TWI699962B - 頻率調諧的裝置及方法 - Google Patents

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Abstract

一種頻率調諧的裝置包含一振盪器、一頻率偵測器以及一選擇電路。振盪器用以產生一振盪訊號。振盪器包含一第一調諧組以及一第二調諧組。第一調諧組用以將振盪訊號的頻率調整於一第一頻帶內。第二調諧組用以將振盪訊號的頻率調整於一第二頻帶內。頻率偵測器用以依據至少一訊號產生一控制訊號。該至少一訊號代表振盪訊號的頻率。選擇電路用以依據控制訊號啟動第一調諧組以及第二調諧組中之至少一者。此外，一種頻率調諧方法亦在此揭露。

Description

頻率調諧的裝置及方法
本揭示內容是有關於一種頻率調諧技術，且特別是有關於頻率調諧裝置。
振盪器(Oscillator)已被廣泛地使用於各種電子裝置中。舉例而言，振盪器被應用於記憶體裝置或資料傳輸系統，以提供具有預期頻率的時脈訊號。然而，基於製程、電壓、及/或溫度(PVT)變異的原因，振盪器可能具有非線性增益。如此，記憶體裝置的性能以及精確度將會降低。
本揭示內容的一些實施方式是關於一種頻率調諧裝置。頻率調諧裝置包含一振盪器、一頻率偵測器以及一選擇電路。振盪器用以產生一振盪訊號。振盪器包含一第一調諧組以及一第二調諧組。第一調諧組用以將振盪訊號的頻率調整於一第一頻帶內。第二調諧組用以將振盪訊號的頻率調整於一第二頻帶內。頻率偵測器用以依據至少一訊號產生一控制訊號。該至少一訊號代表振盪訊號的頻率。選擇電路 用以依據控制訊號啟動第一調諧組以及第二調諧組中之至少一者。
本揭示內容的一些實施方式是關於一種頻率調諧方法。頻率調諧方法包含以下操作。藉由一頻率偵測器偵測至少一訊號以產生一控制訊號，該至少一訊號代表從一振盪器輸出的一振盪訊號的一頻率。依據該控制訊號，藉由一選擇電路啟動一第一調諧組以及一第二調諧組之其中一者，以調整該振盪訊號的該頻率。其中該第一調諧組對應於一第一頻帶，該第二調諧組對應一第二頻帶，且該振盪訊號之該頻率用以落於該第一頻帶以及該第二頻帶之其中一者內。其中該第一調諧組以及該第二調諧組之每一者包含一開關電容電路，該頻率調諧方法更包含以下操作：依據一第一電容與一第二電容之間一比例的兩倍決定該第一頻帶以及該第二頻帶。其中該開關電容電路用以於該開關電容電路導通時具有該第一電容，該開關電容電路用以於該開關電容電路截止時具有該第二電容。
本揭示內容的一些實施方式是關於一種頻率調諧裝置。頻率調諧裝置包含一選擇電路、一第一調諧組以及一第二調諧組。選擇電路用以依據至少一訊號產生一第一選擇訊號以及一第二選擇訊號。該至少一訊號代表振盪訊號的頻率。第一調諧組用以依據第一選擇訊號產生位於一第一頻帶內的振盪訊號。第二調諧組用以依據第二選擇訊號產生位於一第二頻帶內的振盪訊號。振盪訊號的頻率依據該至少一訊號而落於第一頻帶以及第二頻帶之其中一者內。第一調諧 組以及第二調諧組之每一者包含一開關電容電路。開關電容電路用以於開關電容電路導通時具有一第一電容。開關電容電路用以於開關電容電路截止時具有一第二電容。第一頻帶以及第二頻帶是依據第一電容與第二電容間比例的兩倍所決定。
為讓本揭示內容之上述和其他目的、特徵、優點與實施例能更明顯易懂，所附符號之說明如下：
100:裝置
120:振盪器
122、124:調諧組
140:頻率偵測器
142:比較器
160:選擇電路
162、164:正反器
166:或閘
168:反及閘
400:方法
S410、S420、S430、S440、S450、S460:操作
501、502、503:曲線
601、602:金屬層
F1:訊號
VC:控制訊號
VS1、VS2:選擇訊號
VD1、VD2:偵測訊號
VO:振盪訊號
VDD:電壓
M1、M2、M3、M4、M5:開關
O+、O-:節點
SC1~SCN:開關電容電路
L1、L2:電感
C1、C2:電容
CSW1、CSW2、CSW:等效電容
△fFINE:解析度
△CFINE:單位變異
Cpar:寄生電容
CSW_ON、CSW_OFF:電容值
FTH:臨限頻率
FREF:參考頻率
f1、f2:頻率
閱讀以下的詳細描述時搭配隨附的圖式，可對本揭示內容達到最佳的理解。強調的是，根據產業多種類特徵構造標準實務可能並非依比例畫出，而僅為舉例目的之用。事實上，圖式中多種類特徵構造的尺寸可任意增加或減少以利討論的明確性。
第1圖是依據本揭示內容的一些實施例所繪示的一裝置的示意圖；第2圖是依據本揭示內容的一些實施例所繪示的第1圖的振盪器的示意圖；第3圖是依據本揭示內容的一些實施例所繪示的第1圖的頻率偵測器以及第1圖的選擇電路的電路圖；第4圖是依據本揭示內容的一些實施例所繪示的校正一振盪器之頻率的方法的流程圖；第5圖是依據本揭示內容的一些實施例所繪示的第2圖中開關電容電路之微調解析度與第1圖中振盪訊號VO之頻率之間的關係；以及 第6圖是依據本揭示內容的一些實施例所繪示的第2圖中振盪器的電容的形成示意圖。
