TWI708131B - Plasma processing devices having multi-port valve assemblies - Google Patents
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Abstract
Description
本發明大體上係關於電漿處理裝置，更具體而言，係關於用於電漿處理裝置的閥。 The present invention generally relates to plasma processing devices, and more specifically, to valves used in plasma processing devices.
電漿處理裝置一般包含了連接至一或更多真空泵浦的電漿處理腔室。該電漿處理裝置可包含一或更多閥，該一或更多閥對腔室與真空泵浦之間的流體連通進行調節。 The plasma processing device generally includes a plasma processing chamber connected to one or more vacuum pumps. The plasma processing device may include one or more valves that regulate the fluid communication between the chamber and the vacuum pump.
本文中所描述的實施例係關於具有多埠閥組件之電漿處理裝置。根據一實施例，一電漿處理裝置可包含一電漿處理腔室、一電漿電極組件、一晶圓載台、一電漿產生氣體入口、複數真空埠、至少一真空泵浦、及一多埠閥組件。該電漿電極組件及晶圓載台可設置於該電漿處理腔室中，且該電漿產生氣體入口可與該電漿處理腔室流體連通。該真空泵浦可透過該等真空埠其中至少一者而與該電漿處理腔室流體連通。該多埠閥組件可包含設置於該電漿處理腔室中的一可動密封板。該可動密封板可包含一橫向埠密封表面，該橫向埠密封 表面的形狀及尺寸係設計用以於關閉狀態中與該複數真空埠完全重疊，於部分開啟狀態中與該複數真空埠部分重疊，及於開啟狀態中避免與該複數真空埠實質上重疊。該多埠閥組件可包含連接至該可動密封板的一橫向作動器，該橫向作動器界定了作動的橫向範圍，該橫向範圍足以使該可動密封板在橫向方向上於關閉狀態、部分開啟狀態、及開啟狀態之間轉換，該橫向方向係定向為主要與該可動密封板的密封表面對齊。該多埠閥組件可包含連接至該可動密封板的一密封作動器，該密封作動器界定了作動的密封範圍，該密封範圍足以使該可動密封板沿著密封接合與分離之路徑而於密封狀態與非密封狀態之間來回轉換，該密封接合與分離之路徑係定向為主要與該可動密封板的密封表面垂直。 The embodiments described herein are related to plasma processing devices with multi-port valve components. According to an embodiment, a plasma processing apparatus may include a plasma processing chamber, a plasma electrode assembly, a wafer stage, a plasma generating gas inlet, a plurality of vacuum ports, at least one vacuum pump, and a multi-port Valve assembly. The plasma electrode assembly and the wafer stage can be arranged in the plasma processing chamber, and the plasma generating gas inlet can be in fluid communication with the plasma processing chamber. The vacuum pump can be in fluid communication with the plasma processing chamber through at least one of the vacuum ports. The multi-port valve assembly may include a movable sealing plate disposed in the plasma processing chamber. The movable sealing plate may include a transverse port sealing surface, the transverse port sealing The shape and size of the surface are designed to completely overlap with the plurality of vacuum ports in the closed state, partially overlap with the plurality of vacuum ports in the partially opened state, and avoid substantially overlapping with the plurality of vacuum ports in the open state. The multi-port valve assembly may include a lateral actuator connected to the movable sealing plate, the lateral actuator defining a lateral range of actuation, and the lateral range is sufficient to make the movable sealing plate in a closed state or a partially opened state in a lateral direction To switch between, and open state, the transverse direction is oriented to be mainly aligned with the sealing surface of the movable sealing plate. The multi-port valve assembly may include a sealing actuator connected to the movable sealing plate, the sealing actuator defining a sealing range of action, the sealing range being sufficient for the movable sealing plate to seal along the path of sealing engagement and separation To switch back and forth between the state and the unsealed state, the path of the sealing engagement and separation is oriented mainly perpendicular to the sealing surface of the movable sealing plate.
在另一實施例中，一電漿處理裝置可包含一電漿處理腔室、一電漿電極元件、一晶圓載台、一電漿產生氣體入口、複數真空埠、至少一真空泵浦、及一多埠閥組件。該電漿電極元件及晶圓載台可設置於該電漿處理腔室中。該電漿產生氣體入口可與該電漿處理腔室流體連通。該真空泵浦可透過該等真空埠其中至少一者而與該電漿處理腔室流體連通。該多埠閥組件可包含設置於該電漿處理腔室中的一可動密封板。該可動密封板可包含一橫向埠密封表面，該橫向埠密封表面的形狀及尺寸係設計用以於關閉狀態中與該複數真空埠完全重疊，於部分開啟狀態中與該複數真空埠部分重疊，及於開啟狀態中避免與該複數真空埠實質上重疊。該多埠閥組件可包含連接至該可動密封板的一橫向作動器，該橫向作動器界定了作動的橫向範圍，該橫向範圍足以使該可動密封板在橫向方向上於關閉狀態、部分開啟狀態、及開啟狀態之間轉換，該橫向方向係定向為主要與該可動密封板的密封表面對齊。該橫向作動器可包含一旋轉移動作動器，且該可動密封板包含一可旋轉式密封板，該可旋轉式密封板包含一中 心軸。該多埠閥組件可包含連接至該可動密封板的一密封作動器，該密封作動器界定了作動的密封範圍，該密封範圍足以使該可動密封板沿著密封接合與分離之路徑而於密封狀態與非密封狀態之間來回轉換，該密封接合與分離之路徑係定向為主要與該可動密封板的密封表面垂直。 In another embodiment, a plasma processing apparatus may include a plasma processing chamber, a plasma electrode element, a wafer stage, a plasma generating gas inlet, a plurality of vacuum ports, at least one vacuum pump, and one Multi-port valve assembly. The plasma electrode element and the wafer stage can be arranged in the plasma processing chamber. The plasma generating gas inlet may be in fluid communication with the plasma processing chamber. The vacuum pump can be in fluid communication with the plasma processing chamber through at least one of the vacuum ports. The multi-port valve assembly may include a movable sealing plate disposed in the plasma processing chamber. The movable sealing plate may include a horizontal port sealing surface, the shape and size of the horizontal port sealing surface are designed to completely overlap the plurality of vacuum ports in the closed state, and partially overlap the plurality of vacuum ports in the partially open state, And avoid substantially overlapping with the plurality of vacuum ports in the open state. The multi-port valve assembly may include a lateral actuator connected to the movable sealing plate, the lateral actuator defining a lateral range of actuation, and the lateral range is sufficient to make the movable sealing plate in a closed state or a partially opened state in a lateral direction To switch between, and open state, the transverse direction is oriented to be mainly aligned with the sealing surface of the movable sealing plate. The transverse actuator may include a rotary movement actuator, and the movable sealing plate includes a rotatable sealing plate, and the rotatable sealing plate includes a middle Mandrel. The multi-port valve assembly may include a sealing actuator connected to the movable sealing plate, the sealing actuator defining a sealing range of action, the sealing range being sufficient for the movable sealing plate to seal along the path of sealing engagement and separation To switch back and forth between the state and the unsealed state, the path of the sealing engagement and separation is oriented mainly perpendicular to the sealing surface of the movable sealing plate.
在一實施例中，取代用以控制在電漿處理腔室與複數真空泵浦之間的複數開口的複數控制器(例如，一主控制器及一從屬控制器等)及複數作動器，單一的控制器及單一的作動器控制單一的閥以同時地開啟、關閉、密封、或啟封該等開口。使用單一的控制器及單一的作動器節省了與使用複數控制器及作動器有關的時間及成本。此外，相較於使用複數作動器，使用單一的作動器節省了電漿處理腔室中被佔據的空間。此外，使用單一的控制器降低了改變複數閥的位置時主控制器與從屬控制器之間通信中斷的機會。 In one embodiment, instead of plural controllers (for example, a master controller and a slave controller, etc.) and plural actuators used to control plural openings between the plasma processing chamber and plural vacuum pumps, a single The controller and a single actuator control a single valve to simultaneously open, close, seal, or unseal the openings. Using a single controller and a single actuator saves the time and cost associated with using multiple controllers and actuators. In addition, compared to using a plurality of actuators, the use of a single actuator saves the occupied space in the plasma processing chamber. In addition, the use of a single controller reduces the chance of communication interruption between the master controller and the slave controllers when the positions of multiple valves are changed.
將於以下實施方式中提出本文所描述之實施例的額外特徵及優點，對於那些熟悉本技藝人員而言，該等特徵及優點在某種程度上係可藉由該描述而輕易了解的、或可藉由執行本文中所描述之實施例而輕易確認的，其中該描述包含了以下實施方式、申請權利範圍、以及隨附圖式。 The additional features and advantages of the embodiments described herein will be presented in the following embodiments. For those skilled in the art, these features and advantages can be easily understood by the description to a certain extent, or It can be easily confirmed by implementing the embodiments described in this text, where the description includes the following embodiments, the scope of application rights, and the accompanying drawings.
吾人應理解，以上一般描述及以下實施方式二者描述了各樣的實施例，且其意圖乃對吾人提供概觀或架構以理解所主張之標的物的本質及特徵。為了提供對本發明的進一步了解，本說明書包含了隨附圖式，且隨附圖式被納入並構成本說明書的一部份。該等圖式繪示了本文中所述的各樣實施例，且與描述一起用於解釋所主張之標的物的原理及操作。 We should understand that both the above general description and the following embodiments describe various embodiments, and their intention is to provide us with an overview or framework to understand the nature and characteristics of the claimed subject matter. In order to provide a further understanding of the present invention, this specification includes accompanying drawings, and the accompanying drawings are incorporated and constitute a part of this specification. The drawings illustrate various embodiments described herein, and together with the description are used to explain the principles and operations of the claimed subject matter.
100:電漿處理裝置 100: Plasma processing device
110:電漿處理腔室 110: Plasma processing chamber
112:基板 112: substrate
114:頂壁 114: top wall
116:側壁 116: sidewall
118:電漿電極組件 118: Plasma electrode assembly
120:晶圓載台 120: Wafer stage
122:內部區域 122: internal area
130:電漿產生氣體入口 130: gas inlet for plasma generation
140:真空連接壁 140: Vacuum connection wall
141:橫向埠密封表面 141: Horizontal port sealing surface
142:真空埠 142: Vacuum Port
144:葉片 144: Blade
145:饋通埠 145: Feedthrough port
146:腔室構件 146: Chamber component
147:底板 147: bottom plate
148:O形環 148: O-ring
149:垂直軸線 149: Vertical axis
150:真空泵浦 150: Vacuum pump
160:多埠閥組件 160: Multi-port valve assembly
162:曲柄軸 162: crankshaft
164:機械式曲柄 164: Mechanical crank
165:連接點 165: connection point
170:可動密封板 170: movable sealing plate
172:鐵磁流體 172: Ferrofluid
174:鐵磁流體密封部 174: Ferrofluid Seal
176:板狀構件 176: Plate member
178:板狀構件 178: Plate member
180:托架 180: bracket
182:板附接構件 182: Board attachment member
184:滾輪 184: Wheel
186:軌道 186: Orbit
190:作動器連接附屬件 190: Actuator connection accessories
191:曲徑設計 191: Labyrinth Design
192:風箱 192: Bellows
193-196:密封延伸部 193-196: Seal extension
197:腔室構件 197: Chamber component
200:軸承組件 200: bearing assembly
1300:多埠閥組件 1300: Multi-port valve assembly
1302A~1302C:部分 1302A~1302C: part
1304:頂板 1304: top plate
1306A~1306C:開口 1306A~1306C: opening
1310:邊緣部分 1310: edge part
1312:邊緣部分 1312: edge part
1314:可移除式密封板 1314: Removable sealing plate
1316:可移除式腔室襯墊支撐件 1316: Removable chamber liner support
1332:磁鐵 1332: Magnet
1334:磁鐵 1334: Magnet
1336:金屬屏蔽 1336: metal shield
1338:接合蓋 1338: Joint cover
1400:部分 1400: part
1402:基座 1402: Pedestal
1404A~1404B:折板 1404A~1404B: folding board
1406:多埠閥組件 1406: Multi-port valve assembly
1408:金屬板 1408: metal plate
1410:真空連接壁 1410: Vacuum connection wall
1412:鉸鏈 1412: hinge
1500:方法 1500: method
1502:操作 1502: Operation
1504:操作 1504: Operation
1520:方法 1520: method
1522:操作 1522: Operation
1524:操作 1524: Operation
1600:電漿處理系統 1600: Plasma processing system
1602:閥控制器 1602: valve controller
1604:壓力感測器 1604: Pressure Sensor
1606:作動器子系統 1606: Actuator Subsystem
1608:處理模組 1608: Processing Module
1610:多埠閥組件 1610: Multi-port valve assembly
1620:系統 1620: system
1622:系統 1622: system
1622A:作動器 1622A: Actuator
1622B:作動器 1622B: Actuator
1626A:電流產生器 1626A: current generator
1626B:電流產生器 1626B: current generator
1700:方法 1700: method
1702:操作 1702: Operation
1704:操作 1704: operation
1706:操作 1706: operation
1720:方法 1720: method
1722:操作 1722: operation
1724:操作 1724: Operation
1726:操作 1726: operation
1728:操作 1728: operation
1732:操作 1732: operation
1800:方法 1800: method
1802:操作 1802: Operation
1804:操作 1804: Operation
1806:操作 1806: operation
1808:操作 1808: operation
1850:電漿處理系統 1850: Plasma Processing System
1902:曲線圖 1902: graph
1904:曲線圖 1904: graph
1906:曲線圖 1906: graph
A1~A3:軸線 A1~A3: axis
C1~C3:中心 C1~C3: Center
O1~O3:開口 O1~O3: opening
zd:位置 zd: location
θ1~θ3:角度 θ1~θ3: Angle
根據本揭露範圍的一或更多實施例，圖1示意性地描繪了電漿處理裝置的切開前視圖，該電漿處理裝置包含多埠閥組件；根據本揭露範圍的一或更多實施例，圖2示意性地描繪了處於關閉狀態的多埠閥組件。 According to one or more embodiments of the scope of the present disclosure, FIG. 1 schematically depicts a cut-away front view of a plasma processing apparatus including a multi-port valve assembly; according to one or more embodiments of the scope of the present disclosure , Figure 2 schematically depicts the multi-port valve assembly in a closed state.
