TWI702522B - 導電性基板、導電性基板之製造方法 - Google Patents

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Abstract

提供一種導電性基板，其包括：絕緣性基材；金屬層，其形成在該絕緣性基材的至少一個面上；有機物層，其形成在該金屬層上、並含有氮系有機物；以及黑化層，其形成在該有機物層上，其中，該有機物層含有0.2μg/cm2以上的該氮系有機物。

Description

導電性基板、導電性基板之製造方法
本發明關於一種導電性基板、導電性基板之製造方法。
靜電容式觸控面板藉由對由接近面板表面的物體所引起的靜電容的變化進行偵測，從而將在面板表面上接近的物體的位置資訊轉換成電氣信號。由於用於靜電容式觸控面板的導電性基板設置在顯示器的表面上，因此對於導電性基板的導電層的材料要求其反射率較低、難以視覺確認。
因此，作為用於靜電容式觸控面板的導電層的材料，使用反射率較低、難以視認的材料，在透明基板或透明薄膜上形成配線。
例如，專利文獻1中揭露了一種靜電容型數位式觸控面板，其觸控面板部由在PET薄膜上利用ITO膜印刷有信號圖案和GND圖案的複數個透明片電極構成。
然而，近些年具有觸控面板的顯示器的大畫面化正在進展，與其對應地，對於觸控面板用的導電性基板亦尋求大面積化。然而，ITO由於其電阻值較高且易產生劣化，因此存在使用ITO的導電性基板不適合大型面板的問題。
因此，作為導電層的材料，正在研究使用銅等金屬來代替ITO。然而，由於金屬具有金屬光澤，存在因反射而使顯示器的可視性降低 的問題，因此正在研究形成有由銅等金屬和黑色的材料共同構成的層的導電性基板。
例如專利文獻2中揭露了一種薄膜狀觸控面板感測器，其在薄膜表面和背面的需要透視的部分分別具備條狀銅配線，在表面和背面的銅配線的可視側具有黑色的氧化銅薄膜。
<先前技術文獻>
<專利文獻>
專利文獻1：日本特開2004-213114號公報
專利文獻2：日本特開2013-206315號公報
然而，近些年為了進一步提高顯示器的可視性，尋求對導電性基板的反射率進行抑制。並且，對於如專利文獻2所揭露的薄膜狀觸控面板感測器般僅在銅配線形成黑色的氧化銅薄膜，反射率的抑制程度並不充分。
鑑於上述先前技術的問題，本發明的一個態樣的目的在於提供一種抑制了反射率的導電性基板。
為了解決上述問題，本發明的一個態樣提供一種導電性基板，其包括：絕緣性基材；金屬層，其形成在該絕緣性基材的至少一個面上；有機物層，其形成在該金屬層上、並含有氮系有機物；以及黑化層，其形成在該有機物層上，其中，該有機物層含有0.2μg/cm2以上的該氮系 有機物。
根據本發明的一個態樣，能夠提供一種抑制了反射率的導電性基板。
10A、10B、20A、20B、30‧‧‧導電性基板
11‧‧‧絕緣性基材
12、12A、12B‧‧‧金屬層
13、13A、13B、32A、32B‧‧‧有機物層
14、14A、14B、33A、33B‧‧‧黑化層
圖1A是本發明的實施方式的導電性基板的剖面圖。
圖1B是本發明的實施方式的導電性基板的剖面圖。
圖2A是本發明的實施方式的導電性基板的剖面圖。
圖2B是本發明的實施方式的導電性基板的剖面圖。
圖3是本發明的實施方式的具有網狀的配線的導電性基板的俯視圖。
圖4A是圖3的A-A’線的剖面圖。
圖4B是圖3的A-A’線的剖面圖。
圖5是實施例、比較例中的有機物層的氮系有機物含量與導電性基板的反射率的關係的說明圖。
圖6是實施例、比較例中的有機物層的氮系有機物含量與黑化層的a*值的關係的說明圖。
圖7是實施例、比較例中的有機物層的氮系有機物含量與黑化層的b*值的關係的說明圖。
以下，對本發明的導電性基板、及導電性基板之製造方法的一個實施方式進行說明。
本實施方式的導電性基板可以包括絕緣性基材；金屬層，其形成在絕緣性基材的至少一個面上；有機物層，其形成在金屬層上、並含有氮系有機物；以及黑化層，其形成在有機物層上。並且，有機物層含有0.2μg/cm2以上的氮系有機物。
需要說明的是，本實施方式中的所謂的導電性基板，係指包括對金屬層等進行圖案化前之在絕緣性基材表面具有金屬層、有機物層及黑化層的基板、以及對金屬層等進行了圖案化的基板、亦即配線基板。
在此，以下首先對導電性基板中包括的各部件進行說明。
作為絕緣性基材並無特別限定，優選可使用使可見光透射的樹脂基板(樹脂薄膜)或玻璃基板等透明基材。
作為使可見光透射的樹脂基板的材料，例如可優選使用聚醯胺樹脂、聚對苯二甲酸乙二酯樹脂、聚萘二甲酸乙二醇酯樹脂、環烯烴樹脂、聚亞醯胺樹脂、聚碳酸酯等樹脂。特別地，作為使可見光透射的樹脂基板的材料，可更優選使用PET(聚對苯二甲酸乙二酯)、COP(環烯烴聚合物)、PEN(聚萘二甲酸乙二醇酯)、聚亞醯胺、聚醯胺、聚碳酸酯等。
關於絕緣性基材的厚度並無特別限定，可根據作為導電性基板時所要求的強度、靜電容、或光的透射率等任意選擇。作為絕緣性基材的厚度，例如可以設為10μm以上且200μm以下。特別是用於觸控面板的用途時，絕緣性基材的厚度優選設為20μm以上且120μm以下，更優選設為20μm以上100μm以下。在用於觸控面板的用途的情形下，例如特別當尋求對顯示器整體的厚度進行薄化的用途時，絕緣性基材的厚度優選為20μm以上且50μm以下。
絕緣性基材的全光線透射率以較高者為佳，例如全光線透射率優選為30%以上，更優選為60%以上。藉由使絕緣性基材的全光線透射率為上述範圍，從而能夠充分地確保例如用於觸控面板的用途時的顯示器的可視性。
