TWI711249B - 輸出過壓感測系統和感測方法 - Google Patents

Abstract

本發明提供一種輸出過壓感測系統和感測方法。輸出過壓感測系統包括控制晶片和位於控制晶片外部並與控制晶片耦合的電阻。控制晶片包括電流源、控制電容、比較器、過壓感測電路。電流源的電流大小由控制晶片外部耦合的電阻設定。控制電容在控制晶片驅動開通延遲一段時間後進行放電清零，在控制晶片驅動關斷後輸出電感的退磁時間內由控制晶片的電流源充電。比較器對控制電容兩端的電壓與取樣電阻上的當前開關週期的峰值電壓進行對比。過壓感測電路回應於指示控制晶片驅動關斷後輸出電感完全退磁的退磁結束信號，基於比較器的比較結果來確定是否感測到過壓狀態。

Description

輸出過壓感測系統和感測方法

本發明總體涉及晶片領域，更具體地，涉及一種輸出過壓感測系統和感測方法。

輸出過壓保護可以在系統異常時，防止輸出電壓過高引起系統損壞。輸出電壓感測於是成為輸出過壓保護中的關鍵。傳統地，電壓感測一般通過直接感測系統的輸出電壓或者通過感測系統中輸出電感兩端的電壓來實現。然而，在某些系統應用條件下，無法直接對系統的輸出電壓或系統中輸出電感兩端的電壓進行感測，常常需要通過增加額外的元件來輔助實施電壓感測。

根據本發明的一方面，提供了一種輸出過壓感測系統，包括控制晶片和電阻，該電阻位於控制晶片外部並與控制晶片耦合。控制晶片包括電流源、控制電容、比較器、過壓感測電路。電流源的電流大小由控制晶片外部耦合的電阻設定。控制電容在控制晶片驅動開通延遲一段時間後進行放電清零，並在控制晶片驅動關斷後輸出電感的退磁時間內由控制晶片的電流源充電，其中比較器對控制電容兩端的電壓與取樣電阻上的當前開關週期的峰值電壓進行對比；並且過壓感測電路回應於指示控制晶片驅動關斷後輸出電感完全退磁的退磁結束信號，基於比較器的比較結果來確定是否感測到過壓狀態。

根據本發明的另一方面，提供了一種輸出過壓感測方法，包括：採集控制晶片中控制電容兩端的電壓，其中控制電容在控制晶片驅動開通延遲一段時間後進行放電清零，並在控制晶片驅動關斷後輸出電感 的退磁時間內由控制晶片的電流源充電，其中，控制晶片的電流源的電流大小由控制晶片外部耦合的電阻設定；採集取樣電阻上的當前開關週期的峰值電壓；將控制電容兩端的電壓與所述峰值電壓進行對比；以及回應於指示控制晶片驅動關斷後輸出電感完全退磁的退磁結束信號，基於比較器的比較結果來確定是否感測到過壓狀態。

根據本發明的輸出過壓感測系統和感測方法，可以便於在控制晶片的基準地無法直接感測輸出電壓或輸出電感兩端的電壓時實現電壓感測並進而實現輸出過壓保護功能，而無需額外的輔助電路，因此能夠有助於減小系統體積並進而降低成本。

