TWI711425B - 非侵入式熱消融裝置 - Google Patents
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Abstract
本發明提出一種非侵入式熱消融方法,利用非侵入式熱消融裝置對病灶區域進行加熱。所述非侵入式熱消融方法包括:藉由非侵入式熱消融裝置的磁場產生元件,在包括有液態金屬的病灶區域產生時變磁場,以對病灶區域進行加熱。此外,用於此方法的非侵入式熱消融裝置亦被提出。
Description
本發明是有關於一種熱消融方法,且特別是有關於一種非侵入式的熱消融裝置與方法。
腫瘤的治療一般可區分為根除性(curative)與緩解性(palliative)的治療方式。前者如移植、手術切除、燒灼治療(ablation therapy)等,後者如經動脈栓塞治療術(TAE或TACE)、局部放射線治療,以及近來正發展中之標的療法等。
以根除式的治療來說,目前最常見的手段為射頻燒灼術(Radiofrequency Ablation,RFA)。射頻燒灼術主要是藉由射頻產生器(RF generator)與射頻電極針(RF electrode needle),在超音波的導引下,在腫瘤內***電極針,射頻的能量由電極針非絕緣體部分釋放出來,經由離子激化(ion agitation)進一步轉換成熱能的形式,造成局部組織的凝固性壞死(coagulation necrosis)。
然而,電極針的加熱溫度過高可能會造成組織的碳化,
而不夠高的加熱溫度又因溫度梯度導致治療的有效範圍不足。因此,侵入式的射頻燒灼術常無法精準且徹底地完成治療目的。
本發明提供一種非侵入式熱消融裝置與方法,能夠精準的針對腫瘤所在處進行加熱治療。
本發明的非侵入式熱消融裝置用以對病灶區域進行加熱。非侵入式熱消融裝置包括磁場產生元件,用以在病灶區域產生時變磁場,其中液態金屬分佈於病灶區域中。
在本發明的一實施例中,上述的磁場產生元件包括亥姆霍茲線圈以及耦接於亥姆霍茲線圈的電源。亥姆霍茲線圈包括第一線圈以及第二線圈,而電源用以對第一線圈提供第一交流電,以及對第二線圈提供第二交流電。
在本發明的一實施例中,上述的電源更用以調整第一交流電的頻率、調整第二交流電的頻率以及時變磁場大小的至少其中之一。
在本發明的一實施例中,上述的第一線圈與第二線圈分別設置於病灶區域的相對兩側。
在本發明的一實施例中,上述的非侵入式熱消融裝置更包括磁場感測器以及耦接於磁場感測器的控制器。磁場感測器用以感測磁場分佈,其中磁場分佈是關聯於所述時變磁場。控制器用以依據磁場分佈定位病灶區域。
在本發明的一實施例中,上述的液態金屬均勻混合有鐵磁性微粒。
在本發明的一實施例中,上述的控制器依據時變磁場以及磁場分佈,計算鐵磁性微粒的溫度。
在本發明的一實施例中,上述的磁場產生元件更用以在病灶區域中產生空間梯度磁場,以控制均勻混合有鐵磁性微粒的液態金屬依據空間梯度磁場進行移動。
在本發明的一實施例中,上述的磁場產生元件包括第一線圈陣列、第二線圈陣列以及電源。第一線圈陣列包括多個第一線圈,且第二線圈陣列包括多個第二線圈。電源耦接於第一線圈陣列以及第二線圈陣列,用以對第一線圈提供第一交流電,並且對第二線圈提供第二交流電。
在本發明的一實施例中,上述的液態金屬包括液態鎵金屬。
在本發明的一實施例中,上述的病灶區域包括生物細胞腫瘤。
本發明的非侵入式熱消融方法適於藉由非侵入式熱消融裝置對病灶區域進行加熱,其中非侵入式熱消融裝置包括磁場產生元件。所述非侵入式熱消融方法包括:藉由磁場產生元件在病灶區域產生時變磁場,其中病灶區域中包括液態金屬。
在本發明的一實施例中,上述的磁場產生元件包括亥姆霍茲線圈,並且亥姆霍茲線圈包括第一線圈以及第二線圈。上述
