TWI698732B - 突波抑制模組及具突波抑制功能的功率因數校正電路 - Google Patents

Abstract

本發明揭露一種突波抑制模組及具突波抑制功能的功率因數校正電路。所述突波抑制模組包含電壓判斷單元以及電流限制單元。電壓判斷單元電性連接功率因數校正電路的電壓指示腳位，用以比較第一電壓門檻值與電壓指示腳位中的電壓指示信號，據以選擇性地輸出第一控制信號或第二控制信號。電流限制單元電性連接電壓判斷單元與功率因數校正電路的電流設定腳位，受控於第一控制信號或第二控制信號，選擇性地提供第一電流設定信號或第二電流設定信號至電流設定腳位，用以設定系統峰值電流為第一電流準位或第二電流準位。

Description

突波抑制模組及具突波抑制功能的功率因數校正電路

本發明係關於一種突波抑制模組及具突波抑制功能的功率因數校正電路，特別是關於一種能夠動態限制電流的突波抑制模組及具突波抑制功能的功率因數校正電路。

傳統的功率因數校正電路具有電流誤差放大器與電壓誤差放大器，電壓誤差放大器用來調節系統輸出電壓的大小，而電流誤差放大器可以用來調整功率因數校正電路的占空比(duty cycle)。在傳統的功率因數校正電路啟動時，電流誤差放大器會傾向將占空比調大。此時，當電壓誤差放大器輸出超過內部零功率(zero power)門檻值時，會進一步使功率因數校正電路占空比趨近於1。由於占空比趨近於1將讓功率因數校正電路近乎短路，從而會產生非常大的暫態電流，導致電路可能因突波造成損壞。

因此，業界需要一種在功率因數校正電路啟動時，能夠抑制暫態電流的突波抑制模組，或者是一種具突波抑制功能的功率因數校正電路，以避免產生過大的暫態電流。

本發明提供了一種突波抑制模組，能夠偵測電壓誤差放大器的電壓指示腳位，動態地限制系統峰值電流大小，從而可以避免功率因數校正電路產生過大的暫態電流。

本發明提供一種突波抑制模組，用以保護功率因數校正電路。突波抑制模組包含電壓判斷單元以及電流限制單元。電壓判斷單元電性連接功率因數校正電路的電壓指示腳位，用以比較第一電壓門檻值與電壓指示腳位中的電壓指示信號，據以選擇性地輸出第一控制信號或第二控制信號。電流限制單元電性連接電壓判斷單元與功率因數校正電路的電流設定腳位，受控於第一控制信號或第二控制信號，選擇性地提供第一電流設定信號或第二電流設定信號至電流設定腳位，用以設定系統峰值電流為第一電流準位或第二電流準位。

於一些實施例中，當電壓判斷單元判斷電壓指示信號不大於第一電壓門檻值時，設定系統峰值電流為第一電流準位，當電壓判斷單元判斷電壓指示信號大於第一電壓門檻值時，設定系統峰值電流為第二電流準位，且第一電流準位小於第二電流準位。此外，電壓判斷單元可以包含第一分壓元件與第一比較器，第一分壓元件用以設定第一電壓門檻值，第一比較器用以比較電壓指示信號與第一電壓門檻值。

於一些實施例中，當電壓指示信號不大於第一電壓門檻值時，第一比器較產生第一控制信號，當電壓指示信號大於第一電壓門檻值時，第一比器較產生第二控制信號，第一控制信號具有第一電壓準位，第二控制信號具有第二電壓準位。當電壓指示信號大於第一電壓門檻值，且超過預設時間時，第一比較器更比較電壓指示信號與第二電壓門檻值，當電壓指示信號不大於第二電壓門檻值時，第一比器較產生第一控制信號，當電壓指示信號大於第二電壓門檻值時，第一比器較產生第二控制信號，且第二電壓門檻值小於第一電壓門檻值

