TWI695083B - 蒸氣放出裝置及成膜裝置 - Google Patents
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Abstract
本發明係以提供一種當在真空中將有機化合物膜形成於基材薄膜上時能夠以一定的比例產生有機化合物單體之蒸氣而使成膜速率安定的技術作為目的。本發明係為在真空中將有機化合物單體之蒸氣放出的蒸氣放出裝置,其係具有將液體狀之有機化合物單體氣化的氣化部(21)、和被連通於氣化部(21)且將於氣化部(21)中被氣化之有機化合物單體之蒸氣放出的蒸氣放出部(22)。於氣化部(21)內係設置有中空的蒸發器(40)。此蒸發器(40)係被構成為:使液體狀之有機化合物單體成為霧狀並導入,將霧狀之有機化合物單體(34)加熱使其蒸發,而將有機化合物單體之蒸氣導出至氣化部(21)內。
Description
本發明係關於用以在真空中將有機化合物膜形成於基材薄膜上的成膜裝置之技術。
近年來,存在有將電子零件等有效率地形成於基材薄膜上的期望,因此,提案有在真空中將長條的基材薄膜進行搬送並於基材薄膜上形成由高分子有機化合物所構成的膜之技術。
以往,在真空中將高分子有機化合物膜形成於基材薄膜上的情況時,例如,係進行使有機化合物單體蒸發,將該蒸氣吹附於基材薄膜上來形成有機化合物層,並藉由對於此有機化合物層施加熱或照射能量線來使其硬化,而形成高分子有機化合物膜。
但,當在真空中藉由此種方法來將高分子有機化合物膜形成於基材薄膜上的情況時係存在有各種的課題。
亦即,在真空中將有機化合物之單體的膜以均勻的膜
厚形成於基材薄膜上一事係為困難,尤其是以一定的比例產生有機化合物單體之蒸氣來使成膜速率安定一事係非常困難。
[專利文獻1]日本特開2004-169144號公報
本發明係考慮此種之以往技術之課題而完成者,其目的為提供一種當在真空中將有機化合物膜形成於基材薄膜上時,能夠以一定量產生有機化合物單體之蒸氣來使成膜速率安定的技術。
為了達成上述目的而完成之本發明,係在真空中將有機化合物單體之蒸氣放出的蒸氣放出裝置,其係具有將液體狀之有機化合物單體進行氣化的氣化部、和被連通於前述氣化部,且將於前述氣化部中被氣化之有機化合物單體之蒸氣放出的蒸氣放出部,於前述氣化部內設置有中空的蒸發器,該蒸發器係被構成為:使前述液體狀之有機化合物單體成為霧狀並導入,將該霧狀之有機化合物單體進行加熱使其蒸發,而將該有機化合物單體之蒸氣導
出至前述氣化部內者。
於本發明中,在具有將前述氣化部及前述蒸氣放出部分別進行全體性加熱的加熱手段之情況時亦為有效。
於本發明中,在具有將液體狀之有機化合物單體供給至前述蒸發器的單體供給管、和將該單體供給管冷卻的冷卻手段之情況時亦為有效。
於本發明中,當用以使前述液體狀之有機化合物單體成為霧狀來導入至前述蒸發器內的噴嘴部,係被設置於前述單體供給管的前端部,該噴嘴部的前端部,係以相對於前述蒸發器的內壁面而不突出於該蒸發器之內側的方式來作配置構成之情況時,係為有效。
另一方面,本發明係一種成膜裝置,其係具有真空槽、和被設置於前述真空槽內之上述任一的蒸氣放出裝置,且被構成為於前述真空槽內對於所搬送之基材薄膜而從前述蒸氣放出裝置之蒸氣放出部吹附有機化合物單體之蒸氣。
於本發明中,當前述蒸氣放出裝置之氣化部係被設置於前述真空槽的外側之情況時,亦為有效。
於本發明之蒸氣放出裝置中,係構成為:於氣化部內設置中空的蒸發器,使液體狀之有機化合物單體成為霧狀來導入至蒸發器內,將此霧狀之有機化合物單體進行加熱使其蒸發,而將有機化合物單體之蒸氣導出至氣
化部內來從蒸氣放出部放出。
於具有此種構成的本發明之蒸氣放出裝置中,係藉由將蒸發器與氣化部設為相互獨立之構造,而成為可使將有機化合物單體蒸發的部分與將有機化合物單體之蒸氣放出的部分設為不會直接連通的構成,該蒸發器,係將霧狀之有機化合物單體進行加熱並使其蒸發;該氣化部,係將藉由此蒸發器所生成的有機化合物單體之蒸氣導至蒸氣放出部,其結果,可防止混合存在有微小的液滴與蒸氣之狀態的有機化合物單體直接被導入至蒸氣放出部而被使用於成膜的情形。亦即,藉由以使將有機化合物單體蒸發的部分與將有機化合物單體之蒸氣放出的部分之間的路徑增長的方式來構成,係可抑制有機化合物單體之伴隨有霧沫的情形。