根據本揭露範圍的一或更多實施例，圖3示意性地描繪了處於開啟狀態的多埠閥組件。 According to one or more embodiments within the scope of the present disclosure, FIG. 3 schematically depicts the multi-port valve assembly in an open state.
根據本揭露範圍的一或更多實施例，圖4示意性地描繪了處於部分開啟狀態的多埠閥組件。 According to one or more embodiments within the scope of the present disclosure, FIG. 4 schematically depicts a multi-port valve assembly in a partially opened state.
根據本揭露範圍的一或更多實施例，圖5示意性地描繪了多埠閥組件之軸承組件。 According to one or more embodiments within the scope of the present disclosure, FIG. 5 schematically depicts the bearing assembly of the multi-port valve assembly.
根據本揭露範圍的一或更多實施例，圖6示意性地描繪了圖5之軸承組件的橫剖面圖。 According to one or more embodiments within the scope of the present disclosure, FIG. 6 schematically depicts a cross-sectional view of the bearing assembly of FIG. 5.
根據本揭露範圍的一或更多實施例，圖7示意性地描繪了圖5之軸承組件的切開圖。 According to one or more embodiments within the scope of the present disclosure, FIG. 7 schematically depicts a cut-away view of the bearing assembly of FIG. 5.
根據本揭露範圍的一或更多實施例，圖8示意性地描繪了多埠閥組件之軸承組件的橫剖面圖。 According to one or more embodiments within the scope of the present disclosure, FIG. 8 schematically depicts a cross-sectional view of the bearing assembly of the multi-port valve assembly.
根據本揭露範圍的一或更多實施例，圖9示意性地描繪了多埠閥組件之軸承組件的橫剖面圖。 According to one or more embodiments within the scope of the present disclosure, FIG. 9 schematically depicts a cross-sectional view of the bearing assembly of the multi-port valve assembly.
根據本揭露範圍的一或更多實施例，圖10示意性地描繪了多埠閥組件。 According to one or more embodiments of the scope of the present disclosure, FIG. 10 schematically depicts a multi-port valve assembly.
根據本揭露範圍的一或更多實施例，圖11示意性地描繪了多埠閥組件之軸承元件的橫剖面圖。 According to one or more embodiments within the scope of the present disclosure, FIG. 11 schematically depicts a cross-sectional view of the bearing element of the multi-port valve assembly.
根據本揭露範圍的一或更多實施例，圖12示意性地描繪了多埠閥組件之軸承元件的橫剖面圖。 According to one or more embodiments within the scope of the present disclosure, FIG. 12 schematically depicts a cross-sectional view of a bearing element of a multi-port valve assembly.
根據本揭露內容的一或更多實施例，圖13A顯示了多埠閥組件的等角視圖。 According to one or more embodiments of the present disclosure, FIG. 13A shows an isometric view of a multi-port valve assembly.
根據本揭露內容的一或更多實施例，圖13B為圖13A的多埠閥組件之頂板的一部分的等角視圖。 According to one or more embodiments of the present disclosure, FIG. 13B is an isometric view of a portion of the top plate of the multi-port valve assembly of FIG. 13A.
根據本揭露內容的一或更多實施例，圖14為電漿處理腔室的一部分的等角視圖。 According to one or more embodiments of the present disclosure, FIG. 14 is an isometric view of a portion of a plasma processing chamber.
根據本揭露內容的一或更多實施例，圖15A為一方法之流程圖，用以繪示閥控制器之使用，該閥控制器係用以調整與圖1之電漿處理裝置關聯的流導(flow conductance)。 According to one or more embodiments of the present disclosure, FIG. 15A is a flow chart of a method to illustrate the use of a valve controller for adjusting the flow associated with the plasma processing device of FIG. 1 Guide (flow conductance).
根據本揭露內容的一或更多實施例，圖15B為一方法之流程圖，該方法係用以根據配方而操作圖2或圖13A的多埠閥組件。 According to one or more embodiments of the present disclosure, FIG. 15B is a flowchart of a method for operating the multi-port valve assembly of FIG. 2 or FIG. 13A according to a recipe.
根據本揭露內容的一或更多實施例，圖16A為電漿處理系統的方方塊圖，用以繪示使用閥控制器及作動器子系統以控制圖2或圖13A的多埠閥組件之操作。 According to one or more embodiments of the present disclosure, FIG. 16A is a block diagram of a plasma processing system to illustrate the use of a valve controller and actuator subsystem to control the multi-port valve assembly of FIG. 2 or FIG. 13A operating.
根據本揭露內容的一或更多實施例，圖16B包含了複數系統的方塊圖以繪示閥控制器及作動器的功能性，該閥控制器及作動器係用以控制磁場而進一步改變頂板的部分或硬式可動密封板的葉片相對於圖2或13A之多埠閥組件的底板之位置。 According to one or more embodiments of the present disclosure, FIG. 16B includes a block diagram of a plurality of systems to illustrate the functionality of the valve controller and actuator, which are used to control the magnetic field to further change the top plate The position of the part or the vane of the rigid movable sealing plate relative to the bottom plate of the multi-port valve assembly shown in Figure 2 or 13A.
根據本揭露內容的一或更多實施例，圖17A為一方法之流程圖，該方法係用以控制頂板的部分或硬式可動密封板的葉片之位置(圖3)。 According to one or more embodiments of the present disclosure, FIG. 17A is a flowchart of a method for controlling part of the top plate or the position of the blades of the rigid movable sealing plate (FIG. 3 ).
根據本揭露內容的一或更多實施例，圖17B為一方法之流程圖，用以繪示該可動密封板在橫向方向上移動以達成在流導上的高位準改變，且在垂直方向上移動以達成在流導上的低位準改變。 According to one or more embodiments of the present disclosure, FIG. 17B is a flow chart of a method for showing that the movable sealing plate moves in the lateral direction to achieve a high level change in flow conductance, and in the vertical direction Move to achieve a low level change in conductance.
根據本揭露內容的一或更多實施例，圖18A為一方法之流程圖，該方法係用以根據在所感測參數上的改變而控制圖2或13A之多埠閥組件。 According to one or more embodiments of the present disclosure, FIG. 18A is a flowchart of a method for controlling the multi-port valve assembly of FIG. 2 or 13A according to changes in sensed parameters.
根據本揭露內容的一或更多實施例，圖18B為電漿處理系統的方塊圖，該方塊圖係用以繪示圖18A的方法。 According to one or more embodiments of the present disclosure, FIG. 18B is a block diagram of a plasma processing system, and the block diagram is used to illustrate the method of FIG. 18A.
根據本揭露內容的一或更多實施例，圖19顯示了曲線圖以繪示隨著可動密封板或頂板的移動而在從圖1的電漿處理裝置之內部區域至真空泵浦的流導上的改變。 According to one or more embodiments of the present disclosure, FIG. 19 shows a graph to illustrate the flow conductance from the inner region of the plasma processing device of FIG. 1 to the vacuum pump as the movable sealing plate or top plate moves. Change.
現在將對電漿處理設備之各樣的實施例進行詳細說明，隨附圖式中繪示了電漿處理設備之範例。只要可能的時候，將在全部的圖式中使用相同的元件符號來稱呼相同或相似的零件。在一實施例中，該電漿處理裝置可包含一多埠閥組件，該多埠閥組件可調節電漿處理裝置的電漿處理腔室與連接至該腔室的真空泵浦之間的流體連通。該多埠閥組件可包含一可動密封板，該可動密封板可運作用以於處在關閉位置時將複數真空埠密封，及於開啟或部分開啟狀態中容許流體連通。可使用一或更多作動器來使密封板於關閉及開啟位置之間移動，其中該一或更多作動器係用以移動單一密封板。因此，每一真空埠可以不需要其自己的具有獨立的作動器及密封板之閥組件。另外，本文中所描述的多埠閥組件可以不需要潤滑脂，該潤滑脂可能對電漿處理腔室內的基板或真空 泵浦造成汙染。此外，本文中所描述的多埠閥組件可被包含於電漿處理腔室中，從而使該電漿處理裝置之尺寸得以縮小。 Various embodiments of the plasma processing equipment will now be described in detail. An example of the plasma processing equipment is shown in the accompanying drawings. Whenever possible, the same component symbols will be used in all drawings to refer to the same or similar parts. In one embodiment, the plasma processing device may include a multi-port valve assembly that can adjust the fluid communication between the plasma processing chamber of the plasma processing device and the vacuum pump connected to the chamber . The multi-port valve assembly may include a movable sealing plate, which is operable to seal a plurality of vacuum ports when in a closed position and to allow fluid communication in an open or partially open state. One or more actuators can be used to move the sealing plate between the closed and open positions, wherein the one or more actuators are used to move a single sealing plate. Therefore, each vacuum port does not need its own valve assembly with independent actuator and sealing plate. In addition, the multi-port valve assembly described herein may not require grease, which may affect the substrate or vacuum in the plasma processing chamber. The pump causes pollution. In addition, the multi-port valve assembly described herein can be included in the plasma processing chamber, so that the size of the plasma processing device can be reduced.
