TWI720665B - 混合同軸結構的半導體測試插座及其製備方法 - Google Patents

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Abstract

本發明涉及一種混合同軸結構的半導體測試插座及其製備方法，測試插座包括測試插座定位板、絕緣測試插座母體、嵌入式導電插座母體、嵌入式導電插座蓋板和絕緣測試插座蓋板，所述測試插座定位板、絕緣測試插座母體和絕緣測試插座蓋板從上到下依次順序設置，所述絕緣測試插座母體上設置槽口，該槽口內設置嵌入式導電插座母體和嵌入式導電插座蓋板。本發明利用導電金屬製作的同軸結構可以達到較好的通道之間的隔離度，大大減少了測試插座的製作成本和生產週期，同時高頻信號部分可以達到-1dB/40GHz的插損和-10dB/40GHz的回損，通道和通道之間的隔離度高過-40dB/20GHz。

Description

混合同軸結構的半導體測試插座及其製備方法
本發明涉及芯片測試插座領域，具體涉及一種混合同軸結構的半導體測試插座及其製備方法。
現有技術中，半導體FPGA芯片一般採用同軸結構的測試插座來測試芯片性能，伴隨著半導體FPGA芯片的個體越來越大，同時其中高頻通訊部分只是很少一部分，半導體FPGA芯片無論是否為高頻通訊均使用同軸結構的測試插座將導致芯片測試成本越來越高。
本發明的目的在於提供一種混合同軸結構的半導體測試插座及其製備方法，用以解決現有技術中半導體FPGA芯片全部採用同軸結構測試插座測試導致芯片測試成本高的問題。
本發明一方面提供了一種混合同軸結構的半導體測試插座，包括測試插座定位板、絕緣測試插座母體、嵌入式導電插座母體、嵌入式導電插座蓋板和絕緣測試插座蓋板，所述測試插座定位板、絕緣測試插座母體和絕緣測試插座蓋板從上到下依次順序設置，所述絕緣測試插座母體上設置槽口，該槽口內設置嵌入式導電插座母體和嵌入式導電插座蓋板。
進一步的，所述絕緣測試插座母體和絕緣測試插座蓋板均通過固定螺絲安裝在測試插座定位板上。
本發明另一方面提供一種混合同軸結構的半導體測試插座的製備方法，包括如下步驟：
（1）在絕緣測試插座母體和絕緣測試插座蓋板上加工出針孔腔體，其中針孔腔體避讓混合同軸空間；
（2）在嵌入式導電插座母體、嵌入式導電插座蓋板上加工出信號孔和電源孔；
（3）將聚合物分別塞入嵌入式導電插座母體和嵌入式導電插座蓋板的信號孔內；
（4）將塞入聚合物的嵌入式導電插座母體、嵌入式導電插座蓋板加熱烘烤，聚合物固化在嵌入式導電插座母體、嵌入式導電插座蓋板上；
（5）將聚合物固化後的嵌入式導電插座母體、嵌入式導電插座蓋板進行表面處理；
（6）在嵌入式導電插座母體、嵌入式導電插座蓋板上加工信號孔、電源孔和接地孔；
（7）組裝同軸結構探針、同軸結構嵌入式導電插座母體、嵌入式導電插座蓋板；
（8）將嵌入式導電插座母體、嵌入式導電插座蓋板嵌入到絕緣測試插座母體的槽口內；
（9）將探針安裝到絕緣測試插座母體上並蓋上絕緣測試插座蓋板；
（10）絕緣測試插座母體和絕緣測試插座蓋板通過螺絲固定安裝在測試插座定位板上。
進一步的，所述步驟（3）具體為在真空環境下，利用輥壓的方式將聚合物塞入嵌入式導電插座母體和嵌入式導電插座蓋板的信號孔內。
進一步的，所述步驟（4）具體為將塞入聚合物的嵌入式導電插座母體、嵌入式導電插座蓋板放入烤箱內在120℃烘烤30min，155℃烘烤30min，在190℃烘烤60min。
