TWI679782B - 感測裝置及其製造方法 - Google Patents

Abstract

一種感測裝置及其製造方法。感測裝置包含承載件、熱阻部、感測單元及加熱單元。承載件具有承載面。熱阻部位於承載件內。熱阻部之導熱係數小於承載件之導熱係數。感測單元設置於承載面上。加熱單元設置於承載面上，加熱單元用以對感測單元加熱。熱阻部於承載面之投影及加熱單元於承載面之投影彼此至少部分重疊。所述製造方法用以製造感測裝置。

Description

感測裝置及其製造方法

本發明係關於一種感測裝置及其製造方法，特別是有關於藉由加熱升溫以提升感測效果之感測裝置及其製造方法。

感測器在工作時，感測材料需要適當的升溫以增加靈敏度與降低反應時間。因此，有業者提出於感測器附近設置加熱器以提升感測器溫度之方案。

然而，承載感測器及加熱器之矽材質基板由於矽的導熱係數高，加熱器所產生之熱易藉由矽基板路徑散失。為了維持具高度靈敏度之感測器所需之特定高溫，加熱器需要不斷地加熱。如此會造成能量的大幅消耗。

有鑑於以上的問題，本發明提出一種感測裝置及其製造方法，藉以能夠提升感測效果且能夠減少耗能。

本發明之一實施例提出一種感測裝置，包含承載件、熱阻部、感測單元及加熱單元。承載件具有承載面。熱阻部位於承載件內。熱阻部之導熱係數小於承載件之導熱係數。感測單元設置於承載面上。加熱單元設置於承載面上，加熱單元用以對感測單元加熱。熱阻部於承載面之投影及加熱單元於承載面之投影彼此至少部分重疊。

本發明之另一實施例提出一種感測裝置之製造方法，包含以下步驟。於承載件內形成熱阻部，熱阻部之導熱係數小於承載件之導熱係數。於承載件之承載面上設置感測單元。於承載件之承載面上設置加熱單元，加熱單元用以對感測單元加熱。熱阻部於承載面之投影及加熱單元於承載面之投影彼此至少部分重疊。

根據本發明之一實施例之感測裝置及其製造方法，能夠藉由熱阻部於承載面之投影及加熱單元於承載面之投影彼此至少部分重疊，而減緩加熱單元所產生之熱由承載件導離之速度。因此，能夠維持加熱單元對感測單元加熱後之溫度，而於維持感測單元之感測效果的情況下減少加熱單元的耗能。

以上之關於本發明內容之說明及以下之實施方式之說明係用以示範與解釋本發明之精神與原理，並且提供本發明之專利申請範圍更進一步之解釋。

以下在實施方式中詳細敘述本發明之實施例之詳細特徵以及優點，其內容足以使任何本領域中具通常知識者了解本發明之實施例之技術內容並據以實施，且根據本說明書所揭露之內容、申請專利範圍及圖式，任何本領域中具通常知識者可輕易地理解本發明相關之目的及優點。以下之實施例係進一步詳細說明本發明之觀點，但非以任何觀點限制本發明之範疇。

於本說明書之所謂的示意圖中，由於用以說明而可有其尺寸、比例及角度等較為誇張的情形，但並非用以限定本發明。於未違背本發明要旨的情況下能夠有各種變更。

請參照圖1，繪示依照本發明之一實施例之感測裝置1之側視剖面示意圖。於本實施例中，感測裝置1包含承載件11、熱阻部12、感測單元13及加熱單元14。

承載件11包含基板111、隔離層112、鈍化層113及封閉部114。基板111具有凹部111a。隔離層112疊置於基板111上。鈍化層113疊置於隔離層112上。承載件11具有承載面110位於鈍化層113相反於隔離層112之表面。基板111及隔離層112於凹部111a共同包圍熱阻部12，以令熱阻部12位於承載件11內。承載件11具有開孔11a連通至熱阻部12。封閉部114設置於開孔11a內。熱阻部12之導熱係數小於承載件11之平均導熱係數或最小導熱係數。承載件11之平均導熱係數為由其組成之各種材料依其比例加權計算而得者。承載件11之最小導熱係數為其組成之各種材料中導熱係數最小之材料之導熱係數。隔離層112為與基板111形成良好介面之材料，可為氧化矽、氧化氮、玻璃材料、 陶瓷材料。鈍化層113為相較於承載件11至其他材料具有較低熱導率、較低熱膨脹係數及較高彈性模量之半導體材料或是高強度硬陶瓷材料。

