TWI662638B - 半導體晶片修補方法以及半導體晶片修補裝置 - Google Patents

半導體晶片修補方法以及半導體晶片修補裝置 Download PDF

Info

Publication number
TWI662638B
TWI662638B TW106113467A TW106113467A TWI662638B TW I662638 B TWI662638 B TW I662638B TW 106113467 A TW106113467 A TW 106113467A TW 106113467 A TW106113467 A TW 106113467A TW I662638 B TWI662638 B TW I662638B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
light
emitting unit
circuit substrate
module
damaged
Prior art date
Application number
TW106113467A
Other languages
English (en)
Other versions
TW201839879A (zh
Inventor
廖建碩
Original Assignee
台灣愛司帝科技股份有限公司
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 台灣愛司帝科技股份有限公司 filed Critical 台灣愛司帝科技股份有限公司
Priority to TW106113467A priority Critical patent/TWI662638B/zh
Priority to CN201711164038.2A priority patent/CN108735872B/zh
Priority to US15/866,699 priority patent/US10388826B2/en
Publication of TW201839879A publication Critical patent/TW201839879A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI662638B publication Critical patent/TWI662638B/zh

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/005—Processes
    • H01L33/0095—Post-treatment of devices, e.g. annealing, recrystallisation or short-circuit elimination
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/50—Multistep manufacturing processes of assemblies consisting of devices, each device being of a type provided for in group H01L27/00 or H01L29/00
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/62—Arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body, e.g. lead-frames, wire-bonds or solder balls
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
    • H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
    • H01L25/075—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00
    • H01L25/0753—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00 the devices being arranged next to each other
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
    • H01L2933/0008—Processes
    • H01L2933/0033—Processes relating to semiconductor body packages
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
    • H01L2933/0008—Processes
    • H01L2933/0033—Processes relating to semiconductor body packages
    • H01L2933/0066—Processes relating to semiconductor body packages relating to arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Led Device Packages (AREA)
  • Semiconductor Lasers (AREA)
  • Led Devices (AREA)

Abstract

本發明公開一種半導體晶片修補方法以及半導體晶片修補裝置。半導體晶片修補方法包括：提供一發光二極體模組，發光二極體模組包括一電路基板以及多個發光單元，多個發光單元之中的至少一個為一損壞的發光單元；接著，利用一雷射產生模組所產生的一雷射光源投向損壞的發光單元，以降低損壞的發光單元與電路基板之間的結合力；然後，利用一晶片取放模組將損壞的發光單元從電路基板上取下而形成一空缺；接下來，利用晶片取放模組將一良好的發光單元置入空缺內；緊接著，將良好的發光單元電性連接於電路基板。藉此，以使得損壞的發光單元能夠被良好的發光單元所取代而達到修補的效果。