參照圖1，該圖描繪了電漿處理裝置100。一般而言，電漿處理裝置100可用以從基板112將材料蝕刻掉，該基板係由例如半導體(舉例而言，矽或玻璃)所形成。例如，基板112可為矽晶圓，例如300mm晶圓、450mm晶圓、或任何其它尺寸的晶圓。在一實施例中，電漿處理裝置100可包含至少一電漿處理腔室110、一電漿電極組件118、一晶圓載台120、一電漿產生氣體入口130、至少一真空泵浦150、複數真空埠142、及一多埠閥組件160。晶圓載台120之範例包含一卡盤，該卡盤包含電極且可包含其它元件(例如設施板、加熱器等)。電漿處理腔室110可包含複數的壁，例如頂壁114、側壁116、及真空連接壁140，該真空連接壁為電漿處理腔室110的底壁。可穿過真空連接壁140而設置複數真空埠142。雖然在圖1中將真空連接壁140描繪為在電漿處理腔室110的底部上，但此位置僅為示例性的，且真空連接壁140可為電漿處理腔室110的任何壁。該至少一真空泵浦150其中每一者可透過該等真空埠142其中至少一者而與電漿處理腔室110流體連通。在一實施例中，每一真空泵浦150透過一獨立的真空埠142而與電漿處理腔室110流體連通。例如，可具有三真空埠142設置在真空連接壁140中，其中每一者分別連接至獨立的真空泵浦150。
1, this figure depicts a
電漿處理腔室110包含一內部區域122，可在該內部區域中設置至少該電漿電極組件118及晶圓載台120。電漿處理腔室110可運作以維持其內部122的低壓力(例如，當多埠閥組件160處於真空泵浦150運作後的關閉狀態中時)。電漿產生氣體入口130可與電漿處理腔室110流體連通，且可將電漿產生氣體輸送進入電漿處理腔室110的內部區域122中。可將該電漿產生氣體離子化並轉化為
可用以蝕刻基板112之電漿狀態氣體。例如，一賦能來源(射頻(RF)、微波、或其他來源)可將能量施加至處理氣體以產生電漿氣體。該電漿可對基板112(例如容納在電漿處理腔室110之內部區域122中的晶圓)進行蝕刻。電漿電極組件118可包含一噴淋頭電極，且可運作以確立基板上的蝕刻圖案。例如，美國專利公開案第2011/0108524號揭露了這樣的電漿處理裝置的一實施例。
The
多埠閥組件160可包含一可動密封板170。該可動密封板170可包含一橫向埠密封表面141。在一些實施例中，該可動密封板170可設置於電漿處理腔室110的內部區域122中。該多埠閥組件160可更包含一軸承組件200。該軸承組件200可運作以限制可動密封板170的移動。複數真空泵浦150係描繪成其中每一者可於多埠閥組件160的可動密封板170處於開啟或部分開啟的狀態中時透過真空埠142而與電漿處理裝置100流體連通。如本文中所使用，「開啟狀態」意指多埠閥組件160的狀態，其中電漿處理腔室110的內部區域122與真空泵浦150之間存在著流體連通。如本文中所使用，「關閉狀態」或「密閉狀態」意指多埠閥組件160的狀態，其中電漿處理腔室110的內部區域122與真空泵浦150之間不存在流體連通。相較於葉片144處於密封狀態中時，葉片144處於非密封狀態中時從內部區域122至真空泵浦150存在著較高量的流體流通。如本文中所使用，開啟狀態(有時稱為「完全開啟狀態」)、部分開啟狀態、及關閉狀態可意指可動密封板170的位置或多埠閥組件160的位置，且提到可動密封板170或多埠閥組件160其中任一者處於一特定的狀態時兩者為可互換使用的。真空泵浦150與電漿處理腔室110的內部區域122之間的流體連通狀態(完全開啟、部分開啟、或關閉)係由可動密封板170的位置來決定。
The
在一實施例中，多埠閥組件160為電漿處理腔室110的一部分。
In one embodiment, the
現在參照圖式1-4，其中將多埠閥組件160描繪為連接至真空連接壁140。可動密封板170可包含一橫向埠密封表面141(位於可動密封板170的下側)。在一實施例中，該橫向埠密封表面141為大致平坦的。該橫向埠密封表面141的形狀及尺寸係設計用以於關閉狀態(顯示於圖2中)中與複數真空埠142完全重疊，於部分開啟狀態(顯示於圖4中)中與複數真空埠142部分重疊，及於開啟狀態(顯示於圖3中)中避免與複數真空埠142實質上重疊。例如，角度θ1係形成於一橫向軸線(其通過真空埠142之開口O1的中心C1)與一軸線A1(其通過多埠閥組件160的質量中心)之間。軸線A1將可動密封板170的該等葉片144其中第一者二等分。此外，角度θ2係形成於一橫向軸線(其通過真空埠142之開口O2的中心C2)與一軸線A2(其通過多埠閥組件160的質量中心)之間。軸線A2將可動密封板170的該等葉片144其中第二者二等分。另外，角度θ3係形成於一橫向軸線(其通過真空埠142之開口O3的中心C3)與一軸線A3(其通過多埠閥組件160的質量中心)之間。軸線A3將可動密封板170的該等葉片144其中第三者二等分。
Referring now to FIGS. 1-4, the
在一實施例中，角度θ1、θ2、及θ3係由一閥控制器(下面進一步描述該閥控制器)所控制，俾使三個葉片140相對於真空埠142的開口係處於部分開啟、關閉、或開啟的位置。
In one embodiment, the angles θ1, θ2, and θ3 are controlled by a valve controller (the valve controller is further described below), so that the openings of the three
在一實施例中，角度θ1、θ2、及θ3係由該閥控制器所控制，俾使角度θ1、θ2、及θ3在任何時候為相等的。當角度θ1、θ2、及θ3為相等的，經由開口O1的材料之流導與經由開口O2的材料之流導及經由開口O3的材料之流導為相同的。 In one embodiment, the angles θ1, θ2, and θ3 are controlled by the valve controller so that the angles θ1, θ2, and θ3 are equal at all times. When the angles θ1, θ2, and θ3 are equal, the conductance of the material through the opening O1 is the same as the conductance of the material through the opening O2 and the conductance of the material through the opening O3.
可動密封板170可包含一單一結構，且可包含至少二葉片144。當可動密封板170處於關閉狀態時，每一葉片144可與一真空埠142重疊。該等葉片144
的尺寸及位置(相對於彼此)係設計用以與對應的個別真空埠142重疊。該等葉片144配置在多埠閥組件160的底板147之上。雖然圖2-4描繪了一包含三真空埠142之真空連接壁140，並且具有一包含三對應葉片144之密封板，但真空連接壁140可包含任何數量之真空埠142，並且具有對應數量之葉片144。例如，圖10示意性地描繪了一包含二真空埠142之真空連接壁140，並且具有一包含二對應葉片144的可動密封板170。多埠閥組件160可包含一軸承組件200。該軸承組件200可設置於可動密封板170下方且可設置於該真空連接壁140上方，例如在可動密封板170與真空連接壁140之間。
The
多埠閥組件160可包含一饋通埠145。當將該饋通埠配置到電漿處理裝置100上時，該饋通埠145可圍繞著至少一部分的電漿電極組件118，且可使該多埠閥組件160得以圍繞著電漿處理裝置100而裝配以抑制電漿處理腔室110的內部部分與周圍環境之間的流體流動。在一實施例中，例如為了圍繞著電漿電極組件118的圓柱狀部分而裝配，饋通埠145可為實質上圓形的。然而，例如為了使可動密封板170得以自由移動，饋通埠145可具有任何的形狀。可動密封板170可圍繞著饋通埠145而設置，且可在至少二維度上完全圍繞該饋通埠145。
The
圖2顯示了處於關閉狀態的多埠閥組件160，其中可動密封板170係配置成使橫向埠密封表面141與複數真空埠142完全重疊。當處於關閉狀態中時，多埠閥組件160可限制流體連通並形成一氣密密封。圖3顯示了處於開啟狀態的多埠閥組件160，其中可動密封板170係配置成避免與複數真空埠142實質上重疊。當處於開啟狀態中時，多埠閥組件160實質上不限制流體連通。圖4顯示了處於部分開啟狀態的多埠閥組件160，其中可動密封板170係配置成與複數真空
埠142部分重疊。當處於部分開啟狀態中時，多埠閥組件160部分地限制了流體連通。可利用部分開啟狀態來對真空泵浦150進行節流。
FIG. 2 shows the
如圖2-4中所顯示，可動密封板170可有能力在橫向方向上移動。如本文中所使用，「橫向」係意指一方向，其定向為主要對齊可動密封板170的密封表面。例如，在圖2-4中，該「橫向」方向實質上位於x軸與y軸的平面。例如，可動密封板170可以轉動或旋轉路徑移動，在本文中將該密封板稱為旋轉密封板。在一些實施例中，可動密封板170可為一可旋轉式密封板。可旋轉式的可動密封板170可有能力繞一中心軸而旋轉。於圖2-4之實施例中描繪了這樣的可旋轉式的可動密封板170。
As shown in FIGS. 2-4, the
在一些實施例中，多埠閥組件160可包含一橫向作動器。該橫向作動器可連接至可動密封板170，且可界定了作動的橫向範圍。該作動之橫向範圍可足以使該可動密封板170於橫向方向上在關閉狀態、部分開啟狀態、及開啟狀態之間轉換。該橫向作動器可為任何有能力使可動密封板170在橫向方向上(例如在開啟及關閉狀態之間)轉換之機械元件。在一實施例中，橫向作動器可藉由直接機械性接觸而與可動密封板170連接。在另一實施例中，橫向作動器可透過非接觸性方式(例如藉由磁力)而連接。在一實施例中，橫向作動器包含一旋轉運動作動器，該旋轉運動作動器可以使可動密封板170繞底板147的一中心軸(例如，垂直軸線149)而旋轉。該垂直軸線149通過底板147的質量中心。
In some embodiments, the
可動密封板170可有能力在密封接合/分離的路徑上移動。如本文中所使用，「接合路徑」或「分離路徑」係意指定向為與該可動密封板170的密封表面主要垂直之路徑。例如，在圖2-4中，該接合路徑方向實質上為z軸的方向。可動密封板170可運作以在密封接合/分離路徑的方向上移動至少約2mm、4mm、6
mm、8mm、10mm、12mm、20mm、50mm、或更多。在一實施例中，密封板可運作以在密封接合/分離路徑的方向上移動約10mm與約15mm之間的距離。
The
在一些實施例中，多埠閥組件160可包含一密封作動器。該密封作動器可連接至該可動密封板170，且可界定了作動的密封範圍。該作動之密封範圍可足以使該可動密封板170沿著密封接合與分離的路徑在密封狀態與非密封狀態之間來回轉換。在一實施例中，密封作動器可藉由直接機械性接觸而與可動密封板170連接。在另一實施例中，密封作動器可透過非接觸性方式(例如藉由磁力)而連接。
In some embodiments, the
在一實施例中，該可動密封板170可有能力在橫向方向及密封接合/分離路徑之方向上移動。
In one embodiment, the
現在參照圖3，在一實施例中，多埠閥組件160可包含至少一O形環(O-ring)148。該O形環148可圍繞著該等真空埠142其中一或更多者而設置。當可動密封板170處於關閉狀態時，該可動密封板170可與每一O形環148直接接觸。當可動密封板170處於關閉狀態時，該等O形環148可幫助形成氣密密封。
Referring now to FIG. 3, in one embodiment, the
在一實施例中，藉由可動密封板170在橫向及密封方向二者上的移動而使該可動密封板170在關閉、部分開啟、及開啟狀態之間轉換。在一些實施例中，可動密封板170在橫向及密封方向之移動可分別由橫向作動器及密封作動器來作動。在其它實施例中，該橫向作動器及密封作動器可包含一單一作動器，該單一作動器可使可動密封板170在橫向及密封方向二者上作動。
In one embodiment, the
在一實施例中，圖2中所描繪之關閉狀態可包含該可動密封板170與真空連接壁140接觸並與真空埠142重疊。因此可形成一氣密密封。可藉由該密封作動器而將可動密封板170以z軸方向拉向真空連接壁140。
In one embodiment, the closed state depicted in FIG. 2 may include that the
為了移動至部分開啟狀態，密封作動器可使可動密封板170在z軸方向上移動遠離該真空連接壁140。在可動密封板170移動遠離真空連接壁140之後，橫向作動器可使該可動密封板170在橫向方向上移動，例如使該可動密封板170旋轉至圖4中所描繪之部分開啟狀態。可動密封板170可進一步旋轉以達成圖3中所描繪之開啟狀態。例如，可動密封板170在開啟狀態與圖2之實施例中的關閉狀態之間可能只需要旋轉約60°。
In order to move to the partially opened state, the sealing actuator can move the
為了使可動密封板170從開啟狀態移動至關閉狀態，橫向作動器可使可動密封板170在橫向方向上移動，例如使該可動密封板170旋轉至圖4中所描繪之部分開啟狀態。橫向作動器可使該可動密封板170進一步旋轉直到它完全與真空埠142重疊。一旦可動密封板170與真空埠142重疊，密封作動器可使可動密封板170向真空連接壁140移動直到形成一氣密密封，該氣密密封不容許電漿處理腔室110與真空泵浦150之間的流體連通。
In order to move the
在其它實施例中，可動密封板170可在開啟及關閉狀態之間移動而無需使用在z軸方向上的移動。例如，可動密封板170可滑過該真空連接壁140而一直與真空連接壁140保持接觸。在另一實施例中，可動密封板170可在開啟及關閉狀態之間移動而無需使用在橫向方向上的移動。例如，可動密封板170可僅在z軸方向上移動以容許流體連通、及禁止流體連通。
