TWI691803B - 量測方法及裝置 - Google Patents

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Abstract

本發明揭示一種方法，其涉及：獲得待使用一圖案化製程而形成於一基板上的一圖案之一輪廓之一模擬；判定該圖案之該經模擬輪廓上之一評估點的一部位，該部位在空間上係與用於該圖案之一設計佈局上之一對應評估點之一部位相關聯；及產生對應於該經模擬輪廓上之該評估點之該部位與該設計佈局上之該對應評估點之該部位之間的一空間方位的電子資訊，其中該對應於該空間方位之資訊經組態以用於判定該圖案之至少部分之一經量測影像上的一評估點之一部位，該經量測影像上之該評估點在空間上係與該設計佈局上之該對應評估點相關聯。

Description

量測方法及裝置
本發明之描述係關於用於量測之方法及裝置。
微影裝置為將所要圖案施加至基板上(通常施加至基板之目標部分上)之機器。微影裝置可用於例如積體電路(IC)之製造中。在彼情況下，圖案化器件(其替代地被稱作光罩或倍縮光罩)可用以產生待形成於IC之個別層上之電路圖案。可將此圖案轉印至基板(例如矽晶圓)上之目標部分(例如包括晶粒之部分、一個晶粒或若干晶粒)上。通常經由成像至提供於基板上之輻射敏感材料(抗蝕劑)層上來進行圖案之轉印。一般而言，單一基板將含有經順次地圖案化之鄰近目標部分之網路。已知微影裝置包括：所謂的步進器，其中藉由一次性將整個圖案曝光至目標部分上來輻照每一目標部分；及所謂的掃描器，其中藉由在給定方向(「掃描」方向)上經由輻射光束而掃描圖案同時平行或反平行於此方向而同步地掃描基板來輻照每一目標部分。亦有可能藉由將圖案壓印至基板上而將圖案自圖案化器件轉印至基板。
製造諸如半導體器件之器件通常涉及使用數個製造製程來處理基板(例如半導體晶圓)以形成該等器件之各種特徵及多個層。通常使用例如沈積、微影、蝕刻、化學機械拋光及離子植入來製造及處理此等層及特徵。可在一基板上之複數個晶粒上製造多個器件，且接著將該等器件分離成個別器件。此器件製造製程可被認為是圖案化製程。圖案化製程涉及圖案化步驟，諸如使用微影裝置之光學及/或奈米壓印微影，以在基板上提供圖案且通常但視情況涉及一或多個相關圖案處理步驟，諸如藉由顯影裝置之抗蝕劑顯影、使用烘烤工具烘烤基板、使用蝕刻裝置使用圖案進行蝕刻等。另外，通常在圖案化製程中涉及一或多個度量衡製程。
在圖案化製程期間在各種步驟下使用度量衡製程以監視及控制該製程。舉例而言，度量衡製程係用以量測基板之一或多個特性，諸如在圖案化製程期間形成於基板上之特徵之相對部位(例如對齊、疊對、對準等)或尺寸(例如線寬、臨界尺寸(CD)、厚度等)，使得例如可自該一或多個特性判定圖案化製程之效能。若一或多個特性係不可接受的(例如在用於特性之預定範圍之外)，則一或多個特性之量測可用以變更圖案化製程之一或多個參數使得藉由該圖案化製程製造之其他基板具有可接受的特性。
幾十年來，隨著微影及其他圖案化製程技術之改進，功能性元件之尺寸已不斷地減小，而每器件功能性元件(諸如電晶體)之量已穩定地增加。同時，對在疊對、臨界尺寸(CD)等方面之準確度要求已變得愈來愈嚴格。將在圖案化製程中不可避免地產生誤差，諸如疊對誤差、CD誤差等。舉例而言，可自光學像差、圖案化器件加熱、圖案化器件誤差及/或基板加熱產生成像誤差，且可依據例如疊對誤差、CD誤差等來特性化成像誤差。另外或替代地，可在圖案化製程之其他部分中(諸如在蝕刻、顯影、烘烤等中)引入誤差，且相似地，可依據例如疊對誤差、CD誤差等來特性化該等誤差。該等誤差可直接造成在器件之功能方面之問題，包括器件運行之故障，或運行器件之一或多個電氣問題。
如上文所提及，在圖案化製程中，需要頻繁地進行所產生結構之量測，例如以用於製程控制及驗證。通常量測或判定該等結構之一或多個參數，例如結構之臨界尺寸、形成於基板中或上之順次層之間的疊對誤差等。存在用於對在圖案化製程中形成之微觀結構進行量測的各種技術。用於進行此類量測之各種工具係已知的，包括但不限於常常用於量測臨界尺寸(CD)之掃描電子顯微鏡(SEM)。SEM具有高解析能力且能夠解析大約30奈米或更小、20奈米或更小、10奈米或更小，或5奈米或更小之特徵。半導體器件之SEM影像常常用於半導體廠房中以觀測在器件位階處正發生何種情形。
量測資訊(諸如自器件結構之SEM影像提取)可用於製程模型化、現有模型校準(包括再校準)、缺陷偵測、估計、特性化或分類、良率估計、製程控制或監視等。
在一實施例中，提供一種方法，其包含：獲得待使用一圖案化製程而形成於一基板上的一圖案之一輪廓之一模擬；藉由一硬體電腦系統判定該圖案之該經模擬輪廓上之一評估點的一部位，該部位在空間上係與用於該圖案之一設計佈局上之一對應評估點之一部位相關聯；及藉由該硬體電腦系統產生對應於該經模擬輪廓上之該評估點之該部位與該設計佈局上之該對應評估點之該部位之間的一空間方位的電子資訊，其中該對應於該空間方位之資訊經組態以用於判定該圖案之至少部分之一經量測影像上的一評估點之一部位，該經量測影像上之該評估點在空間上係與該設計佈局上之該對應評估點相關聯。
在一實施例中，提供一種方法，其包含：獲得對應於待使用一圖案化製程而形成於一基板上的一圖案之一經模擬輪廓上的一評估點之一部位與用於該圖案之一設計佈局上的一對應評估點之一部位之間的一空間方位之電子資訊；獲得該圖案之至少部分之一經量測影像；藉由一硬體電腦系統且基於該空間方位資訊判定該圖案之該至少部分之該經量測影像上的一評估點之一部位，該經量測影像上之該評估點在空間上係與該設計佈局上之該對應評估點相關聯；及基於該經判定部位輸出空間參數資訊。
在一態樣中，提供一種製造器件之方法，其中使用一圖案化製程將一器件圖案施加至一系列基板，該方法包括使用本文中所描述之一方法來評估使用該圖案化製程而形成之一經圖案化結構；及根據該方法之結果針對該等基板中之一或多者而控制該圖案化製程。在一實施例中，該經圖案化結構形成於該等基板中之至少一者上，且該方法包含根據該方法之該結果針對稍後基板而控制該圖案化製程。
在一態樣中，提供一種非暫時性電腦程式產品，其包含經組態以致使一處理器致使執行本文中所描述之一方法之機器可讀指令。
在一態樣中，提供一種檢測系統。該系統包括：如本文中所描述之一檢測裝置；及一分析引擎，其包含如本文中所描述之一非暫時性電腦程式產品。在一實施例中，該檢測裝置包含一電子束檢測裝置。在一實施例中，該系統進一步包含一微影裝置，該微影裝置包含：一支撐結構，其經組態以固持用以調變一輻射光束之一圖案化器件；及一投影光學系統，其經配置以將該經調變輻射光束投影至一輻射敏感基板上。
在詳細地描述實施例之前，有指導性的是呈現可供實施實施例之實例環境。
圖1示意性地描繪微影裝置LA。該裝置包含： - 照明系統(照明器) IL，其經組態以調節輻射光束B (例如DUV輻射或EUV輻射)； - 支撐結構(例如光罩台) MT，其經建構以支撐圖案化器件(例如光罩) MA，且連接至經組態以根據某些參數來準確地定位該圖案化器件之第一***PM； - 基板台(例如晶圓台) WTa，其經建構以固持基板(例如抗蝕劑塗佈晶圓) W，且連接至經組態以根據某些參數來準確地定位該基板之第二***PW；及 - 投影系統(例如折射投影透鏡系統) PS，其經組態以將由圖案化器件MA賦予至輻射光束B之圖案投影至基板W之目標部分C (例如包含一或多個晶粒)上。
照明系統可包括用於導向、塑形或控制輻射的各種類型之光學組件，諸如折射、反射、磁性、電磁、靜電或其他類型之光學組件或其任何組合。
圖案化器件支撐結構以取決於圖案化器件之定向、微影裝置之設計及其他條件(諸如，圖案化器件是否被固持於真空環境中)之方式來固持圖案化器件。圖案化器件支撐結構可使用機械、真空、靜電或其他夾持技術以固持圖案化器件。圖案化器件支撐結構可為例如框架或台，其可根據需要而固定或可移動。圖案化器件支撐結構可確保圖案化器件例如相對於投影系統處於所要位置。可認為本文中對術語「倍縮光罩」或「光罩」之任何使用皆與更一般之術語「圖案化器件」同義。
本文所使用之術語「圖案化器件」應被廣泛地解譯為係指可用以在輻射光束之橫截面中向輻射光束賦予圖案以便在基板之目標部分中產生圖案的任何器件。應注意，舉例而言，若被賦予至輻射光束之圖案包括相移特徵或所謂的輔助特徵，則該圖案可不確切地對應於基板之目標部分中之所要圖案。通常，被賦予至輻射光束之圖案將對應於目標部分中所產生之器件(諸如積體電路)中的特定功能層。
圖案化器件可為透射的或反射的。圖案化器件之實例包括光罩、可程式化鏡面陣列，及可程式化LCD面板。光罩在微影中係熟知的，且包括諸如二元、交變相移及衰減相移之光罩類型，以及各種混合式光罩類型。可程式化鏡面陣列之一實例使用小鏡面之矩陣配置，該等小鏡面中之每一者可個別地傾斜，以便使入射輻射光束在不同方向上反射。傾斜鏡面在由鏡面矩陣反射之輻射光束中賦予圖案。
本文所使用之術語「投影系統」應被廣泛地解譯為涵蓋適於所使用之曝光輻射或適於諸如浸潤液體之使用或真空之使用之其他因素的任何類型之投影系統，包括折射、反射、反射折射、磁性、電磁及靜電光學系統，或其任何組合。可認為本文中對術語「投影透鏡」之任何使用皆與更一般之術語「投影系統」同義。
如此處所描繪，裝置屬於透射類型(例如使用透射光罩)。替代地，裝置可屬於反射類型(例如使用如上文所提及之類型之可程式化鏡面陣列，或使用反射光罩)。
微影裝置可屬於具有兩個(雙載物台)或多於兩個台(例如兩個或多於兩個基板台、兩個或多於兩個圖案化器件支撐結構，或基板台與度量衡台)之類型。在此類「多載物台」機器中，可並行地使用額外台，或可對一或多個台進行預備步驟，同時將一或多個其他台用於圖案轉印。
微影裝置亦可屬於以下類型：其中基板之至少一部分可由具有相對高折射率之液體(例如水)覆蓋，以便填充投影系統與基板之間的空間。亦可將浸潤液體施加至微影裝置中之其他空間，例如光罩與投影系統之間的空間。浸潤技術在此項技術中被熟知用於增大投影系統之數值孔徑。本文中所使用之術語「浸潤」並不意謂諸如基板之結構必須浸沒於液體中，而是僅意謂液體在曝光期間位於投影系統與基板之間。