又,藉由使有機化合物單體之蒸氣暫時積存於與蒸發無關的空間之身為氣化部的內部且身為蒸發器之外側的空間中,係可將被送至蒸氣放出部之有機化合物單體的蒸氣之量保持為安定。
根據以上內容,若依據本發明之蒸氣放出裝置,則成為可產生恆常為一定量之有機化合物單體之蒸氣而從氣化部送入至蒸氣放出部。其結果,由於可將恆常為一定量之有機化合物單體之蒸氣放出,因此可使成膜速率安定。
於本發明中,在具有將蒸氣放出裝置之氣化部及蒸氣放出部分別地全體性進行加熱之加熱手段的情況
時,由於可確實地防止於氣化部及蒸氣放出部內的有機化合物單體之蒸氣之凝縮,因此可使成膜速率更安定。
於本發明中,在具有對於將液體狀之有機化合物單體供給至蒸發器的單體供給管進行冷卻之冷卻手段的情況時,係可更確實地防止單體供給管內之有機化合物單體之因熱所致之聚合反應。
於本發明中,當用以使液體狀之有機化合物成為霧狀來導入至蒸發器內的噴嘴部,係被設置於單體供給管的前端部,該噴嘴部的前端部,係以相對於蒸發器的內壁面而不突出於該蒸發器之內方側的方式來作配置構成的情況時,係具有如下一般之效果。
亦即,該噴嘴部係被設置於具有冷卻手段之單體供給管的前端部,而成為比蒸發器的內壁面更低溫。因此,若噴嘴部成為相較於蒸發器的內壁面而更突出於蒸發器的內側之狀態,則比蒸發器的內壁面更低溫的噴嘴部會被暴露於蒸發器內之被加熱而蒸發的有機化合物單體之蒸氣中,而會有使有機化合物單體之蒸氣凝縮之虞。
相對於此,於本發明中,由於是以使噴嘴部的前端部不會突出於蒸發器的內側之方式來配置構成,因此並不會有使有機化合物單體之蒸氣附著於噴嘴部而凝縮之虞,進而,於蒸發器內而被加熱並蒸發的有機化合物單體之蒸氣,由於係成為僅與藉由例如加熱器而被加熱之蒸發器的內壁面接觸,因此係成為可防止在蒸發器的內壁面處之凝縮而確實地產生一定量之蒸氣。
另一方面,若依據具有真空槽、和被設置於此真空槽內之上述任一的蒸氣放出裝置,且被構成為於真空槽內對於所搬送之基材薄膜而從蒸氣放出裝置之蒸氣放出部吹附有機化合物單體之蒸氣的成膜裝置,則可提供一種能夠恆常以一定的比例來產生並放出有機化合物單體之蒸氣而使成膜速率安定的成膜裝置。
於本發明中,當蒸氣放出裝置之氣化部被設置於真空槽的外側之情況時,可容易地進行氣化部內之蒸發器等的維護,並且可充分地確保氣化部內的蒸發器與蒸氣放出部之間的距離,而謀求有機化合物單體之蒸氣的濃度之均勻化。
1‧‧‧成膜裝置
2‧‧‧真空槽
10‧‧‧基材薄膜
20‧‧‧蒸氣放出裝置
21‧‧‧氣化部
22‧‧‧蒸氣放出部
23‧‧‧加熱手段
25‧‧‧蒸氣放出口
26‧‧‧蒸氣放出部用加熱器(加熱手段)
30‧‧‧單體供給源
32‧‧‧單體供給管
33‧‧‧冷卻手段
34‧‧‧霧狀之有機化合物單體
36‧‧‧有機化合物單體之蒸氣
40‧‧‧蒸發器
41‧‧‧單體導入部
42‧‧‧蒸發器用加熱器
43‧‧‧導出口
44‧‧‧單體導入口
[第1圖]係為使用有本發明之蒸氣放出裝置的成膜裝置之實施形態的整體構成圖
[第2圖]係為本發明之蒸氣放出裝置之實施形態的內部構成圖
[第3圖]係為對於本實施形態中之蒸氣放出裝置的蒸發器之單體導入部的重要部分構成作展示之剖面圖
[第4圖]
(a):對於該蒸氣放出裝置之蒸氣放出部作展示的正面圖
(b):對於該蒸氣放出裝置之蒸氣放出部作展示的
側視圖
[第5圖](a)(b):係為對於有機化合物層形成於基材薄膜上的工程作示意性展示之說明圖
以下,參照附圖來詳細地說明本發明之理想的實施形態。
第1圖係為使用有本發明之蒸氣放出裝置的成膜裝置之實施形態的整體構成圖,第2圖係為本發明之蒸氣放出裝置之實施形態的內部構成圖。
如第1圖所示般,本實施形態之成膜裝置1,係在被連接於真空排氣裝置17處的真空槽2內將有機化合物膜形成於基材薄膜10上者,且具有後述之蒸氣放出裝置20(參照第2圖)。
