TWI700237B

TWI700237B - 微機電系統裝置及多層結構

Info

Publication number: TWI700237B
Application number: TW105138989A
Authority: TW
Inventors: 鄭鈞文; 李久康
Original assignee: 台灣積體電路製造股份有限公司
Priority date: 2016-01-27
Filing date: 2016-11-25
Publication date: 2020-08-01
Also published as: US20170210614A1; US9725299B1; CN107010593A; TW201736242A; CN107010593B

Abstract

一種裝置包含：一基板、一第一結構、一第二結構、一第三結構及一緩衝墊。該第一結構位於該基板上方。該第二結構位於該基板上方，其中該第二結構具有經耦合至該第一結構之一第一端。該第三結構位於該基板上方，其中該第三結構經耦合至該第二結構之一第二端。該緩衝墊位於該基板與該第三結構之間，其中該緩衝墊係包含一第一導電構件、一介電構件及一第二導電構件之一多層緩衝墊。該介電構件位於該第一導電構件上方。該第二導電構件位於該介電構件上方，且經電連接至該第一導電構件。

Description

微機電系統裝置及多層結構

本揭露係關於一種微機電系統裝置及多層結構。

微機電系統(MEMS)裝置係通常處於自小於1微米至數毫米大小之一範圍中之微型裝置。MEMS裝置包含用以感測一物理條件(諸如力、加速、壓力、溫度或振動)之機械元件(固定元件及/或可移動元件)及用以處理電訊號之電子元件。MEMS裝置被廣泛用於諸如汽車系統、慣性導引系統、家用電器、各種裝置之保護系統及諸多其他工業、科學及工程系統等應用中。此外，MEMS應用亦延伸至諸如可移動鏡子等光學應用及諸如RF開關等射頻(RF)應用。

在一個例示性態樣中，提供一裝置。該裝置包含一基板、一第一結構、一第二結構、一第三結構及一緩衝墊。該第一結構位於該基板上方。該第二結構位於該基板上方，其中該第二結構具有耦合至該第一結構之一第一端。該第三結構位於該基板上方，其中該第三結構耦合至該第二結構之一第二端。該緩衝墊位於該基板與該第三結構之間，其中該緩衝墊係包含一第一導電構件、一介電構件及一第二導電構件之一多層緩衝墊。該介電構件位於該第一導電構件上方。該第二導電構件位於該介電構件上方且電連接至該第一導電構件。在另一例示性態樣中，提供一MEMS裝置。該MEMS裝置包含一基板、一穩態結構、一驗證質量塊、一彈簧及一緩衝墊。該穩態結構位於該基板上方，其中該問太結構暴露該基板之一部分。該驗證質量塊位於該基板上方。該彈簧將該驗證質量塊錨定至該穩態結構。該緩衝墊位於該基板與該驗證質量塊之間，其中該緩衝墊與該驗證質量塊電連接至彼此。在又一例示性態樣中，提供形成於一基板上方之一多層結構。該多層結構包含一底部導電構件、一介電構件及一頂部導電膜。該底部導電構件位於該基板上方，且該底部導電構件具有暴露該基板之一凹槽。該介電構件位於該底部導電構件上，其中該介電構件之一部分位於該凹槽中。該頂部導電膜至少覆蓋該介電構件之一部分。