參看圖1，照明器IL自輻射源SO接收輻射光束。舉例而言，當源為準分子雷射時，源及微影裝置可為單獨實體。在此等狀況下，不認為源形成微影裝置之部分，且輻射光束係憑藉包括例如合適導向鏡及/或光束擴展器之光束遞送系統BD而自源SO傳遞至照明器IL。在其他狀況下，舉例而言，當源為水銀燈時，源可為微影裝置之整體部分。源SO及照明器IL連同光束遞送系統BD在需要時可被稱作輻射系統。
照明器IL可包括用於調整輻射光束之角強度分佈之調整器AD。通常，可調整照明器之光瞳平面中之強度分佈的至少外部徑向範圍及/或內部徑向範圍(通常分別被稱作σ外部及σ內部)。另外，照明系統IL可包括各種其他組件，諸如積光器IN及聚光器CO。照明器可用以調節輻射光束，以在其橫截面中具有所要均一性及強度分佈。
輻射光束B入射於被固持於圖案化器件支撐件(例如光罩台MT)上之圖案化器件(例如光罩) MA上，且係由該圖案化器件而圖案化。在已橫穿圖案化器件(例如光罩) MA之情況下，輻射光束B傳遞通過投影系統PS，投影系統PS將該光束聚焦至基板W之目標部分C上。憑藉第二***PW及位置感測器IF (例如干涉器件、線性編碼器、2D編碼器或電容式感測器)，可準確地移動基板台WTa，例如以便使不同目標部分C定位於輻射光束B之路徑中。相似地，第一***PM及另一位置感測器(其未在圖1中明確地描繪)可用以例如在自光罩庫之機械擷取之後或在掃描期間相對於輻射光束B之路徑來準確地定位圖案化器件(例如光罩) MA。一般而言，可憑藉形成第一***PM之部分之長衝程模組(粗略定位)及短衝程模組(精細定位)來實現圖案化器件支撐件(例如光罩台) MT之移動。相似地，可使用形成第二***PW之部分之長衝程模組及短衝程模組來實現基板台WTa之移動。在步進器(相對於掃描器)之狀況下，可僅將圖案化器件支撐件(例如光罩台) MT連接至短衝程致動器，或可使其固定。
可使用光罩對準標記M1、M2及基板對準標記P1、P2來對準圖案化器件(例如光罩) MA及基板W。儘管如所說明之基板對準標記佔據專用目標部分，但該等基板對準標記可位於目標部分之間的空間中(此等標記被稱為切割道對準標記)。相似地，在多於一個晶粒被提供於圖案化器件(例如光罩) MA上之情形中，光罩對準標記可位於該等晶粒之間。小對準標記物亦可包括於器件特徵當中之晶粒內，在此狀況下，需要使標記物儘可能地小且無需與鄰近特徵不同的任何圖案化或其他製程條件。下文中進一步描述可偵測對準標記物之對準系統之實施例。
所描繪裝置可用於以下模式中之至少一者中： - 在步進模式中，在將被賦予至輻射光束之整個圖案一次性投影至目標部分C上時，使圖案化器件支撐件(例如光罩台) MT及基板台WTa保持基本上靜止(亦即，單次靜態曝光)。接著，使基板台WTa在X及/或Y方向上移位，使得可曝光不同目標部分C。在步進模式中，曝光場之最大大小限制單次靜態曝光中所成像之目標部分C之大小。 - 在掃描模式中，在將被賦予至輻射光束之圖案投影至目標部分C上時，同步地掃描圖案化器件支撐件(例如光罩台) MT及基板台WTa (亦即，單次動態曝光)。可藉由投影系統PS之放大率(縮小率)及影像反轉特性來判定基板台WTa相對於圖案化器件支撐件(例如光罩台) MT之速度及方向。在掃描模式中，曝光場之最大大小限制單次動態曝光中之目標部分之寬度(在非掃描方向上)，而掃描運動之長度判定目標部分之高度(在掃描方向上)。 - 在另一模式中，在將被賦予至輻射光束之圖案投影至目標部分C上時，使圖案化器件支撐件(例如光罩台) MT保持基本上靜止，從而固持可程式化圖案化器件，且移動或掃描基板台WTa。在此模式中，通常使用脈衝式輻射源，且在基板台WTa之每一移動之後或在掃描期間的順次輻射脈衝之間根據需要而更新可程式化圖案化器件。此操作模式可易於應用於利用可程式化圖案化器件(諸如上文所提及之類型之可程式化鏡面陣列)之無光罩微影。
亦可使用上文所描述之使用模式之組合及/或變化或完全不同的使用模式。
微影裝置LA屬於所謂的雙載物台類型，其具有兩個台WTa、WTb (例如兩個基板台)以及兩個站-曝光站及量測站-在該兩個站之間可交換該等台。舉例而言，在曝光站處曝光一個台上之基板的同時，可在量測站處將另一基板裝載至另一基板台上且進行各種預備步驟。預備步驟可包括使用位階感測器LS來映射基板之表面控制，及使用對準感測器AS來量測基板上之對準標記物之位置，兩個感測器皆由參考框架RF支撐。若位置感測器IF在台處於量測站以及處於曝光站時不能夠量測台之位置，則可提供第二位置感測器以使能夠在兩個站處追蹤台之位置。作為另一實例，在曝光站處曝光一個台上之一基板時，不具有基板之另一台在量測站處等待(其中視情況可發生量測活動)。此另一台具有一或多個量測器件且視情況可具有其他工具(例如清潔裝置)。當基板已完成曝光時，不具有基板之台移動至曝光站以執行例如量測，且具有基板之台移動至卸載該基板且裝載另一基板之部位(例如量測站)。此等多台配置實現裝置之產出率之相當大增加。
如圖2中所展示，微影裝置LA形成微影製造單元LC (有時亦被稱作微影製造單元(lithocell)或微影叢集(lithocluster))之部分，微影製造單元LC亦包括用以對基板執行一或多個圖案轉印前製程及圖案轉印後製程之裝置。通常，此等裝置包括用以沈積抗蝕劑層之一或多個旋塗器SC、用以顯影經圖案化抗蝕劑之一或多個顯影器DE、一或多個冷卻板CH及一或多個烘烤板BK。基板處置器或機器人RO自輸入/輸出埠I/O1、I/O2拾取基板、在不同製程器件之間移動基板，且將基板遞送至微影裝置之裝載匣LB。常常被集體地稱作塗佈顯影系統(track)之此等器件係在塗佈顯影系統控制單元TCU之控制下，塗佈顯影系統控制單元TCU自身受到監督控制系統SCS控制，監督控制系統SCS亦經由微影控制單元LACU而控制微影裝置。因此，不同裝置可經操作以最大化產出率及處理效率。
為了使能夠正確且一致地處理藉由圖案化製程處理(例如曝光)之基板，需要檢測經處理基板以量測一或多個屬性，諸如後續層之間的疊對誤差、線厚度、臨界尺寸(CD)等。若偵測到誤差，則可例如依據改變圖案化製程之設計或改變用於設計圖案化製程之工具、控制執行之圖案化製程等來對圖案化製程作出調整。
檢測裝置可用於此量測。檢測裝置係用以判定基板之一或多個屬性，且尤其用以判定不同基板或同一基板之不同層之一或多個屬性如何在層與層之間及/或橫越一基板及/或橫越不同基板(例如在不同基板之間)而變化。檢測裝置可整合至微影裝置LA或微影製造單元LC中，或可為單機器件。
用以判定基板之一或多個屬性之檢測裝置可採取各種不同形式。舉例而言，檢測裝置可使用光子電磁輻射以照明基板且偵測由基板重新導向之輻射；此等檢測裝置可被稱作亮場檢測裝置。亮場檢測裝置可使用具有在例如150奈米至900奈米之範圍內之波長的輻射。檢測裝置可以影像為基礎，亦即拍攝基板之影像，及/或以繞射為基礎，亦即量測繞射輻射之強度。檢測裝置可檢測產品特徵(例如待使用基板而形成之積體電路之特徵或光罩之特徵)及/或檢測特定量測目標(例如疊對目標、焦點/劑量目標、CD量規圖案等)。
常常運用以光學件為基礎之次解析度工具完成例如半導體晶圓之檢測(亮場檢測)。但，在一些狀況下，待量測之某些特徵過小而實際上不能使用亮場檢測來量測。舉例而言，半導體器件之特徵中之缺陷的亮場檢測可具有挑戰性。此外，隨著時間推移，使用圖案化製程而製造之特徵(例如使用微影而製造之半導體特徵)變得愈來愈小，且在許多狀況下，特徵之密度亦會增加。因此，使用且需要更高解析度檢測技術。實例檢測技術為電子束檢測。電子束檢測涉及將電子束聚焦於待檢測之基板上之小光點上。影像係藉由以下操作而形成：遍及經檢測之基板之區域在光束與基板之間提供相對移動(在下文中被稱作使電子束掃描)且運用電子偵測器收集二次及/或反向散射電子。接著處理影像資料以例如識別缺陷。
因此，在一實施例中，檢測裝置可為得到曝光或轉印於基板上之結構(例如諸如積體電路之器件之某結構或全部結構)之影像的電子束檢測裝置(例如與掃描電子顯微鏡(SEM)相同或相似)。圖3示意性地描繪電子束檢測裝置200之實施例。自電子源201發射之初級電子束202係由聚光器透鏡203會聚且接著傳遞通過光束偏轉器204、E x B偏轉器205及物鏡206以在一焦點處輻照基板台101上之基板100。
當運用電子束202輻照基板100時，自基板100產生二次電子。該等二次電子係由E x B偏轉器205偏轉且由二次電子偵測器207偵測。二維電子束影像可藉由以下操作而獲得：偵測自樣本產生之電子，而與例如藉由光束偏轉器204使電子束二維掃描同步或與藉由光束偏轉器204使電子束202在X或Y方向上重複掃描，以及藉由基板台101在X或Y方向中之另一者上連續移動基板100同步。因此，在一實施例中，電子束檢測裝置具有用於由角度範圍界定之電子束之視場，至該角度範圍中之電子束可由電子束檢測裝置提供(例如偏轉器204可提供電子束202所遍及之角度範圍)。因此，該視場之空間範圍為電子束之角度範圍可照射於表面上所達之空間範圍(其中該表面可為靜止的或可相對於該場移動)。
由二次電子偵測器207偵測到之信號係由類比/數位(A/D)轉換器208轉換成數位信號，且該數位信號被發送至影像處理系統300。在一實施例中，影像處理系統300可具有用以儲存數位影像之全部或部分以供處理單元304處理的記憶體303。處理單元304 (例如經專門設計之硬體或硬體與軟體之組合或包含軟體之電腦可讀媒體)經組態以將數位影像轉換或處理成表示數位影像之資料集。在一實施例中，處理單元304經組態或經程式化以致使執行本文中所描述之方法。另外，影像處理系統300可具有經組態以將數位影像及對應資料集儲存於參考資料庫中之儲存媒體301。顯示器件302可與影像處理系統300連接，使得操作者可藉助於圖形使用者介面進行設備之必需操作。