在此,於真空槽2之內部的中央部分附近,係設置有與基材薄膜10接觸並用來將此進行搬送之圓柱形狀的中央滾輪3,後述之蒸氣放出裝置20之蒸氣放出部22、與能量線射出裝置9,係分別以與中央滾輪3對向的方式被配置於此中央滾輪3的周圍。
於真空槽2內之例如上部處,係配置有基材薄膜10之原料卷滾輪4a,從此原料卷滾輪4a所送出的基材薄膜10,係以密著於中央滾輪3之表面的方式來進行方向轉換並被牽引,而構成為藉由真空槽2內之例如被設置於上部處的捲取滾輪4b來被捲取。
如第2圖所示般,本實施形態之蒸氣放出裝置20,係具有將例如丙烯酸樹脂等的液體狀之有機化合物單體進行氣化的氣化部21、和將於此氣化部21中被氣化的有機化合物單體之蒸氣放出的蒸氣放出部22。
蒸氣放出裝置20之氣化部21係被形成為例如圓筒形狀,於此氣化部21處,被形成為例如較氣化部21而更小之直徑的圓筒形狀之蒸氣放出部22,係以呈同心狀並連通的狀態而被作連接。另外,氣化部21與蒸氣放出部22的連接,係並不僅限於同心狀,亦可依據相對於中央滾輪3上之基材薄膜10的蒸氣放出部22之位置關係來作適當調整。
本實施形態之蒸氣放出裝置20,係使氣化部21被配置在真空槽2的外部,並且使蒸氣放出部22被配置在真空槽2的內部(參照第2圖)。
氣化部21,係具有由例如不鏽鋼等之金屬材料所構成之中空的主體部21a,進而,在相對於氣化部21的真空槽2而為相反側的端部處,係設有維護用之可自由開閉的門部21b,而構成之。
於氣化部21之主體部21a及門部21b的表面處,係分別設有加熱手段23,並藉此而全面地覆蓋氣化部21的表面。
加熱手段23,係可適宜使用例如為套狀並且以使熱媒在其內部進行循環的方式所構成者。
此加熱手段23,係具有將氣化部21加熱至較
會使有機化合物單體之蒸氣進行凝縮的溫度而更高的溫度之功能,並為如後述般地發揮防止從蒸發器40所被導出至氣化部21內的有機化合物單體之蒸氣於氣化部21的內壁面處而凝縮的情形之作用者。
另外,作為藉由加熱手段23而將氣化部21進行加熱的溫度,係設為依據為了形成有機化合物膜所使用之有機化合物單體的材質來進行選擇者。
另一方面,於氣化部21的外部處,係設置有單體供給源30,並構成為將來自此單體供給源30之液體狀的有機化合物單體經由泵31及單體供給管32來以特定量而供給至以下所說明之氣化部21內的蒸發器40處。
本實施形態之蒸發器40,係由例如銅等之熱傳導率大的金屬材料所構成者,且被形成為比氣化部21之尺寸而更小的尺寸之中空的例如圓筒形狀,且被配置於氣化部21之門部21b的附近。而,藉由此,於氣化部21的內部之蒸氣放出部22側處,係被形成有暫時積存有機化合物單體之蒸氣的空間。
於蒸發器40之例如上部處,係設置有用以使液體狀之有機化合物單體成為霧(MIST)狀並導入至蒸發器40內的後述之單體導入部41,此單體導入部41,係被連接於上述之單體供給管32處。
在此,單體供給管32係於其表面設置有冷卻手段33。
冷卻手段33,係可適宜使用例如為套狀並且以使冷
媒在其內部進行循環的方式所構成者。
此冷卻手段33,係為用以確實地防止在單體供給管32內的有機化合物單體之因熱所致之聚合反應者,且具有將有機化合物單體冷卻至例如25℃左右之常溫的功能。
另一方面,於蒸發器40之外表面處,係設置有用以將蒸發器40加熱來使被導入至蒸發器40內的霧狀之有機化合物單體34蒸發的蒸發器用加熱器42。
在此,蒸發器用加熱器42,係可使用例如電阻加熱型者,並全面地設置於蒸發器40的外表面。
此蒸發器用加熱器42,係具有將蒸發器40加熱至會使有機化合物單體有效率地進行蒸發之溫度以上的功能,並為發揮將於蒸發器40之內壁面處而將霧狀之有機化合物單體34加熱以使其蒸發並且防止所發生了的有機化合物單體之蒸氣於蒸發器40的內壁面處而凝縮的情形之作用者。
另外,作為藉由蒸發器用加熱器42而將蒸發器40加熱的溫度,係設為依據為了形成有機化合物膜所使用之有機化合物單體的材質來進行選擇者。
