TWI684485B - Substrate treatment device - Google Patents
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Abstract
Description
本發明是有關於一種基板處理裝置,特別是指一種以程式控制噴嘴的基板處理裝置。The invention relates to a substrate processing device, in particular to a substrate processing device which controls nozzles by a program.
在半導體製程中,常會運用基板處理裝置對基板進行蝕刻或清洗。在對基板進行蝕刻或清洗時,需利用噴嘴對基板供應處理液,且噴嘴需相對基板移動以使處理液能夠均勻分布於基板的表面。現有的基板處理裝置中,噴嘴的移動速度是藉由機械式的固定機構控制。例如以一控制圓盤控制一噴嘴的移動速度,該控制圓盤在360度範圍內均分12格以對應在一基板表面的路徑範圍劃分12等份,該噴嘴移動範圍對應該基板的路徑範圍。當需要改變該噴嘴的移動速度或是移動範圍時,需要重新設計製作新的控制盤以對應所欲改變的該噴嘴的移動速度或是移動範圍,如此使得基板處理裝置的運作彈性大幅降低。In semiconductor manufacturing processes, substrate processing equipment is often used to etch or clean substrates. When etching or cleaning the substrate, a nozzle needs to be used to supply the processing liquid to the substrate, and the nozzle needs to move relative to the substrate so that the processing liquid can be evenly distributed on the surface of the substrate. In the existing substrate processing apparatus, the moving speed of the nozzle is controlled by a mechanical fixing mechanism. For example, a control disk is used to control the moving speed of a nozzle. The control disk is divided into 12 divisions within a range of 360 degrees to divide the path range of a substrate surface into 12 equal parts. The nozzle moving range corresponds to the path range of the substrate . When the movement speed or movement range of the nozzle needs to be changed, a new control panel needs to be redesigned to correspond to the movement speed or movement range of the nozzle to be changed, so that the operation flexibility of the substrate processing apparatus is greatly reduced.
因此,本發明之其中一目的,在提供可避免先前技術之至少一種上述缺點的基板處理裝置。Therefore, one of the objects of the present invention is to provide a substrate processing apparatus that can avoid at least one of the aforementioned disadvantages of the prior art.
於是,本發明基板處理裝置在一些實施態樣中,是包含一基板承載單元、一流體供應單元及一控制單元。該基板承載單元包括一旋轉台以供設置一基板。該流體供應單元包括至少一噴嘴,對應該旋轉台設置且可受控地在通過該旋轉台中心的一路徑範圍內移動以供應一處理液。該控制單元與該流體供應單元耦接並包括一人機介面且儲存一控制程式。該人機介面具有一噴嘴控制區塊以供一操作者輸入一控制指令,且該控制單元接收該控制指令並由該控制程式對應該控制指令控制該噴嘴。Therefore, in some embodiments, the substrate processing apparatus of the present invention includes a substrate carrying unit, a fluid supply unit, and a control unit. The substrate carrying unit includes a rotating table for setting a substrate. The fluid supply unit includes at least one nozzle, which is provided corresponding to the rotary table and is controllably movable within a path through the center of the rotary table to supply a processing liquid. The control unit is coupled to the fluid supply unit and includes a human-machine interface and stores a control program. The man-machine interface mask has a nozzle control block for an operator to input a control command, and the control unit receives the control command and controls the nozzle corresponding to the control command by the control program.
在一些實施態樣中,該控制程式預設對應該路徑範圍內有N個等距連續分布的區段,其中N不小於10,該控制指令包括選擇該N個區段的其中兩個以作為該噴嘴移動範圍的端點區段,而使該控制程式控制該噴嘴相對於該旋轉台在對應該兩端點區段的位置之間移動。In some implementation forms, the control program presets corresponding to N equidistant continuously distributed sections within the path range, where N is not less than 10, and the control command includes selecting two of the N sections as The end point section of the nozzle movement range, and the control program controls the nozzle to move relative to the rotary table between positions corresponding to the end point section.
在一些實施態樣中,該控制指令還包括設定該兩端點區段範圍內對應各區段的該噴嘴的移動速度,而使該控制程式控制該噴嘴位於對應各區段位置時相對於該旋轉台的移動速度。In some embodiments, the control instruction further includes setting the moving speed of the nozzle corresponding to each section in the range of the two end point sections, so that the control program controls the nozzle relative to the position when corresponding to the position of each section The speed of the rotary table.
