TWI660523B - 磊晶層的修復方法及使用該方法修復的光電元件 - Google Patents

磊晶層的修復方法及使用該方法修復的光電元件 Download PDF

Info

Publication number
TWI660523B
TWI660523B TW107126431A TW107126431A TWI660523B TW I660523 B TWI660523 B TW I660523B TW 107126431 A TW107126431 A TW 107126431A TW 107126431 A TW107126431 A TW 107126431A TW I660523 B TWI660523 B TW I660523B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
epitaxial layer
repairing
working liquid
chamber
layer
Prior art date
Application number
TW107126431A
Other languages
English (en)
Other versions
TW202008613A (zh
Inventor
武東星
Dong-Sing Wuu
袁碩璜
Shuo-Huang Yuan
楊志毅
Chih-Yi Yang
Original Assignee
國立中興大學
National Chung-Hsing University
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 國立中興大學, National Chung-Hsing University filed Critical 國立中興大學
Priority to TW107126431A priority Critical patent/TWI660523B/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI660523B publication Critical patent/TWI660523B/zh
Priority to US16/525,225 priority patent/US11257687B2/en
Publication of TW202008613A publication Critical patent/TW202008613A/zh

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/34—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies not provided for in groups H01L21/0405, H01L21/0445, H01L21/06, H01L21/16 and H01L21/18 with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/46—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/428
    • H01L21/477—Thermal treatment for modifying the properties of semiconductor bodies, e.g. annealing, sintering
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/32458—Vessel
    • H01J37/32522—Temperature
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/32733—Means for moving the material to be treated
    • H01J37/32743—Means for moving the material to be treated for introducing the material into processing chamber
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/005—Processes
    • H01L33/0062—Processes for devices with an active region comprising only III-V compounds
    • H01L33/0066—Processes for devices with an active region comprising only III-V compounds with a substrate not being a III-V compound
    • H01L33/007—Processes for devices with an active region comprising only III-V compounds with a substrate not being a III-V compound comprising nitride compounds

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Photovoltaic Devices (AREA)
  • Led Devices (AREA)

Abstract

一種磊晶層的修復方法，包含準備步驟、升溫步驟、霧化步驟，及修復步驟。首先，準備步驟是準備一可被霧化且包括氮元素的工作液體，及一具有一腔室的退火裝置，接著執行升溫步驟，對該退火裝置的該腔室升溫至一預定溫度，並透過霧化步驟霧化該工作液體並輸入經升溫的該腔室中，最後修復步驟是將具有經蝕刻造成損傷的該磊晶層的該光電元件設置於該腔室中，以讓經霧化的該工作液體修復該磊晶層。此外，本發明還提供一種使用前述方法製成的光電元件。