以下揭露提供諸多不同實施例或實例以用於實施所提供標的物之不同特徵。下文闡述元件及配置之特定實例以簡化本發明。當然，此等元件及配置僅係實例且並不意欲係限制性的。舉例而言，在以下說明中，一第一構件形成於一第二構件上方或該第二構件上可包含其中第一構件與第二構件直接接觸而形成之實施例，且亦可包含其中額外構件可形成於第一構件與第二構件之間使得第一構件與第二構件可不直接接觸之實施例。另外，本發明可在各種實例中重複元件符號及/或字母。此重複係出於簡潔及清晰目的且本身並不指示所論述之各種實施例及/或組態之間的一關係。此外，為便於說明，本文中可使用空間相對術語(諸如「下」、「下方」、「下部」、「上邊」、「上部」、「上」及諸如此類)來闡述一個元件或構件與另一(些)元件或構件之關係，如圖中所圖解說明。除圖中所繪示之定向以外，該等空間相對術語亦意欲囊括裝置在使用或操作中之不同定向。亦可以其他方式使設備定向(旋轉90度或處於其他定向)且可相應地以類似方式解釋本文中所使用之空間相對描述符。在本發明實施例中，提供包含一懸置式可移動結構、一回彈結構及一緩衝墊之一裝置。該可移動結構係以一空間(諸如一空氣空間)懸置於(例如)一基板上。該回彈結構係允許在一定程度上延伸、壓縮、變形或擺動之一撓性/彈性結構。該回彈結構之該等端中之一者經固定至一物件(例如，一基板或一穩態結構)，而該等端中之另一者以以下一方式結構連接至該懸置式可移動結構，即在該裝置經歷一力、一加速、一減速、一振動、一撞擊或諸如此類時該懸置式可移動結構能夠移動、擺動或旋轉。該緩衝墊經放置成毗鄰該可移動結構以防止該可移動結構斷裂及/或經黏附至基板或上覆於該基板之任何結構。在本發明實施例中，提供包含一彈簧、一驗證質量塊及一緩衝墊之一MEMS裝置。驗證質量塊之一部分與緩衝墊被間隔開，且驗證質量塊與緩衝墊係電連接至彼此。在驗證質量塊接觸緩衝墊時，電荷被等化。在本發明實施例中，該裝置包含但不限於一MEMS裝置，諸如一運動感測器裝置、一加速計裝置或一陀螺儀裝置。懸置式可移動結構可包含一驗證質量塊、一隔膜或任何其他可移動結構。回彈結構可包含一彈簧或具有回彈性之任何其他回彈結構。如本文中所使用，一「基板」係指各種層及結構形成於其上之一基底材料。在某些實施例中，基板包含一半導體基板，諸如一塊狀半導體基板。舉例而言，塊狀半導體基板包含一元素半導體，諸如矽或鍺；一化合物半導體，諸如矽鍺、碳化矽、砷化鎵、磷化鎵、磷化銦或砷化銦；或上述導體之組合。在某些實施例中，基板包含一多層基板(諸如一絕緣體上矽(SOI)基板)，該多層基板包含一底部半導體層、一埋入式氧化物層(BOX)及一頂部半導體層。在另外某些實施例中，基板包含一絕緣基板，諸如一玻璃基板，一導電基板或任何其他適合基板。在某些實施例中，基板係一無摻雜半導體基板。如本文中所使用，「耦合至」係指一結構直接或間接接觸另一結構。如本文中所使用，「懸置」係指一結構經放置於另一結構上方且與該間隔開，藉此允許該結構能夠沿著相對於另一結構之至少一個方向移動。如本文中所使用，一「可移動結構」係指經形成於基板或基板之一部分上方之一結構，其中可移動結構之某一部分係直接或間接耦合至一回彈結構，且可移動結構之某一部分係懸置於基板或基板之某一部分上方，其中在該可移動結構與基板之間存在一空間。因此，該可移動結構在經歷一力、一加速、一減速、一振動、一撞擊或諸如此類時，能夠移動或擺動。在某些實施例中，該可移動結構係導電的。舉例而言，該可移動結構包含一半導體材料，例如摻雜有p型或n型摻雜物之矽。在某些實施例中，該可移動結構包含一介電材料及封圍該介電材料之一導電材料。舉例而言，該介電材料係矽或矽化合物(例如，氧化矽)，且該導電材料係金屬。在某些實施例中，該可移動結構係不導電的。如本文中所使用，一「回彈結構」係指經形成於基板或基板之一部分上方之一結構，其中回彈結構之某一部分經固定於基板或其他固定結構上，且回彈結構之某一部分經耦合至可移動結構。該回彈結構係允許在一定程度上延伸、壓縮或變形之一撓性/彈性結構。在某些實施例中，該回彈結構具有允許回彈結構延伸或壓縮之一盤旋圖案。在某些實施例中，該可移動結構具有大於該回彈結構之質量之一質量，且因此該可移動結構在經歷一力，一加速、一減速、一振動、一撞擊或諸如此類時，由於慣性效應而能夠移動或擺動。在某些實施例中，該回彈結構係導電的。舉例而言，該回彈結構包含一半導體材料，例如摻雜有p型或n型摻雜物之矽。在某些實施例中，該回彈結構包含一介電材料及封圍該介電材料之一導電材料。舉例而言，該介電材料係矽或矽化合物(例如，氧化矽)，且該導電材料係金屬。在某些實施例中，該回彈結構係不導電的。