TWI684010B - Probe structure - Google Patents
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- TWI684010B TWI684010B TW107132428A TW107132428A TWI684010B TW I684010 B TWI684010 B TW I684010B TW 107132428 A TW107132428 A TW 107132428A TW 107132428 A TW107132428 A TW 107132428A TW I684010 B TWI684010 B TW I684010B
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Abstract
Description
本發明係為台灣專利申請案第107106387號(申請日：2018年02月26日)之分割案，該申請案之完整內容納入為本發明專利說明書的一部分以供參照。 The present invention is a divisional case of Taiwan Patent Application No. 107106387 (application date: February 26, 2018), and the entire contents of the application are incorporated as part of the patent specification of the invention for reference.
本發明涉及一種探針結構，特別是涉及一種應用於晶圓探針卡的探針結構。 The invention relates to a probe structure, in particular to a probe structure applied to a wafer probe card.
首先，現有技術的懸臂式探針卡主要是通過人工的方式將探針逐一焊接在印刷電路板上，同時，通過一黏著物(例如環氧樹脂)將探針固定。例如，TW I447397所揭露的“探針卡”專利案，其探針33即是利用包含有環氧樹脂的固持部36而固定在電路板34上。 First of all, the cantilever probe card of the prior art mainly solders the probes one by one on the printed circuit board manually, and at the same time, the probes are fixed by an adhesive (such as epoxy resin). For example, in the "probe card" patent case disclosed by TW I447397, the probe 33 is fixed on the circuit board 34 by using the holding portion 36 containing epoxy resin.
但是，上述現有技術中，當環氧樹脂硬化後，會使得懸臂式探針卡變得不易維修。換句話說，當其中一根探針損壞時，現有技術的懸臂式探針卡並無法單獨替換該損壞的探針，必須將整組懸臂式探針卡進行更換。 However, in the above-mentioned prior art, when the epoxy resin is hardened, the cantilever probe card becomes difficult to maintain. In other words, when one of the probes is damaged, the prior art cantilever probe card cannot replace the damaged probe alone, and the entire group of cantilever probe cards must be replaced.
再者，現有技術的懸臂式探針卡的焊線方式，須要通過密集的線材以進行扇出(Fan-out)製程，且因人工焊線須要較寬廣的空間，所以傳輸路徑較長。因此，會導致訊號傳輸品質較差。進一步地，現有技術的懸臂式探針卡的探針線徑較寬，故在佈線上除了橫向排列之外，仍必須進行縱向堆疊。但是，當針數多或間距小時，將導致探針安排的困難度增加。 In addition, the conventional wire bonding method of the cantilever probe card requires a dense wire for the fan-out process, and since the manual bonding wire requires a wider space, the transmission path is longer. Therefore, the signal transmission quality will be poor. Further, the cantilever probe card of the prior art has a wide probe wire diameter, so in addition to the horizontal arrangement on the wiring, the vertical stacking must still be performed. However, when the number of needles is large or the pitch is small, it will increase the difficulty of probe arrangement.
進一步來說，現有的懸臂式探針卡結構，傳輸路徑太長，阻 抗無法控制，傳輸品質較不佳。同時，電源訊號會因為傳輸路徑過長，且探針截面積過窄，其電感特性將使電源阻抗隨頻率上升，造成電壓下降而使得測試良率不佳。 Furthermore, in the existing cantilever probe card structure, the transmission path is too long, The resistance cannot be controlled and the transmission quality is poor. At the same time, the power signal will be too long and the cross-sectional area of the probe is too narrow. Its inductive characteristics will cause the power supply impedance to increase with frequency, resulting in a voltage drop and poor test yield.
本發明所要解決的技術問題在於，針對現有技術的不足提供一種探針結構，能有效地改善懸臂式探針不易維修之特性，同時，能改善傳輸品質並降低維護成本。同時，能降低探針結構的傳輸路徑中電感的影響。 The technical problem to be solved by the present invention is to provide a probe structure for the shortcomings of the prior art, which can effectively improve the characteristics of the cantilever probe which is not easy to repair, and at the same time, can improve the transmission quality and reduce the maintenance cost. At the same time, the influence of inductance in the transmission path of the probe structure can be reduced.