於一些實施例中，電流限制單元包含開關，當電流限制單元收到第一控制信號時，開關導通，且電流限制單元提供第一等效電阻值，當電流限制單元收到第二控制信號時，開關截止，且電流限制單元提供第二等效電阻值。電流限制單元可以具有電流設定電阻，且電流設定電阻串聯開關。此外，第一等效電阻值與第二等效電阻值可以分別對應第一電流設定信號與第二電流設定信號，第一電流設定信號用以設定系統峰值電流為第一電流準位，第二電流設定信號用以設定系統峰值電流為第二電流準位，且第一電流準位小於第二電流準位。

本發明提供了一種具突波抑制功能的功率因數校正電路，能夠偵測電壓誤差放大器輸出的電壓，動態地限制系統峰值電流大小，從而可以避免功率因數校正電路產生過大的暫態電流。

本發明提供一種具突波抑制功能的功率因數校正電路，包含電壓誤差比較器、電壓判斷單元以及電流限制單元。電壓誤差比較器用以比較電壓測量值與參考值，據以產生電壓指示信號。電壓判斷單元電性連接電壓誤差比較器，用以比較電壓指示信號與第一電壓門檻值，據以選擇性地輸出第一控制信號或第二控制信號。電流限制單元電性連接電壓判斷單元，受控於第一控制信號或第二控制信號，選擇性地設定系統峰值電流為第一電流準位或第二電流準位。

綜上所述，本發明提供的突波抑制模組與具突波抑制功能的功率因數校正電路，能夠動態地限制系統峰值電流大小，可以避免功率因數校正電路剛啟動時產生過大的暫態電流。

下文將進一步揭露本發明之特徵、目的及功能。然而，以下所述者，僅為本發明之實施例，當不能以之限制本發明之範圍，即但凡依本發明申請專利範圍所作之均等變化及修飾，仍將不失為本發明之要意所在，亦不脫離本發明之精神和範圍，故應將視為本發明的進一步實施態樣。

請參考圖1，圖1係繪示依據本發明一實施例之突波抑制模組與功率因數校正電路的功能方塊圖。如圖1所示，本實施例提供了一個突波抑制模組1，可以用來保護功率因數校正電路2。突波抑制模組1具有電壓判斷單元10以及電流限制單元12，電壓判斷單元10耦接功率因數校正電路2的電壓指示腳位20，電流限制單元12分別耦接電壓判斷單元10以及功率因數校正電路2的電流設定腳位22。實務上，功率因數校正電路2可以是市售的功率因數校正晶片組，例如可以選用較知名的德州儀器製造的晶片組型號UCC2818，電壓指示腳位20可以是晶片組型號UCC2818的VAOUT腳位，電流設定腳位22可以是晶片組型號UCC2818的PKLMT腳位。本實施例並不特別限制製造廠商以及晶片組型號，於所屬技術領域具有通常知識者，當然可以選用其他廠商製造的功率因數校正晶片組。

電壓判斷單元10可以比較第一電壓門檻值與電壓指示腳位中的電壓指示信號，據以選擇性地輸出第一控制信號或第二控制信號。於一個例子中，電壓指示腳位20可以電性連接到功率因數校正電路2中的電壓誤差放大器(未繪示)的輸出端，所述電壓誤差放大器可以比較系統輸出電壓的回授值與參考電壓值的大小。於實務上，功率因數校正電路2剛啟動時，電壓指示腳位20的輸出電壓會在低準位，也就是電壓指示信號會在低準位(電壓準位)。此時，電壓判斷單元10會判斷第一電壓門檻值大於電壓指示腳位20中的電壓指示信號，據以輸出第一控制信號。接著，電流限制單元12受控於第一控制信號，可以設定系統峰值電流(peak current)為第一電流準位，例如可以是較低的電流準位。此外，要是功率因數校正電路2已經穩定工作，電壓指示腳位20的輸出電壓則會在高準位，也就是電壓指示信號會在高準位(電壓準位)。此時，電壓判斷單元10會判斷第一電壓門檻值已經小於電壓指示腳位20中的電壓指示信號，據以輸出第二控制信號。接著，電流限制單元12受控於第二控制信號，可以設定系統峰值電流為第二電流準位，例如可以是較高的電流準位。