再者，絕緣性基材的全光線透射率可利用JIS K 7361-1中規定的方法來評價。
接著，對金屬層進行說明。
對於構成金屬層的材料並無特別限定，可以選擇具有取決於用途的電傳導率的材料，例如，構成金屬層的材料優選為包含Cu與選自Ni、Mo、Ta、Ti、V、Cr、Fe、Mn、Co、W的至少一種以上的金屬的銅合金、或銅的材料。另外，金屬層亦可以設為由銅構成的銅層。
對於在絕緣性基材上形成金屬層的方法並無特別限定，為了降低光的透射率，優選不在絕緣性基材與金屬層之間配置黏著劑。換言之，優選金屬層直接形成在絕緣性基材的至少一個面上。再者，當如下所述在絕緣性基材與金屬層之間配置黏著層時，優選金屬層直接形成在黏著層的上表面。
為了在絕緣性基材的上表面上直接形成金屬層，優選金屬層具有金屬薄膜層。另外，金屬層可具有金屬薄膜層和金屬鍍層。
例如可以利用乾式鍍著法在絕緣性基材上形成金屬薄膜層，以該金屬薄膜層為金屬層。由此，能夠不經由黏著劑而直接在絕緣性基材上形成金屬層。再者，作為乾式鍍著法後面將詳細說明，例如可優選使用濺鍍法、蒸鍍法、或離子鍍著法等。
另外，當對金屬層的膜厚進行增厚時，亦可以藉由以金屬薄膜層為供電層利用作為濕式鍍著法的一種的電鍍法來形成金屬鍍層，從而形成具有金屬薄膜層和金屬鍍層的金屬層。藉由使金屬層具有金屬薄膜層和金屬鍍層，從而在此情形中亦能夠不經由黏著劑而在絕緣性基材上直接形成金屬層。
對於金屬層的厚度並不特別限定，當將金屬層用作配線時，可根據向該配線供給的電流大小或配線寬度等來任意選擇。
然而，若金屬層變厚，則有時會產生在為了形成配線圖案而進行蝕刻時，由於蝕刻需要時間因此容易產生側邊蝕刻、難以形成細線等的問題。因此，金屬層的厚度優選為5μm以下，更優選為3μm以下。
另外，從特別地降低導電性基板的阻抗值、可充分地供給電流的觀點來看，例如金屬層的厚度優選為50nm以上，更優選為60nm以上，進一步更優選為150nm以上。
再者，當金屬層如上所述具有金屬薄膜層和金屬鍍層時，優選金屬薄膜層的厚度和金屬鍍層的厚度的合計為上述範圍。
即使是在金屬層由金屬薄膜層構成的情況、或具有金屬薄膜層和金屬鍍層之情況的任意一個情況下，對於金屬薄膜層的厚度也並無特別限定，例如優選設為50nm以上且500nm以下。
如下所述例如可以將金屬層圖案化成所需的配線圖案來用作配線。並且，由於金屬層能夠比以往的用作透明導電膜的ITO進一步降低電阻值，因此可藉由設置金屬層以減小導電性基板的電阻值。
接著，對有機物層進行說明。
有機物層可以形成在金屬層的與後述黑化層相對的面上。因此，作為導電性基板時，能夠配置在金屬層與黑化層之間。有機物層可以含有氮系有機物。
本發明的發明人等對抑制導電性基板的反射率的方法進行了深入研究。並且發現藉由在金屬層與黑化層之間配置含有氮系有機物的有機物層，從而能夠抑制導電性基板的反射率，並完成了本發明。
作為用於有機物層的氮系有機物並無特別限定，可以從含有氮的有機化合物中任意地選擇使用。用於有機物層的氮系有機物例如優選含有1,2,3-苯并***或其衍生物。作為用於有機物層的氮系有機物，具體來說，例如可舉出1,2,3-苯并***、5-甲基-1H苯并***等。
作為含有用於有機物層的氮系有機物的藥劑，例如可優選使用銅用的防銹處理劑，作為市場銷售的藥品例如可優選使用OPC-DEFENSER(商品名、奧野製藥工業股份有限公司)等。
有機物層的氮系有機物的含量優選為0.2μg/cm2以上，更優選為0.3μg/cm2以上。這是因為，根據本發明的發明人的研究，藉由將有機物層的氮系有機物的含量設為0.2μg/cm2以上，從而能夠大幅地抑制導電性基板的反射率。另外，若有機物層的氮系有機物的含量增加，則能夠降低將黑化層的顏色換算成CIE(L*a*b*)色彩系統時的a*值、b*值，特別是能夠使導電性基板的配線不明顯，因此較佳。
對於有機物層的氮系有機物的含量的上限值並無特別限定。但是，為了增加有機物層的氮系有機物的含量，要提高在形成有機物層時所使用的氮系有機物溶液的濃度、或進行延長氮系有機物溶液的供給 時間。因此，若要過度地增加有機物層的氮系有機物的含量，則有如下疑慮：氮系有機物溶液的操作性會降低、用於形成有機物層所需的時間會變長、生產性會降低。因此，有機物層的氮系有機物的含量例如優選設為10μg/cm2以下，另外，由於當含量低時黑化層的黏著性良好，因此更優選設為1μg/cm2以下，進一步優選設為0.5μg/cm2以下。
對於形成有機物層的方法並無特別限定，例如可藉由在金屬層上塗布含有氮系有機物的氮系有機物溶液、並進行乾燥來形成。對於在形成有機物層時所用之氮系有機物溶液中的氮系有機物之濃度並無特別限定，可考慮作為目標的有機物層中的氮系有機物之含量或操作性等來任意地選擇。例如氮系有機物溶液中之氮系有機物之濃度的下限值優選為1mL/L以上，更優選為2mL/L以上。另外，上限值優選為4mL/L以下。
對於向金屬層表面供給氮系有機物溶液時之氮系有機物溶液的溫度並無特別限定，可考慮該溶液的粘度、操作性或反應性等來任意地選擇。例如優選為10℃以上，更優選為20℃以上。但是，從若溫度升高則所含有的氮系有機物有可能與其他物質反應的觀點來看，優選為40℃以下。
對於氮系有機物溶液的pH值並無特別限定，可考慮所用之氮系有機物的種類或該溶液的反應性等來選擇，例如氮系有機物溶液的pH值優選為2以上，更優選為3以上。但是，從若pH值升高則薄膜中的氮系有機物的含量降低的觀點來看，氮系有機物溶液的pH值優選為4以下。
