第二電磁平板，所述第二電磁平板的表面上具有第一絕緣非磁性材料層，所述第一絕緣非磁性材料層上具有暴露所述第二電磁平板的表面的複數第一通孔，每一第一通孔的尺寸均大於每一LED的尺寸，所述複數第一通孔與所述接收基板上用於接收所述步驟S22中提供的複數LED的複數接收區域為一一對應的，所述第二電磁平板通電後對應每一個第一通孔的位置可吸附一個所述LED，其他位置不可吸附所述LED，利用所述第二電磁平板吸附所述第一平臺上的所述複數LED，使其粗定位後轉移至一第二平臺上；步驟S25：提供一第三電磁平板，所述第三電磁平板的表面上具有第二絕緣非磁性材料層，所述第二絕緣非磁性材料層上具有暴露所述第三電磁平板的表面的複數第二通孔，每一第二通孔的尺寸均大於每一LED的尺寸並小於每一第一通孔的尺寸，所述複數第二通孔與所述接收基板上用於接收所述步驟S22中提供的複數LED的複數接收區域為一一對應的，所述第三電磁平板通電後對應每一個第二通孔的位置可吸附一個所述LED，其他位置不可吸附LED，利用所述第三電磁平板吸附所述第二平臺上的所述複數LED，使其細定位後對應轉移至所述接收基板的接收區域；以及步驟S26：重複步驟S22至S25，分別將發所述不同種顏色光中的其他顏色光的LED對應轉移至所述接收基板的接收區域。
本發明實施例的LED的轉移方法，第一電磁平板、第二電磁平板以及第三電磁平板均可一次電性吸附大量的LED，可實現對LED晶粒的巨量轉移。另，該LED的轉移方法中，由於每一LED在轉移過程中，均分別經歷了粗定位以及細定位兩次定位，該轉移過程的準確率高。
10:接收基板
14:接收區域
16:接收孔
11:基底
12:TFT陣列層
13:絕緣層
15:平坦化層
20:LED
21:P型摻雜的無機發光材料層
22:活性層
23:N型摻雜的無機發光材料層
24:第一電極
25:第二電極
30:第一平臺
40:第一電磁平板
50:第二電磁平板
60:第一絕緣非磁性材料層
61:第一通孔
70:第二平臺
80:第三電磁平板
90:第二絕緣非磁性材料層
91:第二通孔
圖1為本發明實施例的LED的轉移方法的接收基板的俯視示意圖。
圖2為本發明實施例的LED的轉移方法的接收基板的剖面示意圖。
圖3為本發明實施例的LED的轉移方法的步驟S11的示意圖。
圖4至圖5為本發明實施例的LED的轉移方法的步驟S12的示意圖。
圖6至圖8為本發明實施例的LED的轉移方法的步驟S13的示意圖。
圖9至圖11為本發明實施例的LED的轉移方法的步驟S14的示意圖。
圖12至圖13為本發明實施例的形成第二電磁平板及第三電磁平板的各步驟的示意圖。
圖14為本發明實施例的LED顯示面板的製備方法中形成一平坦化層的步驟的示意圖。
本發明實施例提供一種發光二極體(Light Emitting Diode，LED)的轉移方法，下面結合圖1至圖13對所述LED的轉移方法的各步驟進行詳細的說明。該轉移方法包括以下步驟。
步驟S11：提供一接收基板10及複數LED20。
如圖1所示，所述接收基板10具有複數接收區域14，每一接收區域14用於對應接收一個LED20。
如圖2所示，接收基板10為一薄膜電晶體(Thin Film Transistor，TFT)基板，其包括基底11、位於基底11一側的TFT陣列層12以及位於TFT陣列層12遠離基底11一側的絕緣層13。TFT陣列層12包括複數TFT(圖未示)，絕緣層13開設有複數暴露TFT陣列層12的接收孔16，每一接收孔16定義為一個接收區域14，以用於對應接收一個LED20。