圖4示意性地說明檢測裝置之另一實施例。該系統係用以檢測樣本載物台88上之樣本90 (諸如基板)且包含帶電粒子束產生器81、聚光器透鏡模組82、探針形成物鏡模組83、帶電粒子束偏轉模組84、二次帶電粒子偵測器模組85及影像形成模組86。
帶電粒子束產生器81產生初級帶電粒子束91。聚光器透鏡模組82將所產生之初級帶電粒子束91聚光。探針形成物鏡模組83將經聚光初級帶電粒子束聚焦成帶電粒子束探針92。帶電粒子束偏轉模組84使所形成之帶電粒子束探針92橫越緊固於樣本載物台88上之樣本90上的所關注區域之表面進行掃描。在一實施例中，帶電粒子束產生器81、聚光器透鏡模組82及探針形成物鏡模組83或其等效設計、替代方案或其任何組合一起形成產生掃描帶電粒子束探針92的帶電粒子束探針產生器。
二次帶電粒子偵測器模組85偵測在由帶電粒子束探針92轟擊後即自樣本表面發射的二次帶電粒子93 (亦可能與來自樣本表面之其他反射或散射帶電粒子一起)以產生二次帶電粒子偵測信號94。影像形成模組86 (例如運算器件)與二次帶電粒子偵測器模組85耦接以自二次帶電粒子偵測器模組85接收二次帶電粒子偵測信號94且相應地形成至少一個經掃描影像。在一實施例中，二次帶電粒子偵測器模組85及影像形成模組86或其等效設計、替代方案或其任何組合一起形成由帶電粒子束探針92轟擊的自樣本90發射的偵測到之二次帶電粒子形成經掃描影像的影像形成裝置。
在一實施例中，監視模組87耦接至影像形成裝置之影像形成模組86以監視、控制等圖案化製程及/或使用自影像形成模組86接收到之樣本90之經掃描影像來導出用於圖案化製程設計、控制、監視等之參數。因此，在一實施例中，監視模組87經組態或經程式化以致使執行本文中所描述之方法。在一實施例中，監視模組87包含運算器件。在一實施例中，監視模組87包含用以提供本文中之功能性且經編碼於形成監視模組87或安置於監視模組87內的電腦可讀媒體上之電腦程式。
在一實施例中，類似於使用探針來檢測基板之圖3之電子束檢測工具，圖4之系統中之電子電流相比於例如諸如圖3中所描繪之CD SEM顯著較大，使得探針光點足夠大使得檢測速度可快速。然而，由於大探針光點而使解析度並不與CD SEM之解析度一樣大。
可處理來自例如圖3及/或圖4之系統的SEM影像以提取影像中描述表示器件結構之物件之邊緣的輪廓。接著通常在使用者定義之切線處經由諸如CD之度量量化此等輪廓。因此，通常經由諸如對經提取輪廓量測之邊緣之間距離(CD)或影像之間的簡單像素差之度量來比較及量化器件結構之影像。
現在，除了在圖案化製程中量測基板之外，亦常常需要使用一或多個工具以產生例如可用以設計、控制、監視等圖案化製程之結果。為進行此操作，可提供用於運算上控制、設計等圖案化製程之一或多個態樣的一或多個工具，諸如用於圖案化器件之圖案設計(包括例如添加次解析度輔助特徵或光學近接校正)、用於圖案化器件之照明等。因此，在用於運算上控制、設計等涉及圖案化之製造製程之系統中，主要製造系統組件及/或製程可由各種功能模組描述。詳言之，在一實施例中，可提供描述圖案化製程之一或多個步驟及/或裝置(通常包括圖案轉印步驟)之一或多個數學模型。在一實施例中，可使用一或多個數學模型來執行圖案化製程之模擬以模擬圖案化製程如何使用由圖案化器件提供之經量測或設計圖案來形成經圖案化基板。
圖5中說明用於模型化及/或模擬圖案化製程之部分(例如微影裝置中之微影)的例示性流程圖。如應瞭解，模型可表示不同圖案化製程且無需包含下文所描述之所有模型。源模型500表示圖案化器件之照明之光學特性(包括輻射強度分佈、頻寬及/或相位分佈)。源模型500可表示照明之光學特性，其包括但不限於：數值孔徑設定、照明均方偏差(σ)設定以及任何特定照明形狀(例如離軸輻射形狀，諸如環形、四極、偶極等)，其中均方偏差(或σ)為照明器之外部徑向範圍。
投影光學件模型510表示投影光學件之光學特性(包括由投影光學件造成的輻射強度分佈及/或相位分佈之改變)。投影光學件模型510可表示投影光學件之光學特性，其包括像差、失真、一或多個折射率、一或多個實體大小、一或多個實體尺寸等。
圖案化器件模型模組120捕捉設計特徵如何以圖案化器件之圖案而佈置，且可包括圖案化器件之詳細物理屬性之表示，如(例如)美國專利第7,587,704號中所描述。模擬之目標應為準確地預測例如邊緣置放及CD，可接著比較該等邊緣置放及CD與器件設計。器件設計通常被定義為預OPC圖案化器件佈局，且將以諸如GDSII或OASIS之經標準化數位檔案格式之形式被提供。
設計佈局模型520表示設計佈局(例如對應於積體電路、記憶體、電子器件等之特徵的器件設計佈局)之光學特性(包括由給定設計佈局造成的輻射強度分佈及/或相位分佈之改變)，其為圖案化器件上或由圖案化器件形成之特徵配置之表示。設計佈局模型520可表示實體圖案化器件之一或多個物理屬性，如例如全文係以引用方式併入之美國專利第7,587,704號中所描述。由於可改變用於微影投影裝置中之圖案化器件，故需要使圖案化器件之光學屬性與至少包括照明及投影光學件的微影投影裝置之其餘部分之光學屬性分離。
可自源模型500、投影光學件模型510及設計佈局模型520模擬空中影像530。空中影像(AI)為基板位階處之輻射強度分佈。微影投影裝置之光學屬性(例如照明、圖案化器件及投影光學件之屬性)規定空中影像。
基板上之抗蝕劑層係由空中影像曝光，且該空中影像經轉印至抗蝕劑層而作為其中之潛伏「抗蝕劑影像」(RI)。可將抗蝕劑影像(RI)定義為抗蝕劑層中之抗蝕劑之溶解度的空間分佈。可使用抗蝕劑模型540而自空中影像530模擬抗蝕劑影像550。可使用抗蝕劑模型以自空中影像計算抗蝕劑影像，可在全部揭示內容特此以引用方式併入之美國專利申請公開案第US 2009-0157360號中找到此情形之實例。抗蝕劑模型通常描述在抗蝕劑曝光、曝光後烘烤(PEB)及顯影期間出現的化學製程之效應，以便預測例如形成於基板上之抗蝕劑特徵之輪廓，且因此其通常僅與抗蝕劑層之此等屬性(例如在曝光、曝光後烘烤及顯影期間出現的化學製程之效應)相關。在一實施例中，抗蝕劑層之光學屬性，例如折射率、膜厚度、傳播及偏振效應——可被捕捉而作為投影光學件模型510之部分。
因此，一般而言，光學模型與抗蝕劑模型之間的連接為抗蝕劑層內之經模擬空中影像強度，其起因於輻射至基板上之投影、抗蝕劑界面處之折射及抗蝕劑膜堆疊中之多個反射。輻射強度分佈(空中影像強度)係藉由入射能量之吸收而變為潛伏「抗蝕劑影像」，其係藉由擴散製程及各種負載效應予以進一步修改。足夠快以用於全晶片應用之高效模擬方法藉由2維空中(及抗蝕劑)影像而近似抗蝕劑堆疊中之實際3維強度分佈。
在一實施例中，可將抗蝕劑影像用作至圖案轉印後製程模型模組150之輸入。圖案轉印後製程模型150界定一或多個抗蝕劑顯影後製程(例如蝕刻、顯影等)之效能。
圖案化製程之模擬可例如預測抗蝕劑及/或經蝕刻影像中之輪廓、CD、邊緣置放(例如邊緣置放誤差)等。因此，該模擬之目標為準確地預測例如經印刷圖案之邊緣置放，及/或空中影像強度斜率，及/或CD等。可將此等值與預期設計比較以例如校正圖案化製程，識別預測出現缺陷之地點等。預期設計通常被定義為可以諸如GDSII或OASIS或其他檔案格式之標準化數位檔案格式而提供之預OPC設計佈局。
因此，模型公式化描述總製程之大多數(若非全部)已知物理學及化學方法，且模型參數中之每一者理想地對應於一相異物理或化學效應。模型公式化因此設定關於模型可用以模擬總體製造製程之良好程度之上限。
一或多個模型之應用在本文中被描述於圖案化製程之複雜微調步驟中，諸如應用至照明、投影系統及/或圖案化器件設計之微調步驟。此等步驟包括(例如但不限於)數值孔徑之最佳化、相干性設定之最佳化、自訂照明方案、圖案化器件中或上之相移特徵之使用、圖案化器件佈局中之光學近接校正、圖案化器件佈局中之次解析度輔助特徵之置放，或通常被定義為「解析度增強技術」(RET)之其他方法。
作為一實例，光學近接校正(OPC)解決以下事實：基板上之經印刷特徵之最終大小及置放將並非僅依據圖案化器件上之對應特徵之大小及置放而變化。對於存在於典型電子器件設計上之小特徵大小及高特徵密度，給定特徵之特定邊緣之位置將在某種程度上受到其他鄰近特徵之存在或不存在影響。在一實施例中，此等近接效應係由來自多於一個特徵之輻射之耦合引起。在一實施例中，近接效應係由通常在微影曝光之後的曝光後烘烤(PEB)、抗蝕劑顯影及蝕刻期間之擴散及其他化學效應引起。
為了幫助確保根據給定器件設計之要求在基板上產生特徵，應利用複雜數值模型來預測近接效應，且在器件之成功製造變得可能之前將校正或預失真應用至圖案化器件之設計。此等修改可包括邊緣位置或線寬之移位或偏置及/或一或多個輔助特徵之應用，該一或多個輔助特徵不意欲印刷自身，但將影響關聯初級特徵之屬性。
在一晶片設計中通常存在數百萬個特徵的情況下，應用以模型為基礎之圖案化製程設計需要良好的製程模型及相當大的運算資源。然而，應用以模型為基礎之設計通常不為「嚴正科學(exact science)」，而為並不總是解決器件設計之所有可能弱點之反覆製程。因此，OPC後設計(亦即，在應用藉由OPC及任何其他RET之所有圖案修改之後的圖案化器件佈局)應藉由設計檢測(例如，使用經校準數值製程模型之密集全晶片模擬)予以驗證，以便減小設計瑕疵被建置至圖案化器件之製造中的可能性。
然而，模型參數有時可由於例如量測及讀取誤差而不準確，及/或系統中可存在其他不完美性。在模型參數之精確校準的情況下，可進行極準確模擬。因此，由於運算圖案化製程評估應涉及精確地描述圖案化製程之穩固模型，故用於此等模型之校準工序應用以達成橫越適用製程窗為有效、穩固且準確之模型。
