TWI683603B - 印刷電路板及其製造方法 - Google Patents
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Abstract
本發明為一印刷電路板，包含：一絕緣層；一第一墊，位於絕緣層之上表面上；一第二墊，位於絕緣層之下表面上；及一貫孔，形成於絕緣層中，且具有連接至第一墊的一表面及連接至第二墊的另一表面，其中貫孔包含複數個至少部分彼此重疊的貫孔部分。
Description
本發明係依據35 U.S.C.119(美國專利法)及35 U.S.C.365以韓國智慧財產局之韓國專利申請號10-2014-0018131申請案(申請日為2014年2月17日)及韓國專利申請號10-2014-0020573申請案(申請日為2014年2月21日)為優先權，於此將韓國申請案全文併入參考。
本發明係有關一種印刷電路板及其製造方法。
印刷電路板(printed circuit board，以下稱PCB)係由使用導電材料(例如銅)將電路圖案印刷於電性絕緣基板上而形成，其係有關於安裝電子元件之前的板子。換句話說，PCB係有關於決定電子元件安裝位置的電路板，且將電子元件彼此連接的電路圖案被固定印刷於平坦板子的表面，使得多個不同種類的電子元件密集地安裝於平坦板子上。
近來，由於電子工業蓬勃發展，具有價格競爭力及快速交貨期的高效能小型電子零件的需求急遽增加。因此，PCB成品採用半加成製程(semi-additive process，SAP)來滿足PCB的高密集度及薄化趨勢。
同時，導電貫孔形成於PCB中以電性連接各層。此外，近來又發展出將PCB的散熱效能列入考慮而具有大於一般條狀尺寸的大型貫孔(也稱作條狀孔(bar via))。
也就是說，在無芯基板的情形下，RF值、CW增益、CW輸出及CW效能係由散熱效率所決定。在PCB的情形下，形成自封裝的最頂層至最底層的堆疊貫孔可容易地散熱。
圖1至圖3係根據習知技術繪示PCB的貫孔結構的剖面
圖。圖1係根據習知技術繪示之一般堆疊貫孔結構，圖2係根據習知技術繪示之棍狀貫孔結構，而圖3係根據習知技術繪示之金字塔狀貫孔結構。
參照圖1，PCB包含複數個彼此連接的絕緣層1、設置於兩個不同絕緣層之間的內層墊2、形成於最頂層絕緣層及最底層絕緣層的表面上的外層墊3，且有複數個貫孔分別形成於絕緣層1內。
該些貫孔包含彼此以預定間隔分隔的第一貫孔4、第二貫孔5、第三貫孔6及第四貫孔7。第一貫孔4至第四貫孔7共同連接至內層墊2及外層墊4。
參照圖2，PCB包含複數個彼此連接的絕緣層11、設置於兩個不同絕緣層之間的內層墊12、形成於最頂層絕緣層及最底層絕緣層的表面上的外層墊13，且貫孔14分別形成於絕緣層11內。
貫孔14具有大於一般貫孔的寬度。例如，貫孔14具有一寬度對應至圖1之第一貫孔4至第四貫孔7的寬度總和。
如圖2下方所示，貫孔14係由金屬材料以寬圓柱形電鍍一通孔以具有對應至通孔的形狀。
參照圖3，PCB包含複數個彼此連接的絕緣層21，設置於兩個不同絕緣層之間的內層墊22、形成於最頂層絕緣層及最底層絕緣層的表面上的外層墊23，且貫孔24分別形成於絕緣層21內。
形成於絕緣層21中的貫孔24具有互不相同的寬度。
例如，形成於中央絕緣層的貫孔具有第一寬度，形成於上絕
緣層的貫孔具有大於第一寬度的第二寬度，形成於下絕緣層的貫孔具有大於第一寬度的第三寬度。同時，第三寬度大於第二寬度。
然而，棍狀貫孔或金字塔狀貫孔的體積相較於一般堆疊貫孔具有較大的體積及較長的長度，使得電鍍製程中可能發生凹陷(dimple)。
圖4係根據習知技術繪示之貫孔。
參照圖4，貫孔具有凹穴狀D，其中央區域低於周圍區域，而凹穴狀被稱為凹陷現象(dimple phenomenon)。
根據習知技術內容，為了去除凹陷現象，需進行多次的電鍍製程。然而，若進行多次的電鍍製程，將增加產品的前導時間(lead time)。
本發明提供具有新穎結構的印刷電路板及其製造方法。
此外，本發明提供具有新穎結構的通孔、貫孔、具有此貫孔的印刷電路板及其製造方法。
本發明的技術本體並不限於上述物件，本發明的其他技術本體根據以下說明書內容對於熟悉本領域技術者為顯而易見的。
根據本發明之印刷電路板包含一絕緣層；一第一墊，位於絕緣層之上表面上；一第二墊，位於絕緣層之下表面上；及一貫孔，形成於絕緣層內，且具有連接至第一墊的一表面及連接至第二墊的另一表面，其中貫孔包含至少部分彼此重疊的複數個貫孔部分。
絕緣層包含複數個絕緣層，而貫孔穿透複數個絕緣層而形成。
包含貫孔部分的貫孔上部具有環狀。
貫孔包含穿透絕緣層的第一貫孔部分，及位於第一貫孔部分旁，穿透絕緣層的一第二貫孔，。
第一貫孔部分及第二貫孔部分的上部具有圓形。
第一貫孔部分的至少一部分與第二貫孔部分的至少一部分重疊。
絕緣層包含一基底絕緣層；至少一上絕緣層，位於基底絕緣層上；及至少一下絕緣層，位於基底絕緣層之下，其中一基墊形成於基底絕緣層的上表面及下表面之至少一者上。
貫孔包含穿透上絕緣層的一上貫孔；及穿透下絕緣層的一下貫孔，其中上貫孔的上表面與第一墊直接接觸，上貫孔的下表面與基墊直接接觸，下貫孔的上表面與基墊直接接觸，且下貫孔的下表面與第二墊直接接觸。
上絕緣層及下絕緣層的至少一者包含複數層及穿透複數層形成之上貫孔或下貫孔。
第一墊形成於至少一上絕緣層中之最頂層絕緣層的上表面上，第二墊形成於至少一下絕緣層中之最底層絕緣層之下表面上，上貫孔
及下貫孔係根據基墊的位置來判斷，而基底絕緣層、上絕緣層及下絕緣層除了第一墊、第二墊及基墊之外，不具有連接至上貫孔及下貫孔的其他墊片。