對於針對金屬層表面供給氮系有機物溶液並使其反應的處理時間的長度並無特別限定，可根據所使用的氮系有機物溶液的種類、或 要形成有機物層的厚度等來任意地選擇。例如處理時間優選為5秒以上，更優選為6秒以上。但是，從若處理時間變得過長則有可能生產性會降低的觀點來看，優選為10秒以下。
接著，對黑化層進行說明。
黑化層可以形成在有機物層的上表面上。
對黑化層的材料並無特別限定，只要是能夠抑制金屬層表面上之光反射的材料即可使用。
黑化層例如優選含有選自Ni、Zn、Mo、Ta、Ti、V、Cr、Fe、Co、W、Cu、Sn、Mn的至少1種以上的金屬。另外，黑化層還可以進一步含有選自碳、氧、氫、氮的1種以上的元素。
再者，黑化層也可以包括金屬合金，該金屬合金含有選自Ni、Zn、Mo、Ta、Ti、V、Cr、Fe、Co、W、Cu、Sn、Mn的至少2種以上的金屬。此時，黑化層也可以進一步含有選自碳、氧、氫、氮的1種以上的元素。此時，作為含有選自Ni、Zn、Mo、Ta、Ti、V、Cr、Fe、Co、W、Cu、Sn、Mn的至少2種以上的金屬的金屬合金，例如可優選使用Cu-Ti-Fe合金、Cu-Ni-Fe合金、Ni-Cu合金、Ni-Zn合金、Ni-Ti合金、Ni-W合金、Ni-Cr合金、Ni-Cu-Cr合金。特別是可進一步優選使用Ni-Cu合金。
對於黑化層的形成方法並無特別限定，可利用任意方法來形成，例如可利用乾式法或濕式法來形成。
當利用乾式法形成黑化層時，對於其具體方法並無特別限定，例如可優選使用濺鍍法、離子鍍著法或蒸鍍法等乾式鍍著法。從利用 乾式法形成黑化層時容易控制膜厚的觀點來看，更優選使用濺鍍法。需要說明的是，可在黑化層中添加如上所述選自碳、氧、氫、氮的1種以上的元素，此時更優選使用反應性濺鍍法。
當利用反應性濺鍍法來形成黑化層時，作為靶，可使用包含構成黑化層的金屬形態(metal species)的靶。當黑化層含有合金時，可以按黑化層中所含的每個金屬形態來使用靶，在基材等被成膜體的表面形成合金，亦可以使用預先對黑化層中所含的金屬進行了合金化的靶。
另外，當在黑化層中含有選自碳、氧、氫、氮的1種以上的元素時，可以藉由將其預先添加在形成黑化層時的氣氛中來將其添加在黑化層中。例如，當在黑化層中添加碳時可以將一氧化碳氣體及/或二氧化碳氣體預先添加在進行濺鍍時的氣氛中，當在黑化層中添加氧時可以將氧氣預先添加在進行濺鍍時的氣氛中，當在黑化層中添加氫時可以將氫氣及/或水預先添加在進行濺鍍時的氣氛中，當在黑化層中添加氮時可以將氮氣預先添加在進行濺鍍時的氣氛中。可以藉由在形成黑化膜時的非活性氣體中添加該些氣體從而在黑化層中添加選自碳、氧、氫、氮的1種以上的元素。再者，作為非活性氣體可以優選使用氬。
利用濕式法形成黑化層時，可以根據黑化層的材料來使用鍍液，例如可以利用電鍍法來形成。
如上所述黑化層可以用乾式法、濕式法的任意方法來形成，但由於在形成黑化層時，藉由使有機物層中所含有之氮系有機物溶解在鍍液中、並進入黑化層中從而有可能會影響黑化層的色調或其他特性，因此優選利用乾式法來形成。
對於黑化層的厚度並無特別限定，例如優選為15nm以上，更優選為25nm以上。這是因為，當黑化層的厚度較薄時，由於有時無法充分抑制金屬層表面上的光反射，因此優選如上所述藉由使黑化層的厚度為15nm以上從而可特別地抑制金屬層表面之光反射的方式進行構成。
對於黑化層之厚度的上限值並無特別限定，但加厚至必要以上的厚度，形成所需的時間或形成配線時的蝕刻所需的時間也會變長，從而招致成本的上升。因此，黑化層厚度優選設為70nm以下，更優選設為50nm以下。
另外，導電性基板除了上述的絕緣性基材、金屬層、有機物層、黑化層以外，還可以設置任意的層。例如可以設置黏著層。
對黏著層的結構例子進行說明。
如上所述可在絕緣性基材上形成金屬層，但在絕緣性基材上直接形成金屬層時，存在絕緣性基材與金屬層的黏著性並不充分的情況。因此，當在絕緣性基材的上表面直接形成金屬層時，存在於製造過程中或使用時金屬層從絕緣性基材上剝離的情況。
因此，在本實施方式的導電性基板中，為了提高絕緣性基材與金屬層的黏著性，可在絕緣性基材上配置黏著層。
藉由在絕緣性基材與金屬層之間配置黏著層，能夠提高絕緣性基材與金屬層的黏著性，並能夠抑制金屬層從絕緣性基材剝離。
另外，黏著層也能夠起到黑化層的作用。因此，也能夠抑制來自金屬層的下表面側、也即來自絕緣性基材側之光所引起的在金屬層的光反射。
對於構成黏著層的材料並無特別限定，可根據絕緣性基材與金屬層的黏著力或所要求的金屬層表面上的光反射的抑制程度、以及針對導電性基板的使用環境(例如濕度或溫度)的穩定性程度等來任意地選擇。
黏著層優選含有例如選自Ni、Zn、Mo、Ta、Ti、V、Cr、Fe、Co、W、Cu、Sn、Mn的至少1種以上的金屬。另外，黏著層也可進一步含有選自碳、氧、氫、氮的1種以上的元素。
再者，黏著層也可以含有包括選自Ni、Zn、Mo、Ta、Ti、V、Cr、Fe、Co、W、Cu、Sn、Mn的至少2種以上的金屬的金屬合金。即使在此情況下，黏著層也可以進一步含有選自碳、氧、氫、氮的1種以上的元素。此時，作為含有選自Ni、Zn、Mo、Ta、Ti、V、Cr、Fe、Co、W、Cu、Sn、Mn的至少2種以上的金屬的金屬合金，例如優選使用Cu-Ti-Fe合金、Cu-Ni-Fe合金、Ni-Cu合金、Ni-Zn合金、Ni-Ti合金、Ni-W合金、Ni-Cr合金、Ni-Cu-Cr合金。特別可更優選使用Ni-Cu合金。
