TWI681378B - 顯示面板 - Google Patents

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Abstract

一種顯示面板包含移位暫存電路以及畫素電路。移位暫存電路包含第一電晶體，耦接於輸出補償訊號的輸出端。畫素電路包含電容、第二至第四電晶體及發光二極體。電容的一端接收補償訊號，而另一端耦接於第一節點。第二電晶體依據掃描訊號接收資料訊號。第三電晶體依據掃描訊號接收補償訊號，且第三電晶體的一端耦接於第二節點。第四電晶體的一端耦接於第二節點，控制端耦接於電容的一端。發光二極體的一端耦接於第二節點。第四電晶體與第一電晶體相同。

Description

顯示面板
本揭示文件有關一種顯示面板，尤指一種可補償有機發光二極體的電晶體以及移位暫存電路的電晶體的臨界電壓變異的顯示面板。
有機發光二極體(OLED)作為一種電流型發光元件已越來越常被應用於高性能顯示中。與液晶顯示器(LCD)相比，OLED具有高對比、超輕薄、可彎曲等諸多優點。但是，亮度均勻性和殘像仍然是OLED目前面臨的兩個主要難題，因此需要透過補償技術以解決這兩個問題。補償方法可以分為內部補償和外部補償。內部補償是指在畫素電路內部利用電晶體構建的子電路以進行補償的方法。外部補償是指透過外部的驅動電路以進行補償的方法。
通常OLED的發光亮度和電流成正比，而電流是由電晶體(TFT)提供的，其中如電晶體的閾值電壓隨著老化而改變等因素即會影響電流大小。補償技術的主要目的就是要消除這些因素的影響，以讓畫素電路的亮度達到理想值。然而，傳統的補償電路元件數眾多，難以達到高解析度。
本案之一態樣是在提供一種顯示面板。此顯示面板包含第一移位暫存電路以及畫素電路。第一移位暫存電路包含第一電晶體。第一電晶體耦接於第一輸出端。第一輸出端輸出補償訊號。畫素電路包含電容、第二電晶體、第三電晶體、第四電晶體以及發光二極體。電容的第一端用以接收補償訊號，而電容的第二端耦接於第一節點。第二電晶體用以依據第一移位暫存電路輸出的掃描訊號接收資料訊號。第三電晶體用以依據掃描訊號接收補償訊號。第三電晶體的第一端耦接於第二節點。第四電晶體的控制端耦接於電容的第二端，第四電晶體的第一端耦接於第二節點，第四電晶體的第二端用以接收第一電源電壓。發光二極體的第一端耦接於第二節點，發光二極體的第二端用以接收第二電源電壓。第四電晶體與第一電晶體相同。
因此，根據本案之技術態樣，本案之實施方式藉由提供一種顯示面板，以達到結合補償與調光控制功能。此外，由於於本案之實施方式中，利用鄰近電晶體的電性接近的特性，藉由移位暫存電路以補償畫素電路的電晶體，畫素電路中僅需三個電晶體和一個電容(3T1C)即可實現補償與調光控制的功能，相較於傳統的補償電路元件數較少。
100‧‧‧顯示面板
110‧‧‧閘極驅動器
130‧‧‧源極驅動器
AA‧‧‧顯示區域
P11至PMN‧‧‧畫素電路
G1至GM‧‧‧閘極線
S1至SN‧‧‧源極線
115-1至115-M‧‧‧移位暫存電路
200、800、1000‧‧‧移位暫存電路
300、500、600、700、900‧‧‧畫素電路
400‧‧‧訊號波形圖
OLED‧‧‧發光二極體
N1、N2‧‧‧節點
EM[N]、EM[N-1]‧‧‧致能訊號
EnB、EnA‧‧‧時脈訊號
VGL、VGH‧‧‧電位
Vcomp[N]、Vcomp[N-1]‧‧‧補償訊號
T1至T12、Tc、Td‧‧‧電晶體
C1至C3‧‧‧電容
OT1、OT2‧‧‧輸出端
OVDD、OVSS‧‧‧電源電壓
Scan[N]、Scan[N-1]‧‧‧掃描訊號
Vdata‧‧‧資料訊號
VH、VL、V1至V3‧‧‧電位
TP1至TP3‧‧‧時間區間