Description

磊晶層的修復方法及使用該方法修復的光電元件
本發明是有關於一種光電元件的製程方法及其光電元件，特別是指一種製作光電元件過程中，用以修復光電元件經蝕刻而受損的磊晶層的方法及使用該方法修復的光電元件。
在例如發光二極體(LED)等光電元件製程中，常須透過電漿蝕刻製程來讓例如氮化物磊晶層的表面露出，便於在此露出的表面上設置電極。然而，電漿蝕刻製程會對氮化物磊晶層造成損傷，導致發光二極體特性降低。
因此，為了提升光電元件的性能，一般會對損傷的氮化物磊晶層進行修復，但若選用不恰當的修復工序，將無法有效的修復氮化物磊晶層的損傷。常見的修復製程包括使用例如氮氣退火法、氮氣電漿處理法，或長膜覆蓋法等乾式修復法，或是使用例如溶液浸泡法等濕式修復法。
以乾式修復法而言，仍具有許多缺點待改進，舉例而言，氮氣退火法要直接將氮氣氣體解離所需要的加熱溫度過高；氮氣電漿處理法則會造成額外的蝕刻問題；而長膜覆蓋法的長膜厚度最佳值難以均勻控制且製程成本高。
以濕式修復法而言，其溶液浸泡雖然具備低成本的優勢，但需要持續在加溫的溶液中進行，長時間的製程會造成溶液濃度改變，使得修復均勻性與效率降低，且溶液的升溫溫度必須控制在避免溶液蒸發的溫度下，使得溶液浸泡法具有諸多限制而降低其實用性。
因此，改善前述修復製程，以同時兼顧修復效率與製程成本，是本領域技術人員待解決的問題。
因此，本發明的目的，即在提供一種磊晶層的修復方法。
於是，本發明磊晶層的修復方法適用於修復一光電元件之一經蝕刻且含鋁氮化物的磊晶層，該修復方法包含準備步驟、升溫步驟、霧化步驟，及修復步驟。
該準備步驟是準備一可被霧化且包括氮元素的工作液體，及一具有一腔室的退火裝置。
該升溫步驟是對該退火裝置的該腔室升溫至一預定溫度。
該霧化步驟是霧化該工作液體並輸入經升溫的該腔室中。
該修復步驟是將具有經蝕刻造成損傷的該磊晶層的該光電元件設置於該腔室中，以讓經霧化的該工作液體修復該磊晶層。
此外，本發明還提供一種以前述修復方法修復的光電元件。
該光電元件包含一基板、一緩衝層、一磊晶層、一發光層、一電子阻擋層、一接觸層、一第一電極，及一第二電極。
該緩衝層設置於該基板上。該磊晶層經前述修復方法修復，包括氮化物及氧元素並設置在該緩衝層上，且氮氧原子比例小於1.8。該發光層設置在該磊晶層上，並讓該磊晶層的部分表面露出。該接觸層設置在該發光層上。該第一電極與該第二電極分別設置在該磊晶層露出的該表面上與該接觸層上。
本發明的功效在於，霧化含氮元素的工作液體並通入經升溫的退火裝置中，接著才將須進行修復的光電元件設置於其中，透過退火裝置中的高溫將經霧化的工作液體分解出氨離子與氫氧根離子，使氨離子移除含鋁氮化物的磊晶層的原生氧化物，而讓氫氧根離子與懸鍵產生反應，以有效修復含鋁氮化物的磊晶層，此修復方法製程簡易不僅能有效降低製程成本，還能透過工作液體的選用有效改善修復效率，並透過霧化工作液體來達成低製程溫度。
在本發明被詳細描述之前，應當注意在以下的說明內容中，類似的元件是以相同的編號來表示。
參閱圖1至圖3，本發明磊晶層的修復方法的一實施例，適用於修復一光電元件3之一經蝕刻且含鋁氮化物的磊晶層33。該修復方法包含一準備步驟201、一升溫步驟202、一霧化步驟203，及一修復步驟204。
本實施例磊晶層的修復方法修復的該光電元件3是以經蝕刻的氮化鋁鎵發光二極體(AlGaN LED)為例做說明，但不以此為限。該光電元件3的結構包含一基板31、一設置在該基板31上的緩衝層32、該含鋁氮化物的磊晶層33設置在該緩衝層32上、一設置在該磊晶層33上並讓該磊晶層33的部分表面露出的發光層34、一設置在該發光層34上的電子阻擋層35、一設置在該電子阻擋層35上的接觸層36、一設置在該磊晶層33露出的表面上的第一電極37，及一設置在該接觸層36上的第二電極38(如圖2所示)。較佳地，該磊經層33的鋁氮化物可表示為Al xGa 1-xN，且0.1≦x≦0.7。
該準備步驟201是先準備一具有一腔室51的退火裝置5、一與該退火裝置5相連通的霧化裝置4，及一容裝於該霧化裝置4中而可被霧化的工作液體6。適用於本實施例的該工作液體6可搭配該光電元件3來選用，舉例來說，本實施例是修復具有含鋁氮化物的磊晶層33的光電元件3，因此，該工作液體6可選用例如氨水(NH 4OH)或硫化氨等含氮元素的溶液，用以修復含鋁氮化物的磊晶層33。
具體地說，該霧化裝置4包括一容器41，及一與該容器41連接的流量控制閥42，該工作液體6設置於該容器41中，且該容器41具有一輸入孔411及一輸出孔412，並透過該流量控制閥42連通輸出孔412與該退火裝置5的該腔室51，其中，該腔室51是由一爐管所界定。要說明的是，該退火裝置5可選自退火爐管裝置或是快速退火爐(RTA)，並沒有特別限制。
