TWI667944B - 具有可拆卸高電阻率氣體分配板的噴淋頭 - Google Patents

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Hamid Noorbakhsh
肯納席克弗拉德米爾
Vladimir KNYAZIK
金志修
Jisoo Kim
李元錫
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達都烏薩瑪
Usama Dadu
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Abstract

此處提供具有可拆卸氣體分配板的噴淋頭之實施例。在某些實施例中，在半導體處理腔室中使用的噴淋頭可包括底座，該底座具有第一側及相對於第一側的第二側；氣體分配板，該氣體分配板佈置於靠近底座的第二側，其中氣體分配板係以具有介於約60Ω-cm至90Ω-cm之間的電阻率之材料形成；夾具，該夾具佈置於氣體分配板的周圍邊緣四周，以可移除地將氣體分配板耦接至底座；及熱墊片，該熱墊片佈置於底座及氣體分配板之間的間隙中。

Description

具有可拆卸高電阻率氣體分配板的噴淋頭
本揭示案的實施例大致關於半導體處理裝備。
在半導體處理腔室(例如，沉積腔室、蝕刻腔室或類似者)中使用的傳統噴淋頭典型地包括永久固定至底座的氣體分配板。歸因於在電漿處理期間暴露於電漿所造成的損傷，氣體分配板需週期性地替換。然而，發明人已觀察到因為氣體分配板被永久地固定至底座，所以需替換整個噴淋頭組件，以便替換氣體分配板，因此造成替換之處理昂貴。此外，在應用中已觀察到於使用具有低電阻率(例如，0.005-0.015Ω-cm)之氣體分配板實施高電源處理中之電弧。
因此，發明人已提供具有可拆卸氣體分配板之改良的噴淋頭的實施例。
此處提供具有可拆卸氣體分配板之噴淋頭的實施例。在某些實施例中，一種在一半導體處理腔室中使用的噴淋頭，可包括：一底座，該底座具有 一第一側及相對於該第一側的一第二側；一氣體分配板，該氣體分配板佈置於靠近該底座之該第二側，其中該氣體分配板係從具有介於約60Ω-cm至約90Ω-cm之間的一電阻率之一材料形成；一夾具，該夾具佈置於該氣體分配板的一周圍邊緣四周，以可移除地將該氣體分配板耦接至該底座；及一熱墊片，該熱墊片佈置於介於該底座及該氣體分配板之間的一間隙中。
在某些實施例中，一種處理腔室，可包括：一腔室主體，該腔室主體具有一基板支撐件佈置於該腔室主體的一內部容積之中；及一噴淋頭，該噴淋頭佈置於該腔室主體的該內部容積之中相對於該基板支撐件。該噴淋頭包括：一底座，該底座具有一第一側及相對於該第一側的一第二側，其中該底座的該第一側係耦接至該處理腔室的一部件；一氣體分配板，該氣體分配板佈置於靠近該底座之該第二側，其中該氣體分配板係從具有介於約60Ω-cm至約90Ω-cm之間的一電阻率之一材料形成；一夾具，該夾具佈置於該氣體分配板的一周圍邊緣四周，以可移除地將該氣體分配板耦接至該底座；及一熱墊片，該熱墊片佈置於介於該底座及該氣體分配板之間的一間隙中。
在某些實施例中，一種在一半導體處理腔室中使用的噴淋頭，可包括：一底座，該底座具有 一第一側及相對於該第一側的一第二側，該第二側包括三氟化釔塗布；一氣體分配板，該氣體分配板佈置於靠近該底座之該第二側，其中該氣體分配板係從具有介於約60Ω-cm至約90Ω-cm之間的一電阻率之一材料形成；一經電鍍的夾具，該經電鍍的夾具佈置於該氣體分配板的一周圍邊緣四周，以可移除地將該氣體分配板耦接至該底座；複數個聚矽氧熱墊片，該複數個聚矽氧熱墊片佈置於介於該底座及該氣體分配板之間的一間隙中；及複數個銷，該複數個銷被按壓至該底座之該第二側中，且佈置於該間隙中，以當該氣體分配板偏斜朝向該底座時維持該間隙的一厚度。
本揭示案的其他及進一步實施例係於以下說明。
100‧‧‧噴淋頭