Description

半導體晶片修補方法以及半導體晶片修補裝置
本發明涉及一種晶片修補方法以及晶片修補裝置，特別是涉及一種半導體晶片修補方法以及半導體晶片修補裝置。
目前，發光二極體(Light-Emitting Diode，LED)因具備光質佳以及發光效率高等特性而得到廣泛的應用。一般來說，為了使採用發光二極體做為發光元件的顯示裝置具有較佳的色彩表現能力，現有技術是利用紅、綠、藍三種顏色的發光二極體晶片的相互搭配而組成一全彩發光二極體顯示裝置，此全彩發光二極體顯示裝置可通過紅、綠、藍三種顏色的發光二極體晶片分別發出的紅、綠、藍三種的顏色光，然後再通過混光後形成一全彩色光，以進行相關資訊的顯示。然而，在現有技術中，當固定在電路基板上的發光二極體晶片損壞後，損壞的發光二極體晶片就不能再進行修補。
本發明所要解決的技術問題在於，針對現有技術的不足提供一種半導體晶片修補方法以及半導體晶片修補裝置。
為了解決上述的技術問題，本發明所採用的其中一技術方案是，提供一種半導體晶片修補方法，其包括：首先，提供一發光二極體模組，所述發光二極體模組包括一電路基板以及一設置在所述電路基板上且電性連接於所述電路基板的發光群組，其中，所述發光群組包括多個發光單元，每一個發光單元包括一發光二 極體晶片以及一設置在所述發光二極體晶片的底端與所述電路基板之間的導電物質，且多個發光單元之中的至少一個為一損壞的發光單元；接著，利用一雷射產生模組所產生的一雷射光源投向所述損壞的發光單元，以降低所述損壞的發光單元與所述電路基板之間的結合力；然後，利用一晶片取放模組將所述損壞的發光單元從所述電路基板上取下，以使得所述發光群組形成一空缺；接下來，利用所述晶片取放模組將一良好的發光單元置入所述發光群組的所述空缺內，其中，所述良好的發光單元包括一良好的發光二極體晶片以及一設置在所述良好的發光二極體晶片的底端的新的導電物質；緊接著，利用所述雷射產生模組所產生的所述雷射光源投向所述良好的發光單元，以使得所述良好的發光單元固定在所述電路基板上且電性連接於所述電路基板。
為了解決上述的技術問題，本發明所採用的另外一技術方案是，提供一種半導體晶片修補方法，其包括：首先，提供一發光二極體模組，所述發光二極體模組包括一電路基板以及多個設置在所述電路基板上且電性連接於所述電路基板的發光單元，其中，多個發光單元之中的至少一個為一損壞的發光單元；接著，利用一雷射產生模組所產生的一雷射光源投向所述損壞的發光單元，以降低所述損壞的發光單元與所述電路基板之間的結合力；然後，利用一晶片取放模組將所述損壞的發光單元從所述電路基板上取下而形成一空缺；接下來，利用所述晶片取放模組將一良好的發光單元置入所述空缺內；緊接著，將所述良好的發光單元電性連接於所述電路基板。
為了解決上述的技術問題，本發明所採用的另外再一技術方案是，提供一種半導體晶片修補裝置，所述半導體晶片修補裝置應用於一發光二極體模組，所述發光二極體模組包括一電路基板以及多個設置在所述電路基板上且電性連接於所述電路基板的發光單元，多個發光單元之中的至少一個為一損壞的發光單元，其 中，所述半導體晶片修補裝置包括：一雷射產生模組以及一晶片取放模組。所述雷射產生模組鄰近所述電路基板且設置在所述電路基板的下方，以用於產生一雷射光源。所述晶片取放模組鄰近所述發光單元且設置在所述發光單元的上方。其中，所述雷射產生模組所產生的雷射光源投向所述損壞的發光單元，以降低所述損壞的發光單元與所述電路基板之間的結合力。其中，所述晶片取放模組將所述損壞的發光單元從所述電路基板上取下而形成一空缺，且所述晶片取放模組將一良好的發光單元置入所述空缺內。