In other embodiments, the
參照圖1及5-7，多埠閥組件160可更包含一軸承組件200。該軸承組件200可運作以限制可動密封板170在橫向方向、密封接合與分離路徑的方向、或兩者上的移動。雖然本文中揭露了軸承組件200的幾個實施例，但吾人應理解，軸承組件200可為有能力對可動密封板170的移動進行限制之任何機械、或
其它裝置或系統。例如，在一實施例中，軸承組件200可界定了由一導向裝置(例如，軌道186)所限制之運動的範圍。
1 and 5-7, the
現在參照圖5-7，在一實施例中，軸承組件200包含一軌道186及一托架180，該托架包含複數滾輪184。可將該等滾輪184連接至托架180，使得滾輪184可以轉動並使托架180得以移動。圖5顯示了這樣的軸承組件200之實施例的切開圖，該軸承組件包含一軌道186上的複數滾輪184。該等滾輪184可保持與軌道186直接接觸。軌道186及托架180可為圓形的，並界定了滾輪184之運動的圓形範圍。軸承組件200可更包含一或更多板附接構件182，該板附接構件可機械連接至可動密封板170(未顯示於圖5中)並將密封作動器的運動轉移至可動密封板170。
Referring now to FIGS. 5-7, in one embodiment, the bearing
現在參照圖6，該圖顯示了穿過圖5之軸承組件200的滾輪部分之橫剖面圖。滾輪184可連接至托架180，使得滾輪184可自由地旋轉並在軌道186的方向上移動，該軌道的方向可為圓形的。滾輪184可與軌道186及可動密封板170接觸且位於二者之間。滾輪184可使可動密封板170得以在相對於軌道186的旋轉方向上自由移動。
Refer now to FIG. 6, which shows a cross-sectional view through the roller portion of the bearing
現在參照圖7，該圖顯示了圖5之軸承組件200的切開圖，該切開圖顯示了板附接構件182。該板附接構件182可機械連接至軌道186，且該軌道186可機械連接至一作動器連接附屬件190。在一實施例中，該作動器連接附屬件190可包含密封作動器。例如，該作動器連接附屬件190可為一氣動作動器，該氣動作動器有能力使板附接構件182、托架180、及軌道186在z軸方向上移動，並使得可動密封板170在z軸方向上移動。該作動器連接附屬件190可起著真空密封的作用以將該腔室的真空部分密封(相對於周圍的大氣)。在一些實施例中，作動器
連接附屬件190可包含一風箱192。當該作動器連接附屬件190在z軸方向上移動時，該風箱192可用以將該腔室的真空部分與電漿處理腔室110的周圍大氣區域122隔開。
Referring now to FIG. 7, this figure shows a cut-away view of the bearing
現在參照圖8，該圖顯示了軸承組件200的另一實施例之橫剖面圖。在這樣的實施例中，軸承組件200可包含複數滾輪184，該等滾輪係定向於相對於軌道186之橫向方向上。該軸承組件200可包含分別連接至軌道186的板附接構件182及作動器連接附屬件190。在圖8的實施例中，可將滾輪184開槽以與輪廓軌道186相匹配。滾輪184可直接連接至可動密封板170。圖8顯示該板附接構件182，其連接至可動密封板170，而這使得該板附接構件182得以將移動轉移至可動密封板170。在這樣的實施例中，當可動密封板170在滾輪184上旋轉時，軌道186及板附接構件182保持靜止。板附接構件182不會使可動密封板170在橫向方向上移動，但當密封作動器(例如，氣動作動器)使該作動器連接附屬件190在z軸方向上移動時，該板附接構件182會使可動密封板170在密封方向上移動。
Refer now to FIG. 8, which shows a cross-sectional view of another embodiment of the bearing
現在參照圖9，該圖顯示了多埠閥組件160的另一實施例。在一些實施例中，該多埠閥組件160可包含一曲徑設計(labyrinth design)191，該曲徑設計包含交錯的密封延伸部193、194、195、196。在一實施例中，至少一密封延伸部193、196可從可動密封板170突出，且至少一密封延伸部194、195可從一腔室構件197突出，該腔室構件197位於該可動密封板170之密封表面的對面。然而，可從腔室構件197或可動密封板170其中任一者突出任何數量的密封延伸部193、194、195、196。在一實施例中，多埠閥組件160可在滾輪184的每一側包含該曲徑設計191。該曲徑設計191可用以阻止粒子從電漿處理腔室110的內部區
域122進入電漿處理腔室110的外部，及從電漿處理腔室110的外部進入電漿處理腔室110的內部區域122。
Referring now to FIG. 9, this figure shows another embodiment of a
在電漿處理裝置100包含曲徑設計191的一實施例中，密封作動器可使該可動密封板170、托架180、滾輪184、軌道186、密封延伸部196、及延伸密封部193在密封方向上移動。該真空連接壁140、密封延伸部194、195、及腔室構件197可保持靜止。
In an embodiment in which the
在一實施例中，可使至少一部分的多埠閥組件160帶靜電。如本文中所使用，「帶靜電」係關於通過該部分的多埠閥組件160之電荷。例如，在一實施例中，可使交錯的密封延伸部193、194、195、196其中至少一者帶靜電。該電荷可用以吸引或減少顆粒。例如，電荷可用以阻止粒子從電漿處理腔室110的內部區域122進入電漿處理腔室110的外部，及從電漿處理腔室110的外部進入電漿處理腔室110的內部區域122。
In one embodiment, at least a part of the
現在參照圖10，在一實施例中，橫向作動器可包含一機械式曲柄164。該機械式曲柄164可運作以使可動密封板170在橫向方向上移動。機械式曲柄164可包含一曲柄軸162，該曲柄軸於連接點165連接至可動密封板170。連接點165可將機械式曲柄164機械連接至可動密封板170，同時容許該連接點165沿著可動密封板170的邊緣滑動。曲柄軸162可旋轉以使該可動密封板170在橫向方向上移動。該曲柄軸162可進行旋轉，而這導致了連接點165沿著可動密封板170的邊緣滑動並將移動轉移至可動密封板170。在一實施例中，曲柄軸162可從該電漿處理腔室110的外部延伸至該電漿處理腔室110的內部區域122。可藉由馬達或其他機械性手段來控制曲柄軸162的旋轉。
Referring now to FIG. 10, in one embodiment, the transverse actuator may include a
在另一實施例中，橫向作動器可包含一磁性系統。例如，可動密封板170可包含一第一磁性元件，該第一磁性元件可磁性耦接至一設置於電漿處理腔室110外面的第二磁性元件。該第二磁性元件的移動可使該可動密封板170在橫向方向上移動。
In another embodiment, the lateral actuator may include a magnetic system. For example, the
在另一實施例中，多埠閥組件160可包含一鐵磁流體密封部(ferro-fluidic seal)174。圖11顯示了鐵磁流體密封部174之實施例的橫剖面圖。該鐵磁流體密封部174可包含一鐵磁流體172。在一實施例中，該可動密封板170可包含一板狀構件178，且鐵磁流體172可設置於可動密封板170的板狀構件178與一腔室構件146之間，該腔室構件位於該可動密封板170之密封表面的對面。該鐵磁流體密封部174可為一磁性液體密封系統，該系統可用以旋轉該可動密封板170，同時藉由鐵磁流體172形式之物理屏障的手段來維持氣密密封。
In another embodiment, the
在另一實施例中，多埠閥組件160可包含一磁性作動器系統。該磁性作動器系統可運作以使可動密封板170懸浮。圖12顯示一懸浮式可動密封板170之實施例的橫剖面圖。可動密封板170可包含一板狀構件176，該板狀構件係塑形為與該真空連接壁140的形狀吻合。可動密封板170可包含一第一磁性元件。該第一磁性元件可磁性耦接至設置在電漿處理腔室110外面的一第二磁性元件。該磁性系統可使可動密封板170在橫向及密封方向上移動。
In another embodiment, the
在這樣的一實施例中，該橫向作動器可包含一磁性作動器系統，且該密封作動器可包含一磁性作動器系統。該橫向作動器及密封作動器可包含相同的磁性作動器系統。在圖12中所顯示之實施例中，磁性作動器系統可運作以使該可動密封板170懸浮，並使其從關閉狀態移動至開啟狀態(反之亦然)。
In such an embodiment, the transverse actuator may include a magnetic actuator system, and the sealing actuator may include a magnetic actuator system. The transverse actuator and the sealing actuator may include the same magnetic actuator system. In the embodiment shown in FIG. 12, the magnetic actuator system can operate to suspend the
圖13A包含一多埠閥組件1300的等角視圖。該多埠閥組件1300係以與多埠閥組件160(圖2)之裝配相同的方式裝配在電漿處理腔室110的底部(圖1)。例如，多埠閥組件1300係螺接及/或栓接至電漿處理腔室160的側壁116，且側壁116與多埠閥組件1300之間的任何空間為密封的。如另一範例，多埠閥組件1300係焊接或化學結合(或以兩者之方式)至側壁116。
FIG. 13A includes an isometric view of a
多埠閥組件1300包含了頂板1304及底板147。頂板1304相對於底板147係可移動的(以可動密封板170(圖3)相對於底板147係可移動的方式)。例如，頂板1304可相對於底板147而旋轉或懸浮。如另一範例，使用圖5及6、或圖7及8、或圖9中所使用的機構以相對於底板147而支撐頂板1304。
The
頂板1304包含複數開口1306A、1306B、及1306C，該等開口與底板147的複數開口為相同形狀。開口1306A係在部分1302A與部分1302B之間，且開口1306B係在部分1302B與部分1302C之間。開口1306C係在部分1302C與部分1302A之間。
The
部分1302A係位於多埠閥組件1300之饋通埠145的一部分、開口1306A及1306C、與頂板1304之外圍邊緣的一部分之間。相似地，部分1302B係位於饋通埠145的一部分、開口1306A及1306B、與頂板1304之外圍邊緣的一部分之間。另外，部分1302C係位於饋通埠145的一部分、開口1306B及1306C、與頂板1304之外圍邊緣的一部分之間。
The
底板147的邊緣部分1310包含沿著該邊緣部分1310的一線圈。例如，邊緣部分1310中的線圈係沿著底板147的周邊而位於整個邊緣部分1310中。此外，底板147的邊緣部分1312包含沿著邊緣部分1312的一線圈。例如，邊緣部分1312中的線圈係沿著底板147的周邊而位於整個邊緣部分1312中。吾人應注意，
邊緣部分1312係位於邊緣部分1310的上方。當頂板1304位於底板147上方時，一可移除式密封板1314係位於頂板1304及底板147上方。此外，一可移除式腔室襯墊支撐件1316圍繞著饋通埠145。
The
當一電流通過邊緣部分1310中的線圈時，一電場及一磁場圍繞著線圈而產生，且該磁場係定向為在垂直方向上(例如，沿著z軸而指向上、指向下等)。此外，當電流通過邊緣部分1312中的線圈時，一電場及一磁場圍繞著線圈而產生，且該磁場係定向為在橫向方向上(例如，沿著xy平面而在x軸與y軸之間等)。在橫向方向上的磁場同時地導致了在角度θ1、θ2、及θ3上的改變。角度θ1係形成於一橫向軸線(其通過真空埠142之開口O1的中心C1)與軸線A1(其通過多埠閥組件1300的質量中心)之間。軸線A1將頂板1304的部分1302A二等分。此外，角度θ2係形成於一橫向軸線(其通過真空埠142之開口O2的中心C2)與軸線A2(其通過多埠閥組件1300的質量中心)之間。軸線A2將頂板1304的部分1302C二等分。另外，角度θ3係形成於一橫向軸線(其通過真空埠142之開口O3的中心C3)與軸線A3(其通過多埠閥組件1300的質量中心)之間。軸線A3將頂板1304的部分1302B二等分。
When a current passes through the coil in the
在一實施例中，角度θ1、θ2、及θ3係由閥控制器(下面進一步描述該閥控制器)所控制，俾使部分1302A、1302B、及1302C相對於真空埠142的開口係處於部分開啟、關閉、或開啟的位置。
In one embodiment, the angles θ1, θ2, and θ3 are controlled by a valve controller (the valve controller will be described further below), so that the openings of the
在一實施例中，角度θ1、θ2、及θ3係由閥控制器所控制，俾使角度θ1、θ2、及θ3在任何時候為相等的。 In one embodiment, the angles θ1, θ2, and θ3 are controlled by the valve controller so that the angles θ1, θ2, and θ3 are equal at all times.