於一實施例中，基底11的材料可為玻璃、石英、矽片等，亦可為聚醯亞胺(polyimide，PI)或聚對苯二甲酸(Poly Ethylene Terephthalate,PET)等柔性材料。
如圖3所示，複數LED20雜亂在放置在第一平臺30上。每一所述LED20的相對兩端分別設置有磁性相反的第一電極24及第二電極25。部分LED20的第一電極24朝上，部分LED20的第二電極25朝上。每一LED20包括依次層疊設置的P型摻雜的無機發光材料層21、活性層22、N型摻雜的無機發光材料層23。活性層22位於P型摻雜的無機發光材料層21及N型摻雜的無機發光材料層23之間。P型摻雜的無機發光材料層21電性連接第二電極25，N型摻雜的無機發光材料層23電性連接第一電極24。其中，第一電極24及第二電極25為磁性相反的異名磁極，例如，第一電極24的磁極為N極，第二電極25的磁極為S極，或者第一電極24的磁極為S極，第二電極25的磁極為N極。於一實施例中，LED20可為傳統的LED、miniLED或者microLED。其中，microLED又稱微型發光二極體，意指晶粒尺寸小於100微米的LED。miniLED 又稱次毫米發光二極體，其尺寸介於傳統的LED及microLED之間，習知意指晶粒尺寸大致在100到200微米的LED。
於一實施例中，第一電極24及第二電極25的材料可為鋁鎳鈷系永磁合金、鐵鉻鎳系永磁合金、永磁鐵氧體、其他稀土永磁材料或者上述材料構成的複合永磁性材料。藉由採用永磁材料，使得第一電極24及第二電極25的磁性穩定。
於另一實施例中，每一LED20的相對兩端分別設置磁性相反的可供磁吸引材料，但該可供磁吸引材料不作為LED20的電極。其中，可供磁吸引材料可為鋁鎳鈷系永磁合金、鐵鉻鎳系永磁合金、永磁鐵氧體、其他稀土永磁材料或者上述材料構成的複合永磁性材料。
步驟S12：提供一第一電磁平板40，利用所述第一電磁平板40磁性吸附所述複數LED20，使每一LED20均保持第一電極24朝上或第二電極25朝上後轉移至一第一平臺30。
於一實施例中，第一電磁平板40包括控制電路(圖未示)。可藉由控制電路給第一電磁平板40施加電壓或電流，以使第一電磁平板40具有磁性。
另，還可藉由調節控制電路給第一電磁平板40施加的電壓或電流的大小來控制第一電磁平板40的磁性強弱。其中，為便於後續移轉到接收基板10上的LED20保持發光面的方向朝向遠離接收基板10的一側，該步驟S12中，使每一LED20保持發光面的方向朝上後轉移至第一平臺30上。即，若每一LED20發射的光為從第一電極24的一側射出，則每一LED20均保持第一電極 24朝上後轉移至一第一平臺30。若每一LED20發射的光為從第二電極25的一側射出，則每一LED20均保持第二電極25朝上後轉移至一第一平臺30。
可以理解的，若每一LED20均保持第一電極24朝上後轉移至一第一平臺30，則第一電磁平板40選擇通電後能產生磁性與第一電極24的磁性相反的電磁平板；若每一LED20均保持第二電極25朝上後轉移至一第一平臺30，則第一電磁平板40選擇通電後能產生的磁性與第二電極25的磁性相反的電磁平板。即，第一電磁平板40的類型可根據LED20的電極的磁性來選擇。
於一實施例中，第一電磁平板40還可包括機械手臂(圖未示)，以帶動第一電磁平板40作上下移動或左右移動。
如圖4所示，當第一電磁平板40中的控制電路開啟，第一電磁平板40被施加一電壓或電流後，第一電磁平板40產生於第一電極24磁極相反的磁性。每一LED20的第一電極24與第一電磁平板40之間由於磁性相反而相互吸引，使得複數LED20被吸附到第一電磁平板40的表面。