1、3、4‧‧‧框

3013、4016‧‧‧比較器

2、303‧‧‧負載

3014、4017‧‧‧過壓感測電路

13‧‧‧電流感測模組

4011‧‧‧轉換器

14‧‧‧退磁感測模組

FB‧‧‧信號

16‧‧‧驅動器

I_L‧‧‧輸出電感電流

301、401‧‧‧控制晶片

I_SET‧‧‧電流

3011、4012‧‧‧電流源

S₁、S₁ 4013‧‧‧第一開關

3012、C 4014‧‧‧控制電容

S₂、S₂ 4015‧‧‧第二開關

C‧‧‧控制電容的電容值

S701-S705、S801-S808‧‧‧步驟

I_{CS_PEAK}‧‧‧流過取樣電阻的電流

T‧‧‧時間

L‧‧‧輸出電感的電感值

T_DMG‧‧‧退磁時間

R_CS‧‧‧取樣電阻的電阻值

T_{ON_DELAY}‧‧‧延遲時間

V_C‧‧‧控制電容兩端的電壓

V_DD‧‧‧電源電壓

V_{CS_PEAK}‧‧‧取樣電阻的峰值電壓

V_OUT‧‧‧輸出電壓

302、RSET、RSET 402‧‧‧電阻

11‧‧‧欠壓保護(UVLO)模組

12‧‧‧恒流(CC)/恒壓(CV)調節模組

15‧‧‧脈衝寬度調變(PWM)控制模組

17‧‧‧過壓保護(OVP)模組

GATE‧‧‧控制晶片驅動的開通與關斷的信號

OVP‧‧‧過壓感測電路的感測結果信號

從下面結合圖式對本發明的具體實施方式的描述中可以更好地理解本發明，其中：第1圖示出了一種通過光耦實現輸出電壓感測的示例性系統的示意圖；第2圖示出了一種通過輔助繞組實現輸出電壓感測的示例性系統的示意圖；第3圖示出了根據本發明實施例的一種輸出過壓感測系統的示意框圖；第4圖示出了根據本發明實施例的一種輸出過壓感測系統的電路示意圖；第5圖示出了根據本發明實施例的一種輸出過壓感測系統在感測到過壓狀態時的控制波形的示意圖；第6圖示出了示出了根據本發明實施例的一種輸出過壓感測系統在未感測到過壓狀態時的控制波形的示意圖。

第7圖示出了根據本發明實施例的一種輸出過壓感測方法的流程圖。

第8圖示出了根據本發明實施例的一種輸出過壓感測方法的具體示例的流程圖。

下面將詳細描述本發明的各個方面的特徵和示例性實施例。在下面的詳細描述中，提出了許多具體細節，以便提供對本發明的全面理解。但是，對於本領域技術人員來說很明顯的是，本發明可以在不需要這些具體細節中的一些細節的情況下實施。下面對實施例的描述僅僅是為了通過示出本發明的示例來提供對本發明的更好的理解。本發明決不限於下面所提出的任何具體配置，而是在不脫離本發明的精神的前提下覆蓋了元素、部件和演算法的任何修改、替換和改進。在圖式和下面的描述中，沒有示出公知的結構和技術，以便避免對本發明造成不必要的模糊。

第1圖示出了一種通過光耦實現輸出電壓感測的示例性系統的示意圖。如第1圖所述，該示例性系統應用高壓交流電(AC，Alternate Current)為控制系統供電，進而為負載提供電力。更具體地，輸入高壓AC被施加到由四個二極體構成的整流橋的兩個輸入端，通過整流橋整流之後再經濾波電容濾波，然後由虛線框1指示的控制晶片控制整個系統為負載2提供電力。

如第1圖所示，控制晶片包括欠壓保護(UVLO，Under Voltage Lock Out)模組11、恒流(CC，Constant-current)/恒壓(CV，Constant-voltage)調節模組12、電流感測模組13、退磁感測模組14、脈衝寬度調變(PWM，Pulse Width Modulation)控制模組15、驅動器16、以及過壓保護(OVP，Over Voltage Protection)模組17。

欠壓保護(UVLO)模組)11感測電源電壓V_DD是否低於欠壓保護閾值時，並且當電源電壓V_DD低於欠壓保護閾值時控制晶片處於保護狀態。恒流(CC)/恒壓(CV)調節模組12根據負載情況實現CC和CV模式的調節。脈衝寬度調變(PWM)控制模組15對電壓波形執行脈衝寬度調變。驅動器16通過信號GATE驅動開關電晶體開通或關斷。電 流感測(CS，Current Sensor)模組13通過取樣信號CS感測流過取樣電阻的電流。退磁感測模組14感測開關電晶體關斷(即控制晶片驅動關斷)後輸出電感完全退磁的時間。過壓保護(OVP)模組17通過信號FB感測輸出電壓是否高於輸出過壓保護閾值，並且當感測到的電壓高於輸出過壓保護閾值時啟動過壓保護。

如第1圖所述，示例性系統通過光耦元件和相關電路(圖中虛線框3和框4所示)來輔助實現電壓感測。

第2圖示出了一種通過輔助繞組實現輸出電壓感測的示例性系統的示意圖。第2圖中與第1圖相同的元件以及功能在此不再贅述，所不同的是在第2圖中在輸出電感左側位置增加了輔助繞組，借助於這些繞組來實現輸出電壓感測。