圖13A之實施例係顯示三個真空泵浦150之使用。若使用兩個真空泵浦150，則頂板1304包含彼此間隔開的兩個開口。例如，兩個開口以180度之角度位於頂板1304上，且底板147包含相對於彼此以180度定向的兩個開口。
The embodiment of FIG. 13A shows the use of three
在一實施例中，多埠閥組件1300為電漿處理腔室110的一部分。
In one embodiment, the
圖13B為頂板1304的一部分之實施例的等角視圖。頂板1304包含用於懸浮(例如，頂板1304沿著z軸的移動等)的一或更多磁鐵1332(例如，永久磁鐵、釹磁鐵、稀土金屬磁鐵等)。例如，頂板1304包含一組磁鐵(例如，2磁鐵、4磁鐵等)。一或更多磁鐵1332產生對應的一或更多磁場，該一或更多磁場係定向為在垂直方向上以促成頂板1304之懸浮。頂板1304更包含一或更多磁鐵1334(例如，永久磁鐵、釹磁鐵、稀土金屬磁鐵等)以使頂板1304沿x-y平面旋轉以對從電漿處理腔室110至真空泵浦150的材料之流量進行節流。例如，頂板1304包含沿著頂板1304之徑向區域的一系列之磁鐵以使頂板1304旋轉轉動。該徑向區域為在距離頂板1304之周邊一預定距離內的區域。該一或更多磁鐵1334產生對應的一或更多磁場，該一或更多磁場係定向為在橫向方向上以促成頂板1304之旋轉。頂板1304更包含一金屬屏蔽1336，以降低該一或更多磁鐵1332及1334所產生的磁場干擾電漿處理腔室110內之基板112(圖1)處理的機會。頂板1304的接合蓋1338對頂板1304內的一或更多磁鐵1332及1334提供掩蓋。在一實施例中，每一磁鐵1332為圓柱狀的，且每一磁鐵1334為弧狀的。如本文所使用，在一實施例中，磁鐵可為任何其它形狀，例如棒狀、馬蹄形、碟形等
Figure 13B is an isometric view of an embodiment of a portion of the
當位於邊緣部分1310(圖13A)內的線圈所產生的磁場與一或更多磁鐵1332所產生的磁場相互干涉時，頂板1304相對於底板147沿z軸懸浮以使真空埠142(圖13A)的開口密封或啟封。此外，當位於邊緣部分1312(圖13A)內的線圈
所產生的磁場與一或更多磁鐵1334所產生的磁場相互干涉時，頂板1304相對於底板147沿x-y平面旋轉以使真空埠142的開口開啟、部分開啟、或關閉。
When the magnetic field generated by the coil located in the edge portion 1310 (FIG. 13A) and the magnetic field generated by one or
在一實施例中，一或更多磁鐵1334係均等或不均等地相互間隔。相似地，在一實施例中，一或更多磁鐵1332係均等或不均等地相互間隔。
In one embodiment, one or
在一實施例中，位於邊緣部分1312中的線圈中之電流量係由閥控制器(下面將進一步描述該閥控制器)所控制，以控制頂板1304相對於底板147的旋轉量。例如，使施加至邊緣部分1312中之線圈的電流量增加或減少，俾使該電流所產生之磁場施加一力至該頂板1304，使得由通過頂板1304之質量中心及該一或更多磁鐵1334其中第一者的一水平軸線相對於x軸所形成的一角度係相同於由通過頂板1304之質量中心及該一或更多磁鐵1334其中第二者的一水平軸線相對於x軸所形成的一角度。第一及第二磁鐵在此範例中係彼此相鄰的。此外，水平軸線為位於x-y平面上的軸線。如另一範例，使施加至邊緣部分1312中之線圈的電流量增加或減少，俾使該電流所產生之磁場施加一力至該頂板1304，使得由通過頂板1304之質量中心及在第一磁鐵與第二磁鐵之間的一位置的一水平軸線相對於x軸所形成的一角度係相同於由通過頂板1304之質量中心及在第二磁鐵與第三磁鐵之間的一位置的一水平軸線相對於x軸所形成的一角度。該第三磁鐵係與第二磁鐵相鄰且位於第一磁鐵的相反側。
In one embodiment, the amount of current in the coil located in the
在一實施例中，一或更多磁鐵1332及1334係位於可動密封板170(圖2)中，以促成可動密封板170相對於底板147的懸浮或轉動。例如，一或更多磁鐵1332及1334係位於葉片144(圖3)內，以促成對該可動密封板170沿著z軸及沿著x-y平面之移動的控制。
In one embodiment, one or
在一實施例中，當葉片144(圖2)或部分1302A、1302B、及1302C處於開啟狀態(開口O1、O2、及O3並未部分地或完全地被葉片或部分1302A、1302B、及1302C所覆蓋)時，這樣的葉片144或部分1302A、1302B、及1302C之狀態在本文中有時稱為非重疊狀態。在非重疊狀態中，存在著經由開口O1、O2、及O3其中每一者的流導之最大量(相較於重疊狀態及各種程度的部分重疊狀態之流導)。在一實施例中，當葉片144(圖2)或部分1302A、1302B、及1302C處於關閉狀態(開口O1、O2、及O3完全被葉片或部分1302A、1302B、及1302C所覆蓋)時，這樣的葉片144或部分1302A、1302B、及1302C之狀態在本文中有時稱為重疊狀態。在重疊狀態中，從電漿處理腔室110的內部區域122至真空泵浦150不存在流導或僅存在最小的流導。在一實施例中，當葉片144(圖2)或部分1302A、1302B、及1302C處於部分開啟狀態(葉片或部分1302A、1302B、及1302C未使開口O1、O2、及O3完全被覆蓋且沒有使其保持敞開)時，這樣的葉片144或部分1302A、1302B、及1302C之狀態在本文中有時稱為部分重疊狀態。在部分重疊狀態中，當角度θ1、θ2、及θ3隨著時間改變，部分重疊狀態的程度亦隨時間改變。隨著角度θ1、θ2、及θ3增加，部分重疊狀態的程度提高，且與開口O1、O2、及O3其中每一者關聯的流導上升。相似地，隨著角度θ1、θ2、及θ3減少，部分重疊狀態的程度降低，且與每一開口O1、O2、及O3關聯的流導下降。
In one embodiment, when the blade 144 (FIG. 2) or the
在一實施例中，當葉片144或部分1302A、1302B、及1302C係定位在開口O1、O2、及O3上方而使得該等開口完全被葉片144或部分1302A、1302B、及1302C覆蓋且密封時，這樣的葉片144或部分1302A、1302B、及1302C之狀態為密封狀態。在一實施例中，當葉片144或部分1302A、1302B、及1302C係定位在開口O1、O2、及O3上方而使得該等開口未被葉片144或部分1302A、1302B、
及1302C所完全覆蓋且葉片144或部分1302A、1302B、及1302C係以步進的方式在垂直方向上沿著z軸移動(例如，位移等)時，這樣的葉片144或部分1302A，1302B及1302C之狀態在本文中有時稱為葉片144或部分1302A、1302B、及1302C之各種程度的非密封狀態。例如，當葉片144自底板147以垂直方向從z軸上的位置zd1移動至z軸上的位置zd2時，非密封狀態之程度改變。位置zd1係與非密封狀態的第一程度關聯，且位置zd2係與非密封狀態的第二程度關聯。
In one embodiment, when the
在一實施例中，當葉片144或部分1302A、1302B、及1302C從開啟狀態移動至關閉狀態時，在開口O1、O2、及O3的流導下降。相似地，當葉片144或部分1302A、1302B、及1302C從關閉狀態移動至開啟狀態時，在開口O1、O2、及O3的流導上升。在一實施例中，當葉片144或部分1302A、1302B、及1302C從非密封狀態移動至密封狀態時，在開口O1、O2、及O3的流導下降。此外，當葉片144或部分1302A、1302B、及1302C從密封狀態移動至非密封狀態時，在開口O1、O2、及O3的流導上升。
In one embodiment, when the
圖14為電漿處理腔室的部分1400之實施例的等角視圖。部分1400包含一基座1402(例如，晶圓載台、卡盤等)，基板112(圖1)係置於該基座上以對基板112進行處理。在基座1402下方為一多埠閥組件1406。該多埠閥組件1406包含一真空連接壁1410、複數折板1404A及1404B、及一金屬板1408，該金屬板具有複數開口(針對每一折板1404A及1404B一個)。
Figure 14 is an isometric view of an embodiment of a
折板1404A及1404B係相對於彼此而鉸接，並沿著z軸繞鉸鏈1412而旋轉。例如，一馬達(例如，步進馬達、伺服馬達等)連接至一或更多連接鏈結(例如，軸、或齒輪、或其組合等)，該一或更多連接鏈結隨著馬達之轉子的移動而在垂直方向上移動。在一實施例中，馬達、及一或更多連接鏈結、及用以驅動
該馬達之驅動器(例如，一或更多電晶體等)為作動器的零件。該一或更多連接鏈結係與折板1404A或折板1404B相接觸。一或更多連接鏈結在向上方向上的移動使折板1404A或折板1404B開啟，且一或更多連接鏈結在向下方向上的移動使折板1404A或折板1404B關閉。折板1404A及1404B係開啟及關閉以改變在電漿腔室的內部與真空泵浦150之間的流導量。
The
每一折板1404A及1404B於關閉或密封時覆蓋了金屬板1408中的一開口。例如，折板1404A覆蓋了金屬板1408中的開口，且該開口位於真空泵浦150與電漿處理腔室的一內部區域之間，部分1400係位於該內部區域中。如另一範例，折板1404B覆蓋了金屬板1408中的另一開口，且該開口位於真空泵浦150與電漿處理腔室的內部區域(部分1400係位於該內部區域中)之間。
Each of the folded
在一實施例中，一馬達經由連接鏈結而連接至折板1404A及1404B以同時將折板1404A及1404B密封、啟封、開啟、關閉、或部分開啟。例如，折板1404A相對於該等開口其中一者係開啟了一量(例如，相對於該開口所形成的角度、相對於該開口所形成的度數等)，且該量係相同於折板1404B相對於該等開口其中另一者所開啟的量。折板1404A及1404B開啟相同的量導致了與該等開口關聯之流導同時改變。該馬達係由閥控制器所控制。例如，閥控制器發送一指令信號至一驅動器，該驅動器產生電流以使馬達的轉子轉動。轉子進行旋轉使一或更多連接鏈結移動以同時地使折板1404A及1404B密封或啟封。
In one embodiment, a motor is connected to the
在一實施例中，有時將折板1404A及1404B及鉸鏈1412稱為一板，而折板1404A及1404B為該板的部分。
In an embodiment, the folded
圖15A為方法1500之實施例的流程圖，該流程圖係用以繪示使用閥控制器以調整與電漿處理腔室110(圖1)關聯之流導。方法1500係由閥控制器執行。
如本文中所使用，控制器之範例包含了處理器及記憶體裝置。如本文中所使用，處理器為特定應用積體電路、可程式化邏輯裝置、微處理器、或中央處理單元等。記憶體裝置之範例包含隨機存取記憶體(RAM)、快閃記憶體、唯讀記憶體、磁碟陣列、光碟、硬碟等。
15A is a flowchart of an embodiment of a
方法1500包含監控與電漿處理腔室110關聯之條件的操作1502。例如，一壓力感測器係用以感測電漿處理腔室110中的壓力。該壓力感測器係位於該內部區域122(圖1)內。在一實施例中，壓力感測器的一部分係位於內部區域122內，且壓力感測器的其餘部分係位於內部區域122外。如另一範例，藉由流率感測器(例如，流量計等)而測量從內部區域122(圖1)流過真空埠142(圖3)至真空泵浦150(圖1)的材料(例如，電漿處理之殘留物、氣體、電漿等)流動之流率。
The
所監控的條件係提供至閥控制器。一旦接收到條件，在操作1504中，閥控制器對連接至該閥控制器的作動器進行指示以調整硬式可動密封板170(圖3)或頂板1304(圖13A)的位置，以引起從電漿處理腔室110經由真空埠142的開口O1、O2、及O3至真空泵浦150之流導(例如，流量等)的調整。例如，閥控制器發送一信號至作動器以使具有葉片144的硬式可動密封板170、或具有部分1302A、1302B、及1302C的頂板1304在垂直方向上(例如，沿著z軸等)向上或向下移動以調整流導。當藉由閥控制器經由作動器進行控制時，整合至可動密封板170中之葉片144促成了葉片144的同時移動，且整合至頂板1304中的部分1302A、1302B、及1302C促成了部分1302A、1302B、及1302C的同時移動。當葉片144或部分1302A、1302B、及1302C同時移動時，通過底板147(圖2)之開口O1、O2、及O3其中每一者的流導同時改變。例如，在從內部區域122(圖1)經由開口O1至第一真空泵浦150(該第一真空泵浦與開口O1介接)之流導上的改變係與在從內部區域
122經由開口O2至第二真空泵浦150(該第二真空泵浦與開口O2介接)之流導上的改變、及從內部區域122經由開口O3至第三真空泵浦150(該第三真空泵浦與開口O3介接)之流導上的改變相同。如另一範例，閥控制器發送一信號至作動器而使硬式可動密封板170或頂板1304在橫向方向上移動以使與真空埠142關聯之開口O1、O2、及O3開啟、或部分開啟、或關閉。在操作1504之後，重複操作1502。在一實施例中，操作1502係與操作1504同時執行。
The monitored conditions are provided to the valve controller. Once the condition is received, in
在一實施例中，流導係與所有的真空埠142關聯。例如，將流量感測器置於內部區域122內或內部區域122外以測量通過開口O1(開口O1係與該等真空埠142其中一者關聯)之流動的流率，將另一流量感測器置於內部區域122內或內部區域122外以測量通過開口O2(開口O2係與該等真空埠142其中另一者關聯)之流動的流率，並將再另一流量感測器置於內部區域122內或內部區域122外以測量通過開口O3(開口O3係與該等真空埠142其中再另一者關聯)之流動的流率。閥控制器接收與開口O1、O2、及O3關聯的複數流率(該等開口O1、O2、及O3係與該等真空埠142關聯)，並將該等流率加總以達成與電漿處理腔室110或與三個真空埠142關聯的流導。
In one embodiment, the flow guide is associated with all the
在一實施例中，圖15A的方法適用於圖14之多埠閥組件1406。例如，在操作1502中監控與使用圖14所繪示之電漿處理腔室關聯的條件之後，閥控制器對作動器(例如，連接至馬達的驅動器等)進行指示，以藉由使折板繞鉸鏈1412(圖14)轉動而讓折板1404A及1404B(圖14)在垂直方向上作動。
In one embodiment, the method of FIG. 15A is applicable to the
圖15B為方法1520之實施例的流程圖，該方法係用以根據一配方操作多埠閥組件(例如，多埠閥組件160(圖2)、多埠閥組件1300(圖13A)等)。該配方包含用以處理基板112的一或更多參數(例如，壓力、溫度、上與下電極之間的間隙、
