TWI702476B - 用於控制掃描曝光設備之方法、掃描曝光設備、包含程式指令之電腦程式及用於判定掃描曝光設備之控制剖面之方法 - Google Patents

用於控制掃描曝光設備之方法、掃描曝光設備、包含程式指令之電腦程式及用於判定掃描曝光設備之控制剖面之方法 Download PDF

Info

Publication number
TWI702476B
TWI702476B TW108106240A TW108106240A TWI702476B TW I702476 B TWI702476 B TW I702476B TW 108106240 A TW108106240 A TW 108106240A TW 108106240 A TW108106240 A TW 108106240A TW I702476 B TWI702476 B TW I702476B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
profile
control
exposure
substrate
scanning
Prior art date
Application number
TW108106240A
Other languages
English (en)
Other versions
TW201942683A (zh
Inventor
瓦雷利歐 奧提尼
法蘭克 史達爾
Original Assignee
荷蘭商Ａｓｍｌ荷蘭公司
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Priority claimed from EP18164962.5A external-priority patent/EP3547029A1/en
Priority claimed from NL2021296A external-priority patent/NL2021296A/en
Application filed by 荷蘭商Ａｓｍｌ荷蘭公司 filed Critical 荷蘭商Ａｓｍｌ荷蘭公司
Publication of TW201942683A publication Critical patent/TW201942683A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI702476B publication Critical patent/TWI702476B/zh

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70216—Mask projection systems
    • G03F7/70358—Scanning exposure, i.e. relative movement of patterned beam and workpiece during imaging
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70058—Mask illumination systems
    • G03F7/70066—Size and form of the illuminated area in the mask plane, e.g. reticle masking blades or blinds
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70058—Mask illumination systems
    • G03F7/70141—Illumination system adjustment, e.g. adjustments during exposure or alignment during assembly of illumination system
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
    • G03F7/70491—Information management, e.g. software; Active and passive control, e.g. details of controlling exposure processes or exposure tool monitoring processes
    • G03F7/705—Modelling or simulating from physical phenomena up to complete wafer processes or whole workflow in wafer productions
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
    • G03F7/70491—Information management, e.g. software; Active and passive control, e.g. details of controlling exposure processes or exposure tool monitoring processes
    • G03F7/70525—Controlling normal operating mode, e.g. matching different apparatus, remote control or prediction of failure
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
    • G03F7/70605—Workpiece metrology
    • G03F7/70616—Monitoring the printed patterns
    • G03F7/70633—Overlay, i.e. relative alignment between patterns printed by separate exposures in different layers, or in the same layer in multiple exposures or stitching
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F9/00—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
    • G03F9/70—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically for microlithography
    • G03F9/7003—Alignment type or strategy, e.g. leveling, global alignment
    • G03F9/7023—Aligning or positioning in direction perpendicular to substrate surface
    • G03F9/7026—Focusing

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Electron Beam Exposure (AREA)

Abstract

揭示一種用於控制一掃描曝光設備之方法，該掃描曝光設備經組態用於掃描一基板上之一照明剖面以在該基板上形成功能區域。該方法包含：在一掃描曝光操作中判定用於在包含該等功能區域之一曝光場之曝光期間動態控制該照明剖面之一控制剖面；及最佳化個別功能區域之曝光之一品質。該最佳化可包含a)在掃描方向上將該控制剖面擴展超出該曝光場之界限；及/或b)將一解廻旋方案應用於該控制剖面，其中該解廻旋方案之結構係基於該照明剖面在該掃描方向上之一尺寸。