以下揭示內容提供許多不同實施例，例如實施所揭露專利標的不同特徵構造。元件與排列之特定範例如下所敘述以簡化本揭示內容，並且僅為舉例說明並非用以限定本揭示內容。舉例而言，後段敘述中形成第一特徵於第二特徵上可能包含第一特徵與第二特徵是以直接接觸方式形成的實施例，也可能包含其他特徵形成於第一第二特徵間，以使第一及第二特徵可能不是直接接觸的實施例。另外，本揭示內容可重複參考標號及/或文字於不同的例子中。這種重複是為了簡化及清楚之目的且並非限定所討論的不同實施例及/或配置之間的關係。
在全篇說明書所使用之用詞(terms)，通常具有每個用詞使用在此領域中以及在此揭示內容中平常意義。此說明書中使用的例子，包含於此所討論的任何用詞之例子，僅用以示例，且非用以限制任何舉例之用詞的範圍以及意義。同樣地，本揭示並不限制於本說明書中的各種例子。
雖然本文中所使用之『第一』、『第二』、『第三』...等可用以描述不同的元件，這些元件並非受限於這些用詞。這些用詞用以區別不同的元件。舉例而言，在不違背實施例之範圍的情況下，第一元件可被命名為第二元件，且相似地，第二元件可被命名為第一元件。如於此所討論的， 用詞『及/或』包含一或多個被列舉的物件的任何以及所有的組合。
請參考第1圖。第1圖是依據本揭示內容的一些實施例所繪示的一裝置100的示意圖。在一些實施例中，裝置100被應用於一全數位鎖相環(all-digital phase locked loop；ADPLL)系統。在一些實施例中，裝置100用以運作為一數位受控振盪器。
以第1圖示例而言，裝置100包含振盪器120、頻率偵測器140、以及選擇電路160。振盪器120用以受選擇電路160所控制，以產生振盪訊號VO。在一些實施例中，振盪器120包含調諧組122以及調諧組124。調諧組122用以將振盪訊號VO的頻率調整於第一頻帶內。調諧組124用以將振盪訊號VO的頻率調整於第二頻帶內。在一些實施例中，第二頻帶高於第一頻帶。等效而言，振盪訊號VO的頻率範圍被調諧組122以及調諧組124所劃分。在一些實施例中，第一頻帶的頻率範圍部份重疊於第二頻帶的頻率範圍。舉例而言，第一頻帶的範圍約介於9~17吉赫(GHz)，第二頻帶的範圍約介於16~19吉赫。兩者之間重疊的頻率範圍約為1吉赫。
第一頻帶範圍、第二頻帶範圍、以及重疊頻率範圍的安排以及值僅用以示例之目的。第一頻帶範圍、第二頻帶範圍、以及重疊頻率範圍的各種安排以及值皆在本揭示內容的考量範圍內。
頻率偵測器140用以偵測至少一訊號F1，且對 應地產生控制訊號VC。在不同的實施例中，該至少一訊號F1包含複數個訊號，該些訊號足以代表振盪訊號VO的頻率。在一些實施例中，該至少一訊號F1包含在ADPLL系統中的頻率控制字元，其用以校正振盪訊號VO的頻率。在一些進一步的實施例中，頻率控制字元包含用以校正製程、電壓以及溫度(PVT)變異的控制碼、用以選擇振盪訊號VO之頻率的控制碼、用以粗調的控制碼、及/或用以細調的控制碼。在一些實施例中，該至少一訊號F1包含輸出自ADPLL系統中一參考累積器及/或一變動累積器的資料。在一些其他的實施例中，該至少一訊號F1包含輸出自一時間數位轉換器(time-to-digital converter；TDC)的資料。在一些實施例中，該至少一訊號F1包含輸出自一監控電路的訊號，監控電路用以偵測振盪訊號VO的頻率。在一些取代的實施例中，訊號F1包含來自一類比PLL系統的一控制電壓。
訊號F1的安排僅用以示例之目的。訊號F1能夠代表振盪訊號VO的頻率，訊號F1的各種安排皆在本揭示內容的考量範圍內。
選擇電路160耦接於頻率偵測器140與振盪器120之間。在一些實施例中，選擇電路160用以依據控制訊號VC輸出選擇訊號VS1以及選擇訊號VS2，以啟動調諧組122以及調諧組124之至少其中一者。在一些實施例中，選擇訊號VS1以及選擇訊號VS2為多位元訊號。在一些實施例中，多位元訊號為二進制碼(binary code)的型式。在一些其他的實施例中，多位元訊號為溫度計碼(thermometer code)的型式。在這些安排下，振盪訊號VO的頻率能夠自動地被調整。在一些實施例中，選擇訊號VS1~VS2是藉由控制訊號VC與訊號F1的邏輯運算或者算術運算而產生。在一些實施例中，選擇訊號VS1~VS2是藉由控制訊號VC與訊號F1之不同位元的邏輯運算或者算術運算而產生。
請參考第2圖。第2圖是依據本揭示內容的一些實施例所繪示的第1圖的振盪器120的示意圖。為便於瞭解，第2圖中與第1圖中相似的元件以相同元件符號標示。