採用上述本發明技術方案的有益效果是：
本發明利用導電金屬製作的同軸結構可以達到較好的通道之間的隔離度，大大減少了測試插座的製作成本和生產週期，同時高頻信號部分可以達到-1dB/40GHz的插損和-10dB/40GHz的回損，通道和通道之間的隔離度高過-40dB/20GHz。
為使本發明實施例的目的、技術方案和優點更加清楚，下面將結合本發明實施例中的附圖，對本發明實施例中的技術方案進行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實施例是本發明一部分實施例，而不是全部的實施例。
如圖1-2所示，本實施例混合同軸結構的半導體測試插座，包括測試插座定位板1、絕緣測試插座母體2、嵌入式導電插座母體3、嵌入式導電插座蓋板4和絕緣測試插座蓋板5，測試插座定位板1內設置定位槽，用於放置並定位芯片6，所述測試插座定位板1、絕緣測試插座母體2和絕緣測試插座蓋板5從上到下依次順序設置，所述絕緣測試插座母體2和絕緣測試插座蓋板5均通過固定螺絲安裝在測試插座定位板1上，所述絕緣測試插座母體2上設置槽口，該槽口內設置嵌入式導電插座母體3和嵌入式導電插座蓋板4。
該混合同軸結構的半導體測試插座的製備方法，包括如下步驟：
（1）在絕緣測試插座母體2和絕緣測試插座蓋板5上加工出針孔腔體，其中針孔腔體避讓混合同軸空間；
（2）在嵌入式導電插座母體3、嵌入式導電插座蓋板4上加工出信號孔和電源孔；
（3）在真空環境下，利用輥壓的方式將聚合物塞入嵌入式導電插座母體和嵌入式導電插座蓋板的信號孔內；
（4）將塞入聚合物的嵌入式導電插座母體3、嵌入式導電插座蓋板4放入烤箱內在120℃烘烤30min，155℃烘烤30min，在190℃烘烤60min，聚合物固化在嵌入式導電插座母體3、嵌入式導電插座蓋板4上；
（5）將聚合物固化後的嵌入式導電插座母體3、嵌入式導電插座蓋板4進行表面處理；
（6）在嵌入式導電插座母體3、嵌入式導電插座蓋板4上加工信號孔、電源孔和接地孔；
（7）組裝同軸結構探針、同軸結構嵌入式導電插座母體3、嵌入式導電插座蓋板4；
（8）將嵌入式導電插座母體3、嵌入式導電插座蓋板4嵌入到絕緣測試插座母體2的槽口內；
（9）將探針安裝到絕緣測試插座母體2上並蓋上絕緣測試插座蓋板5；
（10）絕緣測試插座母體2和絕緣測試插座蓋板5通過螺絲固定安裝在測試插座定位板1上。
綜上，本發明利用導電金屬製作的同軸結構可以達到較好的通道之間的隔離度，大大減少了測試插座的製作成本和生產週期，同時高頻信號部分可以達到-1dB/40GHz的插損和-10dB/40GHz的回損，通道和通道之間的隔離度高過-40dB/20GHz。
最後應說明的是：以上各實施例僅用以說明本發明的技術方案，而非對其限制；儘管參照前述各實施例對本發明進行了詳細的說明，本領域的普通技術人員應當理解：其依然可以對前述各實施例所記載的技術方案進行修改，或者對其中部分或者全部技術特徵進行等同替換；而這些修改或者替換，並不使相應技術方案的本質脫離本發明各實施例技術方案的範圍。
1:測試插座定位板 2:絕緣測試插座母體 3:嵌入式導電插座母體 4:嵌入式導電插座蓋板 5:絕緣測試插座蓋板 6:芯片
圖1為本發明測試插座***圖；
圖2為本發明測試插座俯視圖。
1:測試插座定位板
2:絕緣測試插座母體
3:嵌入式導電插座母體
4:嵌入式導電插座蓋板
5:絕緣測試插座蓋板
6:芯片