本發明的其中一有益效果在於，本發明所提供的半導體晶片修補方法，其能通過“利用一雷射產生模組所產生的一雷射光源投向所述損壞的發光單元，以降低所述損壞的發光單元與所述電路基板之間的結合力”、“利用一晶片取放模組將所述損壞的發光單元從所述電路基板上取下而形成一空缺”、“利用所述晶片取放模組將一良好的發光單元置入所述空缺內”以及“將所述良好的發光單元電性連接於所述電路基板”的技術方案，以使得所述損壞的發光單元能夠被所述良好的發光單元所取代而達到修補的效果。
本發明的其中一有益效果在於，本發明所提供的半導體晶片修補裝置，其能通過“所述雷射產生模組鄰近所述電路基板且設置在所述電路基板的下方，以用於產生一雷射光源”以及“所述晶片取放模組鄰近所述發光單元且設置在所述發光單元的上方”的技術方案，以使得所述雷射產生模組所產生的雷射光源投向所述損壞的發光單元而降低所述損壞的發光單元與所述電路基板之間的結合力，並且使得所述晶片取放模組將所述損壞的發光單元從所述電路基板上取下而形成一空缺。藉此，由於所述晶片取放模組將一良好的發光單元置入所述空缺內，所以使得所述損壞的發光單元能夠被所述良好的發光單元所取代而達到修補的效果。
為使能更進一步瞭解本發明的特徵及技術內容，請參閱以下 有關本發明的詳細說明與圖式，然而所產生的圖式僅用於提供參考與說明，並非用來對本發明加以限制。
Z‧‧‧半導體晶片修補裝置
1‧‧‧發光二極體模組
10‧‧‧電路基板
G‧‧‧發光群組
G10‧‧‧空缺
11‧‧‧發光單元
111‧‧‧發光二極體晶片
112‧‧‧導電物質
11B‧‧‧損壞的發光單元
11N‧‧‧良好的發光單元
111N‧‧‧良好的發光二極體晶片
112N‧‧‧新的導電物質
2‧‧‧雷射產生模組
L‧‧‧雷射光源
3‧‧‧晶片取放模組
4‧‧‧位置偵測模組
40‧‧‧接收元件
L’‧‧‧偵測波
圖1為本發明所提供的半導體晶片修補方法的流程圖。
圖2為本發明所提供的半導體晶片修補方法的步驟S100的示意圖。
圖3為本發明所提供的半導體晶片修補方法的步驟S102與步驟S102(B)的示意圖。
圖4為本發明所提供的半導體晶片修補方法的步驟S104的示意圖。
圖5為本發明所提供的半導體晶片修補方法的步驟S106的示意圖。
圖6為本發明所提供的半導體晶片修補方法的步驟S108、步驟S110以及步驟S110(B)的示意圖。
圖7為本發明所提供的半導體晶片修補方法的步驟S102(A)的示意圖。
圖8為本發明所提供的半導體晶片修補方法的步驟S110(A)的示意圖。
以下是通過特定的具體實施例來說明本發明所公開有關“半導體晶片修補方法以及半導體晶片修補裝置”的實施方式，本領域技術人員可由本說明書所公開的內容瞭解本發明的優點與效果。本發明可通過其他不同的具體實施例加以施行或應用，本說明書中的各項細節也可基於不同觀點與應用，在不悖離本發明的構思下進行各種修改與變更。另外，本發明的附圖僅為簡單示意說明，並非依實際尺寸的描繪，事先聲明。以下的實施方式將進一步詳細說明本發明的相關技術內容，但所公開的內容並非用以限制本發明的保護範圍。
請參閱圖1至圖6所示，本發明提供一種半導體晶片修補方法，其包括下列步驟：首先，配合圖1與圖2所示，提供一發光二極體模組1，發光二極體模組1包括一電路基板10以及多個設置在電路基板10上且電性連接於電路基板10的發光單元11，並且多個發光單元11之中的至少一個為一損壞的發光單元11B(步驟S100)。換言之，發光二極體模組1包括一電路基板10以及一設置在電路基板10上且電性連接於電路基板10的發光群組G，並且發光群組G包括多個發光單元11。