如本文中所使用，一「穩態結構(stationary structure)」或一「固定結構(fixed structure)」係指在經歷一力、一加速、一減速、一振動、一撞擊或諸如此類時，相對於可移動結構及回彈結構不動之一結構。該穩態結構或該固定結構可係直接或間接形成於基板上，或為基板之一部分。在某些實施例中，該穩態結構係導電的。舉例而言，該穩態結構包含一半導體材料，例如摻雜有p型或n型摻雜物之矽。在某些實施例中，該穩態結構包含一介電材料及封圍該介電材料一導電材料。舉例而言，該介電材料係矽或矽化合物(例如，氧化矽)，且該導電材料係金屬。在某些實施例中，該穩態結構係不導電的。如本文中所使用，「單片形成」係指兩個或兩個以上結構係由相同材料且同時形成。舉例而言，兩個或兩個以上結構係藉由相同微影而形成。如本文中所使用，一「緩衝墊」係經構形為用以減小一碰撞中之損壞且避免非所要黏附性之一緩衝器之一結構。該緩衝墊經放置成毗鄰該可移動結構且位於該可移動結構可到達之一路徑中。圖1係一裝置之某些實施例之一示意性俯視圖。圖1A係沿著圖1之線A-A'截取之一示意性剖面圖。圖1B係對應於圖1A之一裝置之某些實施例之一經放大剖面圖。在某些實施例中，裝置100係一MEMS裝置。舉例而言，MEMS裝置包含能夠感測運動之一運動感測器裝置、能夠感測加速或減速之一加速計裝置、能夠感測角速度之一陀螺儀裝置，或具有可移動結構之任何其他裝置。在某些實施例中，該裝置係能夠感測沿一單個方向(例如，Z方向)之運動、加速或角速度之一單軸MEMS裝置。在某些其他實施例中，該裝置係能夠感測沿兩個方向(例如，X、Z方向)之運動、加速或角速度之一雙軸MEMS裝置。在另外其他實施例中，該裝置係能夠感測沿三個方向(例如，X、Y、Z方向)之運動、加速或角速度之一個三軸MEMS裝置。裝置100包含一基板10、一第一結構12、一第二結構14、一第三結構16及一緩衝墊20。第一結構12經放置於基板10上方。在某些實施例中，第一結構12係固定於基板10上之一穩態結構。在某些實施例中，第一結構12係一半導體層、半導體層之一堆疊、一介電層、介電層之一堆疊或上述層之組合。舉例而言，第一結構12之材料包含矽，諸如多晶矽。在某些其他實施例中，第一結構12之材料包含氧化矽、氮化矽、氮氧化矽或任何其他適合材料。第一結構12暴露基板10之一部分，或暴露基板10之一部分之上覆層。第二結構14經放置於基板10上方。具體而言，第二結構14係懸置於基板10上方，且以一空間(例如，一空氣空間)與基板10間隔開。在某些實施例中，第二結構14係一回彈結構。回彈結構係允許在一定程度上延伸、壓縮或變形之一撓性結構或一彈性結構。舉例而言，第二結構14係一彈簧。第二結構14具有一第一端(固定端) 141，其經直接或間接耦合至第一結構12。第二結構14具有一第二端(可移動端)，其經直接或間接耦合至第三結構16。具體而言，第二結構14將第三結構16錨定至第一結構12。在某些實施例中，複數個第二結構14經耦合至第一結構12之不同側或經耦合至不同第一結構12。在某些實施例中，第一結構12及第二結構14係由相同材料(例如多晶矽或諸如此類)形成，且係單片形成。第三結構16係位於基板10上方。第三結構16經懸置於基板10上方，且係以一間隙(例如，一氣隙)與基板10間隔開。在某些實施例中，第三結構16係具有相對大於第二結構14之質量的一質量之一慣性結構。第三結構16係一可移動結構。舉例而言，第三結構16係一驗證質量塊。在某些實施例中，第三結構16之一端經耦合至第二結構14之第二端(可移動端) 142。在某些實施例中，第三結構16之兩個或兩個以上端經耦合至各別第二結構14之可移動端。第三結構16係由第二結構14支撐。第二結構14經構形以允許第三結構16在裝置100經歷一力、一加速、一減速、一振動、一撞擊或諸如此類時，由於慣性效應而至少沿一Z方向(例如，實質上垂直於基板10之上部表面之一方向)移動或擺動。在某些實施例中，第一結構12、第二結構14及第三結構16係由相同材料(例如，多晶矽或諸如此類)形成，且係單片形成。在某些實施例中，第一結構12、第二結構14及第三結構16係藉由將基板10上方之上覆層圖案化而形成。在某些實施例中，第一結構12、第二結構14及第三結構16係藉由將基板10圖案化而形成，亦即，第一結構12、第二結構14及第三結構16係基板10之一部分。在某些實施例中，裝置100進一步包含位於基板10上方之一電容器之一板30。板30係導電板，諸如一金屬板。在某些實施例中，板30沿方向Z與第三結構16之一部分重疊，藉此形成一電容器。