在一些實施例中，振盪器120包含電感電容振盪器(LC-based oscillator)。以第2圖示例而言，相較於第1圖，振盪器120更包含電感L1~L2以及形成交錯耦接對的開關M1~M2。電感L1耦接於電壓源與節點O+之間。電壓源用以提供電壓VDD。電感L2耦接於電壓源與節點O-之間。開關M1耦接於節點O+與地端之間。開關M1的控制端耦接節點O-。開關M2耦接於節點O-與地端之間。開關M2的控制端耦接於節點O+。調諧組122以及調諧組124耦接於節點O+以及節點O-之間。在一些實施例中，電感L1的電感值與電感L2的電感值相同。
在一些實施例中，調諧組122以及調諧組124之各者包含開關電容電路SC1~SCN。為了簡化，第2圖只繪示了調諧組122中開關電容電路SC1的電路圖。調諧組122中開關電容電路SC2~SCN的電路架構以及調諧組124中開關電容電路SC1~SCN的電路架構相同於調諧組122中開關電容電路SC1的電路架構。在一些實施例中，開關電容 電路SC1包含開關M3~M5以及電容C1~C2。在一些實施例中，電容C1的電容值與電容C2的電容值相同。
電容C1的第一端耦接節點O+，電容C1的第二端耦接開關M3的第一端。電容C2的第一端耦接開關M3的第二端，電容C2的第二端耦接節點O-。開關M4耦接於電容C1的第二端與地端之間。開關M5耦接於第二電容的第一端與地端之間。調諧組122中開關電容電路SC1~SCN的開關M3~M5用以依據選擇訊號VS1導通。調諧組124中開關電容電路SC1~SCN的開關M3~M5用以依據選擇訊號VS2導通。當開關M3導通，電容C1連接至電容C2。當開關M4導通，電容C1的第二端連接至地端。當開關M5導通，電容C2的第一端連接至地端。
在一些實施例中，為了在節點O+與節點O-之間產生振盪訊號VO，電感L1與耦接至電感L1的等效電容CSW1間發生共振，電感L2與耦接至電感L2的等效電容CSW2間發生共振。在一些實施例中，等效電容CSW1以及等效電容CSW2是依據開關電容電路SC1~SCN的運作狀態決定。對應地，隨著開關電容電路SC1~SCN的不同運作狀態，開關電容電路SC1~SCN之每一者能夠提供振盪訊號VO的一特定範圍的頻率。以不同的方式解釋，振盪器120的增益能夠藉由導通或截止開關電容電路SC1~SCN而被調整。
在一些實施例中，調諧組122以及調諧組124被應用在振盪器120的微調中。示例而言，開關電容電路 SC1~SCN以對稱的架構形成。等效電容CSW1的電容值大致與等效電容CSW2的電容值相同。因此，為了簡化，以下敘述將以等效電容CSW1為例進行說明。
如上所述，振盪訊號VO的頻率依據發生在開關電容電路SC1~SCN中的共振而調整。開關電容電路SC1的解析度△fFINE用以微調振盪器120的增益，△fFINE能夠以以下公式(1)表達：
Figure 105136006-A0305-02-0011-1
L是電感L1~L2的電感值，Cpar是開關電容電路SC1的寄生電容，CSW是等效電容CSW1以及等效電容CSW2之其中一者，且△CFINE是開關電容電路SC1的電容的單位變異。
當開關電容電路SC1的開關M3~M5被導通，CSW對應的電容值以下將被標記為CSW_ON。取而代之地，當開關電容電路SC1的開關M3~M5被截止，CSW對應的電容值以下將被標記為CSW_OFF。在一些實施例中，當CSW的電容值甚大於Cpar的電容值，公式(1)能夠簡化成以下的公式(2)：
Figure 105136006-A0305-02-0011-2
△fFINE_Min是開關電容電路SC1的最小解析度，且△fFINE_Max是開關電容電路SC1的最大解析度。
如此，若CSW的值甚大於寄生電容Cpar，△fFINE_Max與△fFINE_Min之間的關係能夠從以下公式(3)得到：
Figure 105136006-A0305-02-0012-3
如上所述，當開關電容電路SC1~SCN其中一者的開關M1~M3導通，該開關電容電路SC1~SCN具有電容CSW_ON。當開關電容電路SC1~SCN其中一者的開關M1~M3截止，該開關電容電路SC1~SCN具有電容CSW_OFF。藉由利用公式(3)，在不同的實施例中，第一頻帶以及第二頻帶能夠依據CSW_ON與CSW_OFF之間比例的約兩倍而決定。