為了解決上述的技術問題，本發明所採用的其中一技術方案是，提供一種探針結構，其包括一第一基部、一第二基部、一連接部以及一接觸部。所述第一基部包括一第一接觸段以及一連接於所述第一接觸段的第一連接段，其中，所述第一接觸段具有一第一抵靠部以及一連接於所述第一抵靠部的第一側端。所述第二基部包括一第二接觸段、一第二連接段以及一電性連接於所述第二接觸段與所述第二連接段之間的被動元件，其中，所述第二接觸段具有一第二抵靠部以及一連接於所述第二抵靠部的第二側端。所述第一基部的所述第一連接段以及所述第二基部的所述第二連接段連接於所述連接部。所述接觸部連接於所述連接部。 In order to solve the above technical problems, one of the technical solutions adopted by the present invention is to provide a probe structure including a first base portion, a second base portion, a connecting portion, and a contact portion. The first base portion includes a first contact section and a first connection section connected to the first contact section, wherein the first contact section has a first abutment portion and a connection to the first The first side end of the abutment. The second base portion includes a second contact section, a second connection section and a passive element electrically connected between the second contact section and the second connection section, wherein the second contact section It has a second abutting portion and a second side end connected to the second abutting portion. The first connection section of the first base and the second connection section of the second base are connected to the connection section. The contact portion is connected to the connection portion.
本發明的其中一有益效果在於，本發明實施例所提供的探針結構，其能利用“所述第二基部包括一第二接觸段、一第二連接段以及一電性連接於所述第二接觸段與所述第二連接段之間的被動元件”的技術方案，而降低探針結構的傳輸路徑中電感的影響。 One of the beneficial effects of the present invention is that the probe structure provided by the embodiment of the present invention can utilize "the second base includes a second contact section, a second connection section and an electrical connection to the first "The passive component between the two contact sections and the second connection section" reduces the influence of inductance in the transmission path of the probe structure.
為使能更進一步瞭解本發明的特徵及技術內容，請參閱以下有關本發明的詳細說明與圖式，然而所提供的圖式僅用於提供參考與說明用，並非用來對本發明加以限制。 In order to further understand the features and technical content of the present invention, please refer to the following detailed description and drawings of the present invention. However, the drawings provided are for reference and explanation only, and are not intended to limit the present invention.
M‧‧‧探針組件 M‧‧‧Probe assembly
1、1’‧‧‧探針結構 1. 1’‧‧‧ probe structure
11‧‧‧第一基部 11‧‧‧The first base
111‧‧‧第一接觸段 111‧‧‧The first contact section
1111‧‧‧第一抵靠部 1111‧‧‧The first abutment
1112‧‧‧第一側端 1112‧‧‧First side
112‧‧‧第一連接段 112‧‧‧First connection section
1121‧‧‧第一裸露表面 1121‧‧‧The first bare surface
12‧‧‧第二基部 12‧‧‧Second base
121‧‧‧第二接觸段 121‧‧‧The second contact section
1211‧‧‧第二抵靠部 1211‧‧‧The second abutment
1212‧‧‧第二側端 1212‧‧‧second side
122‧‧‧第二連接段 122‧‧‧Second connection section
1221‧‧‧第二裸露表面 1221‧‧‧Second bare surface
13‧‧‧連接部 13‧‧‧ Connection
14‧‧‧接觸部 14‧‧‧Contact
141‧‧‧接觸側端 141‧‧‧Contact side end
2‧‧‧基板 2‧‧‧ substrate
21‧‧‧導電結構 21‧‧‧Conductive structure
3‧‧‧第一板體 3‧‧‧The first plate
31‧‧‧第一貫孔 31‧‧‧First through hole
32‧‧‧頂抵部 32‧‧‧Heading
4‧‧‧第二板體 4‧‧‧Second plate
41‧‧‧第二貫孔 41‧‧‧Second through hole
5‧‧‧固定件 5‧‧‧Fixed parts
C‧‧‧被動元件 C‧‧‧Passive components
H1‧‧‧第一孔徑 H1‧‧‧First aperture
H2‧‧‧第二孔徑 H2‧‧‧Second aperture
W1、W2‧‧‧最大外徑 W1, W2‧‧‧Maximum outer diameter
F1‧‧‧第一寬度 F1‧‧‧First width
F2‧‧‧第二寬度 F2‧‧‧second width
N‧‧‧待測物接點 N‧‧‧DUT contact
X、Y、Z‧‧‧方向 X, Y, Z‧‧‧ direction
圖1為本發明第一實施例的探針結構的其中一立體示意圖。 FIG. 1 is a schematic perspective view of a probe structure according to a first embodiment of the invention.
圖2為本發明第一實施例的探針結構的另外一立體示意圖。 2 is another schematic perspective view of the probe structure of the first embodiment of the present invention.