在某些實施例中，板30沿方向Z與第二結構14之一部分重疊。因此，第三結構16之運動、加速或角速度可(例如)由於板30與第三結構16之間之一電容變化而被感測到。在某些實施例中，緩衝墊20經放置於基板10與第三結構16之間。緩衝墊20經構形以防止第三結構16在基板10或上覆於基板10且黏附至基板之任何結構或上覆於基板10之任何結構受碰撞時斷裂。因此，緩衝墊20亦稱為一止擋部。緩衝墊20經放置成毗鄰第三結構16，且位於第三結構16可到達之路徑中。在某些實施例中，緩衝墊20經放置於基板10上。在某些其他實施例中，緩衝墊20經放置於基板10上方，其中中間層經放置於該兩者之間。緩衝墊20係一多層緩衝墊。在某些實施例中，緩衝墊20包含堆疊至彼此之一第一導電構件(亦稱為一底部導電構件) 21、一介電構件22及一第二導電構件(亦稱為一頂部導電膜) 23。在某些實施例中，第一導電構件21形成於基板10上。介電構件22形成於第一導電構件21上方。第二導電構件23形成於介電構件22上方且電連接至第一導電構件21。第一導電構件21及第二導電構件23由導電材料(諸如金屬)形成。第一導電構件21及第二導電構件23可由相同材料或不同材料形成。介電構件22由絕緣材料(諸如氧化矽、氮化矽、氮氧化矽)或任何其他適合無機或有機材料形成。在某些實施例中，第二導電構件23之材料比介電構件22之材料軟或更具撓性。在某些實施例中，第一導電構件21及/或第二導電構件23可與板30單片形成。在某些實施例中，第一導電構件21具有一凹槽21H。介電構件22經放置於第一導電構件21上，且介電構件22之一部分位於該凹槽中。換言之，介電構件22係與第一導電構件21嚙合，藉此防止介電構件22滑動或移位。第二導電構件23至少覆蓋介電構件22之一部分。在某些實施例中，介電構件22具有一頂部表面221及一傾斜側壁222，且第二導電構件23覆蓋介電構件22之傾斜側壁222及頂部表面221之一部分。舉例而言，介電構件22具有一梯形剖面形狀，其中傾斜側壁222向外傾斜。可基於不同考量而修改傾斜側壁222之斜面。在某些實施例中，第二導電構件23係一導電膜，其環繞傾斜側壁222且覆蓋頂部表面221之一部分。在某些實施例中，第二導電構件23實質上保形於介電構件22之傾斜側壁222及/或頂部表面221。在存在傾斜梯形輪廓之情況下，可改良第二導電構件23之步階覆蓋，藉此增加黏附性。緩衝墊20經構形以防止第三結構16在裝置100經歷一力、一加速、一減速、一振動、一撞擊或諸如此類時沿方向Z黏附至基板10或基板10上之上覆層。多層緩衝墊20包含軟材料(諸如，第二導電構件23及/或第一導電構件21)及硬材料(諸如，介電構件22)。第二導電構件23及/或第一導電構件21在第三結構16接觸緩衝墊20時提供一緩衝效應以便避免粒子產生。在第三結構16接觸緩衝墊20時，介電構件22提供一實質支撐效應以便避免靜摩擦。可基於不同考量來修改緩衝墊20之厚度及位置。舉例而言，緩衝墊20之厚度大於基板上之其他結構，例如板30。緩衝墊20經放置於其中在第三結構16朝向基板10移動時第三結構16可能接觸基板10或一上覆層之一位置處，或其中在裝置100經歷一力、一加速、一減速、一振動、一撞擊或諸如此類時第三結構16之振幅係沿方向Z最大之一位置處。在某些實施例中，緩衝墊20經放置成對應於第三結構16遠離第二結構14之一端。緩衝墊20之一例示性操作機制係闡釋於以下說明中。圖2係經受最大力容差內之一第一力之一裝置之某些實施例之一示意圖。如圖2中所繪示，在裝置100由於一形式之衝擊而經歷沿方向Z之一力F1時，彼此經耦合之第二結構14及第三結構16兩者皆將由於慣性效應而沿著方向Z朝向板30移動或旋轉。因此，第三結構16之運動、加速或角速度可藉由偵測第三結構16與板30之間之一電容變化而被感測到。若在第一力F1未超過最大力容差，則第二結構14及第三結構16將朝向第一結構12移動或旋轉而不接觸緩衝墊20，並返回至其最初位置。在某些實施例中，由於電荷累積，第三結構16可被緩衝墊20吸引。緩衝墊20可經電耦合至一接地端子或經耦合至第三結構16，以在其接觸時將累積於第三結構16中之電荷等化。圖3係經受超出最大力容差之一第二力之一裝置之某些實施例之一示意圖。如圖3中所繪示，在裝置100由於另一形式之衝擊而經歷沿方向Z之大於最大力容差之一第二力F2時，彼此經耦合之第二結構14及第三結構16兩者皆將由於慣性效應而沿著方向Z朝向板30移動或旋轉。在第二力F2係過量時，第三結構16將接觸多層緩衝墊20。在此一情形中，第二導電構件23及/或第一導電構件21在第三結構16接觸緩衝墊20時提供一緩衝效應以便避免粒子產生。