舉例來說，每一個發光單元11包括一發光二極體晶片111以及一設置在發光二極體晶片111的底端與電路基板10之間的導電物質112。另外，發光二極體晶片111可為一氮化鎵發光二極體晶片(GaN LED)。另外，導電物質112可為一異方性導電膜(Anisotropic Conductive Film，ACF)、一異方性導電膠(Anisotropic Conductive Paste，ACP)或者任何種類的導電材料。值得注意的是，損壞的發光單元11B有可能是發光二極體晶片111是損壞而無法提供光源的情況，或者是導電物質112是無法導電而產生電性失效的情況。
接著，配合圖1與圖3所示，利用一雷射產生模組2所產生的一雷射光源L投向損壞的發光單元11B，以降低損壞的發光單元11B與電路基板10之間的結合力(步驟S102)。舉例來說，當雷射產生模組2所產生的雷射光源L投向損壞的發光單元11B時，損壞的發光單元11B與電路基板10之間的結合力會被降低，以使得損壞的發光單元11B與電路基板10兩者會彼此分離。
然後，配合圖1與圖4所示，利用一晶片取放模組3將損壞的發光單元11B從電路基板10上取下而形成一空缺G10(步驟S104)，或者是，利用一晶片取放模組3將損壞的發光單元11B從電路基板10上取下，以使得發光群組G形成一空缺G10。舉例來 說，晶片取放模組3可以是真空吸嘴或者任何種類的取放機器(pick and place machine)。
接下來，配合圖1與圖5所示，利用晶片取放模組3將一良好的發光單元11N置入空缺G10內(步驟S106)，或者是，利用晶片取放模組3將一良好的發光單元11N置入發光群組G的空缺G10內。舉例來說，良好的發光單元11N包括一良好的發光二極體晶片111N以及一設置在良好的發光二極體晶片111N的底端的新的導電物質112N，並且新的導電物質112N可為一異方性導電膠或者任何種類的導電材料。
緊接著，配合圖1與圖6所示，將良好的發光單元11N電性連接於電路基板10(步驟S108)。舉例來說，在將良好的發光單元11N電性連接於電路基板10的步驟(步驟S108)中，還進一步包括：利用雷射產生模組2所產生的雷射光源L投向良好的發光單元11N，以使得良好的發光單元11N固定在電路基板10上且電性連接於電路基板10(步驟S110)。
更進一步地，舉例來說，配合圖1、圖3以及圖7所示，在利用雷射產生模組2所產生的雷射光源L投向損壞的發光單元11B的步驟(步驟S102)中，還進一步包括：配合圖1與圖7所示，利用一位置偵測模組4以偵測電路基板10與損壞的發光單元11B的一導電物質112之間的一接觸介面的位置(步驟S102(A))；然後，配合圖1與圖3所示，利用雷射產生模組2所產生的雷射光源L投向位於電路基板10與損壞的發光單元11B的導電物質112之間的接觸介面，以降低電路基板10與損壞的發光單元11B的導電物質112之間的結合力(步驟S102(B))。舉例來說，如圖7所示，位置偵測模組4至少包括一用於接收一偵測波L’的接收元件40，並且偵測波L’可由雷射產生模組2所提供。
更進一步地，舉例來說，配合圖1、圖6以及圖8所示，在利用雷射產生模組2所產生的雷射光源L投向良好的發光單元11N 的步驟(步驟S110)中，還進一步包括：配合圖1與圖8所示，利用一位置偵測模組4以偵測良好的發光單元11N的一新的導電物質112N的位置(步驟S110(A))；然後，配合圖1與圖6所示，利用雷射產生模組2所產生的雷射光源L投向良好的發光單元11N的新的導電物質112N，以固化新的導電物質112N(步驟S110(B))。舉例來說，如圖8所示，位置偵測模組4至少包括一用於接收一偵測波L’的接收元件40，並且偵測波L’可由雷射產生模組2所提供。