流入電漿處理腔室110的一或更多處理氣體之流率、供應至電漿處理腔室110的一或更多RF信號110的一或更多頻率、一或更多RF信號的一或更多功率位準等)。在基板112上執行的各種處理之範例包含了在基板112上沉積材料、對基板112或沉積在基板112上的層進行蝕刻、清洗基板112等。在一實施例中，閥控制器從連接至閥控制器的主機控制器接收配方。例如，閥控制器從主機控制器接收欲於內部區域122(圖1)中維持的操作壓力或操作流導。
FIG. 15B is a flowchart of an embodiment of a
方法1520包含了根據配方而操作多埠閥組件的操作1522。例如，閥控制器控制作動器以進一步控制硬式可動密封板170(圖3)或頂板(圖13A)的移動而使得操作壓力及/或操作流導被維持。如另一範例，閥控制器儲存了一查閱表，該查閱表具有真空埠142之開口開啟的量與操作壓力及/或操作流導之間的對應關係。閥控制器基於操作壓力及/或操作流導而從查閱表辨識真空埠142之開口開啟的量。閥控制器發送一信號至作動器以達成真空埠142之開口開啟的量。
The
方法1502更包含一操作1524，該操作指示作動器調整硬式可動密封板170或頂板(圖13A)的位置以引起從內部區域122經由真空埠142的開口至真空泵浦150的流導之調整。例如，閥控制器根據在操作壓力及/或操作流導上的改變而從查閱表辨識出真空埠142開啟的量為應修改的。為了達成修改的量，真空控制器發送一信號至作動器以使真空埠142的開口開啟、或關閉、或進一步部分開啟、及/或進一步部分關閉。
The
在一實施例中，圖15B的方法1520適用於圖14的多埠閥組件1406。例如，在執行根據配方而操作多埠閥組件1406的操作1522之後，閥控制器指示作動器(例如，連接至馬達的驅動器等)使折板1404A及1404B(圖14)繞鉸鏈1412(圖
14)旋轉以進一步調整流導。流導為由圖14中所繪示的電漿腔室經由金屬板1408(圖14)中的開口至真空泵浦150(圖14)的材料之流動的導率。
In one embodiment, the
圖16A為電漿處理系統1600之實施例的方塊圖，用以繪示使用閥控制器1602及作動器子系統1606控制多埠閥組件1610(例如，多埠閥組件160(圖1)、多埠閥組件1300(圖13A)等)之操作。系統1600包含電漿處理腔室110、真空泵浦150、作動器子系統1606、閥控制器1602、及處理模組1608。作動器子系統1606之範例包含作動器1622A(圖16B)及作動器1622B(圖16B)。處理模組1608為主機控制器之範例。在一實施例中，處理模組1608為主控制器的處理器所執行之電腦軟體程式的一部分。主機控制器藉由控制電漿處理系統的各樣元件而執行配方。各樣元件之範例包含馬達及一或更多連接鏈結、閥、加熱器、及真空泵浦150等，該一或更多連接鏈結係連接至該馬達以改變電漿處理腔室110的上與下電極之間的間隙而控制基板112的處理，該閥控制了至電漿處理腔室110的氣體流動量以控制基板112的處理，該加熱器提供一電流信號以加熱電漿處理腔室110中的電極而控制基板112的處理之溫度，該等真空泵浦係操作以達成從內部區域122至內部區域112之外的材料流動量以於基板112的處理期間內控制電漿處理腔室110內的壓力。
16A is a block diagram of an embodiment of the
閥控制器1602從處理模組1608接收配方，並控制作動器子系統1606以進一步調整硬式可動密封板170(圖3)的葉片144(圖3)之位置或頂板1304的部分1302A、1302B、及1302C(圖13A)之位置。壓力感測器1604監控電漿處理腔室110之內部區域122中的壓力，並將所監控的壓力提供至閥控制器1602。閥控制器1602對所監控的壓力與配方中所指定的操作壓力進行比較，以判定所監控的壓力是否在操作壓力的一預定臨界值內。一旦判定所監控的壓力係在操作壓力的
預定臨界值內，閥控制器1602不發送信號至作動器子系統1606來改變硬式可動密封板170(圖3)的葉片144(圖3)、或頂板1304的部分1302A、1302B、及1302C(圖13A)相對於真空埠142的開口(圖3及圖13A)之位置。
The
另一方面，一旦判定所監控的壓力係在操作壓力的預定臨界值之外，閥控制器1602發送一信號至作動器子系統1606。一旦接收到該信號，作動器子系統1606移動葉片144或部分1302A、1302B、及1302C以使真空埠142的該等開口開啟、關閉、或部分開啟而達成操作配方中的壓力。
On the other hand, once it is determined that the monitored pressure is outside the predetermined critical value of the operating pressure, the
圖16B包含了系統1620及系統1622之方塊圖以繪示閥控制器1602及作動器的功能性，該閥控制器及作動器係用以控制磁場以進一步改變硬式可動密封板170(圖3)的葉片144(圖3)、或頂板1304的部分1302A、1302B、及1302C(圖13A)相對於真空埠142的開口O1、O2、及O3(圖3及圖13A)之位置。系統1620包含閥控制器1602及作動器1622A，該作動器1622A包含電流產生器1626A及在邊緣部分1312(圖13A)中的線圈。電流產生器之範例包含一或更多電晶體。系統1620更包含一或更多磁鐵1334。
Figure 16B contains a block diagram of the
閥控制器1602發送一命令信號至電流產生器1626A以產生一電流信號。該電流信號係由電流產生器1626A在從閥控制器1602接收到該命令信號之後產生。電流係從電流產生器1626A提供至邊緣部分1312中的線圈。邊緣部分1312中的線圈在從電流產生器1626A接收到電流信號之後在橫向方向上產生一橫向磁場1。此外，一或更多磁鐵1334為產生一或更多橫向磁場2的固定(例如，永久等)磁鐵。在一實施例中，橫向磁場2具有與橫向磁場1之方向相反的方向。橫向磁場1與一或更多橫向磁場2相互干涉，以相對於與真空埠142關聯的開口O1、
O2、及O3(圖3)而使可動密封板170的葉片144(圖3)或頂板1304的部分1302A、1302B、及1302C(圖13A)開啟、關閉、或部分開啟。
The
系統1622更包含閥控制器1602及作動器1622B，該作動器1622B包含電流產生器1626B及邊緣部分1310(圖13A)中的線圈。系統1622更包含一或更多磁鐵1332。
The
閥控制器1602發送一命令信號至電流產生器1626B以產生一電流信號。該電流信號係由電流產生器1626B在從閥控制器1602接收到該命令信號之後產生。電流係從電流產生器1626B提供至邊緣部分1310中的線圈。邊緣部分1310中的線圈在從電流產生器1626B接收到電流信號之後在垂直方向上產生一垂直磁場1。此外，一或更多磁鐵1332為產生一或更多垂直磁場2的固定磁鐵。在一實施例中，垂直磁場2具有與垂直磁場1之方向相反的方向。垂直磁場1與一或更多垂直磁場2相互干涉，以相對於與真空埠142關聯的開口(圖3)而使可動密封板170的葉片144(圖3)或頂板1304的部分1302A、1302B、及1302C(圖13A)密封或啟封。
The
在一實施例中，閥控制器1602控制作動器1622A及作動器1622B以達成葉片144或部分1302A、1302B、及1302C之週期***錯的旋轉及垂直移動。例如，閥控制器1602發送一信號至作動器1622A以修改第一時間週期的橫向場1而使葉片144或部分1302A、1302B、及1302C在第一時間週期旋轉。接著，閥控制器1602發送一信號至作動器1622B以修改第二時間週期的垂直場1而使葉片144或部分1302A、1302B、及1302C在第二時間週期垂直地移動。然後，閥控制器1602發送一信號至作動器1622A以修改第三時間週期的橫向場1而使葉片144或部分1302A、1302B、及1302C在第三時間週期旋轉。第一時間週期相等於第二
時間週期，而第二時間週期相等於第三時間週期。在一實施例中，第一時間週期不相等於(例如，大於、小於等)第二時間週期與第三時間週期其中至少一者。
In one embodiment, the
圖17A為方法1700之實施例的流程圖，該方法係用以控制硬式可動密封板170(圖3)的葉片144(圖3)或頂板1304的部分1302A、1302B、及1302C(圖13A)之位置。方法1700包含一操作1702，該操作係用以感測與電漿處理腔室110的內部區域122(圖1)關聯的一參數(例如，條件等)。例如，在內部區域122中的壓力係由壓力感測器所測量，或者與開口O1、O2、及O3關聯的流率(開口O1、O2、及O3係與真空埠142(圖3)關聯)係由一或更多流量計所測量，該一或更多流量計可置於內部區域122之內或電漿處理腔室110之外。
FIG. 17A is a flowchart of an embodiment of a
所感測的參數係從一感測器(例如，壓力感測器1604(圖16A)、一或更多流量計等)提供至閥控制器1602(圖16A)。在操作1704中，閥控制器1602根據所感測的參數而判定所感測到的參數之位準(例如，量等)是否為應改變的。例如，閥控制器1602對感測到的參數與配方中的參數進行比較，以基於該比較而判定所感測到的參數不在該參數的一預定臨界值內。一旦判定所感測到的參數不在參數的預定臨界值內，閥控制器1602判定所感測到的參數為應改變的。另一方面，一旦判定所感測到的參數在參數的預定臨界值內，閥控制器1602判定所感測到的參數不是應改變的。
The sensed parameters are provided from a sensor (e.g., pressure sensor 1604 (FIG. 16A), one or more flow meters, etc.) to valve controller 1602 (FIG. 16A). In
一旦判定所感測到的參數之位準為應改變的，閥控制器1602辨識相對於與真空埠142(圖3)關聯的開口O1、O2、及O3而言可動密封板170的葉片144(圖3)或頂板1304的部分1302A、1302B、及1302C(圖13A)之位置。例如，讀取儲存在閥控制器1602的記憶體裝置中的查閱表以判定相對於底板147(圖3)的開口O1、O2、及O3而言葉片144或部分1302A、1302B、及1302C之位置。此外，
讀取該查閱表以判定應由電流產生器1626A及1626B(圖16B)產生的電流量以達成葉片144或部分1302A、1302B、及1302C之位置。
Once it is determined that the level of the sensed parameter should be changed, the
在方法1700的操作1706中，閥控制器1602控制可動密封板170的葉片144或頂板1304的部分1302A、1302B、及1302C來達成該參數以減少或消除在感測到的參數與配方的參數之間的差，俾使配方的參數與感測到的參數係在該預定臨界值內。例如，閥控制器1602發送一命令信號至作動器子系統1606(圖16A)。該命令信號包含了應由邊緣部分1310及1312(圖13A)中之線圈產生的電流之複數位準(例如，量等)。一旦接收到該指令信號，作動器子系統1606產生該等位準的電流信號以例如使葉片144或部分1302A、1302B、及1302C相對於開口O1、O2、及O3而密封、啟封、開啟、部分開啟、或關閉等。所產生之該等位準的電流信號促使可動密封板170的葉片144或頂板1304的部分1302A、1302B、及1302C達成相對於開口O1，O2，及O3而言的該等位置(例如，角度θ1、θ2、θ3、z軸位置zd等)，俾使配方的參數與感測到的參數係在該預定臨界值內。該z軸位置zd係該等葉片144其中每一者相對於底板147之位置，或者該等部分1302A、1302B、及1302C其中每一者相對於底板147的位置。在操作1706之後，重複方法1700。
In
吾人應注意，本文中有時候將可動密封板170或頂板1304稱為閥。
It should be noted that the
在一實施例中，圖17A的方法1700適用於圖14的多埠閥組件1406。例如，在對與圖14中所繪示之電漿處理腔室的內部區域關聯的一參數(例如，壓力等)進行感測(於操作1702中)、及判定該參數之位準是否係應改變的之後，閥控制器指示作動器(例如，連接至馬達的驅動器等)使折板1404A及1404B(圖14)繞鉸鏈1412(圖14)旋轉以控制該參數。例如，閥控制器辨識與該參數對應(例如，具有映射關係、有一對一的對應關係等)之電流量，並將該電流量提供至驅動器以
藉由該驅動器產生該電流量。該電流量亦對應於折板1404A及1404B相對於對應開口之旋轉量。
In one embodiment, the
圖17B為方法1720之實施例的流程圖，用以繪示可動密封板170係在橫向方向上移動以達成在流導上的高位準改變，且係在垂直方向上移動以達成在流導上的低位準改變。在方法1720期間，真空泵浦150(圖1)係以全功率(例如，真空泵浦可操作之最大功率、真空泵浦的最大規定操作功率、尖峰功率等)進行操作。真空泵浦150在方法1720的操作1732係以全功率進行操作。
17B is a flow chart of an embodiment of the
此外，在方法1720的操作1722中，閥控制器1602(圖16A)判定在從內部區域122(圖1)至真空泵浦150之流導上的一低位準改變是否為應達成的。例如，該低位準改變基於該配方(例如，為了達成配方中所指定的壓力、為了達成配方中所指定的流導等)及用以完成低位準改變的時間量為應達成的。如另一範例，若應於內部區域122內達成的壓力係在所感測到的壓力或電漿處理腔室110(圖1)當前運作之壓力的一預定範圍內，且該應達成之壓力可在小於一預定時間週期的一時間週期內達成，則應施加在流導上的低位準改變以達成該壓力。
In addition, in operation 1722 of
一旦判定低位準的流導改變係應達成的，閥控制器1602在操作1724中控制可動密封板170的葉片144或頂板1304的部分1302A、1302B、及1302C在垂直方向上移動。例如，閥控制器1602從閥控制器1602的記憶體裝置辨識一電流量以發送至邊緣部分1310(圖16B)中之線圈。該電流量係從閥控制器1602發送至電流產生器1626B(圖16B)。電流產生器1626B產生具有該電流量的一電流信號，並將該電流信號發送至邊緣部分1310中的線圈。邊緣部分1310中的線圈對在z軸方向上的一磁場進行修改(該磁場與一或更多磁鐵1332(圖16B)所產生的一或更多垂直磁場相互作用)，以改變可動密封板170的葉片144或頂板1304的部分
1302A、1302B、及1302C相對於底板147(圖2及13A)而言之zd位置(例如，向上移動、向下移動等)。
Once it is determined that the low-level conductance change system should be achieved, the
另一方面，一旦判定低位準的流導改變不是應達成的，則在方法1720的操作1726中，閥控制器1602判定在從內部區域122(圖1)至真空泵浦150之流導上的一高位準改變是否為應達成的。例如，該高位準改變基於該配方(例如，為了達成配方中所指定的壓力、為了達成配方中所指定的流導等)及用以完成高位準改變的時間量係應達成的。如另一範例，若應於內部區域122內達成的壓力係在所感測到的壓力或電漿處理腔室110(圖1)當前運作之壓力的一預定範圍外，且該應達成之壓力無法在小於一預定時間週期的一時間週期內達成，則應施加在流導上的高位準改變以達成該壓力。