Description

用於控制掃描曝光設備之方法、掃描曝光設備、包含程式指令之電腦程式及用於判定掃描曝光設備之控制剖面之方法
本發明係關於用於在微影製程中將圖案施加至基板及/或量測該等圖案之方法及設備。
微影設備為將所要圖案施加至基板上(通常施加至基板之目標部分上)之機器。微影設備可用於例如積體電路(IC)之製造中。在彼情況下，圖案化器件(其替代地被稱為光罩或倍縮光罩)可用以產生待形成於IC之個別層上的電路圖案。此圖案可轉印至基板(例如矽晶圓)上之目標部分(例如包含晶粒之部分、一個晶粒或若干晶粒)上。通常經由成像至提供於基板上之輻射敏感材料(抗蝕劑)層上來進行圖案之轉印。一般而言，單一基板將含有經順次地圖案化之鄰近目標部分之網路。已知的微影設備包括：所謂的步進器，其中藉由一次性將整個圖案曝光至目標部分上來輻照每一目標部分；及所謂的掃描器，其中藉由在給定方向(「掃描」方向)上經由輻射光束而掃描圖案同時平行或反平行於此方向而同步地掃描基板來輻照每一目標部分。亦有可能藉由將圖案壓印至基板上而將圖案自圖案化器件轉印至基板。
為了監視微影製程，量測經圖案化基板之參數。舉例而 言，參數可包括形成於經圖案化基板中或上之順次層之間的疊對誤差，及經顯影感光性抗蝕劑之臨界線寬(CD)。可對產品基板及/或對專用度量衡目標執行此量測。存在用於對在微影製程中形成之微觀結構進行量測之各種技術，包括使用掃描電子顯微鏡及各種特殊化工具。特殊化檢測工具之快速且非侵入性形式為散射計，其中輻射光束經導向至基板之表面上之目標上，且量測經散射或經反射光束之屬性。兩種主要類型之散射計為已知的。光譜散射計將寬頻帶輻射光束導向至基板上且量測散射至特定窄角程中之輻射之光譜(隨波長而變之強度)。角解析散射計使用單色輻射光束且量測隨角度而變化的散射輻射之強度。
已知散射計之實例包括US2006033921A1及US2010201963A1所描述之類型之角解析散射計。由此等散射計使用之目標為相對大(例如，40微米乘40微米)光柵，且量測光束產生小於光柵之光點(亦即，光柵填充不足)。除了藉由重新建構進行特徵形狀之量測以外，亦可使用此設備來量測以繞射為基礎之疊對，如公開專利申請案US2006066855A1中所描述。使用繞射階之暗場成像的基於繞射之疊對度量衡實現對較小目標之疊對量測。可在國際專利申請案WO 2009/078708及WO 2009/106279中找到暗場成像度量衡之實例，該等文件之全文特此以引用方式併入。已公開專利公開案US20110027704A、US20110043791A、US2011102753A1、US20120044470A、US20120123581A、US20130258310A、US20130271740A及WO2013178422A1中已描述該技術之進一步發展。此等目標可小於照明光點且可由晶圓上之產品結構環繞。可使用複合光柵目標而在一個影像中量測多個光柵。所有此等申請案之內容亦以引用之方式併入本文中。
在執行諸如將圖案施加於基板上或量測此圖案之微影製程時，使用製程控制方法以監視及控制該製程。通常執行此類製程控制技術以獲得對橫越基板(場間)及場之內(場內)製程指紋之校正。將需要改良此類製程控制方法。
此外，一般而言，微影階段或伺服定位效能經表達為時間移動平均誤差(MA誤差)及誤差之時間移動標準偏差(MSD)。在此，臨界時間窗為曝光晶粒上之每一點(換言之：接收光子)之時間間隔。若在此時間間隔期間晶粒上一點之平均位置誤差較高(換言之：高MA誤差)，則效果為所曝光影像之移位，從而導致疊對誤差。若在此時間間隔期間位置誤差之標準偏差較高(換言之：高MSD誤差)，則影像可有污跡，從而導致衰減誤差。有利的是縮減MSD及/或MA錯誤。
在本發明之一第一態樣中，提供一種用於控制一掃描曝光設備之方法，該掃描曝光設備經組態用於掃描一基板上之一照明剖面以在該基板上形成功能區域，該方法包含：獲得用於在包含該等功能區域之一曝光場之曝光期間動態控制該照明剖面之一控制剖面；及組態該控制剖面以藉由以下操作改良一或多個個別功能區域之曝光的一品質：a)使該控制剖面在該掃描方向上擴展超出該曝光場之界限及/或b)將一解廻旋方案應用於該控制剖面，其中該解廻旋方案之結構係基於該照明剖面在該掃描方向上之一尺寸。
在本發明之一第二態樣中，提供一種掃描曝光設備，其包含可操作以執行該第一方面中之任一者之方法的一處理器。
在本發明之一第三態樣中，提供一種包含程式指令之電腦 程式，該等程式指令可操作以在運行於一合適設備上時執行該第二態樣之該方法。
在本發明之一第四態樣中，提供一種用於判定用於一掃描曝光設備之一控制剖面之方法，該掃描曝光設備經組態以掃描一基板上之一照明剖面以在該基板上形成包含功能區域之一曝光場，該方法包含基於藉由以下操作改良一或多個個別功能區域之曝光之一品質而判定用於動態控制該照明剖面之一控制剖面的步驟：a)允許該控制剖面擴展超出該曝光場及/或b)考慮該照明剖面在該掃描方向上之該尺寸。
在本發明之一第五態樣中，提供一種用於控制一掃描設備之方法，該掃描設備經組態用於在一基板上掃描一光子或粒子束以在該基板上形成功能器件，該方法包含：獲得用於在掃描操作期間動態控制該射束之一控制剖面，其中該射束之特徵在於包含該射束在至少一掃描方向上之一空間擴展之資訊的一射束剖面；及藉由將一解廻旋方案應用於至該控制剖面而最佳化射束控制之品質，其中該解廻旋方案之結構係基於該射束剖面。
下文參看隨附圖式來詳細地描述本發明之其他態樣、特徵及優點，以及本發明之各種實施例的結構及操作。應注意，本發明不限於本文中所描述之具體實施例。本文中僅出於說明性目的而呈現此等實施例。基於本文中所含有之教示，額外實施例對於熟習相關技術者將顯而易見。
100:微影設備
102:量測站
104:曝光站
106:控制單元
108:塗佈設備
110:烘烤設備
112:顯影設備
120:基板
122:設備
124:設備
126:設備/步驟
130:基板
132:基板
134:基板
140:度量衡設備
142:度量衡結果
200:原始資料
210:場內指紋
220:場間指紋
225:曝光狹縫
230:晶粒內指紋
240:基礎場內指紋
250:額外晶粒
250':額外區域
260:場晶粒
260':場區域
300:資料點
310:校正剖面
320:經預測MA結果
330:經廻旋及經解廻旋校正剖面
MA:圖案化器件/倍縮光罩
R:配方資訊
SCS:監督控制系統
SD:掃描方向
W:基板
LA:微影設備
LACU:微影設備控制單元
現將參考隨附圖式而作為實例來描述本發明之實施例，在該等圖式中： 圖1描繪形成用於半導體器件之生產設施的微影設備連同其他設備；圖2為說明使用晶粒內、倍縮光罩內及場間指紋與超出場限制之擴展控制剖面之間的分離控制微影製程之方法的流程圖；圖3為根據本發明之一實施例之疊對度量dy相對於場位置Y之圖，其展示用於鋸齒圖案之校正剖面、狹縫廻旋對校正剖面之影響以及執行另一狹縫解廻旋之效應；圖4為說明校正剖面與曝光狹縫內之強度剖面之廻旋的問題之流程圖；且圖5為根據本發明之一實施例之說明使用維納濾波器(Weiner filter)自校正剖面對曝光狹縫強度剖面解廻旋之方法的流程圖。
在詳細地描述本發明之實施例之前，有指導性的是呈現可供實施本發明之實施例的實例環境。
圖1在100處將微影設備LA展示為實施大容量微影製造製程之工業生產設施之部分。在本實例中，製造製程經調適用於在基板(諸如，半導體晶圓)上之半導體產品(積體電路)之製造。熟習此項技術者將瞭解，可藉由以此製程之變化形式處理不同類型之基板來製造各種產品。半導體產品之生產純粹用作現今具有大商業意義之實例。
在微影設備(或簡稱為「微影工具」100)內，在102處展示量測站MEA且在104處展示曝光站EXP。在106處展示控制單元LACU。在此實例中，每一基板訪問量測站及曝光站以施加圖案。舉例而言，在光學微影設備中，投影系統用以使用經調節輻射及投影系統將產品圖案自圖案化器件MA轉印至基板上。此係藉由在輻射敏感抗蝕劑材料層中形成圖 案之影像而進行。
本文中所使用之術語「投影系統」應被廣泛地解釋為涵蓋適於所使用之曝光輻射或適於諸如浸潤液體之使用或真空之使用之其他因素的任何類型之投影系統，包括折射、反射、反射折射、磁性、電磁及靜電光學系統，或其任何組合。圖案化器件MA可為將圖案賦予至藉由圖案化器件透射或反射之輻射光束的光罩或倍縮光罩。熟知操作模式包括步進模式及掃描模式。眾所周知，投影系統可以多種方式與用於基板及圖案化器件之支撐件及定位系統合作，以將所要圖案施加至橫越基板之許多目標部分。可使用可程式化圖案化器件來代替具有固定圖案之倍縮光罩。輻射例如可包括在深紫外線(DUV)波帶或極紫外線(EUV)波帶中之電磁輻射。本發明亦適用於其他類型之微影製程，例如(例如)藉由電子束之壓印微影及直寫微影。
微影設備控制單元LACU控制各種致動器及感測器之所有移動及量測以收納基板W及倍縮光罩MA且實施圖案化操作。LACU亦包括用以實施與設備之操作相關之所要計算的信號處理及資料處理能力。實務上，控制單元LACU將被實現為許多子單元之系統，該等子單元各自處置設備內之子系統或組件之即時資料獲取、處理及控制。