102‧‧‧主體
104‧‧‧氣體分配板
106‧‧‧緊固件
108‧‧‧RF墊片
110‧‧‧夾具
112‧‧‧保護環
114‧‧‧凹室
116‧‧‧通孔
120‧‧‧熱墊片
122‧‧‧熱墊片
124‧‧‧熱墊片
126‧‧‧RF墊片
128‧‧‧O形環
130‧‧‧O形環
132‧‧‧O形環
134‧‧‧O形環
136‧‧‧通孔
138‧‧‧螺紋孔
140‧‧‧第二側
142‧‧‧氣體分配孔
146‧‧‧間隙
148‧‧‧RF墊片
150‧‧‧第一側
152‧‧‧銷
153‧‧‧通孔
200‧‧‧處理腔室
201‧‧‧外圓柱形導體
202‧‧‧腔室主體
203‧‧‧絕緣器
204‧‧‧處理容積
205‧‧‧內部容積
206‧‧‧保護環
207‧‧‧RF功率端
208‧‧‧基板支撐基座
209‧‧‧RF返回端
210‧‧‧基板
211‧‧‧端導體
212‧‧‧開口
213‧‧‧遠端
214‧‧‧噴淋頭
215‧‧‧近端
217‧‧‧導電圓柱體
218‧‧‧狹縫閥
219‧‧‧介電環
220‧‧‧排氣系統
222‧‧‧入口
224‧‧‧幫浦充氣部
226‧‧‧幫浦通口
228‧‧‧真空幫浦
230‧‧‧閥門
232‧‧‧排氣出口
234‧‧‧舉升機制
236‧‧‧匹配網路
238‧‧‧偏壓電源
242‧‧‧屏蔽環
244‧‧‧偏壓電源
250‧‧‧控制器
252‧‧‧CPU
254‧‧‧支援電路
256‧‧‧記憶體
258‧‧‧軟體常式
260‧‧‧接地網格
262‧‧‧匹配網路
264‧‧‧上部襯套
266‧‧‧下部襯套
270‧‧‧冷卻板
272‧‧‧外線圈
274‧‧‧內線圈
276‧‧‧環狀導電外殼
278‧‧‧***環
280‧‧‧基板支撐環
286‧‧‧RF電源
288‧‧‧氣體供應器
290‧‧‧控制流體供應器(冷卻器)
292‧‧‧同軸柱
294‧‧‧主體
296‧‧‧氣體分配板
於以上簡單摘要且於以下更加詳細討論的本揭示案之實施例，可藉由參考隨附圖式中描繪的揭露之圖示實施例而理解。然而，隨附圖式僅圖示本揭示案之典型實施例，且因此並非考慮限制其範疇，因為揭示案可容許其他均等效能之實施例。
第1圖描繪根據本揭示案之某些實施例的具有氣體分配板之噴淋頭。
第2圖描繪根據本揭示案之某些實施例，適合與具有氣體分配板之噴淋頭一起使用的處理腔室。
為了幫助理解，盡可能地使用相同的元件符號，以代表圖式中共同的相同元件。圖式並非按照尺寸繪製，且圖式可能為了清楚而簡化。一個實施例的元件及特徵可有益地併入其他實施例中而無須進一步說明。
此處提供具有可拆卸氣體分配板之噴淋頭的實施例。在至少某些實施例中，本發明的噴淋頭可有益地允許用於氣體分配板的移除及替換，因而相較於具有永久固定的氣體分配板之傳統噴淋頭，能夠提供具有較長有效壽命之噴淋頭及替換氣體分配板之更節省的方式。
第1圖描繪根據本揭示案之某些實施例的具有氣體分配板之噴淋頭。噴淋頭100通常包含主體102、氣體分配板104、及夾具110，該夾具110配置成可移除地將氣體分配板耦接至主體102。
主體102包含第一側150、第二側140、及形成於主體102中而從第一側150延伸至第二側140的複數個通孔116。複數個通孔116幫助處理氣體通過主體102至氣體分配板104。在某些實施例中，通孔116可為埋頭孔(例如，所顯示的埋孔 118)以減少通孔116處的殘餘電場，且幫助氣體更均勻地流至氣體分配板104。在某些實施例中，可在主體102的第一側150中形成凹室114，以幫助處理氣體更均勻地分配至複數個通孔116。主體102可以任何適合的處理相容材料製成，例如鋁。藉由以諸如鋁的導電材料製成主體102，主體102可供以作為電極，而例如幫助從處理氣體提供至噴淋頭100之電漿的成形。在某些實施例中，主體102的第二側140可以材料塗布，以保護第二側140避免離子、電漿或點燃。舉例而言，在某些實施例中，塗布可為三氟化釔(YF3)塗布。塗布可使用各種技術佈置在主體102的第二側140上。某些用於塗布主體102之第二側140的範例非限制方法可包括使用電子束誘導活化之靶材，從以塗布材料作成或包括塗布材料之靶材沉積或揮發塗布在主體102上。