為了實現運算模型之校準(且視情況為了正確地且一致地曝光由微影裝置曝光之基板)，需要使用檢測裝置對印刷於基板上之圖案採取各種量測。在一些實施例中，檢測裝置可為得到曝光或轉印於基板上之一或多個結構(例如一或多個測試(或校準)圖案或對應於器件之一些或全部結構之一或多個圖案)之影像的掃描電子顯微鏡(SEM)。
因此，在一實施例中，藉由在基板上印刷某數目個1維及/或2維量規圖案(例如，量規圖案可為專門指定之量測圖案或可為如印刷於基板上之設計器件圖案之器件部分)且對經印刷圖案執行量測來進行校準。更特定言之，彼等1維量規圖案為具有變化之間距及CD之線空間圖案，且2維量規圖案通常包括線端、接點，及/或靜態隨機存取記憶體(SRAM)圖案。接著將此等圖案成像至基板上，且量測所得基板CD或接觸孔(亦被稱為通孔或晶片穿孔)能量。接著聯合地使用原始量規圖案及其基板量測以判定減小或最小化模型預測與基板量測之間的差之模型參數。在一實施例中，一或多個量規或校準圖案可不對應於器件中之結構。但，一或多個量規或校準圖案擁有與器件中之一或多個圖案足夠的相似性以允許對一或多個器件圖案之準確預測。
圖6說明如以上所描述之實例模型校準製程。該製程開始於設計佈局600，該設計佈局可包括量規且視情況可包括可呈諸如GDSII或OASIS之標準格式之其他測試圖案。接下來，在610處使用該設計佈局以產生圖案化器件佈局，該圖案化器件佈局可呈諸如GDSII或OASIS之標準格式且可包括OPC或其他RET特徵。接著，在一實施例中，採取兩個單獨路徑以用於模擬及量測。
在模擬路徑中，在步驟630中使用圖案化器件佈局及模型620以產生經模擬抗蝕劑影像。模型620提供用於運算微影中之圖案化製程之模型，且校準製程旨在使模型620儘可能地準確，使得運算微影結果同樣地準確。接著在步驟640中使用經模擬抗蝕劑影像以判定經預測臨界尺寸(CD)等。
在量測路徑中，在650處將圖案化器件佈局610與實體光罩(例如倍縮光罩)一起使用或使用圖案化器件佈局610來形成實體光罩(例如倍縮光罩)，接著使該實體光罩成像至基板上。用以圖案化基板之圖案化製程(例如用於光學微影之NA、焦點、劑量、照明源等)係與意欲在模型620中捕捉之圖案化製程相同。接著在660處對實際經圖案化基板執行量測(例如使用度量衡工具(諸如SEM等))，此得到經量測CD、輪廓等。
在670處在來自660之量測與來自640之預測之間進行比較。若該比較判定該等預測在預定誤差臨限值內匹配於該等量測，則該模型被視為在690處予以成功地校準。否則，對模型620進行改變，且重複步驟630、640及670直至使用模型620所產生之預測在預定臨限值內匹配於該等量測為止。在一實施例中，該模型包含OPC模型。雖然下文之描述將聚焦於作為實施例之OPC模型，但該模型可為除OPC模型以外之模型。
如上文所提及，出於例如模型校準之目的或出於其他目的，自基板上之所形成圖案之影像(例如使用電子束而產生的影像，諸如SEM影像)提取幾何參數(諸如CD)之值。舉例而言，如上文所提及，為了模型校準，可使用量規圖案。
參看圖7，描繪呈各種形式之圖案(例如量規圖案)的示意圖。圖7說明自例如標稱矩形設計佈局700 (例如如經設計為產生於基板處)產生於基板上之大體上橢圓形圖案720的影像。雖然大體上橢圓形圖案720之邊界被描繪為輪廓，但其無需而輪廓，而是該邊界可為表示圖案720之邊緣的像素資料(亦即，輪廓尚未被提取)。另外，圖7中之圖案為自基板突起的橢圓形形狀，其中圖案720之內部高於緊接在邊界外部之點。然而，圖案720無需為突起部而是可為渠溝類型結構；在此狀況下，圖案720之內部低於緊接在圖案720之邊界外部之區。若圖案720為渠溝，則標稱矩形設計佈局700可較小且大體上在圖案720之內部。
在圖案之影像中，指定並評估量規。在一實施例中，量規為圖案上之為了判定諸如CD、邊緣位置等之幾何參數之值的評估部位。可出於各種目的而將量規之值用於圖案化製程之設計、控制等中、用於圖案化製程之裝置中或用於與圖案化製程之設計、控制等一起使用之工具中。在一個特定實例中，將量規之值用於例如OPC模型之校準。因此，在彼狀況下，OPC模型之校準實際上旨在產生最小化與量規相關聯之誤差的模型。雖然在此處特定描述用於模型校準之量規值之判定的實施例，但應瞭解，可出於各種目的來使用量規值之判定。
在圖7中，實例量規被說明為假想線770，其疊置於經量測之圖案之形狀的邊界(例如輪廓)上，亦即用於在X方向上之CD之量規770。如應瞭解，可指定許多其他量規(例如更多在X方向上之量規及在Y方向上之量規)。量規770有時被稱作切線且因此便於圖案上之選定「切口」之量測距離。該切線通常在X及/或Y方向上且在一些狀況下以某角度對準。另一實例量規為評估點(EP) 760。EP 760未必需要比如切線之線上之另一對應點。量規770或EP 760通常係自基板圖案輪廓收集(亦即，處理圖案影像以產生輪廓且接著自所要EP處之輪廓提取EP處之邊緣位置)。
量規定位於圖案佈局中之特定光點處且基本上表示圖案邊界處之點。理想地，選擇數個量規來表示圖案之形狀，但量規之數目受到例如產出率問題及報酬遞減限制(例如，雖然更多量規將提供更大準確度，但其可能並不會提供大得多的準確度)。實際上，針對任何給定OPC模型進行數千個不同量測及/或產生數千個不同形狀，因此在任何基板上存在被量測之多種形狀，且所有該等形狀在其將報告對應於實際OPC模型將會具有之資訊之值(就對應於量規位置之資訊而言)的情況下應被很好地量測。
針對先進技術節點，隨著每圍繞圖案設計佈局(例如多邊形)之邊緣進行模型校準，評估點(EP)相比於切線可提供圖案邊界之更全面取樣且因此實現模型校準之改良。如上文所提及，EP及/或量規之評估通常涉及自圖案之影像提取圖案之輪廓(例如使用此項技術中已知之輪廓提取技術)，該輪廓能夠表示基板圖案。
然而，輪廓提取可引入假影及/或誤差，此係由於用以提取輪廓之演算法可並非完美地判定圍繞圖案形狀之整體之輪廓。此等假影及/或誤差可影響模型準確度。相似地，應用於輪廓之平滑技術可以相似方式引入假影及/或誤差。
另外或替代地，為了改良輪廓提取之品質，基板圖案影像品質應為高的，且因此可捕捉圖案之較多影像圖框且將該等影像圖框一起平均化以獲得可從中提取輪廓之較高品質圖案影像。令人遺憾的是，捕捉圖框愈多，基板圖案受到入射電子束輻射損害愈嚴重。此導致歸因於自包含來自顯著受損圖案特徵的資料之影像判定輪廓之額外誤差。
另外或替代地，通常藉由圍繞圖案邊界之比每圖案EP取樣所需之部位點更多的部位點建構輪廓。舉例而言，通常針對整個圖案邊界提取輪廓。但即使運用彼等額外可用部位點，仍常常需要內插以提供所要EP部位，此係因為輪廓部位點可能不對應於所有所要EP部位。
因此，用於EP量規評估之輪廓提取可導致大的輪廓資料檔案、輪廓提取之長運算時間及/或歸因於例如輪廓提取中及/或來自內插之假影/誤差的EP位置誤差。
因此，需要提供用於判定圖案影像上之EP部位且獲得EP部位處之幾何參數之值的改良之技術。
在一實施例中，在考慮中(且使用例如圖案之設計佈局而產生的)圖案之經模擬輪廓係用以有效地預產生EP部位。接著，預產生之EP部位係用以識別所形成圖案之至少部分之影像上的關聯EP部位。在一實施例中，在並不自影像提取輪廓的情況下判定影像EP部位。在一實施例中，關於預產生之EP部位之資料係用以導引圖案影像之量測。根據影像EP部位，可自影像判定與影像EP部位處之EP相關聯的空間位置或尺寸。
在一實施例中，檢測工具(諸如電子束檢測裝置)例如在並不直接進行輪廓提取或運用減小之輪廓提取的情況下根據自影像預產生之EP部位量測EP (例如判定其在座標系中之空間位置或量測與其相關聯之尺寸)。在一實施例中，檢測裝置可每影像實際上即時地進行影像量測，且因此除成像時間之外，將不存在額外產出率影響。在一實施例中，藉由不必執行輪廓提取或僅在一或多個選擇部分處執行輪廓提取而可減小產出率。另外或替代地，藉由對影像直接量測(亦即，對影像進行量測，而不對經量測之部分進行輪廓提取)，與輪廓提取所需之影像圖框之數目相比而可需要圖案之較少影像圖框，且量測可更接近於實際圖案(亦即，相比於將以其他方式獲得用於輪廓提取之較大數目個影像圖框所需之情形，對圖案之損害較小)。另外或替代地，由於可需要捕捉較少影像圖框，故可顯著改良影像獲取產出率(尤其針對大影像及/或大數目個圖案)。
圖8為判定圖案影像上之EP部位且獲得EP部位處之幾何參數之值之方法的實施例的流程圖。在800處，在用以在基板上產生圖案之圖案化製程之一或多個標稱處理條件下獲得圖案之經模擬目標輪廓。在一實施例中，基於用於如形成於基板上之圖案之設計佈局而判定經模擬目標輪廓。在一實施例中，設計佈局係呈多邊形之形式；在彼狀況下，設計佈局將為目標多邊形。雖然將關於目標多邊形來描述實施例，但該實施例通常適用於圖案之任何設計佈局。在一實施例中，執行模擬以獲得經模擬目標輪廓。在一實施例中，可使用如關於圖5所描述之模擬模型。
返回參看圖7，其描繪經模擬目標輪廓連同目標多邊形之示意性實例。如在圖7中所看到，描繪目標多邊形700連同經模擬目標輪廓710。如應瞭解，所形成圖案通常將不確切地匹配於目標多邊形，且其在此處藉由經模擬目標輪廓相比於目標多邊形之圓化來展示。另外，所形成圖案常常可不具有與目標多邊形相同的橫截面尺寸，且其在此處藉由經模擬目標輪廓相比於目標多邊形之收縮來展示。如應瞭解，經模擬目標輪廓無需如示意性地描繪而圓化及/或無需具有較小橫截面尺寸。
目標多邊形將具有位於目標多邊形邊界上或目標多邊形邊界處之一或多個EP。通常，將存在沿著目標多邊形邊界指定之複數個EP。可由使用者選擇或自動判定用於目標多邊形之EP之部位。在一實施例中，可沿著目標多邊形之邊界均一地指定複數個EP。在一實施例中，可針對多邊形之至少隅角指定EP。在一實施例中，可針對目標多邊形之每一隅角指定一EP。在一實施例中，針對隅角比沿著多邊形之筆直部分指定更大集中度之EP。在一實施例中，針對目標多邊形指定之EP之數目為5個或更多個、10個或更多個、20個或更多個，或50個或更多個。
