TWI712122B - 晶圓表面處理裝置及晶圓表面處理方法 - Google Patents

晶圓表面處理裝置及晶圓表面處理方法 Download PDF

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Abstract

一種晶圓表面處理裝置，包含：一本體，其內部係定義一處理空間；一活動門，其係設置於該本體之一側；一氣體霧化裝置，其係設置於該處理空間之中；以及一加熱裝置，其係設置於該處理空間之中。本發明亦關於一種晶圓表面處理方法。

Description

晶圓表面處理裝置及晶圓表面處理方法
本申請係關於一種晶圓表面處理裝置，具體而言，涉及一種包含氣體霧化裝置與加熱裝置之晶圓表面處理裝置。本申請亦關於一種晶圓表面處理方法，具體而言，涉及一種用於去除二氧化矽的晶圓表面處理方法。
去除晶圓表面因氧化所產生之二氧化矽(Silicon dioxide,SiO2)，是晶圓表面處理的關鍵步驟之一。然而，傳統之晶圓表面處理裝置及晶圓表面處理方法最多僅能處理表面之二氧化矽的厚度達100Å之晶圓，若晶圓表面之二氧化矽的厚度超過100Å，則無法藉由傳統之晶圓表面處理裝置及晶圓表面處理方法加以去除，晶圓表面之二氧化矽的殘留將嚴重影響後續的製程及其相關產品的良率。
有鑑於先前技術中的缺陷，本發明係提供一種晶圓表面處理裝置及晶圓表面處理方法。
為達上述目的及其他目的，本發明係提供一種晶圓表面處理裝置，包含：一本體，其內部係定義一處理空間； 一活動門，其係設置於該本體之一側；一氣體霧化裝置，其係設置於該處理空間之中；以及一加熱裝置，其係設置於該處理空間之中。
上述之晶圓表面處理裝置，其中，該加熱裝置可為一發熱燈。
上述之晶圓表面處理裝置，其中，可進一步包含：一控制單元，其係與該氣體霧化裝置及該加熱裝置連接。
為達上述目的及其他目的，本發明係提供一種晶圓表面處理方法，包含：(A)將一表面具有二氧化矽之晶圓置於一晶圓表面處理裝置之處理空間中，其中該晶圓表面處理裝置包含：一本體，其內部係定義一處理空間；一活動門，其係設置於該本體之一側；一氣體霧化裝置，其係設置於該處理空間之中；一加熱裝置，其係設置於該處理空間之中；以及一控制單元，其係與該氣體霧化裝置及該加熱裝置連接；(B)關閉該晶圓表面處理裝置之活動門；(C)開啟該氣體霧化裝置，將霧化之氟化氫氣體噴入該處理空間中；(D)關閉該氣體霧化裝置；(E)開啟該加熱裝置，去除該晶圓表面以及該處理空間中之水分；(F)關閉該加熱裝置；以及(G)重複上述步驟(C)至步驟(F)一預定次數。
上述之晶圓表面處理方法，其中，該步驟(C)可將該氣體霧化裝置開啟1分鐘。
上述之晶圓表面處理方法，其中，該步驟(C)中噴入之霧化之氟化氫氣體之濃度可介於1%~49%之間。
上述之晶圓表面處理方法，其中，該加熱裝置可為一發熱燈。
上述之晶圓表面處理方法，其中，該步驟(E)可將該加熱裝置開啟3分鐘。
上述之晶圓表面處理方法，其中，該步驟(E)可藉由開啟該加熱裝置將該晶圓表面之溫度提升至80~95℃。
上述之晶圓表面處理方法，其中，該晶圓表面處理裝置可進一步包含：一控制單元，其係與該氣體霧化裝置及該加熱裝置連接，其中，該步驟(G)係藉由該控制單元來依序開啟與關閉該氣體霧化裝置及該加熱裝置，以重複該步驟(C)至該步驟(F)一預定次數。
本發明之晶圓表面處理裝置及晶圓表面處理方法可處理表面之二氧化矽的厚度達200~20000Å之晶圓，可充分滿足晶圓表面處理的需求。
10:晶圓表面處理裝置
11:本體
12:活動門
13:氣體霧化裝置
14:加熱裝置
16:晶圓
111:處理空間
30:晶圓表面處理裝置
31:本體
32:活動門
33:氣體霧化裝置
34:加熱裝置
35:控制單元
36:晶圓
311:處理空間
S201:步驟
S202:步驟
S203:步驟
S204:步驟
S205:步驟
S206:步驟
S207:步驟
S401:步驟
S402:步驟
S403:步驟
S404:步驟
S405:步驟
S406:步驟
S407:步驟