在某些實施例中，可在主體102的表面中形成一或更多個通道，以容納一或更多個O形環及/或射頻(RF)墊片(如所顯示的O形環130、132、134及RF墊片108、126)。當存在時，O形環130、132、134提供介於主體102及夾具110或處理腔室的表面(未顯示)之間的密封。O形環130、132、134可以任何適合的材料製成，以幫助上述的密封，舉例而言，以橡膠製成。RF墊片108、126幫助RF功率的導電，舉例而言，從RF源至主體102及夾具 110。舉例而言，RF功率可從RF功率供應器(例如以下所述的RF電源286)提供至與主體102耦接且與一或更多個RF墊片(例如，RF墊片126)接觸的部件。RF墊片108、126可從任何適合的導電材料製成，舉例而言不鏽鋼。
氣體分配板104幫助從主體102提供的處理氣體之分配，例如透過在氣體分配板104中形成的複數個氣體分配孔142分配至處理腔室的處理容積。氣體分配孔142可以任何適合的方式安排，以提供處理氣體的所欲分配。舉例而言，在某些實施例中，當氣體分配板104耦接至主體102時，氣體分配孔142可分配成佈置在主體102之通孔116四周的群集。
氣體分配板104可以任何適合的材料製成，以抵抗暴露至電漿(例如，在處理期間於處理腔室中形成的電漿)期間的損傷。舉例而言在某些實施例中，氣體分配板104可從單結晶矽(Si)製成。單結晶矽並非典型用於氣體分配板的材料，至少部分歸因於相較於受青睞之材料：碳化矽，單結晶矽具有較快的蝕刻率。然而，發明人已觀察到單結晶矽較不易受到表面粗糙度改變、電弧及微遮罩之影響，且相較於用於製成氣體分配板的傳統材料(例如氮化矽(SiC))，單結晶矽進一步於提昇溫度時(例如，高於約攝氏150度)提供較佳地操作性。此外，相較 於傳統材料，單結晶矽更易於取得且可以更低的價格獲得。此外，在將噴淋頭100使用於牽涉含矽氣體之基板處理之處的實施例中，由矽製成的氣體分配板104降低因為氣體分配板104之損傷而造成的污染情況。
在某些實施例中，氣體分配板104係從單結晶矽材料製成，具有介於約60Ω-cm及90Ω-cm之間的電阻率，以降低電弧。如上所述，發明人已觀察到低電阻率氣體分配板(例如，具有約0.005-0.015Ω-cm之電阻率的氣體分配板)在處理期間將形成電弧，其中電源為162MHz而大於或等於2000瓦。因此，當噴淋頭100使用於高電源處理中時，氣體分配板104的高電阻率有益地降低電弧。在某些實施例中，獲得的單結晶矽之晶塊可摻雜以改變晶塊的電阻率。舉例而言，單結晶矽晶塊可以諸如硼的高電阻率材料摻雜或塗布，以增加材料的電阻率。在某些實施例中，若氣體分配板104係從低電阻率材料製成，氣體分配板104可以高電阻率材料處置、塗布或摻雜，以增加氣體分配板104的電阻率。
氣體分配板104可具有任何適合的厚度，足以提供所欲的氣體分配及適合的有效功能壽命。此外，在某些實施例中，氣體分配板104可具有適合的厚度，足以確保當氣體分配板104耦接至主體102時，持續接觸佈置於氣體分配板104及主體102 之間的一或更多熱墊片(如所顯示的三個熱墊片120、122、124)。舉例而言，在某些實施例中，氣體分配板104的厚度可經選擇，使得由夾具110於氣體分配板104之邊緣處提供的力量所造成的氣體分配板104之躬曲量小於當壓縮時熱墊片120、122、124變形的量，因此確保當夾持時與各個熱墊片120、122、124之持續接觸。取而代之或相結合地，在某些實施例中，氣體分配板104的厚度可經選擇，以提供適合的氣體分配孔142之縱橫比，以降低電漿穿透且改善氣體分配板104的有效功能壽命。舉例而言，在氣體分配孔142具有約0.5mm之直徑的實施例中，氣體分配板104可具有約9mm的厚度。