在具有經模擬目標輪廓及目標多邊形的情況下，在810處，基於目標多邊形而判定一或多個EP在標稱經模擬目標輪廓上之部位。亦即，關於目標多邊形來界定一或多個EP，且針對關於目標多邊形而界定之每個此EP在經模擬目標輪廓上判定對應EP部位。舉例而言，如圖7中所展示，在目標多邊形700上界定一或多個EP 730，且針對每一EP 730，判定在經模擬目標輪廓710上之EP部位740。雖然在圖7中標記3組對應EP 730及EP 740，但目標多邊形上及經模擬目標輪廓上的其他實例組之對應EP在圖7中加以展示。
假想線750有助於描繪EP 730之部位與EP 740之部位之間的空間關係。在一實施例中，對應於關聯EP 730之EP 740之部位為經模擬目標輪廓710上與EP 730之部位最接近的部位。亦即，發現在EP 730與經模擬目標輪廓710之間存在大致上最短距離，且彼部位變為EP 740之部位。因此，在一實施例中，EP 730與EP 740之間的線750之部分具有大致上最短距離。在一實施例中，大致上最短距離可選自最短距離之90%至最短距離之110%的範圍。在一實施例中，EP 740之部位對應於經模擬目標輪廓710上大致上垂直於至經模擬目標輪廓710之一部分之切線或大致上垂直於經模擬目標輪廓710之一部分之側的最接近EP 730之假想線(例如線750)延行通過EP 730所處的部位。在一實施例中，大致上垂直可選自80°至110°。
因此，自關聯EP 730對EP 740之經判定部位在EP 730與EP 740之部位之間建立空間方位。假想線750有助於描繪此空間方位。如將在下文進一步詳細地描述，圖案之經量測影像上之EP 760之部位將使用此空間方位藉由例如沿著此空間方位定位經量測圖案影像之周邊予以判定。
在820處，產生關於空間方位之資訊以用於判定經量測圖案影像上之EP之部位。因此，在一實施例中，對於關於目標多邊形所界定之每一所關注EP，提供關於用於彼EP之空間方位之電子資訊。在一實施例中，指定關於經量測圖案影像之座標系之資訊。在一實施例中，指定GDS、GDSII或OASIS座標系中之資訊。在一實施例中，指定用於影像之檢測裝置之座標系中之資訊。必要時，在一實施例中，關於空間方位之資訊包含為了使檢測裝置能夠定位如形成於基板上之圖案(EP資訊係關於該圖案)或在包含該圖案之基板之影像中定位彼圖案的關於該圖案之識別資訊。
在一實施例中，關於空間方位之資訊包含每一EP 730及關聯EP 740之部位。使用EP 730及EP 740之部位，可計算空間方位方向。在一實施例中，空間方位方向包含方向之角度、斜率或其他表示。在一實施例中，資訊包含EP 730及/或EP 740之部位以及空間方位方向(例如角度)。空間方位方向之實例在圖7中被展示為角度θ。
在830處，獲得在標稱條件下藉由圖案化製程而形成於基板上的圖案之影像。在一實施例中，藉由運用電子束之量測來獲得影像。在一實施例中，該影像為SEM影像。在一實施例中，在自EP之影像獲得幾何參數之值之前，將該影像與目標多邊形(例如目標多邊形700)及/或圖案之經模擬輪廓(例如經模擬目標輪廓710)之座標系對準。在一實施例中，在自EP之影像獲得幾何參數之值之前，將該影像與GDS、GDSII或OASIS座標系對準，該對準可藉由例如檢測裝置之晶粒至資料庫(D2DB)功能性來完成。
在一實施例中，獲得影像包含使用檢測裝置(諸如如關於圖3及/或圖4所描述之裝置)來量測基板上之所形成圖案。在一實施例中，量測所形成圖案係藉由關於空間方位之資訊導引。此為以下實施例：在沿著空間方位方向之對應於空間方位資訊被提供之一或多個EP中之每一者的區處專門量測圖案。舉例而言，可在必要時在檢測裝置之座標系中判定EP 730及/或EP 740相對於關聯所形成圖案之部位，且接著可在自EP 730及/或EP 740之彼部位相對於所形成圖案之臨限距離內且沿著空間方位方向(其可由例如檢測裝置自關於EP 730及EP 740之部位之資訊予以判定或其包括於空間方位資訊內)採取量測。在一實施例中，導引量測包含檢測裝置獲得圖案之區處之額外量測資訊。在一實施例中，導引量測包含檢測裝置獲得圖案之區處之量測資訊，但不獲得圖案上之其他部位處之量測資訊。
在840處，執行經量測圖案影像上之一或多個EP之部位之判定。必要時，將影像與空間方位資訊之座標系對準，例如與GDS、GDSII或OASIS座標系對準，或與經模擬圖案輪廓對準(例如藉由可以數學方式將經模擬目標輪廓與影像中之所形成圖案之廣義形狀對準的電腦影像處理技術)，或與空間上分佈之EP 730及/或EP 740之集合之部位對準(例如藉由可以數學方式將空間上分佈之EP 730及/或EP 740與影像中之所形成圖案之廣義形狀對準的電腦影像處理技術)。可使用檢測裝置之晶粒至資料庫(D2DB)能力來完成該對準。
為了判定經量測圖案影像上之一或多個EP之部位，使用包括於空間方位資訊中或自空間方位資訊導出的空間方位方向，以及經模擬目標輪廓上之關聯EP之部位及/或目標多邊形上之關聯EP之部位。在一實施例中，在空間方位資訊不包括空間方位方向的情況下，可自包括於空間方位資訊中的經模擬目標輪廓上之EP之部位及目標多邊形上之關聯EP之部位計算空間方位方向。
詳言之，為了判定經量測圖案影像上之一或多個EP之部位，判定或標記影像座標系中的經模擬目標輪廓上之關聯EP之部位及/或來自影像座標系中的目標多邊形上之關聯EP之部位，且自影像座標系中的經模擬目標輪廓上之關聯EP之部位及/或自影像座標系中的目標多邊形上之關聯EP沿著空間方位方向分析影像，以識別沿著空間方位方向在何處截取圖案之邊界。因此，在一實施例中且在圖7之內容背景中，結果為有效地判定藉由經量測圖案影像720之邊界對假想線750進行截取，從而識別圖案影像720上的在彼交叉點處之EP 760之部位。當然，為了實現識別此截取而無需將線繪製於影像上。實情為，可自影像座標系中的EP 730之部位及/或影像座標系中的EP 740之部位沿著方向750應用資料處理技術，以識別在何處到達圖案影像720之邊界。用以識別邊界之影像資料處理技術可為出於此目的之任何當前或未來技術。在一實施例中，可使用已知量測演算法(例如CD量測演算法)及關聯臨限值以用於例如切線量規判定。舉例而言，在一實施例中，影像資料處理可評估像素資料之值之梯度且識別該梯度超越或滿足某一臨限值(例如最大梯度或在最大值之10%內)所處之邊界。此技術可使能夠將邊界識別為圖案之邊緣之向下或向下斜率上的某處之部位(例如約為斜率之中間或自底部約10%至30%之斜率上的位置)。
圖9描繪此判定之實務實例。圖9展示圖案之一部分之影像。展示了圖案之經量測邊界920連同目標多邊形700之適用部分(其係為了參考起見而在此實例中被展示且無需被「繪製」於影像上)。在此實例中，所使用之空間方位資訊為EP 740之部位(亦即經模擬目標輪廓上之EP之部位)以及空間方位角度，其在此實例中由假想線750表示。雖然此處出於方便起見僅標記EP 740之單個部位，但顯而易見的是，圖9描繪在沿著邊界920之各個點處的EP 740之複數個其他部位。另外，該等線僅僅在此實例中並非精確地穿過EP 740，使得可在視覺上看到EP 740。實務上，空間方位角度將穿過各別EP 740。
接著，可看到，藉由經量測圖案影像720之邊界對假想線750之截取會識別圖案影像720上的在彼交叉點處之EP 760之部位。可處理沿著假想線750之像素資料以識別圖案之邊緣/邊界之部位，其在此狀況下被判定為EP 760被標記所處之部位。此資料處理可使用諸如(例如)像素資料之梯度分析之演算法來進行，且接著在梯度資料滿足或超越與彼梯度資料相關聯之某臨限值的情況下識別EP 760之部位。因此，在一實施例中，基於參考部位(例如EP 730及/或EP 740)及識別圖案之邊界之臨限值而在影像(例如與GDS、GDSII或OASIS座標系對準)上判定EP部位。
在一實施例中，如上文所論述的圖案影像720上的在彼交叉點處之EP 760之經識別部位可表示EP 760之量測。因此，在一實施例中，可基於某一量測方法(例如已知量測演算法(例如CD量測演算法)及用於例如切線量規判定之關聯臨限值)直接自影像(例如在諸如藉由與GDS、GDSII或OASIS座標系對準而與目標多邊形及/或經模擬目標輪廓對準之後)判定基板上之圖案之EP部位。
在一實施例中，圖案影像720之輪廓上之EP 760之部位可為EP 760之量測。舉例而言，在一實施例中，可在圖案影像720上之EP 760之經識別部位處或附近獲得影像之輪廓，且EP 760之量測為EP 760在該輪廓上之部位。在一實施例中，影像之輪廓並不涵蓋圖案之整個邊界。在一實施例中，獲得該輪廓以便包括圖案影像720上之EP 760之經識別部位，以便能夠避免內插。
如應瞭解，可關於沿著圖案之邊界之所有EP 740執行此分析(使用其各別空間方位資訊)，以獲得沿著圖案720之周邊的EP 760之量測之值。當然，EP 740之部位、假想線750及/或EP 760之部位無需被「繪製」於影像上。實情為，可以數學方式處理影像資料以獲得相同效應。
視情況，可判定EP 740之部位與其關聯EP 760之量測之間的距離。在一實施例中，該距離為EP 740之部位與EP 760之量測之間的歐幾里得距離。在一實施例中，此距離表示邊緣置放誤差(EPE)。
視情況參看圖10，可獲得EP 760之部位之「平均化」判定。圖10展示針對同一圖案之複數個不同例項的圖案影像720之邊界的一部分。在一實施例中，該圖案可為接觸孔圖案，且因此該複數個例項可為形成於基板上之接觸孔圖案之各種例項。
在一實施例中，可藉由針對用於圖案之至少部分之複數個不同例項中的每一者判定圖案之至少部分之經量測影像上的評估點之部位來獲得EP 760之部位之「平均化」判定。接著，部位可基於經判定部位之數學組合(例如部位之平均值)。舉例而言，如圖10中所展示，假想線750相對於關於圖案之經模擬輪廓而界定的EP 740之部位而延伸。假想線750在EP 760之各個部位處截取圖案影像720之複數個例項。在一實施例中，可以數學方式組合EP 760之彼等判定部位以得到EP 760之部位之單個值。在一實施例中，彼組合可為平均值或其他統計組合。