在曝光站EXP處將圖案施加至基板之前，在量測站MEA處處理基板，使得可進行各種預備步驟。該等預備步驟可包括使用位階感測器來映射基板之表面高度，及使用對準感測器來量測基板上之對準標記的位置。對準標記係以規則柵格圖案標稱地配置。然而，歸因於產生標記之不準確度且亦歸因於基板之貫穿其處理而發生的變形，標記偏離理想柵格。因此，除了量測基板之位置及定向以外，對準感測器實務上亦必須詳 細地量測橫越基板區域之許多標記之位置(在該設備將以極高準確度在正確部位處印刷產品特徵的情況下)。該設備可為具有兩個基板台之所謂的雙載物台類型，該等基板台各自具有藉由控制單元LACU控制之定位系統。當在曝光站EXP處曝光一個基板台上之一個基板時，可在量測站MEA處將另一基板裝載至另一基板台上，使得可實行各種預備步驟。因此，對準標記之量測極耗時，且提供兩個基板台會實現設備之產出率的相當大的增加。若位置感測器IF在基板台處於量測站以及處於曝光站時不能夠量測基板台之位置，則可提供第二位置感測器以使得能夠在兩個站處追蹤基板台之位置。微影設備LA可(例如)屬於所謂的雙載物台類型，其具有兩個基板台及兩個站-曝光站及量測站-在該等站之間可交換該等基板台。
在生產設施內，設備100形成「微影製造單元」或「微影叢集」之部分，該「微影製造單元」或「微影叢集」亦含有塗佈設備108以用於將感光抗蝕劑及其他塗層施加至基板W以供設備100圖案化。在設備100之輸出側處，提供烘烤設備110及顯影設備112以用於將經曝光圖案顯影至實體抗蝕劑圖案中。在所有此等設備之間，基板處置系統負責支撐基板且將基板自一台設備轉移至下一台設備。通常被集體地稱作自動化光阻塗佈及顯影系統(track)之此等設備係在自動化光阻塗佈及顯影系統控制單元之控制下，該自動化光阻塗佈及顯影系統控制單元自身受監督控制系統SCS控制，該監督控制系統SCS亦經由微影設備控制單元LACU控制微影設備。因此，不同設備可經操作以最大化產出率及處理效率。監督控制系統SCS接收配方資訊R，該配方資訊R極詳細地提供待執行以產生每一經圖案化基板之步驟的定義。
一旦已在微影製造單元中施加及顯影圖案，就將經圖案化基板120轉移至諸如在122、124、126處所說明之其他處理設備。廣泛範圍之處理步驟係由典型製造設施中之各種設備實施。出於實例起見，此實施例中之設備122為蝕刻站，且設備124執行蝕刻後退火步驟。在另外設備126等等中應用另外物理及/或化學處理步驟。可需要眾多類型之操作以製造真實器件，諸如材料之沈積、表面材料特性之改質(氧化、摻雜、離子植入等等)、化學機械拋光(CMP)等等。實務上，設備126可表示在一或多個設備中執行之一系列不同處理步驟。作為另一實例，可提供用於實施自對準多重圖案化之設備及處理步驟，以基於藉由微影設備敷設之前驅圖案而產生多個較小特徵。
如所熟知，半導體器件之製造涉及此處理之許多重複，以在基板上逐層地建置具有適當材料及圖案之器件結構。因此，到達微影叢集之基板130可為新近製備之基板，或其可為先前已在此叢集中或在另一設備中完全地被處理之基板。類似地，取決於所需處理，離開設備126之基板132可返回以用於同一微影叢集中之後續圖案化操作，其可被預定用於不同叢集中之圖案化操作，或其可為成品而待發送用於切割及封裝。
產品結構之每一層需要一組不同製程步驟，且用於每一層處之設備126可在類型方面完全地不同。此外，即使在待由設備126應用之處理步驟在大型設施中標稱地相同的情況下，亦可存在並行地工作以對不同基板執行步驟126之若干假設相同的機器。此等機器之間的設定或故障之小差異可意謂其以不同方式影響不同基板。即使對於每一層相對共同之步驟，諸如蝕刻(設備122)，亦可藉由標稱地相同但並行地工作以最大化產出率之若干蝕刻設備實施。此外，實務上，不同層根據待蝕刻之材料 之細節需要不同蝕刻製程，例如，化學蝕刻、電漿蝕刻，且需要特殊要求，諸如，各向異性蝕刻。
可在其他微影設備中執行先前及/或後續製程，如剛才所提及，且可甚至在不同類型之微影設備中執行先前及/或後續製程。舉例而言，器件製造製程中之在諸如解析度及疊對之參數上要求極高的一些層相比於要求較不高之其他層可在更進階微影工具中來執行。因此，一些層可曝光於浸潤類型微影工具中，而其他層曝光於「乾式」工具中。一些層可曝光於在DUV波長下工作之工具中，而其他層係使用EUV波長輻射來曝光。
為了正確地且一致地曝光由微影設備曝光之基板，需要檢測經曝光基板以量測屬性，諸如後續層之間的疊對誤差、線厚度、臨界尺寸(CD)等等。因此，經定位有微影製造單元LC之製造設施亦包括收納已在微影製造單元中被處理之基板W中之一些或全部的度量衡系統。將度量衡結果直接地或間接地提供至監督控制系統SCS。若偵測到誤差，則可對後續基板之曝光進行調整，尤其是在可足夠迅速地且快速地完成度量衡以使得同一批次之其他基板仍待曝光的情況下。又，已經曝光之基板可被剝離及重工以改良良率，或被捨棄，藉此避免對已知有缺陷之基板執行進一步處理。在基板之僅一些目標部分有缺陷的狀況下，可僅對良好的彼等目標部分執行另外曝光。
圖1中亦展示度量衡設備140，該度量衡設備140經提供以用於在製造製程中之所要階段對產品之參數進行量測。現代微影生產設施中之度量衡站的常見實例為散射計，例如，暗場散射計、角解析散射計或光譜散射計，且其可通常應用於在設備122中之蝕刻之前量測120處之經 顯影基板之屬性。在使用度量衡設備140的情況下，可判定(例如)諸如疊對或臨界尺寸(CD)之重要效能參數並不滿足經顯影抗蝕劑中之指定準確度要求。在蝕刻步驟之前，存在經由微影叢集剝離經顯影抗蝕劑且重新處理基板120的機會。可使用來自設備140之度量衡結果142以藉由監督控制系統SCS及/或控制單元LACU 106隨著時間推移而進行小調整來維持微影叢集中之圖案化操作之準確效能，藉此最小化製成規格外之產品且需要重工之風險。
另外，度量衡設備140及/或其他度量衡設備(未展示)可經應用以量測經處理基板132、134及傳入基板130之屬性。可在經處理基板上使用度量衡設備以判定諸如疊對或CD之重要參數。
在任何實際成像期間或之前，處理參數可具有使得其偏離規格(例如在製程窗之外；亦即，將產生規格內之圖案所根據之處理參數的空間)之擾動且因此可能產生缺陷。舉例而言，焦點可歸因於待曝光基板之構形、基板載物台之漂移、投影光學件之變形等而改變；劑量可歸因於源強度之漂移、停留時間等而改變。各種技術可用於識別經擾動之處理參數且用於校正彼處理參數。舉例而言，若焦點被擾動(例如因為自基板之其餘部分稍微升高的基板之區域被曝光)，則基板載物台可經移動或傾斜以補償擾動。
微影製程之控制通常係基於回饋或前饋之量測且接著使用例如場間(橫越基板指紋)或場內(橫越場指紋)模型而模型化。因此，模型化通常限於不及場指紋控制之解析度，其中典型場可包含例如6或8個晶粒。目前，通常不執行子晶粒層級(晶粒內模型)處之製程控制。在一晶粒內，可存在諸如記憶體區域、邏輯區域、接觸區域等之單獨功能區域。每 一不同功能區域或不同功能區域類型可具有不同製程窗，每一製程窗具有不同製程窗中心。舉例而言，不同功能區域類型可具有不同高度，且因此具有不同最佳焦點設定。又，不同功能區域類型可具有不同結構複雜度且因此具有圍繞每一最佳焦點之不同焦點容許度(焦點製程窗)。然而，此等不同功能區域中之每一者將通常歸因於控制柵格解析度限制使用相同焦點(或劑量或位置等)設定而形成。
微影設備之控制可藉由模型化用於相關參數(或針對多於一個參數經最佳化)之校正剖面(例如控制剖面)來達成。用於每一參數之經模型化校正剖面經饋送至微影設備中，從而致動所要校正剖面以控制微影製程(曝光)。該控制可基於前饋模型(例如來自在曝光之前在微影設備內量測之資料)。該掃描器自身具有自校正，其需要在藉由掃描器曝光期間被致動。此等自校正包含例如前饋模型，諸如倍縮光罩加熱及晶圓加熱、機器校準，諸如晶圓台形狀及佈局相關校正。
焦點控制為主前饋控制廻路之實例，其基於針對每一基板收集之大量調平資料，該大量調平資料用於判定對彼基板之曝光的校正，該等校正會校正表面構形。其他校正係基於回饋控制廻路。除了剛剛提及之主前饋控制之外，焦點控制亦具有基於來自經曝光結構之焦點量測之回饋元素。疊對控制通常基於回饋廻路；基於來自經處理基板之疊對的量測。劑量控制除了平均劑量之外沒有前饋控制，並且通常在曝光後(例如，蝕刻後)量測之回饋廻路中經由針對每場判定之校正剖面(例如，分別在掃描及狹縫方向上)來控制。
校正之所有此等來源經輸入至微影設備中，該微影設備組合每一曝光之所有校正且致動該等校正以最佳化疊對、焦點、劑量及成像 效能。存在用於微影製程致動校正剖面以例如用於控制焦點/劑量及/或疊對的多種方法。基本上作為濾波器之演算法將校正變換至用於載物台及透鏡/鏡面之設定點中。設定點經定義為時間相關軌跡，例如，其定義倍縮光罩載物台及/或晶圓載物台在曝光期間相對於彼此之定位及傾斜。藉由相應地移動，致動器動態地控制將倍縮光罩之影像聚焦及定位至基板上。此類方法及其他方法對於熟習此項技術者而言將容易地顯而易見且將不對其進行進一步論述。
橫越場之可控性並非恆定的且對可控性之約束可變化。舉例而言，沿著掃描方向，可存在對控制之空間尺度的限制(空間頻率限制)。此會引起橫越場內之各種晶粒(沿著掃描方向)之品質的非所要變化。