於本實施例中，凹部111a之深度D1與寬度W1之比值可為2：1以下，但不以此為限。另於本實施例中，藉由封閉部114設置於開孔11a內，而令熱阻部12可為密閉的腔室，且熱阻部12之導熱係數可為真空之導熱係數或近乎真空之導熱係數，但不以此為限。於其他實施例中，可省略設置封閉部114，而令熱阻部12可為開放的腔室，且熱阻部12之導熱係數可為空氣之導熱係數。再者，於本實施例中，開孔11a貫穿基板111而連通至熱阻部12，但不以此為限。於其他實施例中，開孔11a亦可貫穿隔離層112及鈍化層113而連通至熱阻部12。

另外，感測單元13及加熱單元14設置於承載面110上。感測單元13及加熱單元14配置成加熱單元14可對感測單元13加熱。熱阻部12於承載面110之正交投影及加熱單元14於承載面110之正交投影彼此部分重疊。於本實施例中，感測單元13及加熱單元14可並列設置於承載面110上，但不以此為限。於其他實施例中，感測單元13及加熱單元14亦可彼此堆疊地設置於承載面110上，且加熱單元14位於感測單元13及承載面110之間。

藉由熱阻部12於承載面110之投影及加熱單元14於承載面110之投影彼此至少部分重疊，而減緩加熱單元14所產生之熱由承載件11導離之速度。因此，能夠維持加熱單元14對感測單元13加熱後之溫度，而於維持感測單元13之感測效果的情況下減少加熱單元14的耗能。

請參照圖1、圖2、圖3、圖4及圖5，圖2至圖5繪示圖1之感測裝置1之一製造方法之部分流程之俯視剖面示意圖。感測裝置1之製造方法可包含以下步驟。

如圖2所示，藉由例如蝕刻等方式於承載件11之基板111形成凹部111a。凹部111a之深度D1與寬度W1之比值可為2：1以下。於凹部111a填充揮發性材料121。於基板111上及揮發性材料121上疊置隔離層112。於疊置隔離層112時，揮發性材料121可處於固態。於隔離層112上疊置鈍化層113。承載件11之承載面110位於鈍化層113相反於隔離層112之表面。於承載件11之承載面110上設置感測單元13及加熱單元14。凹部111a於承載面110之正交投影及加熱單元14於承載面110之正交投影彼此部分重疊。感測單元13及加熱單元14配置成加熱單元14可對感測單元13加熱。

接下來，如圖3所示，於承載件11形成連通於凹部111a之開孔11a。開孔11a可貫穿基板111而連通至凹部111a，但不以此為限。於其他實施例中，開孔11a亦可貫穿隔離層112及鈍化層113而連通至凹部111a。再例如藉由加熱等方式，令揮發性材料121揮發且自開孔11a離開基板111，以於承載件11內形成由基板111及隔離層112於凹部111a共同包圍而成之熱阻部12。此時，熱阻部12可為開放的腔室，熱阻部12之導熱係數可為空氣之導熱係數，且小於承載件11之平均導熱係數或最小導熱係數。

接下來，可如圖4所示，於真空環境或近乎真空環境下形成封閉部114以封閉開孔11a。封閉部114之材料會先沉積於開孔11a位於洞口附近的內壁面，再封閉住開孔11a。此時，熱阻部12可為封閉的腔室，熱阻部12之導熱係數可為真空或近乎真空之導熱係數，且小於承載件11之平均導熱係數或最小導熱係數。其中，部分封閉部114之材料位於開孔11a內，部分封閉部114之材料位於開孔11a之外。封閉部114位於開孔11a外之材料厚度可約為封閉部114位於開孔11a內之材料厚度之二倍，但不以此為限。

接下來，可如圖5所示，平坦化封閉部114位於開孔11a外之材料，但不以此為限。甚至可如圖1所示，平坦化至去除封閉部114位於開孔11a外之材料，而保留封閉部114位於開孔11a內之材料。

請參照圖1及圖6，圖6繪示圖1之感測裝置1之另一製造方法之部分流程之俯視剖面示意圖。圖1及圖6所示之感測裝置1之製造方法與圖1至圖5所示之感測裝置1之製造方法相似，而於以下省略描述其細節。於本實施例中，感測裝置1之製造方法可包含以下步驟。