在一實施例中，可藉由將圖案之至少部分之不同例項的影像組合成該圖案之該至少部分之「單個」影像來獲得EP 760之部位之「平均化」判定。可接著使用例如相對於關於圖案之經模擬輪廓而界定的EP 740之部位而延伸之假想線750自彼組合影像判定EP 760之部位。
當然，EP 760之彼經識別部位可表示EP 760之量測，或圖案影像720之輪廓上的EP 760之部位可為EP 760之量測。當然，EP 740之部位與其關聯EP 760之量測之間的距離可使用EP 760之部位之「平均化」判定予以判定。
在850處，輸出EP空間參數資訊。在一實施例中，EP空間參數資訊為包含經分析之一或多個EP之值之電子資訊。在一實施例中，EP空間參數資訊包含EP 760之一或多個部位之量測。在一實施例中，一或多個部位可為例如影像之座標系或某其他座標系中的笛卡爾(Cartesian)座標。在一實施例中，EP空間參數資訊包含一或多個EP 740部位與其關聯一或多個EP 760之量測之間的距離。在一實施例中，EP空間參數資訊可基於如上文所論述之「平均化」判定。
在860處，可將EP空間參數資訊資訊用於製程模型化、模型校準(包括再校準)、缺陷偵測、估計、特性化或分類、良率估計、製程控制或監視、圖案化製程設計等。
因此，此EP技術可藉由例如縮減資料分析時間而實現EP資料之較快速判定。舉例而言，可接近即時地完成量測及分析。
另外或替代地，在一實施例中，在例如影像如此對準的情況下，結果可已經藉由GDS、GDSII及/或OASIS參考點映射。此可在例如模型與此座標系對準的情況下促進例如模型校準。
另外或替代地，EP技術可避免自影像之一些或全部輪廓提取，該輪廓提取可引入假影及/或誤差。
另外或替代地，EP技術可避免或減小運用電子束輻照拍攝之圖案之影像圖框之數目且因此改良結果之品質。此係因為額外圖框引入對圖案之損害且該損害在後續影像圖框中被量測。
另外或替代地，EP技術可減小取樣點之數目及/或減小對內插之需要，此係由於可使用及判定選擇EP部位。
因此，EP技術可有助於避免輪廓提取(及關聯大輪廓資料檔案)、減小運算時間及/或減小歸因於例如輪廓提取中及/或來自內插之假影/誤差的EP位置誤差。
在一實施例中，提供一種方法，其包含：獲得待使用一圖案化製程而形成於一基板上的一圖案之一輪廓之一模擬；藉由一硬體電腦系統判定該圖案之該經模擬輪廓上之一評估點的一部位，該部位在空間上係與用於該圖案之一設計佈局上之一對應評估點之一部位相關聯；及藉由該硬體電腦系統產生對應於該經模擬輪廓上之該評估點之該部位與該設計佈局上之該對應評估點之該部位之間的一空間方位的電子資訊，其中該對應於該空間方位之資訊經組態以用於判定該圖案之至少部分之一經量測影像上的一評估點之一部位，該經量測影像上之該評估點在空間上係與該設計佈局上之該對應評估點相關聯。
在一實施例中，該圖案之該經模擬輪廓上的該評估點之該部位藉由以下情形而在空間上與該設計佈局上之該對應評估點之該部位相關聯：該圖案之該經模擬輪廓上的該評估點之該部位為該經模擬輪廓上之在該輪廓與該設計佈局上之該對應評估點之該部位之間具有大致上最短距離的部位。在一實施例中，該對應於該空間方位之資訊包含該圖案之該經模擬輪廓上的該評估點之該部位及/或該設計佈局上之該對應評估點之該部位，及該圖案之該經模擬輪廓上的該評估點之該部位與該設計佈局上之該對應評估點之該部位之間的一方向。在一實施例中，該方向包含一角度或斜率。在一實施例中，該對應於該空間方位之資訊包含該圖案之該經模擬輪廓上的該評估點之一部位及該設計佈局上之該對應評估點之一部位。在一實施例中，該方法進一步包含：獲得形成於一基板上之該圖案之至少部分的一經量測影像；基於該空間方位資訊判定該圖案之至少部分之該經量測影像上的評估點之部位，該經量測影像上之該評估點在空間上係與該設計佈局上之該對應評估點相關聯；及基於該經判定部位輸出空間參數資訊。在一實施例中，該方法進一步包含判定該圖案之該經模擬輪廓上的該評估點之該部位與同該圖案之該至少部分之該經量測影像上的該評估點相關聯的一量測之間的一距離，且其中該空間參數資訊包含該經判定距離。在一實施例中，該方法進一步包含基於該空間參數資訊執行表示該圖案化製程之至少部分的一數學模型之一校準。在一實施例中，該方法進一步包含執行一電腦模擬以產生該圖案之該經模擬輪廓。
在一實施例中，提供一種方法，其包含：獲得對應於待使用一圖案化製程而形成於一基板上的一圖案之一經模擬輪廓上的一評估點之一部位與用於該圖案之一設計佈局上的一對應評估點之一部位之間的一空間方位之電子資訊；獲得該圖案之至少部分之一經量測影像；藉由一硬體電腦系統且基於該空間方位資訊判定該圖案之該至少部分之該經量測影像上的一評估點之一部位，該經量測影像上之該評估點在空間上係與該設計佈局上之該對應評估點相關聯；及基於該經判定部位輸出空間參數資訊。
在一實施例中，該圖案之該經模擬輪廓上的該評估點之該部位為該經模擬輪廓上之在該輪廓與該設計佈局上之該對應評估點之該部位之間具有大致上最短距離的部位。在一實施例中，該對應於該空間方位之資訊包含該圖案之該經模擬輪廓上的該評估點之該部位及/或該設計佈局上之該對應評估點之該部位，及該圖案之該經模擬輪廓上的該評估點之該部位與該設計佈局上之該對應評估點之該部位之間的一方向。在一實施例中，該方向包含一角度或斜率。在一實施例中，該對應於該空間方位之資訊包含該圖案之該經模擬輪廓上的該評估點之一部位及該設計佈局上之該對應評估點之一部位。在一實施例中，該方法進一步包含判定該圖案之該經模擬輪廓上的該評估點之該部位與同該圖案之該至少部分之該經量測影像上的該評估點相關聯的一量測之間的一距離，且其中該空間參數資訊包含該經判定距離。在一實施例中，該方法進一步包含執行一電腦模擬以產生該圖案之該經模擬輪廓。在一實施例中，該方法進一步包含基於該空間參數資訊執行表示該圖案化製程之至少部分的一數學模型之一校準。在一實施例中，該圖案之該至少部分之該經量測影像上的該評估點之該部位係針對該圖案之該至少部分之複數個不同例項予以判定，且該空間參數資訊係基於該等經判定部位之一數學組合，或其中該圖案之該至少部分之該經量測影像為該圖案之該至少部分之不同例項的影像之一組合。
實施例可包括一種電腦程式，其含有使能夠實踐如本文中所描述之方法的機器可讀指令之一或多個序列。此電腦程式可與圖1至圖4中的任一者之裝置一起被包括或包括於圖1至圖4中的任一者之裝置內。亦可提供其中儲存有此電腦程式之資料儲存媒體(例如半導體記憶體、磁碟或光碟)。在例如任何圖1至圖4中所展示的類型之現有裝置已經在生產中及/或在使用中的情況下，實施例可藉由提供用於致使該裝置之處理器執行如本文中所描述之方法的經更新電腦程式產品予以實施。
可使用以下條項進一步描述實施例： 1. 一種方法，其包含： 獲得待使用一圖案化製程而形成於一基板上的一圖案之一輪廓之一模擬； 藉由一硬體電腦系統判定該圖案之該經模擬輪廓上之一評估點的一部位，該部位在空間上係與用於該圖案之一設計佈局上之一對應評估點之一部位相關聯；及 藉由該硬體電腦系統產生對應於該經模擬輪廓上之該評估點之該部位與該設計佈局上之該對應評估點之該部位之間的一空間方位的電子資訊，其中該對應於該空間方位之資訊經組態以用於判定該圖案之至少部分之一經量測影像上的一評估點之一部位，該經量測影像上之該評估點在空間上係與該設計佈局上之該對應評估點相關聯。 2. 如條項1之方法，其中該圖案之該經模擬輪廓上的該評估點之該部位藉由以下情形而在空間上與該設計佈局上之該對應評估點之該部位相關聯：該圖案之該經模擬輪廓上的該評估點之該部位為該經模擬輪廓上之在該輪廓與該設計佈局上之該對應評估點之該部位之間具有大致上最短距離的部位。 3. 如條項1或條項2之方法，其中該對應於該空間方位之資訊包含該圖案之該經模擬輪廓上的該評估點之該部位及/或該設計佈局上之該對應評估點之該部位，及該圖案之該經模擬輪廓上的該評估點之該部位與該設計佈局上之該對應評估點之該部位之間的一方向。 4. 如條項4之方法，其中該方向包含一角度或斜率。 5. 如條項1至4中任一項之方法，其中該對應於該空間方位之資訊包含該圖案之該經模擬輪廓上的該評估點之一部位及該設計佈局上之該對應評估點之一部位。 6. 如條項1至5中任一項之方法，其進一步包含： 獲得形成於一基板上之該圖案之至少部分的一經量測影像；基於該空間方位資訊判定該圖案之至少部分之該經量測影像上的評估點之部位，該經量測影像上之該評估點在空間上係與該設計佈局上之該對應評估點相關聯；及 基於該經判定部位輸出空間參數資訊。 7. 如條項6之方法，其進一步包含判定該圖案之該經模擬輪廓上的該評估點之該部位與同該圖案之該至少部分之該經量測影像上的該評估點相關聯的一量測之間的一距離，且其中該空間參數資訊包含該經判定距離。 8. 如條項6或條項7之方法，其進一步包含基於該空間參數資訊執行表示該圖案化製程之至少部分的一數學模型之一校準。 9. 如條項1至8中任一項之方法，其進一步包含執行一電腦模擬以產生該圖案之該經模擬輪廓。 10. 一種方法，其包含： 獲得對應於待使用一圖案化製程而形成於一基板上的一圖案之一經模擬輪廓上的一評估點之一部位與用於該圖案之一設計佈局上的一對應評估點之一部位之間的一空間方位之電子資訊； 獲得該圖案之至少部分之一經量測影像； 藉由一硬體電腦系統且基於該空間方位資訊判定該圖案之該至少部分之該經量測影像上的一評估點之一部位，該經量測影像上之該評估點在空間上係與該設計佈局上之該對應評估點相關聯；及 基於該經判定部位輸出空間參數資訊。 11. 如條項10之方法，其中該圖案之該經模擬輪廓上的該評估點之該部位為該經模擬輪廓上之為該輪廓與該設計佈局上之該對應評估點之該部位之間的大致上最短距離的部位。 