又,於蒸發器40之例如上部處,係設置有用以將在蒸發器40內而被加熱並蒸發的有機化合物單體之蒸氣導出至氣化部21內的導出口43。
第3圖,係為對於在本實施形態中之蒸氣放出裝置的蒸發器之單體導入部的重要部分構成作展示之剖
面圖。
如第3圖所示般,於本實施形態之單體導入部41中,用以將有機化合物單體導入至蒸發器40內的單體導入口44,係以貫通蒸發器40之上部之壁部的方式而被設置。
而,於此單體導入口44之內側的位置處,係配置有被設置於上述之單體供給管32的前端部處之噴嘴部35。
此噴嘴部35,係由例如熱變形或磨耗小的陶瓷等之材料所構成者,且其前端部,係以相對於蒸發器40的內壁面40a而不會突出於蒸發器40的內側之方式而被配置構成。
此係由於下述一般之理由所導致者。
亦即,本實施形態之噴嘴部35,係被設置於設有冷卻手段33之單體供給管32的前端部,而成為比蒸發器40的內壁面40a更低溫。因此,若噴嘴部35成為相較於蒸發器40的內壁面40a而更突出於蒸發器40的內側之狀態,則比蒸發器40的內壁面40a更低溫之噴嘴部35會被暴露在於蒸發器40內而被加熱並蒸發的有機化合物單體之蒸氣中,而會有使有機化合物單體之蒸氣凝縮之虞。
相對於此,本實施形態之噴嘴部35,由於是以使其前端部不會突出於蒸發器40的內側之方式來配置構成,因此並不會有使有機化合物單體之蒸氣附著於噴嘴部35而凝縮之虞,進而,於蒸發器40內而被加熱並蒸發
的有機化合物單體之蒸氣,由於係成為僅與藉由蒸發器用加熱器42而被加熱之蒸發器40的內壁面40a接觸,因此係成為可防止在蒸發器40的內壁面40a處之凝縮而確實地產生一定量之蒸氣。
而,在使用具有此種構成之噴嘴部35的情況時,如第3圖所示般,較理想係將噴嘴部35配置成從噴嘴部35所噴霧之霧狀的有機化合物單體34不會接觸附著於蒸發器40之內壁面側的單體導入口44之緣部40b處。
於本發明之情況中,雖無特別限定,但就更確實地防止在將有機化合物單體導入至蒸發器40內時的聚合反應之觀點而言,作為噴嘴部35,較理想係使用使液體狀之有機化合物單體呈放射狀進行噴霧來擴大液滴間的距離,亦即使液滴的密度更加縮小的方式所構成者。
具體而言,較理想,噴嘴部35之噴霧口係被形成為研缽狀,且開口被擴大。若為此種構成,則成為可將液體狀之有機化合物單體呈放射狀而有效率地朝向蒸發器40之內壁面40a的全面進行噴霧,而可防止例如起因於當從噴嘴部35所噴霧的霧狀之有機化合物單體34僅被噴霧至蒸發器40之內壁面40a之一部分的情況時而發生的局部性之低溫區域所導致之在該低溫區域處的有機化合物單體之凝縮。
於具有此種構成的本實施形態之蒸氣放出裝置20中,係藉由將蒸發器40與氣化部21設為相互獨立之構造,而成為能夠設為使將有機化合物單體蒸發的部分
與將有機化合物單體之蒸氣放出的部分不會直接連通的構成,該蒸發器40,係將霧狀之有機化合物單體34進行加熱並使其蒸發;該氣化部21,係將藉由此蒸發器40所生成的有機化合物單體之蒸氣導至蒸氣放出部22,其結果,可防止混合存在有微小的液滴與蒸氣之狀態的有機化合物單體直接被導入至蒸氣放出部22並被使用於成膜中。亦即,藉由以使將有機化合物單體蒸發的部分與將有機化合物單體之蒸氣放出的部分之間的路徑增長的方式來構成,係可抑制有機化合物單體之伴隨有霧沫的情形。
又,藉由使有機化合物單體之蒸氣暫時積存於與蒸發無關的空間之身為氣化部21的內部且身為蒸發器40之外側的空間中,係可將被送至蒸氣放出部22之有機化合物單體的蒸氣之量保持為安定。
根據以上內容,若依據本實施形態之蒸氣放出裝置20,則成為可產生恆常為一定量之有機化合物單體之蒸氣並從氣化部21送入至蒸氣放出部22。其結果,由於可將恆常為一定量之有機化合物單體之蒸氣放出,因此可使成膜速率安定。
第4圖(a)係為對於本實施形態之蒸氣放出裝置的蒸氣放出部作展示之正面圖,第4圖(b)係為對於蒸氣放出裝置的蒸氣放出部作展示之側視圖。
如上述一般地而被形成為圓筒形狀之蒸氣放出部22,係為將從氣化部21所送出的有機化合物單體放出者,並且如第4圖(a)(b)所示般,具有沿著圓筒之長