為了解決此問題，提議針對場之曝光將曝光校正剖面(例如用於輸入至焦點/劑量或其他致動器)擴展至超出常規(相關)場尺寸。因而，可模型化校正剖面以包括場外部之區域，以便界定超出常規剖面之開始及/或結束之額外設定點。更特定言之，可擴展用於每一場之校正剖面，以便包括緊接在掃描方向上之場之前及之後的控制點(設定點)。此可藉由使用來自緊挨場外部(例如來自擴展區域)之相關資料來達成。然而，較佳的可為，基於場內之晶粒佈局資訊判定場區域外部之額外設定點。在一實施例中，此校正剖面擴展可包含在場外附加一或多個(平均)晶粒剖面，且因而可基於對場內之(平均)晶粒剖面之瞭解。所產生之校正剖面將引起晶粒內變化在校正品質上的降低(例如所關注之晶粒均有效地變為中心晶粒)。
在一實施例中，該方法可包含將經量測場內指紋分解成晶 粒內及「基礎場內指紋」；亦即，不具有重複的(每一晶粒)晶粒內分量之場內指紋。接著提議針對包括經擴展校正剖面之附加晶粒之所有晶粒同等地校正晶粒內指紋。比例因子指紋可在適當情況下應用於晶粒內指紋；且亦有可能應用於倍縮光罩內指紋(或有可能並不如此，這取決於已知的基礎物理學、實驗資料或資料分析)。
圖2說明此實施例。該輸入為原始(例如經量測)資料200。此可包含與待判定之校正剖面相關之任何橫越基板資料，諸如調平資料、疊對資料、焦點資料、對準資料、尺寸資料(例如臨界尺寸CD)等。原始資料可包含來自待處理之基板之前饋資料(例如調平資料或對準資料通常如此)，或關於一或多個先前經處理基板之回饋資料(例如疊對資料、焦點資料或CD資料通常如此)。在第一層級處，原始資料200分解成場內指紋210及場間指紋220，其中場內指紋210為原始資料之往往會每場都重複之分量。出於參考展示曝光狹縫225及掃描方向SD。在第二層級處，場內指紋210進一步分解成晶粒內指紋230及基礎場內指紋240。晶粒內指紋230為場內指紋210之往往會每晶粒都重複之分量。此步驟可包含判定晶粒內指紋230及自場內指紋210減去晶粒內指紋以揭露基礎場內指紋240。
在最終步驟處，用於包含複數個晶粒之場之曝光的校正剖面經擴展以校正大於場區域之區域。該校正剖面可關於(例如校正)場間指紋220、晶粒內指紋230及基礎場內指紋240中之一或多者。因而，該校正剖面可包含經共同最佳化之校正剖面，其(儘可能地)同時校正經擴展區域上之此等指紋中之每一者。更特定言之，用於校正晶粒內指紋230之校正剖面可在掃描方向SD上在場晶粒260(例如場區域內之晶粒)前後在額外晶粒250(虛線邊界且無陰影)上擴展。假設歸因於額外晶粒250之晶粒內 指紋與針對場晶粒260所判定相同(因為假設晶粒內指紋對於所有晶粒均相同)。用於校正基礎場內指紋240之校正剖面可擴展至超出場區域260'(例如經由基礎場內指紋240資料之外插)以包括用於關於額外晶粒250之相同額外區域250'的校正。校正場間指紋220之校正剖面可例如藉由將校正剖面與關於此額外區域250'之場間指紋220資料擬合而類似地擴展以包括用於此額外區域250'之校正。
在一實施例中，亦提議藉由使用該資料展現重複的晶粒內指紋230之事實而增強資料之模型化而用於控制目的。此瞭解可用於有效地對該模型施加約束，針對展示類似趨勢之解決方案進行加權。此約束可因此用於改良晶粒內指紋及/或晶粒間指紋在掃描方向及狹縫方向中之任一者或兩者上的模型化。詳言之，此晶粒內指紋可用於改良在狹縫方向上之場內指紋估計。此可特別適用於橫越狹縫之劑量控制。
用於微影製程之此類校正及控制之另一問題為對比度之「衰減」或缺乏對比度。衰減為狹縫之有限大小及狹縫中之光強度剖面對成像效能之影響。為了在水平平面(亦即，關於疊對)及/或豎直平面(亦即，關於焦點)中致動載物台，現有的控制演算法將經判定校正轉換至致動設定點中；例如，通常藉由最小化輸入校正之均方根(RMS)殘差。其他最佳化策略可包含最大化功能器件(規格內晶粒)之數目。在最佳化期間不考慮衰減之影響。此可對用於經曝光影像之疊對及成像具有影響。
載物台同步之特徵在於基板載物台相對於倍縮光罩載物台之相對位置在時間窗內的移動標準偏差(MSD)及移動平均值(MA)，在時間窗中，每一影像點行進穿過照明狹縫寬度。衰減係由經判定高頻率校正(控制剖面)與有限狹縫中之光強度的廻旋引起，從而導致不利MA及MSD 影響。舉例而言，用於水平載物台致動之典型的當前策略將藉由擬合演算法來定義晶圓載物台軌跡，該擬合演算法最小化輸入指紋上之RMS殘差。此背後的假設為狹縫為無限小的。因此，不考慮衰減，且關於抗蝕劑之效能為載物台軌跡殘差(亦即，擬合殘差)之直接轉變。此假設在存在高頻率軌跡之情況下開始無效且所得衰減影響將經由MSD引發成像損失。此外，對疊對或焦點之預期(亦即，MA評估)展示關於簡單擬合殘差之顯著惡化。
因此提議藉由當經由掃描器致動指紋時定義用於均衡且最佳MA-MSD效能之策略來解決此問題。該建議包含當判定校正剖面時考慮已知有限狹縫寬度(在掃描方向上之狹縫尺寸)。此可包含使用適當方案自校正剖面對狹縫寬度之效應(例如狹縫內之強度剖面)進行解廻旋，以判定在曝光期間提供改良的效能之經解廻旋校正剖面。在更具體之實施例中，該方法可包含當判定校正剖面且定義掃描器致動器軌跡時使用基於維納濾波器之演算法以解決衰減問題。所提議之技術最佳化MA效能、疊對效能、聚焦效能及MSD效能，且因此最佳化成像效能。對於具體應用，亦可使所提議之技術在MA相對於MSD平衡方面變得靈活。
可(例如在3DNAND生產製程中)遇到之高頻率晶粒內指紋之一個實例為每晶粒在掃描方向上之放大引起之高頻率晶粒內指紋。此指紋基本上沿著掃描方向形成鋸齒形狀，其可在無論是否具有非理想校正之情況下產生鋸齒疊對圖案。圖3說明此問題。其包含dy(亦即，疊對)相對於掃描方向Y之標繪圖。每一點300表示(例如經量測)資料點。經擬合實線310為待致動之校正剖面，其對應於與資料點擬合之晶粒內指紋(例如RMS最小化的載物台軌跡)。指紋中所展現之鋸齒圖案顯而易見。虛線 320為將實際上使用現有方法實現之經預測MA結果，此表示校正剖面310與狹縫強度剖面之廻旋。
圖4在數學方面重述該問題，將衰減與和狹縫內之強度剖面之廻旋相關。該問題亦因所要校正中所注入之雜訊而一般化；下文將描述其原因。圖4展示現有經廻旋有雜訊校正剖面y包含輸入校正剖面或與狹縫強度剖面h進行廻旋400之設定點s以獲得無雜訊之經廻旋校正剖面r，其經受注入雜訊n。僅已知(有雜訊)經廻旋校正剖面y及狹縫強度剖面h(亦即，在圖上以粗體字表示之項)。目的在於藉由判定「去狹縫」或解廻旋剖面g來對狹縫剖面410進行去廻旋，從而在給定狹縫強度剖面h及經廻旋有雜訊校正剖面y之情況下最小化經校正(或「去狹縫」)校正剖面或設定點
Figure 108106240-A0305-02-0018-5
與輸入校正剖面s之間的差(例如最小化均方誤差或RMS誤差)。在經廻旋有雜訊校正剖面y為可用校正(就如此處的狀況一樣)的情況下，該問題變成估計經去狹縫校正剖面
Figure 108106240-A0305-02-0018-2
，其在經致動之情況下最小化狹縫廻旋誤差。在存在雜訊的情況下，變數為隨機可變的，且因此解廻旋剖面g之期望值可被認為是：
Figure 108106240-A0305-02-0018-1
在一實施例中，提議使用維納濾波器以解決此問題。維納濾波器為用於信號處理中以自經觀測有雜訊的製程中獲取所要信號之技術。可使用維納濾波器，例如以回收由已知低通濾波器模糊之影像。維納濾波執行反向濾波與雜訊平滑之間的最佳折衷。
圖5說明維納濾波器解決方案。此藉由對圖4中所展示之變數中之每一者進行傅立葉變換或FFT來解決頻域中之問題(在圖5中，大寫字母變數表示等於圖4之變數的經變換變數)。此簡化解決方案，因為廻旋 現在變為乘法。該問題變為：
Figure 108106240-A0305-02-0019-4
其可藉由下式求解：
Figure 108106240-A0305-02-0019-3
，其中S PSD (f)為原始校正剖面s之平均功率頻譜密度，N PSD (f)為雜訊n之平均功率頻譜密度，且上標*表示複共軛。
在另一實施例中，雜訊N PSD (f)項可用於調諧MA與MSD之間的最佳化。在一實施例中，可假設雜訊項N PSD 在所有頻率f內採取單個值(白雜訊)。用於雜訊項N PSD 之下限值將增強MA同時降低MSD，較高的值則相反。
若干雜訊位準可藉由考慮信號之PSD來加以研究。對於此處考慮之鋸齒圖案，已發現，數量級10-19且更特定言之(例如)7x10-19之雜訊位準對於最佳MA效能可為最佳的；且數量級10-17且更特定言之(例如)4x10-17之雜訊位準對於最佳MSD效能可為最佳的。此等值已經考慮用於鋸齒形狀之不同振幅，且用於包含S形狀而非鋸齒形狀之指紋，且經證明在提供最佳MA/MSD時為穩定的。
因而，維納濾波器可用於解決由圖4說明之問題且因此為掃描器中之致動器提供經解廻旋、經校正(去狹縫)設定點
Figure 108106240-A0305-02-0019-6
。返回參看圖3，此將產生與使用由圖5描述之方法判定之經廻旋及經解廻旋校正剖面(灰線)330之更接近匹配，其中原始校正剖面待經致動310。當雜訊項針對MA經最佳化(例如針對最佳焦點/疊對經最佳化)時將尤其如此。取決於應用，雜訊項可實際上針對MSD經最佳化以改良對比度及製程寬容度。
雖然專門根據3D-NAND製程中之晶粒內應力引起之疊對描述此實施例，但其可用於在掃描方向上校正任一其他高階(例如疊對或 焦點)指紋。
應注意，可組合兩個主要概念(場區域之外的校正剖面之擴展及校正剖面之解廻旋或去狹縫)。實際上，將解廻旋實施例與控制信號之(例如小)擴展組合具有顯著益處，因為任一解廻旋方案通常藉由在曝光場外部提供一些設定點來改良以便產生用於校正剖面之邊界點的較合理結果。