如圖5所示，當第一電磁平板40中的控制電路關閉，複數LED20在自身重力的作用下，均保持第一電極24朝上落在第一平臺30上。藉此，可實現複數LED20的定向排列。
步驟S13：提供一第二電磁平板50，所述第二電磁平板50的表面上具有第一絕緣非磁性材料層60，所述第一絕緣非磁性材料層60上具有暴露所述第二電磁平板50的表面的複數第一通孔61，每一第一通孔61的尺寸均大於每一LED20的尺寸，所述複數第一通孔61與所述複數接收區域14為一一對應的，所述第二電磁平板50通電後對應每一個第一通孔61的位置可吸附一個所述 LED20，其他位置不可吸附所述LED20，利用所述第二電磁平板50吸附所述第一平臺30上的所述複數LED20，使其粗定位後轉移至一第二平臺70上。
如圖6所示，第一絕緣非磁性材料層60上開設的所述複數第一通孔61與所述複數接收區域14在數量及位置上為一一對應的。相鄰的二第一通孔61之間藉由第一絕緣非磁性材料層60彼此絕緣。於一實施例中，所述第一絕緣非磁性材料層60可為聚醯亞胺基複合材料。
如圖7所示，每一第一通孔61的尺寸均大於待吸附的一個LED20的尺寸，但每一第一通孔61的大小只能對應吸附一個LED20，且第二電磁平板50對應每一第一通孔61的位置吸附一個LED20後，該第一通孔61的孔壁的邊緣與該LED20之間還具有一相對較大的間隙。
於一實施例中，第二電磁平板50的遠離第一絕緣非磁性材料層60的一側還可設置機械手臂(圖未示)，以帶動第二電磁平板50作上下移動或左右移動。
於一實施例中，第二電磁平板50亦包括控制電路，可藉由控制電路給第二電磁平板50施加電壓或電流，以使第二電磁平板50具有磁性。另，還可藉由調節控制電路給第二電磁平板50施加的電壓或電流的大小來控制第二電磁平板50的磁性強弱。
如圖7所示，當第二電磁平板50中的控制電路開啟，第二電磁平板50被施加一電壓或電流後，第二電磁平板50產生與每一個LED20的第一電極24磁極相反的磁性，位於第一平臺30上的LED20由於與第二電磁平板50之間磁力的作用，被吸附到第二電磁平板50的對應第一通孔61的位置。其中，第二電磁平板50對應每一個第一通孔61的位置可吸附一個所述LED20，第二電 磁平板50對應其他位置由於第一絕緣非磁性材料層60的作用無法吸附LED20。
如圖8所示，當第二電磁平板50的對應每一個第一通孔61的位置均吸附到一個LED20後，將第二電磁平板50移到一第二平臺70上方，然後將第二電磁平板50中的控制電路關閉。藉此，被第二電磁平板50磁性吸附的複數LED20在自身重力的作用下，均保持第一電極24朝上落在第二平臺70上。其中，由於第二電磁平板50上的複數第一通孔61與所述複數接收區域14為一一對應的，是故，落在第二平臺70上的複數LED20與接收基板10上的複數接收區域14亦是一一對應的。藉此，可實現複數LED20的初步粗定位。
步驟S14：提供一第三電磁平板80，所述第三電磁平板80的表面上具有第二絕緣非磁性材料層90，所述第二絕緣非磁性材料層90上具有暴露所述第三電磁平板80的表面的複數第二通孔91，每一第二通孔91的尺寸均大於每一LED20的尺寸並小於每一第一通孔61的尺寸，所述複數第二通孔91與所述複數接收區域14為一一對應的，所述第三電磁平板80通電後對應每一個第二通孔91的位置可吸附一個所述LED20，其他位置不可吸附LED20，利用所述第三電磁平板80吸附所述第二平臺70上的所述複數LED20，使其細定位後對應轉移至所述接收基板10的接收區域14。