藉由磁場產生元件在病灶區域產生時變磁場的步驟包括:提供第一交流電至第一線圈以及提供第二交流電至第二線圈,以產生時變磁場。
在本發明的一實施例中,上述的非侵入式熱消融方法更包括:調整第一交流電的頻率、第二交流電的頻率以及時變磁場大小的至少其中之一,以控制病灶區域的溫度。
在本發明的一實施例中,上述的非侵入式熱消融方法更包括:藉由磁場感測器感測磁場分佈,其中磁場分佈關聯於時變磁場;以及依據磁場分佈定位病灶區域。
在本發明的一實施例中,上述的液態金屬均勻混合有鐵磁性微粒。
在本發明的一實施例中,上述的非侵入式熱消融方法更包括依據時變磁場以及磁場分佈,計算鐵磁性微粒的溫度。
在本發明的一實施例中,上述的非侵入式熱消融方法更包括藉由磁場產生元件在病灶區域中產生空間梯度磁場,以控制均勻混合有鐵磁性微粒的液態金屬依據空間梯度磁場進行移動。
在本發明的一實施例中,上述藉由磁場產生元件在病灶區域產生時變磁場之前更包括:使液態鎵金屬分佈於病灶區域。
在本發明的一實施例中,上述的病灶區域包括生物細胞腫瘤。
基於上述,本發明實施例所提出的非侵入式熱消融方法與非侵入式熱消融裝置,利用時變的磁場來加熱液態鎵金屬,進
而對分佈有上述液態鎵金屬的病灶區域進行加熱。如此一來,無須進行經皮穿刺手術就能夠加熱體內的病灶區域。
為讓本發明的上述特徵和優點能更明顯易懂,下文特舉實施例,並配合所附圖式作詳細說明如下。
100:非侵入式熱消融裝置
110:亥姆霍茲線圈
110a:第一線圈
110b:第二線圈
120:電源
130:磁場感測器
140:控制器
CP:微血管
h:線圈距離
I:電流
LM:液態金屬
LR:病灶區域
LV:肝臟
O:中心點
R:線圈半徑
RG:區域
TM:腫瘤細胞
圖1繪示本發明一實施例的非侵入式熱消融裝置的方塊圖。
圖2A繪示本發明一實施例的亥姆霍茲線圈的示意圖。
圖2B繪示本發明一實施例的亥姆霍茲線圈所產生的磁力線的示意圖。
圖3繪示本發明一實施例的非侵入式熱消融方法的示意圖。
本發明實施例以肝癌的腫瘤細胞為例,來說明本發明所提出的非侵入式熱消融方法。一般而言,生物腫瘤細胞在形成時會造成周圍的微血管大量增生,以吸收週遭環境的養分。在本發明的實施例中,包含有一或多個生物腫瘤細胞及其周圍大量增生的微血管的區域稱之為病灶區域。然而,生物細胞通常只要加熱到超過攝氏46度就會逐漸死亡,因此,本發明實施例所提出的非侵入式熱消融方法利用了以上的特性,無須利用經皮穿刺的電極針加熱的手段,藉由控制時變的磁場就能夠輕易地對腫瘤細胞達
到加熱的目的。
圖1繪示本發明一實施例的非侵入式熱消融裝置的方塊圖。
請參照圖1,非侵入式熱消融裝置100包括磁場產生元件、磁場感測器130以及控制器140,其中控制器140耦接於磁場產生元件以及磁場感測器130。磁場感測元件用以在病灶區域產生時變磁場。在本實施例中,磁場產生元件由亥姆霍茲線圈(Helmholtz Coil)110以及電源120所組成,其中電源120耦接於亥姆霍茲線圈110。然而,本發明並不限於此,所屬領域具備通常知識者當可依其需求或能力來實作磁場產生元件。
圖2A繪示本發明一實施例的亥姆霍茲線圈的示意圖;圖2B繪示本發明一實施例的亥姆霍茲線圈所產生的磁力線示意圖。
亥姆霍茲線圈110包括第一線圈110a以及第二線圈110b。如圖2A所示,本實施例的第一線圈110a與第二線圈110b為完全相同的兩個半徑為R、距離為h的圓形導體線圈。當對第一線圈110a與第二線圈110b通以同向電流I時,以必歐-沙伐定律(Biot-Savart Law)來計算,在兩線圈的中心點O的磁場大小
約為,其中μ 0 為真空磁導率,n為第一線圈110a或第二