如圖6所示，於承載件11之基板111形成凹部111a。於承載件11之基板111形成連通於凹部111a之開孔11a。於凹部111a填充揮發性材料121，或者於凹部111a及部分開孔11a填充揮發性材料121，或者於凹部111a及整個開孔11a填充揮發性材料121。於基板111上及揮發性材料121上疊置隔離層112。於隔離層112上疊置鈍化層113。承載件11之承載面110位於鈍化層113相反於隔離層112之表面。於承載件11之承載面110上設置感測單元13及可對感測單元13加熱之加熱單元14。凹部111a於承載面110之正交投影及加熱單元14於承載面110之正交投影彼此部分重疊。

接下來，例如藉由加熱等方式，令揮發性材料121揮發且自開孔11a離開基板111，以於承載件11內形成由基板111及隔離層112於凹部111a共同包圍而成之熱阻部12。此時，熱阻部12可為開放的腔室，熱阻部12之導熱係數可為空氣之導熱係數，且小於承載件11之平均導熱係數或最小導熱係數。

再接下來，可如圖4所示，於真空環境或近乎真空環境下形成封閉部114以封閉開孔11a。此時，熱阻部12可為封閉的腔室，熱阻部12之導熱係數可為真空或近乎真空之導熱係數，且小於承載件11之平均導熱係數或最小導熱係數。接下來可如圖5所示，平坦化封閉部114位於開孔11a外之材料。甚至可如圖1所示，平坦化至去除封閉部114位於開孔11a外之材料，而保留封閉部114位於開孔11a內之材料。

請參照圖7，繪示依照本發明之另一實施例之感測裝置2之側視剖面示意圖。於本實施例中，感測裝置2包含承載件21、熱阻部22、感測單元23、加熱單元24及平坦化層25。

承載件21包含基板211、隔離層212及鈍化層213。基板211具有凹部211a。熱阻部22填充於凹部211a。隔離層212疊置於基板211上及熱阻部22上。鈍化層213疊置於隔離層212上。承載件21具有承載面210位於鈍化層213相反於隔離層212之表面。基板211及隔離層212於凹部211a共同包圍熱阻部22，以令熱阻部22位於承載件21內。熱阻部22可為收縮或膨脹之比例緩和的固態或液態，且熱阻部22之導熱係數小於承載件21之平均導熱係數或最小導熱係數。熱阻部之導熱係數為150 W/(m·K)以下。於本實施例中，凹部211a之深度D2與寬度W2之比值可為2：1以下，但不以此為限。

另外，加熱單元24設置於承載面210上，熱阻部22於承載面210之正交投影及加熱單元24於承載面210之正交投影彼此部分重疊。平坦化層25疊置於加熱單元24上及承載面210上，感測單元23設置於平坦化層25上，且配置成加熱單元24可對感測單元23加熱。

於本實施例中，感測單元23及加熱單元24可彼此堆疊地設置於承載面210上，且加熱單元24位於感測單元23及承載面210之間，但不以此為限。於其他實施例中，感測單元23及加熱單元24亦可並列設置於承載面210上。感測單元23可位於加熱單元24之上方。加熱單元24可位於熱阻部22之上方。

感測裝置2之製造方法可包含以下步驟。

於承載件21之基板211形成凹部211a。於凹部211a填充熱阻部22。於基板211上及熱阻部22上疊置隔離層212。於隔離層212上疊置鈍化層213。於承載件21之鈍化層213之承載面210上設置加熱單元24。熱阻部22於承載面210之正交投影及加熱單元24於承載面210之正交投影彼此部分重疊。於加熱單元24上及承載面210上疊置平坦化層25。於平坦化層25上設置感測單元23，且配置成加熱單元24可對感測單元23加熱。

請參照圖8，繪示依照本發明之另一實施例之感測裝置3之側視剖面示意圖。於本實施例中，感測裝置3包含承載件31、熱阻部32、感測單元33及加熱單元34。

承載件31包含基板311、隔離層312及鈍化層313。基板311具有多個凹部311a。各個凹部311a之深度D3與寬度W3之比值可為10：1以上。隔離層312疊置於基板311上。鈍化層313疊置於隔離層312上。承載件31具有承載面310位於鈍化層313相反於隔離層312之表面。基板311及隔離層312於多個凹部311a共同包圍且形成熱阻部32，以令熱阻部32位於承載件31內，且熱阻部32為多個密閉的腔室。熱阻部32之導熱係數可為真空之導熱係數或近乎真空之導熱係數，且熱阻部32之導熱係數小於承載件31之平均導熱係數或最小導熱係數。