然而，在第1圖和第2圖所示的示例性系統中，控制晶片都需要增加額外的輔助電路來輔助實現輸出電壓感測，這增大了系統體積並進而增加了成本。

根據本發明的實施例提供了一種新型的輸出過壓感測技術，這種新型的輸出過壓感測技術可以便於在控制晶片的基準地無法直接感測輸出電壓或輸出電感兩端的電壓時實現電壓感測並進而實現輸出過壓保護功能，而無需額外的輔助電路，因此能夠有助於減小系統體積並進而降低成本。

第3圖示出了根據本發明實施例的一種輸出過壓感測系統的示意框圖。請注意，為不模糊本發明，第3圖中僅圖示了有助於理解本發明的部分，實際上系統還可以包括其他的元件，例如，退磁感測模組、電流感測模組、驅動器、開關電晶體、取樣電阻、輸出電感等等，並且這些其他元件具有與第1圖和第2圖中所示那樣相同的功能和操作。

如第3圖所示，該系統包括控制晶片301以及位於控制晶片外部並與控制晶片耦合的電阻302。控制晶片301控制對負載303的供電。

控制晶片301包括電流源3011、控制電容3012、比較器3013、過壓感測電路3014。

電流源3011的電流大小由控制晶片301外部耦合的電阻302設定。

控制電容3012在控制晶片301驅動開通延遲一段時間後進行放電清零，並在控制晶片301驅動關斷後輸出電感的退磁時間由控制晶片301的電流源3011充電。

比較器3013對控制電容3012兩端的電壓與取樣電阻上的當前開關週期的峰值電壓進行對比。

過壓感測電路3014回應於指示控制晶片301驅動關斷後輸出電感完全退磁的退磁結束信號，基於比較器3013的比較結果來確定是否感測到過壓狀態。

在一些實施例中，回應於退磁結束時比較器3013的比較結果指示控制電容3012兩端的電壓低於取樣電阻上的當前開關週期的峰值電壓時，過壓感測電路3014感測到過壓狀態。回應於退磁結束時比較器3013的比較結果指示控制電容3012兩端的電壓高於取樣電阻上的當前開關週期的峰值電壓時，過壓感測電路3014未感測到過壓狀態。

在一些實施例中，控制晶片301還包括第一開關S₁和第二開關S₂，第一開關S₁跨接在控制電容3012兩端，並且第二開關S₂串聯在控制電容3012與電流源3011之間，並且其中，在控制晶片301驅動開通時，第二開關S₂被關斷，延遲一段時間後，第一開關S₁被開通，並且在控制晶片301的驅動關斷後輸出電感的退磁時，第一開關S₁被關斷，而第二開關S₂被開通。

第4圖示出了根據本發明實施例的一種輸出過壓感測系統的感測電路示意圖。

如第4圖所示，系統包括控制晶片401(如虛線框所示)以及位於控制晶片401外部並與控制晶片401耦合的電阻R_SET 402。晶片 電源電壓被載入到控制晶片401，在電阻R_SET 402的設定下經由轉換器4011被轉換為電流源電流I_SET以作為施加到控制晶片401的內部電流。

控制晶片還包括電流源4012、第一開關S₁ 4013、控制電容C 4014、第二開關S₂ 4015、比較器4016和過壓感測電路4017。

電流源4012為控制晶片401提供內部電流I_SET。

第一開關S₁ 4013跨接在控制電容C 4014兩端，回應於控制晶片驅動開通延遲一段時間T_{ON_DELAY}後而被開通，並回應於控制晶片驅動關斷而被關斷。

控制電容C 4014在控制晶片401驅動開通延遲一段時間T_{ON_DELAY}後進行放電清零，並在控制晶片驅動關斷後輸出電感的退磁時間(T_DMG)內由控制晶片401的內部電流I_SET充電。

第二開關S₂ 4015串聯在控制電容C 4014與電流源4012之間，回應於控制晶片401的驅動關斷而被開通，並回應於控制晶片感測到輸出電感退磁結束而被關斷(退磁結束後，控制晶片可以進入下一開關週期，進而進入新迴圈)。