圖3為本發明第一實施例的探針結構的側視示意圖。 3 is a schematic side view of the probe structure of the first embodiment of the present invention.
圖4為本發明第一實施例的探針結構的俯視示意圖。 4 is a schematic top view of the probe structure of the first embodiment of the present invention.
圖5為圖1的V-V剖線的側視剖面示意圖。 FIG. 5 is a schematic side cross-sectional view taken along the line V-V of FIG. 1.
圖6為圖1的VI-VI剖線的側視剖面示意圖。 6 is a schematic cross-sectional side view of the VI-VI section line of FIG. 1.
圖7為圖1的VII-VII剖線的側視剖面示意圖。 7 is a schematic side cross-sectional view taken along the line VII-VII of FIG. 1.
圖8為本發明第一實施例的探針結構的另外一實施方式的側視示意圖。 8 is a schematic side view of another embodiment of the probe structure of the first example of the present invention.
圖9為本發明第一實施例的探針結構的另外又一實施方式的側視示意圖。 9 is a schematic side view of another embodiment of the probe structure of the first example of the present invention.
圖10為本發明第二實施例的探針組件的其中一側視示意圖。 10 is a schematic side view of a probe assembly according to a second embodiment of the invention.
圖11為本發明第二實施例的探針組件的另外一側視示意圖。 11 is a schematic diagram of another side view of the probe assembly of the second embodiment of the present invention.
圖12為本發明第二實施例的探針組件的另外又一側視示意圖。 FIG. 12 is another schematic side view of the probe assembly of the second embodiment of the present invention.
圖13為本發明實施例的探針結構的另一種實施方式的立體示意圖。 FIG. 13 is a perspective schematic view of another embodiment of a probe structure according to an example of the present invention.
圖14為本發明實施例的探針結構的使用狀態示意圖。 FIG. 14 is a schematic diagram of the use state of the probe structure according to an embodiment of the invention.
以下是通過特定的具體實例來說明本發明所公開有關“探針結構”的實施方式，本領域技術人員可由本說明書所公開的內容瞭解本發明的優點與效果。本發明可通過其他不同的具體實施例加以施行或應用，本說明書中的各項細節也可基於不同觀點與應用，在不悖離本發明的精神下進行各種修飾與變更。另外，本發明的附圖僅為簡單示意說明，並非依實際尺寸的描繪，事先聲明。以下的實施方式將進一步詳細說明本發明的相關技術內容，但所公開的內容並非用以限制本發明的保護範圍。 The following are specific specific examples to illustrate the embodiments of the present invention related to the "probe structure". Those skilled in the art can understand the advantages and effects of the present invention from the contents disclosed in this specification. The present invention can be implemented or applied through other different specific embodiments. Various details in this specification can also be based on different viewpoints and applications, and various modifications and changes can be made without departing from the spirit of the present invention. In addition, the drawings of the present invention are merely schematic illustrations, and are not drawn according to actual sizes, and are declared in advance. The following embodiments will further describe the related technical content of the present invention, but the disclosed content is not intended to limit the protection scope of the present invention.
應理解，雖然本文中可能使用術語第一、第二、第三等來描述各種元件或信號等，但這些元件或信號不應受這些術語限制。這些術語乃用以區分一元件與另一元件，或者一信號與另一信 號。另外，如本文中所使用，術語“或”視實際情況可能包括相關聯的列出項目中的任一個或者多個的所有組合。 It should be understood that although the terms first, second, third, etc. may be used herein to describe various elements or signals, etc., these elements or signals should not be limited by these terms. These terms are used to distinguish one element from another, or a signal from another signal number. In addition, as used herein, the term "or" may include all combinations of any one or more of the associated listed items, as the case may be.