對於黏著層的形成方法不無特別限定，優選利用乾式鍍著法來形成。作為乾式鍍著法，例如可優選使用濺鍍法、離子鍍著法、或蒸鍍法等。從利用乾式法形成黏著層時容易控制膜厚的觀點來看，更優選使用濺鍍法。再者，也可以在黏著層中添加如上所述選自碳、氧、氫、氮的1種以上的元素，此時可更優選使用反應性濺鍍法。
當黏著層含有選自碳、氧、氫、氮的1種以上的元素時，可藉由在形成黏著層時的氣氛中預先添加含有選自碳、氧、氫、氮的1種以上的元素的氣體，從而將其添加在黏著層中。例如，當在黏著層中添加碳時可預先在進行乾式鍍著時的氣氛中添加一氧化碳氣體及/或二氧化碳氣 體，當在黏著層中添加氧時可預先在該氣氛中添加氧氣，當在黏著層中添加氫時可預先在該氣氛中添加氫氣及/或水，當在黏著層中添加氮時可預先在該氣氛中添加氮氣。
對於含有選自碳、氧、氫、氮的1種以上元素的氣體，優選將其添加在非活性氣體中，使其為乾式鍍著時的氣氛氣體。作為非活性氣體並無特別限定，例如可優選使用氬。
藉由如上所述利用乾式鍍著法來形成黏著層，從而能夠提高絕緣性基材與黏著層的黏著性。並且，黏著層由於例如可含有金屬作為主成分因此與金屬層的黏著性較高。因此，藉由在絕緣性基材與金屬層之間配置黏著層，從而能夠抑制金屬層的剝離。
對於黏著層的厚度並不特別限定，例如優選設為3nm以上且50nm以下，更優選設為3nm以上且35nm以下，進一步優選設為3nm以上且33nm以下。
當黏著層亦起到黑化層的作用時、即利用黏著層抑制金屬層上的光反射時，優選將黏著層的厚度如上所述設為3nm以上。
對於黏著層的厚度的上限值並無特別限定，即使加厚至必要以上的厚度，形成所需的時間或形成配線時的蝕刻所需的時間亦會變長，從而招致成本的上升。因此，黏著層的厚度優選如上所述設為50nm以下，更優選設為35nm以下，進一步優選設為33nm以下。
接著，對導電性基板的結構例子進行說明。
如上所述，本實施方式的導電性基板可以具有絕緣性基材、金屬層、有機物層、黑化層。另外，亦可以任意地設置黏著層等。
關於具體的結構例子，以下使用圖1A、圖1B、圖2A、圖2B來進行說明。圖1A、圖1B、圖2A、圖2B表示出本實施方式的導電性基板的、與絕緣性基材、金屬層、有機物層、黑化層的積層方向平行的面上的剖面圖的例子。
本實施方式的導電性基板可以具有例如在絕緣性基材的至少一個面上從絕緣性基材側依次積層了金屬層、有機物層、黑化層的構造。
具體來說，例如，如圖1A所示的導電性基板10A，可在絕緣性基材11的一個面11a側將金屬層12、有機物層13、黑化層14逐層地依次積層。另外，如圖1B所示的導電性基板10B，亦可以在絕緣性基材11的一個面11a側和另一個面(其他面)11b側分別將金屬層12A、12B、有機物層13A、13B、黑化層14A、14B逐層地依次積層。
另外，進一步作為任意的層，亦可以設置例如黏著層。此時，例如可以為例如在絕緣性基材的至少一個面上從絕緣性基材側依次形成了黏著層、金屬層、有機物層、黑化層的構造。
具體來說，例如如圖2A所示的導電性基板20A，可以在絕緣性基材11的一個面11a側，依次積層黏著層15、金屬層12、有機物層13以及黑化層14。
此時亦可以為在絕緣性基材11的兩面積層了黏著層、金屬層、有機物層、黑化層的結構。具體來說，如圖2B所示的導電性基板20B，可在絕緣性基材11的一個面11a側以及其他面11b側，分別依次積層黏著層15A、15B、金屬層12A、12B、有機物層13A、13B以及黑化層14A、14B。
再者，在圖1B、圖2B中，表示出了當在絕緣性基材的兩面 上積層金屬層、有機物層、黑化層時，以將絕緣性基材11作為對稱面而在絕緣性基材11的上下所積層的層對稱的方式進行配置的例子，但並不限定於該形態。例如，可以在圖2B中，使絕緣性基材11的一個表面11a側的結構與圖1B的結構同樣，設為不設置黏著層15A而依次積層金屬層12A、有機物層13A、黑化層14A的形態，使在絕緣性基材11上下所積層的層為非對稱的結構。
由於在本實施方式的導電性基板中，在絕緣性基材上設置了金屬層、有機物層及黑化層，因此能抑制由於金屬層所引起的光反射，能夠抑制導電性基板的反射率。
對於本實施方式的導電性基板的反射率的程度並無特別限定，例如為了提高用作液晶觸控面板用的導電性基板時的顯示器的可視性，反射率較低者較佳。例如，波長400nm以上且700nm以下之光的平均反射率優選為20%以下，更優選為17%以下，特別優選為15%以下。
對於反射率的測定，可以對導電性基板的黑化層照射光來進行測定。具體來說，例如當如圖1A所示在絕緣性基材11的一個面11a側依次積層金屬層12、有機物層13、黑化層14時，以向黑化層14照射光的方式對黑化層14的表面A照射光並進行測定。並且，測定時可以按照例如波長1nm的間隔，如上所述對導電性基板的黑化層14照射波長400nm以上且700nm以下的光，將所測得之值的平均值作為該導電性基板的反射率。
本實施方式的導電性基板可以優選用作液晶觸控面板用的導電性基板。此時導電性基板可以為具有網(mesh)狀的配線的結構。
對於具有網狀配線的導電性基板，可以藉由對上述本實施方 式的導電性基板的金屬層、有機物層、及黑化層進行蝕刻來得到。
例如，可以利用兩層的配線來形成網狀的配線。具體的結構例如圖3所示。圖3表示出從金屬層等的積層方向的上面側觀察具有網狀配線的導電性基板30的圖，為了容易理解配線圖案，省略了絕緣性基材11以及對金屬層進行圖案化所形成的配線31A、32B以外的層的記載。另外，還表示了透過絕緣性基材11能看到的配線31B。