換言之，有別於傳統的功率因數校正電路啟動時，功率因數校正電路占空比趨近於1，從而近乎短路而使系統通過非常大的暫態電流。本實施例在功率因數校正電路2啟動時，可以藉由突波抑制模組1限制系統峰值電流，可以避免電路的損壞。當功率因數校正電路2正常工作時，突波抑制模組1再解除對系統峰值電流的限制。為了更詳細說明突波抑制模組1的架構，請一併參閱圖1、圖2與圖3，圖2係繪示依據本發明一實施例之電壓判斷單元的功能方塊圖，圖3係繪示依據本發明一實施例之電流限制單元的功能方塊圖。如圖所示，電壓判斷單元10包含分壓元件100(第一分壓元件)、比較器102(第一比較器)以及磁滯單元104，比較器102的兩個輸入端可以分別電性連接到分壓元件100的輸出端以及電壓指示腳位20，而比較器102的輸出端可以電性連接到電流限制單元12。磁滯單元104可以跨接在比較器102的一個輸入端與輸出端，特別是可以電性連接於分壓元件100的輸出端以及比較器102的輸出端。以下說明電壓判斷單元10的功能與操作方式。

在電壓判斷單元10中，分壓元件100用以設定第一電壓門檻值。於一個例子中，分壓元件100的一端可以連接到功率因數校正電路2的參考電壓，而分壓元件100的另一端可以連接到功率因數校正電路2的接地電壓，從而分壓元件100的的輸出端可以取得介於參考電壓與接地電壓之間的電壓，並將所述電壓設定為第一電壓門檻值。實務上，如果功率因數校正電路2的參考電壓是+7.5V，而接地電壓是0V時，分壓元件100的輸出端可以得到第一電壓門檻值為+1V左右。當然，本實施例不以此為限，於所屬技術領域具有通常知識者也可以動態地設定第一電壓門檻值。此外，比較器102可以比較第一電壓門檻值與電壓指示信號的大小。

實務上，當功率因數校正電路2剛啟動時，電壓指示腳位20的輸出電壓(電壓指示信號)會在低準位，例如電壓指示腳位20的輸出電壓會是+0.3V左右。此時，比較器102判斷第一電壓門檻值較大，從而會輸出高準位的第一控制信號。於所屬技術領域具有通常知識者應該可以了解，此時第一控制信號係被拉高到比較器102的高準位電壓V1，例如可以是+12V。當功率因數校正電路2已經正常工作時，電壓指示腳位20的輸出電壓(電壓指示信號)會在高準位例如+1.1V，且會超過第一電壓門檻值例如+1V。此時，比較器102判斷第一電壓門檻值比電壓指示腳位20的輸出電壓小，從而會輸出低準位的第二控制信號。於所屬技術領域具有通常知識者應該可以了解，此時第二控制信號係被拉低到比較器102的低準位電壓V2，例如可以是0V。

電流限制單元12可以具有電阻R1、電阻R2、電阻R3以及開關120，其中電阻R3與開關120串聯連接，而電阻R3與開關120並聯於電阻R2。在此，本實施例可以定義電阻R3是電流設定電阻，開關120可以受控於比較器102輸出的控制信號(例如第一控制信號或第二控制信號)。實務上，當開關120受控於第一控制信號而導通時，會形成電阻R2與電阻R3先並聯後，與電阻R1串聯，而有第一等效電阻值。當開關120受控於第二控制信號而未導通時，會形成電阻R2直接與電阻R1串聯，而有第二等效電阻值。於所屬技術領域具有通常知識者應該可以了解，電阻R2與電阻R3並聯後的電阻值會小於電阻R2本身的電阻值。換句話說，如果將電阻R1、電阻R2、電阻R3以及開關120看成一個分壓電路，所述分壓電路耦接在高電壓端V3與低電壓端V4之間。當電流設定腳位22電性連接到電阻R1與電阻R2之間時，可以藉由控制開關120的導通與否，選擇性地讓電阻R3並聯電阻R2，從而電流設定腳位22可以得到不同準位的電流設定信號。