另外，感測單元33及加熱單元34設置於承載面310上，熱阻部32於承載面310之正交投影及加熱單元34於承載面310之正交投影彼此部分重疊。感測單元33及加熱單元34配置成加熱單元34可對感測單元33加熱，且二者之相對位置並未特別限制。

感測裝置3之製造方法可包含以下步驟。

於承載件31之基板311形成多個凹部311a。各個凹部311a之深度D3與寬度W3之比值可為10：1以上。

於基板311上疊置隔離層312，但於各個凹部311a內維持為腔室狀態，以令基板311及隔離層312於多個凹部311a共同包圍且形成熱阻部32。於基板311上疊置隔離層312之方法可為物理氣相沉積法（Physical Vapor Deposition，PVD）或化學氣相沉積法（Chemical Vapor Deposition，CVD），但不以此為限，亦可使用其他沉積法。於基板311上疊置隔離層312之方法之鍍率可為每秒鐘30埃（30 Å/sec）以上。藉此，隔離層312之材料可實質上不進入各個凹部311a，而於各個凹部311a內維持為腔室狀態。相對於各個凹部311a之內部空間，隔離層312之材料進入各個凹部311a內之比例為15%以下。

於隔離層312上疊置鈍化層313。於承載件31之鈍化層313之承載面310上設置感測單元33及加熱單元34。熱阻部32於承載面310之正交投影及加熱單元34於承載面310之正交投影彼此部分重疊。感測單元33及加熱單元34配置成加熱單元34可對感測單元33加熱，且二者之相對位置並未特別限制。

請參照圖9，繪示依照本發明之另一實施例之感測裝置4之側視剖面示意圖。於本實施例中，感測裝置4包含承載件41、熱阻部42、感測單元43及加熱單元44。

承載件41包含基板411、隔離層412及鈍化層413。基板411具有凹部411a。隔離層412疊置於基板411上且接觸於凹部411a之內壁面。熱阻部42填充於凹部411a，且隔離層412分隔熱阻部42及基板411。鈍化層413疊置於隔離層412上及熱阻部42上。承載件41具有承載面410位於鈍化層413相反於隔離層412之表面。隔離層412及鈍化層413於凹部411a共同包圍熱阻部42，以令熱阻部42位於承載件41內。熱阻部42可為收縮或膨脹之比例緩和的固態或液態，且熱阻部42之導熱係數小於承載件41之平均導熱係數或最小導熱係數。熱阻部之導熱係數為150 W/(m·K)以下。於本實施例中，凹部411a之深度D4與寬度W4之比值可為5：1以下，但不以此為限。

另外，感測單元43及加熱單元44設置於承載面410上，熱阻部42於承載面410之正交投影及加熱單元44於承載面410之正交投影彼此部分重疊。感測單元43及加熱單元44配置成加熱單元44可對感測單元43加熱，且二者之相對位置並未特別限制。

感測裝置4之製造方法可包含以下步驟。

於承載件41之基板411形成凹部411a，凹部411a之深度D4與寬度W4之比值可為5：1以下。於基板411上及凹部411a之內壁面上疊置隔離層412。於凹部411a填充熱阻部42，且隔離層412分隔熱阻部42及基板411。於隔離層412上及熱阻部42上疊置鈍化層413。於承載件41之鈍化層413之承載面410上設置感測單元43及加熱單元44。熱阻部42於承載面410之正交投影及加熱單元44於承載面410之正交投影彼此部分重疊。感測單元43及加熱單元44配置成加熱單元44可對感測單元43加熱，且二者之相對位置並未特別限制。

請參照圖10，繪示依照本發明之另一實施例之感測裝置5之側視剖面示意圖。於本實施例中，感測裝置5包含承載件51、熱阻部52、感測單元53及加熱單元54。

承載件51包含基板511、隔離層512及鈍化層513。基板511具有多個凹部511a。各個凹部511a之深度D5與寬度W5之比值可為6：1～9：1。隔離層512疊置於基板511上且接觸於各個凹部511a之內壁面。鈍化層513疊置於隔離層512上。鈍化層513位於各個凹部511a之部分形成密閉的腔室，多個密閉的腔室形成熱阻部52。藉此令熱阻部52位於承載件51內，且熱阻部52為多個密閉的腔室。承載件51具有承載面510位於鈍化層513相反於隔離層512之表面。熱阻部52之導熱係數可為真空之導熱係數或近乎真空之導熱係數，且熱阻部52之導熱係數小於承載件51之平均導熱係數或最小導熱係數。