值得一提的是，配合圖1至圖8所示，本發明還提供一種半導體晶片修補裝置Z，並且半導體晶片修補裝置Z包括一雷射產生模組2以及一晶片取放模組3。舉例來說，半導體晶片修補裝置Z能應用於一發光二極體模組1。發光二極體模組1包括一電路基板10以及多個設置在電路基板10上且電性連接於電路基板10的發光單元11，並且多個發光單元11之中的至少一個為一損壞的發光單元11B。
更進一步來說，配合圖3與圖6所示，雷射產生模組2鄰近電路基板10且設置在電路基板10的下方，以用於產生一雷射光源L。
舉例來說，如圖3所示，雷射產生模組2所產生的雷射光源L能投向損壞的發光單元11B，以降低損壞的發光單元11B與電路基板10之間的結合力。也就是說，雷射產生模組2所產生的雷射光源L能投向位於電路基板10與損壞的發光單元11B的導電物質112之間的接觸介面，以降低電路基板10與損壞的發光單元11B的導電物質112之間的結合力。
舉例來說，如圖6所示，雷射產生模組2所產生的雷射光源L能投向良好的發光單元11N，以使得良好的發光單元11N能固定在電路基板10上且電性連接於電路基板10。也就是說，雷射產生模組2所產生的雷射光源L能投向良好的發光單元11N的新的導 電物質112N，以固化新的導電物質112N，藉此以使得良好的發光單元11N能固定在電路基板10上且電性連接於電路基板10。
更進一步來說，配合圖5與圖6所示，晶片取放模組3鄰近發光單元11且設置在發光單元11的上方。舉例來說，晶片取放模組3能將損壞的發光單元11B從電路基板10上取下而形成一空缺G10(如圖5所示)，並且晶片取放模組3將一良好的發光單元11N置入空缺G10內(如圖6所示)。
更進一步來說，配合圖7與圖8所示，半導體晶片修補裝置Z還進一步包括一位置偵測模組4。位置偵測模組4鄰近電路基板10且設置在電路基板10的下方，用以偵測電路基板10與損壞的發光單元11B的一導電物質112之間的一接觸介面的位置，或者用以偵測良好的發光單元11N的一新的導電物質112N的位置。
[實施例的有益效果]
本發明的其中一有益效果在於，本發明所提供的半導體晶片修補方法，其能通過“利用一雷射產生模組2所產生的一雷射光源L投向損壞的發光單元11B，以降低損壞的發光單元11B與電路基板10之間的結合力”、“利用一晶片取放模組3將損壞的發光單元11B從電路基板10上取下而形成一空缺G10”、“利用晶片取放模組3將一良好的發光單元11N置入空缺G10內”以及“將良好的發光單元11N電性連接於電路基板10”的技術方案，以使得損壞的發光單元11B能夠被良好的發光單元11N所取代而達到修補的效果。
本發明的其中一有益效果在於，本發明所提供的半導體晶片修補裝置Z，其能通過“雷射產生模組2鄰近電路基板10且設置在電路基板10的下方，以用於產生一雷射光源L”以及“晶片取放模組3鄰近發光單元11且設置在發光單元11的上方”的技術方案，以使得雷射產生模組2所產生的雷射光源L能投向損壞的 發光單元11B而降低損壞的發光單元11B與電路基板10之間的結合力，並且使得晶片取放模組3將損壞的發光單元11B從電路基板10上取下而形成一空缺G10。藉此，由於晶片取放模組3將一良好的發光單元11N置入空缺G10內，所以使得損壞的發光單元11B能夠被良好的發光單元11N所取代而達到修補的效果。
以上所公開的內容僅為本發明的優選可行實施例，並非因此侷限本發明的申請專利範圍，所以凡是運用本發明說明書及圖式內容所做的等效技術變化，均包含於本發明的申請專利範圍內。