示例而言，請繼續參考第2圖，當開關M3~M5截止時，等效電容CSW1(也就是電容CSW_OFF)實質上由耦接至電容C1的第二端的寄生電容(圖未示)以及開關M3的閘極-源極電容(圖未示)形成。當開關M3~M5導通時，電容C1的第二端透過開關M4耦接至地端。如此，當開關M3~M5導通時，等效電容CSW1(也就是電容CSW_ON)實質上由電容C1形成。如此，藉由選擇開關M3~M5以及電容C1的尺寸，電容CSW_ON與電容CSW_OFF之間的比例就能夠被決定。等效而言，第一頻帶與第二頻帶能夠被線性地決定。舉例而言，當電容CSW_ON與電容CSW_OFF之間的比例被設定 約為1時，由公式(3)得到的值約為2。相應地，第二頻帶的解析度被設計在例如約4~8百萬赫茲(million Hertz；MHZ)的範圍內。微調解析度以及頻帶的值僅用以示例之目的。微調解析度以及頻帶的各種值皆在本揭示內容的考量範圍內。
在一些作法中，振盪器的增益為非線性。換句話說，這些作法中的振盪器的增益納入了二次方程式的計算，這需要複雜的分析。相較於前述的作法，藉由利用上述的公式(3)，第一頻帶與第二頻帶能夠更有效率地被設定。
請參考第3圖。第3圖是依據本揭示內容的一些實施例所繪示的第1圖的頻率偵測器140以及第1圖的選擇電路160的電路圖。為便於瞭解，第3圖中與第2圖以及第1圖中相似的元件以相同元件符號標示。
以第3圖示例而言，在一些實施例中，頻率偵測器140包含比較器142。比較器142用以比較該至少一訊號F1與臨限頻率FTH，以產生控制訊號VC。在一些實施例中，臨限頻率FTH是第一頻帶與第二頻帶之間的界線，例如，如以下第5圖所繪示。
在一些實施例中，選擇電路160包含正反器(flip-flop)162與164、或閘(OR)166以及反及閘(NAND)168。或閘166具有一反相輸入端。正反器162用以依據參考頻率FREF以及訊號F1輸出偵測訊號VD1，例如包含微調訊號。在一些實施例中，偵測訊號VD1是多位元訊號。正反器164用以依據參考頻率FREF以及控制訊號VC 輸出偵測訊號VD2。或閘166的反相輸入端用以接收偵測訊號VD1，或閘166的另一個輸入端用以接收偵測訊號VD2，或閘166的輸出端用以輸出選擇訊號VS2。反及閘168用以依據偵測訊號VD1以及偵測訊號VD2輸出選擇訊號VS1。藉由這種安排，當振盪訊號VO的頻率被期望超過臨限頻率FTH時，調諧組124能夠被選擇訊號VS2啟動。如此，振盪訊號VO的頻率能夠被線性地調整於較高的頻率範圍內。
頻率偵測器140以及選擇電路160的安排以及實現僅用以示例之目的。頻率偵測器140以及選擇電路160的各種安排以及實現皆在本揭示內容的考量範圍內。
第4圖是依據本揭示內容的一些實施例所繪示的校正一振盪器之頻率的方法400的流程圖。為易於瞭解之目的，現在請參考第1~4圖，方法400的操作將搭配第1圖的裝置100描述。在一些實施例中，方法400包含操作S410~S460。
在操作S410，比較器142比較訊號F1的頻率與臨限頻率FTH，以輸出控制訊號VC。在操作S420，正反器162依據參考頻率FREF以及訊號F1輸出偵測訊號VD1。在操作S430，正反器164依據控制訊號VC以及參考頻率FREF輸出偵測訊號VD2。
第5圖是依據本揭示內容的一些實施例所繪示的第2圖中開關電容電路SC1~SCN之微調解析度與第1圖中振盪訊號VO之頻率之間的關係。
舉例而言，如第5圖的一些實施例示例而言，第一頻位於頻率f1至臨限頻率FTH的範圍內，第二頻帶位於臨限頻率FTH至頻率f2的範圍內。當訊號F1的頻率低於臨限頻率FTH時，比較器142輸出具有邏輯值0的控制訊號VC。在這種條件下，正反器162輸出具有邏輯值1的偵測訊號VD1，且正反器164輸出具有邏輯值0的偵測訊號VD2。取而代之地，當訊號F1的頻率高於臨限頻率FTH時，比較器142輸出具有邏輯值1的控制訊號VC。在這種條件下，正反器162輸出具有邏輯值0的偵測訊號VD1，正反器164輸出具有邏輯值1的偵測訊號VD2。
請繼續參考第4圖，在操作S440，或閘166依據偵測訊號VD1~VD2輸出選擇訊號VS2。在操作S450，反及閘168依據偵測訊號VD1~VD2輸出選擇訊號VS1。
舉例而言，如上所述，當訊號F1的頻率低於臨限頻率FTH時，也就是說，振盪訊號VO的頻率目前位於第一頻帶內，偵測訊號VD2具有邏輯值0。對應地，反及閘168輸出具有邏輯值1的選擇訊號VS1，或閘166輸出具有邏輯值0的選擇訊號VS2。取而代之地，當訊號F1的頻率高於臨限頻率FTH時，也就是說，振盪訊號VO的頻率目前位於第二頻帶內，偵測訊號VD2具有邏輯值1。對應地，反及閘168輸出具有邏輯值0的選擇訊號VS1，或閘166輸出具有邏輯值1的選擇訊號VS2。
請繼續參考第4圖。在操作S460，調諧組122以及調諧組124的其中一者被啟動以調整振盪訊號VO的頻率。