該升溫步驟202是對該退火裝置5的該腔室51進行升溫至一預定溫度，此預定溫度可視該光電元件3的結構與需求來調整。
接著，執行該霧化步驟203，先將一氣體源由該容器41的該輸入孔411通入至該工作液體6，透過該氣體源的動能轉移至該工作液體6，使該工作液體6被霧化而轉變成水霧，再經由該輸出孔412與該流量控制閥42而輸入至經升溫的該腔室51中。透過該腔室51內的高溫將呈水霧狀態的工作液體6分解出氨離子(NH 4 +)與氫氧根離子(OH -)，並均勻的分布於該腔室51中。適用於本實施例的該氣體源並沒有特別限制，可選自氮氣、氬氣、氧氣、氫氣，或氦氣。
最後執行該修復步驟204，將具有經蝕刻造成損傷的該磊晶層33的該光電元件3設置於該腔室51中，以讓經霧化的該工作液體6修復該磊晶層33。
詳細地說，該光電元件3的含鋁氮化物磊晶層33經蝕刻後，其氮鍵結會被破壞而產生懸鍵，此時，大氣中的氧原子會與該些懸鍵鍵結而產生原生氧化物，而在霧化步驟203時已在該腔室51先均勻分布有氨離子(NH 4 +)與氫氧根離子(OH -)，因此，將磊晶層33上具有原生氧化物的該光電元件3設置於該腔室51時，其氨離子(NH 4 +)能蝕刻掉原生氧化物，而露出經蝕刻產生的懸鍵，此時腔室51中的氫氧根離子(OH -)與該些懸鍵產生反應，讓該些懸鍵鍵結更多的氧原子，從而讓該磊晶層33能提供更多的自由電子。
由於該光電元件3的該磊晶層33已於前述該實施方式的進行修復，因此，該磊晶層33的含鋁氮化物與更多的氧鍵結，使得氮氧原子比例小於1.8，讓該磊晶層33因鍵結更多的氧原子而能提供更多自由電子，以提升該光電元件3整體的光電特性，其相關量測實驗結果容後說明。其中，適用於該光電元件3的該基板31是可選用藍寶石基板、該緩衝層32可選用氮化鋁(AlN)用以改善後續設置該磊晶層33產生的差排缺陷、該發光層34為具有量子井結構、該接觸層36可選自氮化鎵用以讓電流擴散。由於本發明的重點在於，透過該實施例的修復方法對經蝕刻的該磊晶層33進行修復，使得該磊晶層33的氮氧原子比例小於1.8，而能有效改善整體光電特性，因此其他各層的材料選用並不以前述為限，且該發光層34的量子井結構與該電子阻擋層35的材料選用也為本發明所屬技術領域者所知悉，於此不加以贅述。
為了可更清楚說明本發明磊晶層的修復方法的該實施例，以下以兩個具體例及兩個比較例進行說明，該等具體例1~2是根據上述實施方式配合以下流程實施。 ＜具體例1＞
於該具體例1中，修復的該光電元件3是選用經電漿蝕刻的氮化鋁鎵發光二極體(AlGaN LED)，且該磊晶層33的氮化鋁鎵為Al xGa 1-xN，x=0.55，並以退火爐管裝置作為該退火裝置5。選用氨水當作該工作液體6而設置於該霧化裝置4的該容器41內，用來霧化該工作液體6的該氣體源則是選用氬氣。
以熱電偶(thermocouple)對該退火裝置5的該腔室51升溫至800℃，接著將氬氣由該輸入孔411通入至該容器41中，使其動能轉移至氨水而霧化氨水，並將霧化後的氨水由該輸出孔412經該流量控制閥42控制水霧的流量為10 sccm而輸入至該腔室51中，待霧化後的氨水均勻的分布於該腔室51內後，即將該光電元件3送至該腔室51中，並進行退火20分鐘。於退火過程中，氨水經高溫裂解出氨離子與氫氧根離子，而透過氨離子蝕刻該磊晶層33的原生氧化物，並透過氫氧根離子與懸鍵鍵結，從而修復該磊晶層33並能提供更多自由電子。 ＜具體例2＞
該具體例2的實施方式大致與該具體例1相同，不同處在於，該氣體源的選用。具體地說，於該具體例2中，該氣體源是選用氮氣。 ＜比較例1＞
該比較例1的實施方式大致與該具體例1相同，不同處在於，該工作液體6與該氣體源。具體地說，該比較例1並沒有使用該工作液體6，且該氣體源是選用氮氣。換句話說，該比較例1並沒有產生水霧而是直接將氮氣通入該腔室51中後，即進行後續對該光電元件3的修復。 ＜比較例2＞
該比較例2的實施方式大致與該具體例1相同，不同之處在於該工作液體6與該氣體源的選用。具體地說，該比較例2的工作液體6是使用去離子水(D.I water)，而該氣體源則是選用氮氣。
參閱圖4，圖4顯示出該等具體例1~2與該等比較例1~2修復該光電元件3後，測試該光電元件3的電流對電壓關係。以施加相同電壓來看，該具體例2與該具體例1明顯具有較佳的電流響應，主要原因在於該等具體例1~2所使用的該工作液體6均為氨水，使得在退火裝置5中能有效透過高溫將霧化後的氨水分解出氨離子與氫氧根離子，而能透過氨離子蝕刻該磊晶層33的原生氧化物，並透過氫氧根離子與懸鍵鍵結，從而修復該磊晶層33並能提供更多自由電子，使其具有較佳的光電特性。