Claims (10)

  1. 一種半導體晶片修補方法，其包括：提供一發光二極體模組，所述發光二極體模組包括一電路基板以及一設置在所述電路基板上且電性連接於所述電路基板的發光群組，其中，所述發光群組包括多個發光單元，每一個發光單元包括一發光二極體晶片以及一設置在所述發光二極體晶片的底端與所述電路基板之間的導電物質，且多個所述發光單元之中的至少一個為一損壞的發光單元；利用一雷射產生模組所產生的一雷射光源投向所述損壞的發光單元，以降低所述損壞的發光單元與所述電路基板之間的結合力；利用一晶片取放模組將所述損壞的發光單元從所述電路基板上取下，以使得所述發光群組形成一空缺；利用所述晶片取放模組將一良好的發光單元置入所述發光群組的所述空缺內，其中，所述良好的發光單元包括一良好的發光二極體晶片以及一設置在所述良好的發光二極體晶片的底端的新的導電物質；以及將所述良好的發光單元固定在所述電路基板上且電性連接於所述電路基板。
  2. 如請求項1所述的半導體晶片修補方法，其中，在利用所述雷射產生模組所產生的所述雷射光源投向所述損壞的發光單元的步驟中，還進一步包括：利用一位置偵測模組以偵測所述電路基板與所述損壞的發光單元的所述導電物質之間的一接觸介面的位置；以及利用所述雷射產生模組所產生的所述雷射光源投向位於所述電路基板與所述損壞的發光單元的所述導電物質之間的所述接觸介面，以降低所述電路基板與所述損壞的發光單元的所述導電物質之間的結合力；其中，所述位置偵測模組至少包括一用於接收一偵測波的接收元件；其中，所述發光二極體晶片為一氮化鎵發光二極體晶片，所述導電物質為一異方性導電膜，且所述新的導電物質為一異方性導電膠。
  3. 如請求項1所述的半導體晶片修補方法，其中，在將所述良好的發光單元固定在所述電路基板上且電性連接於所述電路基板的步驟中，還進一步包括：利用一位置偵測模組以偵測所述良好的發光單元的所述新的導電物質的位置；以及固化所述新的導電物質；其中，所述位置偵測模組至少包括一用於接收一偵測波的接收元件；其中，所述發光二極體晶片為一氮化鎵發光二極體晶片，所述導電物質為一異方性導電膜，且所述新的導電物質為一異方性導電膠。
  4. 一種半導體晶片修補方法，其包括：提供一發光二極體模組，所述發光二極體模組包括一電路基板以及多個設置在所述電路基板上且電性連接於所述電路基板的發光單元，其中，多個所述發光單元之中的至少一個為一損壞的發光單元；利用一雷射產生模組所產生的一雷射光源投向所述損壞的發光單元，以降低所述損壞的發光單元與所述電路基板之間的結合力；利用一晶片取放模組將所述損壞的發光單元從所述電路基板上取下而形成一空缺；利用所述晶片取放模組將一良好的發光單元置入所述空缺內；以及將所述良好的發光單元電性連接於所述電路基板。
  5. 如請求項4所述的半導體晶片修補方法，其中，在利用所述雷射產生模組所產生的所述雷射光源投向所述損壞的發光單元的步驟中，還進一步包括：利用一位置偵測模組以偵測所述電路基板與所述損壞的發光單元的一導電物質之間的一接觸介面的位置；以及利用所述雷射產生模組所產生的所述雷射光源投向位於所述電路基板與所述損壞的發光單元的所述導電物質之間的所述接觸介面，以降低所述電路基板與所述損壞的發光單元的所述導電物質之間的結合力；其中，所述位置偵測模組至少包括一用於接收一偵測波的接收元件；其中，所述導電物質為一異方性導電膜。
  6. 如請求項4所述的半導體晶片修補方法，其中，在將所述良好的發光單元電性連接於所述電路基板的步驟中，還進一步包括：將所述良好的發光單元固定在所述電路基板上。
  7. 如請求項4所述的半導體晶片修補方法，其中，在將所述良好的發光單元電性連接於所述電路基板的步驟中，還進一步包括：利用一位置偵測模組以偵測所述良好的發光單元的一新的導電物質的位置；以及固化所述新的導電物質；其中，所述位置偵測模組至少包括一用於接收一偵測波的接收元件；其中，所述新的導電物質為一異方性導電膠。
  8. 一種半導體晶片修補裝置，所述半導體晶片修補裝置應用於一發光二極體模組，所述發光二極體模組包括一電路基板以及多個設置在所述電路基板上且電性連接於所述電路基板的發光單元，多個所述發光單元之中的至少一個為一損壞的發光單元，其中，所述半導體晶片修補裝置包括：一雷射產生模組，所述雷射產生模組鄰近所述電路基板且設置在所述電路基板的下方，以用於產生一雷射光源；以及一晶片取放模組，所述晶片取放模組鄰近所述發光單元且設置在所述發光單元的上方；其中，所述雷射產生模組所產生的雷射光源投向所述損壞的發光單元，以降低所述損壞的發光單元與所述電路基板之間的結合力；其中，所述晶片取放模組將所述損壞的發光單元從所述電路基板上取下而形成一空缺，且所述晶片取放模組將一良好的發光單元置入所述空缺內。
  9. 如請求項8所述的半導體晶片修補裝置，還進一步包括：一位置偵測模組，所述位置偵測模組鄰近所述電路基板且設置在所述電路基板的下方，以偵測所述電路基板與所述損壞的發光單元的一導電物質之間的一接觸介面的位置，其中，所述雷射產生模組所產生的所述雷射光源投向位於所述電路基板與所述損壞的發光單元的所述導電物質之間的所述接觸介面，以降低所述電路基板與所述損壞的發光單元的所述導電物質之間的結合力，其中，所述位置偵測模組至少包括一用於接收一偵測波的接收元件，其中，所述導電物質為一異方性導電膜。
  10. 如請求項8所述的半導體晶片修補裝置，還進一步包括：一位置偵測模組，所述位置偵測模組鄰近所述電路基板且設置在所述電路基板的下方，以偵測所述良好的發光單元的一新的導電物質的位置；其中，所述良好的發光單元固定在所述電路基板上且電性連接於所述電路基板；其中，所述位置偵測模組至少包括一用於接收一偵測波的接收元件，其中，所述新的導電物質為一異方性導電膠。
TW106113467A 2017-04-21 2017-04-21 半導體晶片修補方法以及半導體晶片修補裝置 TWI662638B (zh)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
TW106113467A TWI662638B (zh) 2017-04-21 2017-04-21 半導體晶片修補方法以及半導體晶片修補裝置
CN201711164038.2A CN108735872B (zh) 2017-04-21 2017-11-21 半导体芯片修补方法以及半导体芯片修补装置
US15/866,699 US10388826B2 (en) 2017-04-21 2018-01-10 Method and device for repairing semiconductor chips