此外，根據本發明的印刷電路板的製造方法包含：準備一絕緣層；形成穿透絕緣層之上表面及下表面的通孔；及以金屬材料填充通孔以形成貫孔，其中通孔包含至少部分彼此重疊的複數個通孔，貫孔包含分別填充通孔形成對應至通孔的複數個貫孔部分。
準備絕緣層的步驟包含：準備具有堆疊結構的複數個絕緣層，並將絕緣層同時開口以形成通孔。
通孔的形成包含：穿透絕緣層的上表面及下表面而形成第一通孔；及在第一通孔旁形成第二通孔，且第二通孔至少部分與第一通孔重疊。
第一通孔及第二通孔分別具有圓形截面狀。
製造方法更包含：在絕緣層上形成連接貫孔上表面的第一墊；及在絕緣層下形成連接貫孔下表面之第二墊。
準備絕緣層的步驟包含：準備一基底絕緣層，其具有一基墊於基底絕緣層之至少一表面上；在基底絕緣層上層壓一上絕緣層；及在基底絕緣層下層壓一下絕緣層，其中貫孔包含穿透上絕緣層之上貫孔及穿透下絕緣層之下貫孔。
上絕緣層包含：複數個上絕緣層及穿透該些上絕緣層形成之上貫孔。
下絕緣層包含：複數個下絕緣層及穿透該些下絕緣層形成之下貫孔。
上貫孔的上表面與第一墊直接接觸，上貫孔的下表面與基墊直接接觸，下貫孔的上表面與基墊直接接觸，下貫孔的下表面與第二墊直接接觸。
第一墊形成於至少一上絕緣層之最頂層絕緣層的上表面上，第二墊形成於至少一下絕緣層之最底層絕緣層之下表面上，上貫孔及下貫孔係根據基墊的位置來判斷，而基底絕緣層、上絕緣層及下絕緣層除
了第一墊、第二墊及基墊之外，不具有連接至上貫孔及下貫孔的其他墊片。
根據本發明內容，可發展具有新穎外形的通孔並製造具有貫孔的PCB，可減少製程的前置時間並節省製程成本。
此外，根據本發明內容，貫孔可同時形成於複數層中，以改善複數層中貫孔的對齊情形。
此外，根據本發明內容，具有新穎外形的貫孔可去除凹陷現象，以改善PCB的可靠度。
此外，根據本發明內容，不需要除了基墊之外的額外墊片，使得設計PCB時，可增加其自由度。
此外，根據本發明內容，可將複數層同時開口以形成通孔，再填充通孔以形成貫孔，以減少前置時間並節省製程成本。
此外，根據本發明內容，由於貫孔可同時形成於複數層中，因此可改善貫孔形成於複數層中的對齊情形。
1、11、21‧‧‧絕緣層
2、12、22‧‧‧內層墊
3、13、23‧‧‧外層墊
4‧‧‧第一貫孔
5‧‧‧第二貫孔
6‧‧‧第三貫孔
7‧‧‧第四貫孔
14、24‧‧‧貫孔
100、300、400、500、600‧‧‧PCB
110、310、410、510、610‧‧‧第一絕緣層
120、320、420、520、620‧‧‧第二絕緣層
130、330、430、530、630‧‧‧第三絕緣層
140、340、440、540、640‧‧‧第四絕緣層
150、350、450、550、650‧‧‧第五絕緣層
160、360、460、560、660‧‧‧第六絕緣層
170‧‧‧第一墊
180‧‧‧第二墊
190‧‧‧貫孔
191‧‧‧第一貫孔部分
192‧‧‧第二貫孔部分
193‧‧‧第三貫孔部分
194‧‧‧第四貫孔部分
195‧‧‧第五貫孔部分
196‧‧‧第一區域
197‧‧‧第二區域
198‧‧‧第三區域
199‧‧‧第四區域
200‧‧‧通孔
210‧‧‧第一通孔
215‧‧‧第一區域
220‧‧‧第二通孔
225‧‧‧第二區域
230‧‧‧第三通孔
235‧‧‧第三區域
240‧‧‧第四通孔
245‧‧‧第四區域
312‧‧‧第一墊
314‧‧‧第二墊
316‧‧‧第一貫孔
322‧‧‧第三墊
324‧‧‧第二貫孔
332‧‧‧第四墊
334‧‧‧第三貫孔
342‧‧‧第五墊
344‧‧‧第四貫孔
352‧‧‧第六墊
354‧‧‧第五貫孔
362‧‧‧第七墊
364‧‧‧第六貫孔
415、515、615‧‧‧基墊
470、570、670‧‧‧第一貫孔
475、575、675‧‧‧第一通孔
480、580、680‧‧‧第二貫孔
485、585、685‧‧‧第二通孔
490、590、690‧‧‧第一外層墊
495、595、695‧‧‧第二外層墊
A‧‧‧部分
B‧‧‧部分
D‧‧‧凹穴狀
圖1至圖3為根據習知技術繪示之PCB的貫孔結構剖面圖；圖4為根據習知技術繪示之貫孔視圖；圖5為根據第一實施例繪示之PCB的剖面圖；圖6為圖5中之貫孔剖面圖；圖7為圖5中之貫孔示意圖；圖8至圖17為根據第一實施例繪示之PCB製造方法的連續剖面圖；圖18為根據第二實施例繪示之PCB剖面圖；圖19至圖21為根據第二實施例繪示之PCB製造方法的連續剖面圖；圖22為根據第三實施例繪示之PCB剖面圖；圖23至圖27為根據第三實施例繪示圖22中PCB製造方法的連續剖面圖；圖28為根據第四實施例繪示之PCB剖面圖；圖29至圖31為根據第四實施例繪示圖28中PCB製造方法的連續剖面圖；圖32為根據第五實施例之PCB剖面圖；圖33至圖35為根據第五實施例繪示圖32中PCB製造方法的連續剖面圖。
以下將配合所附圖式來詳細說明實施例，使具有本領域通常知識者可依實施例進行實作。然而，實施例並非限於上述，其可具有各種變化。
在以下說明中，當一預定部分「包含」一預定元件時，該預定部分並不排除其他元件，若有特定相對說明時，更可以包含其他元件。
為了方便或清楚起見，圖示中所示的每層厚度及尺寸會被誇大、省略或概要的繪製。此外，元件的尺寸並不完全反映實際尺寸。相同的元件符號在圖式中皆代表相同的元件。
在實施例的說明中，當一層板(或膜)、一區域、一圖案、或一結構被提到在另一基板、另一層板(或膜)、另一區域、另一墊子、或另一圖案之上或下時，它表示直接或間接地在該基板(或膜)、該區域、該墊子、或該圖案上，或者有一或多個夾層。相反地，若一部分直接位於另一部分中，表示該部分與該另一部分之間沒有夾層存在。
圖5為根據第一實施例繪示之PCB剖面圖。