值得一提的是，該具體例2的氣體源選用氮氣並搭配氨水具有更佳光電特性，其原因在於，氨水本身也有含水，當氨水中的水沒有反應而與氮氣接觸而再次形成氨水時，則可再次分解出氨離子與氫氧根離子，以更有效的修復該磊晶層33。
反觀該比較例2雖然使用了氮氣作為氣體源，但其工作液體6是使用去離子水，因此霧化去離子水至腔室51並無法有效分解出氨離子或氨離子化合物；該比較例1則是單純使用氮氣而沒有工作液體而沒產生霧化水溶液，也就是說該比較例1即為先前技術所提的乾式修復法，但本案是對腔室51加熱到較低溫的800℃，因此無法有效將氮氣解離。
參閱圖5，以該具體例2的實施方式修復該光電元件3，且調配出不同的該工作液體6的濃度來修復該光電元件3，並同時量測其接觸阻抗的值。由圖5的量測結果可知，當氨水的濃度太高或太低，對於修復該光電元件3後的所測得的接觸阻抗並非最佳，由圖5可看出，以氨水濃度為3.6M作為工作液體6來修復該光電元件3後，具有最低的接觸阻抗。
參閱圖6與圖7，以該具體例2的實施方式並使用濃度為3.6M的氨水作為工作液體6來修復該光電元件3後，量測修復後的該光電元件3的光輸出(圖6)與外部量子效率(圖7)。由量測結果可知，相較於進行經蝕刻後而未修復的光電元件而言，以前述方式修復的該光電元件3在不同的注入電流均具有較佳的光輸出與外部量子效率。
參閱圖8，同樣以該具體例2的實施方式並使用濃度為3.6M的氨水作為工作液體6來修復該光電元件3後，對該光電元件3以X射線光電子能譜儀(XPS)進行量測，並同時對未蝕刻及經蝕刻的光電元件也進行量測，用以得知三者的氮氧原子比例，其中，以氮化鋁鎵及氧元素的組成為100%計。由圖8可知，未蝕刻的光電元件的氮氧原子比例最高，代表其表面鍵結完整；經蝕刻的光電元件中，其氮氧原子比例降低，主要原因在於，蝕刻過程中，氮的鍵結被破壞而產生了懸鍵；而以該具體例2修復經蝕刻的該光電元件3後，可發現其氮氧原子比例明顯下降，主要是因為氨離子(NH 4 +)蝕刻掉磊晶層33上的原生氧化物後，露出經蝕刻產生的懸鍵時，氫氧根離子(OH -)與此懸鍵產生反應，讓此懸鍵鍵結更多的氧原子，從而讓該磊晶層33能提供更多的自由電子，因此，鍵結了更多氧原子，使得其氮氧原子比例明顯下降而小於1.8。
綜上所述，本發明磊晶層的修復方法，透過霧化例如氨水或其他含氮元素的該工作液體6，並通入經升溫的該退火裝置5的該腔室51中，退火裝置5中的高溫能將經霧化的工作液體6分解出氨離子(NH 4 +)與氫氧根離子(OH -)，使該腔室51先均勻分布有氨離子與氫氧根離子，接著將須進行修復的光電元件3設置於該腔室51中，透過氨離子移除含鋁氮化物的磊晶層33上的原生氧化物，使氫氧根離子與其懸鍵產生反應，讓此懸鍵鍵結更多的氧原子，從而讓該磊晶層33能提供更多的自由電子，本發明的修復方法製程簡易不僅有效降低製程成本，還能透過工作液體6的選用有效改善修復效率，並透過霧化工作液體6而具有較低的製程溫度，故確實能達成本發明的目的。
惟以上所述者，僅為本發明的實施例而已，當不能以此限定本發明實施的範圍，凡是依本發明申請專利範圍及專利說明書內容所作的簡單的等效變化與修飾，皆仍屬本發明專利涵蓋的範圍內。
201‧‧‧準備步驟
37‧‧‧第一電極
202‧‧‧升溫步驟
38‧‧‧第二電極
203‧‧‧霧化步驟
4‧‧‧霧化裝置
204‧‧‧修復步驟
41‧‧‧容器
3‧‧‧光電元件
411‧‧‧輸入孔
31‧‧‧基板
412‧‧‧輸出孔
32‧‧‧緩衝層
42‧‧‧流量控制閥
33‧‧‧磊晶層
5‧‧‧退火裝置
34‧‧‧發光層
51‧‧‧腔室
35‧‧‧電子阻擋層
6‧‧‧工作液體
36‧‧‧接觸層
本發明的其他的特徵及功效，將於參照圖式的實施方式中清楚地呈現，其中： 圖1是一流程示意圖，說明本發明磊晶層的修復方法的一實施例； 圖2是一示意圖，說明本發明使用該實施例修復的一光電元件的結構示意圖； 圖3是一示意圖，說明本發明磊晶層的修復方法所使用的裝置示意圖； 圖4是一電流對電壓關係圖，說明未修復，及以一具體例1~2與一比較例1~2修復該光電元件，其電流對電壓關係； 圖5是一接觸阻抗對工作液體濃度的關係圖，說明本發明以不同濃度的工作液體修復該光電元件，其接觸阻抗與該工作液體濃度的關係； 圖6是一光輸出對電流關係圖，說明未修復及以該具體例2修復該光電元件，其光輸出與注入不同電流的關係； 圖7是一外部量子效率對電流關係圖，說明未修復及以該具體例2修復該光電元件，其外部量子效率與注入不同電流的關係；及 圖8是一氮氧原子比例關係圖，說明以X射線光電子能譜儀(XPS)量測得未蝕刻、經蝕刻，及以該具體例2修復該光電元件的氮氧原子比例。