應進一步瞭解，基於維納濾波器之解廻旋方案比本文中所描述之微影工具具有廣泛得多的應用。此概念可擴展至任何成像工具，該概念使用光子或粒子(例如，電子)束以在基板上印刷所要影像(例如在抗蝕劑中/或以產生光罩等)。
詳言之，可採用使用解廻旋方案以改良光子或粒子束相對於基板之定位的控制剖面。類似於具有有限長度之照明剖面之掃描曝光設備，光子或者粒子束亦具有當相較於需要應用於基板之功能器件的大小時可相對較大之尺寸。此實例中之基板可為被塗佈有光阻劑之倍縮光罩坯料。此實例中之射束將通常為電子射束，因為倍縮光罩(圖案化器件)通常使用電子束寫入工具經圖案化。除了控制射束位置(通常相對於基板之平面內之座標，對於基板上之層之間的疊對誤差係重要的)之外，可實行射束焦點、光束強度(劑量)及射束擴展(發散及射束剖面)之控制以最佳化功能器件之品質。射束控制之品質可為重要屬性以確保圖案化器件或另一基板(晶圓)上經適當製造之功能器件。
在一實施例中，揭示一種用於控制掃描曝光設備之方法，該掃描曝光設備經組態以在基板上掃描光子或粒子束以在該基板上形成功能器件，該方法包含：判定在掃描操作期間用於動態控制射束之控制剖 面，其中該射束之特徵在於包含射束在至少掃描方向上之空間擴展之資訊的射束剖面；及藉由將解廻旋方案應用於控制剖面而最佳化射束控制之品質，其中解廻旋方案之結構係基於射束剖面。
在另一實施例中，該控制剖面係用於控制以下各者中之一或多者：曝光劑量(射束能量或強度)、射束之焦點、射束在基板之平面中之位置(疊對)。
在另一實施例中，該控制剖面包含與射束剖面廻旋之經廻旋控制剖面，且該解廻旋方案對該經廻旋控制剖面進行解廻旋以最小化由廻旋產生之誤差。
在另一實施例中，解廻旋方案包含判定維納解廻旋濾波器，其在存在雜訊的情況下對經廻旋控制剖面及射束剖面進行解廻旋。
在另一實施例中，選擇用於該維納濾波器中之雜訊項之值以最佳化射束控制之特定態樣。
在另一實施例中，選擇用於雜訊項之值包含調諧最佳化移動平均值或最佳化移動標準偏差之間的平衡，其描述射束相對於基板之定位效能。
在其他實施例中，該控制剖面藉由電腦系統考慮允許該控制剖面擴展超出曝光場之長度來加以判定及/或該控制剖面藉由考慮照明剖面在掃描方向上之尺寸來加以判定。因此，藉由擴展及/或解廻旋操作來改良現有控制剖面並非必需的，當產生控制剖面時，可利用擴展之可能性及/或考慮照明剖面之有限尺寸以產生本質上為包含於曝光場內之一或多個功能區域提供曝光之良好品質的控制剖面。
在一實施例中，用於動態控制照明剖面之控制剖面係基於 藉由以下操作改良一或多個個別功能區域之曝光的品質a)允許該控制剖面擴展超出曝光場及/或b)考慮照明剖面在掃描方向上之尺寸。
在另一實施例中，該控制剖面針對致動掃描曝光設備之一或多個致動器定義隨時間推移之設定點。
在另一實施例中，允許該控制剖面擴展超出曝光場包含判定致動器在對應於曝光場之曝光的曝光時間段之前及/或之後的時間的設定點。
在另一實施例中，允許該控制剖面擴展超出曝光場一定量，該量取決於功能區域之尺寸。
在另一實施例中，每一功能區域包含一圖案，其在該場上重複且對應於經曝光基板上之個別晶粒，且允許該控制剖面擴展在曝光時間段之前且對應於經擴展掃入區域之至少一個掃入擴展剖面及在曝光時間段之後且對應於經擴展掃出區域之至少一個掃出擴展剖面。
在另一實施例中，該控制剖面係用於控制以下各者中之一或多者：曝光劑量、焦點、疊對及調平。
在另一實施例中，考慮照明剖面之尺寸包含將該控制剖面與如由曝光狹縫界定之該照明剖面進行廻旋及使用解廻旋方案對該控制剖面進行解廻旋以最小化由廻旋產生之誤差。
在另一實施例中，解廻旋方案包含判定維納解廻旋濾波器，其在存在雜訊的情況下對經廻旋控制剖面及照明剖面進行解廻旋。
在另一實施例中，選擇用於該維納濾波器中之雜訊項之值係用於改良該控制剖面。
在另一實施例中，一種用於掃描曝光設備之控制配方基於 該控制剖面產生。
在以下經編號條項之清單中揭示了本發明之其他實施例：
1.一種用於控制一掃描曝光設備之方法，該掃描曝光設備經組態用於掃描一基板上之一照明剖面以在該基板上形成功能區域，該方法包含：在一掃描曝光操作中判定用於在包含該等功能區域之一曝光場之曝光期間動態控制該照明剖面之一控制剖面；及藉由以下操作最佳化個別功能區域之曝光之一品質：a)在掃描方向上使該控制剖面擴展超出該曝光場之界限；及/或b)將一解廻旋方案應用於該控制剖面，其中該解廻旋方案之結構係基於該照明剖面在該掃描方向上之一尺寸。
2.如條項1之方法，其中該控制剖面針對致動該掃描曝光操作之一或多個致動器定義隨時間推移之設定點，且擴展該控制剖面之該步驟包含判定該等致動器在對應於該曝光場之該曝光之一曝光時間段之前及/或之後的時間的設定點。
3.如條項1或2之方法，其中該控制剖面藉由附加取決於該等功能區域之一尺寸之一擴展剖面而擴展。
4.如條項3之方法，其中每一功能區域包含一圖案，其在該場上重複且對應於經曝光基板上之一個別晶粒，且該控制剖面藉由附加在該曝光時間段之前且對應於一經擴展掃入區域之至少一個掃入擴展剖面及在該曝光時間段之後且對應於一經擴展掃出區域之至少一個掃出擴展剖面而擴展。
5.如條項4之方法，其包含判定關於每一功能區域之一平均校正剖 面及將該掃入擴展剖面及掃出擴展剖面界定為該平均校正剖面之步驟。
6.如條項5之方法，其中該平均校正剖面係基於該控制剖面之一晶粒內分量而判定。
7.如條項6之方法，其包含將該控制剖面分解成該晶粒內分量、一基礎場內分量及一場間分量。
8.如條項7之方法，其包含藉由在該經擴展掃入區域及該經擴展掃出區域上附加該晶粒內分量之重複而擴展控制信號之該晶粒內分量。
9.如條項7或8之方法，其進一步包含藉由在該經擴展掃入區域及該經擴展掃出區域上外插而擴展該控制信號之該基礎場內分量；及/或藉由擬合關於該經擴展掃入區域及該經擴展掃出區域之場間分量資料而擴展該場間分量。
10.如條項6至9中任一項之方法，其包含在用以在該掃描方向及狹縫方向中之一者或兩者上模型化該掃描曝光操作之控制之一模型化步驟中根據該晶粒內分量判定一約束，以便判定該控制剖面。
11.如任一前述條項之方法，其中該控制剖面係用於控制以下各者中之一或多者：曝光劑量、焦點、疊對及調平。
12.如任一前述條項之方法，其中該控制剖面包含與如由一曝光狹縫界定之該照明剖面廻旋之一經廻旋控制剖面，且該解廻旋方案對該經廻旋控制剖面進行解廻旋以最小化由廻旋產生之一誤差。
13.如條項12之方法，其中該解廻旋方案包含判定一維納解廻旋濾波器，其在存在雜訊的情況下對該經廻旋控制剖面及照明剖面進行解廻旋。
14.如條項13之方法，其包含選擇用於該維納濾波器中之雜訊項之 一值以最佳化控制之一特定態樣。
15.如條項14之方法，其中該選擇用於該雜訊項之一值包含調諧最佳化移動平均值或最佳化移動標準偏差之間的平衡，其描述與用於固持該基板之一基板載物台與用於固持一圖案化器件之一倍縮光罩載物台的相對位置有關之定位效能。
16.如任一前述條項之方法，其包含根據該控制剖面執行一或多個後續曝光操作。
17.一種掃描曝光設備，其包含可操作以執行如條項1至16中任一項之方法之一處理器。
18.如條項17之掃描曝光設備，其進一步包含：一照明源，其用於提供曝光照明；一倍縮光罩載物台，其用於固持圖案化該曝光照明之一圖案化器件；及一基板載物台，其用於固持該基板。
19.一種包含程式指令之電腦程式，該等程式指令可操作以在運行於一合適設備上時執行如條項1至16中任一項之方法。
20.一種非暫時性電腦程式載體，其包含如條項19之電腦程式。
21.一種用於控制一掃描曝光設備之方法，該掃描曝光設備經組態用於在一基板上掃描一光子或粒子束以在該基板上形成功能器件，該方法包含：獲得用於在掃描操作期間動態控制該射束之一控制剖面，其中該射束之特徵在於包含該射束在至少一掃描方向之一空間擴展的資訊之一射束剖面；及 藉由將一解廻旋方案應用於該控制剖面而最佳化射束控制之一品質，其中該解廻旋方案之結構係基於該射束剖面。
22.如條項21之方法，其中該控制剖面係用於控制以下各者中之一或多者：曝光劑量、焦點、疊對及調平。
22.如條項21或22之方法，其中該控制剖面包含與該射束剖面廻旋之一經廻旋控制剖面，且該解廻旋方案對該經廻旋控制剖面進行解廻旋以最小化由廻旋產生之一誤差。
23.如條項22之方法，其中該解廻旋方案包含判定一維納解廻旋濾波器，其在存在雜訊的情況下對該經廻旋控制剖面及射束剖面進行解廻旋。
24.如條項23之方法，其包含選擇用於該維納濾波器中之該雜訊項之一值以最佳化該射束控制之一特定態樣。
25.如條項24之方法，其中該選擇用於該雜訊項之一值包含調諧最佳化移動平均值或最佳化移動標準偏差之間的平衡，其描述與用於固持該基板之一基板載物台與該射束之相對位置有關之定位效能。
26.如條項21至25中任一項之方法，其其進一步包含根據該控制剖面執行一或多個後續掃描操作。
27.一種曝光設備，其包含可操作以執行如條項21至26中任一項之方法之一處理器。
28.如條項27之曝光設備，其進一步包含：一源，其用於提供該等光子或粒子；及一基板載物台，其用於固持該基板。
29.一種包含程式指令之電腦程式，該等程式指令可操作以在運行 於一合適設備上時執行如條項21至26中任一項之方法。