如圖9所示，第二絕緣非磁性材料層90上開設的所述複數第二通孔91與所述複數接收區域14在數量及位置上為一一對應的。相鄰的二第二通孔91之間藉由第二絕緣非磁性材料層90彼此絕緣。請結合參閱圖6，每一第二通孔91的尺寸小於每一第一通孔61的尺寸，以用於更進一步地使待吸附的LED20 細定位。於一實施例中，所述第二絕緣非磁性材料層90的材料可為聚醯亞胺基複合材料。
如圖10所示，每一第二通孔91的尺寸均大於待吸附的一個LED20的尺寸，但每一第二通孔91的大小仍只能對應吸附一個LED20。請結合參閱圖6，相鄰二第二通孔91之間的距離大於相鄰二第一通孔61之間的距離。第三電磁平板80對應每一第二通孔91的位置吸附一個LED20後，該第二通孔91的孔壁的邊緣與該LED20之間具有相對較小的間隙，以使每一LED20可被更加精確地定位。
於一實施例中，第三電磁平板80的遠離第二絕緣非磁性材料層90的一側還可設置機械手臂(圖未示)，以帶動第三電磁平板80作上下移動或左右移動。
於一實施例中，第三電磁平板80包括控制電路(圖未示)，可藉由控制電路給第三電磁平板80施加電壓或電流，以使第三電磁平板80具有磁性。另，還可藉由調節控制電路給第三電磁平板80施加的電壓或電流的大小來控制第二電磁平板50的磁性強弱。
如圖1、圖6及圖9所示，複數第一通孔61與所述複數接收區域14在數量及位置上為一一對應的，複數第二通孔91與所述複數接收區域14在數量及位置上亦為一一對應。
如圖10所示，將第三電磁平板80移動到第二平臺70的上方，並使複數第二通孔91與位於第二平臺70上的複數LED20一一對準。然後將第三電磁平板80中的控制電路開啟，藉由控制電路給第三電磁平板80施加一電壓或電流，使第三電磁平板80產生與每一個LED20的第一電極24磁極相反的磁性， 進而使位於第二平臺70上的LED20由於與第三電磁平板80之間磁力的作用，被吸附到第三電磁平板80的對應第二通孔91的位置，而第三電磁平板80對應第二通孔91以外的位置，由於第二絕緣非磁性材料層90的作用無法吸附LED20。
由於每一第二通孔91的尺寸小於每一第一通孔61的尺寸，使得位於第二平臺70上的LED20被第三電磁平板80吸附後位置得到進一步地修正。
如圖11所示，當第三電磁平板80的對應每一第二通孔91的位置均吸附一個LED20後，將第三電磁平板80移動到接收基板10的上方，並使第三電磁平板80上吸附的每一LED20與接收基板10上對應的接收區域14一一對準，然後將第三電磁平板80的控制電路關閉。藉此，被第三電磁平板80磁性吸附的複數LED20在自身重力的作用下，均保持第一電極24朝上落在對應的接收區域14上，即均保持發光面朝上落在對應的接收區域14上。由於位於第二平臺70上的LED20被第三電磁平板80吸附後位置得到進一步地修正，使得落在對應的接收區域14上的LED20的對位更加精確。
於一實施例中，TFT陣列層12包括複數TFT(圖未示)。每一LED20落在對應的接收區域14上後，其第二電極25可與TFT陣列層12中的一個TFT對應電性連接，其第一電極24可經導線連接至一驅動電路(圖未示)，以向LED20的第一電極24施加電壓。當LED20的第一電極24及第二電極25之間存在一正向偏壓時，該LED20在該正向偏壓下發光。
需要說明的是，該LED20的轉移方法中，不限定每一LED20的發光顏色。由於本發明實施例的LED20的轉移方法，第一電磁平板40、第二電磁平板50以及第三電磁平板80均可一次電性吸附大量的LED20，該轉移方法可 實現對LED20晶粒的巨量轉移。另，該LED20的轉移方法中，由於每一LED20在轉移過程中，均分別經歷了粗定位以及細定位兩次定位，該轉移過程的準確率高。