Claims (9)

  1. 一種磊晶層的修復方法，適用於修復一光電元件之一經蝕刻且含鋁氮化物的磊晶層，包含： 一準備步驟，準備一可被霧化且包括氮元素的工作液體，及一具有一腔室的退火裝置； 一升溫步驟，對該退火裝置的該腔室升溫至一預定溫度； 一霧化步驟，霧化該工作液體並輸入經升溫的該腔室中；及 一修復步驟，將具有經蝕刻造成損傷的該磊晶層的該光電元件設置於該腔室中，以讓經霧化的該工作液體修復該磊晶層。
  2. 如請求項1所述的磊晶層的修復方法，其中，該霧化步驟中，以一氣體源通入該工作液體而霧化該工作液體。
  3. 如請求項2所述的磊晶層的修復方法，其中，在該準備步驟中，準備一與該退火裝置相連通的霧化裝置，該霧化裝置包括一容器及一與該容器連接的流量控制閥，該容器用以容置該工作液體並具有一輸入孔及一輸出孔，該流量控制閥連通該輸出孔與該退火裝置的該腔室，該氣體源由該輸入孔通入。
  4. 如請求項2所述的磊晶層的修復方法，其中，該氣體源可選自氮氣、氬氣、氧氣、氫氣，或氦氣。
  5. 如請求項1所述的磊晶層的修復方法，其中，該工作液體選自氨水或硫化氨。
  6. 如請求項1所述的磊晶層的修復方法，其中，該磊晶層的含鋁氮化物為Al xGa 1-xN，且0.1≦x≦0.7。
  7. 一種光電元件，包含： 一基板； 一緩衝層，設置在該基板上； 一磊晶層，包括氮化物及氧元素並設置在該緩衝層上，且氮氧原子比例小於1.8； 一發光層，設置在該磊晶層上，並讓該磊晶層的部分表面露出； 一接觸層，設置在該發光層上； 一第一電極，設置在該磊晶層露出的該表面上；及 一第二電極，設置在該接觸層上。
  8. 如請求項7所述的光電元件，其中，該磊晶層經蝕刻而露出該表面，該磊晶層的氮化物為含鋁氮化物並表示為Al xGa 1-xN，且0.1≦x≦0.7。
  9. 如請求項7所述的光電元件，還包含一設置於該發光層與該接觸層之間的電子阻擋層。
TW107126431A 2018-07-31 2018-07-31 磊晶層的修復方法及使用該方法修復的光電元件 TWI660523B (zh)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
TW107126431A TWI660523B (zh) 2018-07-31 2018-07-31 磊晶層的修復方法及使用該方法修復的光電元件
US16/525,225 US11257687B2 (en) 2018-07-31 2019-07-29 Method for repairing etching damage on nitride-based epitaxial layer of optoelectronic device and optoelectronic device attributable thereto