30.一種非暫時性電腦程式載體，其包含如條項29之電腦程式。
31.一種用於控制一掃描曝光設備之方法，該掃描曝光設備經組態用於掃描一基板上之一照明剖面以在該基板上形成功能區域，該方法包含：在一掃描曝光操作中獲得用於在包含該等功能區域之一曝光場之曝光期間動態控制該照明剖面之一控制剖面；及修改該控制剖面以藉由以下操作改良一或多個個別功能區域之曝光之一品質：a)在掃描方向上將該控制剖面擴展超出該曝光場之界限及/或b)將一解廻旋方案應用於該控制剖面，其中該解廻旋方案之結構係基於該照明剖面在該掃描方向上之一尺寸。
32.一種用於判定一掃描曝光設備之一控制剖面之方法，該掃描曝光設備經組態以掃描一基板上之一照明剖面以在該基板上形成包含功能區域之一曝光場，該方法包含基於藉由以下操作改良一或多個個別功能區域之曝光之一品質而判定用於動態控制該照明剖面之一控制剖面的一步驟：a)允許該控制剖面擴展超出該曝光場及/或b)考慮該照明剖面在掃描方向上之尺寸。
33.如條項32之方法，其中該控制剖面針對致動該掃描曝光設備之一或多個致動器定義隨時間推移之設定點。
34.如條項33之方法，其中允許該控制剖面擴展超出該曝光場包含判定該等致動器在對應於該曝光場之該曝光之一曝光時間段之前及/或之後的時間的設定點。
35.如條項34之方法，其中允許該控制剖面擴展超出該曝光場一定量，該量取決於該等功能區域之一尺寸。
36.如條項35之方法，其中每一功能區域包含一圖案，其在該場上重複且對應於經曝光基板上之一個別晶粒，且允許該控制剖面延伸在該曝光時間段之前且對應於一經擴展掃入區域之至少一個掃入擴展剖面及在該曝光時間段之後且對應於一經擴展掃出區域之至少一個掃出擴展剖面。
37.如條項32之方法，其中該控制剖面係用於控制以下各者中之一或多者：曝光劑量、焦點、疊對及調平。
38.如條項32之方法，其中該考慮該照明剖面之該尺寸包含將該控制剖面與如由一曝光狹縫界定之該照明剖面進行廻旋及使用一解廻旋方案對該控制剖面進行解廻旋以最小化由廻旋產生之一誤差。
39.如條項38之方法，其中該解廻旋方案包含判定一維納解廻旋濾波器，其在存在雜訊的情況下對該經廻旋控制剖面及照明剖面進行解廻旋。
40.如條項39之方法，其包含選擇用於該維納濾波器中之該雜訊項之一值以改良該控制剖面。
41.如條項1至26或31至40中任一項之方法，其進一步包含基於該控制剖面產生用於該掃描曝光設備之一控制配方。
一種用於微影設備之類別的控制演算法係所謂的規格中晶粒(DIS)控制。此方法利用目標為獲得在基板上製造之最大數目的運行器件之控制策略。通常，此藉由利用非線性最佳化方法來達成，該非線性最佳化方法努力限制其中效能參數之最大絕對值超過經最小化之臨界臨限值(亦被稱作「最大絕對值最佳化」)之情況的次數。
針對典型的規格中晶粒(DIS)(基於最大絕對值最佳化)控制演算法之常見反對意見為該等演算法由於當取決於橫越基板稀疏地分佈 (稀疏取樣)之量測資料時的對離群值之敏感度及降低之可靠性而並不穩固。處理離群值之常見方式為使用關於量測資料之估計模型(且在其後使用最佳化模型以創建掃描器設定點剖面)。估計模型經推測對離群值進行濾波，且通常將資料內容限制為預期種類的形狀(模型)。
現代掃描曝光設備允許在曝光倍縮光罩上之晶粒期間動態控制校正器件。因此，在特定解析度之情況下(取決於所涉及致動器及照明剖面在掃描方向上之尺寸)，可沿著掃描方向動態地調適用於校正器件之控制剖面。此允許在圖案化器件(倍縮光罩)上之晶粒的掃描曝光期間動態最佳化橫越狹縫方向界定之校正剖面。
此處提議之控制策略修改基於靜態DIS之焦點或疊對控制(例如，調平)演算法。靜態DIS控制方法考慮與晶粒面積相關聯之量測且計算控制剖面，該控制剖面在晶粒之掃描曝光期間為恆定的且最大化晶粒為功能性(例如產生功能器件)之機率。
然而，此靜態策略並非最佳的，因為在實行DIS控制策略之狀況下不考慮控制剖面之動態調整。因此，提議新的控制策略，其以藉由將(靜態)2D最佳化拆分成兩個1D最佳化(分隔成狹縫方向及掃描方向)來實現最大量的屈服晶粒為目標。演算法之關鍵假設為對於實際狀況，DIS最佳化受橫越狹縫方向之效能參數(通常與製程之良率有關)變化限制，此意謂掃描方向為次要的。據此，吾等首先判定用於每一沿著掃描方向之位置之校正器件的設定點且接著對此等設定點進行(低通)濾波以創建可致動控制剖面。可致動此處係指橫越掃描方向之控制剖面之可達成動力控制(主要受照明剖面在掃描方向上之有限尺寸限制)。
狹縫方向DIS最佳化首先針對橫越掃描方向之複數個位置 進行。此涉及基於應用於與沿著狹縫方向(X軸)定向之區域相關聯之效能參數資料的最大絕對值最佳化而判定控制剖面，但限於特定範圍的Y位置(Y軸在此處為掃描方向)。針對各個Y座標重複控制剖面之此判定。控制剖面之剖面之集合可經濾波以導出動力控制剖面策略，其與微影設備之校正能力(例如與控制剖面相關聯之校正的Y方向上之解析度)相容。替代地，可根據校正之解析度限制選擇與用於判定控制剖面之區域相關聯之Y座標的所選擇範圍。替代地，該控制剖面可基於與多個區域相關聯之效能參數資料而判定，每一區域位於不同Y座標處。另外，控制剖面參數可經定義、使用基於DIS之控制演算法依據Y座標來判定且隨後擬合函數可用於描述隨Y座標變化之控制剖面。
在一實施例中，揭示一種用以控制基板之處理之方法，該方法包含：a)獲得與橫越基板之區之良率有關的效能參數之值；b)將該區劃分成複數個子區，每一子區根據製程控制之空間解析度來設定尺寸；及c)基於每一個別子區或複數個子區之子集的效能參數之值之非線性模型化而判定控制剖面設定。
在一實施例中，該方法進一步包含基於空間解析度對該控制剖面設定進行濾波之步驟。
在一實施例中，該方法進一步包含將控制剖面設定參數與在該區上定義之函數擬合之步驟。
實務上，並非一直有可能實現100%規格中晶粒之情形。將為有利的是，釋放對橫越晶圓之某些晶粒之控制約束，以便保證可獲得足夠的控制電位以仍具有最佳量的屈服晶粒。對最限制具有符合規格之可接受數目的晶粒之機率之晶粒的選擇需要量化以便使此經提議之策略切實 可行。
在此文件中，提議使用線性/二次規劃(LP/QP)原理以選擇最限制良率之晶粒。
定義將控制剖面映射至預期效能參數分佈之目標函數。該控制剖面經最佳化以判定橫越場之最佳控制剖面(例如效能參數不超過場內之任何位置處的臨界限制)。一般而言，該場包含複數個晶粒(表示功能器件)。為了確保每一晶粒為屈服的，控制剖面設定受限於映射控制剖面之目標函數亦產生在用於每一晶粒之規格內之效能參數資料的要求(100%產率)。另外，控制剖面設定受限於可達成控制剖面設定(基於例如用於控制之致動器之特性)。
如上所述，然而，未必總是存在解決方案「所有晶粒在規格」，因此接著需要犧牲一些一或多個晶粒。可能自約束移除晶粒且驗證哪一特定晶粒移除為最佳的。此處，提議將針對晶粒之約束考慮作為目標函數。計算與此等目標函數相關聯之拉格朗日乘數(Lagrange multiplier)。控制最受約束限制之晶粒具有最大數目的非零值拉格朗日乘數。首先移除此等晶粒。預期以此方式針對其他晶粒釋放大部分控制電位。
在一實施例中，揭示一種用以進行控制之方法，該方法包含：a)獲得與橫越經受製程之基板上之區的製程之良率有關之效能參數的值；b)將該區劃分成複數個子區；及c)基於效能參數之值及一或多個子區之預期良率判定用於處理區之控制設定。
儘管已描述呈實體倍縮光罩之形式的圖案化器件，但本申請案中之術語「圖案化器件」亦包括傳送呈數位形式之圖案的(例如)結合 可程式化圖案化器件而使用之資料產品。
儘管上文可特定地參考在光學微影之內容背景中對本發明之實施例之使用，但應瞭解，本發明可用於其他應用(例如，壓印微影)中，且在內容背景允許之情況下不限於光學微影。在壓印微影中，圖案化器件中之構形(topography)界定基板上產生之圖案。可將圖案化器件之構形壓入至被供應至基板之抗蝕劑層中，在基板上，抗蝕劑係藉由施加電磁輻射、熱、壓力或其組合而固化。在抗蝕劑固化之後，將圖案化器件移出抗蝕劑，從而在其中留下圖案。
關於微影設備使用之術語「輻射」及「光束」涵蓋所有類型的電磁輻射，包括紫外線(UV)輻射(例如具有為或為約365、355、248、193、157或126奈米之波長)及極紫外線(EUV)輻射(例如具有在5至20奈米之範圍內的波長)，以及粒子束，諸如離子束或電子束。
術語「透鏡」在內容背景允許之情況下可指各種類型之光學組件中之任一者或其組合，包括折射、反射、磁性、電磁及靜電光學組件。
對具體實施例之前述描述將因此完全地揭露本發明之一般性質：在不脫離本發明之一般概念的情況下，其他人可藉由應用此項技術之技能範圍內之知識針對各種應用而容易地修改及/或調適此等具體實施例，而無需進行不當實驗。因此，基於本文中所呈現之教示及導引，此等調適及修改意欲在所揭示之實施例之等效者的涵義及範圍內。應理解，本文中之措辭或術語係出於藉由實例進行描述而非限制之目的，以使得本說明書之術語或措辭應由熟習此項技術者鑒於該等教示及該導引進行解譯。
本發明之廣度及範疇不應由上文所描述之例示性實施例中 之任一者限制，而應僅根據以下申請專利範圍及其等效者進行界定。
200:原始資料
210:場內指紋
220:場間指紋
225:曝光狹縫
230:晶粒內指紋
240:基礎場內指紋
250:額外晶粒
250':額外區域
260:場晶粒
260':場區域
SD:掃描方向