On the other hand, once it is determined that the low-level conductance change should not be achieved, in
一旦判定流導的高位準改變係應達成的，閥控制器1602在操作1728中控制可動密封板170的葉片144或頂板1304的部分1302A、1302B、及1302C在橫向方向上移動。例如，閥控制器1602從閥控制器1602的記憶體裝置辨識一電流量以發送至邊緣部分1312(圖16B)中之線圈。該電流量係從閥控制器1602發送至電流產生器1626A(圖16B)。電流產生器1626A產生具有該電流量的一電流信號，並將該電流信號發送至邊緣部分1312中的線圈。邊緣部分1312中的線圈對在橫向方向上的一磁場進行修改(該磁場與一或更多磁鐵1334(圖16B)所產生的一或更多橫向磁場相互干涉)，以同時地改變可動密封板170的該等葉片144或同時地改變頂板1304的該等部分1302A、1302B、及1302C相對於底板147(圖2及13A)而言之位置(例如，角度θ1、θ2、及θ3等)。吾人應注意，真空泵浦150在方法1720之所有操作1732、1722、1724、1726、及1728期間內皆係以全功率進行操作。
Once it is determined that the high-level change of conductance should be achieved, the
圖18A為方法1800之實施例的流程圖，該方法係用以根據在所感測的參數上之改變而控制該多埠閥組件160(圖2)或1300(圖13A)。方法1800係參照圖18B之電漿處理系統1850而描述。方法1800係於達成電漿處理腔室110(繪示於圖18B中)中的一壓力之後執行。該壓力係藉由操作一粗抽泵浦(roughing pump)而達成，該粗抽泵浦亦繪示於圖18B中。例如，操作粗抽泵浦以使電漿處理腔室110中的壓力降低直到達成一預定量的降低壓力。真空泵浦150(繪示於圖18B中)係於電漿處理腔室110內達到該降低壓力之後進行操作。
FIG. 18A is a flowchart of an embodiment of a
方法1800包含一操作1802，該操作係用以感測電漿處理腔室110(圖1)內的參數(例如，壓力等)。該感測係由壓力感測器完成。
The
所感測的參數係從壓力感測器發送至閥控制器1602(繪示於圖18B中)。閥控制器1602於操作1804中判定所感測到的參數之位準是否在一預定正常操作範圍內。例如，閥控制器1602對所感測到的參數之位準與配方中所列出的一預先儲存參數進行比較，以判定所感測到的參數之位準是否在該預先儲存參數的一預定臨界值內。一旦判定所感測到的參數之位準係在該預先儲存參數的預定臨界值內，則閥控制器1602判定所感測的參數之位準係在預定正常操作範圍內。例如，一旦判定所感測到的參數之位準係低於該預先儲存參數的該預定臨界值，則閥控制器1602判定所感測到的參數之位準係在預定正常操作範圍內。另一方面，一旦判定所感測到的參數之位準不在該預先儲存參數的預定臨界值內，則閥控制器1602判定所感測到的參數之位準不在預定正常操作範圍內。例如，一旦判定所感測到的參數之位準高於該預先儲存參數的預定臨界值，則閥控制器1602判定所感測到的參數之位準不在預定正常操作範圍內。
The sensed parameters are sent from the pressure sensor to the valve controller 1602 (shown in Figure 18B). The
此外，一旦判定所感測到的參數之位準係在預定正常操作範圍內，則閥控制器1602於操作1808中控制可動密封板170(圖2)或頂板1304(圖13A)垂直地或在橫向方向上移動。例如，閥控制器1602根據配方而控制作動器1606(繪示於圖18B中)，使得可動密封板170或頂板1304相對於開口O1至O3(圖2及13A)移動以改變角度θ1、θ2、及θ3、或改變在垂直方向上的距離zd、或其組合。
In addition, once it is determined that the level of the sensed parameter is within the predetermined normal operating range, the
另一方面，一旦判定所感測到的參數之位準為不在預定正常操作範圍內，在操作1806中閥控制器1602控制作動器1606將可動密封板170(圖2)移動，俾使葉片144(圖3)在一預定時間量內(例如，少於兩秒等)將底板147(圖2)的開口O1、O2、及O3密封或關閉。在一實施例中，於操作1806中，閥控制器1602控制作動器1606將頂板1304移動，俾使部分1302A、1302B、及1302C係在開口O1、O2、及O3被覆蓋的關閉位置、或密封位置。操作1806避免了對真空泵浦150造成損壞。在所感測的參數上超過預定正常操作範圍的改變可能是電漿處理腔室110中的破損晶圓或電漿處理腔室110中的受損零件(例如，電極、限制環、電極延伸部、邊緣環等)所導致。若開口O1、O2、及O3保持開啟更長的時間，則可能對真空泵浦150(例如，真空泵浦150的扇葉等)造成損壞。可藉由在判定所感測的參數在預定正常操作範圍之外後立刻關閉開口O1、O2、及O3而防止該損壞。
On the other hand, once it is determined that the level of the sensed parameter is not within the predetermined normal operating range, in operation 1806, the
此外，使用單一的閥控制器1602促成了開口O1、O2、及O3之快速關閉。相較於藉由葉片144或部分1302A、1302B、及1302C關閉開口O1至O3，關閉兩個閥需要花更多的時間。此外，若缺乏溝通或控制複數閥的複數控制器之間進行通信時發生故障，則該等閥可能無法關閉或可能無法準時關閉。在使用閥控制器1602的情況下，不存在主控制器與從屬控制器，因此缺乏溝通或故障的機會減少至零。
In addition, the use of a
在一實施例中，圖18A的方法1800適用於圖14的多埠閥組件1406。例如，在對與圖14中所繪示之電漿處理腔室的內部區域關聯的一參數進行感測(於操作1802中)、及判定該參數之位準是否在預定正常操作範圍內之後，閥控制器指示作動器(例如，連接至馬達的驅動器等)使折板1404A及1404B(圖14)繞鉸鏈1412(圖14)旋轉以將金屬板1406(圖14)中的開口密封。另一方面，一旦判定該參數之位準係在預定正常操作範圍內，閥控制器根據配方而指示作動器使折板1404A及1404B繞鉸鏈1412旋轉。
In one embodiment, the
圖18B為電漿處理系統1850之實施例的方塊圖，該方塊圖係用以繪示圖18A的方法1800。電漿處理系統1850包含了粗抽泵浦以及圖16A中所繪示的其他元件。
18B is a block diagram of an embodiment of a
圖19顯示曲線圖1902、1904、及1906以繪示隨著可動密封板170(圖2)或頂板1304(圖13A)的移動而在從內部區域122(圖1)至真空泵浦150(圖1)的流導上的改變。曲線圖1902繪示當可動密封板170或頂板1304相對於底板147(圖2)而在垂直方向上從一密封位置移動距離zd至一非密封位置時，在流導上的改變為線性的。曲線圖1904繪示當將可動密封板170或頂板1304移動以旋轉而相對於底板147使角度θ1、θ2、及θ3從一關閉位置改變至一或更多漸進式的部分開啟位置並進一步至一開啟位置時，在流導上的改變為非線性的。曲線圖1906繪示當可動密封板170或頂板1304同時進行垂直移動及轉動時(旋轉與在垂直方向上之移動互相交錯並週期性地重複)，在流導上的改變為線性及非線性之組合。例如，曲線圖1906代表了當可動密封板170自密封且關閉的位置垂直移動一時間週期、接著旋轉該時間週期、接著垂直地移動該時間週期、並依此類推直到可動密封板170處於開啟位置且處於非密封位置時在流導上的改變。
Figure 19 shows
雖然各樣的機械系統之實施例可運作以對可動密封板170或頂板1304在橫向方向、密封方向、或兩方向上之移動進行作動及/或限制，但吾人應理解，這些實施例僅為說明性的，且可使用其它機械之實施例以使可動密封板170或頂板1304於關閉、部分開啟、及開啟狀態之間轉換。
Although various embodiments of mechanical systems can operate to actuate and/or restrict the movement of the
吾人應注意，在本文中可使用術語「實質上」及「約」來表示固有的不確定性程度，該固有的不確定性程度可歸因於任何量化的比較、值、測量、或其它表現形式。本文中亦將這些術語用來表示在不會導致討論之標的物在基本功能上改變的情況下，量化的表現型式可能從指定的基準偏離之程度。 We should note that the terms "substantially" and "about" may be used in this article to indicate the inherent degree of uncertainty, which can be attributed to any quantitative comparison, value, measurement, or other performance form. In this article, these terms are also used to indicate the extent to which the quantitative expression pattern may deviate from the specified benchmark without causing the basic function of the subject of discussion to change.
本文中所述之實施例可以各樣的電腦系統結構來實施，其中包括了手持硬體單元、微處理器系統、基於微處理器或可程式化之消費電子產品、微電腦、大型電腦、及類似裝置。實施例亦可在分散式計算環境中實施，其中任務係透過電腦網路連線之遠端處理硬體單元而執行。 The embodiments described in this document can be implemented in various computer system structures, including handheld hardware units, microprocessor systems, microprocessor-based or programmable consumer electronics, microcomputers, mainframe computers, and the like Device. The embodiments can also be implemented in a distributed computing environment, where tasks are performed by remote processing hardware units connected to a computer network.
在一些實行例中，控制器為系統的一部分，其可為上述範例的一部分。這樣的系統包含了半導體處理設備，半導體處理設備包含一或更多處理工具、一或更多腔室、用於處理的一或更多平臺、及/或特定處理元件(基板基座、氣流系統等)。這些系統係與電子設備整合，以於在半導體晶圓或基板處理之前、期間、及之後控制系統的操作。電子設備可稱作為「控制器」，其可控制一或更多系統之各種元件或子部分。依據系統的處理需求及/或類型，控制器可加以編程以控制本文中所揭露的任何製程，其中包含：處理氣體的輸送、溫度設定(例如，加熱及/或冷卻)、壓力設定、真空設定、功率設定、RF產生器設定、RF匹配電路設定、頻率設定、流率設定、流體輸送設定、位置及操作設定、出入工具、及其他轉移工具、及/或與系統連接或介接的負載鎖室之基板轉移。 In some implementations, the controller is part of the system, which can be part of the above example. Such systems include semiconductor processing equipment, which includes one or more processing tools, one or more chambers, one or more platforms for processing, and/or specific processing elements (substrate base, airflow system) Wait). These systems are integrated with electronic equipment to control the operation of the system before, during, and after semiconductor wafer or substrate processing. Electronic equipment can be called a "controller", which can control various elements or sub-parts of one or more systems. Depending on the processing requirements and/or types of the system, the controller can be programmed to control any of the processes disclosed in this article, including: processing gas delivery, temperature setting (for example, heating and/or cooling), pressure setting, and vacuum setting , Power setting, RF generator setting, RF matching circuit setting, frequency setting, flow rate setting, fluid delivery setting, position and operation setting, access tools, and other transfer tools, and/or load locks connected or interfaced with the system The substrate transfer of the chamber.