比較器4016對控制電容C 4014兩端的電壓與取樣電阻上的當前開關週期的峰值電壓(V_{CS_PEAK})進行對比。

過壓感測電路4017回應於指示控制晶片401驅動關斷後輸出電感完全退磁的退磁結束信號(DMG，Demagnetization)，基於比較器4016的比較結果來確定是否感測到過壓狀態。在一些實施例中，在退磁結束後比較器4016的比較結果指示控制電容C 4014兩端的電壓低於取樣電阻上的當前開關週期的峰值電壓時，過壓感測電路4017感測到過壓狀態，進而過壓保護被啟動。在退磁結束後比較器4016的比較結果指示控制電容C 4014兩端的電壓高於取樣電阻上的當前開關週期的峰值電壓時，過壓感測電路4017未感測到過壓狀態，控制晶片照常工作。

第5圖示出了根據本發明實施例的一種輸出過壓感測系統在感測到過壓狀態時的控制波形的示意圖；第6圖示出了根據本發明實 施例的一種輸出過壓感測系統未感測到過壓狀態時的控制波形的示意圖。

如第5圖和第6圖所示，圖中都圖示了四個物理量(即GATE、I_L、V_C、OVP)隨時間T的變化曲線圖，其中，GATE表示控制晶片驅動的開通與關斷的信號，I_L表示輸出電感電流，V_C表示控制電容兩端的電壓，OVP表示過壓感測電路的感測結果信號。在第5圖和第6圖中，作為示例，僅圖示出兩個開關週期，本領域技術人員能夠理解這些波形曲線可以包含更多或更少的開關週期。

首先參見第5圖，在GATE曲線中，高位準表示控制晶片驅動開通時間，低位準表示控制晶片驅動關斷時間。如圖所示，可以看出每個開關週期內控制晶片先開通，經過一段時間後(如圖中虛線所示)，進入T_{ON_DELAY}(在此時間期間，第一開關S₁開通)。請注意，第二開關S₂在控制晶片驅動的整個開通時間都是關斷的。接著，控制晶片關斷，輸出電感進入退磁時間T_DMG(在此時間期間，第二開關S₂開通，第一開關S₁關斷)。

接下來是輸出電感電流I_L曲線，從其中可見在控制晶片的驅動開通時間內(即，GATE信號處於高位準)，輸出電感電流從零逐漸增大，在控制晶片驅動關斷後輸出電感的退磁時間內(即，GATE信號處於低位準)，輸出電感電流逐漸降低至零。在控制晶片驅動關斷時(即GATE信號在高位準到低位準的轉變時)，輸出電感電流達到峰值I_{L_PEAK}。

接下來是控制電容兩端的電壓V_C曲線，從其中可見，在控制晶片驅動開通延遲一段時間後(這段時間對應於GATE信號曲線中從控制晶片驅動開通到進入T_{ON_DELAY}之間的那段延遲時間)，控制電容兩端的電壓即降為零，即清零復位。之後，在控制晶片驅動關斷後輸出電感的退磁時間T_DMG內，由於控制電容被控制晶片的內部電流I_SET充電而逐漸增大。在圖中，控制電容兩端的峰值電壓均小於取樣電阻的峰值電壓V_{CS_PEAK}。

接下來是過壓感測電路的感測結果信號OVP曲線，從其 中可見，在控制晶片的驅動開通時間內，且在控制電容兩端的電壓V_C復位清零之前，過壓感測電路的感測結果信號OVP處於高位準，因此感測到過壓狀態，進而啟動過壓保護。

第6圖與第5圖不同的是控制電容兩端的電壓V_C和過壓感測電路的感測結果信號OVP曲線。由於每一開關週期內控制電容兩端的峰值電壓均大於取樣電阻的峰值電壓V_{CS_PEAK}。因此，在這兩個開關週期內均未感測到過壓狀態。

根據本發明的輸出過壓感測系統，可以便於在控制晶片的基準地無法直接感測輸出電壓或輸出電感兩端的電壓時實現電壓感測並進而實現輸出過壓保護功能，而無需額外的輔助電路，因此能夠有助於減小系統體積並進而降低成本。

第7圖示出了根據本發明實施例的一種輸出過壓感測方法的流程圖。如第7圖所示，該輸出過壓保護方法包括步驟S701-S705。

在步驟S701，採集控制晶片中控制電容兩端的電壓，其中，控制電容在控制晶片驅動開通延遲一段時間後進行放電清零，並在控制晶片驅動關斷後輸出電感的退磁時間由控制晶片的電流源充電，其中，控制晶片的電流源的電流大小由控制晶片外部耦合的電阻設定。