[第一實施例] [First embodiment]
首先，請參閱圖1至圖4所示，並同時參閱圖12所示，圖1及圖2分別為本發明第一實施例探針結構的立體示意圖，圖3為本發明第一實施例探針結構的側視示意圖，圖4為本發明第一實施例的探針結構的俯視示意圖，圖12為本發明第二實施例的探針組件的側視示意圖。本發明提供一種探針組件M及其探針結構1，第一實施例將先介紹本發明探針結構1的主要技術特徵，第二實施例再行介紹探針組件M。
First, please refer to FIG. 1 to FIG. 4 and refer to FIG. 12 at the same time. FIG. 1 and FIG. 2 are respectively three-dimensional schematic diagrams of the probe structure of the first embodiment of the present invention, and FIG. FIG. 4 is a schematic top view of the probe structure of the first embodiment of the present invention, and FIG. 12 is a schematic side view of the probe assembly of the second embodiment of the present invention. The present invention provides a probe assembly M and its
承上述，請復參閱圖1至圖4所示，探針結構1可包括一第一基部11、一第二基部12、一連接部13以及一接觸部14。第一基部11可包括一第一接觸段111以及一連接於第一接觸段111的第一連接段112。第二基部12可包括一第二接觸段121、一第二連接段122以及一電性連接於第二接觸段121與第二連接段122之間的被動元件C。第一基部11的第一連接段112以及第二基部12的第二連接段122可連接於連接部13。此外，接觸部14可連接於連接部13。優選地，第二基部12與接觸部14之間的距離相較於第一基部11與接觸部14之間的距離更近。進一步來說，以本發明實施例而言，探針結構1為一懸臂式探針結構1。
In light of the above, please refer to FIGS. 1 to 4 again. The
承上述，請復參閱圖1及圖2所示，第一接觸段111可具有一第一抵靠部1111以及一連接於第一抵靠部1111的第一側端1112。第二接觸段121可具有一第二抵靠部1211以及一連接於第二抵靠部1211的第二側端1212，且接觸部14可具有一接觸側端141。以本發明實施例而言，第一接觸段111及第二接觸段121可以為探針結構1的針尾，以用於與轉接介面板(例如圖12的基板2)的接觸端(例如圖12的導電結構21)相接。另外，探針結構1的
接觸部14的接觸側端141可呈尖頭針狀，以劃破待測物的錫球表面的氧化層，然而，在其他實施方式中，探針結構1的接觸側端141也可為一平面，本發明不以此為限。
According to the above, please refer to FIGS. 1 and 2 again. The
接著，請復參閱圖1至圖3所示，優選地，以本發明實施例而言，被動元件C可為一電容，舉例來說，被動元件C可為多層陶瓷電容器或薄膜平型板電容器，然本發明不以此為限。此外，可利用微機電系統(Microelectromechanical Systems，MEMS)技術將被動元件C嵌入第二基部12的第二接觸段121與第二連接段122之間。進一步來說，第一基部11與第二基部12可分別用於接收不同的訊號，以通過接觸部14而饋入待測物中。藉此，通過被動元件C的諧振點，可用來調整不同頻率的電源阻抗，避免電源訊號的電壓下降。舉例來說，當距離待測物的傳輸路徑越短時，路徑中的電感則越小，因此可使用容值較小的電容，且相對應的諧振點在較高頻段的位置，即可壓制較高頻段的電源阻抗，最終可應用於較高頻段的測試方案，以符合未來需求。同時，通過被動元件C的設置，可就近的提供待測物所需的電源，避免路徑中電感的干擾，以改善電源完整性(power integrity，PI)。
Next, please refer to FIG. 1 to FIG. 3 again. Preferably, in terms of the embodiment of the present invention, the passive element C may be a capacitor. For example, the passive element C may be a multilayer ceramic capacitor or a film flat plate capacitor However, the present invention is not limited to this. In addition, the passive element C may be embedded between the
承上述，請復參閱圖1至圖3所示，第一接觸段111的延伸方向(Z方向)與接觸部14的延伸方向(負Z方向)彼此相異，且第二接觸段121的延伸方向(Z方向)也與接觸部14(負Z方向)的延伸方向彼此相異。另外，舉例來說，如圖3所示，第一接觸段111的延伸方向與接觸部14的延伸方向大致相反且相互平行，同時，第二接觸段121的延伸方向與接觸部14的延伸方向大致相反且相互平行。也就是說，第一接觸段111、第一連接段112、第二接觸段121及第二連接段122可朝向一第一方向(Z方向)延伸，連接部13可朝向一第二方向(X方向)延伸，第一方向與第二方向彼此相異，且以本發明實施例而言，第一方向可大致垂直於第二方向。另外，接觸部14可朝向一第三方向(負Z方向)延伸，第三方向可
與第二方向彼此相異且以本發明實施例而言，第三方向可大致垂直於第二方向。
According to the above, please refer to FIGS. 1 to 3 again, the extending direction of the first contact segment 111 (Z direction) and the extending direction of the contact portion 14 (negative Z direction) are different from each other, and the extension of the