夾具110幫助將氣體分配板104耦接至主體102。在某些實施例中，夾具110透過緊固件106幫助此耦接，該緊固件106提供至形成於主體102中的通孔136，通孔136相對應於形成於夾具中的螺紋孔138。夾具110可從任何處理相容導電材料製成，例如鋁。在某些實施例中，夾具110可以噴灑塗布(例如，氧化釔(Y2O3))來塗布，以降低在電漿環境中夾具110的損傷。在某些實施例中，夾具110可取而代之地以氧化鋁塗布電鍍。
在某些實施例中，夾具110可包括形成於夾具110之表面中的一或更多通道，以容納一或更多O形環及RF墊片(如所顯示的O形環128及RF墊 片148)。當存在時，O形環128對氣體分配板104提供緩衝，以避免當夾持至主體102時氣體分配板104的破損。當存在時，RF墊片148幫助從主體102通過夾具110且至氣體分配板104的RF功率之導電，因此允許氣體分配板104作為RF電極。對氣體分配板104提供RF電流路徑亦遮蓋介於主體102及氣體分配板104之間的間隙146，而減少例如於主體102之通孔116處的電弧。O形環128及RF墊片148可從任何適合的材料製成，例如以上針對O形環130、132、134及RF墊片108、126所討論的材料。
在某些實施例中，熱墊片120、122、124可佈置於主體102及氣體分配板104之間。當存在時，熱墊片120、122、124可幫助介於主體102及氣體分配板104之間的熱交換，例如以提供橫跨氣體分配板104之更均勻的熱梯度。此外，熱墊片120、122、124可在主體102及氣體分配板104之間提供間隙146，且對通孔116及相對應氣體分配孔142之群組界定分開的充氣部(例如，區)。在某些實施例中，噴淋頭100亦可包括按壓至主體102中的複數個銷152。當氣體分配板104偏斜向主體102時，複數個銷152確保間隙146維持實質上未改變。各個銷152包括通孔153，以確保在銷152後方的任何間隙完全被消除。
熱墊片120、122、124可以任何可壓縮、導熱材料製成，而在處理壓力及溫度(例如，真空條件及在或高於攝氏150度的溫度)處具有低的出氣。在某些實施例中，墊片可包含含聚矽氧材料，例如從Fujipoly®可取得之SARCON® GR-M或具有高導熱性及阻燃特性之其他聚矽氧橡膠材料。熱墊片120、122、124可具有任何適合的形狀，以維持主體102及氣體分配板104之間的接觸。舉例而言，在某些實施例中，熱墊片120、122、124可為複數個同心環，具有如第1圖中所顯示的矩形截面。在某些實施例中，熱墊片120、122、124的幾何形狀可優化，以容納當夾持在一起時歸因於由夾具110於氣體分配板104之邊緣處提供的力量造成的主體102及氣體分配板104之間距離的差異(例如，氣體分配板104的躬曲)。
在某些實施例中，保護環112可佈置在噴淋頭四周，以遮蓋主體102、夾具110及氣體分配板104的部分。保護環112可從任何適合的處理相容材料製成，例如石英(SiO2)。
第2圖描繪根據本揭示案之某些實施例，適合與噴淋頭一起使用的圖示處理腔室200之概要視圖。範例處理腔室可包括ENABLER®、ENABLER® E5、ADVANTEDGETM或從加州Santa Clara的Applied Materials,Inc.可 取得之其他處理腔室。具有噴淋頭或經修改以具有噴淋頭的其他適合的處理腔室，可從本揭示案類似地獲益。
在某些實施例中，處理腔室200可通常包含腔室主體202，具有基板支撐基座208佈置於腔室主體的內部容積205之中，用於在其上支撐基板210，及排氣系統220用於從腔室主體202的內部容積205移除過量處理氣體、處理副產物或類似者。