12. 如條項10或條項11之方法，其中該對應於該空間方位之資訊包含該圖案之該經模擬輪廓上的該評估點之該部位及/或該設計佈局上之該對應評估點之該部位，及該圖案之該經模擬輪廓上的該評估點之該部位與該設計佈局上之該對應評估點之該部位之間的一方向。 13. 如條項12之方法，其中該方向包含一角度或斜率。 14. 如條項10至13中任一項之方法，其中該對應於該空間方位之資訊包含該圖案之該經模擬輪廓上的該評估點之一部位及該設計佈局上之該對應評估點之一部位。 15. 如條項10至14中任一項之方法，其進一步包含判定該圖案之該經模擬輪廓上的該評估點之該部位與同該圖案之該至少部分之該經量測影像上的該評估點相關聯的一量測之間的一距離，且其中該空間參數資訊包含該經判定距離。 16. 如條項10至15中任一項之方法，其進一步包含執行一電腦模擬以產生該圖案之該經模擬輪廓。 17. 如條項10至16中任一項之方法，其進一步包含基於該空間參數資訊執行表示該圖案化製程之至少部分的一數學模型之一校準。 18. 如條項10至17中任一項之方法，其中該圖案之該至少部分之該經量測影像上的該評估點之該部位係針對該圖案之該至少部分之複數個不同例項予以判定，且該空間參數資訊係基於該等經判定部位之一數學組合，或 其中該圖案之該至少部分之該經量測影像為該圖案之該至少部分之不同例項的影像之一組合。 19. 一種製造器件之方法，其中使用一圖案化製程將一器件圖案施加至一系列基板，該方法包括使用如條項1至18中任一項之方法來評估使用該圖案化製程而形成之一經圖案化結構；及根據該方法之一結果針對該等基板中之一或多者而控制該圖案化製程。 20. 一種非暫時性電腦程式產品，其包含經組態以致使一處理器致使執行如條項1至19中任一項之方法的機器可讀指令。 21. 一種檢測系統，其包含： 一檢測裝置；及 一分析引擎，其包含如條項20之非暫時性電腦程式產品。 22. 如條項21之系統，其中該檢測裝置包含一電子束檢測裝置。 23. 如條項21或條項22之系統，其進一步包含一微影裝置，該微影裝置包含：一支撐結構，其經組態以固持用以調變一輻射光束之一圖案化器件；及一投影光學系統，其經配置以將該經調變輻射光束投影至一輻射敏感基板上。
本發明之實施例可採取以下形式：電腦程式，其含有用以致使執行如本文中所揭示之方法的機器可讀指令之一或多個序列；或資料儲存媒體(例如半導體記憶體、磁碟或光碟)，其中儲存有此電腦程式。另外，可以兩個或多於兩個電腦程式體現機器可讀指令。該兩個或多於兩個電腦程式可儲存於一或多個不同記憶體及/或資料儲存媒體上。
本文所描述之任何控制器可在一或多個電腦程式由位於微影裝置之至少一個組件內之一或多個電腦處理器讀取時各自或組合地可操作。該等控制器可各自或組合地具有用於接收、處理及發送信號之任何合適組態。一或多個處理器經組態以與控制器中之至少一者通信。舉例而言，每一控制器可包括用於執行包括用於上文所描述之方法之機器可讀指令的電腦程式之一或多個處理器。該等控制器可包括用於儲存此等電腦程式之資料儲存媒體，及/或用以收納此媒體之硬體。因此，該(該等)控制器可根據一或多個電腦程式之機器可讀指令而操作。
儘管上文可特定地參考在光學微影之內容背景中對本發明之實施例之使用，但應瞭解，本發明之實施例可用於其他應用(例如壓印微影)中，且在內容背景允許時不限於光學微影。在壓印微影中，圖案化器件中之構形(topography)界定產生於基板上之圖案。可將圖案化器件之構形壓入被供應至基板之抗蝕劑層中，在基板上，抗蝕劑係藉由施加電磁輻射、熱、壓力或其組合而固化。在抗蝕劑固化之後，將圖案化器件移出抗蝕劑，從而在其中留下圖案。
儘管在本文中可特定地參考IC之製造，但應理解，本文中之描述具有許多其他可能應用。舉例而言，本文中之描述可用於製造整合式光學系統、用於磁疇記憶體之導引及偵測圖案、平板顯示器、微機電系統(MEMS)、液晶顯示面板、薄膜磁頭等。熟習此項技術者應瞭解，在此等替代應用之內容背景中，在本文中對術語「倍縮光罩」、「晶圓」或「晶粒」之任何使用應被認為是可分別與更一般之術語「光罩」、「基板」及「目標部分」互換。
可在曝光之前或之後在例如塗佈顯影系統(通常將抗蝕劑層施加至基板且顯影經曝光抗蝕劑之工具)、度量衡工具及/或檢測工具中處理本文中所提及之基板。適用時，可將本文中之揭示內容應用於此類及其他基板處理工具。另外，可將基板處理多於一次，例如以便產生多層IC，使得本文中所使用之術語基板亦可指已經含有多個經處理層之基板。
除非另外特定提及，否則本文中所使用之術語「輻射」及「光束」涵蓋所有類型之電磁輻射，包括紫外線(UV)輻射(例如具有為或為約365奈米、355奈米、248奈米、193奈米、157奈米或126奈米之波長)及極紫外線(EUV)輻射(例如具有在5奈米至20奈米之範圍內之波長)，以及粒子束，諸如離子束或電子束。
應注意，可在本文中互換地利用術語「光罩」、「倍縮光罩」、「圖案化器件」。又，熟習此項技術者應認識到，尤其是在微影模擬/最佳化之內容背景中，術語「光罩」/「圖案化器件」及「設計佈局」可被互換地使用，此係因為：在微影模擬/最佳化中，未必使用實體圖案化器件，而可使用設計佈局以表示實體圖案化器件。
如本文中所使用之術語「投影光學件」應被廣泛地解譯為涵蓋各種類型之光學系統，包括例如折射光學件、反射光學件、孔徑及反射折射光學件。術語「投影光學件」亦可包括用於集體地或單個地導向、塑形或控制投影輻射光束的根據此等設計類型中之任一者而操作之組件。術語「投影光學件」可包括微影投影裝置中之任何光學組件，而不論光學組件位於微影投影裝置之光學路徑上之何處。投影光學件可包括用於在來自源之輻射通過圖案化器件之前塑形、調整及/或投影該輻射的光學組件，及/或用於在輻射通過圖案化器件之後塑形、調整及/或投影該輻射的光學組件。投影光學件通常排除源及圖案化器件。
在系統或製程之最佳化製程中，可將該系統或製程之優值(figure of merit)表示為成本函數。最佳化製程歸結為尋找最佳化(例如最小化或最大化)成本函數之系統或製程之參數集合(設計變數)的製程。成本函數可取決於最佳化之目標而具有任何合適形式。舉例而言，成本函數可為系統或製程之某些特性(評估點)相對於此等特性之預期值(例如理想值)之偏差的加權均方根(RMS)；成本函數亦可為此等偏差之最大值(亦即，最差偏差)。本文中之術語「評估點」應被廣泛地解譯為包括系統或製程之任何特性。歸因於系統或製程之實施的實務性，系統或製程之設計變數可限於有限範圍及/或可相互相依。在微影裝置或圖案化製程之狀況下，約束常常與硬體之物理屬性及特性(諸如可調諧範圍及/或圖案化器件可製造性設計規則)相關聯，且評估點可包括基板上之抗蝕劑影像或圖案上之實體點，以及諸如劑量及焦點之非物理特性。
如本文中所使用之術語「最佳化(optimizing/optimization)」係指或意謂調整圖案化製程裝置、圖案化製程之一或多個步驟等，使得圖案化之結果及/或製程具有更合乎需要之特性，諸如設計佈局在基板上之轉印之較高準確度、較大製程窗等。因此，如本文所使用之術語「最佳化(optimizing/optimization)」係指或意謂識別用於一或多個參數之一或多個值的製程，該一或多個值相比於用於彼等一或多個參數之一或多個值之初始集合提供至少一個相關度量之改良，例如局部最佳。應相應地解釋「最佳」及其他相關術語。在一實施例中，可反覆地應用最佳化步驟，以提供一或多個度量之進一步改良。
在方塊圖中，所說明之組件被描繪為離散功能區塊，但實施例不限於本文中所描述之功能性如所說明來組織之系統。由組件中之每一者提供之功能性可由軟體或硬體模組提供，該等模組以與目前所描繪之方式不同之方式組織，例如，可摻和、結合、複寫、解散、分配(例如，在資料中心內或按地區)，或另外以不同方式組織此軟體或硬體。本文中所描述之功能性可由執行儲存於有形的、非暫時性機器可讀媒體上之程式碼之一或多個電腦之一或多個處理器提供。在一些狀況下，第三方內容遞送網路可主控經由網路傳達之資訊中的一些或全部，在此狀況下，在據稱供應或以另外方式提供資訊(例如內容)之情況下，可藉由發送指令以自內容遞送網路擷取彼資訊提供該資訊。
除非另外特定地陳述，否則如自論述顯而易見，應瞭解，貫穿本說明書，利用諸如「處理」、「運算(computing)」、「計算calculating)」、「判定」或其類似者之術語的論述係指諸如專用電腦或相似專用電子處理/運算器件之特定裝置的動作或製程。
讀者應瞭解，本申請案描述若干發明。申請人已將此等發明分組成單一文件，而非將彼等發明分離成多個單獨的專利申請案，此係因為該等發明之相關主題可在應用製程中有助於經濟發展。但不應合併此等發明之相異優點及態樣。在一些狀況下，實施例解決本文中所提及之所有缺陷，但應理解，該等發明係獨立地有用，且一些實施例僅解決此等問題之子集或提供其他未提及之益處，該等益處對於檢閱本發明之熟習此項技術者將顯而易見。歸因於成本約束，目前可不主張本文中所揭示之一些發明，且可在稍後申請案(諸如接續申請案或藉由修正本技術方案)中主張該等發明。相似地，歸因於空間約束，本發明文件之[發明摘要]及[發明內容]章節皆不應被視為含有所有此等發明之全面清單或此等發明之所有態樣。
應理解，本說明書及圖式並不意欲將本發明限於所揭示之特定形式，而正相反，意欲涵蓋屬於如由所附申請專利範圍界定之本發明之精神及範疇的所有修改、等效者及替代方案。
鑒於本說明書，本發明之各種態樣之修改及替代實施例將對於熟習此項技術者而言顯而易見。因此，本說明書及圖式應被解釋為僅為說明性的且係出於教示熟習此項技術者進行本發明之一般方式之目的。應理解，本文中所展示及描述之本發明之形式應被視為實施例之實例。元件及材料可替代本文中所說明及描述之元件及材料，部分及製程可被反轉或被省略，可獨立利用某些特徵，且可組合實施例或實施例之特徵，此皆如對熟習此項技術者在獲得本發明之本說明書之益處之後將顯而易見的。可在不脫離如在以下申請專利範圍中所描述之本發明之精神及範疇的情況下對本文中所描述之元件作出改變。本文中所使用之標題係僅出於組織之目的，且不意欲用以限制本說明書之範疇。