接著，請一併參閱圖5至圖7所示，圖5為圖1的V-V剖線的側視剖面示意圖，圖6為圖1的VI-VI剖線的側視剖面示意圖，圖7為圖1的VII-VII剖線的側視剖面示意圖。以本發明實施例而言，第一連接段112的橫截面垂直於第一連接段112的延伸方向，第二連接段122的橫截面垂直於第二連接段122的延伸方向，連接部13的橫截面垂直於連接部13的延伸方向。進一步來說，第一連接段112的橫截面的形狀與連接部13的橫截面的形狀彼此相異，且第二連接段122的橫截面的形狀與連接部13的橫截面的形狀彼此相異。優選地，第一連接段112的橫截面的面積可大於連接部13的橫截面的面積，且第二連接段122的橫截面的面積可大於連接部13的橫截面的面積。
Next, please refer to FIG. 5 to FIG. 7 together. FIG. 5 is a side cross-sectional schematic view of the VV section line in FIG. 1, FIG. 6 is a side cross-sectional schematic view of the VI-VI section line in FIG. 1, and FIG. 7 is a diagram 1 is a schematic cross-sectional side view of the VII-VII section line. In terms of the embodiment of the present invention, the cross section of the first connecting
進一步地，請復參閱圖5至圖7所示，優選地，第一連接段112及第二連接段122的橫截面形狀可呈一矩形狀的外型(例如，第一連接段112及第二連接段122分別為一柱狀結構)，另外，連接部13及/或接觸部14的橫截面形狀可呈片狀(薄片狀的矩形狀，例如，連接部13為一片狀結構)的外型，此外，柱狀結構與片狀結構的形狀不同。更進一步來說，以本發明實施例而言，探針結構1優選是以微機電系統(Microelectromechanical Systems，MEMS)技術所製造的探針。換句話說，本實施例的矩形狀的探針結構1相較於圓形探針來說，兩者的製造工序截然不同。
Further, please refer to FIG. 5 to FIG. 7 again, preferably, the cross-sectional shapes of the first connecting
承上述，請復參閱圖1及圖2所示，第一基部11的第一連接段112連接於連接部13，第二基部12的第二連接段122連接於連接部13，以使得第一連接段112能相對於連接部13形成一第一裸露表面1121，且使得第二連接段122能相對於連接部13形成一第二裸露表面1221。也就是說，由於第一連接段112的橫截面形狀及第二連接段122的橫截面形狀能與連接部13的橫截面形狀在尺
寸上有著截然不同的特性，因此，第一連接段112及第二連接段122能分別相對於連接部13形成一第一裸露表面1121及第二裸露表面1221。藉此，第一連接段112與連接部13之間可具有一段差，且第二連接段122與連接部13之間可具有一段差，而使得第一連接段112及第二連接段122相對於連接部13在整體結構上呈非連續的設置。更進一步來說，第一連接段112與連接部13間的連接處為一轉折處，且該轉折處可具有一第一裸露表面1121。此外，第二連接段122與連接部13間的連接處為一轉折處，且該轉折處可具有一第二裸露表面1221。
Following the above, please refer to FIG. 1 and FIG. 2 again, the first connecting
承上述，請復參閱圖7所示，在連接部13的任一橫截面上，連接部13可具有一第一側邊(圖中未標號)及一第二側邊(圖中未標號)，第一側邊可具有一第一寬度F1，第二側邊可具有一第二寬度F2，第一寬度F1的尺寸可小於第二寬度F2的尺寸。即，片狀結構可具有一第一寬度F1及一第二寬度F2，且第一寬度F1的尺寸小於第二寬度F2的尺寸。優選地，第一寬度F1與第二寬度F2的比值可介於0.2至0.5之間，舉例來說，第一寬度F1可為0.1毫米(millimeter，mm)，第二寬度F2可為2毫米至5毫米之間，然本發明不以此為限。進一步來說，由於接觸部14的受力的方向為Z方向，第二側邊的長度方向(延伸方向)是朝向第三方向(負Z方向)，且連接部13是以較小尺寸的第一側邊接觸於第一連接段112及第二連接段122，因此，儘管第一寬度F1的尺寸小於第二寬度F2的尺寸，仍能維持接觸部14的接觸側端141抵接在待測物上的力量。
Following the above, please refer to FIG. 7 again. In any cross section of the connecting
接著，請復參閱圖1及圖2所示，雖然圖式中的第一接觸段111的第一抵靠部1111及第二接觸段121的第二抵靠部1211是以倒勾狀的外型作為說明，但是，在其他實施方式中，第一抵靠部1111及第二抵靠部1211的外型也可以呈凹狀，本發明不以此為限制。再者，在其他實施方式中，探針結構1上也可以具有多個第
一抵靠部1111及/或第二抵靠部1211，本發明不以此為限。
Next, please refer to FIG. 1 and FIG. 2 again, although the first abutting
接著，請參閱圖8及圖9所示，圖8及圖9分別為本發明第一實施例的探針結構的其他實施方式的側視示意圖。詳細來說，在其他實施方式中，也可以調整探針結構1的形狀，舉例來說，以圖8及圖9的實施方式而言，可調整探針結構1的連接部13及接觸部14的外型，以適用於不同的待側物上，須說明的是，本發明不以連接部13及接觸部14的外型為限。