線圈110b的線圈匝數。如圖2B中的磁力線所示,在亥姆赫茲線圈110的兩線圈之間的區域RG中會產生相當均勻的磁場,區域RG中各位置的磁場幾乎相當於中心點O的磁場。
電源120耦接於第一線圈110a以提供第一線圈110a第一交流電,並且耦接於第二線圈110b以提供第二線圈110b第二交流電。在本實施例中,第一交流電與第二交流電的頻率與相位皆相同,如此一來,在亥姆赫茲線圈110的兩線圈之間的區域RG中的磁場會以與第一交流電和第二交流電相同的頻率變化,且磁場大小會正相關於第一交流電與第二交流電的電流大小。因此,藉由調整電源120的頻率與輸出電流大小,能夠相應的控制區域RG中的磁場頻率與磁場大小。在本實施例中,電源120可提供頻率為至少20kHz的交流電。
因此,若使區域RG中包括病灶區域,則本實施例中以亥姆赫茲線圈110和電源120所實現的磁場產生元件將能夠在病灶區域中產生頻率與大小可控的時變磁場。
在本發明的一實施例中,搭配磁場產生元件所產生的可控的時變磁場,磁場感測器130與控制器140更可用來對病灶區域進行精準的造影定位。具體方式將於以下實施例中詳細介紹。
圖3繪示本發明一實施例的非侵入式熱消融方法的示意圖。本實施例之非侵入式熱消融方法適用於圖1實施例所介紹的非侵入式熱消融裝置100,以下將利用非侵入式熱消融裝置100的各項元件來進行說明。
在本實施例中,肝臟LV中包括多個腫瘤(tumor)細胞TM,且腫瘤細胞TM的周圍增生了許多微血管CP,形成了病灶區域LR。首先,本實施例的非侵入式熱消融方法使病灶區域LR中
分佈有液態金屬LM。在一實施例中,所使用的液態金屬LM例如為液態鎵金屬。藉由栓塞治療的原理,在注射液態金屬LM後,會大量累積在微血管CP中,使得病灶區域LR中分佈有液態鎵金屬LM。在一實施例中,所使用的液態金屬LM中可添加化療藥物,以更加強療效。在其他實施例中,所使用的液態金屬LM亦可為液態鎵金屬的合金或是其他的液態金屬,本發明並不在此限。
值得一提的是,由於液態金屬LM的密度相較於一般栓塞劑(例如,碘油等)的密度大,因此在更容易累積於微血管CP中。此外,在治療完成後,液態金屬LM也更容易被吸出血管。
隨後,非侵入式熱消融裝置100在病灶區域LR產生時變磁場。在本實施例中,將病灶區域LR置於第一線圈110a與第二線圈110b之間。換言之,在本實施例之非侵入式熱消融方法中,第一線圈110a與第二線圈110b是設置於病灶區域LR的相對兩側,以在病灶區域LR中產生空間上均勻且便於控制的時變磁場。然而,本發明並不在此限,所屬領域具備通常知識者可藉由其他的方式來在病灶區域LR內產生時變磁場。
由於病灶區域LR中分佈有液態金屬LM,因此時變的磁場會因電磁感應而在液態金屬LM中產生渦電流(Eddy Current),進而轉化為熱能。一般而言,上述的時變磁場的頻率越高,電磁感應所產生的感應電動勢也就越大,因而所轉化的熱能也就越多。據此,在本實施例中,藉由調整提供至第一線圈110a的第一交流電的頻率,以及調整提供至第二線圈110b的第二交流電的頻
率,便能夠控制液態金屬LM所產生的熱能。在一實施例中,電源120所提供的交流電頻率例如為30kHz,但本發明並不限於此。所屬技術領域具備通常知識者當可視其需求(例如,兩線圈之間的距離,或腫瘤的大小等)來調整電源120所提供的交流電頻率,或時變磁場的磁場變化速度。
值得一提的是,由於生物細胞在高於攝氏46度就會漸漸失去活性,因此在使用電源120來加熱液態金屬LM來殺死腫瘤細胞時,可藉由控制交流電頻率來將液態金屬LM控制在攝氏60度至攝氏80度之間,以達到有效率的治療與良好的治療效果。