以實際的例子來說，開關120可以例如是光電二極體(photodiode)，所述光電二極體的負端可以接到功率因數校正電路2的參考電壓，而所述光電二極體的正端可以接到比較器102的輸出端。因此，如果功率因數校正電路2的參考電壓是+7.5V，且收到第一控制信號例如是+12V時，做為開關120的光電二極體則會處於順偏壓狀態而導通，使得電阻R2與電阻R3並聯。由於電阻R2與電阻R3並聯後的電阻值較小，將高電壓端V3與低電壓端V4分壓後，電流設定腳位22會得到較低準位的第一電流設定信號。反之，當功率因數校正電路2的參考電壓是+7.5V，且收到第二控制信號例如是0V時，做為開關120的光電二極體則會處於逆偏壓狀態而截止，使得電阻R3不會有電流經過而形成斷路。易言之，開關120不導通時，所述分壓電路只有電阻R1與電阻R2串聯。由於電阻R2的電阻值會比電阻R2與電阻R3並聯後的電阻值大，將高電壓端V3與低電壓端V4分壓後，從而電流設定腳位22會得到較高準位的第二電流設定信號。

值得一提的是，本實施例用以說明第一控制信號和第一等效電阻值的對應關係，以及第二控制信號和第二等效電阻值的對應關係。本實施例不限制所述的第一控制信號與第二控制信號的高低準位，例如第一控制信號可以是高準位，第二控制信號可以是低準位。反之，第一控制信號可以是低準位，而第二控制信號可以是高準位。此外，本實施例亦不限制所述的第一等效電阻值與第二等效電阻值電阻值大小，例如第一等效電阻值可以有較高的電阻值，第二等效電阻值可以有較低的電阻值。反之，第一等效電阻值可以有較低的電阻值，第二等效電阻值可以有較高的電阻值。

另外，本實施例亦用以說明第一等效電阻值和第一電流設定信號的對應關係，以及第二等效電阻值和第二電流設定信號的對應關係。本實施例不限制所述的第一電流設定信號與第二電流設定信號的高低準位，例如第一電流設定信號可以是高準位，第二電流設定信號可以是低準位。反之，第一電流設定信號可以是低準位，而第二電流設定信號可以是高準位。

承接上述，仍以前述開關120是光電二極體為例，所述光電二極體的負端也可以接到比較器102的輸出端，而所述光電二極體的正端也可以接到功率因數校正電路2的參考電壓。在此例子中，如果功率因數校正電路2的參考電壓是+7.5V，且收到第一控制信號例如是+12V時，做為開關120的光電二極體則會處於逆偏壓狀態而截止(不導通)，使得電阻R2不與電阻R3並聯，所述分壓電路只有電阻R1與電阻R2串聯(可視為第一等效電阻值)。由於電阻R2的電阻值會比電阻R2與電阻R3並聯後的電阻值大，將高電壓端V3與低電壓端V4分壓後，從而電流設定腳位22會得到較高準位的第一電流設定信號。反之，當功率因數校正電路2的參考電壓是+7.5V，且收到第二控制信號例如是0V時，做為開關120的光電二極體則會處於順偏壓狀態而導通，使得電阻R2與電阻R3先並聯後，與電阻R1串聯(可視為第二等效電阻值)。由於電阻R2與電阻R3並聯後的電阻值較小，將高電壓端V3與低電壓端V4分壓後，電流設定腳位22會得到較低準位的第二電流設定信號。