為了便於描述與清晰，圖式中各層之厚度或尺寸被加以放大、省略或概要的描繪。同時，各元件之尺寸並不完全反映其真實尺寸。
〔圖1〕係為實施例1之晶圓表面處理裝置的示意圖；〔圖2〕係為實施例2之晶圓表面處理方法的流程圖； 〔圖3〕係為實施例3之晶圓表面處理裝置的示意圖；以及〔圖4〕係為實施例4之晶圓表面處理方法的流程圖。
為充分瞭解本發明之目的、特徵及功效，茲藉由下述具體之實施例，對本發明做一詳細說明，說明如後：
實施例1：晶圓表面處理裝置
如圖1所示，實施例1之晶圓表面處理裝置10，包含：一本體11，其內部係定義一處理空間111；一活動門12，其係設置於該本體11之一側；一氣體霧化裝置13，其係設置於該處理空間111之中；以及一加熱裝置14，其係設置於該處理空間111之中。
於實施晶圓表面處理時，係將一表面具有二氧化矽之晶圓16置於該晶圓表面處理裝置10之處理空間111中。隨後，關閉該晶圓表面處理裝置10之活動門12。接著，開啟該氣體霧化裝置13，將霧化之氟化氫(Hydrogen fluoride,HF)氣體噴入該處理空間111中，並於一定時間後，關閉該氣體霧化裝置13。隨後，開啟該加熱裝置14，去除該晶圓16表面以及該處理空間111中之水分，並於一定時間後，關閉該加熱裝置14。最後，重複依序開啟與關閉該氣體霧化裝置13及該加熱裝置14，直到該晶圓16表面之二氧化矽已被實質上去除。
在本發明之一實施方式中，該加熱裝置係一發熱燈，且該發熱燈之係足以將該晶圓表面之溫度提升至80~95℃，但本發明並不限於此。本發明所屬技術領域中具有通常知識者可採用任何其他習知之加熱裝置，只要能充分去除該晶圓表面以及該處理空間中之水分即可。
傳統之晶圓表面處理裝置僅具有氣體霧化裝置，而不具有加熱裝置。因此，傳統之晶圓表面處理裝置僅能藉由將霧化之氟化氫氣體噴入處理空間中，藉由氟化氫氣體之蝕刻來去除晶圓表面之二氧化矽。傳統之方法在處理表面之二氧化矽的厚度達100Å之晶圓時，由於氟化氫與二氧化矽反應所形成之水可藉由反應所形成之氟化矽帶離晶圓表面，因此，反應所形成之水並不會對於二氧化矽之去除產生明顯不良的影響。然而，當晶圓表面之二氧化矽的厚度達200~20000Å時。反應所形成之水將進入二氧化矽因氟化氫氣體之蝕刻所產生的縫隙中，使其無法被反應所形成之氟化矽帶離晶圓表面。殘留於縫隙中的水將使得氟化氫氣體無法繼續與晶圓表面上之二氧化矽反應，使得二氧化矽無法被充分去除。
相較於傳統之晶圓表面處理裝置，本發明之晶圓表面處理裝置進一步包含了加熱裝置。因此，噴入之氟化氫氣體與晶圓表面之二氧化矽反應一段時間後，本發明之晶圓表面處理裝置可藉由加熱裝置來去除殘留於縫隙中的水，待水被加熱裝置蒸乾後，再重複使用氣體霧化裝置將霧化之氟化氫氣體噴入處理空間中。上述噴入氟化氫氣體-蒸乾水-噴入氟化氫氣體-蒸乾水之重複步驟，可確保氟化氫氣體能夠與晶圓表面上之二氧化矽反應，使二氧化矽可被充分的去除。因此，本發明之晶圓表面處理裝置可處理表面之二氧化矽的厚度達200~20000Å的晶圓。
實施例2：晶圓表面處理方法
如圖2所示，實施例2之晶圓表面處理方法，包含：(A)將一表面具有二氧化矽之晶圓置於實施例1之晶圓表面處理裝置之處理空間中S201；(B)關閉實施例1之晶圓表面處理裝置之活動門S202；(C)開啟實施例1之晶圓 表面處理裝置之氣體霧化裝置，將霧化之氟化氫氣體噴入該處理空間中S203；(D)關閉該氣體霧化裝置S204；(E)開啟實施例1之晶圓表面處理裝置之加熱裝置，去除該晶圓表面以及該處理空間中之水分S205；(F)關閉該加熱裝置S206；以及(G)重複上述步驟(C)至步驟(F)一預定次數S207。
在一實施方式中，該步驟(C)係將該氣體霧化裝置開啟1分鐘，但本發明並不限於此，只要能夠使氟化氫氣體與晶圓表面之二氧化矽充分反應即可。
在一實施方式中，該步驟(C)中噴入之霧化之氟化氫氣體之濃度係介於1~49%之間，但本發明並不限於此，本發明所屬技術領域中具有通常知識者可根據實際情況調整適當之氟化氫氣體之濃度。