於一實施例中，所述LED20的轉移方法還包括形成第一絕緣非磁性材料層60以及複數第一通孔61的步驟，以及形成第二絕緣非磁性材料層90以及複數第二通孔91的步驟。
具體地，如圖12所示，提供一電磁平板，於所述電磁平板的一表面形成絕緣非磁性材料層。於一實施例中，該絕緣非磁性材料層的材料可為聚醯亞胺基複合材料，其可採用化學氣相沉積的方法形成於所述電磁平板的一表面。其中，該電磁平板可為第二電磁平板50或第三電磁平板80。該絕緣非磁性材料層以用於形成第一絕緣非磁性材料層60或第二絕緣非磁性材料層90。
如圖13所示，採用雷射剝離的方法對絕緣非磁性材料層進行圖案化，使其形成複數暴露電磁平板的通孔。其中，第一絕緣非磁性材料層60經圖案化後可形成複數暴露第二電磁平板50的複數第一通孔61。第二絕緣非磁性材料層90經圖案化後可形成複數暴露第三電磁平板80的複數第二通孔91。
如圖14所示，上述的LED20轉移方法中，接收基板10上的接收孔16的尺寸大於所述LED20的尺寸，當複數LED20被轉移至所述接收基板10的接收區域14後，還包括於所述TFT陣列層12遠離所述基底11的一側形成平坦化層15的步驟。所述平坦化層15至少填充所述LED20的周緣，以固定所述LED20。
於一實施例中，經過上述平坦化層15步驟後，還包括導線製備以及封裝的步驟，進而可得到一LED顯示面板。可以理解的，若步驟S11中，提 供的複數LED20均為發同一種顏色光的LED，如均為發紅光的LED、均為發綠光的LED、均為發藍光的LED等，則該LED顯示面板為一單色ELD顯示面板。該單色ELD顯示面板可用作廣告標牌、指示燈顯示等。
本發明實施例還提供一種彩色的LED顯示面板的製備方法，所述彩色的LED顯示面板定義有複數畫素單元，每一畫素單元包括複數子畫素。每一畫素單元中包括複數發不同種顏色光的LED20。於一實施例中，每一畫素單元分別包括紅色子畫素、藍色子畫素以及綠色子畫素。每一個紅色子畫素對應一個發紅光的LED20，每一個藍色子畫素對應一個發藍光的LED20，每一個綠色子畫素對應一個發綠光的LED20。於其他實施例中，除去紅色子畫素、藍色子畫素以及綠色子畫素以外，每一畫素單元還可包括白色子畫素，每一白色子畫素對應一個發白光的LED20。
所述彩色LED顯示面板的製備方法與上述的單色的LED顯示面板的製備方法大致相同，其包括以下步驟。
步驟S21：提供一接收基板10，所述接收基板10具有複數接收區域14，每一接收區域14用於對應接收一個LED20。即，接收基板10的每一接收區域14對應一個子畫素。
步驟S22：提供發所述不同種顏色光中的一種顏色光的複數LED20，每一LED20的相對兩端分別設置有磁性相反的第一電極24及第二電極25或每一LED20的相對兩端分別設置有磁性相反的可供磁吸引材料，但該可供磁吸引材料不作為LED20的電極。
步驟S23：提供一第一電磁平板40，利用所述第一電磁平板40磁性吸附所述步驟S22中提供的複數LED20，使每一LED20均保持第一電極24朝上或第二電極25朝上後轉移至一第一平臺30。
步驟S24：提供一第二電磁平板50，所述第二電磁平板50的表面上具有第一絕緣非磁性材料層60，所述第一絕緣非磁性材料層60上具有暴露所述第二電磁平板50的表面的複數第一通孔61，每一第一通孔61的尺寸均大於每一LED20的尺寸，所述複數第一通孔61與接收基板10上用於接收步驟S22中的LED20的複數接收區域14為一一對應的，且所述第二電磁平板50通電後對應每一個第一通孔61的位置可吸附一個所述LED20，其他位置不可吸附所述LED20，利用所述第二電磁平板50吸附所述第一平臺30上的所述複數LED20，使其粗定位後轉移至一第二平臺70上。