為讓揭示文件之上述和其他目的、特徵、優點與實施例能更明顯易懂，所附圖式之說明如下： 第1圖係根據本案之一些實施例所繪示之一種顯示面板的示意圖；第2圖係根據本案之一些實施例所繪示之一種移位暫存電路的示意圖；第3圖係根據本案之一些實施例所繪示之一種畫素電路的示意圖；第4圖係根據本案之一些實施例所繪示之一種訊號波形圖的示意圖；第5圖係根據本案之一些實施例所繪示之一種畫素電路操作於復位時間區間的操作示意圖；第6圖係根據本案之一些實施例所繪示之一種畫素電路操作於補償時間區間的操作示意圖；第7圖係根據本案之一些實施例所繪示之一種畫素電路操作於發光時間區間的操作示意圖；第8圖係根據本案之一些實施例所繪示之另一種移位暫存電路的示意圖；第9圖係根據本案之一些實施例所繪示之另一種畫素電路的示意圖；以及第10圖係根據本案之一些實施例所繪示之另一種移位暫存電路的示意圖。
以下將配合相關圖式來說明本揭示內容的實施例。在圖式中，相同的標號表示相同或類似的元件或方法流 程。
請參閱第1圖。第1圖係根據本案之一些實施例所繪示之一種顯示面板100的示意圖。如第1圖所繪示，顯示面板100包含閘極驅動器110、源極驅動器130以及顯示區域AA。顯示區域AA包含多個畫素電路P11至PMN，形成一個M×N的畫素陣列。閘極驅動器110包含多個移位暫存電路115-1至115-M。
於連接關係上，多個移位暫存電路115-1至115-M中的每一者耦接至多條閘極線G1至GM中之一者。多個畫素電路P11至PMN中的每一者耦接至多條閘極線G1至GM中之一者以及多條源極線S1至SN中之一者。詳細而言，移位暫存電路115-1耦接至閘極線G1，移位暫存電路115-2耦接至閘極線G2，其餘依此類推。閘極線G1與畫素電路P11至P1N相耦接，閘極線G2與畫素電路P21至P2N相耦接，其餘依此類推。源極線S1與畫素電路P11至PM1相耦接，源極線S2與畫素電路P12至PM2相耦接，其餘依此類推。
此外，多個移位暫存電路115-1至115-M彼此串聯，用以每隔固定間隔輸出掃描訊號至顯示區域AA的多個畫素電路P11至PMN。移位暫存電路115-1至115-M中的每一者依據時脈信號，將輸入訊號延遲輸出而為輸出訊號。而下一級的移位暫存電路則將上一級的移位暫存電路的輸出訊號做為輸入訊號，再延遲輸出成為自身的輸出訊號，並經由相耦接的多條閘極線G1至GM中之一者將輸出訊號作 為掃描訊號輸出，以更新與多條閘極線G1至GM中之一者相耦接之部分之多個畫素電路P11至PMN。
需注意的是，於第1圖中所繪示的顯示面板100僅作為例示說明之用，但本案的實施方式不以此為限。
關於移位暫存電路115-1至115-M與畫素電路P11至PMN的詳細結構，將於以下參照第2圖至第3圖進行說明。
請參閱第2圖。第2圖係根據本案之一些實施例所繪示之一種移位暫存電路200的示意圖。如第2圖所繪示的移位暫存電路200可用以表示如第1圖所繪示的移位暫存電路115-1至115-M的其中一者。如第2圖所繪示，移位暫存電路200包含多個電晶體T1至T9、Tc以及電容C1、C2。電晶體Tc耦皆於輸出端OT1，而輸出端OT1輸出補償訊號Vcomp[N]。Vcomp[N]代表的是第N級移位暫存電路200所輸出的補償訊號。
請參閱第3圖。第3圖係根據本案之一些實施例所繪示之一種畫素電路300的示意圖。如第3圖所繪示的畫素電路300可用以表示如第1圖所繪示的畫素電路P11至PMN的其中一者。如第3圖所繪示，畫素電路300包含多個電晶體T10至T12、電容C3以及發光二極體OLED。需注意的是，於部分之實施例中，畫素電路300與移位暫存電路200耦接於同一條閘極線。
詳細而言，電容C3的第一端用以接收補償訊號Vcomp[N]，而電容C3的第二端耦接於節點N1。電晶體T10 的控制端用以接收移位暫存電路200所輸出的掃描訊號Scan[N]，電晶體T10的第一端用以接收資料訊號Vdata，電晶體T10的第二端耦接於節點N1。電晶體T10依據掃描訊號Scan[N]由多條源極線S1至SN中之一者接收資料訊號Vdata。