在一實施方式中，該加熱裝置可為一發熱燈，且該發熱燈之係足以將該晶圓表面之溫度提升至80~95℃，但本發明並不限於此。本發明所屬技術領域中具有通常知識者可採用任何其他習知之加熱裝置，只要能充分去除該晶圓表面以及該處理空間中之水分即可。
在一實施方式中，每重複一次上述步驟(C)至步驟(F)約可去除100~200Å厚度的二氧化矽，較佳地，可於完成一次步驟(C)至步驟(F)後，或於重複特定次數之步驟(C)至步驟(F)後，檢測晶圓表面之狀態，當晶圓表面出現疏水性時，即代表晶圓表面之二氧化矽已被實質上去除，即代表蝕刻完成。
相較於傳統之晶圓表面處理方法，本發明之晶圓表面處理方法進一步包含了加熱步驟。因此，經噴入之氟化氫氣體與晶圓表面之二氧化矽反應一段時間後，本發明之晶圓表面處理方法可藉由加熱步驟來去除殘留於縫隙中的水，待水被加熱裝置蒸乾後，再重複使用氣體霧化裝置將霧化之氟化氫氣 體噴入處理空間中。上述噴入氟化氫氣體-蒸乾水-氟化氫氣體-蒸乾水之重複步驟，可確保氟化氫氣體能夠與晶圓表面上之二氧化矽反應，使二氧化矽可被充分的去除。因此，本發明之晶圓表面處理方法可處理表面之二氧化矽的厚度達200~20000Å的晶圓。
實施例3：包含控制單元之晶圓表面處理裝置
如圖3所示，實施例3之晶圓表面處理裝置30，包含：一本體31，其內部係定義一處理空間311；一活動門32，其係設置於該本體31之一側；一氣體霧化裝置33，其係設置於該處理空間311之中；以及一加熱裝置34，其係設置於該處理空間311之中。
相較於實施例1，實施例3之晶圓表面處理裝置30，進一步包含：一控制單元35，其係與該氣體霧化裝置33及該加熱裝置34連接。
於實施晶圓表面處理時，係將一表面具有二氧化矽之晶圓36置於該晶圓表面處理裝置30之處理空間311中。隨後，關閉該晶圓表面處理裝置30之活動門32。接著，藉由該控制單元35開啟該氣體霧化裝置33，將霧化之氟化氫(Hydrogen fluoride,HF)氣體噴入該處理空間311中，並於一定時間後，藉由該控制單元35關閉該氣體霧化裝置33。隨後，藉由該控制單元35開啟該加熱裝置34，去除該晶圓36表面以及該處理空間311中之水分，並於一定時間後，藉由該控制單元35關閉該加熱裝置34。最後，藉由該控制單元35重複依序開啟與關閉該氣體霧化裝置33及該加熱裝置34，直到該晶圓16表面之二氧化矽已被實質上去除。
相較於實施例1，實施例3之晶圓表面處理裝置藉由控制單元，可進一步達成將晶圓表面處理自動化之功效。
實施例4：應用控制單元之晶圓表面處理方法
如圖4所示，實施例4之晶圓表面處理方法，包含：(A)將一表面具有二氧化矽之晶圓置於實施例3之晶圓表面處理裝置之處理空間中S401；(B)關閉實施例3之晶圓表面處理裝置之活動門S402；(C)藉由實施例3之晶圓表面處理裝置之控制單元開啟實施例3之晶圓表面處理裝置之氣體霧化裝置，將霧化之氟化氫氣體噴入該處理空間中S403；(D)藉由該控制單元關閉該氣體霧化裝置S404；(E)藉由該控制單元開啟實施例3之晶圓表面處理裝置之加熱裝置，去除該晶圓表面以及該處理空間中之水分S405；(F)藉由該控制單元關閉該加熱裝置S406；以及(G)藉由該控制單元重複上述步驟(C)至步驟(F)一預定次數S407。
相較於實施例2，實施例4之晶圓表面處理方法，進一步藉由控制單元來依序開啟與關閉該氣體霧化裝置及該加熱裝置，以重複該步驟(C)至該步驟(F)一預定次數，可進一步達成將晶圓表面處理自動化之功效。
綜合上述，本發明之晶圓表面處理裝置及晶圓表面處理方法可處理表面之二氧化矽的厚度達200~20000Å的晶圓。在本發明之晶圓表面處理裝置及晶圓表面處理方法的較佳實施方式中，可進一步達成將晶圓表面處理自動化之功效。
本發明在上文中已以較佳實施例揭露，然熟習本項技術者應理解的是，該實施例僅用於描繪本發明，而不應解讀為限制本發明之範圍。應注意的是，舉凡與該實施例等效之變化與置換，均應設為涵蓋於本發明之範疇內。因此，本發明之保護範圍當以申請專利範圍所界定者為準。
10:晶圓表面處理裝置
11:本體
12:活動門
13:氣體霧化裝置
14:加熱裝置
16:晶圓
111:處理空間