步驟S25：提供一第三電磁平板80，所述第三電磁平板80的表面上具有第二絕緣非磁性材料層90，所述第二絕緣非磁性材料層90上具有暴露所述第三電磁平板80的表面的複數第二通孔91，每一第二通孔91的尺寸均大於每一LED20的尺寸並小於每一第一通孔61的尺寸，所述複數第二通孔91與接收基板10上用於接收步驟S22中的LED20的複數接收區域14為一一對應的，且所述第三電磁平板80通電後對應每一個第二通孔91的位置可吸附一個所述LED20，其他位置不可吸附LED20，利用所述第三電磁平板80吸附所述第二平臺70上的所述複數LED20，使其細定位後對應轉移至所述接收基板10的接收區域14。
其中，步驟S23至步驟S25分別與上述步驟S12至步驟S14相同，在此不再贅述。
步驟S26：重複實施以上步驟S22至S25，分別將發所述不同種顏色光中的其他顏色光的LED20對應轉移至所述接收基板10的接收區域14。
所述接收孔16的尺寸大於所述LED20，所述步驟S26後，還包括於所述TFT陣列層12遠離所述基底11的一側形成平坦化層15，所述平坦化層15至少填充所述LED20的周緣，以固定所述LED20。可以理解的，形成平坦化層15後還可包括導線製備的步驟、以及封裝的步驟，進而得到一彩色的LED顯示面板。
本發明實施例的LED顯示面板的製備方法中，第一電磁平板40、第二電磁平板50以及第三電磁平板80均可一次電性吸附大量的LED20，即該轉移方法可實現對LED晶粒的巨量轉移。另，由於每一LED20在轉移過程中，均分別經歷了粗定位以及細定位兩次定位，該轉移過程的準確率高。
以上實施方式僅用以說明本發明的技術方案而非限制，儘管參照較佳實施方式對本發明進行了詳細說明，本領域的普通技術人員應當理解，可以對本發明的技術方案進行修改或等同替換，而不脫離本發明技術方案的精神及範圍。
20:LED
24:第一電極
50:第二電磁平板
60:第一絕緣非磁性材料層
61:第一通孔
70:第二平臺

Claims (9)

  1. 一種LED的轉移方法，其改良在於：包括以下步驟：步驟S11：提供一接收基板及複數LED，所述接收基板具有複數接收區域，每一接收區域用於對應接收一個所述LED，每一LED的相對兩端分別設置有磁性相反的第一電極及第二電極或可供磁吸引材料；步驟S12：提供一第一電磁平板，利用所述第一電磁平板磁性吸附所述複數LED，使每一LED均保持第一電極朝上或第二電極朝上後轉移至一第一平臺；步驟S13：提供一第二電磁平板，所述第二電磁平板的表面上具有第一絕緣非磁性材料層，所述第一絕緣非磁性材料層上具有暴露所述第二電磁平板的表面的複數第一通孔，每一第一通孔的尺寸均大於每一LED的尺寸，所述複數第一通孔與所述複數接收區域為一一對應的，且所述第二電磁平板通電後對應每一個第一通孔的位置可吸附一個所述LED，其他位置不可吸附所述LED，利用所述第二電磁平板吸附所述第一平臺上的所述複數LED，使其粗定位後轉移至一第二平臺上；以及步驟S14：提供一第三電磁平板，所述第三電磁平板的表面上具有第二絕緣非磁性材料層，所述第二絕緣非磁性材料層上具有暴露所述第三電磁平板的表面的複數第二通孔，每一第二通孔的尺寸均大於每一LED的尺寸並小於每一第一通孔的尺寸，所述複數第二通孔與所述複數接收區域為一一對應的，所述第三電磁平板通電後對應每一個第二通孔的位置可吸附一個所述LED，其他位置不可吸附LED，利用所述第三電磁平板吸附所述第二平臺上的所述複數LED，使其細定位後對應轉移至所述接收基板的接收區域。