電晶體T11的控制端用以接收移位暫存電路200所輸出的掃描訊號Scan[N]，電晶體T11的第一端耦接於節點N2，電晶體T11的第二端用以接收補償訊號Vcomp[N]。電晶體T11依據掃描訊號Scan[N]接收補償訊號Vcomp[N]。電晶體T12的控制端耦接於節點N1，電晶體T12的第一端耦接於節點N2，電晶體T12的第二端用以接收電源電壓OVDD。發光二極體OLED的第一端耦接於節點N2，發光二極體OLED的第二端用以接收電源電壓OVSS。於本實施例中，移位暫存電路200的輸出端OT1輸出補償訊號Vcomp[N]至電容C3的第一端以及電晶體T11的第二端。
需注意的是，於本案的實施例中，電晶體T12與電晶體Tc為具有相同規格的電晶體，舉例而言，兩者的電晶體遷移率、閾值電壓、通道寬度等參數皆相同。
關於移位暫存電路115-1至115-M與畫素電路P11至PMN的詳細操作方法，將於以下參照第4圖至第7圖進行說明。
請參閱第4圖。第4圖係根據本案之一些實施例所繪示之一種訊號波形圖400的示意圖。請一併參閱第2圖。Scan[N]為由第N級的移位暫存器200所輸出的掃描訊 號，於部分實施例中，掃描訊號是由移位暫存器200的輸出端OT2所輸出。Scam[N-1]為由第N-1級的移位暫存器200所輸出的掃描訊號。Vcomp[N]是由第N級的移位暫存器200所輸出的補償訊號，於部分實施例中，補償訊號是由移位暫存器200的輸出端OT1所輸出。Vcomp[N-1]是由第N-1級的移位暫存器200所輸出的補償訊號。
如第4圖所繪示，訊號波形圖400包含復位時間區間TP1、補償時間區間TP2以及發光時間區間TP3。關於各個時間區間內的詳細操作將於以下參閱第5圖至第7圖一併說明。
請一併參閱第4圖與第5圖。第5圖係根據本案之一些實施例所繪示之一種畫素電路300操作於復位時間區間TP1的操作示意圖。
如第4圖所繪示，於復位時間區間TP1內，掃描訊號Scan[N]為高電位VH，補償訊號Vcomp[N]為電位V1。
如第5圖所繪示，於復位時間區間TP1內，電容C3的第一端為補償訊號Vcomp[N]的電位V1，電位V1為高電位。電容C3將高電位V1由電容C3的第一端耦合至電容C3的第二端，即此時端點N1的電壓亦為高電位V1。由於端點N1的電壓為高電位V1，電晶體T12的控制端為高電位V1，因此電晶體T12不導通。此外，由於掃描訊號Scan[N]為高電位VH，電晶體T10的控制端與電晶體T11的控制端均接收高電位VH，因此電晶體T10與電晶體T11均不導 通。而由於電晶體T11、T12均不導通，發光二極體OLED不會發亮。
由上述可知，於本案的實施方式中，於復位時間區間TP1內，利用電容耦合(couple)的方式關閉電晶體T12以及發光二極體OLED，以達到電磁調光(EM dimming)的功能。
請一併參閱第4圖與第6圖。第6圖係根據本案之一些實施例所繪示之一種畫素電路300操作於補償時間區間TP2的操作示意圖。
如第4圖所繪示，於補償時間區間TP2內，掃描訊號Scan[N]為低電位VL，補償訊號Vcomp[N]由電位V1降至電位V2。需注意的是，電位V2為電位V3加上電晶體Tc的跨壓VTH_Tc。
如第6圖所繪示，於補償時間區間TP2內，電容C3的第一端由電位V1降至電位V2。由於掃描訊號Scan[N]為低電位VL，電晶體T10、T11的控制端接收掃描訊號Scan[N]的低電位VL，因此電晶體T10、T11導通。由於電晶體T10導通，資料訊號Vdata經由電晶體T10傳送至節點N1。由於資料電壓Vdata為一低電壓，此時電晶體T12的控制端接收低電壓的資料電壓Vdata，電晶體T12導通。而由於電晶體T11、T12均導通，電流由OVDD經由電晶體T12流至電晶體T11。此時，節點N2的分壓較電源電壓OVSS低，因此發光二極體OLED不導通。