參照圖5，PCB100包含：一絕緣基板，具有第一絕緣層110、第二絕緣層120、第三絕緣層130、第四絕緣層140、第五絕緣層150及第六絕緣層160，形成於最頂層絕緣層之表面上的第一墊170，形成於最底層絕緣層之表面上的第二墊180及填充於穿透最頂層絕緣層及最底層絕緣層的通孔中的貫孔190。
第一絕緣層110、第二絕緣層120、第三絕緣層130、第四絕緣層140、第五絕緣層150及第六絕緣層160構成一絕緣板並包含熱固性或熱塑性聚合基板、陶瓷基板、有機-無機組合基板或玻璃纖維浸漬基板。若該些絕緣層包含聚合樹脂，該些絕緣層包含環氧絕緣樹脂，例如：FR-4、BT樹脂(Bismaleimide Triazine，BT)或ABF樹脂(Ajinomoto Build up Film，ABF)。此外，該些絕緣層可包含聚酰亞胺基樹脂，但本實施例不限於此。
第一絕緣層110、第二絕緣層120、第三絕緣層130、第四絕緣層140、第五絕緣層150及第六絕緣層160可包含相同材料，較佳地，可包含由單一樹脂形成之一絕緣片。
第一絕緣層110可為一基底絕緣層。基底絕緣層可對應至一絕緣層，其主要形成於堆疊結構中並包含第一絕緣層110、第二絕緣層120、第三絕緣層130、第四絕緣層140、第五絕緣層150及第六絕緣層160。
雖然未繪示於圖式中，電路圖案可形成於第一絕緣層110、第二絕緣層120、第三絕緣層130、第四絕緣層140、第五絕緣層150及第六絕緣層160之至少一者之表面上。
電路圖案係由製造PCB的標準程序形成，例如，加法製程(additive process)、減法製程(subtractive process)、改良半加法製程(modified semi-additive process，MSAP)及半加法製程(semi-additive process)，其製程細節將不贅述。
此外，雖然未繪示於圖式中，形成一夾層導電貫孔以連接形成於第一絕緣層110、第二絕緣層120、第三絕緣層130、第四絕緣層140、第五絕緣層150及第六絕緣層160之至少一者之表面上的電路圖案。
電路圖案及夾層導電貫孔係藉由一般習知技術所形成，且電路圖案及夾層導電貫孔皆為PCB實質必備元件，因此將不再贅述其詳細圖式及內容。
第一墊170形成於第四絕緣層140之上表面上，其為該些絕緣層之最頂層。第一墊170與貫孔190之表面接觸。
此外，第一墊170具有大於貫孔190的寬度。較佳地，第一墊170可延伸至第四絕緣層140之表面。
一熱元件可貼附於第一墊170上，使熱元件產生之熱可透過第一墊170及貫孔190傳導至形成於最底層之第二墊180。
第二墊180可形成於第六絕緣層160之下表面上，其為該些絕緣層之最底層。如同第一墊170，第二墊180與貫孔190連接。較佳地，貫孔190之表面與第一墊170連接，且貫孔190之另一表面與第二墊180連接。
貫孔190形成於該些絕緣層中。
貫孔190係由將金屬材料填充於穿透該些絕緣層的通孔中而形成(稍後詳述)。
貫孔190具有彼此相連的複數個部分。
此外，貫孔190的上表面及下表面具有與圖7所示之圓形貫孔不同的預定形狀。
較佳地，貫孔190具有環狀(雪人狀、花生狀或如圖8所示形狀)，其可由重疊多個圓形而得。
換句話說，具有圓形的複數個通孔可於該些絕緣層中彼此重疊，且重疊之通孔可具有環狀。
將金屬材料填充於通孔中以形成上述形狀，而貫孔190於金屬材料填充於通孔中時形成。
以下，將配合附圖詳細敘述貫孔190的形狀。
圖6為圖5中貫孔的剖面圖，而圖7為圖5中貫孔示意圖。
參照圖6，貫孔190包含第一貫孔部分191、第二貫孔部分192、第三貫孔部分193、第四貫孔部分194及第五貫孔部分195。
雖然由重疊五個貫孔部分而形成之貫孔190已繪示於圖式中，但本實施例不限於此。貫孔部分的數目可增加或減少。也就是說，貫孔部分的數目可根據各貫孔部分的寬度而調整，進而形成貫孔190的寬度。
第一貫孔部分191、第二貫孔部分192、第三貫孔部分193、第四貫孔部分194及第五貫孔部分195具有圓形剖面狀。
此外，第一貫孔部分191具有第一區域196與第二貫孔部分192重疊。換句話說，第一貫孔部分191與第二貫孔部分192部分重疊。
此外，第二貫孔部分192具有一區域與第一貫孔部分191重疊，以及另一區域與第三貫孔部分193重疊。也就是說，第二貫孔部分192具有一第二區域197與第三貫孔部分193重疊。
此外，第三貫孔部分193具有一區域與第二貫孔部分192重疊，以及另一區域與第四貫孔部分194重疊。也就是說，第三貫孔部分193具有一第三區域198與第四貫孔部分194重疊。
此外，第四貫孔部分194具有一區域與第三貫孔部分193重疊，以及另一區域與第五貫孔部分195重疊。也就是說，第四貫孔部分194具有一第四區域199與第五貫孔部分195重疊。
結果，第一貫孔部分191具有不與其他貫孔部分重疊的第一截面，及與第二貫孔部分192重疊的第二截面。
此外，第二貫孔部分192具有不與其他貫孔部分重疊的第一截面、與第一貫孔部分191重疊的第二截面，及與第三貫孔部分193重疊的第三截面。
此外，第三貫孔部分193具有不與其他貫孔部分重疊的第一截面、與第二貫孔部分192重疊的第二截面，及與第四貫孔部分194重疊的第三截面。
此外，第四貫孔部分194具有不與其他貫孔部分重疊的第一截面、與第三貫孔部分193重疊的第二截面，及與第五貫孔部分195重疊的第三截面。
此外，第五貫孔部分195具有不與其他貫孔部分重疊的第一截面、與第四貫孔部分194重疊的第二截面。
當第一至第五貫孔部分191~195具有部分彼此重疊的圓形截面狀，包含第一至第五貫孔部分191~195的貫孔190可具有環狀。