圖3所示的導電性基板30具有絕緣性基材11、平行於圖中Y軸方向的複數條配線31A、及平行於X軸方向的配線31B。再者，配線31A、31B藉由蝕刻金屬層而形成，在該配線31A、31B的上表面及/或下表面上形成未圖示之有機物層及黑化層。另外，將有機物層及黑化層蝕刻成與配線31A、31B相同的形狀。
對絕緣性基材11和配線31A、31B的配置並無特別限定。絕緣性基材11和配線的配置的結構例子如圖4A、圖4B所示。圖4A、圖4B相當於圖3的A-A’線上的剖面圖。
首先，如圖4A所示，可以在絕緣性基材11的上下表面分別配置配線31A、31B。再者，在圖4A中，在配線31A的上表面及31B的下表面，配置有被蝕刻成與配線相同形狀的有機物層32A、32B、黑化層33A、33B。
另外，如圖4B所示，可以使用1組絕緣性基材11，夾著一個絕緣性基材11A並在上下表面配置配線31A、31B，並且將一個配線31B配置在絕緣性基材11之間。此時在配線31A、31B的上表面亦配置有被蝕刻成與配線相同形狀的有機物層32A、32B、黑化層33A、33B。再者，如上 所述，除了金屬層、有機物層、黑化層以外還可以設置黏著層。因此，在圖4A、圖4B任意一個情形中，例如亦可以在配線31A及/或配線31B與絕緣性基材11之間設置黏著層。當設置黏著層時，優選可以將黏著層亦蝕刻成與配線31A、31B相同的形狀。
圖3及圖4A所示的具有網狀配線的導電性基板例如可以由圖1B所示在絕緣性基材11的兩面上具備金屬層12A、12B、有機物層13A、13B、及黑化層14A、14B的導電性基板形成。
若以使用圖1B的導電性基板來形成的情形為例進行說明，則首先以平行於圖1B中Y軸方向的複數個線狀的圖案沿X軸方向空出預定間隔來配置的方式，對絕緣性基材11的一個面11a側的金屬層12A、有機物層13A及黑化層14A進行蝕刻。再者，圖1B中的X軸方向意味著與各層的寬度方向平行的方向。另外，圖1B中的Y軸方向意味著與圖1B中的紙面垂直的方向。
接著，以平行於圖1B中X軸方向的複數個線狀的圖案空出預定間隔來沿Y軸方向配置的方式，對絕緣性基材11的另一個面11b側的金屬層12B、有機物層13B及黑化層14B進行蝕刻。
藉由以上操作，能夠形成圖3、圖4A所示的具有網狀配線的導電性基板。需要說明的是，亦可以對絕緣性基材11的兩面同時進行蝕刻。換言之，可以同時進行金屬層12A、12B、有機物層13A、13B、黑化層14A、14B的蝕刻。另外，在圖4A中，對於具有在配線31A、31B與絕緣性基材11之間進一步被圖案化成與配線31A、31B相同形狀的黏著層的導電性基板，可藉由使用圖2B所示的導電性基板同樣進行蝕刻來製作。
圖3所示的具有網狀配線的導電性基板亦可以使用2片圖1A或圖2A所示的導電性基板而形成。若以使用2片圖1A的導電性基板來形成的情形為例進行說明，則針對2片圖1A所示的2片導電性基板，以平行於X軸方向的複數個線狀圖案空出預定間隔而沿Y軸方向配置的方式，分別對金屬層12、有機物層13及黑化層14進行蝕刻。接著，可以藉由以利用上述蝕刻處理而在各導電性基板上所形成的線狀的圖案相互交叉的方式對準方向而將2片導電性基板貼合，從而形成具有網狀配線的導電性基板。對於將2片導電性基板貼合時的貼合面並無特別限定。例如，亦可以將積層有金屬層12等的圖1A中的表面A、與未積層有金屬層12等的圖1A中的另一個面11b貼合，從而形成圖4B所示的構造。
另外，亦可以例如將絕緣性基材11的未積層有金屬層12等的圖1A中的另一面11b彼此貼合而使剖面為圖4A所示的構造。
再者，在圖4A、圖4B中，對於在配線31A、31B與絕緣性基材11之間進一步具有被圖案化成與配線31A、31B相同形狀的黏著層的導電性基板，可以使用圖2A所示的導電性基板來代替圖1A所示的導電性基板而進行製作。
對於圖3、圖4A、圖4B所示的具有網狀配線的導電性基板中的配線的寬度、或配線間的距離並無特別限定，例如可以根據配線中流動的電流量等來選擇。
另外，在圖3、圖4A、圖4B中，示出了將直線形狀的配線組合而形成網狀的配線(配線圖案)的例子，但並不限定於該形態，構成配線圖案的配線可以為任意的形狀。例如，亦可以以與液晶面板的圖像之 間不產生疊紋(干涉環)的方式，將構成網狀配線圖案的配線的形狀分別形成為呈鋸齒狀彎曲的線(鋸齒形直線)等各種形狀。
具有這樣由2層配線構成的網狀的配線的導電性基板例如可以優選用作投影型靜電容式的觸控面板用的導電性基板。
依據以上的本實施方式的導電性基板，具有在絕緣性基材的至少一個面上所形成的金屬層上積層包括一定量以上的氮系有機物、及黑化層的構造。因此，能夠抑制金屬層表面上的光反射，並能夠形成抑制反射率的導電性基板。另外，在用於例如觸控面板等用於時能夠提高顯示器的可視性。
(導電性基板之製造方法)
接著，對本實施方式的導電性基板之製造方法的一個結構例子進行說明。
本實施方式的導電性基板之製造方法可具有以下步驟。
在絕緣性基材的至少一個面上形成金屬層的金屬層形成步驟。
在金屬層上形成含有氮系有機物的有機物層的有機物層形成步驟。
在有機物層上形成黑化層的黑化層形成步驟。
並且，在有機物層形成步驟中，優選以有機物層含有0.2μg/cm2以上的氮系有機物的方式形成有機物層。
以下對本實施方式的導電性基板之製造方法具體進行說明。
再者，可利用本實施方式的導電性基板之製造方法來適當地製造上述導電性基板。因此，由於除了以下說明的點以外均為與上述導電性基板的情況同樣的結構，因此省略部分說明。
可以預先準備用於金屬層形成步驟的絕緣性基材。對於使用的絕緣性基材的種類並無特別限定，如上所述可優選使用使可見光透射的樹脂基板(樹脂薄膜)或玻璃基板等透明基材。亦可根據需要將絕緣性基材預先切割成任意的尺寸。