當然，本發明並不以圖3中示範的電路為限，於所屬技術領域具有通常知識者應該可以了解，可以用來分壓的電路結構很多，只要能夠提供電流設定腳位22不同準位的電流設定信號，即符合本發明所述電流限制單元12的範疇。此外，本實施例說明的電流設定信號的高準位或低準位，只是用來說明兩種準位的電流設定信號可以對應設定不同的系統峰值電流，並非用以限制電流設定信號的準位和系統峰值電流的對應關係。如前例子所述，當所述光電二極體的正端接到比較器102的輸出端時，第一電流設定信號可以是低準位，而當所述光電二極體的負端接到比較器102的輸出端時，第一電流設定信號也可以是高準位。只要第一電流設定信號用來將系統峰值電流設定成較低的電流準位，第二電流設定信號用來將系統峰值電流設定成較高的電流準位，皆應屬本實施例之範疇。

於一些情況下，縱使功率因數校正電路2已經正常工作，但電壓指示腳位20的輸出電壓不一定是一個固定值，也可能會有些許變動。此時，如果分壓元件100將第一電壓門檻值設定較高，例如前述的+1V，則容易使比較器102判斷第一電壓門檻值比電壓指示腳位20的輸出電壓大。如此一來，將使開關120不導通，電流設定腳位22會得到較高準位的第二電流設定信號，使得系統峰值電流設定成較低的電流準位。換言之，如果比較器102在功率因數校正電路2已經正常工作時(例如一段預設時間後)，比較器102輸出低準位的第二控制信號，將導致系統峰值電流突然被限縮成低電流準位，有可能產生非預期的問題。

因此，本實施例在分壓元件100中設計了磁滯單元104。磁滯單元104的功能在於，當功率因數校正電路2已經正常工作時(例如一段預設時間後)，電壓指示腳位20的輸出電壓會在高準位，此時磁滯單元104形成順偏壓而導通，從而將分壓元件100的輸出端到比較器102的輸出端之間的電壓箝制成第二電壓門檻值。於一個例子中，磁滯單元104可以例如是齊納二極體(zener diode)，第二電壓門檻值可以例如是磁滯單元104的跨壓+0.7V。以實際的例子來說，當功率因數校正電路2已經正常工作時，電壓指示腳位20的輸出電壓可以是+1.1V，此時磁滯單元104形成順偏壓而導通，從而將分壓元件100的輸出端到比較器102的輸出端之間的電壓箝制成+0.7V。縱使電壓指示腳位20的輸出電壓後續下修成+0.9V，因為仍然大於+0.7V，比較器102仍會判斷第二電壓門檻值比電壓指示腳位20的輸出電壓小。換句話說，比較器102仍輸出高準位的第一控制信號，維持系統峰值電流為高電流準位，不會妨礙系統正常工作。

值得一提的是，於所屬技術領域具有通常知識者可以經由充分的實驗計算出適合的第一電壓門檻值，也可以減少比較器102誤判的機會。換句話說，磁滯單元104可以不是必要的元件，縱使沒有磁滯單元104，也不妨礙實現本發明的主要效果。

前述實施例係揭露了可以用來保護功率因數校正電路2的突波抑制模組1，但本發明不以此為限。例如突波抑制模組1也可以被整合進入功率因數校正電路中。請一併參閱圖1與圖4，圖4係繪示依據本發明一實施例之具突波抑制功能的功率因數校正電路的功能方塊圖。如圖所示，具突波抑制功能的功率因數校正電路3包含電壓誤差比較器30、電壓判斷單元32以及電流限制單元34，電壓判斷單元32分別耦接電壓誤差比較器30以及電流限制單元34。與前一實施例相同的是，電壓判斷單元32同樣可以比較電壓指示信號與第一電壓門檻值，選擇性地輸出第一控制信號或第二控制信號。以及，電流限制單元34同樣可以受控於第一控制信號或第二控制信號，選擇性地設定系統峰值電流為第一電流準位或第二電流準位。