同時，第一至第五貫孔部分191~195包含第一截面形成於第一絕緣層110中、第二截面形成於第二絕緣層120中、第三截面形成於第三絕緣層130中、第四截面形成於第四絕緣層140中及第五截面形成於第五絕緣層150中。
在此情形下，第一至第五貫孔部分191~195的第一至第五截面於彼此直接接觸時彼此一體地形成。
根據本實施例內容，貫孔190具有環狀截面形狀，因此可去除電鍍製程中的凹陷現象，使得前置時間可減少，並節省製程成本。
圖8至圖17為根據第一實施例繪示之PCB製造方法的連續剖面圖。
參照圖8，針對複數個絕緣層進行層疊製程(lay-up process)。
較佳地，首先準備第一絕緣層110。然後，將第二絕緣層120層壓於第一絕緣層110上、第三絕緣層130層壓於第二絕緣層120上、第四絕緣層140層壓於第三絕緣層130上、第五絕緣層150層壓於第四絕緣
層140上、第六絕緣層160層壓於第五絕緣層150上。
同時，雖然未繪示於圖式中，複數個電路圖案及一夾層導電貫孔，用以互相連接形成於互不相同層的電路圖案，可於絕緣層的層疊製程中形成。
電路圖案係由製造PCB的標準程序形成，例如，加法製程(additive process)、減法製程(subtractive process)、改良半加法製程(modified semi-additive process，MSAP)及半加法製程(semi-additive process)，其製程細節將不贅述。
此外，夾層導電貫孔藉由將金屬材料填充於通孔中而形成，其中通孔係透過機械、雷射及化學加工之至少一者而形成。
接著，參照圖9，穿透絕緣基板之上表面及下表面的通孔200包含第一至第六絕緣層110~160。
形成通孔200的製程可分為好幾個步驟。以下，將詳細敘述形成通孔200的製程。
參照圖10，包含第一至第六絕緣層110~160的第一通孔210穿透絕緣基板之上表面及下表面而形成。
第一通孔210透過使用圓鑽的機械加工法而形成。
因此，第一通孔210具有一表面形成於第四絕緣層140中，及另一表面延伸至第六絕緣層160中。
參照圖11，包含第一至第六絕緣層110~160的第二通孔220穿透絕緣基板之上表面及下表面而形成。
在形成第二通孔220時，第二通孔220的一部分與先前形成之第一通孔210重疊。
換句話說，圓鑽係用來形成位於第四絕緣層140之上表面的第二通孔220，且圓鑽的一部分與先前形成之第一通孔210重疊。也就是說，圓鑽的一部分置於先前形成的第一通孔210上。
因此，第一區域215形成於第二通孔220及第一通孔210之間的重疊區域。
參照圖12，包含第一至第六絕緣層110~160的第三通孔230
穿透絕緣基板的上表面及下表面而形成。
在形成第三通孔230時，第三通孔230的一部分與先前形成的第二通孔220重疊。
換句話說，圓鑽係用來形成位於第四絕緣層140之上表面的第三通孔230，且圓鑽的一部分與先前形成的第二通孔220重疊。也就是說，圓鑽的一部分置於先前形成的第二通孔220上。
因此，第二區域225形成於第三通孔230及第二通孔220之間的重疊區域。
參照圖13，包含第一至第六絕緣層110~160的第四通孔240穿透絕緣基板的上表面及下表面而形成。
在形成第四通孔240時，第四通孔240的一部分與先前形成的第三通孔230重疊。
因此，第三區域235形成於第四通孔240及第三通孔230之間的重疊區域。
參照圖14，包含第一至第六絕緣層110~160的第五通孔250穿透絕緣基板的上表面及下表面而形成。
在形成第五通孔250時，第五通孔250的一部分與先前形成的第四通孔240重疊。
因此，第四區域245形成於第五通孔250及第四通孔240之間的重疊區域。
藉由上述製程形成之第一通孔210、第二通孔220、第三通孔230、第四通孔240及第五通孔250彼此結合以形成一通孔200。在此情形下，通孔200具有環狀截面形狀。
參照圖15，金屬材料被填充於通孔200中以形成貫孔190。此外，第一墊170形成於第四絕緣層140的上表面上，第二墊180形成於第六絕緣層160的下表面上。
貫孔190可包含選自由銅、銀、錫、金、鎳及鈀(Cu,Ag,Sn,Au,Ni,Pd)所組成群組之一，並透過無電鍍法、電解電鍍法、絲網印刷法、濺鍍法、蒸鍍法、噴墨法及點膠法之任一者或其組合所形成。
較佳地，貫孔190可透過電解電鍍法形成。
若貫孔190透過電解電鍍法形成，電鍍層(未繪示)可於貫孔190形成前預先形成。電鍍層可形成於最頂層絕緣層的上表面、通孔200的內壁及最底層絕緣層的下表面上。
此外，電鍍層的一部分可構成第一墊170及第二墊180。
同時，由於通孔200具有一大面積，貫孔190可作如下配置。
參照圖16，當通孔200進行電鍍時，圖16中的A部分被電鍍。換句話說，當通孔200進行電鍍時，將進行於各通孔的邊緣區域。
若具有上述形狀之通孔200進行電鍍，相較於其他部分可窄化(突出)通孔之間的接觸部分，相較於其他部分具有更多的電子集中在接觸部分，使得電鍍成長率相較於其他部分更增加。
此外，如圖17所示，若電鍍持續進行，金屬材料被填充至B部分，如同圖16中的A部分一樣，最後將形成貫孔190。
圖18為根據第二實施例繪示之PCB剖面圖
參照圖18，PCB300包含第一絕緣層310、第二絕緣層320、第三絕緣層330、第四絕緣層340、第五絕緣層350、第六絕緣層360、第一墊312、第二墊314、第三墊322、第四墊332、第五墊342、第六墊352、第七墊362、第一貫孔316、第二貫孔324、第三貫孔334、第四貫孔344、第五貫孔354及第六貫孔364。
除了墊片及貫孔部分之外，圖18所示之PCB300與圖5所示之PCB100相同，因此以下敘述將著重於兩者不同之處。