Claims (9)

  1. 一種晶圓表面處理裝置，包含：一本體，其內部係定義一處理空間；一活動門，其係設置於該本體之一側；一氣體霧化裝置，其係設置於該處理空間之中；一加熱裝置，其係設置於該處理空間之中；以及一控制單元，其係與該氣體霧化裝置及該加熱裝置連接，且該控制單元係用於重複依序開啟及關閉該氣體霧化裝置及該加熱裝置一預定次數。
  2. 如請求項1所述之晶圓表面處理裝置，其中，該加熱裝置係一發熱燈。
  3. 一種晶圓表面處理方法，包含：(A)將一表面具有二氧化矽之晶圓置於一晶圓表面處理裝置之處理空間中，其中該晶圓表面處理裝置包含：一本體，其內部係定義一處理空間；一活動門，其係設置於該本體之一側；一氣體霧化裝置，其係設置於該處理空間之中；一加熱裝置，其係設置於該處理空間之中；以及一控制單元，其係與該氣體霧化裝置及該加熱裝置連接；(B)關閉該晶圓表面處理裝置之該活動門；(C)開啟該氣體霧化裝置，將霧化之氟化氫氣體噴入該處理空間中；(D)關閉該氣體霧化裝置；(E)開啟該加熱裝置，去除該晶圓表面以及該處理空間中之水分； (F)關閉該加熱裝置；以及(G)重複上述步驟(C)至步驟(F)一預定次數。
  4. 如請求項3所述之晶圓表面處理方法，其中，該步驟(C)係將該氣體霧化裝置開啟1分鐘。
  5. 如請求項3所述之晶圓表面處理方法，其中，該步驟(C)中噴入之該霧化之該氟化氫氣體之濃度係介於1~49%之間。
  6. 如請求項3所述之晶圓表面處理方法，其中，該加熱裝置係一發熱燈。
  7. 如請求項3所述之晶圓表面處理方法，其中，該步驟(E)係將該加熱裝置開啟3分鐘。
  8. 如請求項3所述之晶圓表面處理方法，其中，該步驟(E)係藉由開啟該加熱裝置將該晶圓表面之溫度提升至80~95℃。
  9. 如請求項3至8中任一項所述之晶圓表面處理方法，其中，該晶圓表面處理裝置進一步包含：一控制單元，其係與該氣體霧化裝置及該加熱裝置連接，其中，該步驟(G)係藉由該控制單元來依序開啟與關閉該氣體霧化裝置及該加熱裝置，以重複該步驟(C)至該步驟(F)一預定次數。
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Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW201820452A (zh) * 2016-11-30 2018-06-01 財團法人工業技術研究院 氣相蝕刻反應裝置與氣相蝕刻方法
TW201913726A (zh) * 2017-08-31 2019-04-01 日商斯庫林集團股份有限公司 基板處理方法以及基板處理裝置

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2632293B2 (ja) * 1989-07-26 1997-07-23 大日本スクリーン製造株式会社 シリコン自然酸化膜の選択的除去方法
US6375741B2 (en) * 1991-03-06 2002-04-23 Timothy J. Reardon Semiconductor processing spray coating apparatus
EP1099244B1 (en) * 1998-07-23 2007-01-24 Surface Technology Systems Plc Method for anisotropic etching
JP2001345302A (ja) * 2000-03-28 2001-12-14 Seiko Epson Corp 表面処理方法及び表面処理装置
WO2006087990A1 (ja) * 2005-02-15 2006-08-24 Intellectual Property Bank Corp. ガス式シリコンウエハ精密洗浄乾燥装置
US8652970B2 (en) * 2009-03-26 2014-02-18 Ulvac, Inc. Vacuum processing method and vacuum processing apparatus
US10229837B2 (en) * 2016-02-04 2019-03-12 Lam Research Corporation Control of directionality in atomic layer etching
CN209418462U (zh) * 2019-02-01 2019-09-20 天津中环领先材料技术有限公司 一种去除硅片表面二氧化硅膜的装置

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW201820452A (zh) * 2016-11-30 2018-06-01 財團法人工業技術研究院 氣相蝕刻反應裝置與氣相蝕刻方法
TW201913726A (zh) * 2017-08-31 2019-04-01 日商斯庫林集團股份有限公司 基板處理方法以及基板處理裝置

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