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
TW106113467A TWI662638B (zh) 2017-04-21 2017-04-21 半導體晶片修補方法以及半導體晶片修補裝置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW201839879A TW201839879A (zh) 2018-11-01
TWI662638B true TWI662638B (zh) 2019-06-11

Family

ID=63854160

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW106113467A TWI662638B (zh) 2017-04-21 2017-04-21 半導體晶片修補方法以及半導體晶片修補裝置

Country Status (3)

Country Link
US (1) US10388826B2 (zh)
CN (1) CN108735872B (zh)
TW (1) TWI662638B (zh)

Families Citing this family (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI632666B (zh) * 2017-12-11 2018-08-11 台灣愛司帝科技股份有限公司 半導體晶片修補方法以及半導體晶片修補裝置
US10840407B2 (en) * 2018-11-14 2020-11-17 Innolux Corporation Electronic device and method for manufacturing the same
US11916041B2 (en) * 2019-01-04 2024-02-27 Asti Global Inc., Taiwan Method for repairing a light-emitting device and a method for manufacturing an LED panel
TWI695453B (zh) 2019-01-04 2020-06-01 台灣愛司帝科技股份有限公司 半導體晶片修補方法以及半導體晶片修補裝置
US11127720B2 (en) * 2019-01-21 2021-09-21 Nanosys, Inc. Pixel repair method for a direct view display device
KR102167268B1 (ko) * 2019-02-11 2020-10-19 (주)에스티아이 불량 led 제거 장치
TWI693119B (zh) * 2019-03-06 2020-05-11 台灣愛司帝科技股份有限公司 應用於固接led的雷射加熱裝置
CN110214368B (zh) * 2019-04-22 2023-07-25 京东方科技集团股份有限公司 转移多个微发光二极管到目标基板的方法及转移条、阵列基板、显示设备
CN112054105A (zh) * 2019-06-06 2020-12-08 錼创显示科技股份有限公司 微型发光二极管显示器的制造方法
CN113054070B (zh) * 2019-12-26 2022-04-15 深圳市洲明科技股份有限公司 集成封装显示模组及其返修方法以及显示装置
TW202125872A (zh) * 2019-12-27 2021-07-01 晶元光電股份有限公司 發光裝置的修補方法
TWI808422B (zh) 2021-05-21 2023-07-11 錼創顯示科技股份有限公司 接著層結構以及半導體結構
CN113299593B (zh) * 2021-05-21 2023-01-10 錼创显示科技股份有限公司 接着层结构以及半导体结构

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW201701379A (zh) * 2015-03-11 2017-01-01 捷進科技有限公司 接合裝置及接合方法