根據第二實施例的貫孔可形成於各絕緣層中。
也就是說，與第一實施例不同之處在於貫孔係於全部絕緣層被層壓後才形成，第二實施例將貫孔對應於各絕緣層而形成。
因此，雖然第一實施例僅形成一貫孔，第二實施例中的貫孔係形成於各絕緣層中，且貫孔的數目與絕緣層的數目相對應。
第一至第六貫孔316~364的形狀與第一實施例中形成於PCB中的貫孔190形成相同，因此不再贅述其細節。
圖19至圖21為根據第二實施例繪示PCB的製造方法連續
剖面圖。
參照圖19，已準備了第一絕緣層310，而第一貫孔316、第一墊312及第二墊314形成於第一絕緣層310中。
形成第一貫孔316、第一墊312及第二墊314的方法與根據第二實施例形成貫孔190、第一墊170及第二墊180的方法相同，故不再贅述其細節。
接著，參照圖20，第二絕緣層320形成於第一絕緣層310上，且第五絕緣層350形成於第一絕緣層310下。
此外，第三墊322、第六墊352、第二貫孔324及第五貫孔354對應第二絕緣層320及第五絕緣層350而形成。
接著，參照圖21，分別形成第三絕緣層330、第四絕緣層340、第六絕緣層360、第四墊332、第五墊352、第七墊362、第三貫孔334、第四貫孔344及第六貫孔364。
此外，雖然已描述貫孔包含第一至第六貫孔316~364，其僅為示範之用。貫孔包含形成於基底絕緣層上方之上貫孔及形成於基底絕緣層下方之下貫孔。
後面將更詳細地描述貫孔。
根據本實施例內容，可發展具有新穎形狀的通孔並製造具有貫孔的PCB，以減少前置時間並節省製程成本。
此外，根據本實施例內容，貫孔可與複數層同時形成，以改善貫孔形成於多層中的對齊情形。
此外，根據本實施例內容，具有新穎形狀的貫孔可去除凹陷現象，以改善PCB的可靠度。
圖22為根據第三實施例所繪示之PCB剖面圖。
參照圖22，PCB400包含第一絕緣層410、第二絕緣層420、第三絕緣層430、第四絕緣層440、第五絕緣層450、第六絕緣層460、基墊415、第一貫孔470、第二貫孔480、第一外層墊490及第二外層墊495。第一外層墊490可為第一墊，而第二外層墊495可為第二墊。
此外，第一絕緣層410、第二絕緣層420、第三絕緣層430、
第四絕緣層440、第五絕緣層450及第六絕緣層460可根據第一墊分類為一基底絕緣層、一上絕緣層及一下絕緣層，以下將更詳細描述其細節。
第一絕緣層410、第二絕緣層420、第三絕緣層430、第四絕緣層440、第五絕緣層450及第六絕緣層460可構成一絕緣板並包含熱固性或熱塑性聚合基板、陶瓷基板、有機-無機組合基板或玻璃纖維浸漬基板。若該些絕緣層包含聚合樹脂，該些絕緣層包含環氧絕緣樹脂，例如：FR-4、BT樹脂(Bismaleimide Triazine，BT)或ABF樹脂(Ajinomoto Build up Film，ABF)。此外，該些絕緣層可包含聚酰亞胺基樹脂，但本實施例不限於此。
第一絕緣層410、第二絕緣層420、第三絕緣層430、第四絕緣層440、第五絕緣層450及第六絕緣層460可包含相同材料，較佳地，可包含由單一樹脂形成之一絕緣片。
第一絕緣層410可為一基底絕緣層。基底絕緣層可對應至一絕緣層，其首先形成於堆疊結構中並包含第一絕緣層410、第二絕緣層420、第三絕緣層430、第四絕緣層440、第五絕緣層450及第六絕緣層460。
基墊415可形成於第一絕緣層410之表面上。
基墊415係由製造PCB的標準程序形成，例如，加法製程、減法製程、改良半加法製程及半加法製程，其製程細節將不贅述。
基墊415可由包含銅的金屬形成。
第二絕緣層420、第三絕緣層430及第四絕緣層440連續層壓於第一絕緣層410上。
第五絕緣層450及第六絕緣層460連續層壓於第一絕緣層410下。
此外，第一通孔475形成於基墊415上之絕緣層中，而第二通孔485形成於基墊415下的絕緣層中。
第一通孔475形成於第二絕緣層420、第三絕緣層430及第四絕緣層440中。
第一通孔475藉由同時將第二絕緣層420、第三絕緣層430及第四絕緣層440開口而形成。
也就是說，第一絕緣層410為一基底絕緣層，而第二絕緣層
420、第三絕緣層430及第四絕緣層440為上絕緣層。
因此，形成於第二絕緣層420、第三絕緣層430及第四絕緣層440中之第一通孔475的寬度對應至上絕緣層之通孔的寬度及下絕緣層之通孔的寬度。
換句話說，形成於第二絕緣層420中通孔的上寬度與形成於第三絕緣層430中通孔的下寬度相同。
此外，形成於第三絕緣層430中通孔的上寬度與形成於第四絕緣層440中通孔的下寬度相同。
此外，第一貫孔470形成於第二絕緣層420、第三絕緣層430及第四絕緣層440中。也就是說，第一通孔475填充金屬材料以形成第一貫孔470。
第一貫孔470同時形成於第二絕緣層420、第三絕緣層430及第四絕緣層440中。
也就是說，第一貫孔470穿透第二絕緣層420、第三絕緣層430及第四絕緣層440，使得形成於第二絕緣層420、第三絕緣層430及第四絕緣層440中的貫孔可被整合。
此外，形成於第二絕緣層420的第一貫孔470之下表面與基
墊415的上表面直接接觸，形成於第二絕緣層420的第一貫孔470之上表面與形成於第三絕緣層430的第一貫孔470的下表面直接接觸。
此外，形成於第二絕緣層420的第一貫孔470的上寬度與形成於第三絕緣層430的第一貫孔470的下寬度相同。
形成於第三絕緣層430的第一貫孔470之上表面與形成於第四絕緣層440的第一貫孔470之下表面直接接觸。
此外，形成於第三絕緣層430的第一貫孔470之上寬度與形成於第四絕緣層440的第一貫孔470之下寬度相同。