度方向而形成為直線狀的放出部24,於此放出部24處設置有直線狹縫狀的蒸氣放出口25。
在此,蒸氣放出部22,係以使其中心軸線成為與中央滾輪3之旋轉軸線平行的方式作配置,並且,蒸氣放出口25,係與此些之軸線平行地來相對於中央滾輪3上的基材薄膜10而接近並作對向配置。
又,蒸氣放出部22之蒸氣放出口25,係被形成為比中央滾輪3(基材薄膜10)的寬幅而更些許窄,並構成為對於基材薄膜10的表面而在寬幅方向上直線性地吹附有機化合物單體之蒸氣36。
另一方面,如第2圖所示般,於蒸氣放出部22的外表面處,係設置有蒸氣放出部用加熱器26(加熱手段),該蒸氣放出部用加熱器26(加熱手段),係用以防止被導入至蒸氣放出部22內的有機化合物單體之蒸氣在蒸氣放出部22的內壁面處而凝縮的情形。
此蒸氣放出部用加熱器26,係可使用例如電阻加熱型者,並全面地設置於蒸氣放出部22的外面。
又,此蒸氣放出部用加熱器26,係具有將蒸氣放出部22加熱至比會使有機化合物單體之蒸氣凝縮之溫度更高的溫度之功能。
在此,藉由蒸氣放出部用加熱器26而將蒸氣放出部22加熱的溫度,係為依據為了形成有機化合物膜所使用之有機化合物單體的材質來進行選擇者。
另外,於真空槽2之與蒸氣放出部22間的連
接部分之壁部處,係設置有隔熱部2a,該隔熱部2a,係用以阻隔來自設置於蒸氣放出裝置20處的上述加熱手段23及蒸氣放出部用加熱器26的熱。
於具有此種構成之本實施形態中,當在真空槽2內將高分子有機化合物膜形成於基材薄膜10上的情況時,係以使真空排氣裝置17動作來使真空槽2內的壓力成為特定之值的方式而進行真空排氣。
另一方面,於蒸氣放出裝置20中,係使加熱手段23動作來將氣化部21加熱至比會使有機化合物單體之蒸氣凝縮之溫度更高的溫度,並且使蒸氣放出部用加熱器26動作來將蒸氣放出部22加熱至比會使有機化合物單體之蒸氣凝縮之溫度更高的溫度。
又,係使蒸發器用加熱器42動作來將蒸發器40加熱至會使有機化合物單體之蒸氣有效率地蒸發之溫度以上的溫度。
進而,使冷卻手段33動作來將單體供給管32冷卻至例如25℃左右的常溫。
於此狀態下,從單體供給源30來經由單體供給管32而將特定量之液體狀之有機化合物單體供給至氣化部21內的蒸發器40之單體導入部41處。
藉此,如第2圖及第3圖所示般,從單體導入部41之噴嘴部35,霧狀之有機化合物單體34係被導入至蒸發器40內,並藉此而接觸到蒸發器40的內壁並被加熱而蒸發。
於蒸發器40內所產生的有機化合物單體之蒸氣,係經由導出口43而被放出至氣化部21內並充滿氣化部21內,進而被送至蒸氣放出部22而從蒸氣放出部22的蒸氣放出口25被噴出。
藉此,如第4圖(b)及第5圖(a)所示般,有機化合物單體之蒸氣36,係對於與中央滾輪3相接觸並被搬送之基材薄膜10而作吹附,並於基材薄膜10上形成有機化合物單體層37。
進而,一邊搬送基材薄膜10,一邊從第1圖所示之能量線射出裝置9射出能量線91來使基材薄膜10上之有機化合物單體層37硬化,而形成高分子有機化合物層38(參照第5圖(a)(b))。
之後,藉由第1圖所示之捲取滾輪4b來捲取基材薄膜10。
如以上所述般地,於具有本實施形態之蒸氣放出裝置20的成膜裝置1中,由於係構成為:於蒸氣放出裝置20的氣化部21內設有中空的蒸發器40,使液體狀之有機化合物成為霧狀來導入至蒸發器40內,將此霧狀之有機化合物單體34進行加熱使其蒸發,而將有機化合物單體之蒸氣導出至氣化部21內來從蒸氣放出部22放出,因此,係能夠產生恆常為一定量的有機化合物單體之蒸氣並放出,故而,係能夠使成膜速率安定。
又,於本實施形態中,由於係具有將蒸氣放出裝置20之氣化部21及蒸氣放出部22分別地全體性加
熱的加熱手段23及蒸氣放出部用加熱器26,因此可確實地防止於氣化部21及蒸氣放出部22內之有機化合物單體之蒸氣的凝縮,藉此而可使成膜速率安定。
進而,於本實施形態中,由於具有將對於蒸發器40供給液體狀之有機化合物單體的單體供給管32冷卻之冷卻手段33,因此可確實地防止在單體供給管32內之有機化合物單體之因熱所致之聚合反應。