在步驟S702，獲取取樣電阻上的當前開關週期的峰值電壓。

在步驟S703，將控制電容兩端的電壓與所述峰值電壓進行對比。

在步驟S704和步驟S705，回應於指示控制晶片驅動關斷後輸出電感完全退磁的退磁結束信號，基於比較的比較結果來確定是否感測到過壓狀態。在一些實施例中，當比較器的比較結果指示控制電容兩端的電壓低於電流取樣電阻上的當前開關週期的峰值電壓時，感測到過壓狀態；在比較器的比較結果指示控制電容兩端的電壓高於電流取樣電阻上的當前開關週期的峰值電壓時，未感測到過壓狀態，控制晶片照常工作。

在一些實施例中，通過系統的狀態及輸出電感的退磁時間開來確定控制晶片的通斷時間。具體地，控制晶片還可包括第一開關和第二開關，第一開關跨接在控制電容兩端，並且第二開關串聯在控制電容與電流源之間，並且其中，在控制晶片的驅動開通時，第二開關被關斷，延遲一段時間後，第一開關被開通，並且在控制晶片驅動關斷後輸出電感退磁時，第一開關被關斷，而第二開關被開通。

第8圖示出了根據本發明實施例的一種輸出過壓感測方法的具體示例的流程圖。如8圖所示，該示例的輸出過壓感測方法包括步驟S801-S808。

在步驟S801，通過控制晶片外部耦合的電阻R_SET來設定控制晶片的電流源的電流I_SET。電流I_SET作為施加到控制晶片的內部電流。

在步驟S802，在控制晶片的輸出電感的退磁時間內，電流源的電流I_SET對控制晶片中的控制電容進行充電。

在步驟S803，採集控制電容兩端的電壓。

在步驟S804，獲取取樣電阻上的當前開關週期的峰值電壓。

在步驟S805，將控制電容兩端的電壓與所述峰值電壓進行對比。

在步驟S806和步驟S807，回應於指示控制晶片驅動關斷後輸出電感完全退磁的退磁結束信號，基於比較的比較結果來確定是否感測到過壓狀態。在一些實施例中，當比較器的比較結果指示控制電容兩端的電壓低於電流取樣電阻上的當前開關週期的峰值電壓時，感測到過壓狀態；在比較器的比較結果指示控制電容兩端的電壓高於電流取樣電阻上的當前開關週期的峰值電壓時，未感測到過壓狀態，控制晶片照常工作。

在步驟S808，控制晶片驅動開通延遲一段時間後，控制電容進行放電清零。

根據上述實施例的輸出過壓感測方法，可以便於在控制 晶片的基準地無法直接感測輸出電壓或輸出電感兩端的電壓時實現電壓感測並進而實現輸出過壓保護功能，而無需額外的輔助電路，因此能夠有助於減小系統體積並進而降低成本。

下面給出本發明的實施輸出過壓保護的技術原理。如上所述，控制晶片進入過壓保護的條件為：

此外，輸出電感在退磁階段將電感能量傳輸至輸出電容，其運算式為：V _OUT ．T _DMG =L．I _{CS_PEAK} (2)

通過上述兩個運算式，可以得出V_OUT電壓進入保護的條件為：

其中V_C表示控制電容兩端的電壓，C為控制電容的電容值，I_SET為控制晶片的內部電流，T_DMG表示控制晶片驅動關斷後輸出電感的退磁時間，V_{CS_PEAK}表示取樣電阻的峰值電壓，I_{CS_PEAK}表示流過取樣電阻的電流，R_CS表示取樣電阻的電阻值，L為輸出電感的電感值，V_OUT表示輸出電壓。控制電容的電容值C為固定值，輸出電感的電感值L與取樣電阻的電阻值R_CS在同一系統下也為固定值。

因此，只需通過調整R_SET電阻阻值改變I_SET電流，即可設置輸出電壓的輸出過壓保護閾值。因此，在不便直接感測輸出電壓或輸出電感兩端的電壓的情況下，通過感測控制電容兩端的電壓並與取樣電阻的當前開關週期的峰值電壓進行比較來感測是否感測到過壓狀態，並進而決定是否啟動過壓保護。

請注意，在上文中提到了“一個實施例”、“另一實施例”、“又一實施例”，然而應理解，在各個實施例中提及的特徵並不一定只能應 用於該實施例，而是可能用於其他實施例。一個實施例中的特徵可以應用於另一實施例，或者可以被包括在另一實施例中。