在一些實施態樣中,該控制指令還包括設定該兩端點區段範圍內對應各區段的流體供應量,而使該控制程式控制該噴嘴位於對應各區段位置時噴出的處理液對應該流體供應量。In some implementations, the control instruction further includes setting the fluid supply amount of each section within the range of the two end point sections, and causing the control program to control the pair of treatment liquid ejected when the nozzle is located at the position of each section The fluid supply should be.
在一些實施態樣中,該噴嘴控制區塊顯示一直角座標畫面,該直角座標畫面具有一第一座標軸及一第二座標軸,該第一座標軸對應該等N個區段的位置,且該第二座標軸對應該噴嘴的移動速度,該人機介面具有一輸入模式以供該操作者在該直角座標畫面上選擇對應該兩端點區段範圍內的多個座標位置以產生該控制指令,而使該控制指令包括對應該等座標位置的參數。In some implementations, the nozzle control block displays a rectangular coordinate screen, the rectangular coordinate screen has a first coordinate axis and a second coordinate axis, the first coordinate axis corresponds to the positions of the N segments, and the first The two coordinate axes correspond to the moving speed of the nozzle. The man-machine interface has an input mode for the operator to select multiple coordinate positions in the range of the two end point segments on the right-angle coordinate screen to generate the control command, and The control command includes parameters corresponding to the coordinate positions.
在一些實施態樣中,該噴嘴控制區塊顯示一直角座標畫面,該直角座標畫面具有一第一座標軸及一第二座標軸,該第一座標軸對應該等N個區段的位置,且該第二座標軸對應該噴嘴的流體供應量,該人機介面具有一輸入模式以供該操作者在該直角座標畫面上選擇對應該兩端點區段範圍內的多個座標位置以產生該控制指令,而使該控制指令包括對應該等座標位置的參數。In some implementations, the nozzle control block displays a rectangular coordinate screen, the rectangular coordinate screen has a first coordinate axis and a second coordinate axis, the first coordinate axis corresponds to the positions of the N segments, and the first The two coordinate axes correspond to the fluid supply of the nozzle. The man-machine interface has an input mode for the operator to select multiple coordinate positions in the range of the two end point segments on the right-angle coordinate screen to generate the control command. Therefore, the control command includes parameters corresponding to the coordinate positions.
在一些實施態樣中,該輸入模式供該操作者在該直角座標畫面上以訊號觸發的判斷方式連續選擇該等座標位置以產生該控制指令。In some implementations, the input mode is for the operator to continuously select the coordinate positions on the rectangular coordinate screen by signal-triggered judgment to generate the control command.
在一些實施態樣中,該輸入模式供該操作者在該直角座標畫面上選擇對應該兩端點區段範圍內相鄰其中一端點區段的一半範圍的座標位置且由該輸入模式以呈鏡射對稱圖形的方式自動選擇相鄰其中另一端點區段的一半範圍的座標位置以產生該控制指令。In some implementations, the input mode is for the operator to select a coordinate position on the rectangular coordinate screen that corresponds to half of the range of one of the adjacent end points within the range of the end point segments and the input mode is used to present The method of mirroring the symmetrical figure automatically selects the coordinate position of the half of the range of the other adjacent end segment to generate the control command.
在一些實施態樣中,該輸入模式供該操作者在該直角座標畫面上選擇對應該兩端點區段的兩個座標位置及對應該兩端點區段範圍內至少一個座標位置且由該輸入模式以對應該操作者所選擇的座標位置形成一折線圖的方式自動選擇該兩端點區段範圍內其餘的座標位置以產生該控制指令。In some implementations, the input mode is for the operator to select two coordinate positions corresponding to the two end point sections on the rectangular coordinate screen and at least one coordinate position within the range corresponding to the two end point sections The input mode automatically selects the remaining coordinate positions in the range of the two end point segments in a manner that forms a line graph corresponding to the coordinate position selected by the operator to generate the control command.