並且，如上所述，金屬層優選具有金屬層薄膜層。另外，金屬層亦可具有金屬薄膜層和金屬鍍層。因此，金屬層形成步驟例如可具有利用乾式鍍著法形成金屬薄膜層的步驟。另外，金屬層形成步驟可具有利用乾式鍍著法形成金屬薄膜層的步驟、以及藉由以金屬薄膜層為供電層利用作為濕式鍍著法的一種的電鍍法來形成金屬鍍層的步驟。
作為用於形成金屬薄膜層的步驟的乾式鍍著法，並無特別限定，例如可使用蒸鍍法、濺鍍法、或離子鍍著法等。再者，作為蒸鍍法，可以優選使用真空蒸鍍法。作為用於形成金屬薄膜層的步驟的乾式鍍著法，特別是從容易控制膜厚的觀點來看，更優選使用濺鍍法。
接著對形成金屬鍍層的步驟進行說明。對於利用濕式鍍著法形成金屬鍍層的步驟中的條件、亦即電鍍處理的條件並無特別限定，採用根據常法的諸條件即可。例如，可藉由向注入有金屬鍍液的鍍槽中供給形成有金屬薄膜層的基材，並對電流密度或基材的輸送速度進行控制來形成金屬鍍層。
對於可用於金屬層的優選材料或金屬層的優選厚度等如上所述，因此在此省略其說明。
接著，對有機物層形成步驟進行說明。
在有機物層形成步驟中，可以在金屬層上形成含有氮系有機 物的有機物層。
如上所述，藉由在金屬層與黑化層之間設置有機物層，從而能夠抑制導電性基板的反射率。
對於有機物層的形成方法並無特別限定，例如可以藉由在金屬層上塗布氮系有機物溶液並使其乾燥而形成。
作為在金屬層上塗布含有構成有機物層之材料的溶液的方法並無特別限定，可以利用任意方法來進行塗布。例如，可以藉由利用噴霧器等來塗布氮系有機物溶液或藉由將形成有金屬層的絕緣性基材浸漬在氮系有機物溶液中，以在金屬層上塗布含有構成有機物層的材料的溶液。
對於用於有機物層的氮系有機物並無特別限定，可以從含有氮的有機化合物中任意地選擇使用。用於有機物層的氮系有機物例如優選含有1,2,3-苯并***或其衍生物。作為用於有機物層的氮系有機物，具體來說，例如可舉出1,2,3-苯并***、5-甲基-1H苯并***等。
作為含有用於有機物層的氮系有機物的藥劑，例如可優選使用銅用的防銹處理劑，作為市場銷售的藥品例如可優選使用OPC-DEFENSER(商品名、奧野製藥工業股份有限公司)等。
有機物層的氮系有機物的含量優選為0.2μg/cm2以上，更優選為0.3μg/cm2以上。這是因為，根據本發明的發明人的研究，藉由將有機物層的氮系有機物的含量設為0.2μg/cm2以上，從而能夠大幅地抑制導電性基板的反射率。另外，若有機物層的氮系有機物的含量增加，則能夠降低將黑化層的顏色換算成CIE(L*a*b*)色彩系統時的a*值、b*值，特別是能夠使導電性基板的配線不明顯，因此較佳。
對於有機物層的氮系有機物的含量的上限值並無特別限定。但是，為了增加有機物層的氮系有機物的含量，要提高在形成有機物層時所使用的氮系有機物溶液的濃度、或進行延長氮系有機物溶液的供給時間。因此，若要過度地增加有機物層的氮系有機物的含量，則有可能氮系有機物溶液的操作性會降低、用於形成有機物層所需的時間會變長、生產性會降低。因此，有機物層的氮系有機物的含量例如優選設為10μg/cm2以下，另外，由於當含量低時黑化層的黏著性良好，因此更優選設為1μg/cm2以下，進一步優選設為0.5μg/cm2以下。
對於向金屬層上供給氮系有機物溶液時的優選的條件等如上所述，因此在此省略其說明。
再者，在塗布氮系有機物溶液後，為了除去所附著的剩餘的氮系有機物溶液，亦可以實施利用水將塗布有氮系有機物溶液的基材清洗的水洗步驟。
接著，對黑化層形成步驟進行說明。
在黑化層形成步驟中，對於形成黑化層的方法並無特別限定，可利用任意方法來形成。
在黑化層形成步驟中形成黑化層時，例如可優選使用濺鍍法、離子鍍著法、或蒸鍍法等乾式鍍著法。特別是，從容易控制膜厚的觀點來看，更優選使用濺鍍法。另外，亦可以如上所述在黑化層中添加選自碳、氧、氫、氮的1種以上的元素，此時可以優選使用反應性濺鍍法。
另外，如上所述，亦可以利用電鍍法等濕式法來形成黑化層。
但是，由於在形成黑化層時，藉由使有機物層中所含有的氮 系有機物溶解在鍍液中、並進入黑化層中從而有可能會影響黑化層的色調或其他特性，因此優選利用乾式法來形成。
對於可用於黑化層的優選材料或黑化層的優選厚度等如上所述，因此在此省略其說明。
在本實施方式的導電性基板之製造方法中，除了上述步驟以外，亦可以實施任意的步驟。
例如當在絕緣性基材與金屬層之間形成黏著層時，可以實施在絕緣性基材的形成有金屬層的面上形成黏著層的黏著層形成步驟。當實施黏著層形成步驟時，金屬層形成步驟可在黏著層形成步驟之後實施，在金屬層形成步驟中，金屬薄膜層可以在本步驟中形成在絕緣性基材上形成有黏著層的基材上。
在黏著層形成步驟中，對於黏著層的形成方法無特別限定，以利用乾式鍍著法來形成為佳。作為乾式鍍著法，例如可優選使用濺鍍法、離子鍍著法、或蒸鍍法等。當利用乾式法來形成黏著層時，從易於控制膜厚的觀點來看，可更優選使用濺鍍法。需要說明的是，可在黏著層中添加選自碳、氧、氫、氮的1種以上的元素，此時可進一步優選使用反應性濺鍍法。
對於可用於黏著層的優選材料或黏著層的優選厚度等如上所述，因此在此省略其說明。
由本實施方式的導電性基板之製造方法得到的導電性基板例如可用於觸控面板等各種用途。並且，用於各種用途時，優選對本實施方式的導電性基板中包含的金屬層、有機物層及黑化層進行圖案化。需要 說明的是，當設有黏著層時，優選對黏著層亦進行圖案化。對於金屬層、有機物層及黑化層、有時還有黏著層，例如可以隨著所需的配線圖案來進行圖案化，優選將金屬層、黑化層、有時還有黏著層圖案化成相同形狀。