此外,本發明實施例的非侵入式熱消融裝置100更包括磁場感測器130以及控制器140。如前段落所述,時變的磁場會因電磁感應而在液態金屬LM中產生渦電流,同樣的,渦電流也因為電流磁效應而再次產生磁場。由於來自第一線圈110a與第二線圈110b所產生的磁場是已知可以估算,因此利用磁場感測器130來感測第一線圈110a與第二線圈110b之間的磁場分佈,控制器140便能夠依據所得到的磁場分佈,來對第一線圈110a與第二線圈110b之間的液態金屬LM進行造影,進而定位出病灶區域LR。
值得一提的,由於渦電流在液態金屬LM中所產生的熱能除了正相關於時變磁場的頻率外,也正相關於時變磁場的最大磁場強度。因此,若希望將定位病灶區域LR與加熱病灶區域LR兩者分開進行,可使用較小的最大磁場強度來定位病灶區域LR,並且使用較大的最大磁場強度來加熱病灶區域LR。舉例而言,電
流120可提供第一交流電與第二交流電至第一線圈110a與第二線圈110b,以使在病灶區域LR中產生第一時變磁場,其最大磁場強度為10高斯,用以對病灶區域LR進行定位。另一方面,電流120可提供第一交流電與第二交流電至第一線圈110a與第二線圈110b,以使在病灶區域LR中產生第二時變磁場,其最大磁場強度為100高斯,用以對病灶區域LR進行加熱。
如此一來,本發明實施例所提出的非侵入式熱消融裝置不僅能夠對病灶區域進行加熱,更能夠再加熱之前先進行定位。相較於傳統使用X光來對金屬進行定位的方法,本發明實施例所提供的定位方法能夠減少輻射所帶來的傷害,且降低設備成本。
特別是,在本發明的一實施例中,在使用液態鎵金屬作為液態金屬LM時,更使其與鐵磁性微粒(例如,奈米尺寸的鐵磁性微粒)均勻混合。如此一來,除了更能增加渦電流加熱病灶區域LR的效率之外,更能夠利用磁場產生元件來量測病灶區域LR的溫度以及移動液態金屬LM。
詳細來說,溫度所造成的粒子碰撞會導致鐵磁性粒子的順磁性(para-magnetism)隨著溫度升高而降低。當外加時變磁場時,鐵磁性微粒的磁化向量(magnetization)會隨著時變磁場的頻率而共振。但是,溫度所造成的碰撞將會阻礙磁化向量的共振,進而會反映在鐵磁性微粒的磁化向量的共振頻率(例如,三階和五階)當中。簡言之,鐵磁性微粒的溫度高低將會直接影響其磁化向量與外加的時變磁場共振的狀態。
基此,在本發明的一實施例中,在利用磁場產生元件外加可控的時變磁場後,藉由磁場感測器130來取得病灶區域LR中的磁場分佈函數,控制器140便能夠依據此磁場分佈函數,透過計算鐵磁性微粒的磁化向量函數,進而計算出鐵磁性微粒的溫度。由於鐵磁性微粒是均勻混合於液態金屬當中,因此計算出鐵磁性微粒的溫度也就相當於計算出液態金屬的溫度。如此一來,在對病灶區域LR進行熱消融時,更能夠利用磁場感測器130來量測液態金屬對病灶區域LR加熱時的溫度,並建立分佈有液態金屬的病灶區域LR中的溫度分佈。
所屬領域具備通常知識者應當可由磁性研究的相關文獻中,獲得如何透過磁性粒子磁化時的共振頻率來推估溫度的相關教示,故在此不對其詳細說明。
在一實施例中,非侵入式熱消融裝置100的磁場產生元件例如包括由多個第一線圈110a所組成的第一線圈陣列,以及包括由多個第二線圈110b所組成的第二線圈陣列。由於第一線圈陣列與第二線圈陣列可涵蓋較大的範圍,因此其例如分別是位於病灶區域LR的相對兩側,或例如是位於液態鎵金屬的相對兩側。在本實施例中,磁場產生元件的電源120例如是分別電性連接於第一線圈陣列中的各個第一線圈110a以及第二線圈陣列中的各個第二線圈110b,藉以分別提供不同電流大小的直流電,以在第一線圈陣列與第二線圈陣列之間的各個位置製造出不同的磁場大小。在一實施例中,為了移動液態金屬LM,控制器140例如控制電源
120在第一線圈陣列與第二線圈陣列之間建立空間梯度磁場。