Next, please refer to FIGS. 8 and 9, which are schematic side views of other embodiments of the probe structure of the first embodiment of the present invention. In detail, in other embodiments, the shape of the
[第二實施例] [Second Embodiment]
首先，請參閱圖10至圖12所示，圖10至圖12分別為本發明第二實施例的探針組件M的組裝過程的側視示意圖。須特別說明的是，為了便於理解本實施方式，所以圖式僅呈現探針組件M的局部構造，以便於清楚地呈現探針組件M的各個元件構造與連接關係。以下將分別介紹探針組件M的各個元件構造及其連接關係。換句話說，為利於圖式之理解，圖10至圖12中的僅呈現一根探針結構1。另外，在第二實施例中所提供的探針結構1與前述實施例中的結構相仿，在此不再贅述。因此，在參閱圖10至圖12所示的內容時，也請復參閱圖1至圖2所示。
First, please refer to FIG. 10 to FIG. 12, which are schematic side views of the assembly process of the probe assembly M according to the second embodiment of the present invention. It should be particularly noted that, in order to facilitate understanding of the present embodiment, the drawings only show the partial structure of the probe assembly M, so as to clearly show the structure and connection relationship of each element of the probe assembly M. The structure and connection relationship of each element of the probe assembly M will be introduced below. In other words, to facilitate understanding of the drawings, only one
承上述，請復參閱圖10所示，本發明第二實施例提供一種探針組件M，其包括一基板2、一第一板體3以及一探針結構1。基板2可具有多個導電結構21，舉例來說，基板2可以為晶片測試用之轉接介面板或空間轉換器(Space Transformer，ST)。另外，在其他實施方式中，基板2也可以為印刷電路板，也就是說，由於探針結構1可以以微機電系統技術所製作，而使得尺寸較小，因此，可以不用設置空間轉換器，而是使得探針結構1直接設置在印刷電路板上，藉此，探針結構1能電性連接於印刷電路板的導電結構21。
In view of the above, please refer to FIG. 10 again. The second embodiment of the present invention provides a probe assembly M, which includes a
承上述，請復參閱圖10所示，第一板體3可具有多個第一貫
孔31以及多個頂抵部32，每一個頂抵部32可分別鄰近於相對應的第一貫孔31，每一個第一貫孔31具有一第一孔徑H1。另外，優選地，以本發明實施例而言，探針組件M還可包括一第二板體4，第二板體4可具有多個第二貫孔41。舉例來說，第二板體4可大致平行於第一板體3設置，多個第二貫孔41的位置分別對應於多個第一貫孔31的位置，且每一個第二貫孔41具有一第二孔徑H2。
Following the above, please refer to FIG. 10 again, the
承上述，請復參閱圖10所示，並請一併參閱圖1及圖2所示，探針結構1可包括一第一基部11、一第二基部12、一連接部13以及一接觸部14。第一基部11可包括一第一接觸段111以及一連接於第一接觸段111的第一連接段112。第二基部12可包括一第二接觸段121、一第二連接段122以及一電性連接於第二接觸段121與第二連接段122之間的被動元件C。第一基部11的第一連接段112以及第二基部12的第二連接段122可連接於連接部13。接觸部14可連接於連接部13。此外，第一接觸段111可具有一第一抵靠部1111以及一連接於第一抵靠部1111的第一側端1112。第二接觸段121可具有一第二抵靠部1211以及一連接於第二抵靠部1211的第二側端1212，且接觸部14可具有一接觸側端141。須說明的是，第二實施例中所提供的探針結構1與前述實施例中的結構相仿，在此不再贅述。
Following the above, please refer to FIG. 10 and refer to FIGS. 1 and 2 together. The
接著，請復參閱圖10所示，第一接觸段111的一最大外徑W1寸可小於第一貫孔31的第一孔徑H1的尺寸，且第二接觸段121的一最大外徑W2的尺寸可小於第一貫孔31的第一孔徑H1的尺寸，以使第一接觸段111及第二接觸段121能通過第一貫孔31。此外，第一接觸段111的一最大外徑W1尺寸可小於第二貫孔41的第二孔徑H2的尺寸，且第二接觸段121的一最大外徑W2尺寸可小於第二貫孔41的第二孔徑H2的尺寸，以使第一接觸段111及第二接觸段121能通過第二貫孔41。再者，第一接觸段111
可電性連接於多個導電結構21中的其中一個，且第二接觸段121可電性連接於多個導電結構21中的另外一個。
Next, please refer to FIG. 10 again, a maximum outer diameter W1 inch of the
接著，請參閱圖11所示，使用者可通過移動第一板體3及第二板體4的相對位置，以使得第一板體3及第二板體4相互錯位。即，可將第一板體3朝向X方向移動，且將第二板體4朝向負X方向。藉此，探針結構1的第一抵靠部1111及第二抵靠部1211可分別抵接於相對應的頂抵部32，以達到定位探針結構1的效果。
Next, referring to FIG. 11, the user can move the relative positions of the