廣義而言，在各樣的實施例中，控制器係定義為電子設備，其具有各種不同的積體電路、邏輯、記憶體、及/或軟體，其接收指令、發布指令、控制操作、啟用清潔操作、啟用終點量測等。積體電路包含儲存程式指令之韌體形式的晶片、數位信號處理器(DSP)、定義為特殊應用積體電路(ASIC)的晶片、可程式化邏輯裝置(PLD)、及/或一或更多微處理器、或執行程式指令(例如軟體)的微控制器。程式指令為以各種個別設定(或程式檔案)的形式而通訊至控制器的指令，該等設定定義了用以在半導體晶圓上或對半導體晶圓或對系統實行特定製程的操作參數。在一些實施例中，該等操作參數為由製程工程師定義之配方的部分，以在一或複數層、材料、金屬、氧化物、矽、二氧化矽、表面、電路、及/或晶圓的晶粒之製造期間內完成一或複數處理步驟。 Broadly speaking, in various embodiments, the controller is defined as an electronic device, which has various integrated circuits, logic, memory, and/or software, which receives commands, issues commands, controls operations, and enables Clean operation, enable end point measurement, etc. The integrated circuit includes a chip in the form of firmware that stores program instructions, a digital signal processor (DSP), a chip defined as a special application integrated circuit (ASIC), a programmable logic device (PLD), and/or one or more Multiple microprocessors, or microcontrollers that execute program instructions (such as software). Program instructions are instructions communicated to the controller in the form of various individual settings (or program files), and these settings define operating parameters used to implement specific processes on a semiconductor wafer or on a semiconductor wafer or on a system. In some embodiments, the operating parameters are part of a recipe defined by a process engineer, with one or more layers, materials, metals, oxides, silicon, silicon dioxide, surfaces, circuits, and/or wafers One or more processing steps are completed during the manufacturing of the die.
在一些實施例中，控制器為電腦的一部分或連接至電腦，該電腦係與系統整合、連接至系統、以其他方式網路連至系統、或其組合。舉例而言，控制器可為在「雲端」或工廠主機電腦系統的整體或部分，其可允許晶圓處理的遠端存取。該電腦可允許針對系統的遠端存取以監控製造操作的當前進度、檢查過往製造操作的歷史、檢查來自複數個製造操作的趨勢或性能度量、改變目前處理的參數、設定目前操作之後的處理步驟、或開始新的處理。 In some embodiments, the controller is a part of the computer or is connected to the computer, the computer is integrated with the system, connected to the system, connected to the system in other ways via a network, or a combination thereof. For example, the controller can be the whole or part of the host computer system in the "cloud" or factory, which can allow remote access to wafer processing. The computer allows remote access to the system to monitor the current progress of manufacturing operations, check the history of past manufacturing operations, check trends or performance metrics from multiple manufacturing operations, change the current processing parameters, and set the processing after the current operation Step, or start a new process.
在一些實施例中，遠端電腦(例如伺服器)可透過網路提供製程配方給系統，該網路可包含區域網路或網際網路。遠端電腦可包含使用者介面，其允許參數及/或設定的輸入或編程，這些參數及/或設定係接著從遠端電腦被傳遞至系統。在一些範例中，控制器接收數據形式的指令，其指定了一或更多操作期間內欲執行的每一處理步驟之參數。吾人應理解參數係專門用於欲執行之製程類型、及控制器與其介接或對其進行控制之工具類型。因此，如上面所述，控 制器可為分散式的，例如藉由包含一或更多分散的控制器，其由網路連在一起且朝共同的目的作業(例如完成本文中所述之製程)。一個用於此等目的之分散式控制器之範例包含腔室上的一或複數積體電路，連通位於遠端(例如在平台級或作為遠端電腦的一部分)的一或複數積體電路，其結合以控制腔室中的製程。 In some embodiments, a remote computer (such as a server) can provide process recipes to the system via a network, and the network can include a local area network or the Internet. The remote computer may include a user interface that allows input or programming of parameters and/or settings, which are then transferred from the remote computer to the system. In some examples, the controller receives instructions in the form of data, which specify the parameters of each processing step to be executed during one or more operation periods. We should understand that the parameters are specifically used for the type of process to be executed, and the type of tool that the controller interfaces with or controls it. Therefore, as mentioned above, control The controller can be distributed, for example, by including one or more distributed controllers that are connected together by a network and work toward a common purpose (such as completing the processes described herein). An example of a distributed controller used for these purposes includes one or more integrated circuits on the chamber, connected to one or more integrated circuits located remotely (for example, at the platform level or as part of a remote computer), It is combined to control the process in the chamber.
在各樣的實施例中，不受限制地，範例性系統包含電漿蝕刻腔室或模組、沉積腔室或模組、旋轉-潤洗腔室或模組、金屬電鍍腔室或模組、清潔腔室或模組、斜邊蝕刻腔室或模組、物理氣相沉積(PVD)腔室或模組、化學氣相沉積(CVD)腔室或模組、原子層沉積(ALD)腔室或模組、原子層蝕刻(ALE)腔室或模組、離子植入腔室或模組、軌道腔室或模組、及任何可關聯或使用於半導體晶圓的製造及/或生產中之其他的半導體處理系統。 In various embodiments, without limitation, exemplary systems include plasma etching chambers or modules, deposition chambers or modules, spin-rinsing chambers or modules, metal plating chambers or modules , Clean chamber or module, bevel etching chamber or module, physical vapor deposition (PVD) chamber or module, chemical vapor deposition (CVD) chamber or module, atomic layer deposition (ALD) chamber Chamber or module, atomic layer etching (ALE) chamber or module, ion implantation chamber or module, orbital chamber or module, and any related or used in the manufacturing and/or production of semiconductor wafers Other semiconductor processing systems.
吾人更應注意，雖然上述操作在一些實施例中係用於平行板電漿腔室，例如電容耦合電漿腔室等。但是在一些實施例中，上述的操作適用於其他類型的電漿腔室，例如一包括感應耦合電漿(ICP)反應器、變壓耦合電漿(TCP)反應器、導體工具、介電工具的電漿腔室、一包括電子迴旋共振(ECR)反應器的電漿腔室、等。 It should be noted that although the above operations are used in parallel-plate plasma chambers, such as capacitively coupled plasma chambers, in some embodiments. However, in some embodiments, the above-mentioned operations are applicable to other types of plasma chambers, such as an inductively coupled plasma (ICP) reactor, a transformer coupled plasma (TCP) reactor, a conductor tool, and a dielectric tool. The plasma chamber, a plasma chamber including an electron cyclotron resonance (ECR) reactor, etc.
如上面所述，依據欲由工具執行的處理步驟，控制器可與下述通訊：一或更多其他工具電路或模組、其他工具元件、群組工具、其他工具介面、毗鄰工具、相鄰工具、位於工廠各處的工具、主電腦、另一個控制器、或用於材料傳送的工具，該等用於材料傳送的工具將晶圓的容器攜帶進出半導體生產工廠內的工具位置及/或裝載埠。 As mentioned above, depending on the processing steps to be executed by the tool, the controller can communicate with the following: one or more other tool circuits or modules, other tool components, group tools, other tool interfaces, adjacent tools, adjacent Tools, tools located throughout the factory, a host computer, another controller, or tools for material transfer, which carry wafer containers in and out of the tool locations and/or in the semiconductor production plant Load port.
在了解上面的實施例後，吾人應理解該等實施例其中一些使用了各種不同電腦所實行的操作，其中操作涉及儲存在電腦系統中的資料。這些電腦 實行操作係對物理量進行操縱的操作。本文中描述之任何構成本發明部分的操作為有用的機械操作。 After understanding the above embodiments, we should understand that some of these embodiments use operations performed by various computers, and the operations involve data stored in the computer system. These computers The operation system is the operation of manipulating physical quantities. Any operations described herein that form part of the present invention are useful mechanical operations.
該等實施例其中一些亦關於用以執行這些操作的硬體單元或設備。該等設備係特別為特殊用途電腦而建構。當被定義為特殊用途電腦時，該電腦在仍可執行特殊用途的同時，亦可執行非特殊用途部分之其他處理、程式執行、或例行程序。 Some of these embodiments also relate to hardware units or devices used to perform these operations. These devices are specially constructed for special purpose computers. When defined as a special-purpose computer, the computer can still perform special purposes while also performing other processing, program execution, or routine procedures for non-special-purpose parts.
在一些實施例中，操作可由一電腦執行，其中該電腦係被一或更多儲存在電腦記憶體或透過網路所得到的電腦程式選擇性地啟動或配置。當透過電腦網路得到資料時，該資料係藉由電腦網路上的其他電腦來處理，例如，雲端的計算資源。 In some embodiments, the operation can be performed by a computer, wherein the computer is selectively activated or configured by one or more computer programs stored in computer memory or obtained through the network. When data is obtained through a computer network, the data is processed by other computers on the computer network, for example, computing resources in the cloud.
本文中所述的一或更多實施例亦可被製作為非暫態的電腦可讀媒體上的電腦可讀代碼。該非暫態的電腦可讀媒體係可儲存資料的任何資料儲存硬體單元(例如，記憶體裝置等)，其中該資料儲存硬體單元之後可被電腦系統讀取。非暫態的電腦可讀媒體的範例包括硬碟、網路附接儲存器(NAS)、ROM、RAM、光碟唯讀記憶體(CD-ROMs)、可錄式光碟(CD-Rs)、可覆寫式光碟(CD-RWs)、磁帶、及其他光學與非光學資料儲存硬體單元。在一些實施例中，非暫態的電腦可讀媒體包含電腦可讀的有形媒體，其中該電腦可讀的有形媒體係透過連接網路的電腦系統加以散佈，俾使電腦可讀代碼被以散佈的方式儲存及執行。 One or more of the embodiments described herein can also be made as computer-readable codes on non-transitory computer-readable media. The non-transitory computer-readable medium is any data storage hardware unit (for example, a memory device, etc.) that can store data, wherein the data storage hardware unit can then be read by a computer system. Examples of non-transitory computer-readable media include hard disks, network attached storage (NAS), ROM, RAM, CD-ROMs, CD-Rs, CD-Rs CD-RWs, magnetic tapes, and other optical and non-optical data storage hardware units. In some embodiments, the non-transitory computer-readable medium includes a computer-readable tangible medium, where the computer-readable tangible medium is distributed through a computer system connected to a network, so that the computer-readable code is distributed Way to store and execute.
雖然以特定順序描述上述一些方法操作，但吾人應理解在各樣的實施例中，可在方法操作之間執行其他庶務操作，或可調整方法操作使得其在略 為不同之時間發生，或可將其分散在系統中，該系統允許方法操作發生在不同的區間、或以與上述不同的順序執行。 Although some of the above method operations are described in a specific order, we should understand that in various embodiments, other general operations may be performed between method operations, or method operations may be adjusted so that they are omitted. Occurs at different times, or can be dispersed in the system, which allows method operations to occur in different intervals or in a different order from the above.
吾人更應注意，在一些實施例中，可將任何上述實施例的一或更多特徵與任何其他實施例的一或更多特徵結合而不超出本揭露內容中描述之各樣實施例所述之範圍。 It should be noted that in some embodiments, one or more features of any of the above embodiments can be combined with one or more features of any other embodiments without going beyond the description of the various embodiments described in this disclosure. The scope.
可對本文中所描述之實施例進行各樣的修改及變化而不超出所申請之標的物的範圍。因此，本說明書意圖涵蓋本文中所描述的各樣實施例之修改及變化，且這樣的修改及變化屬於隨附申請權利範圍及其同等物之範圍內。 Various modifications and changes can be made to the embodiments described herein without going beyond the scope of the applied subject matter. Therefore, this specification intends to cover the modifications and changes of the various embodiments described herein, and such modifications and changes fall within the scope of the appended application rights and their equivalents.
100:電漿處理裝置 100: Plasma processing device
110:電漿處理腔室 110: Plasma processing chamber
112:基板 112: substrate
114:頂壁 114: top wall
116:側壁 116: sidewall
118:電漿電極組件 118: Plasma electrode assembly
120:晶圓載台 120: Wafer stage
122:內部區域 122: internal area
130電漿產生氣:體入口 130 plasma generated gas: body inlet
140:真空連接壁 140: Vacuum connection wall
141:橫向埠密封表面 141: Horizontal port sealing surface
142:真空埠 142: Vacuum Port
150:真空泵浦 150: Vacuum pump
160:多埠閥組件 160: Multi-port valve assembly
170:可動密封板 170: movable sealing plate
200:軸承組件 200: bearing assembly
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