在某些實施例中，上部襯套264及下部襯套266可覆蓋腔室主體202的內部，以在處理期間保護腔室主體202。在某些實施例中，腔室主體202具有可包括處理容積204的內部容積205。處理容積204可例如界定於基板支撐基座208及噴淋頭214(例如，上述之噴淋頭100)及/或提供於所欲地點的噴嘴之間。在某些實施例中，氣體供應器288可提供一或更多處理氣體至噴淋頭214，用於將一或更多處理氣體分配至腔室主體202的處理容積204。
在某些實施例中，基板支撐基座208可包括將基板210保持或支撐在基板支撐基座208之表面上的機制，例如靜電夾盤、真空夾盤、基板保持夾具或類似者。取而代之或相結合地，在某些實施例中，基板支撐基座208可包括用於控制基板溫度(例如，加熱及/或冷卻裝置，未顯示)及/或用於控制靠近基板表面之物種通量及/或離子能量的機制。舉例 而言，在某些實施例中，基板支撐基座208可包括電極240及透過分別的匹配網路236、262耦接至電極240的一或更多電源(兩個偏壓電源238、244)。舉例而言，基板支撐基座208可經配置作為透過匹配網路262耦接至偏壓電源244的陰極。上述之偏壓電源(例如，偏壓電源238、244)可以約2MHz、或約13.56MHz、或約60MHz的頻率而能夠產生高達約12,000W。至少一個偏壓電源可提供連續或脈衝電源之任一者。在某些實施例中，偏壓電源可為DC或者脈衝DC源。
在某些實施例中，基板支撐基座208可包括佈置於基板支撐基座208上方的基板支撐環280，且配置成在處理期間支撐至少部分的基板210。在某些實施例中，一或更多環(如所顯示的***環278及屏蔽環242)可佈置於基板支撐基座208的四周。一或更多環可從任何適合的處理相容材料製成。舉例而言，在某些實施例中，***環可從矽(Si)製成。在某些實施例中，屏蔽環242可從石英(SiO2)製成。在某些實施例中，接地網格260可佈置於基板支撐基座208的周圍四周，且耦接至腔室主體202。
基板210可透過腔室主體202之壁中的開口212進入腔室主體202。開口212可選擇性地透過狹縫閥218或其他機制密封，用於選擇性地對腔室之內部透過開口212提供出入口。基板支撐基座208 可耦接至舉升機制234，該舉升機制234可在適合用於透過開口212傳送基板進入及離開腔室之較低位置(未顯示)及用於處理之可選擇較高位置之間控制基板支撐基座208的位置。處理位置可經選擇以對特定處理最大化均勻性。當在至少一個抬昇的處理位置中時，基板支撐基座208可佈置於開口212上方，以提供對稱處理區域。
在某些實施例中，保護環206(例如，上述之保護環112)可佈置在噴淋頭214四周，且舉例而言，覆蓋至少部分的噴淋頭214，例如覆蓋噴淋頭214的主體294(例如，上述之主體102)或氣體分配板296(例如，上述之氣體分配板104)。在某些實施例中，保護環206可藉由上部襯套264支撐。
在某些實施例中，噴淋頭214可耦接至及/或藉由冷卻板270支撐。當存在時，冷卻板270在處理期間幫助控制噴淋頭214上的溫度。在某些實施例中，冷卻板270包含形成於冷卻板270中的複數個通道(未顯示)，以允許由溫度控制流體供應器(冷卻器)290所提供的溫度控制流體流動通過冷卻板270，來幫助控制噴淋頭214上的溫度。
在某些實施例中，一或更多線圈(如所顯示的內線圈274及外線圈272)可佈置於靠近噴淋頭的周圍邊緣及/或四周。當存在時，一或更多線圈 可幫助塑型在處理腔室200的處理容積204之中所形成的電漿。
在某些實施例中，RF電源286透過同軸柱(coaxial stub)292提供RF功率至冷卻板270及/或噴淋頭214。RF電源286可以大於或等於2000瓦的功率及約162MHz之頻率操作，且於約227MHz的頻率高達約5000W。如上所述，本發明的氣體分配板104在處理期間將不會形成電弧，其中RF電源以高頻率而約2000W或更高的功率操作。同軸柱292為固定的阻抗匹配網路，具有特性阻抗、共振頻率、且在噴淋頭214及RF電源286之間提供相近的阻抗匹配。在某些實施例中，同軸柱292通常包含內圓柱形導體298、外圓柱形導體201及填充於內圓柱形導體298及外圓柱形導體201之間空間的絕緣器203。