在一些實施態樣中,該控制指令還包括設定一供液時間及一起始供應位置,該供液時間為該噴嘴起始噴出該處理液至結束噴出該處理液的時間,該起始供應位置為使該噴嘴相對於該旋轉台起始噴出該處理液的位置。In some embodiments, the control instruction further includes setting a liquid supply time and an initial supply position, the liquid supply time is the time from when the nozzle starts to discharge the treatment liquid to when the treatment liquid is finally discharged, the start supply position In order for the nozzle to start ejecting the processing liquid relative to the rotary table.
在一些實施態樣中,該控制指令還包括設定一移動次數、一起始供應位置及一結束供應位置,該移動次數為使該噴嘴在對應該兩端點區段範圍內往返移動的次數,該起始供應位置為使該噴嘴相對於該旋轉台起始噴出該處理液的位置,該結束供應位置為使該噴嘴相對於該旋轉台結束噴出該處理液的位置。In some implementations, the control instruction further includes setting a number of movements, a start supply position and an end supply position. The number of movements is the number of times the nozzle moves back and forth within the range corresponding to the two end points, the The initial supply position is a position where the nozzle starts to discharge the processing liquid relative to the rotary table, and the end supply position is a position where the nozzle ends the discharge of the processing liquid relative to the rotary table.
在一些實施態樣中,該控制指令還包括設定一起始供應位置及一結束供應位置至少其中之一且該起始供應位置及該結束供應位置至少其中之一設定為在該兩端點區段範圍外,其中,該起始供應位置為使該噴嘴相對於該旋轉台起始噴出該處理液的位置,該結束供應位置為使該噴嘴相對於該旋轉台結束噴出該處理液的位置。In some embodiments, the control instruction further includes setting at least one of a start supply position and an end supply position and at least one of the start supply position and the end supply position is set at the two end point sections Outside the scope, wherein the initial supply position is a position where the nozzle starts to discharge the processing liquid relative to the rotary table, and the end supply position is a position where the nozzle ends the discharge of the processing liquid relative to the rotary table.
在一些實施態樣中,該控制指令還包括設定一期望移動時間,該期望移動時間為該操作者欲使該噴嘴對應自其中一端點區段移動至另一端點區段的時間,該控制程式對應該期望移動時間調整原已由該操作者設定的該兩端點區段範圍內對應各區段的該噴嘴的移動速度,以使該噴嘴自其中一端點區段移動至另一端點區段的時間符合該期望移動時間。In some embodiments, the control command further includes setting a desired movement time, which is the time when the operator wants the nozzle to move from one end section to another end section, the control program Adjust the movement speed of the nozzle corresponding to each section within the range of the two-end point section that was originally set by the operator according to the desired movement time, so that the nozzle moves from one end section to the other end section The time of meets the expected movement time.
在一些實施態樣中,該控制程式以等量調整的方式調整該操作者設定的該兩端點區段範圍內對應各區段的該噴嘴的移動速度。In some embodiments, the control program adjusts the movement speed of the nozzle corresponding to each segment within the range of the two end point segments set by the operator in an equal adjustment manner.
在一些實施態樣中,該控制程式係根據該噴嘴實際相對於該旋轉台自對應其中一端點區段移動至另一端點區段的一實際移動時間與該期望移動時間對比,若該期望移動時間與該實際移動時間有一誤差值,則該控制程式根據該誤差值對該兩端點區段範圍內對應各區段的該噴嘴的移動速度進行調整。In some embodiments, the control program is based on the actual movement time of the nozzle relative to the rotary table from one of the end-point segments to the other end-point segment compared with the expected movement time, if the desired movement There is an error value between the time and the actual moving time, and the control program adjusts the moving speed of the nozzle corresponding to each segment in the range of the two end point segments according to the error value.
在一些實施態樣中,該流體供應單元包括多個噴嘴,且該噴嘴控制區塊還供該操作者選擇欲使用的其中一噴嘴並輸入該控制指令。In some embodiments, the fluid supply unit includes a plurality of nozzles, and the nozzle control block is also for the operator to select one of the nozzles to be used and input the control command.