舉例來說,當使用者欲將病灶區域LR中第一區域的液態鎵金屬移動至病灶區域LR中的第二區域時,可控制電源120提供不同的直流電流大小,使第一線圈陣列與第二線圈陣列在第一區域與第二區域之間建立空間梯度磁場,以推動液態鎵金屬中的鐵磁性微粒至第二區域,進而帶動液態鎵金屬至第二區域。如此一來,藉由控制本發明實施例的非侵入式熱消融裝置100中的電源120,便能夠針對病灶區域LR進行定位與加熱,還能夠將液態金屬LM移動至期望的區域。
綜上所述,本發明實施例所提出的非侵入式熱消融裝置與非侵入式熱消融方法,利用腫瘤本身的特性,使其周圍增生的微血管中分佈液態鎵金屬,再利用時變的磁場來加熱液態鎵金屬。如此一來,無須進行經皮穿刺手術就能夠對體內的腫瘤進行加熱。另一方面,凡腫瘤所在之處都會因為周圍增生微血管中的液態鎵金屬而被加熱。據此,即使是多而分散的腫瘤也能夠同時對其進行加熱以徹底將其清除,且不致影響其他區域的健康細胞。此外,藉由本發明實施例所提出的非侵入式熱消融裝置,能夠無須使用X光等輻射光線,便能夠對腫瘤細胞進行定位,不僅減少對人體帶來的傷害,更降低設備成本。
在本發明的實施例中更在液態金屬中均勻混和鐵磁性微粒。據此,除了能夠方便地移動液態金屬至期望區域之外,更能輕易的量測液態金屬的溫度,進而調整時變磁場的頻率來更加精
準地控制熱消融時所使用的溫度。
雖然本發明已以實施例揭露如上,然其並非用以限定本發明,任何所屬技術領域中具有通常知識者,在不脫離本發明的精神和範圍內,當可作些許的更動與潤飾,故本發明的保護範圍當視後附的申請專利範圍所界定者為準。
110a:第一線圈
110b:第二線圈
CP:微血管
LM:液態金屬
LR:病灶區域
LV:肝臟
TM:腫瘤細胞
Claims (11)
- 一種非侵入式熱消融裝置,用以對病灶區域進行加熱,所述非侵入式熱消融裝置包括:磁場產生元件,用以在該病灶區域產生時變磁場,其中液態金屬分佈於該病灶區域。
- 如申請專利範圍第1項所述的非侵入式熱消融裝置,其中該磁場產生元件包括:亥姆霍茲線圈,包括第一線圈以及第二線圈;以及電源,耦接於該亥姆霍茲線圈,用以對該第一線圈提供第一交流電,以及對該第二線圈提供一第二交流電。
- 如申請專利範圍第2項所述的非侵入式熱消融裝置,其中該電源更用以調整該第一交流電的頻率、該第二交流電的頻率,以及該時變磁場的大小的至少其中之一。
- 如申請專利範圍第2項所述的非侵入式熱消融裝置,其中該第一線圈與該第二線圈分別設置於該病灶區域的相對兩側。
- 如申請專利範圍第1項所述的非侵入式熱消融裝置,更包括:磁場感測器,用以感測一磁場分佈,其中該磁場分佈關聯於該時變磁場;以及控制器,耦接於該磁場感測器,用以依據該磁場分佈定位該病灶區域。
- 如申請專利範圍第5項所述的非侵入式熱消融裝置,其中該液態金屬均勻混合有鐵磁性微粒。
- 如申請專利範圍第6項所述的非侵入式熱消融裝置,其中該控制器依據該時變磁場以及該磁場分佈,計算該鐵磁性微粒的溫度。
- 如申請專利範圍第6項所述的非侵入式熱消融裝置,其中該磁場產生元件更用以在該病灶區域產生一空間梯度磁場,以使均勻混合有該鐵磁性微粒的該液態金屬依據該空間梯度磁場移動。
- 如申請專利範圍第8項所述的非侵入式熱消融裝置,其中該磁場產生元件包括:第一線圈陣列,包括多個第一線圈;第二線圈陣列,包括多個第二線圈;以及電源,耦接於該第一線圈陣列以及該第二線圈陣列,用以對該些第一線圈提供第一直流電,並且對該些第二線圈提供第二直流電。
- 如申請專利範圍第1項所述的非侵入式熱消融裝置,其中該液態金屬包括液態鎵金屬。
- 如申請專利範圍第1項所述的非侵入式熱消融裝置,其中該病灶區域包括生物細胞腫瘤。
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