在第三結構16接觸緩衝墊20時，介電構件22提供一實質支撐效應以便避免靜摩擦。本發明之裝置並不限於以上提及之實施例，而亦可具有其他不同實施例。為簡化說明且為便於比較本發明之實施例中之每一者，以下實施例中之每一者中之相同組件係以相同數字標記。為更容易地比較實施例之間的差異，以下說明將詳述不同實施例之間的差別，且將不再過多闡述相同構件。圖4係一裝置之某些實施例之一示意性剖面圖。如圖4中所繪示，裝置110與裝置100之間的一個差異係緩衝墊20之第一導電構件21被省略。在某些實施例中，裝置110之緩衝墊20包含介電構件22及第二導電構件23。第二導電構件23至少覆蓋介電構件22之一部分。在某些實施例中，第二導電構件23覆蓋介電構件22之傾斜側壁222及頂部表面221之一部分。在第三結構16接觸多層緩衝墊20時，第二導電構件23能夠在第三結構16接觸緩衝墊20時提供一緩衝效應，藉此避免粒子產生。另外，介電構件22能夠提供一實質支撐效應，藉此避免靜摩擦。圖5係一裝置之某些實施例之一示意性剖面圖。如圖5中所繪示，裝置200與裝置100之間的一個差異係裝置200進一步包含電連接至第三結構16及緩衝墊20之一連接構件40。在某些實施例中，連接構件40包含一第一連接結構41、一第一導電通路42、一第二連接結構43、一第二導電通路44及一第三導電通路45。第一連接結構41經放置於基板10上方及第一導電構件21下方。第一連接結構41之材料包含導電材料，例如金屬，但不限於金屬。在某些實施例中，第一連接結構與第一導電構件21透過第一導電通路42電連接至彼此。第二連接結構43經放置於基板10上方。在某些實施例中，第二連接結構43由第一結構12覆蓋。第二連接結構43之材料包含導電材料，例如金屬。在某些實施例中，第二連接結構43與第一導電構件21單片形成。第二導電通路44經放置於第一連接結構41與第二連接結構43之間且電連接至該兩者。第三導電通路45經放置於第二連接結構43與第一結構12之間且電連接至該兩者。第一導電通路42、第二導電通路44及第三導電通路45可由任何適合導電材料製作，諸如銅。借助連接構件40，第三結構16能夠電連接至緩衝墊20。因此，在第三結構16接觸緩衝墊20時，可將第三結構16與緩衝墊20之間的電荷等化。在本發明實施例中，提供包含一懸置式可移動結構及一緩衝墊裝置。在裝置經歷一力時，可移動結構被懸置且能夠移動、擺動或旋轉。該緩衝墊係包含一介電構件及封圍該介電構件之一導電構件之一多層緩衝墊。在該可移動結構接觸該緩衝墊時，該導電構件提供一緩衝效應以便避免粒子產生。在該可移動結構接觸該緩衝墊時，該介電構件提供一支撐效應以便避免靜摩擦。在本發明實施例中，提供包含一彈簧、一驗證質量塊及一緩衝墊一MEMS裝置。該驗證質量塊之一部分與緩衝墊間隔開，且該驗證質量塊與緩衝墊電連接至彼此。在該驗證質量塊接觸該緩衝墊時，電荷被等化。在一個例示性態樣中，提供一裝置。該裝置包含一基板、一第一結構、一第二結構、一第三結構及一緩衝墊。該第一結構位於該基板上方。該第二結構位於該基板上方，其中該第二結構具有耦合至該第一結構之一第一端。該第三結構位於該基板上方，其中該第三結構耦合至該第二結構之一第二端。該緩衝墊位於該基板與該第三結構之間，其中該緩衝墊係包含一第一導電構件、一介電構件及一第二導電構件之一多層緩衝墊。該介電構件位於該第一導電構件上方。該第二導電構件位於該介電構件上方且電連接至該第一導電構件。在另一例示性態樣中，提供一MEMS裝置。該MEMS裝置包含一基板、一穩態結構、一驗證質量塊、一彈簧及一緩衝墊。該穩態結構位於該基板上方，其中該問太結構暴露該基板之一部分。該驗證質量塊位於該基板上方。該彈簧將該驗證質量塊錨定至該穩態結構。該緩衝墊位於該基板與該驗證質量塊之間，其中該緩衝墊與該驗證質量塊電連接至彼此。在又一例示性態樣中，提供形成於一基板上方之一多層結構。該多層結構包含一底部導電構件、一介電構件及一頂部導電膜。該底部導電構件位於該基板上方，且該底部導電構件具有暴露該基板之一凹槽。該介電構件位於該底部導電構件上，其中該介電構件之一部分位於該凹槽中。該頂部導電膜至少覆蓋該介電構件之一部分。前述內容概述數項實施例之特徵，使得熟習此項技術者可較好地理解本發明之態樣。熟習此項技術者應瞭解，其可容易地將本發明用作用於設計或修改其他製程及結構以實現本文中所引入實施例之相同目的及/或達成相同優勢之一基礎。熟習此項技術者亦應意識到，此等等效構造並不脫離本發明之精神及範疇，且應意識到其可在不脫離本發明之精神及範疇之情況下在本文中作出各種改變、替代及更改。