在一些實施態樣中,還包含多個分別對應該等噴嘴設置的收集單元,且該噴嘴控制區塊還供該操作者選擇與欲使用的該噴嘴相對應的收集單元,以使該控制單元控制該收集單元與相對應的噴嘴共同運作。In some embodiments, a plurality of collection units respectively corresponding to the nozzles are also included, and the nozzle control block is also provided for the operator to select a collection unit corresponding to the nozzle to be used, so that the control unit Control the collection unit to work with the corresponding nozzle.
本發明至少具有以下功效:該控制單元可供該操作者設定變更控制該噴嘴的參數,可大幅提高該基板處理裝置運作的彈性。The present invention has at least the following effects: the control unit can be used by the operator to set and change parameters for controlling the nozzle, which can greatly improve the flexibility of operation of the substrate processing apparatus.
在本發明被詳細描述之前,應當注意在以下的說明內容中,類似的元件是以相同的編號來表示。Before the present invention is described in detail, it should be noted that in the following description, similar elements are denoted by the same numbers.
參閱圖1至圖3與圖5,本發明基板處理裝置100之一實施例,包含一基板承載單元1、一流體供應單元2、一控制單元3及多個收集單元4。該基板承載單元1包括一旋轉台11以供設置一基板5,以承載該基板5旋轉,該基板5為用於半導體製程的基板,例如晶圓。該流體供應單元2包括多個噴嘴21對應該旋轉台11設置且每一噴嘴21可受控地在通過該旋轉台11的中心C的一路徑範圍D內移動以供應一處理液,不同的噴嘴21可供應不同的處理液,例如酸、去離子水等。由於設置在該旋轉台11的基板5的中心位置與該旋轉台11的中心位置相同,在圖式中皆以C點標示。該路徑範圍D對應該基板5的直徑長度,亦即每一噴嘴21的移動範圍是對應該旋轉台11設置該基板5的區域的一直徑,該路徑範圍D隨該基板5的尺寸調整。該等收集單元4分別對應該等噴嘴21供應的液體種類而設置,例如該等收集單元4與該等噴嘴21一對一相對應,當其中一噴嘴21運作時,與該噴嘴21相對應的收集單元4也一起運作,以收集該噴嘴21噴向該基板5後在該基板5表面因旋轉甩出的處理液。1 to 3 and FIG. 5, an embodiment of the
該控制單元3與該流體供應單元2及該等收集單元4耦接並包括一人機介面31且儲存一控制程式32,該人機介面31具有一噴嘴控制區塊311以供一操作者選擇欲使用的其中一噴嘴21並輸入一控制指令312,且該控制單元3接收該控制指令312並由該控制程式32對應該控制指令312控制該噴嘴21。而且,該噴嘴控制區塊311還供該操作者選擇與欲使用的該噴嘴21相對應的收集單元4,以使該控制單元3控制該收集單元4與相對應的噴嘴21共同運作。在本實施例中,是以多個噴嘴21及多個收集單元4為例說明,可理解地,在變化實施例僅有一個噴嘴21及一個收集單元4亦可實施,不以本實施例為限。由於在本實施例中,該控制單元3接受該操作者操作以控制每一噴嘴21運作的原理相同,以下僅以操作單一噴嘴21為例說明。The
該控制程式32預設對應該路徑範圍D內有N個等距連續分布的區段,其中N不小於10,以能對該噴嘴21的移動控制有較佳解析度,N值的上限可以依據驅動該噴嘴21的馬達(圖未示)可接受的範圍而調整,在本實施例中,N值具體為50。該控制指令312包括選擇N個區段的其中兩個以作為該噴嘴21移動範圍的端點區段,而使該控制程式32控制該噴嘴21相對於該旋轉台11在對應該兩端點區段的位置之間移動,而該兩端點區段亦可設同一區段,亦即使該噴嘴21位於一定點不移動。The
具體說明請參圖5至圖8,其分別顯示在50區段中選擇不同區段的情況。圖5所示,當該操作者輸入該控制指令312選擇1至50區段,則使該控制程式32控制該噴嘴21相對於該旋轉台11在對應該基板5直徑兩端的範圍內移動,即在該路徑範圍D內移動;圖6所示當該操作者輸入該控制指令312選擇1至25區段,則使該控制程式32控制該噴嘴21相對於該旋轉台11在對應該基板5直徑的一端至中心C的範圍內移動,即在一局部範圍R內移動;圖7所示當該操作者輸入該控制指令312選擇13至37區段,則使該控制程式32控制該噴嘴21相對於該旋轉台11在對應該基板5的中心C兩側的局部範圍R內移動;圖8所示當該操作者輸入該控制指令312選擇13至25區段,則使該控制程式32控制該噴嘴21相對於該旋轉台11在對應該基板5的中心C一側的局部範圍R內移動。換言之,該操作者可以依據所需要的製程參數設定該噴嘴21的移動範圍。需特別說明的是,本實施例之路徑範圍D和局部範圍R係為該噴嘴21以直線移動方式為例說明,可依需求改變該噴嘴21的移動路線,例如為通過中心C的圓弧線或是於該基板5一端和中心C之間移動的圓弧線,不以本實施例為限。Please refer to Figures 5 to 8 for specific descriptions, which show the selection of different sections among the 50 sections. As shown in FIG. 5, when the operator enters the