此外，與第一貫孔470之上表面接觸的第一外層墊490形成於第四絕緣層440的上表面上。
也就是說，根據本實施例內容，包含複數個絕緣層的堆疊結構中除了基墊415之外，沒有任何墊片。此外，上述之外層墊形成於最外
層絕緣層之暴露表面上。
第二通孔485形成於第一絕緣層410、第五絕緣層450及第六絕緣層460中。
也就是說，第一絕緣層410、第五絕緣層450及第六絕緣層460設置於基墊415下，且第二通孔485形成於第一絕緣層410、第五絕緣層450及第六絕緣層460中。
第二通孔485係將第一絕緣層410、第五絕緣層450及第六絕緣層460同時開口而形成。
因此，形成於第一絕緣層410、第五絕緣層450及第六絕緣層460中第二通孔485的寬度對應至上絕緣層之通孔的寬度及下絕緣層之通孔的寬度。
換句話說，形成於第一絕緣層410之通孔的下寬度與形成於第五絕緣層450之通孔的上寬度相同。
此外，形成於第五絕緣層450中之通孔的下寬度與形成於第六絕緣層460之通孔的上寬度相同。
此外，第二貫孔480係形成於第一絕緣層410、第五絕緣層450及第六絕緣層460中。也就是說，第二通孔485填充金屬材料以形成第二貫孔480。
第二貫孔480同時形成於第一絕緣層410、第五絕緣層450及第六絕緣層460中。
也就是說，第二貫孔480穿透第一絕緣層410、第五絕緣層450及第六絕緣層460，使得形成於第一絕緣層410、第五絕緣層450及第六絕緣層460的貫孔得以被整合。
此外，形成於第一絕緣層410中第二貫孔480的上表面與基墊415的下表面直接接觸，形成於第五絕緣層450中第二貫孔480的上表面與形成於第一絕緣層410的第二貫孔480之下表面直接接觸。
此外，形成於第五絕緣層450中第二貫孔480的上寬度與形成於第一絕緣層410的第二貫孔480之下寬度相同。
形成於第六絕緣層460的第二貫孔480的上表面與形成於第
五絕緣層450的第二貫孔480的下表面直接接觸。
此外，形成於第六絕緣層460的第二貫孔480的上寬度與形成於第五絕緣層450的第二貫孔480的下寬度相同。
此外，與第二貫孔480之下表面接觸的第二外層墊495形成於第六絕緣層460的下表面上。
同時，第一貫孔470的寬度自一表面至另一表面逐漸增加，該表面與基墊415接觸。也就是說，第一貫孔470具有梯形，其上寬度大於其下寬度。
第二貫孔480的寬度自一表面至另一表面逐漸增加，該表面與基墊415接觸。也就是說，第二貫孔480具有梯形，其下寬度大於其上寬度。
有鑑於整體結構，第二貫孔480且有一寬度大於第一貫孔470的寬度。
第一貫孔170及第二貫孔180可包含選自由銅、銀、錫、金、鎳及鈀所組成群組之一，並透過無電鍍法、電解電鍍法、絲網印刷法、濺鍍法、蒸鍍法、噴墨法及點膠法之任一者或其組合所形成。
同時，形成於基墊415上方的絕緣層為上絕緣層，而形成於基墊415下方的絕緣層為下絕緣層。
由於基墊415形成於第一絕緣層410上作為基底絕緣層，因此第一絕緣層410包含於下絕緣層中。
同時，第一外層墊490形成於至少一上絕緣層之最頂層絕緣層上(也就是第四絕緣層)，第二外層墊495形成於至少一下絕緣層之最底層絕緣層上(也就是第六絕緣層)，而第一貫孔470及第二貫孔480依據基墊415的位置被分為上貫孔及下貫孔。
此外，除了第一外層墊、第二外層墊及基墊之外，基底絕緣層、上絕緣層及下絕緣層上沒有其他墊片連接第一貫孔及第二貫孔。
此外，雖然前面未描述，第一貫孔170及第二貫孔180且有與圖5之貫孔190相同的形狀。
也就是說，第一貫孔470具有如圖5所示貫孔190般的柱
狀，使得第一貫孔470包含彼此部分重疊的複數個貫孔部分。
與第一貫孔470相同，第二貫孔480包含彼此部分重疊的複數個貫孔部分。
根據本實施例內容，不需要除了基墊之外的額外墊片，以在設計PCB時增加其自由度。
此外，根據本實施例內容，通孔係由同時將複數層開口而形成，而貫孔係由填充通孔而形成，以減少前置時間並節省製程成本。
此外，根據本實施例內容，貫孔可同時形成於複數層中，以改善複數層中貫孔的對齊情形。
圖23至圖27為根據第三實施例繪示圖22中PCB製造方法的連續剖面圖。
參照圖23，已準備了PCB的核心元件，即第一絕緣層410，而基墊415形成於第一絕緣層410之上表面上。
接著，參照圖24，複數個絕緣層(上絕緣層)連續形成於第一絕緣層410之上表面上，而複數個絕緣層(下絕緣層)連續形成於第一絕緣層410之下表面上。
換句話說，當基墊415形成時，第二絕緣層420層壓於第一絕緣層410上。此外，當第二絕緣層420進行層壓時，第三絕緣層430層壓於第二絕緣層430上。此外，當第三絕緣層430進行層壓時，第四絕緣層440層壓於第三絕緣層430上。
此外，第五絕緣層450層壓於第一絕緣層410之下。此外，當第五絕緣層450進行層壓時，第六絕緣層460層壓於第五絕緣層450之下。
接著，參照圖25，形成於基墊415上方的絕緣層同時被開口以形成第一通孔475。
也就是說，形成於基墊415上方的第二絕緣層420、第三絕緣層430及第四絕緣層440同時開口以暴露基墊415的上表面。
第一通孔475可由機械、雷射及化學加工法之至少一者所形成。
若第一通孔475係由機械加工所形成，可使用研磨法、鑽孔法或佈線法。若第一通孔475係由雷射加工所形成，可使用UV雷射法或二氧化碳雷射法。若第一通孔475係由化學加工所形成，可使用化學物質，例如胺基矽烷或酮類將第二絕緣層420、第三絕緣層430及第四絕緣層440同時開口。
同時，由於雷射加工係將光學能量集中於材料表面，使得材料的一部分被融熔及蒸發，進而被切割為所需形式，因此可輕易地透過電腦程式完成複雜的形狀。