舉例而言，如上所述，當振盪訊號VO的頻率目前位於第一頻帶內，選擇訊號VS1具有邏輯值1且選擇訊號VS2具有邏輯值0。相應地，調諧組122的開關電容電路SC1~SCN被選擇以調整振盪訊號VO的頻率。取而代之地，當振盪訊號VO的頻率目前位於第二頻帶內，選擇訊號VS1具有邏輯值0且選擇訊號VS2具有邏輯值1。相應地，調諧組124的開關電容電路SC1~SCN被選擇以調整振盪訊號VO的頻率。
上述敘述中的方法400包含示例性的操作，但該些操作不必依上述順序被執行。按照本揭示內容的精神與範圍，本揭示內容的方法400中的操作的順序能夠被改變，或者該些操作能夠視情況地同時或部分同時被執行。舉例而言，在一些其他的實施例中，調諧組122以及調諧組124同時導通，以進一步延展振盪訊號VO的頻率調整範圍。
在一些方式中，如第5圖所繪示的曲線501，振盪器在微調解析度中具有非線性特性。相較於這種方式，如第5圖所繪示的曲線502~503，振盪訊號VO的頻率範圍落於第一頻帶以及第二頻帶之其中一者內。曲線502對應於第一頻帶，曲線503對應於第二頻帶。等效而言，第1圖的振盪器120被第一頻帶以及第二頻帶的安排所補償。如此，振盪器120的線性度被改善。
請參考第6圖。第6圖是依據本揭示內容的一些實施例所繪示的第2圖中振盪器120的電容C1~C2的形成的示意圖。為便於瞭解，第6圖中與第2圖中相似的元件以相同元件符號標示。
在一些實施例中，以第6圖示例而言，在第2圖的調諧組122以及調諧組124之任一者的開關電容電路SC1~SCN中的電容C1~C2是以多指(multi-finger)結構形成。舉例而言，在一些實施例中，電容C1~C2是以金屬-絕緣體-金屬(metal-insulator-metal；MIM)電容形成。在一些實施例中，電容C1~C2是以金屬-氧化物-金屬(metal-oxide-metal；MOM)電容形成。
進一步而言，在一些實施例中，以第6圖示例而言，調諧組124的電容C1~C2形成在調諧組122的電容C1~C2上。舉例而言，調諧組124的電容C1~C2利用金屬層601形成多指結構，且調諧組122的電容C1~C2利用金屬層602形成多指結構。利用金屬層601所形成的多指結構形成且堆疊在利用金屬層602所形成的多指結構上。藉由堆疊電容C1~C2，調諧組122以及調諧組124的尺寸得以被減小。在一些其他的實施例中，調諧組122的電容C1~C2形成在調諧組124的電容C1~C2上。
電容C1~C2的安排以及實現僅用以示例之目的。電容C1~C2的各種安排以及實現皆在本揭示內容的考量範圍內。舉例而言，在一些其他的實施例中，調諧組122以及調諧組124的電容C1~C2是以水平分布的多指電容形 成。
為易於瞭解，上述實施例是搭配兩個調諧組122以及124進行描述。在不同的實施例，不同數量的調諧組能夠被應用至第1圖的裝置100，例如包含任何多於2或等於2的整數。舉例而言，在一些其他的實施例中，第2圖的振盪器120包含3個調諧組，以調整振盪訊號的頻率。相應地，3個調諧組能夠以第6圖的多指結構且彼此堆疊而形成。另外，在上述的示例中，調諧組122以及調諧組124能夠應用至ADPLL系統中的PVT調諧組、帶調諧組(band tuning banks)、粗調調諧組、及/或細調調諧組。
在本文中所使用的用詞『耦接』亦可指『電性耦接』，且用詞『連接』亦可指『電性連接』。『耦接』及『連接』亦可指二個或多個元件相互配合或相互互動。
在一些實施例中，一種頻率調諧裝置被揭示。頻率調諧裝置包含一振盪器、一頻率偵測器以及一選擇電路。振盪器用以產生一振盪訊號。振盪器包含一第一調諧組以及一第二調諧組。第一調諧組用以將振盪訊號的頻率調整於一第一頻帶內。第二調諧組用以將振盪訊號的頻率調整於一第二頻帶內。頻率偵測器用以依據至少一訊號產生一控制訊號。該至少一訊號代表振盪訊號的頻率。選擇電路用以依據控制訊號啟動第一調諧組以及第二調諧組中之至少一者。
在一些實施例中，第一調諧組以及第二調諧組之每一者包含一開關電容電路。開關電容電路用以於開關電容電路導通時具有一第一電容。開關電容電路用以於開關電 容電路截止時具有一第二電容。第一頻帶以及第二頻帶是依據第一頻帶與第二頻帶間比例的兩倍所決定。
在一些實施例中，開關電容電路包含至少一電容性單元。第二調諧組的該至少一電容性單元形成且堆疊於第一調諧組的該至少一電容性單元上。
在一些實施例中，該至少一電容性單元是以一多指結構形成。
在一些實施例中，第一頻帶的一頻率範圍部分重疊於第二頻帶的一頻率範圍。
在一些實施例中，振盪器更包含一第一電感性單元、一第二電感性單元以及一開關單元的交錯耦接對。第一電感性單元耦接一第一節點。第二電感性單元耦接一第二節點。交錯耦接對耦接第一節點與第二節點。第一調諧組以及第二調諧組耦接於第一節點與第二節點之間。