10‧‧‧基板12‧‧‧第一結構14‧‧‧第二結構16‧‧‧第三結構20‧‧‧緩衝墊/多層緩衝墊21‧‧‧第一導電構件21H‧‧‧凹槽22‧‧‧介電構件23‧‧‧第二導電構件30‧‧‧板40‧‧‧連接構件41‧‧‧第一連接結構42‧‧‧第一導電通路43‧‧‧第二連接結構44‧‧‧第二導電通路45‧‧‧第三導電通路100‧‧‧裝置110‧‧‧裝置141‧‧‧第一端142‧‧‧第二端200‧‧‧裝置221‧‧‧頂部表面222‧‧‧傾斜側壁A-A'‧‧‧線F1‧‧‧力/第一力F2‧‧‧第二力Z‧‧‧方向

在與附圖一起閱讀時，依據以下詳細說明最佳地理解本發明之態樣。注意，根據行業中之標準實踐，各種構件並非按比例繪製。事實上，為論述之清晰起見，可任意地增大或減小各種構件之尺寸。圖1係一裝置之某些實施例之一示意性俯視圖。圖1A係沿著圖1之線A-A'截取之一示意性剖面圖。圖1B係對應於圖1A之一裝置之某些實施例之一經放大剖面圖。圖2係經受在最大力容差內之一第一力之一裝置之某些實施例之一示意圖。圖3係經受超出最大力容差之一第二力之一裝置之某些實施例之一示意圖。圖4係一裝置之某些實施例之一示意性剖面圖。圖5係一裝置之某些實施例之一示意性剖面圖。