此外，由於使用雷射加工，可將材料切割至0.005mm直徑大小，因此具有較大的加工厚度範圍。
二氧化碳雷射係較佳地用於雷射加工鑽孔。二氧化碳雷射僅作用於絕緣層上，而基墊415可用於作為止動件，因此第二絕緣層420、第三絕緣層430及第四絕緣層440同時開口，使基墊415的上表面暴露於外。
接著，第二通孔485係將基墊415下方的絕緣層同時開口而
形成。
也就是說，基墊415下方的第一絕緣層410、第五絕緣層450及第六絕緣層460同時開口以暴露基墊415的下表面。
第二通孔485可由機械、雷射及化學加工法之至少一者所形成。
若第二通孔485係由機械加工所形成，可使用研磨法、鑽孔法或佈線法。若第二通孔485係由雷射加工所形成，可使用UV雷射法或二氧化碳雷射法。若第二通孔485係由化學加工所形成，可使用化學物質，例如胺基矽烷或酮類將第一絕緣層410、第五絕緣層450及第六絕緣層460同時開口。
接著，參照圖26，已形成第一通孔475及第二通孔485，外部電路圖案(未繪示)形成於第四絕緣層440的上表面及第六絕緣層460的下表面。同時，第一外層墊490形成於第四絕緣層440的上表面以暴露第一通孔475，而第二外層墊495形成於第六絕緣層460的下表面以暴露第二通孔485。
接著，如圖27所示，將金屬漿料填充於第一通孔475中以將第一貫孔470形成於第一通孔475中。
第一貫孔470穿透第二絕緣層420、第三絕緣層430及第四絕緣層440而形成。可整合穿透第二絕緣層420、第三絕緣層430及第四絕緣層440而形成的第一貫孔470。
此外，金屬漿料填充於第二通孔485中以將第二貫孔480形成於第二通孔485中。
第二貫孔480穿透第一絕緣層410、第五絕緣層450及第六絕緣層460而形成。可整合穿透第一絕緣層410、第五絕緣層450及第六絕緣層460而形成的第二貫孔480
圖28為根據第四實施例繪示之PCB剖面圖。
參照圖28，PCB500包含第一絕緣層510、第二絕緣層520、第三絕緣層530、第四絕緣層540、第五絕緣層550、第六絕緣層560、基墊515、第一貫孔570、第二貫孔580、第一外層墊590及第二外層墊595。
根據第四實施例之PCB與根據第三實施例之PCB除了基墊515的位置之外，大致上相同。
此外，由於第四實施例之PCB的基墊515的位置的關係，第一貫孔570及第二貫孔580的形狀與第三實施例之PCB中第一貫孔470及第二貫孔480的形狀不同。
也就是說，基墊515形成於PCB500之第一絕緣層510的下表面上。
此外，第二絕緣層520、第三絕緣層530、第四絕緣層540及第五絕緣層550連續層壓於第一絕緣層510上。
此外，只有第六絕緣層560形成於第一絕緣層510下方。
因此，第一貫孔570穿透第一絕緣層510、第二絕緣層520、第三絕緣層530、第四絕緣層540及第五絕緣層550而形成。
此外，第二貫孔580僅形成於第六絕緣層560上。
圖29至圖31為根據第四實施例之圖28所示PCB製造方法的連續剖面圖。
參照圖29，已準備了第一絕緣層510，其為PCB的核心元件，且基墊515形成於第一絕緣層510的下表面上。
接著，參照圖30，複數個絕緣層連續形成於第一絕緣層510的上表面上，而一絕緣層形成於第一絕緣層510的下表面上。
換句話說，當形成基墊515時，第二絕緣層520層壓於第一絕緣層510上。此外，當第二絕緣層520被層壓時，第三絕緣層530被層壓於第二絕緣層520上。此外，當第三絕緣層530被層壓時，第四絕緣層540被層壓於第三絕緣層530上。此外，當第四絕緣層540被層壓時，第五絕緣層550被層壓於第四絕緣層540上。
此外，第六絕緣層被層壓於第一絕緣層510下。
接著，形成於基墊515上的絕緣層同時開口以形成第一通孔575。
也就是說，形成於基墊515上方的上絕緣層，第一絕緣層510、第二絕緣層520、第三絕緣層530、第四絕緣層540及第五絕緣層550同時被開口以暴露基墊515的上表面。
此外，形成於基墊515下方的第六絕緣層560被開口以形成第二通孔585，而第二通孔585暴露基墊515的下表面。
接著，參照圖31，已形成第一通孔575及第二通孔585，金屬漿料填充於第一通孔575中以將第一貫孔570形成於第一通孔575中。同時，延伸至第五絕緣層550之表面的第一外層墊590形成於第一貫孔570的上端。
此外，金屬漿料填充於第二通孔585中將第二貫孔580形成於第二通孔585中。
圖32為根據第五實施例之PCB剖面圖。
參照圖32，PCB600包含第一絕緣層610、第二絕緣層620、第三絕緣層630、第四絕緣層640、第五絕緣層650、第六絕緣層660、基墊615、第一貫孔670、第二貫孔680、第一外層墊690及第二外層墊695。
根據第五實施例之PCB與根據第三及第四實施例之PCB除了基墊615的位置之外，大致上相同。
此外，由於第五實施例中基墊615的位置的關係，第一貫孔670及第二貫孔680的形狀與根據第三及第四實施例之PCB的第一貫孔及第二貫孔的形狀不同。
也就是說，基墊615形成於PCB600的第一絕緣層610的上表面上。
此外，只有第二絕緣層620層壓於第一絕緣層610上。
此外，第三絕緣層630、第四絕緣層640、第五絕緣層650及第六絕緣層660形成於第一絕緣層610下。
因此，只有第一貫孔670形成於第二絕緣層620中，而第二貫孔680穿透第一絕緣層610、第三絕緣層630、第四絕緣層640、第五絕緣層650、第六絕緣層660而形成。
圖33至圖35為根據第五實施例繪示圖32之PCB製造方法的連續剖面圖。
參照圖33，已準備了第一絕緣層610，其為PCB的核心元件，且基墊615形成於第一絕緣層610的上表面上。