雖然本實施例更多了電壓誤差比較器30，但實務上電壓誤差比較器30的輸出端，可以看成前一實施例的電壓指示腳位。在此，電壓誤差比較器30可以是功率因數校正電路2的內部元件，可以用來比較電壓測量值與參考值，據以產生電壓指示信號。以前述的德州儀器製造的晶片組型號UCC2818為例，電壓誤差比較器30的輸出端功能上可以類比晶片組型號UCC2818的VAOUT腳位。電壓測量值可以是經由回授電路測得的信號，所述信號與系統輸出電壓(Vo)相關。參考值可以是前一實施例說明的功率因數校正電路2的參考電壓。此外，電流限制單元34可以連接到SR閂鎖器(SR latch)，藉由控制SR閂鎖器的占空比，調整SR閂鎖器輸出的脈寬調變信號(PWM)信號，從而可以設定系統峰值電流為第一電流準位或第二電流準位。其餘具突波抑制功能的功率因數校正電路3的操作方式與前一實施例相同，在此不予贅述。

綜上所述，本發明提供的突波抑制模組與具突波抑制功能的功率因數校正電路，能夠動態地限制系統峰值電流大小，可以避免功率因數校正電路剛啟動時產生過大的暫態電流。

1                     突波抑制模組 10                   電壓判斷單元 100                 分壓元件 102                 比較器 104                 磁滯單元 12                   電流限制單元 120                 開關 2                     功率因數校正電路 20                   電壓指示腳位 22                   電流設定腳位 3                     具突波抑制功能的功率因數校正電路 30                   電壓誤差比較器 32                   電壓判斷單元 34                   電流限制單元 R1、R2、R3               電阻 V1、V2、V3、V4            電壓

圖1係繪示依據本發明一實施例之突波抑制模組與功率因數校正電路的功能方塊圖。

圖2係繪示依據本發明一實施例之電壓判斷單元的功能方塊圖。

圖3係繪示依據本發明一實施例之電流限制單元的功能方塊圖。

圖4係繪示依據本發明一實施例之具突波抑制功能的功率因數校正電路的功能方塊圖。

1                     突波抑制模組 10                   電壓判斷單元 12                   電流限制單元 2                     功率因數校正電路 20                   電壓指示腳位 22                   電流設定腳位

Claims (12)