上文中提到了“第一”、“第二”....等序數詞。然而應理解這些表述僅僅是為了敘述和引用的方便，所限定的物件並不存在次序上的先後關係。

本發明可以以其他的具體形式實現，而不脫離其精神和本質特徵。例如，特定實施例中所描述的演算法可以被修改，而系統體系結構並不脫離本發明的基本精神。因此，當前的實施例在所有方面都被看作是示例性的而非限定性的，本發明的範圍由所附申請專利範圍而非上述描述定義，並且，落入申請專利範圍的含義和等同物的範圍內的全部改變從而都被包括在本發明的範圍之中。

301‧‧‧控制晶片

302‧‧‧電阻

303‧‧‧負載

3011‧‧‧電流源

3012‧‧‧控制電容

3013‧‧‧比較器

3014‧‧‧過壓感測電路

Claims (8)

1. 一種輸出過壓感測系統，包括：控制晶片，電阻，位於所述控制晶片外部並與所述控制晶片耦合；其特徵在於，所述控制晶片包括電流源、控制電容、比較器、過壓感測電路，其中，所述電流源的電流大小由所述控制晶片外部耦合的所述電阻設定，其中，所述控制電容在所述控制晶片驅動開通延遲一段時間後進行放電清零，並在所述控制晶片驅動關斷後輸出電感的退磁時間內由所述控制晶片的電流源充電其中，所述比較器對所述控制電容兩端的電壓與取樣電阻上的當前開關週期的峰值電壓進行對比；並且其中，所述過壓感測電路回應於指示所述控制晶片驅動關斷後所述輸出電感完全退磁的退磁結束信號，基於所述比較器的比較結果來確定是否感測到過壓狀態。
2. 根據申請專利範圍第1項所述的輸出過壓感測系統，其中，當所述比較器的比較結果指示所述控制電容兩端的電壓低於所述取樣電阻上的當前開關週期的峰值電壓時，所述過壓感測電路感測到過壓狀態。
3. 根據申請專利範圍第1項所述的輸出過壓感測系統，其中，當所述比較器的比較結果指示所述控制電容兩端的電壓高於所述取樣電阻上的當前開關週期的峰值電壓時，所述過壓感測電路未感測到過壓狀態。
4. 根據申請專利範圍第1項所述的輸出過壓感測系統，所述控制晶片還包括第一開關和第二開關，所述第一開關跨接在所述控制電容兩端，並且所述第二開關串聯在所述控制電容與所述電流源之間，並且其中，在所述控制晶片驅動開通時，所述第二開關被關斷，延遲所述一段時間後，所述第一開關被開通，並且在所述控制晶片驅動關斷後所述 輸出電感退磁時，所述第一開關被關斷，而所述第二開關被開通。
5. 一種輸出過壓感測方法，包括採集控制晶片中控制電容兩端的電壓，其特徵在於，所述控制電容在所述控制晶片驅動開通延遲一段時間後進行放電清零，並在所述控制晶片驅動關斷後輸出電感的退磁時間內由所述控制晶片的電流源充電，其中，所述控制晶片的電流源的電流大小由所述控制晶片外部耦合的電阻設定；採集取樣電阻上的當前開關週期的峰值電壓；將所述控制電容兩端的電壓與所述峰值電壓進行對比；以及回應於指示所述控制晶片驅動關斷後所述輸出電感完全退磁的退磁結束信號，基於所述比較的比較結果來確定是否感測到過壓狀態。
6. 根據申請專利範圍第5項所述的輸出過壓感測方法，其中，當所述比較的比較結果指示所述控制電容兩端的電壓低於所述取樣電阻上的當前開關週期的峰值電壓時，感測到過壓狀態。
7. 根據申請專利範圍第5項所述的輸出過壓感測方法，其中，當所述比較的比較結果指示所述控制電容兩端的電壓高於所述取樣電阻上的當前開關週期的峰值電壓時，未感測到過壓狀態。
8. 根據申請專利範圍第5項所述的輸出過壓感測方法，其中，所述控制晶片還包括第一開關和第二開關，所述第一開關跨接在所述控制電容兩端，並且所述第二開關串聯在所述控制電容與所述電流源之間，並且其中，在所述控制晶片驅動開通時，所述第二開關被關斷，延遲所述一段時間後，所述第一開關被開通，並且在所述控制晶片驅動關斷後所述輸出電感的退磁時，所述第一開關被關斷，而所述第二開關被開通。

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