在一些實施例中，第一調諧組以及第二調諧組之每一者包含複數個開關電容電路。開關電容電路耦接於第一節點與第二節點之間。該些開關電容電路中的一第一開關電容電路包含一第一電容性單元、一第二電容性單元、一第一開關單元、一第二開關單元以及一第三開關單元。第一電容性單元耦接第一節點。第二電容性單元耦接第二節點。第一開關單元用以依據一選擇訊號導通，以連接第一電容性單元與第二電容性單元。第二開關單元用以依據選擇訊號導通，以將第一電容性單元連接至地端。第三開關單元用以依據選擇訊號導通，以將第二電容性單元連接至地端。
在一些實施例中，選擇電路用以依據控制訊號以及該至少一訊號產生選擇訊號，以啟動第一調諧組以及第二調諧組之至少一者。
在一些實施例中，頻率偵測器包含一比較器以及複數個數位電路。比較器用以比較該至少一訊號與一參考頻率，以產生控制訊號。數位電路用以依據參考頻率、控制訊號以及該至少一訊號產生選擇訊號。
一種頻率調諧方法亦被揭示。頻率調諧方法包含以下操作。至少一訊號被一頻率偵測器偵測以產生一控制訊號，該至少一訊號代表一振盪訊號的頻率。一第一調諧組以及一第二調諧組之其中一者被一選擇電路依據控制訊號啟動，以調整振盪訊號的頻率。第一調諧組對應於一第一頻帶，第二調諧組對應一第二頻帶，且振盪訊號之頻率用以落於第一頻帶以及第二頻帶中之其中一者內。
在一些實施例中，一選擇訊號被選擇電路依控制訊號、一參考頻率以及該至少一訊號所產生，以啟動第一調諧組以及第二調諧組之其中一者。
在一些實施例中，該至少一訊號與一臨限頻率被一比較器比較，以產生控制訊號。臨限頻率是第一頻帶與第二頻帶之間的界線。
在一些實施例中，當該至少一訊號的頻率高於第一頻帶時，第二調諧組被啟動。當該至少一訊號的頻率低於第一頻帶時，第二調諧組被啟動。
在一些實施例中，第一調諧組以及第二調諧組之每一者包含一開關電容電路。頻率調諧方法更包含以下操作。依據一第一電容與一第二電容之間比例的兩倍決定第一頻帶以及第二頻帶。開關電容電路用以於開關電容電路導通時具有第一電容。開關電容電路用以於開關電容電路截止時具有第二電容。
一種頻率調諧裝置亦被揭示。頻率調諧裝置包含一選擇電路、一第一調諧組以及一第二調諧組。選擇電路用以依據至少一訊號產生一第一選擇訊號以及一第二選擇訊號。該至少一訊號代表振盪訊號的頻率。第一調諧組用以依據第一選擇訊號產生位於一第一頻帶內的振盪訊號。第二調諧組用以依據第二選擇訊號產生位於一第二頻帶內的振盪訊號。振盪訊號的頻率依據該至少一訊號而落於第一頻帶以及第二頻帶中之其中一者內。
在一些實施例中，第一調諧組以及第二調諧組之每一者包含一開關電容電路。開關電容電路用以於開關電容電路導通時具有一第一電容。開關電容電路用以於開關電容電路截止時具有一第二電容。第一頻帶以及第二頻帶是依據第一頻帶與第二頻帶間比例的兩倍所決定。
在一些實施例中，開關電容電路包含至少一電容性單元。第二調諧組的該至少一電容性單元形成且堆疊於第一調諧組的該至少一電容性單元上。
在一些實施例中，頻率調諧裝置更包含一頻率偵測器。頻率偵測器用以依據該至少一訊號產生一控制訊 號。該至少一訊號代表振盪訊號的頻率。選擇電路用以依據控制訊號產生第一選擇訊號以及第二選擇訊號。
在一些實施例中，頻率調諧裝置更包含一第一電感性單元、一第二電感性單元以及一開關單元的交錯耦接對。第一電感性單元耦接一第一節點。第二電感性單元耦接一第二節點。交錯耦接對耦接第一節點與第二節點。第一調諧組以及第二調諧組耦接於第一節點與第二節點之間。
在一些實施例中，第一調諧組以及第二調諧組之每一者包含複數個開關電容電路。開關電容電路耦接於第一節點與第二節點之間。該些開關電容電路中的一第一開關電容電路包含一第一電容性單元、一第二電容性單元、一第一開關單元、一第二開關單元以及一第三開關單元。第一電容性單元耦接第一節點。第二電容性單元耦接第二節點。第一開關單元用以依據一第一選擇訊號導通，以連接第一電容性單元與第二電容性單元。第二開關單元用以依據第一選擇訊號導通，以將第一電容性單元連接至地端。第三開關單元用以依據第一選擇訊號導通，以將第二電容性單元連接至地端。
技術領域通常知識者可以容易理解到揭露的實施例實現一或多個前述舉例的優點。閱讀前述說明書之後，技術領域通常知識者將有能力對如同此處揭露內容作多種類的更動、置換、等效物以及多種其他實施例。因此本揭示內容之保護範圍當視申請專利範圍所界定者與其均等範圍為準。
100:裝置
120:振盪器
122、124:調諧組
140:頻率偵測器
160:選擇電路
F1:訊號
VC:控制訊號
VS1、VS2:選擇訊號
VO:振盪訊號

Claims (10)