接著，請參閱圖12所示，探針組件M優選還可進一步包括一固定件5(舉例來說，固定件5可例如但不限於為一螺絲)，固定件5可設置在基板2、第一板體3以及第二板體4上，以使探針結構1的第一抵靠部1111及第二抵靠部1211分別抵接於相對應的頂抵部32。換句話說，固定件5可用於定位探針結構1與基板2、第一板體3以及第二板體4的相對位置。另外，值得說明的是，由於探針結構1分別是通過第一抵靠部1111及第二抵靠部1211而抵接於相對應的頂抵部32，以使得探針結構1進行定位。藉此，當其中一根探針結構1受損故障時，可通過移動第一板體3及第二板體4而將故障的探針結構1進行替換。
Next, referring to FIG. 12, the probe assembly M preferably further includes a fixing member 5 (for example, the fixing
值得說明的是，由於第一連接段112及第二連接段122的橫截面形狀可呈一矩形狀的外型，而連接部13的橫截面形狀可呈片狀(薄片狀的矩形狀)的外型。因此，在設置第二板體4後，在使得第一接觸段111、第一連接段112(部分的第一連接段112或是全部的第一連接段112)、第二接觸段121以及第二連接段122(部分的第二連接段122或是全部的第二連接段122)都埋設在第二板體4與基板2之間後，可以避免兩個探針結構1所分別具有的第一基部11與第二基部12之間的干涉。
It is worth noting that, since the cross-sectional shapes of the first connecting
接著，請參閱圖13及圖14所示，圖13為本發明實施例的探針結構的另一種實施方式的立體示意圖，圖14為本發明實施例的探針結構的使用狀態示意圖。由圖13與圖1的比較可知，圖13
的探針結構1’圖1的探針結構1最大的差別在於：圖1的探針結構1主要可用於提供電源，而圖13的探針結構1’要可用於提供訊號。因此，圖13的探針結構1’不具有第二基部12。另外，須說明的是，圖13的探針結構1’第二基部12之外皆與圖1的探針結構1相仿，具體細節在此不再贅述。
Next, please refer to FIGS. 13 and 14. FIG. 13 is a perspective schematic view of another embodiment of the probe structure according to the embodiment of the present invention. FIG. 14 is a schematic view of the use state of the probe structure according to the embodiment of the present invention. From the comparison between Figure 13 and Figure 1, we can see that Figure 13
The biggest difference between the probe structure 1'of FIG. 1 and the
承上述，請復參閱圖13及圖14所示，圖14為多個探針結構(1、1’)的俯視圖。由圖14所示的實施方式可以了解，探針結構(1、1’)可依探針卡的量測陣列設計而佈置，此外，多個探針結構(1、1’)可具有彼此相異的構造(舉例來說，多個探針結構(1、1’)中的至少其中兩個具有相異的長度)。也就是說，可以依據需求而調整各個探針結構(1、1’)的排列角度。此外，探針結構(1、1’)的接觸側端141可電性連接於待測物接點N。
In view of the above, please refer to FIGS. 13 and 14 again. FIG. 14 is a plan view of a plurality of probe structures (1, 1'). It can be understood from the embodiment shown in FIG. 14 that the probe structures (1, 1') can be arranged according to the measurement array design of the probe card, and in addition, a plurality of probe structures (1, 1') can have phases with each other Different configurations (for example, at least two of the plurality of probe structures (1, 1') have different lengths). That is, the arrangement angle of each probe structure (1, 1') can be adjusted according to requirements. In addition, the
[實施例的有益效果] [Beneficial effect of embodiment]
本發明的其中一有益效果在於，本發明實施例所提供的探針結構1，其能利用“第二基部12包括一第二接觸段121、一第二連接段122以及一電性連接於第二接觸段121與第二連接段122之間的被動元件C”的技術方案，而降低探針結構的傳輸路徑中電感的影響，以改善電源完整性。
One of the beneficial effects of the present invention is that the
另外，本發明實施例還能夠通過“第一接觸段111具有一第一抵靠部1111”以及“第二接觸段121具有一第二抵靠部1211”的技術方案，能使得探針結構1可以單獨抽換，以形成一可替換式的探針結構1，而降低維護成本。同時，相較於現有的懸臂式探針結構，還能縮短現有懸臂式探針阻抗不連續之傳輸路徑，而改善傳輸品質的訊號完整性(Signal Integrity，SI)。
In addition, the embodiments of the present invention can also make the