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003191521A (ja) * 2001-12-26 2003-07-09 Kyocera Corp 光プリンタヘッドの組立方法
CN101881379A (zh) * 2009-05-06 2010-11-10 厦门市三安光电科技有限公司 一种易维修的led模块
CN101958263B (zh) * 2009-07-14 2013-01-02 致茂电子(苏州)有限公司 半导体晶粒点测机台检验方法及该机台
US20110119975A1 (en) * 2009-11-25 2011-05-26 Safety Traffic Equipment Co., Ltd. Marking panel led light emitting module
CN201976399U (zh) * 2010-05-28 2011-09-14 华南理工大学 全自动led及元器件贴插一体机
JP2014510956A (ja) * 2011-03-31 2014-05-01 セイジ・エレクトロクロミクス，インコーポレイテッド 熱撮像を用いてエレクトロクロミックデバイス内の欠陥を検出及び修復するためのシステム及び方法
CN202221779U (zh) * 2011-09-30 2012-05-16 浙江晶申微电子科技有限公司 Led可修复式cob封装
CN103676236B (zh) * 2013-12-18 2017-01-04 合肥京东方光电科技有限公司 一种修复缺陷像素的方法、***及显示面板
KR102156774B1 (ko) * 2013-12-30 2020-09-17 엘지디스플레이 주식회사 유기발광 표시장치의 리페어 방법
TWM493006U (zh) 2014-07-08 2015-01-01 Sunpower Grand Holdings Pte Ltd 分散型led燈之模組化照明燈具
CN105518888B (zh) * 2015-09-09 2018-06-12 歌尔股份有限公司 微发光二极管的修复方法、制造方法、装置及电子设备
KR102369934B1 (ko) * 2017-06-23 2022-03-03 삼성전자주식회사 칩 실장장치 및 이를 이용한 칩 실장방법

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW201701379A (zh) * 2015-03-11 2017-01-01 捷進科技有限公司 接合裝置及接合方法

Also Published As

Publication number Publication date
CN108735872B (zh) 2019-09-13
US20180309019A1 (en) 2018-10-25
TW201839879A (zh) 2018-11-01
CN108735872A (zh) 2018-11-02
US10388826B2 (en) 2019-08-20

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI662638B (zh) 半導體晶片修補方法以及半導體晶片修補裝置
TWI648871B (zh) 發光模組的製作方法
JP6630357B2 (ja) マイクロ発光ダイオードの修復方法、製造方法、装置及び電子機器
TWI651871B (zh) 發光組件及製作方法
TWI602322B (zh) 發光二極體組件及製作方法
US9728689B2 (en) Method of manufacturing light emitting device
TWI695453B (zh) 半導體晶片修補方法以及半導體晶片修補裝置
US20160276293A1 (en) Light-emitting device and backlight module using the same
TWI632666B (zh) 半導體晶片修補方法以及半導體晶片修補裝置
JP2018515942A (ja) マイクロ発光ダイオードの搬送方法、製造方法、装置及び電子機器
WO2010071131A1 (ja) 発光装置
JP2018506166A (ja) マイクロ発光ダイオードの事前排除方法、製造方法、装置及び電子機器
US9379292B2 (en) LED light source packaging method, LED light source package structure and light source module
TWI688317B (zh) 發光二極體晶片的固接方法及固接裝置
WO2016052898A1 (ko) 발광 소자 패키지 및 이 패키지를 포함하는 발광 장치
TWI693119B (zh) 應用於固接led的雷射加熱裝置
TWM574339U (zh) 半導體晶片固晶裝置
EP2953172A1 (en) Led light source package structure and led light source packaging method
JP2008227176A (ja) 発光装置およびその製造方法
US11490551B2 (en) Chip removing device and chip removing method
TWI715323B (zh) 顯示裝置
WO2016206228A1 (zh) 阵列型双面发光器件及其制作方法和双面显示装置
KR101865272B1 (ko) 발광소자 모듈 및 이의 제조방법
CN203799604U (zh) 一种增强散热的led显示单元模组
CN111490038B (zh) Led封装的制备方法和led封装