由上述可知，於本案的實施方式中，於補償時 間區間TP2內，於寫入資料訊號Vdata的同時重置發光二極體OLED的陽極(即節點N2)的電壓，以使發光二極體OLED的陽極維持在較電源電壓OVSS較低的電壓，以確保發光二極體OLED不會發亮。
於部分之實施例中，節點N2的分壓為-5V，而電源電壓OVSS為-3.3V，然而本案之實施方式不以此為限。
請一併參閱第4圖與第7圖。第7圖係根據本案之一些實施例所繪示之一種畫素電路300操作於發光時間區間TP3的操作示意圖。
如第4圖所繪示，於發光時間區間TP3內，掃描訊號Scan[N]回到高電位VH，補償訊號Vcomp[N]由電位V2降至電位V3。需注意的是，於掃描訊號Scan[N]由低電位VL升高至高電位VH後，補償訊號Vcomp[N]才由電位V2降至電位V3，如此才不會造成畫素電路300的操作錯誤。
如第7圖所繪示，於發光時間區間TP3內，由於掃描訊號Scan[N]回到高電位VH，電晶體T10、T11的控制端接收掃描訊號Scan[N]的高電位VH，因此電晶體T10、T11不導通。此時，電容C3為浮接(floating)的狀態。由於電容C3的第一端的電位由電位V2下降至電位V3(即V2-VTH_TC)，由於電容耦合，當電容C3的第一端的電位下降跨壓VTH_TC的電壓值時，電容C3的第二端的電位亦會下降跨壓VTH_TC的電壓值。即電容C3的第二端的電位會由電位Vdata下降至Vdata-VTH_TC。而由於電晶體T12的特性與電晶體TC類似，因此電晶體T12的臨界電壓| VTH_T12 |與 電晶體Tc的臨界電壓| VTH_Tc |相同，即電位Vdata-VTH_TC=電位Vdata-VTH_T12。此外，由於電位Vdata-VTH_TC仍為低電位，此時電晶體T12導通，電流由電源電壓OVDD經由電晶體T12以及發光二極體OLED流至電源電壓OVSS。此時，發光二極體OLED發亮。
電晶體T12產生的驅動電流IOLED由《公式1》可得知。《公式1》如下所示：
Figure 107140640-A0101-12-0010-1
由上述可知，於本案的實施方式中，於發光時間區間TP3內，可於控制發光二極體OLED發亮的同時對驅動電晶體T12進行補償。
此外，請一併參閱第1圖。由於移位暫存電路150A至150M的電晶體Tc與畫素電路P11至PM1的電晶體T12相近，於本案的實施方式中，利用鄰近電晶體的電性接近的特性，因此，透過上述操作而能藉由移位暫存電路150A至150M來補償畫素電路P11至PM1的電晶體T12。
由上述可知，於本案的實施方式中，於畫素電路中僅需三個電晶體和一個電容(3T1C)即可實現，相較於傳統的補償電路元件數較少。於本案的實施方式中結合了補償與調光控制功能。詳細而言，於復位時間區間TP1內，利用電容耦合(couple)的方式關閉電晶體T12以及發光二極體OLED，以達到電磁調光(EM dimming)的功能；於補償 時間區間TP2內，於寫入資料訊號Vdata的同時重置發光二極體OLED的陽極(即節點N2)的電壓，以使發光二極體OLED的陽極維持在較電源電壓OVSS較低的電壓，以確保發光二極體OLED不會發亮；於發光時間區間TP3內，可於控制發光二極體OLED發亮的同時對驅動電晶體T12進行補償。此外，本案的實施方式亦利用鄰近電晶體的電性接近的特性，於補償畫素電路P11至PM1的電晶體T12的同時對移位暫存電路150A至150M的電晶體Tc進行補償。
請回頭參閱第2圖。如第2圖所繪示，移位暫存電路200更包含電晶體T9、T10、T11。電晶體T9耦接於輸出端OT1。電晶體T10、T11耦接於輸出端OT2。輸出端OT2用以輸出如第4圖中的掃描訊號Scan[N]至如第3圖中的畫素電路300。需注意的是，於本案的實施方式中，輸出端OT2所輸出的訊號除了可作為致能訊號EM[N]輸出至下一級的移位暫存電路之外，亦可作為掃描訊號Scan[N]輸出至畫素電路300。