內圓柱形導體298及外圓柱形導體201可以任何適合的導電材料建立，而能夠忍受特定處理環境。舉例而言，在某些實施例中，內圓柱形導體298及外圓柱形導體201可從塗布鎳的鋁製成。一或更多分接頭221係沿著同軸柱292的軸向長度提供於特定點，用於從RF電源286提供RF功率至同軸柱292。RF電源286的RF功率端207及RF返回端209係連接於同軸柱292的分接頭221處，而分別至內圓柱形導體298及外圓柱形導體201。於同軸柱292的 遠端213處之端導體211將內圓柱形導體298及外圓柱形導體201短路在一起，使得同軸柱292於同軸柱292的遠端213處短路。於同軸柱292的近端215處，外圓柱形導體201係透過環狀導電外殼或支撐件276連接至腔室主體202，同時內圓柱形導體298係透過導電圓柱體217連接至冷卻板270及/或噴淋頭214。在某些實施例中，介電環219係佈置於導電圓柱體217及冷卻板270之間且分開導電圓柱體217及冷卻板270。
排氣系統220通常包括幫浦充氣部224及將幫浦充氣部224耦接至腔室主體202之內部容積205(且通常為處理容積204)的一或更多導管，舉例而言，耦接係透過一或更多入口222。真空幫浦228可透過幫浦通口226耦接至幫浦充氣部224，用於從腔室主體202抽出廢氣。真空幫浦228可流體耦接至排氣出口232，用於路由廢氣至適當的廢氣處置設備。閥門230(例如，閘門或類似者)可佈置於幫浦充氣部224中，以與真空幫浦228之操作結合，來幫助控制廢氣的流率。儘管顯示Z動作閘門，亦可利用任何適合的處理相容閥門用於控制排氣的流動。
為了幫助上述處理腔室200的控制，控制器250可為任何形式之通用電腦處理器之一者，而可在工業設定上用於控制各種腔室及子處理器。CPU 252的記憶體或電腦可讀取媒體256可為一或更多 立即可取得記憶體，例如隨機存取記憶體(RAM)、唯讀記憶體(ROM)、軟碟、硬碟、或本端或遠端之數位儲存之任何其他形式。支援電路254係耦接至CPU 252用於以傳統的方式支援處理器。此等電路包括快取、電源供應器、計時電路、輸入/輸出電路及子系統、及類似者。
一或更多方法及/或處理可通常儲存於記憶體256中作為軟體常式258，而當藉由CPU 252執行時，造成處理腔室200實行處理方法及/或處理。軟體常式258亦可儲存於及/或藉由第二CPU(未顯示)執行，該第二CPU遠離藉由CPU 252控制的硬體。本揭示案的某些或所有方法亦可實行於硬體中。如此，方法及/或處理可在軟體中實施，且使用諸如特定應用積體電路或其他類型的硬體實施之硬體中的電腦系統執行，或作為軟體及硬體的結合。軟體常式258可在基板210定位於基板支撐基座208上之後執行。當藉由CPU 252執行時，軟體常式258從通用電腦轉變成控制腔室操作的特定功能電腦(控制器)250，使得能夠實行此處揭示的方法。
因此，此處已提供具有可拆卸氣體分配板的噴淋頭之實施例。本發明之噴淋頭的實施例相較於傳統噴淋頭可有益地提供更長的有效壽命，及替換氣體分配板的更節省方式。
儘管以上導向本揭示案之實施例，可策劃本揭示案之其他及進一步實施例而未悖離其基本範疇。

Claims (16)

  1. 一種在一半導體處理腔室中使用的噴淋頭，包含：一主體，該主體具有一第一側及相對於該第一側的一第二側；一氣體分配板，該氣體分配板佈置於靠近該主體之該第二側，其中該氣體分配板係從具有介於約60Ω-cm至約90Ω-cm之間的一電阻率之一材料形成；一夾具，該夾具佈置於該氣體分配板的一周圍邊緣四周，以可移除地將該氣體分配板耦接至該主體；一熱墊片，該熱墊片佈置於介於該主體及該氣體分配板之間的一間隙中；及一或更多銷，該一或更多銷被按壓至該主體之該第二側中，且佈置於該間隙中，以當該氣體分配板偏斜朝向該主體時維持該間隙的一厚度，其中該一或更多銷之各者包括一通孔，以允許消除各個銷後面的一容積。