如貫穿本申請案所使用，詞語「可」係在許可之意義(亦即，意謂有可能)而非強制性之意義(亦即，意謂必須)下予以使用。詞語「包括(include/including/includes)」及其類似者意謂包括但不限於。如貫穿本申請案所使用，單數形式「a/an/the」包括複數個參照物，除非內容另有明確地指示。因此，舉例而言，對「元件(an element/a element)」之參考包括兩個或多於兩個元件之組合，儘管會針對一或多個元件使用其他術語及片語，諸如「一或多個」。除非另有指示，否則術語「或」係非獨占式的，亦即，涵蓋「及」與「或」兩者。描述條件關係之術語，例如「回應於X，而Y」、「在X後，即Y」、「若X，則Y」、「當X時，Y」及其類似者涵蓋因果關係，其中前提為必要的因果條件，前提為充分的因果條件，或前提為結果的貢獻因果條件，例如，「在條件Y獲得後，即出現狀態X」對於「僅在Y後，才出現X」及「在Y及Z後，即出現X」為通用的。此等條件關係不限於即刻遵循前提而獲得之結果，此係由於可延遲一些結果，且在條件陳述中，前提連接至其結果，例如，前提係與出現結果之可能性相關。除非另有指示，否則複數個特質或功能經映射至複數個物件(例如，執行步驟A、B、C及D之一或多個處理器)之陳述涵蓋所有此等特質或功能經映射至所有此等物件及特質或功能之子集經映射至特質或功能之子集兩者(例如，所有處理器各自執行步驟A至D，及其中處理器1執行步驟A，處理器2執行步驟B及步驟C之一部分，且處理器3執行步驟C之一部分及步驟D之狀況)。另外，除非另有指示，否則一個值或動作係「基於」另一條件或值之陳述涵蓋條件或值為單獨因子之情況及條件或值為複數個因子當中之一個因子之情況兩者。除非另有指示，否則某集合之「每一」例項具有某種屬性之陳述不應被理解為排除較大集合之一些另外相同或相似部件並不具有該屬性之狀況，亦即，各自未必意謂每個都。
在某些美國專利、美國專利申請案或其他材料(例如論文)已以引用方式併入之範圍內，此等美國專利、美國專利申請案及其他材料之文字僅在此材料與本文中所闡述之陳述及圖式之間不存在衝突之範圍內併入。在存在此類衝突之情況下，在此類以引用方式併入的美國專利、美國專利申請案及其他材料中之任何此類衝突文字並不特定地以引用方式併入本文中。
以上描述意欲為說明性，而非限制性的。因此，對於熟習此項技術者而言將顯而易見，可在不脫離下文所闡明之申請專利範圍之範疇的情況下對所描述之本發明進行修改。舉例而言，一或多個實施例之一或多個態樣可在適當時與一或多個其他實施例之一或多個態樣組合或由一或多個其他實施例之一或多個態樣取代。因此，基於本文中所呈現之教示及指導，此等調適及修改意欲在所揭示實施例之等效者的涵義及範圍內。應理解，本文中之措辭或術語係出於例如描述而非限制之目的，以使得本說明書之術語或措辭待由熟習此項技術者按照該等教示及該指導進行解譯。本發明之廣度及範疇不應由上述例示性實施例中之任一者限制，而應僅根據以下申請專利範圍及其等效者進行界定。
81‧‧‧帶電粒子束產生器82‧‧‧聚光器透鏡模組83‧‧‧探針形成物鏡模組84‧‧‧帶電粒子束偏轉模組85‧‧‧二次帶電粒子偵測器模組86‧‧‧影像形成模組87‧‧‧監視模組90‧‧‧樣本91‧‧‧初級帶電粒子束92‧‧‧帶電粒子束探針93‧‧‧二次帶電粒子94‧‧‧二次帶電粒子偵測信號100‧‧‧基板101‧‧‧基板台200‧‧‧電子束檢測裝置201‧‧‧電子源202‧‧‧初級電子束203‧‧‧聚光器透鏡204‧‧‧光束偏轉器205‧‧‧Ex‧‧‧B偏轉器206‧‧‧物鏡207‧‧‧二次電子偵測器208‧‧‧類比/數位(A/D)轉換器300‧‧‧影像處理系統301‧‧‧儲存媒體302‧‧‧顯示器件303‧‧‧記憶體304‧‧‧處理單元500‧‧‧源模型510‧‧‧投影光學件模型520‧‧‧設計佈局模型540‧‧‧抗蝕劑模型550‧‧‧抗蝕劑影像600‧‧‧設計佈局610‧‧‧圖案化器件佈局620‧‧‧模型630‧‧‧步驟640‧‧‧步驟650‧‧‧步驟660‧‧‧步驟670‧‧‧步驟690‧‧‧步驟700‧‧‧標稱矩形設計佈局/目標多邊形710‧‧‧經模擬目標輪廓720‧‧‧大體上橢圓形圖案/圖案影像730‧‧‧評估點(EP)740‧‧‧評估點(EP)部位750‧‧‧假想線/方向760‧‧‧評估點(EP)770‧‧‧假想線/量規800‧‧‧步驟810‧‧‧步驟820‧‧‧步驟830‧‧‧步驟840‧‧‧步驟850‧‧‧步驟860‧‧‧步驟AD‧‧‧調整器AS‧‧‧對準感測器B‧‧‧輻射光束BD‧‧‧光束遞送系統BK‧‧‧烘烤板C‧‧‧目標部分CH‧‧‧冷卻板CO‧‧‧聚光器DE‧‧‧顯影器IF‧‧‧位置感測器IL‧‧‧照明系統/照明器IN‧‧‧積光器I/O1‧‧‧輸入/輸出埠I/O2‧‧‧輸入/輸出埠LA‧‧‧微影裝置LACU‧‧‧微影控制單元LB‧‧‧裝載匣LC‧‧‧微影製造單元LS‧‧‧位階感測器M1‧‧‧光罩對準標記M2‧‧‧光罩對準標記MA‧‧‧圖案化器件MT‧‧‧支撐結構/光罩台/圖案化器件支撐件P1‧‧‧基板對準標記P2‧‧‧基板對準標記PM‧‧‧第一***PS‧‧‧投影系統PW‧‧‧第二***RF‧‧‧參考框架RO‧‧‧基板處置器或機器人SC‧‧‧旋塗器SCS‧‧‧監督控制系統SO‧‧‧輻射源TCU‧‧‧塗佈顯影系統控制單元W‧‧‧基板WTa‧‧‧基板台WTb‧‧‧基板台
現在將參看隨附圖式而僅作為實例來描述實施例，在該等圖式中：
圖1示意性地描繪微影裝置之實施例；
圖2示意性地描繪微影製造單元或叢集之實施例；
圖3示意性地描繪掃描電子顯微鏡(SEM)之實施例；
圖4示意性地描繪電子束檢測裝置之實施例；
圖5描繪用於模型化及/或模擬圖案化製程之至少部分的實例流程圖；
圖6描繪用於模型校準之實例流程圖；
圖7示意性地描繪根據方法之實施例而分析的圖案之實施例；
圖8描繪用於評估點(EP)分析方法之實例流程圖；
圖9示意性地描繪根據方法之實施例而分析的圖案之部分之實施例；及
圖10示意性地描繪根據方法之實施例而分析的圖案之部分之實施例。
800‧‧‧步驟
810‧‧‧步驟
820‧‧‧步驟
830‧‧‧步驟
840‧‧‧步驟
850‧‧‧步驟
860‧‧‧步驟

Claims (15)

  1. 一種方法，其包含： 獲得待使用一圖案化製程而形成於一基板上的一圖案之一輪廓之一模擬； 藉由一硬體電腦系統判定該圖案之該經模擬輪廓上之一評估點的一部位，該部位在空間上係與用於該圖案之一設計佈局上之一對應評估點之一部位相關聯；及 藉由該硬體電腦系統產生對應於該經模擬輪廓上之該評估點之該部位與該設計佈局上之該對應評估點之該部位之間的一空間方位的電子資訊，其中該對應於該空間方位之資訊經組態以用於判定該圖案之至少部分之一經量測影像上的一評估點之一部位，該經量測影像上之該評估點在空間上係與該設計佈局上之該對應評估點相關聯。
  2. 如請求項1之方法，其中該圖案之該經模擬輪廓上的該評估點之該部位藉由以下情形而在空間上與該設計佈局上之該對應評估點之該部位相關聯：該圖案之該經模擬輪廓上的該評估點之該部位為該經模擬輪廓上之在該輪廓與該設計佈局上之該對應評估點之該部位之間具有大致上最短距離的部位。
  3. 如請求項1之方法，其中該對應於該空間方位之資訊包含該圖案之該經模擬輪廓上的該評估點之該部位及/或該設計佈局上之該對應評估點之該部位，及該圖案之該經模擬輪廓上的該評估點之該部位與該設計佈局上之該對應評估點之該部位之間的一方向。
  4. 如請求項3之方法，其中該方向包含一角度或斜率。
  5. 如請求項1之方法，其中該對應於該空間方位之資訊包含該圖案之該經模擬輪廓上的該評估點之一部位及該設計佈局上之該對應評估點之一部位。
  6. 如請求項1之方法，其進一步包含： 獲得形成於一基板上之該圖案之至少部分的一經量測影像；基於該空間方位資訊判定該圖案之至少部分之該經量測影像上的評估點之部位，該經量測影像上之該評估點在空間上係與該設計佈局上之該對應評估點相關聯；及 基於該經判定部位輸出空間參數資訊。
  7. 如請求項6之方法，其進一步包含判定該圖案之該經模擬輪廓上的該評估點之該部位與同該圖案之該至少部分之該經量測影像上的該評估點相關聯的一量測之間的一距離，且其中該空間參數資訊包含該經判定距離。
  8. 如請求項6之方法，其進一步包含基於該空間參數資訊執行表示該圖案化製程之至少部分的一數學模型之一校準。
  9. 如請求項1之方法，其進一步包含執行一電腦模擬以產生該圖案之該經模擬輪廓。
  10. 如請求項1之方法，其中該圖案之該至少部分之該經量測影像上的該評估點之該部位係針對該圖案之該至少部分之複數個不同例項予以判定，且該空間參數資訊係基於該等經判定部位之一數學組合，或 其中該圖案之該至少部分之該經量測影像為該圖案之該至少部分之不同例項的影像之一組合。
  11. 如請求項1之方法，其中該方法進一步包含評估形成於該基板上之該圖案；及根據該方法之一結果針對該基板而控制該圖案化製程。
  12. 一種非暫時性電腦程式產品，其包含經組態以致使一處理器致使執行請求項1之方法的機器可讀指令。
  13. 一種檢測系統，其包含： 一檢測裝置；及 一分析引擎，其包含如請求項12之非暫時性電腦程式產品。
  14. 如請求項13之系統，其中該檢測裝置包含一電子束檢測裝置。
  15. 如請求項13之系統，其進一步包含一微影裝置，該微影裝置包含：一支撐結構，其經組態以固持用以調變一輻射光束之一圖案化器件；及一投影光學系統，其經配置以將該經調變輻射光束投影至一輻射敏感基板上。
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