另外，感測單元53及加熱單元54設置於承載面510上，熱阻部52於承載面510之正交投影及加熱單元54於承載面510之正交投影彼此部分重疊。感測單元53及加熱單元54配置成加熱單元54可對感測單元53加熱，且二者之相對位置並未特別限制。

感測裝置5之製造方法可包含以下步驟。

於承載件51之基板511形成多個凹部511a。各個凹部511a之深度D5與寬度W5之比值可為6：1～9：1。

於基板511上疊置隔離層512，且隔離層512接觸於各個凹部511a之內壁面。於隔離層512上疊置鈍化層513。部分鈍化層513之材料進入凹部511a，且於鈍化層513之材料並未填滿凹部511a之情況下封閉凹部511a，而於各個凹部511a內分別形成密閉的腔室。藉此令鈍化層513於多個凹部511a形成熱阻部52。於基板511上疊置隔離層512之方法可為原子層沉積法（Atomic Layer Deposition，ALD），但不以此為限，亦可使用其他沉積法。於512隔離層上疊置鈍化層513之方法可為物理氣相沉積法（Physical Vapor Deposition，PVD）或化學氣相沉積法（Chemical Vapor Deposition，CVD），但不以此為限，亦可使用其他沉積法。於基板511上疊置隔離層512之方法之鍍率可為每秒鐘10埃（10 Å/sec）以下。於隔離層512上疊置鈍化層513之方法之鍍率為每秒鐘30埃（30 Å/sec）以上。藉此，隔離層512可覆蓋於各個凹部511a之整個內表面，鈍化層513之材料則可不完全進入各個凹部511a，而於各個凹部511a內形成腔室。相對於各個凹部511a之排除隔離層512之內部空間，鈍化層513之材料進入各個凹部511a內之比例為60%以下。

於承載件51之鈍化層513之承載面510上設置感測單元53及加熱單元54。熱阻部52於承載面510之正交投影及加熱單元54於承載面510之正交投影彼此部分重疊。感測單元53及加熱單元54配置成加熱單元54可對感測單元53加熱，且二者之相對位置並未特別限制。

綜上所述，本發明之一實施例之感測裝置及其製造方法中，能夠藉由熱阻部於承載面之投影及加熱單元於承載面之投影彼此至少部分重疊，而減緩加熱單元所產生之熱由承載件導離之速度。因此，能夠維持加熱單元對感測單元加熱後之溫度，而於維持感測單元之感測效果的情況下減少加熱單元的耗能。

雖然本發明以前述之實施例揭露如上，然其並非用以限定本發明。在不脫離本發明之精神和範圍內，所為之更動與潤飾，均屬本發明之專利保護範圍。關於本發明所界定之保護範圍請參考所附之申請專利範圍。

1、2、3、4、5‧‧‧感測裝置

11、21、31、41、51‧‧‧承載件

110、210、310、410、510‧‧‧承載面

111、211、311、411、511‧‧‧基板

111a、211a、311a、411a、511a‧‧‧凹部

112、212、312、412、512‧‧‧隔離層

113、213、313、413、513‧‧‧鈍化層

114‧‧‧封閉部

11a‧‧‧開孔

12、22、32、42、52‧‧‧熱阻部

121‧‧‧揮發性材料

13、23、33、43、53‧‧‧感測單元

14、24、34、44、54‧‧‧加熱單元

25‧‧‧平坦化層

D1、D2、D3、D4、D5‧‧‧深度

W1、W2、W3、W4、W5‧‧‧寬度

圖1繪示依照本發明之一實施例之感測裝置之側視剖面示意圖。 圖2至圖5繪示圖1之感測裝置之一製造方法之部分流程之俯視剖面示意圖。 圖6繪示圖1之感測裝置之另一製造方法之部分流程之俯視剖面示意圖。 圖7繪示依照本發明之另一實施例之感測裝置之剖面示意圖。 圖8繪示依照本發明之另一實施例之感測裝置之剖面示意圖。 圖9繪示依照本發明之另一實施例之感測裝置之剖面示意圖。 圖10繪示依照本發明之另一實施例之感測裝置之剖面示意圖。

Claims (18)