更進而,於本實施形態中,由於用以使液體狀之有機化合物成為霧狀來導入至蒸發器40內的噴嘴部35,係被設置在單體供給管32的前端部,此噴嘴部35的前端部係以相對於蒸發器40的內壁面40a而不會突出於蒸發器40的內側之方式來作配置構成,因此並不會有使有機化合物單體之蒸氣附著於噴嘴部35並凝縮之虞,進而,於蒸發器40內被加熱而蒸發的有機化合物單體之蒸氣,由於係成為僅會接觸藉由蒸發器用加熱器42而被加熱之蒸發器40的內壁面40a,因此係能夠防止在蒸發器40的內壁面40a處之凝縮並確實地產生一定量之蒸氣。
另一方面,於本實施形態之成膜裝置1中,由於蒸氣放出裝置20之氣化部21係被設置於真空槽2的外側,因此係可容易地進行氣化部21內之蒸發器40等的維護,並且可充分地確保氣化部21內的蒸發器40與蒸氣放出部22之間的距離,而謀求有機化合物單體之蒸氣的濃度之均勻化。
另外,本發明並不限於上述之實施形態,亦
可進行各種的變更。
例如,針對蒸氣放出裝置的氣化部、蒸氣放出部、蒸發器以及噴嘴部之形狀,係並不限於上述實施形態,亦可使用各種形狀者。
又,於本發明中,成為膜之原料的有機化合物之種類,係並無特別限定,而可適用各種有機化合物。
進而,針對基材薄膜之種類、厚度等,亦無特別限定,而可適用於各種薄膜。另外,本發明並不僅限於基材薄膜,亦可於各種成膜對象物上進行成膜。但,在使用於薄膜狀之成膜對象物的情況時係為最有效。
2‧‧‧真空槽
2a‧‧‧隔熱部
20‧‧‧蒸氣放出裝置
21‧‧‧氣化部
21a‧‧‧主體部
21b‧‧‧門部
22‧‧‧蒸氣放出部
23‧‧‧加熱手段
25‧‧‧蒸氣放出口
26‧‧‧蒸氣放出部用加熱器(加熱手段)
30‧‧‧單體供給源
31‧‧‧泵
32‧‧‧單體供給管
33‧‧‧冷卻手段
34‧‧‧霧狀之有機化合物單體
40‧‧‧蒸發器
41‧‧‧單體導入部
42‧‧‧蒸發器用加熱器
43‧‧‧導出口
Claims (4)
- 一種蒸氣放出裝置,其係在真空中將有機化合物單體之蒸氣放出,其特徵為,具有被設置在真空槽之外部並將液體狀之有機化合物單體氣化的氣化部、和被設置於前述真空槽之內部並被連通於前述氣化部,且將於前述氣化部中被氣化之有機化合物單體之蒸氣放出的蒸氣放出部、和將前述氣化部以及前述蒸氣放出部分別全體性地加熱之加熱手段,於前述真空槽之與前述蒸氣放出部之間之連接部分的壁部處,係被設置有隔熱部,並且,於前述氣化部內設置有中空的蒸發器,該蒸發器係被構成為:使前述液體狀之有機化合物單體成為霧狀並導入,將該霧狀之有機化合物單體加熱使其蒸發,而將該有機化合物單體之蒸氣導出至前述氣化部內。
- 如申請專利範圍第1項所記載之蒸氣放出裝置,其中,具有將液體狀之有機化合物單體供給至前述蒸發器的單體供給管、和將該單體供給管冷卻的冷卻手段。
- 如申請專利範圍第2項所記載之蒸氣放出裝置,其中,用以使前述液體狀之有機化合物單體成為霧狀來導入至前述蒸發器內的噴嘴部,係被設置於前述單體供給管的前端部,該噴嘴部的前端部,係以相對於前述蒸發器的內壁面而不突出於該蒸發器之內側的方式來作配置構成。
- 一種成膜裝置,其特徵為,係具有真空槽、和被設置於前述真空槽處,且在真空 中將有機化合物單體之蒸氣放出的蒸氣放出裝置,前述蒸氣放出裝置,係具有被設置在真空槽之外部並將液體狀之有機化合物單體氣化的氣化部、和被設置於前述真空槽之內部並被連通於前述氣化部,且將於前述氣化部中被氣化之有機化合物單體之蒸氣放出的蒸氣放出部、和將前述氣化部以及前述蒸氣放出部分別全體性地加熱之加熱手段,於前述真空槽之與前述蒸氣放出部之間之連接部分的壁部處,係被設置有隔熱部,並且,於前述氣化部內設置有中空的蒸發器,該蒸發器係被構成為:使前述液體狀之有機化合物單體成為霧狀並導入,將該霧狀之有機化合物單體加熱使其蒸發,而將該有機化合物單體之蒸氣導出至前述氣化部內,該成膜裝置,係構成為於前述真空槽內對於所搬送之基材薄膜而從前述蒸氣放出裝置之蒸氣放出部吹附有機化合物單體之蒸氣。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2015232893 | 2015-11-30 | ||