Claims (3)

  1. 一種混合同軸結構的半導體測試插座的製備方法，包括如下步驟：(1)在絕緣測試插座母體和絕緣測試插座蓋板上加工出針孔腔體，其中針孔腔體避讓混合同軸空間；(2)在嵌入式導電插座母體、嵌入式導電插座蓋板上加工出信號孔和電源孔；(3)將聚合物分別塞入嵌入式導電插座母體和嵌入式導電插座蓋板的信號孔內；(4)將塞入聚合物的嵌入式導電插座母體、嵌入式導電插座蓋板加熱烘烤，聚合物固化在嵌入式導電插座母體、嵌入式導電插座蓋板上；(5)將聚合物固化後的嵌入式導電插座母體、嵌入式導電插座蓋板進行表面處理；(6)在嵌入式導電插座母體、嵌入式導電插座蓋板上加工信號孔、電源孔和接地孔；(7)組裝同軸結構探針、同軸結構嵌入式導電插座母體、嵌入式導電插座蓋板；(8)將嵌入式導電插座母體、嵌入式導電插座蓋板嵌入到絕緣測試插座母體的槽口內；(9)將探針安裝到絕緣測試插座母體上並蓋上絕緣測試插座蓋板；(10)絕緣測試插座母體和絕緣測試插座蓋板通過螺絲固定安裝在測試插座定位板上。
  2. 如請求項1所述的混合同軸結構的半導體測試插座的製備方法，其中該步驟(3)具體為在真空環境下，利用輥壓的方式將聚合物塞入嵌入式導電插座母體和嵌入式導電插座蓋板的信號孔內。
  3. 如請求項1所述的混合同軸結構的半導體測試插座的製備方法，其中該步驟(4)具體為將塞入聚合物的嵌入式導電插座母體、嵌入式導電插座蓋板放入烤箱內在120℃烘烤30min，155℃烘烤30min，在190℃烘烤60min。
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Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN110726918B (zh) * 2019-09-25 2022-04-05 苏州韬盛电子科技有限公司 阻抗匹配结构的半导体芯片测试同轴插座及其制备方法
CN112444734A (zh) * 2020-11-26 2021-03-05 苏州韬盛电子科技有限公司 芯片测试机及芯片测试方法

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN204302321U (zh) * 2014-12-02 2015-04-29 上海韬盛电子科技有限公司 适用于高频测试的芯片测试插座
CN205539059U (zh) * 2016-01-27 2016-08-31 苏州韬盛电子科技有限公司 一种适用芯片堆叠装配测试的插座
TW201633636A (zh) * 2014-12-23 2016-09-16 英特爾公司 用於測試晶粒接觸器之成形導線探針互連
US20170059611A1 (en) * 2015-09-02 2017-03-02 Oracle International Corporation Coaxial integrated circuit test socket

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH07244116A (ja) * 1994-03-07 1995-09-19 Hitachi Chem Co Ltd 半導体特性測定用治具とその製造法並びにその使用方法
TWI387753B (zh) * 2008-12-12 2013-03-01 King Yuan Electronics Co Ltd 測試插座之製作方法及其所使用的彈性測試探針
KR101126690B1 (ko) * 2009-07-02 2012-04-02 남재우 Ｍｅｍｓ 기술을 이용한 테스트 소켓 및 그 제조방법
CN102520216A (zh) * 2011-12-13 2012-06-27 安拓锐高新测试技术（苏州）有限公司 一种金属绝缘芯片测试针架
CN202404126U (zh) * 2011-12-13 2012-08-29 安拓锐高新测试技术（苏州）有限公司 一种金属绝缘芯片测试针架
KR101339166B1 (ko) * 2012-06-18 2013-12-09 주식회사 아이에스시 관통공이 형성된 도전성 입자를 가지는 검사용 소켓 및 그 제조방법
CN104198772B (zh) * 2014-08-28 2017-11-21 安拓锐高新测试技术（苏州）有限公司 嵌入式芯片测试插座及其加工方法
US10006943B2 (en) * 2014-10-30 2018-06-26 Tongfu Microelectronics Co., Ltd. Semiconductor testing fixture and fabrication method thereof
KR101694768B1 (ko) * 2015-03-26 2017-01-11 주식회사 이노글로벌 반도체 테스트 소켓 및 그 제조 방법
US20180188290A1 (en) * 2015-07-03 2018-07-05 Okins Electronics Co.,Ltd Test socket, test socket manufacturing method, and jig assembly for test socket
CN204925176U (zh) * 2015-08-31 2015-12-30 安拓锐高新测试技术（苏州）有限公司 一种具有复合同轴结构的半导体芯片测试针架
JP6556612B2 (ja) * 2015-12-04 2019-08-07 ルネサスエレクトロニクス株式会社 半導体装置の製造方法
KR101879806B1 (ko) * 2017-12-07 2018-07-18 (주)티에스이 반도체 테스트 소켓의 이력관리 패드, 이의 제작 방법 및 이력관리 패드를 포함하는 반도체 테스트 장치

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN204302321U (zh) * 2014-12-02 2015-04-29 上海韬盛电子科技有限公司 适用于高频测试的芯片测试插座
TW201633636A (zh) * 2014-12-23 2016-09-16 英特爾公司 用於測試晶粒接觸器之成形導線探針互連
US20170059611A1 (en) * 2015-09-02 2017-03-02 Oracle International Corporation Coaxial integrated circuit test socket
CN205539059U (zh) * 2016-01-27 2016-08-31 苏州韬盛电子科技有限公司 一种适用芯片堆叠装配测试的插座

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Publication number Publication date
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