該控制指令312還包括設定該兩端點區段範圍內對應各區段的該噴嘴21的移動速度,而使該控制程式32控制該噴嘴21位於對應各區段位置時相對於該旋轉台11的移動速度。在本實施例中,如圖3所示,該噴嘴控制區塊311顯示一直角座標畫面,該直角座標畫面具有一第一座標軸及一第二座標軸,該第一座標軸對應該等N個區段的位置,在本實施例N為50,且該第二座標軸對應該噴嘴21的移動速度,在本實施例中,該移動速度的單位為毫米(mm)/秒(sec),該人機介面31具有一輸入模式以供該操作者在該直角座標畫面上選擇對應該兩端點區段範圍內的多個座標位置以產生該控制指令312,而使該控制指令312包括對應該等座標位置的參數。The
更具體說明如下,參圖9至圖13,以該操作者選擇該兩端點區段範圍為1至50為例,圖9所示為該操作者選擇每一區段該噴嘴21對應的移動速度相同為均速移動;圖10所示為該操作者選擇對應靠近該基板5外圍的區段使該噴嘴21對應的移動速度較快而越接近對應該基板5的中心C的區段使該噴嘴21對應的移動速度較慢;圖11所示為該操作者選擇對應靠近該基板5外圍的區段使該噴嘴21對應的移動速度較慢而越接近對應該基板5的中心C的區段使該噴嘴21對應的移動速度較快;圖12所示為該操作者選擇對應沿該基板5直徑移動的過程中以特定數量的區段為單位使該噴嘴21在每單位區段中對應的移動速度規律地快慢變化;圖13所示為該操作者亦可選擇使該噴嘴21在對應各區段的移動速度不規則地變化。亦即,該操作者可以依據其需求設定,並不限制。More specifically, as follows, referring to FIGS. 9 to 13, taking the operator’s selection of the range of the two end points as an example of 1 to 50, FIG. 9 shows the operator’s selection of the movement of the
為了方便該操作者輸入,在本實施例中,該人機介面31的輸入模式可供該操作者在該直角座標畫面上以訊號觸發的判斷方式連續選擇該等座標位置以產生該控制指令312,例如為觸控滑動方式或滑鼠按壓滑動方式,以圖9所示圖形為例,該操作者可以在該直角座標畫面由位置為1、移動速度為50的座標位置開始水平的滑動畫一直線至位置為50、移動速度為50的座標位置即可完成輸入;另以圖10所示圖形為例,該操作者可以在該直角座標畫面由位置為1、移動速度為100的座標位置開始依序由位置1至50滑動至各區段對應之移動速度的座標位置,畫出近似V形的圖形即可完成輸入,以此類推。在一變化的實施例,該輸入模式亦可供該操作者在該直角座標畫面上選擇對應該兩端點區段範圍內相鄰其中一端點區段的一半範圍的座標位置且由該輸入模式以呈鏡射對稱圖形的方式自動選擇相鄰其中另一端點區段的一半範圍的座標位置以產生該控制指令312,以圖10所示圖形為例,該操作者可以在該直角座標畫面設定位置為1至25範圍內各區段的對應移動速度,再由該輸入模式以呈鏡射對稱圖形的方式自動選擇位置26至50範圍內各區段的對應移動速度,使該操作者僅須設定一半範圍的資料,方便該操作者使用。在另一變化的實施例,該輸入模式供該操作者在該直角座標畫面上選擇對應該兩端點區段的兩個座標位置及對應該兩端點區段範圍內至少一個座標位置且由該輸入模式以對應該操作者所選擇的座標位置形成一折線圖的方式自動選擇該兩端點區段範圍內其餘的座標位置以產生該控制指令312,再以圖9所示圖形為例,該操作者可以在該直角座標畫面選擇位置為1且移動速度為50的座標位置、位置為25且移動速度為50的座標位置及位置為50且移動速度為50的座標位置後,即可由該輸入模式依序將該等座標位置連線而自動選擇在該連線上的座標位置,亦即其餘該操作者未設定的區段由該輸入模式設定對應的移動速度為50,以此類推,在該兩端點區段範圍內的座標位置亦可為兩個或兩個以上,再以圖10所示圖形為例,該操作者可在該兩端點區段範圍內另設三個轉折點的座標位置,再由該輸入模式依序將該等座標位置連線而形成近似V形的折線圖。可理解地,該人機介面31可以僅具有前述輸入模式其中之一,或者可以具有前述輸入模式其中兩個以上以供該操作者選擇其所欲的輸入模式使用。In order to facilitate the operator's input, in this embodiment, the input mode of the human-