Claims (20)

  1. 一種用於控制一掃描曝光設備之方法，該掃描曝光設備經組態用於掃描一基板上之一照明剖面(illumination profile)以在該基板上形成功能區域，該方法包含：獲得用於在包含該等功能區域之一曝光場之曝光期間動態控制該照明剖面之一控制剖面；及組態該控制剖面以藉由以下操作改良一或多個個別功能區域之曝光之一品質：a)在掃描方向上將該控制剖面擴展超出該曝光場之界限及/或b)將一解廻旋方案(deconvolution scheme)應用於該控制剖面，其中該解廻旋方案之結構係基於該照明剖面在該掃描方向上之一尺寸。
  2. 如請求項1之方法，其中該控制剖面針對致動掃描曝光操作之一或多個致動器定義隨時間推移之設定點。
  3. 如請求項2之方法，其中該擴展該控制剖面之步驟包含：判定該等致動器在對應於該曝光場之該曝光之一曝光時間段之前及/或之後的時間的設定點。
  4. 如請求項1之方法，其中該控制剖面藉由附加取決於該等功能區域之一尺寸之一擴展剖面而擴展。
  5. 如請求項4之方法，其中每一功能區域包含一圖案，其在該場上重複 且對應於經曝光基板上之一個別晶粒，且該控制剖面藉由附加在該曝光時間段之前且對應於一經擴展掃入區域之至少一個掃入擴展剖面及在該曝光時間段之後且對應於一經擴展掃出區域之至少一個掃出擴展剖面而擴展。
  6. 如請求項5之方法，其包含判定關於每一功能區域之一平均校正剖面及將該掃入擴展剖面及掃出擴展剖面界定為該平均校正剖面之步驟。
  7. 如請求項6之方法，其中該平均校正剖面係基於該控制剖面之一晶粒內分量而判定。
  8. 如請求項7之方法，其包含將該控制剖面分解成該晶粒內分量、一基礎場內分量及一場間分量。
  9. 如請求項1之方法，其中該控制剖面係用於控制以下各者中之一或多者：曝光劑量、焦點、疊對及調平。
  10. 如請求項1之方法，其中該控制剖面包含與如由一曝光狹縫界定之該照明剖面廻旋之一經廻旋控制剖面，且該解廻旋方案對該經廻旋控制剖面進行解廻旋以最小化由廻旋產生之一誤差。
  11. 如請求項10之方法，其中該解廻旋方案包含判定一維納解廻旋濾波器(Weiner deconvolution filter)，其在存在雜訊的情況下對該經廻旋控制剖面及照明剖面進行解廻旋。
  12. 如請求項10之方法，其包含選擇用於該維納濾波器中之雜訊項之一值以改良該掃描曝光設備之控制。
  13. 一種掃描曝光設備，其包含可操作以執行如請求項1之方法之一處理器。
  14. 一種包含程式指令之電腦程式，該等程式指令可操作以在運行於一合適設備上時執行如請求項1之方法。
  15. 一種用於控制一掃描設備之方法，該掃描設備經組態用於在一基板上掃描一光子或粒子束以在該基板上形成功能器件，該方法包含：獲得用於在掃描操作期間動態控制該射束之一控制剖面，其中該射束之特徵在於包含該射束在至少一掃描方向之一空間擴展的資訊之一射束剖面；及藉由將一解廻旋方案應用於該控制剖面而最佳化射束控制之一品質，其中該解廻旋方案之結構係基於該射束剖面。
  16. 一種用於判定一掃描曝光設備之一控制剖面之方法，該掃描曝光設備經組態以掃描一基板上之一照明剖面以在該基板上形成包含功能區域之一曝光場，該方法包含基於藉由以下操作改良一或多個個別功能區域之曝光之一品質而判定用於動態控制該照明剖面之一控制剖面的一步驟：a)允許該控制剖面擴展超出該曝光場及/或b)考慮該照明剖面在掃描方向上之 尺寸。
  17. 如請求項16之方法，其中該控制剖面針對致動該掃描曝光設備之一或多個致動器定義隨時間推移之設定點。
  18. 如請求項17之方法，其進一步包含基於該控制剖面產生用於該掃描曝光設備之一控制配方。
  19. 如請求項17之方法，其中允許該控制剖面擴展超出該曝光場包含：判定該等致動器在對應於該曝光場之該曝光之一曝光時間段之前及/或之後的時間的設定點。
  20. 如請求項16之方法，其中該考慮該照明剖面之該尺寸包含：將該控制剖面與如由一曝光狹縫界定之該照明剖面進行廻旋；及使用一解廻旋方案對該控制剖面進行解廻旋以最小化由廻旋產生之一誤差。
TW108106240A 2018-03-29 2019-02-25 用於控制掃描曝光設備之方法、掃描曝光設備、包含程式指令之電腦程式及用於判定掃描曝光設備之控制剖面之方法 TWI702476B (zh)