1. 一種具突波抑制功能的功率因數校正電路，包含：一電壓誤差比較器，用以比較一電壓測量值與一參考值，據以產生一電壓指示信號；一電壓判斷單元，電性連接該電壓誤差比較器，用以比較該電壓指示信號是否大於一第一電壓門檻值且超過一預設時間，據以選擇性地輸出一第一控制信號或一第二控制信號；一電流限制單元，電性連接該電壓判斷單元，受控於該第一控制信號或該第二控制信號，選擇性地設定一系統峰值電流為一第一電流準位或一第二電流準位；其中該電壓判斷單元包含一第一分壓元件與一第一比較器，該第一分壓元件用以設定該第一電壓門檻值，該第一比較器用以比較該電壓指示信號與該第一電壓門檻值；其中當該電壓指示信號大於該第一電壓門檻值且超過該預設時間時，該第一比較器更比較該電壓指示信號與一第二電壓門檻值，當該電壓指示信號不大於該第二電壓門檻值時，該第一比器較產生該第一控制信號，當該電壓指示信號大於該第二電壓門檻值時，該第一比器較產生該第二控制信號，且該第二電壓門檻值小於該第一電壓門檻值。
2. 如請求項1所述之具突波抑制功能的功率因數校正電路，其中當該電壓判斷單元判斷該電壓指示信號不大於該第一電壓門檻值時，設定該系統峰值電流為該第一電流準位，當該電壓判斷單元判斷該電壓指示信號大於該第一 電壓門檻值時，設定該系統峰值電流為該第二電流準位，且該第一電流準位小於該第二電流準位。
3. 如請求項1所述之具突波抑制功能的功率因數校正電路，其中當該電壓指示信號不大於該第一電壓門檻值時，該第一比較器產生該第一控制信號，當該電壓指示信號大於該第一電壓門檻值時，該第一比較器產生該第二控制信號，該第一控制信號具有一第一電壓準位，該第二控制信號具有一第二電壓準位。
4. 如請求項3所述之具突波抑制功能的功率因數校正電路，其中該電流限制單元包含一開關，當該電流限制單元收到該第一控制信號時，該開關導通，且該電流限制單元提供一第一等效電阻值，當該電流限制單元收到該第二控制信號時，該開關截止，且該電流限制單元提供一第二等效電阻值。
5. 如請求項4所述之具突波抑制功能的功率因數校正電路，其中該電流限制單元具有一電流設定電阻，且該電流設定電阻串聯該開關。
6. 如請求項5所述之具突波抑制功能的功率因數校正電路，其中該第一等效電阻值與該第二等效電阻值分別對應一第一電流設定信號與一第二電流設定信號，該第一電流設定信號用以設定該系統峰值電流為該第一電流準位，該第二電流設定信號用以設定該系統峰值電流為該第二電流準位，且該第一電流準位小於該第二電流準位。
7. 一種突波抑制模組，用以保護一功率因數校正電路，包含：一電壓判斷單元，電性連接該功率因數校正電路的一電壓指示腳位，用以比較一第一電壓門檻值是否大於該電壓指示腳位中的一電壓指 示信號且超過一預設時間，據以選擇性地輸出一第一控制信號或一第二控制信號；一電流限制單元，電性連接該電壓判斷單元與該功率因數校正電路的一電流設定腳位，受控於該第一控制信號或該第二控制信號，選擇性地提供一第一電流設定信號或一第二電流設定信號至該電流設定腳位，用以設定一系統峰值電流為一第一電流準位或一第二電流準位；其中該電壓判斷單元包含一第一分壓元件與一第一比較器，該第一分壓元件用以設定該第一電壓門檻值，該第一比較器用以比較該電壓指示信號與該第一電壓門檻值；其中當該電壓指示信號大於該第一電壓門檻值且超過該預設時間時，該第一比較器更比較該電壓指示信號與一第二電壓門檻值，當該電壓指示信號不大於該第二電壓門檻值時，該第一比器較產生該第一控制信號，當該電壓指示信號大於該第二電壓門檻值時，該第一比器較產生該第二控制信號，且該第二電壓門檻值小於該第一電壓門檻值。
8. 如請求項7所述之突波抑制模組，其中當該電壓判斷單元判斷該電壓指示信號不大於該第一電壓門檻值時，設定該系統峰值電流為該第一電流準位，當該電壓判斷單元判斷該電壓指示信號大於該第一電壓門檻值時，設定該系統峰值電流為該第二電流準位，且該第一電流準位小於該第二電流準位。
9. 如請求項7所述之突波抑制模組，其中當該電壓指示信號不大於該第一電壓門檻值時，該第一比器較產生該第一控制信號，當該電壓指示信號大於該第一電壓門檻值時，該第一比器較產生該第二控制信號，該第一控制信號具有一第一電壓準位，該第二控制信號具有一第二電壓準位。
10. 如請求項9所述之突波抑制模組，其中該電流限制單元包含一開關，當該電流限制單元收到該第一控制信號時，該開關導通，且該電流限制單元提供一第一等效電阻值，當該電流限制單元收到該第二控制信號時，該開關截止，且該電流限制單元提供一第二等效電阻值。
11. 如請求項10所述之突波抑制模組，其中該電流限制單元具有一電流設定電阻，且該電流設定電阻串聯該開關。
12. 如請求項11所述之突波抑制模組，其中該第一等效電阻值與該第二等效電阻值分別對應該第一電流設定信號與該第二電流設定信號，該第一電流設定信號用以設定該系統峰值電流為該第一電流準位，該第二電流設定信號用以設定該系統峰值電流為該第二電流準位，且該第一電流準位小於該第二電流準位。

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