參閱圖3、圖9與圖14,該控制指令312還包括設定一期望移動時間,該期望移動時間為該操作者欲使該噴嘴21對應自其中一端點區段移動至另一端點區段的時間,該控制程式32對應該期望移動時間調整原已由該操作者設定的該兩端點區段範圍內對應各區段的該噴嘴21的移動速度,以使該噴嘴21自其中一端點區段移動至另一端點區段的時間符合該期望移動時間。例如圖9所示為原已由該操作者設定的該兩端點區段範圍內對應各區段的該噴嘴21的移動速度,圖14所示為該控制程式32以等量調整的方式調整該操作者設定的該兩端點區段範圍內對應各區段的該噴嘴21的移動速度。亦即圖14所示為該控制程式32自動調整後實際用以控制該噴嘴21移動的控制參數。該控制程式32係根據該噴嘴21實際相對於該旋轉台11自對應其中一端點區段移動至另一端點區段的一實際移動時間與該期望移動時間對比,若該期望移動時間與該實際移動時間有一誤差值,則該控制程式32根據該誤差值對該兩端點區段範圍內對應各區段的該噴嘴21的移動速度進行調整。以圖14所示為例,原已由該操作者設定的該兩端點區段範圍內對應各區段的該噴嘴21的移動速度所執行的時間為該實際移動時間,若該實際移動時間與該期望移動時間有該誤差值,控制程式32根據該誤差值逐步調整該實際移動時間,以本實施例說明,對應該實際移動時間係為位置為1至50且移動速度為50的座標位置所產生的時間,此時,若該實際移動時間低於該期望移動時間,則該控制程式32增加位置為1至50的移動速度,使該實際移動時間對應位置為1至50移動速度為60的座標位置所產生的時間,以使該實際移動時間和該期望移動時間相同或接近。Referring to FIGS. 3, 9 and 14, the
參閱圖4,該控制指令312還包括設定該兩端點區段範圍內對應各區段的流體供應量,而使該控制程式32控制該噴嘴21位於對應各區段位置時噴出的處理液對應該流體供應量。該噴嘴控制區塊311顯示一直角座標畫面,該直角座標畫面具有一第一座標軸及一第二座標軸,該第一座標軸對應該等N個區段的位置,且該第二座標軸對應該噴嘴21的流體供應量,該人機介面31具有一輸入模式以供該操作者在該直角座標畫面上選擇對應該兩端點區段範圍內的多個座標位置以產生該控制指令312,而使該控制指令312包括對應該等座標位置的參數。在本實施例中,用以輸入該噴嘴21的移動速度的直角座標畫面及用以輸入該噴嘴21的流體供應量的直角座標畫面可以藉由該操作者選擇該噴嘴控制區塊311上的移動速度選項或流體供應量選項作切換。用以輸入該噴嘴21的流體供應量的直角座標畫面的輸入模式與前述用以輸入該噴嘴21的移動速度的直角座標畫面的輸入模式相同,於此不再重述。Referring to FIG. 4, the
該控制指令312還包括設定一供液時間、一移動次數、一起始供應位置及一結束供應位置。該供液時間為該噴嘴21起始噴出該處理液至結束噴出該處理液的時間。該移動次數為使該噴嘴21在對應該兩端點區段範圍內往返移動的次數,可設定一次的單位是單程或為來回雙程。該起始供應位置為使該噴嘴21相對於該旋轉台11起始噴出該處理液的位置,該起始供應位置可以設定在兩端點區段範圍內的其中一個區段,也可以設定在兩端點區段範圍外。該結束供應位置為使該噴嘴21相對於該旋轉台11結束噴出該處理液的位置,同樣地,該結束供應位置可以設定在兩端點區段範圍內的其中一個區段,也可以設定在兩端點區段範圍外。在本實施例中,該噴嘴控制區塊311設有對應該供液時間、該移動次數、該起始供應位置及該結束供應位置的選項以供該操作者輸入該控制指令312。該操作者可以選擇該供液時間及該起始供應位置做為控制製程的參數;或者可以選擇該移動次數、該起始供應位置及該結束供應位置做為控制製程的參數,可視使用需求而定。在變化的實施例,該控制指令312可設定的參數可以依照需求而調整,可以省略不需要的參數。The
本實施例所提及之基板5可為載板形式、晶圓形式、晶片形式等,並且可為圓型、方型,並不以此為限。並且藉由本實施例之基板處理裝置可應用於基板濕製程(蝕刻、清洗、乾燥等),例:單基板濕製程、多基板濕製程、單一方晶片錫球下金屬蝕刻、薄化晶圓支撐/剝離、貼合/剝離製程、碳化矽再生晶圓、再生矽晶圓等,並不以此為限。The
綜上所述,該控制單元3可供該操作者設定變更控制該噴嘴21的參數,可大幅提高該基板處理裝置100運作的彈性。In summary, the
惟以上所述者,僅為本發明之實施例而已,當不能以此限定本發明實施之範圍,凡是依本發明申請專利範圍及專利說明書內容所作之簡單的等效變化與修飾,皆仍屬本發明專利涵蓋之範圍內。However, the above are only examples of the present invention, and should not be used to limit the scope of the present invention. Any simple equivalent changes and modifications made according to the scope of the patent application of the present invention and the content of the patent specification are still classified as This invention covers the patent.
100‧‧‧基板處理裝置
1‧‧‧基板承載單元
11‧‧‧旋轉台
2‧‧‧流體供應單元
21‧‧‧噴嘴
3‧‧‧控制單元
31‧‧‧人機介面
311‧‧‧噴嘴控制區塊
312‧‧‧控制指令
32‧‧‧控制程式
4‧‧‧收集單元
5‧‧‧基板
C‧‧‧中心
D‧‧‧路徑範圍
R‧‧‧局部範圍100‧‧‧Substrate processing device
1‧‧‧