  2. 如請求項1所述之噴淋頭，其中該熱墊片包含複數個同心環，該複數個同心環佈置於該主體及該氣體分配板之間。
  3. 如請求項1所述之噴淋頭，進一步包含：在該主體之該第二側上之三氟化釔塗布。
  4. 如請求項1所述之噴淋頭，其中該氣體分配板係從單結晶矽(Si)製成。
  5. 如請求項1至4之任一項所述之噴淋頭，其中該氣體分配板係從單結晶矽(Si)製成，該單結晶矽摻雜或塗布一高電阻率材料。
  6. 如請求項1至4之任一項所述之噴淋頭，其中該氣體分配板係從單結晶矽(Si)製成，該單結晶矽以硼(boron)摻雜或塗布。
  7. 如請求項1至4之任一項所述之噴淋頭，其中該主體包含複數個通孔，該複數個通孔從該主體的該第一側延伸至該第二側。
  8. 如請求項7所述之噴淋頭，其中該主體包含形成於該主體之該第一側的一充氣部，該充氣部與該複數個通孔流體耦接。
  9. 一種處理腔室，包含：一腔室主體，該腔室主體具有一基板支撐件佈置於該腔室主體的一內部容積之中；及一噴淋頭，該噴淋頭佈置於該腔室主體的該內部容積之中相對於該基板支撐件，該噴淋頭包含：一主體，該主體具有一第一側及相對於該第一側的一第二側，其中該主體的該第一側係耦接至該處理腔室的一部件；一氣體分配板，該氣體分配板佈置於靠近該主體之該第二側，其中該氣體分配板係從具有介於約60Ω-cm至約90Ω-cm之間的一電阻率之一材料形成；一夾具，該夾具佈置於該氣體分配板的一周圍邊緣四周，以可移除地將該氣體分配板耦接至該主體；一熱墊片，該熱墊片佈置於介於該主體及該氣體分配板之間的一間隙中；及複數個銷，該複數個銷被按壓至該主體之該第二側中，且佈置於該間隙中，以當該氣體分配板偏斜朝向該主體時維持該間隙的一厚度，其中該複數個銷之各者包括一通孔，以允許消除各個銷後面的一容積。
  10. 如請求項9所述之處理腔室，其中該熱墊片包含複數個同心環，該複數個同心環佈置於該主體及該氣體分配板之間。
  11. 如請求項10所述之處理腔室，其中該處理腔室的該部件為一冷卻板，且其中該冷卻板係耦接至該腔室主體的一頂板。
  12. 如請求項10至11之任一項所述之處理腔室，進一步包含一射頻(RF)電源，該RF電源耦接至該噴淋頭，其中該RF電源以大於或等於約2000瓦之一功率及約162MHz之一頻率操作。
  13. 如請求項10至11之任一項所述之處理腔室，其中該氣體分配板係從單結晶矽(Si)製成。
  14. 如請求項10至11之任一項所述之處理腔室，其中該氣體分配板係從單結晶矽(Si)製成，該單結晶矽摻雜或塗布一高電阻率材料。
  15. 如請求項10至11之任一項所述之處理腔室，其中該氣體分配板係從單結晶矽(Si)製成，該單結晶矽以硼摻雜或塗布。
  16. 一種在一半導體處理腔室中使用的噴淋頭，包含：一主體，該主體具有一第一側及相對於該第一側的一第二側，該第二側包括三氟化釔塗布；一氣體分配板，該氣體分配板佈置於靠近該主體之該第二側，其中該氣體分配板係從具有介於約60Ω-cm至約90Ω-cm之間的一電阻率之一材料形成；一經電鍍的夾具，該經電鍍的夾具佈置於該氣體分配板的一周圍邊緣四周，以可移除地將該氣體分配板耦接至該主體；複數個聚矽氧熱墊片，該複數個聚矽氧熱墊片佈置於介於該主體及該氣體分配板之間的一間隙中；及複數個銷，該複數個銷被按壓至該主體之該第二側中，且佈置於該間隙中，以當該氣體分配板偏斜朝向該主體時維持該間隙的一厚度，其中該複數個銷之各者包括一通孔，以允許消除各個銷後面的一容積。
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