接著，參照圖34，一上絕緣層形成於第一絕緣層610之上表面上，複數個絕緣層連續形成於第一絕緣層610之下表面上。
換句話說，當基墊615形成時，第二絕緣層620層壓於第一絕緣層610上。
此外，第三絕緣層630層壓於第一絕緣層610下。此外，當第三絕緣層630被層壓時，第四絕緣層640被層壓於第的絕緣層630下。此外，當第四絕緣層640被層壓時，第五絕緣層650被層壓於第四絕緣層640下。此外，當第五絕緣層650被層壓時，第六絕緣層660被層壓於第五絕緣層650下。
此外，形成於基墊615上的第二絕緣層620被開口以形成第一通孔675。
接著，將形成於基墊615下方的第一絕緣層610、第三絕緣層630、第四絕緣層640、第五絕緣層650及第六絕緣層660同時開口以暴露基墊615的下表面。
接著，參照圖35，已形成第一通孔675及第二通孔685，金屬漿料填充於第一通孔675中將第一貫孔670形成於第一通孔675中。同時，延伸至第五絕緣層650表面的第一外層墊690形成於第一貫孔670的上端。
此外，金屬漿料填充於第二通孔685中將第二貫孔680形成於第二通孔685中。
根據本發明內容，不需要除了基墊之外的額外墊片，以在設計PCB時增加其自由度。
此外，根據本發明內容，可將複數層同時開口以形成通孔，再填充通孔以形成貫孔，以減少前置時間並節省製程成本。
此外，根據本發明內容，由於貫孔可同時形成於複數層中，可改善貫孔形成於複數層中的對齊情形。
在本說明書中的任何參考文獻對一實施例、實施例、示範實施例等表示特定特徵、結構或特性被包含在本發明之至少一實施例中。在本說明書中各個地方出現這類的句子不一定都指向相同的實施例。此外，當一特定特徵、結構或特性與任何實施例結合描述時，熟習本領域的技術人員可用其他實施例來實現相同的特徵、結構或特性來達到相同的效果。
雖然已經參考了一些結構實例來描述其中的實施例，熟習本領域的技術人員可以設計出許多在本領域及範圍內的其他修改方法和實施例。更具體地說，本揭露、圖示及附屬請求項範圍的物件組合配置中元件及/或配置的各種變化及修改都是可能的。除了組成元件及/或配置的變化和修改，替代用途對熟習本領域的技術人員是顯而易見的。
100‧‧‧PCB
110‧‧‧第一絕緣層
120‧‧‧第二絕緣層
130‧‧‧第三絕緣層
140‧‧‧第四絕緣層
150‧‧‧第五絕緣層
160‧‧‧第六絕緣層
170‧‧‧第一墊
180‧‧‧第二墊
190‧‧‧貫孔
Claims (8)
- 一種印刷電路板，包含一基底絕緣層；複數個上絕緣層位於該基底絕緣層上；複數個下絕緣層位於該基底絕緣層下；一第一墊，位於該些上絕緣層中一最上面絕緣層之上表面上；一第二墊，位於該些下絕緣層中一最下面絕緣層之下表面上；以及一基墊，位於該基底絕緣層的一上表面；一上貫孔，以一垂直方向穿通該些上絕緣層；一下貫孔，以一垂直方向穿通該些下絕緣層；其中該上貫孔包括複數個上貫孔部分，該些上貫孔部分在水平方向上至少部分地彼此重疊，其中該下貫孔包括複數個下貫孔部分，該些下貫孔部分在水平方向上至少部分地彼此重疊，其中該下貫孔具有一區域大於該上貫孔，其中該上貫孔的一上表面的一寬度寬於該上貫孔的一下表面的一寬度，其中該下貫孔一下表面的一寬度寬於該下貫孔的一上表面的一寬度，其中該些上絕緣層包括一第一上絕緣層位於該基底絕緣層上以及一第二上絕緣層位於該第一上絕緣層上，其中上貫孔包括穿過該第一上絕緣層形成的一第一部分及穿過該第二上絕緣層形成的一第二部分，其中該第一部分的上表面的一寬度等於該第二部分的下表面的一寬度，其中該第一部分和該第二部分的一垂直橫截面一起具有梯形形狀，其中該下絕緣層包括一第一下絕緣層位於該基底絕緣層下以及一第二下絕緣層位於該第一下絕緣層下，其中下貫孔包括穿過該第一下絕緣層形成的一第三部分及穿過該第二下絕緣層形成的一第四部分， 其中該第三部分的下表面的一寬度等於該第四部分的上表面的一寬度，其中該第三部分和該第四部分的一垂直橫截面一起具有梯形形狀。
- 如申請專利範圍第1項所述之印刷電路板，其中該上貫孔的該上表面接觸該第一墊的一下表面，其中上貫孔的該下表面接觸該基墊的一上表面。
- 如申請專利範圍第2項所述之印刷電路板，其中每一該上貫孔部分及該下貫孔部分的上截面具有環狀。
- 如申請專利範圍第3項所述之印刷電路板，其中該上貫孔部分包括：一第一上貫孔部分，穿透該些上絕緣層而形成；以及一第二上貫孔部分，相鄰於該第一上貫孔部分，且穿透該些上絕緣層而形成，其中該第一上貫孔部分的一側部重疊該第二上貫孔部分的一側部，其中該第一上貫孔部分的該側部與該第二上貫孔部分的該側部直接物理接觸。
- 如申請專利範圍第4項所述之印刷電路板，其中該下貫孔部分包括：一第一下貫孔部分，穿透該些下絕緣層而形成；以及一第二下貫孔部分，相鄰於該第一下貫孔部分，且穿透該些下絕緣層而形成，其中該第一下貫孔部分的一側部重疊該第二下貫孔部分的一側部，其中該第一下貫孔部分的該側部與該第二下貫孔部分的該側部直接物理接觸。
- 如申請專利範圍第5項所述之印刷電路板，其中該上貫孔的該上表面與該最上面絕緣層的該上表面位於相同平面，其中該下貫孔的該下表面與該最下面絕緣層的該下表面位於相同平面。
- 如申請專利範圍第6項所述之印刷電路板，其中該上貫孔和該下貫孔是基於該基墊的區分，並且其中該基底絕緣層，該上絕緣層和該下絕緣層沒有連接該上貫孔和該下貫孔的墊片，除了該第一墊，該第二墊和基墊。
- 如申請專利範圍第7項所述之印刷電路板，其中該下貫孔的該上表面接觸該基墊的一下表面，其中下貫孔的該下表面接觸該第二墊的一上表面。
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