10‧‧‧基板

12‧‧‧第一結構

14‧‧‧第二結構

16‧‧‧第三結構

20‧‧‧緩衝墊/多層緩衝墊

100‧‧‧裝置

A-A'‧‧‧線

Claims

一種MEMS裝置，其包括：一基板；一第一結構，其位於該基板上方；一第二結構，其位於該基板上方，其中該第二結構具有經耦合至該第一結構之一第一端；一第三結構，其位於該基板上方，其中該第三結構經耦合至該第二結構之一第二端；及一緩衝墊，其位於該基板與該第三結構之間，其中該緩衝墊係一多層緩衝墊，其包括：一第一導電構件；一介電構件，其位於該第一導電構件上方；及一第二導電構件，其位於該介電構件上方且經電連接至該第一導電構件。
如請求項1之MEMS裝置，其中該第一導電構件具有一凹槽，該介電構件經安置於該第一導電構件上，該介電構件之一部分位於該凹槽中，且該第二導電構件覆蓋該介電構件之一部分。
如請求項2之MEMS裝置，其中該介電構件具有一頂部表面及一傾斜側壁，且該第二導電構件覆蓋該傾斜側壁及該介電構件之該頂部表面的一部分。
如請求項1之MEMS裝置，其中該第二結構及該第三結構係導電的。
如請求項4之MEMS裝置，進一步包括經電連接至該第三結構及該緩衝墊之一連接構件。
如請求項5之MEMS裝置，其中該連接構件包括：一第一連接結構，其位於該基板上方；一第一導電通路，其經電連接至該第一導電構件及該第一連接結構；一第二連接結構，其位於該基板上方；一第二導電通路，其經電連接至該第一連接結構及該第二連接結構；及一第三導電通路，其經電連接至該第二連接結構及該第一結構。
如請求項6之MEMS裝置，其中該連接構件之該第二連接結構與該緩衝墊之該第一導電構件係由同一導電層形成。
一種MEMS裝置，其包括：一基板；一靜止結構，其位於該基板上方，其中該靜止結構暴露出該基板之一部分；一檢驗質量塊，其位於該基板上方；一彈簧，其將該檢驗質量塊錨定至該靜止結構；及一緩衝墊，其位於該基板與該檢驗質量塊之間，其中該緩衝墊與該檢驗質量塊係彼此電連接。
如請求項8之MEMS裝置，進一步包括位於該基板上方之一板，其中該檢驗質量塊及該板形成一電容器。
一種MEMS裝置，其包括：一基板；一第一結構，其位於該基板上方；一第二結構，其位於該基板上方，其中該第二結構具有經耦合至該第一結構之一第一端；一第三結構，其位於該基板上方，其中該第三結構經耦合至該第二結構之一第二端；及一緩衝墊，其位於該基板與該第三結構之間，其中該緩衝墊係一多層緩衝墊，該多層緩衝墊包括：一底部導電構件，其位於該基板上方，其中該底部導電構件具有暴露出該基板之一凹槽；一介電構件，其位於該底部導電構件上，其中該介電構件之一部分位於該凹槽中；及一頂部導電膜，其至少覆蓋該介電構件之一部分且經電連接至該底部導電構件。