再者，由於本發明實施例所提供的探針結構1為一懸臂式探針結構1，因此，所以針尖是向外引導的，所以可以利用多組不同的第一板體3、第二板體4及固定件5而將探針結構1固定在基板
2上。進一步來說，可利用不同長度的探針結構1而降低細間距(fine pitch)的加工困難度。此外，由於連接部13及/或接觸部14的橫截面形狀可呈片狀(薄片狀的矩形狀)的外型(第一連接段112及第二連接段122為一柱狀結構，連接部13為一片狀結構，且柱狀結構與片狀結構的形狀不同)，因此，不僅可對應微間距的需求，還可提供所需的支撐力量強度。
Furthermore, since the
進一步來說，探針結構1的第一抵靠部1111及第二抵靠部1211可分別抵接於相對應的第一板體3的頂抵部32，因此，能將探針結構1定位在基板2上，以使得探針結構1的第一接觸段111及第二接觸段121電性連接於基板2上的導電結構21。
Further, the first abutting
以上所公開的內容僅為本發明的優選可行實施例，並非因此侷限本發明的申請專利範圍，所以凡是運用本發明說明書及圖式內容所做的等效技術變化，均包含於本發明的申請專利範圍內。 The content disclosed above is only a preferred and feasible embodiment of the present invention, and therefore does not limit the scope of the patent application of the present invention, so any equivalent technical changes made by using the description and drawings of the present invention are included in the application of the present invention. Within the scope of the patent.
1‧‧‧探針結構 1‧‧‧Probe structure
11‧‧‧第一基部 11‧‧‧The first base
111‧‧‧第一接觸段 111‧‧‧The first contact section
1111‧‧‧第一抵靠部 1111‧‧‧The first abutment
1112‧‧‧第一側端 1112‧‧‧First side
112‧‧‧第一連接段 112‧‧‧First connection section
1121‧‧‧第一裸露表面 1121‧‧‧The first bare surface
12‧‧‧第二基部 12‧‧‧Second base
121‧‧‧第二接觸段 121‧‧‧The second contact section
1211‧‧‧第二抵靠部 1211‧‧‧The second abutment
1212‧‧‧第二側端 1212‧‧‧second side
122‧‧‧第二連接段 122‧‧‧Second connection section
1221‧‧‧第二裸露表面 1221‧‧‧Second bare surface
13‧‧‧連接部 13‧‧‧ Connection
14‧‧‧接觸部 14‧‧‧Contact
141‧‧‧接觸側端 141‧‧‧Contact side end
C‧‧‧被動元件 C‧‧‧Passive components
X、Y、Z‧‧‧方向 X, Y, Z‧‧‧ direction
Claims (7)
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| TW107132428A TWI684010B (en) | 2018-02-26 | 2018-02-26 | Probe structure |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| TW107132428A TWI684010B (en) | 2018-02-26 | 2018-02-26 | Probe structure |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| TW201937175A TW201937175A (en) | 2019-09-16 |
| TWI684010B true TWI684010B (en) | 2020-02-01 |
Family
ID=68618601
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| TW107132428A TWI684010B (en) | 2018-02-26 | 2018-02-26 | Probe structure |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| TW (1) | TWI684010B (en) |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1477691A (en) * | 2002-07-23 | 2004-02-25 | 富士通株式会社 | Method for testing probe board and semiconductor chip, capacitor and mfg. method thereof |
| CN102103150A (en) * | 2009-12-22 | 2011-06-22 | 沋博普利斯金股份有限公司 | Support needle and probe provided with support needle |
-
2018
- 2018-02-26 TW TW107132428A patent/TWI684010B/en active
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| Publication number | Publication date |
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| TW201937175A (en) | 2019-09-16 |
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