JP2015-232893 | 2015-11-30 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
TW201730366A TW201730366A (zh) | 2017-09-01 |
TWI695083B true TWI695083B (zh) | 2020-06-01 |
Family
ID=58797125
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
TW105139258A TWI695083B (zh) | 2015-11-30 | 2016-11-29 | 蒸氣放出裝置及成膜裝置 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP6637520B2 (zh) |
KR (1) | KR102139125B1 (zh) |
CN (1) | CN108291292B (zh) |
TW (1) | TWI695083B (zh) |
WO (1) | WO2017094469A1 (zh) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN110629161B (zh) * | 2019-09-23 | 2020-09-29 | 北京师范大学 | 一种定量真空蒸发制备共价有机框架材料薄膜的方法 |
KR20220064034A (ko) * | 2020-11-11 | 2022-05-18 | 주식회사 엠아이 | 박막 증착용 기화 장치 |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH1187327A (ja) * | 1997-06-25 | 1999-03-30 | Ebara Corp | 液体原料気化装置 |
JP2002217181A (ja) * | 2001-01-19 | 2002-08-02 | Japan Steel Works Ltd:The | 半導体原料供給用気化器 |
TW576872B (en) * | 1997-09-11 | 2004-02-21 | Applied Materials Inc | Vaporization and deposition apparatus and process |
JP2007070691A (ja) * | 2005-09-07 | 2007-03-22 | Tokyo Electron Ltd | 気化器及び成膜装置 |
TWI421367B (zh) * | 2005-09-20 | 2014-01-01 | Univ Tohoku | 成膜裝置、蒸發治具及測定方法 |
TWI504774B (zh) * | 2013-03-14 | 2015-10-21 | Nanmat Technology Co Ltd | 高純度pdmat前驅物蒸氣之製作方法 |
Family Cites Families (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3770409B2 (ja) * | 1995-01-06 | 2006-04-26 | 東京エレクトロン株式会社 | Hmds供給装置 |
US6195504B1 (en) * | 1996-11-20 | 2001-02-27 | Ebara Corporation | Liquid feed vaporization system and gas injection device |
JP4601535B2 (ja) * | 2005-09-09 | 2010-12-22 | 株式会社リンテック | 低温度で液体原料を気化させることのできる気化器 |