如第2圖所繪式的移位暫存電路200僅作為例示說明之用，各種形式的移位暫存電路200配合如第4圖所示的訊號波形圖400以及如第3圖所示的畫素電路300均可實現本案之技術特徵，本案之實施方式並不以第2圖所繪式之移位暫存電路200為限。
此外，於實作上，電晶體T1至T12、Tc可以用P型的低溫多晶矽薄膜電晶體來實現，但本實施例並不以此為限。例如，電晶體T1至T12、Tc也可以用P型的非晶矽 (amorphous silicon)薄膜電晶體來實現。在一些實施方式中，也可以採用N型的薄膜電晶體來實現，本發明不限制所採用的電晶體型態。
請參閱第8圖。第8圖係根據本案之一些實施例所繪示之另一種移位暫存電路800的示意圖。移位暫存電路800與第2圖的移位暫存電路200的差異在於移位暫存電路800更包含電晶體Td，其餘之元件與結構與移位暫存電路200相同。如第8圖所繪示，電晶體Td與電晶體Tc並聯，且電晶體Td與電晶體Tc相同。於此處並聯的電晶體數量可依據閘極負荷的需求調整，然而，電晶體並聯的數量並不會影響本案中的補償功能。
請參閱第9圖。第9圖係根據本案之一些實施例所繪示之另一種畫素電路900的示意圖。畫素電路900與如第3圖的畫素電路300的差異在於電晶體T11的第二端所接收的訊號為補償訊號Vcomp[N-1]，餘之元件與結構與移位畫素電路300相同。即於畫素電路900中，電晶體T11的第二端所接收的訊號為前一級的移位暫存電路所輸出的補償訊號。請一併參閱第4圖，由於在補償時間區間TP2內，補償訊號Vcomp[N-1]的電位降至電位V3，而此時補償訊號Vcomp[N]的電位為電位V2，即補償訊號Vcomp[N-1]的電位較補償訊號Vcomp[N]的電位還要低。如此，於補償時間區間TP2內，可於發光二極體OLED的陽極端製造出更低的分壓，於重置發光二極體OLED的陽極端的電壓時可達到更佳的效果，並更好的控制使發光二極體OLED不會發亮。
請參閱第10圖。第10圖係根據本案之一些實施例所繪示之另一種移位暫存電路1000的示意圖。移位暫存電路800與第2圖的移位暫存電路200的差異在於移位暫存電路800不包含電晶體T7、T8，其餘之元件與結構與移位暫存電路200相同。即，於移位暫存電路1000中，將輸出補償訊號Vcomp[N]與輸出掃描訊號Scan[N]或致能訊號EM[N]的電路分開以不同的電路實現。此外，移位暫存電路1000亦可如第8圖所繪示將電晶體Td與電晶體Tc並聯。
第2圖中的移位暫存電路200、第3圖中的畫素電路300、第9圖中的畫素電路900以及如第10圖中的移位暫存電路1000可互相搭配實施。例如第2圖中的移位暫存電路200可搭配第3圖中的畫素電路300或第9圖中的畫素電路900，而第10圖中的移位暫存電路1000可搭配第3圖中的畫素電路300或第9圖中的畫素電路900。
綜上所述，本揭示內容之顯示面板可達到結合補償與調光控制功能。此外，於本案之實施方式中，畫素電路中僅需三個電晶體和一個電容(3T1C)即可實現補償與調光控制的功能，相較於傳統的補償電路元件數較少。再者，於本案的實施方式中並利用鄰近電晶體的電性接近的特性，透過上述操作而能藉由移位暫存電路以補償畫素電路的電晶體。
在說明書及申請專利範圍中使用了某些詞彙來指稱特定的元件。然而，所屬技術領域中具有通常知識者應可理解，同樣的元件可能會用不同的名詞來稱呼。說明書及申請專利範圍並不以名稱的差異做為區分元件的方式，而是 以元件在功能上的差異來做為區分的基準。在說明書及申請專利範圍所提及的「包含」為開放式的用語，故應解釋成「包含但不限定於」。另外，「耦接」在此包含任何直接及間接的連接手段。因此，若文中描述第一元件耦接於第二元件，則代表第一元件可通過電性連接或無線傳輸、光學傳輸等信號連接方式而直接地連接於第二元件，或者通過其他元件或連接手段間接地電性或信號連接至該第二元件。