本發明之其他的特徵及功效,將於參照圖式的實施方式中清楚地呈現,其中: 圖1是本發明基板處理裝置的實施例的方塊圖; 圖2是該實施例的示意圖; 圖3是說明該實施例的一噴嘴控制區塊的示意圖; 圖4是說明該噴嘴控制區塊的另一示意圖; 圖5是說明該實施例的一噴嘴對應一旋轉台移動的一路徑範圍的示意圖; 圖6是說明該噴嘴對應該旋轉台移動的一局部範圍的示意圖; 圖7是說明該噴嘴對應該旋轉台移動的另一局部範圍的示意圖; 圖8是說明該噴嘴對應該旋轉台移動的又一局部範圍的示意圖; 圖9是說明一操作者在該噴嘴控制區塊設定該噴嘴位於對應各區段位置時相對於該旋轉台的移動速度的一種態樣的一直角座標畫面的示意圖; 圖10是說明該操作者在該噴嘴控制區塊設定該噴嘴位於對應各區段位置時相對於該旋轉台的移動速度的另一種態樣的該直角座標畫面的示意圖; 圖11是說明該操作者在該噴嘴控制區塊設定該噴嘴位於對應各區段位置時相對於該旋轉台的移動速度的另一種態樣的該直角座標畫面的示意圖; 圖12是說明該操作者在該噴嘴控制區塊設定該噴嘴位於對應各區段位置時相對於該旋轉台的移動速度的另一種態樣的該直角座標畫面的示意圖; 圖13是說明該操作者在該噴嘴控制區塊設定該噴嘴位於對應各區段位置時相對於該旋轉台的移動速度的另一種態樣的該直角座標畫面的示意圖;及 圖14是說明該實施例的一控制程式根據該操作者在該噴嘴控制區塊設定的一期望移動時間調整移動速度後的該直角座標畫面的示意圖。Other features and functions of the present invention will be clearly presented in the embodiments with reference to the drawings, in which: FIG. 1 is a block diagram of an embodiment of the substrate processing apparatus of the present invention; FIG. 2 is a schematic diagram of the embodiment; FIG. 3 4 is a schematic diagram illustrating a nozzle control block of the embodiment; FIG. 4 is another schematic diagram illustrating the nozzle control block; FIG. 5 is a schematic diagram illustrating a path range of a nozzle corresponding to the movement of a rotary table of the embodiment; 6 is a schematic diagram illustrating a partial range of the nozzle corresponding to the movement of the rotary table; FIG. 7 is a schematic diagram illustrating another partial range of the nozzle corresponding to the movement of the rotary table; A schematic diagram of a partial range; FIG. 9 is a schematic diagram illustrating an aspect of a rectangular coordinate screen in which the operator sets the nozzle at the position corresponding to each section in the nozzle control block with respect to the moving speed of the rotary table; FIG. 10 is a schematic diagram of the rectangular coordinate screen illustrating another aspect of the movement speed of the operator relative to the turntable when the nozzle is set at the position corresponding to each section in the nozzle control block; FIG. 11 is a diagram illustrating the operator A schematic diagram of the rectangular coordinate screen in another aspect of the moving speed relative to the rotary table when the nozzle is set at the position corresponding to each section in the nozzle control block; FIG. 12 is an illustration of the operator in the nozzle control block FIG. 13 is