KR101191690B1 (ko) * | 2007-02-28 | 2012-10-16 | 가부시키가이샤 알박 | 증착원, 증착 장치, 유기 박막의 성막 방법 |
JP5141141B2 (ja) * | 2007-08-23 | 2013-02-13 | 東京エレクトロン株式会社 | 気化器、気化器を用いた原料ガス供給システム及びこれを用いた成膜装置 |
JP5319373B2 (ja) * | 2009-04-10 | 2013-10-16 | 富士フイルム株式会社 | ガスバリアフィルムおよびガスバリアフィルムの製造方法 |
JP2012204791A (ja) * | 2011-03-28 | 2012-10-22 | Tokyo Electron Ltd | 気化装置、ガス供給装置及びこれを用いた成膜装置 |
-
2016
- 2016-11-10 KR KR1020187014469A patent/KR102139125B1/ko active IP Right Grant
- 2016-11-10 CN CN201680069977.6A patent/CN108291292B/zh active Active
- 2016-11-10 JP JP2017553740A patent/JP6637520B2/ja active Active
- 2016-11-10 WO PCT/JP2016/083350 patent/WO2017094469A1/ja active Application Filing
- 2016-11-29 TW TW105139258A patent/TWI695083B/zh active
Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH1187327A (ja) * | 1997-06-25 | 1999-03-30 | Ebara Corp | 液体原料気化装置 |
TW576872B (en) * | 1997-09-11 | 2004-02-21 | Applied Materials Inc | Vaporization and deposition apparatus and process |
JP2002217181A (ja) * | 2001-01-19 | 2002-08-02 | Japan Steel Works Ltd:The | 半導体原料供給用気化器 |
JP2007070691A (ja) * | 2005-09-07 | 2007-03-22 | Tokyo Electron Ltd | 気化器及び成膜装置 |
TWI421367B (zh) * | 2005-09-20 | 2014-01-01 | Univ Tohoku | 成膜裝置、蒸發治具及測定方法 |
TWI504774B (zh) * | 2013-03-14 | 2015-10-21 | Nanmat Technology Co Ltd | 高純度pdmat前驅物蒸氣之製作方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
TW201730366A (zh) | 2017-09-01 |
KR102139125B1 (ko) | 2020-07-29 |
JP6637520B2 (ja) | 2020-01-29 |
CN108291292B (zh) | 2020-06-26 |
CN108291292A (zh) | 2018-07-17 |
JPWO2017094469A1 (ja) | 2018-08-02 |
KR20180071351A (ko) | 2018-06-27 |
WO2017094469A1 (ja) | 2017-06-08 |
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