  2. 如請求項1所述的LED的轉移方法，其中，採用雷射剝離的方法形成所述複數第一通孔及所述複數第二通孔。
  3. 如請求項1所述的LED的轉移方法，其中，所述第一絕緣非磁性材料層及所述第二絕緣非磁性材料層的材料為聚醯亞胺基複合材料。
  4. 如請求項3所述的LED的轉移方法，其中，採用化學氣相沉積的方法形成所述第一絕緣非磁性材料層及所述第二絕緣非磁性材料層。
  5. 一種LED顯示面板的製備方法，所述LED顯示面板定義有複數畫素單元，每一畫素單元包括複數發不同種顏色光的LED，其改良在於：所述LED顯示面板的製備方法包括以下步驟：步驟S21：提供一接收基板，所述接收基板具有複數接收區域，每一接收區域用於對應接收一個LED，所述接收基板包括基底、位於基底一側的TFT陣列層以及位於TFT陣列層遠離基底一側的絕緣層，所述絕緣層開設有暴露TFT陣列層的複數接收孔，每一個所述接收孔定義為一個所述接收區域；步驟S22：提供發所述不同種顏色光中的一種顏色光的複數LED，每一LED的相對兩端分別設置有磁性相反的第一電極及第二電極或可供磁吸引材料；步驟S23：提供一第一電磁平板，利用所述第一電磁平板磁性吸附所述步驟S22中提供的複數LED，使每一LED均保持第一電極朝上或第二電極朝上後轉移至一第一平臺；步驟S24：提供一第二電磁平板，所述第二電磁平板的表面上具有第一絕緣非磁性材料層，所述第一絕緣非磁性材料層上具有暴露所述第二電磁平板的表面的複數第一通孔，每一第一通孔的尺寸均大於每一LED的尺寸，所述複數第一通孔與所述接收基板上用於接收所述步驟S22中提供的複數LED的複數接收 區域為一一對應的，所述第二電磁平板通電後對應每一個第一通孔的位置可吸附一個所述LED，其他位置不可吸附所述LED，利用所述第二電磁平板吸附所述第一平臺上的所述複數LED，使其粗定位後轉移至一第二平臺上；步驟S25：提供一第三電磁平板，所述第三電磁平板的表面上具有第二絕緣非磁性材料層，所述第二絕緣非磁性材料層上具有暴露所述第三電磁平板的表面的複數第二通孔，每一第二通孔的尺寸均大於每一LED的尺寸並小於每一第一通孔的尺寸，所述複數第二通孔與所述接收基板上用於接收所述步驟S22中提供的複數LED的複數接收區域為一一對應的，所述第三電磁平板通電後對應每一個第二通孔的位置可吸附一個所述LED，其他位置不可吸附LED，利用所述第三電磁平板吸附所述第二平臺上的所述複數LED，使其細定位後對應轉移至所述接收基板的接收區域；以及步驟S26：重複步驟S22至S25，分別將發所述不同種顏色光中的其他顏色光的LED對應轉移至所述接收基板的接收區域。
  6. 如請求項5所述的LED顯示面板的製備方法，其中，所述接收孔的尺寸大於所述LED的尺寸，所述步驟S26後，還包括於所述TFT陣列層遠離所述基底的一側形成平坦化層，所述平坦化層至少填充所述LED的周緣。
  7. 如請求項5所述的LED顯示面板的製備方法，其中，採用雷射剝離的方法形成所述複數第一通孔及所述複數第二通孔。
  8. 如請求項5所述的LED顯示面板的製備方法，其中，所述第一絕緣非磁性材料層及所述第二絕緣非磁性材料層的材料為聚醯亞胺基複合材料。
  9. 如請求項8所述的LED顯示面板的製備方法，其中，採用化學氣相沉積的方法形成所述第一絕緣非磁性材料層及所述第二絕緣非磁性材料層。
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