a schematic diagram of the rectangular coordinate screen in another aspect relative to the moving speed of the rotary table when the nozzle is located at a position corresponding to each section; FIG. 13 is a diagram illustrating that the operator sets the nozzle to the corresponding position in the nozzle control block. A schematic view of the rectangular coordinate screen in another aspect relative to the moving speed of the turntable at the time of the segment position; and FIG. 14 is a diagram illustrating a control program of the embodiment according to the operator setting in the nozzle control block Schematic diagram of the rectangular coordinate screen after the movement time is adjusted to the movement speed.
311‧‧‧噴嘴控制區塊 311‧‧‧Nozzle control block
Claims (17)
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
TW107145468A TWI684485B (en) | 2018-12-17 | 2018-12-17 | Substrate treatment device |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
TW107145468A TWI684485B (en) | 2018-12-17 | 2018-12-17 | Substrate treatment device |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
TWI684485B true TWI684485B (en) | 2020-02-11 |
TW202023688A TW202023688A (en) | 2020-07-01 |
Family
ID=70413458
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
TW107145468A TWI684485B (en) | 2018-12-17 | 2018-12-17 | Substrate treatment device |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
TW (1) | TWI684485B (en) |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
TW201249541A (en) * | 2011-05-26 | 2012-12-16 | Seiko Epson Corp | Liquid droplet discharging device |
TW201843539A (en) * | 2017-03-30 | 2018-12-16 | 日商東京威力科創股份有限公司 | Developing method, developing apparatus, and storage medium |
TW201842982A (en) * | 2017-04-24 | 2018-12-16 | 日商斯庫林集團股份有限公司 | Coating method |
-
2018
- 2018-12-17 TW TW107145468A patent/TWI684485B/en active
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
TW201249541A (en) * | 2011-05-26 | 2012-12-16 | Seiko Epson Corp | Liquid droplet discharging device |
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TW201842982A (en) * | 2017-04-24 | 2018-12-16 | 日商斯庫林集團股份有限公司 | Coating method |
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Publication number | Publication date |
---|---|
TW202023688A (en) | 2020-07-01 |
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