Applications Claiming Priority (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
EPEP18164962 2018-03-29
EP18164962.5A EP3547029A1 (en) 2018-03-29 2018-03-29 Control method for a scanning exposure apparatus
NL2021296 2018-07-12
NL2021296A NL2021296A (en) 2018-07-12 2018-07-12 Lithographic process & apparatus and inspection process and apparatus

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW201942683A TW201942683A (zh) 2019-11-01
TWI702476B true TWI702476B (zh) 2020-08-21

Family

ID=65576305

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW108106240A TWI702476B (zh) 2018-03-29 2019-02-25 用於控制掃描曝光設備之方法、掃描曝光設備、包含程式指令之電腦程式及用於判定掃描曝光設備之控制剖面之方法

Country Status (6)

Country Link
US (1) US11360395B2 (zh)
JP (1) JP7309748B2 (zh)
KR (1) KR20200125986A (zh)
CN (1) CN111936934B (zh)
TW (1) TWI702476B (zh)
WO (1) WO2019185230A1 (zh)

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP7204507B2 (ja) * 2019-02-05 2023-01-16 キオクシア株式会社 露光方法および露光装置
KR102442629B1 (ko) 2020-09-28 2022-09-14 한화솔루션 주식회사 실링 구조 보스가 구비된 고압용기 및 이의 제조방법
CN114002918B (zh) * 2021-10-12 2022-07-15 清华大学 光刻曝光剂量的测算方法、装置、设备、控制***及介质

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20070247640A1 (en) * 2004-03-30 2007-10-25 Nikon Corporation Exposure Apparatus, Exposure Method and Device Manufacturing Method, and Surface Shape Detection Unit
US20130017476A1 (en) * 2011-07-13 2013-01-17 Canon Kabushiki Kaisha Measuring apparatus, drawing apparatus, and article manufacturing method
US20150170904A1 (en) * 2012-12-17 2015-06-18 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Scanner overlay correction system and method
WO2016146217A1 (en) * 2015-03-13 2016-09-22 Asml Netherlands B.V. Lithographic method and lithographic apparatus
TW201721307A (zh) * 2015-09-15 2017-06-16 Ａｓｍｌ荷蘭公司 控制微影設備之方法、微影設備及器件製造方法
WO2018015121A1 (en) * 2016-07-21 2018-01-25 Asml Netherlands B.V. Lithographic method

Family Cites Families (24)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO1999046807A1 (fr) * 1998-03-09 1999-09-16 Nikon Corporation Procede et appareil d'exposition par balayage, procede de fabrication associe, dispositif et procede de fabrication associe
TW530189B (en) * 1998-07-01 2003-05-01 Asml Netherlands Bv Lithographic projection apparatus for imaging of a mask pattern and method of manufacturing a device using a lithographic projection apparatus
JP2001338860A (ja) 2000-05-26 2001-12-07 Nikon Corp 露光方法及びデバイス製造方法
SG125108A1 (en) * 2003-03-11 2006-09-29 Asml Netherlands Bv Assembly comprising a sensor for determining at least one of tilt and height of a substrate, a method therefor and a lithographic projection apparatus
US7791727B2 (en) 2004-08-16 2010-09-07 Asml Netherlands B.V. Method and apparatus for angular-resolved spectroscopic lithography characterization
US20060160037A1 (en) * 2005-01-18 2006-07-20 International Business Machines Corporation Automated sub-field blading for leveling optimization in lithography exposure tool
WO2007007626A1 (ja) * 2005-07-08 2007-01-18 Nikon Corporation 露光方法及び露光装置、並びにデバイス製造方法
US7239371B2 (en) * 2005-10-18 2007-07-03 International Business Machines Corporation Density-aware dynamic leveling in scanning exposure systems
JP4290172B2 (ja) 2006-03-30 2009-07-01 キヤノン株式会社 伝達特性算出装置及び伝達特性算出方法並びに露光装置
US7683351B2 (en) 2006-12-01 2010-03-23 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
NL1036245A1 (nl) 2007-12-17 2009-06-18 Asml Netherlands Bv Diffraction based overlay metrology tool and method of diffraction based overlay metrology.
NL1036597A1 (nl) 2008-02-29 2009-09-01 Asml Netherlands Bv Metrology method and apparatus, lithographic apparatus, and device manufacturing method.
NL1036857A1 (nl) 2008-04-21 2009-10-22 Asml Netherlands Bv Inspection method and apparatus, lithographic apparatus, lithographic processing cell and device manufacturing method.
NL2004094A (en) 2009-02-11 2010-08-12 Asml Netherlands Bv Inspection apparatus, lithographic apparatus, lithographic processing cell and inspection method.
CN102498441B (zh) 2009-07-31 2015-09-16 Asml荷兰有限公司 量测方法和设备、光刻***以及光刻处理单元
EP2470960A1 (en) 2009-08-24 2012-07-04 ASML Netherlands BV Metrology method and apparatus, lithographic apparatus, lithographic processing cell and substrate comprising metrology targets
IL210832A (en) 2010-02-19 2016-11-30 Asml Netherlands Bv Lithographic facility and method of manufacturing facility
NL2007176A (en) 2010-08-18 2012-02-21 Asml Netherlands Bv Substrate for use in metrology, metrology method and device manufacturing method.
US9140998B2 (en) 2010-11-12 2015-09-22 Asml Netherlands B.V. Metrology method and inspection apparatus, lithographic system and device manufacturing method
NL2010401A (en) 2012-03-27 2013-09-30 Asml Netherlands Bv Metrology method and apparatus, lithographic system and device manufacturing method.
NL2010458A (en) 2012-04-16 2013-10-17 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus, substrate and device manufacturing method background.
NL2010734A (en) 2012-05-29 2013-12-02 Asml Netherlands Bv Metrology method and apparatus, substrate, lithographic system and device manufacturing method.
US9715180B2 (en) * 2013-06-11 2017-07-25 Cymer, Llc Wafer-based light source parameter control
US9786057B2 (en) * 2014-09-19 2017-10-10 Lasertec Coporation Inspection apparatus, coordinate detection apparatus, coordinate detection method, and wavefront aberration correction method

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20070247640A1 (en) * 2004-03-30 2007-10-25 Nikon Corporation Exposure Apparatus, Exposure Method and Device Manufacturing Method, and Surface Shape Detection Unit
US20130017476A1 (en) * 2011-07-13 2013-01-17 Canon Kabushiki Kaisha Measuring apparatus, drawing apparatus, and article manufacturing method
US20150170904A1 (en) * 2012-12-17 2015-06-18 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Scanner overlay correction system and method
WO2016146217A1 (en) * 2015-03-13 2016-09-22 Asml Netherlands B.V. Lithographic method and lithographic apparatus
TW201721307A (zh) * 2015-09-15 2017-06-16 Ａｓｍｌ荷蘭公司 控制微影設備之方法、微影設備及器件製造方法
WO2018015121A1 (en) * 2016-07-21 2018-01-25 Asml Netherlands B.V. Lithographic method
TW201805734A (zh) * 2016-07-21 2018-02-16 Ａｓｍｌ荷蘭公司 微影方法

Also Published As

Publication number Publication date
US20210096472A1 (en) 2021-04-01
CN111936934B (zh) 2023-04-28
KR20200125986A (ko) 2020-11-05
JP7309748B2 (ja) 2023-07-18
JP2021517277A (ja) 2021-07-15
WO2019185230A1 (en) 2019-10-03
CN111936934A (zh) 2020-11-13
TW201942683A (zh) 2019-11-01
US11360395B2 (en) 2022-06-14

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI664664B (zh) 微影製程和設備及檢測製程和設備
KR102162174B1 (ko) 제조 프로세스를 제어하기 위한 보정들을 계산하는 방법, 계측 장치, 디바이스 제조 방법 및 모델링 방법
TW201928527A (zh) 用於控制微影設備之方法及與相關裝置
TWI702476B (zh) 用於控制掃描曝光設備之方法、掃描曝光設備、包含程式指令之電腦程式及用於判定掃描曝光設備之控制剖面之方法
EP3547031A1 (en) Method for evaluating control strategies in a semicondcutor manufacturing process
TWI689789B (zh) 預測微影裝置之效能之方法、微影裝置之校準及器件製造方法
EP3547029A1 (en) Control method for a scanning exposure apparatus
NL2021296A (en) Lithographic process & apparatus and inspection process and apparatus
CN111886548B (zh) 量测方法和相关装置
TW202105055A (zh) 微影製程之子場控制及相關聯裝置
TW202020569A (zh) 用於控制製造程序的方法及相關聯裝置
US20240061353A1 (en) Method for determining a focus actuation profile for one or more actuators of a lithographic exposure apparatus
KR102631626B1 (ko) 리소그래피 프로세스를 제어하기 위한 방법 및 장치
TWI752604B (zh) 微影製程之子場控制及其相關設備
EP3547030A1 (en) Method for evaluating control strategies in a semicondcutor manufacturing process
EP3792693A1 (en) Sub-field control of a lithographic process and associated apparatus

Legal Events

Date Code Title Description
MM4A Annulment or lapse of patent due to non-payment of fees