因此，本實施方式的導電性基板之製造方法可具有對金屬層、有機物層及黑化層進行圖案化的圖案化步驟。再者，當形成有黏著層時，圖案化步驟可以為對黏著層、金屬層、有機物層及黑化層進行圖案化的步驟。
對於圖案化步驟的具體程序並無特別限定，可利用任意程序來實施。例如，如圖1A所示，當為在絕緣性基材11上積層有金屬層12、有機物層13及黑化層14的導電性基板10A時，首先可實施在黑化層14上的表面A配置具有所需圖案的掩膜的掩膜配置步驟。接著，可實施向黑化層14的上表面、亦即配置有掩膜的一面側供給蝕刻液的蝕刻步驟。
對於在蝕刻步驟中使用的蝕刻液並無特別限定，可根據構成進行蝕刻的層的材料來任意選擇。例如，可按照每層來改變蝕刻液，另外亦可利用相同的蝕刻液來蝕刻金屬層、有機物層及黑化層、有時還有黏著層。
另外，如圖1B所示，可實施對在絕緣性基材11的一個面11a、另一個面11b上積層有金屬層12A、12B、有機物層13A、13B、黑化層14A、14B的導電性基板10B亦進行圖案化的圖案化步驟。此時，例如可實施在黑化層14A、14B上的表面A、表面B上配置具有預定圖案的掩膜的掩膜配置步驟。接著，可實施向黑化層14A、14B上的表面A及表面B、亦即配置有掩膜的面側供給蝕刻液的蝕刻步驟。
對於在蝕刻步驟中形成的圖案並無特別限定，其可以為任意的形狀。例如在圖1A所示的導電性基板10A的情況中，可以如上所述以包含複數條直線或呈鋸齒狀彎曲的線(鋸齒形直線)的方式對金屬層12、有機物層13及黑化層14形成圖案。
另外，在圖1B所示的導電性基板10B的情況中，可以設為網狀配線的方式在金屬層12A和金屬層12B上形成圖案。此時，優選以有機物層13A及黑化層14A為與金屬層12A同樣的形狀、有機物層13B及黑化層14B為與金屬層12B同樣的形狀的方式來分別進行圖案化。
另外，例如亦可以在圖案化工程中對上述導電性基板10A的金屬層12等進行了圖案化後，實施將圖案化的2片以上的導電性基板積層的積層步驟。進行積層時，例如亦可以藉由以各導電性基板的金屬層的圖案交叉的方式進行積層，從而得到具有網狀配線的積層導電性基板。
關於對積層了2片以上的導電性基板進行固定的方法並無特別限定，例如可以利用黏接劑等來進行固定。
利用以上的本實施方式的導電性基板之製造方法所得到的導電性基板，具有在絕緣性基材的至少一個面上所形成的金屬層上積層含有一定量以上的氮系有機物的有機物層、及黑化層的構造。因此，能夠抑制金屬層表面上的光反射，並能夠形成抑制反射率的導電性基板。另外，在用於例如觸控面板等用於時能夠提高顯示器的可視性。
<實施例>
以下，列舉具體的實施例及比較例來進行說明，但本發明並不限定於這些實施例。
(評價方法)
首先，對所得到的導電性基板的評價方法進行說明。
(1)反射率
以下針對各實施例、比較例中所製作的導電性基板進行反射率的測定。
在紫外可見光光度計(股份有限公司島津製作所製，型號：UV-2550)中設置反射率測定單元來進行了測定。
如下所述，在各實施例、比較例中製作了具有圖2A所示構造的導電性基板。因此，針對圖2A所示的導電性基板10A的黑化層14的表面A，設為入射角5°、受光角5°，照射波長400nm以上且700nm以下的光並實施反射率測定。需要說明的是，對於向導電性基板所照射的光，在400nm以上且700nm以下的範圍內，按每1nm來改變波長並進行測定，以測定結果的平均值為該導電性基板的反射率(平均反射率)。
(2)黑化層的L*值、a*值、b*值
在測定反射率時，根據針對黑化層的表面A以波長1nm間隔改變波長並照射波長400nm以上且700nm以下的光而測定的測定值，計算出L*值、a*值、b*值。
(3)氮系有機物的含量
在絕緣性基材上形成了黏著層、金屬層、有機物層之後、形成黑化層之前，將所製作的基板的一部分切下，對有機物層中所含的氮系有機物的含量進行評價。
以將基板浸漬在提取用溶液中的方式，將形成至有機物層而切下的基板和提取用溶液放入螺紋(screw)瓶內，在超聲波清潔機中進行 15分鐘。
此時，作為提取用溶液，使用按體積比含有1%鹽酸、49%水、及50%甲醇的溶液。
對於將有機物層中的氮系有機物提取到提取用溶液中的提取液，利用液相色譜質譜儀(LC-MS)，利用液相色譜分析法進行分析，計算出提取液中的氮系有機物的含量。
再者，對於所使用的液相色譜質譜儀，液相色譜部分使用Waters公司製的型號：Aquity H-Class、質譜儀使用AB SCIEX公司製的型號：Q-STAR XL的裝置。
接著，藉由將所計算出之氮系有機物的含量(μg)除以放入上述螺紋瓶內之基板之有機物層的面積(cm2)，從而計算出氮系有機物的含量。
(試料的製作條件)
作為實施例、比較例，按以下說明的條件製作導電性基板，利用上述的評價方法來進行評價。
[實施例1]
(黏著層形成步驟)
在縱500mm×橫500mm、厚度50μm的聚對苯二甲酸乙二酯樹脂(PET)製的絕緣性基材的一個面上形成黏著層。再者，對於用作絕緣性基材的聚對苯二甲酸乙二酯樹脂製的絕緣性基材，當利用JIS K 7361-1所規定的方法對全光線透射率進行評價後為97%。
在黏著層形成步驟中，利用安裝了Ni-17重量%Cu合金的 靶的濺鍍裝置，形成含有氧的Ni-Cu合金層作為黏著層。以下對黏著層的形成步驟進行說明。
將預先加熱至60℃並除去水分的上述絕緣性基材設置在濺鍍裝置的腔室內。