  1. 一種頻率調諧裝置，包含：一振盪器，用以產生一振盪訊號，該振盪器包含：一第一調諧組，用以將該振盪訊號的頻率調整於一第一頻帶內；以及一第二調諧組，用以將該振盪訊號的頻率調整於一第二頻帶內；一頻率偵測器，用以依據至少一訊號產生一控制訊號，該至少一訊號代表該振盪訊號的頻率；以及一選擇電路，用以依據該控制訊號啟動該第一調諧組以及該第二調諧組中之至少一者，其中該第一調諧組以及該第二調諧組之每一者包含一開關電容電路，該開關電容電路用以於該開關電容電路導通時具有一第一電容，該開關電容電路用以於該開關電容電路截止時具有一第二電容，該第一頻帶以及該第二頻帶是依據該第一電容與該第二電容間一比例的兩倍所決定。
  2. 如請求項1所述的頻率調諧裝置，其中該開關電容電路包含至少一電容性單元，該第二調諧組的該至少一電容性單元形成且堆疊於該第一調諧組的該至少一電容性單元上，其中該至少一電容性單元是以一多指結構形成。
  3. 如請求項1所述的頻率調諧裝置，其中該振盪器更包含： 一第一電感性單元，耦接一第一節點；一第二電感性單元，耦接一第二節點；以及一開關單元的交錯耦接對，耦接該第一節點與該第二節點，其中該第一調諧組以及該第二調諧組耦接於該第一節點與該第二節點之間，其中該開關電容電路耦接於該第一節點與該第二節點之間，該開關電容電路包含：一第一電容性單元，耦接該第一節點；一第二電容性單元，耦接該第二節點；一第一開關單元，用以依據一選擇訊號導通，以耦接該第一電容性單元與該第二電容性單元；一第二開關單元，用以依據該選擇訊號導通，以將該第一電容性單元耦接至地端；以及一第三開關單元，用以依據該選擇訊號導通，以將該第二電容性單元耦接至地端，其中該頻率偵測器包含：一比較器，用以比較該至少一訊號與一臨限頻率，以產生控制訊號；複數個數位電路，用以依據一參考頻率、該控制訊號以及該至少一訊號產生該選擇訊號。
  4. 一種頻率調諧方法，包含： 藉由一頻率偵測器偵測至少一訊號以產生一控制訊號，該至少一訊號代表從一振盪器輸出的一振盪訊號的一頻率；以及依據該控制訊號，藉由一選擇電路啟動一第一調諧組以及一第二調諧組之其中一者，以調整該振盪訊號的該頻率，其中該第一調諧組對應於一第一頻帶，該第二調諧組對應一第二頻帶，且該振盪訊號之該頻率用以落於該第一頻帶以及該第二頻帶之其中一者內，其中該第一調諧組以及該第二調諧組之每一者包含一開關電容電路，該頻率調諧方法更包含以下操作：依據一第一電容與一第二電容之間一比例的兩倍決定該第一頻帶以及該第二頻帶，其中該開關電容電路用以於該開關電容電路導通時具有該第一電容，該開關電容電路用以於該開關電容電路截止時具有該第二電容。
  5. 如請求項4所述的頻率調諧方法，其中啟動該第一調諧組以及該第二調諧組之其中一者包含：依據該控制訊號、一參考頻率以及該至少一訊號，藉由該選擇電路產生一選擇訊號，以啟動該第一調諧組以及該第二調諧組之其中一者。
  6. 如請求項4所述的頻率調諧方法，其中偵測該至少一訊號包含： 藉由該頻率偵測器的一比較器比較該至少一訊號與一臨限頻率，以產生該控制訊號，其中該臨限頻率是該第一頻帶與該第二頻帶之間的一界線。
  7. 一種頻率調諧裝置，包含：一選擇電路，用以依據至少一訊號產生一第一選擇訊號以及一第二選擇訊號，該至少一訊號代表一振盪訊號的一頻率；一第一調諧組，用以依據該第一選擇訊號產生位於一第一頻帶內的該振盪訊號；以及一第二調諧組，用以依據該第二選擇訊號產生位於一第二頻帶內的該振盪訊號，其中該振盪訊號的該頻率依據該至少一訊號而落於該第一頻帶以及該第二頻帶之其中一者內，其中該第一調諧組以及該第二調諧組之每一者包含一開關電容電路，該開關電容電路用以於該開關電容電路導通時具有一第一電容，該開關電容電路用以於該開關電容電路截止時具有一第二電容，該第一頻帶以及該第二頻帶是依據該第一電容與該第二電容間一比例的兩倍所決定。
  8. 如請求項7所述的頻率調諧裝置，其中該開關電容電路包含至少一電容性單元，該第二調諧組的該至少一電容性單元形成且堆疊於該第一調諧組的該至少一電容性單元上。
  9. 如請求項7所述的頻率調諧裝置，更包含：一頻率偵測器，用以依據該至少一訊號產生一控制訊號，該至少一訊號代表該振盪訊號的該頻率，其中該選擇電路用以依據該控制訊號產生該第一選擇訊號以及該第二選擇訊號。
  10. 如請求項7所述的頻率調諧裝置，更包含：一第一電感性單元，耦接一第一節點；一第二電感性單元，耦接一第二節點；以及一開關單元的交錯耦接對，耦接該第一節點與該第二節點，其中該第一調諧組以及該第二調諧組耦接於該第一節點與該第二節點之間，其中該開關電容電路耦接於該第一節點與該第二節點之間，該開關電容電路包含：一第一電容性單元，耦接該第一節點；一第二電容性單元，耦接該第二節點；一第一開關單元，用以依據該第一選擇訊號導通，以耦接該第一電容性單元與該第二電容性單元；一第二開關單元，用以依據該第一選擇訊號導通，以將該第一電容性單元耦接至地端；以及一第三開關單元，用以依據該第一選擇訊號導通，以將該第二電容性單元耦接至地端。