1. 一種感測裝置，包括：一承載件，具有一承載面；一熱阻部，位於該承載件內，該熱阻部之導熱係數小於該承載件之導熱係數，該熱阻部為密閉的至少一腔室；一感測單元，設置於該承載面上；以及一加熱單元，設置於該承載面上，該加熱單元用以對該感測單元加熱，該熱阻部於該承載面之投影及該加熱單元於該承載面之投影彼此至少部分重疊。
2. 如請求項1所述之感測裝置，其中該熱阻部之導熱係數為150W/(m．K)以下。
3. 如請求項1所述之感測裝置，其中該承載件包括一基板、一隔離層及一鈍化層，該基板具有至少一凹部，該隔離層疊置於該基板上，該鈍化層疊置於該隔離層上，該承載面位於該鈍化層相反於該隔離層之表面，該基板及該隔離層於該至少一凹部共同包圍該熱阻部，或者該隔離層及該鈍化層於該至少一凹部共同包圍該熱阻部，或者該熱阻部形成於該鈍化層位於該至少一凹部內之部分。
4. 如請求項3所述之感測裝置，其中該至少一凹部之深度與寬度之比值為2：1以下。
5. 如請求項4所述之感測裝置，其中該承載件更包括一封閉部，該承載件具有一開孔連通至該熱阻部，且該封閉部設置於該開孔內而封閉該開孔。
6. 如請求項3所述之感測裝置，其中該至少一凹部之深度與寬度之比值為10：1以上，且該基板及該隔離層於該至少一凹部共同包圍該熱阻部。
7. 如請求項3所述之感測裝置，其中該至少一凹部之深度與寬度之比值為6：1~9：1，且該熱阻部形成於該鈍化層位於該至少一凹部內之部分。
8. 一種感測裝置之製造方法，包括：於一承載件內形成一熱阻部，該熱阻部之導熱係數小於該承載件之導熱係數，該熱阻部為密閉的至少一腔室；於該承載件之一承載面上設置一感測單元；以及於該承載件之該承載面上設置一加熱單元，該加熱單元用以對該感測單元加熱，該熱阻部於該承載面之投影及該加熱單元於該承載面之投影彼此至少部分重疊。
9. 如請求項8所述之感測裝置之製造方法，其中該熱阻部之導熱係數為150W/(m．K)以下。
10. 如請求項8所述之感測裝置之製造方法，其中於該承載件形成該熱阻部之步驟包括：於一基板形成至少一凹部；於該基板上疊置一隔離層；以及於該隔離層上疊置一鈍化層，該承載面位於該鈍化層相反於該隔離層之表面，該基板及該隔離層於該至少一凹部共同包圍且形成該熱阻部，或者該隔離層及該鈍化層於該至少一凹部共同包圍且形成該熱阻部，或者該鈍化層位於該至少一凹部之部分形成該熱阻部。
11. 如請求項10所述之感測裝置之製造方法，其中該至少一凹部之深度與寬度之比值為2：1以下。
12. 如請求項11所述之感測裝置之製造方法，其中於該承載件形成該熱阻部之步驟更包括：於該至少一凹部填充一揮發性材料；於該承載件形成連通於該至少一凹部之一開孔；令該揮發性材料揮發且自該開孔離開該基板；以及於該開孔內設置一封閉部而封閉該開孔，以於該承載件內形成該熱阻部。
13. 如請求項10所述之感測裝置之製造方法，其中該至少一凹部之深度與寬度之比值為10：1以上。
14. 如請求項13所述之感測裝置之製造方法，其中於該基板上疊置該隔離層之方法為物理氣相沉積法(Physical Vapor Deposition，PVD)或化學氣相沉積法(Chemical Vapor Deposition，CVD)。
15. 如請求項13所述之感測裝置之製造方法，其中於該基板上疊置該隔離層之方法之鍍率為每秒鐘30埃以上。
16. 如請求項10所述之感測裝置之製造方法，其中該至少一凹部之深度與寬度之比值為6：1~9：1，且該鈍化層位於該至少一凹部之部分形成該熱阻部。
17. 如請求項16所述之感測裝置之製造方法，其中於該基板上疊置該隔離層之方法為原子層沉積法，於該隔離層上疊置該鈍化層之方法為物理氣相沉積法或化學氣相沉積法。
18. 如請求項16所述之感測裝置之製造方法，其中於該基板上疊置該隔離層之方法之鍍率為每秒鐘10埃以下，於該隔離層上疊置該鈍化層之方法之鍍率為每秒鐘30埃以上。