接著，將腔室內排氣至1×10-3Pa後，導入氬氣和氧氣，使腔室內的壓力為1.3Pa。再者，此時腔室內的氣氛按體積比30%為氧、其餘為氬。
接著，在該氣氛下對靶供給電力，在絕緣性基材的一個面上以厚度變為20nm的方式形成黏著層。
(金屬層形成步驟)
在金屬層形成步驟中，實施了金屬薄膜層形成步驟和金屬鍍層形成步驟。
首先，對金屬薄膜層形成步驟進行說明。
在金屬薄膜層形成步驟中，使用在黏著層形成步驟中在絕緣性基材上形成了黏著層的基材作為基材，在黏著層上形成了銅薄膜層作為金屬薄膜層。
對於金屬薄膜層，除了使用銅靶這一點、以及將設置有基材的腔室內排氣後供給氬氣並形成氬氣氛這一點以外，與黏著層的情況同樣地利用濺鍍裝置形成。
以作為金屬薄膜層的銅薄膜層的厚度為150nm的方式形成。
接著，在銅鍍層形成步驟中，形成銅鍍層作為金屬鍍層。對於銅鍍層，利用電鍍法以銅鍍層的厚度為0.5μm的方式形成。
(有機物層形成步驟)
在有機物層形成步驟中，在於絕緣性基材上形成有黏著層和金屬層的積層體的金屬層上形成有機物層。
在有機物層形成步驟中，首先將上述積層體浸漬在含有作為氮系有機物的1,2,3-苯并***的OPC-DEFENSER(奧野製藥工業股份有限公司製)溶液中7秒鐘。再者，以1,2,3-苯并***的濃度為3mL/L、浴溫為30℃、pH3的方式預先對所使用的OPC-DEFENSER溶液進行調節並使用。
接著，藉由利用水洗將附著在金屬層的上表面、亦即與金屬層的面對黏著層的面的相反側的面以外的溶液除去後、進行乾燥，從而在金屬層上形成有機物層。
再者，在有機物層形成步驟後，將基板的一部分切下，以供上述的氮系有機物的含量的評價。
(黑化層形成步驟)
在黑化層形成步驟中，在於有機物層形成步驟中所形成的有機物層上，利用濺鍍法形成Ni-Cu層作為黑化層。
在黑化層形成步驟中，利用安裝有Ni-35重量%Cu合金的靶的濺鍍裝置，形成Ni-Cu合金層作為黑化層。以下對黑化層的形成步驟進行說明。
首先，將在絕緣性基材上積層了黏著層、金屬層及有機物層的積層體設置在濺鍍裝置的腔室內。
接著，將腔室內排氣至1×10-3Pa後，導入氬氣，使腔室內 的壓力為1.3Pa。
接著，在該氣氛下向靶供給電力，在有機物層上形成厚度為30nm的黑化層。
藉由以上步驟，得到了在金屬層的上表面、即金屬層的與黏著層相對的面的相反側的面上經由有機物層形成黑化層、並在絕緣性基材上依次積層有黏著層、金屬層、有機物層、黑化層的導電性基板。
對於所得到的導電性基板，對上述反射率、黑化層的L*值、a*值、b*值進行評價。
結果如表1所示。
[實施例2~實施例18]
除了在形成有機物層時藉由改變OPC-DEFENSER溶液的濃度、浴溫或pH值而使有機物層的氮系有機物的含量不同這一點以外，與實施例1同樣地製作導電性基板。
針對所得到的導電性基板，對上述反射率、黑化層的L*值、a*值、b*值進行評價。
結果如表1所示。
[比較例1]
除了在形成有機物層時將OPC-DEFENSER溶液的pH值設為1這一點以外，與實施例1同樣地製作導電性基板。再者，在有機物形成步驟後，將基板的一部分切下，以供上述的氮系有機物的含量的評價。
針對所得到的導電性基板，對上述反射率、黑化層的L*值、a*值、b*值進行評價。
結果如表1所示。
Figure 105123736-A0202-12-0031-1
將表1所示的氮系有機物的含量與反射率、a*、b*的關係圖形化的結果如圖5~圖7所示。再者，在各個圖中位於虛線左側的△標記表示比較例1，其他點表示實施例1~實施例18的結果。
從表1及圖5~圖7的結果可以明確的確認，若有機物層的氮系有機物的含量為0.2μg/cm2以上，則導電性基板的反射率大幅地降低，作為黑化層的色度的a*值、b*值也較大地變化。
根據該結果可以確認，藉由在金屬層與黑化層之間設置含有氮系有機物的有機物層、並使氮系有機物的含量為0.2μg/cm2以上，從而能夠特別地抑制導電性基板的反射率。
以上藉由實施方式及實施例等對導電性基板、導電性基板之製造方法進行了說明，但本發明並不限定上述實施方式及實施例等。在申請專利範圍所記載的本發明的主旨的範圍內，可進行各種變形、變更。
本申請案係主張基於2015年7月31日向日本國特許廳申請的日本特願第2015-152895號的優先權，該日本特願第2015-152895號的全部內容係藉由參照而併入本國際申請中。

Claims (5)

  1. 一種導電性基板，其包括：絕緣性基材；金屬層，其形成在該絕緣性基材的至少一個面上；有機物層，其形成在該金屬層上、並含有氮系有機物；以及黑化層，其形成在該有機物層上，其中，該有機物層含有0.2μg/cm2以上的該氮系有機物。
  2. 如申請專利範圍第1項之導電性基板，其中，該氮系有機物含有1,2,3-苯并***或其衍生物。
  3. 如申請專利範圍第1或2項之導電性基板，其波長400nm以上且700nm以下的光的平均反射率為20%以下。
  4. 一種導電性基板之製造方法，其包括：金屬層形成步驟，其在絕緣性基材的至少一個面上形成金屬層；有機物層形成步驟，其在該金屬層上形成含有氮系有機物的有機物層；以及黑化層形成步驟，其在該有機物層上形成黑化層；其中，在該有機物層形成步驟中，以該有機物層含有0.2μg/cm2以上的該氮系有機物的方式形成該有機物層。
  5. 如申請專利範圍第4項之導電性基板之製造方法，其中，該氮系有機物含有1,2,3-苯并***或其衍生物。
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