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Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN114584074B (zh) * 2022-01-14 2023-07-18 电子科技大学 一种小型化选频结构及其在低相噪微波振荡器中的应用

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20020044025A1 (en) * 2000-08-28 2002-04-18 Samsung Electronics Co., Ltd. Low noise frequency modulator having variable carrier frequency
TW200935719A (en) * 2008-02-05 2009-08-16 Rafael Microelectronics Inc Multi-band VCO
US20100052795A1 (en) * 2008-08-28 2010-03-04 Renesas Technology Corp. Semiconductor integrated circuit
US20110221539A1 (en) * 2010-03-11 2011-09-15 Thomas Mayer Oscillator with controllable frequency
US20110267150A1 (en) * 2010-04-29 2011-11-03 Yongping Fan Automatic Frequency Control Architecture with Digital Temperature Compensation
US20120262238A1 (en) * 2011-04-14 2012-10-18 Lsi Corporation Pvt consistent pll incorporating multiple lcvcos

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8698565B2 (en) * 2010-06-02 2014-04-15 Skyworks Solutions, Inc. Dynamic voltage-controlled oscillator calibration and selection
US9374036B2 (en) * 2014-08-20 2016-06-21 Short Circuit Technologies Llc Split transformer based LC-tank digitally controlled oscillator

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20020044025A1 (en) * 2000-08-28 2002-04-18 Samsung Electronics Co., Ltd. Low noise frequency modulator having variable carrier frequency
TW200935719A (en) * 2008-02-05 2009-08-16 Rafael Microelectronics Inc Multi-band VCO
US20100052795A1 (en) * 2008-08-28 2010-03-04 Renesas Technology Corp. Semiconductor integrated circuit
US20110221539A1 (en) * 2010-03-11 2011-09-15 Thomas Mayer Oscillator with controllable frequency
US20110267150A1 (en) * 2010-04-29 2011-11-03 Yongping Fan Automatic Frequency Control Architecture with Digital Temperature Compensation
US20120262238A1 (en) * 2011-04-14 2012-10-18 Lsi Corporation Pvt consistent pll incorporating multiple lcvcos

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