另外，除非說明書中特別指明，否則任何單數格的用語都同時包含複數格的涵義。
雖然本揭示內容已以實施方式揭露如上，然其並非用以限定本揭示內容，任何熟習此技藝者，在不脫離本揭示內容之精神和範圍內，當可作各種更動與潤飾，因此本揭示內容之保護範圍當視後附之申請專利範圍所界定者為準。
300‧‧‧畫素電路
OLED‧‧‧發光二極體
N1、N2‧‧‧節點
Vcomp[N]‧‧‧補償訊號
T10至T12‧‧‧電晶體
C3‧‧‧電容
OVDD、OVSS‧‧‧電源電壓
Scan[N]‧‧‧掃描訊號
Vdata‧‧‧資料訊號

Claims (10)

  1. 一種顯示面板，包含：一第一移位暫存電路，包含一第一電晶體，耦接於一第一輸出端，其中該第一輸出端輸出一補償訊號，其中該第一移位暫存電路更包含一第五電晶體，與該第一電晶體並聯，且該第五電晶體與該第一電晶體相同；一畫素電路，包含：一電容，其中該電容的一第一端用以接收該補償訊號，而該電容的一第二端耦接於一第一節點；一第二電晶體，用以依據該第一移位暫存電路輸出的一掃描訊號接收一資料訊號；一第三電晶體，用以依據該掃描訊號接收該補償訊號，其中該第三電晶體的一第一端耦接於一第二節點；一第四電晶體，其中該第四電晶體的一控制端耦接於該第一節點，該第四電晶體的一第一端耦接於該第二節點，該第四電晶體的一第二端用以接收一第一電源電壓；一發光二極體，其中該發光二極體的一第一端耦接於該第二節點，該發光二極體的一第二端用以接收一第二電源電壓；其中該第四電晶體與該第一電晶體相同。
  2. 如請求項1的顯示面板，其中該第一移位 暫存電路用以由該第一輸出端輸出該補償訊號至該畫素電路的該電容的該第一端以及該畫素電路的該第三電晶體的一第二端。
  3. 如請求項2的顯示面板，其中該第五電晶體耦接於該第一輸出端，其中該第一移位暫存電路更包含：一第六電晶體；以及一第七電晶體，其中該第六電晶體與該第七電晶體耦接於該第一移位暫存電路的一第二輸出端，且該第一移位暫存電路的該第二輸出端用以輸出該掃描訊號至該畫素電路。
  4. 如請求項1的顯示面板，其中該第一移位暫存電路用以由該第一移位暫存電路的該第一輸出端輸出該第一移位暫存電路的該補償訊號至該畫素電路的該電容的該第一端，其中該顯示面板更包含：一第二移位暫存電路，用以由該第二移位暫存電路的一第一輸出端輸出該第二移位暫存電路的一第二補償訊號至該第三電晶體的一第二端，其中該第二移位暫存電路為該第一移位暫存電路之前一級。
  5. 如請求項4的顯示面板，其中該第五電晶體耦接於該第一移位暫存電路的該第一輸出端，其中該第一移位暫存電路更包含： 一第六電晶體；以及一第七電晶體，其中該第六電晶體與該第七電晶體耦接於該第一移位暫存電路的一第二輸出端，且該第一移位暫存電路的該第二輸出端用以輸出該掃描訊號。
  6. 如請求項1的顯示面板，其中該補償訊號於一補償時間區間內由一第一電位下降為一第二電位，並於一發光時間區間內由該第二電位下降為一第三電位，其中該第二電位為該第三電位加上該第一電晶體的跨壓。
  7. 如請求項6的顯示面板，其中於該掃描訊號由一第四電位升高至一第五電位後，該補償訊號由該第二電位降至該第三電位。
  8. 如請求項6的顯示面板，其中於一復位時間區間內，該電容將該第一電位由該電容的該第一端耦合至該電容的該第二端，以使該第四電晶體不導通。
  9. 如請求項6的顯示面板，其中於該補償時間區間內，該第二節點的電位小於該第二電源電壓，以使該發光二極體不導通，其中該第二電晶體導通以傳送該資料訊號至該第二節點。
  10. 如請求項6的顯示面板，其中於該發光 時間區間內，該第二節點的電位為該資料訊號的電位扣除該第四電晶體的跨壓，以於該發光二極體導通的同時補償該第四電晶體。
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