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
TW107126431A TWI660523B (zh) 2018-07-31 2018-07-31 磊晶層的修復方法及使用該方法修復的光電元件

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TWI660523B true TWI660523B (zh) 2019-05-21
TW202008613A TW202008613A (zh) 2020-02-16

Family

ID=67349076

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW107126431A TWI660523B (zh) 2018-07-31 2018-07-31 磊晶層的修復方法及使用該方法修復的光電元件

Country Status (2)

Country Link
US (1) US11257687B2 (zh)
TW (1) TWI660523B (zh)

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20010022367A1 (en) * 1993-04-28 2001-09-20 Nichia Chemical Industries, Ltd. Gallium nitride-based III-V group compound semiconductor
US20120258591A1 (en) * 2009-12-22 2012-10-11 Tokuyama Corporation N-Type Contact Electrode Comprising a Group III Nitride Semiconductor, and Method Forming Same
US20150072459A1 (en) * 2011-02-28 2015-03-12 Kabushiki Kaisha Toshiba Method for manufacturing semiconductor light emitting device
CN107845712A (zh) * 2016-09-19 2018-03-27 新世纪光电股份有限公司 含氮半导体元件

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI649895B (zh) * 2010-04-30 2019-02-01 美國波士頓大學信託會 具能帶結構位變動之高效率紫外光發光二極體
US9911676B2 (en) * 2012-07-27 2018-03-06 Asm Ip Holding B.V. System and method for gas-phase passivation of a semiconductor surface
KR102086360B1 (ko) * 2013-11-07 2020-03-09 삼성전자주식회사 n형 질화물 반도체의 전극형성방법, 질화물 반도체 소자 및 그 제조방법
KR20170102782A (ko) * 2016-03-02 2017-09-12 엘지이노텍 주식회사 발광 모듈 및 표시장치

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20010022367A1 (en) * 1993-04-28 2001-09-20 Nichia Chemical Industries, Ltd. Gallium nitride-based III-V group compound semiconductor
US20120258591A1 (en) * 2009-12-22 2012-10-11 Tokuyama Corporation N-Type Contact Electrode Comprising a Group III Nitride Semiconductor, and Method Forming Same
US20150072459A1 (en) * 2011-02-28 2015-03-12 Kabushiki Kaisha Toshiba Method for manufacturing semiconductor light emitting device
CN107845712A (zh) * 2016-09-19 2018-03-27 新世纪光电股份有限公司 含氮半导体元件

Also Published As

Publication number Publication date
TW202008613A (zh) 2020-02-16
US11257687B2 (en) 2022-02-22
US20200043749A1 (en) 2020-02-06

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US7588955B2 (en) Method for promoting light emission efficiency of LED using nanorods structure
Herman et al. Hydrogen sulfide plasma passivation of gallium arsenide
Feng et al. Optimized chemical cleaning procedure for enhancing photoemission from GaAs photocathode
US10586783B2 (en) Method for direct bonding of III-V semiconductor substrates with a radical oxide layer
Huh et al. Effects of sulfur treatment on electrical and optical performance of InGaN/GaN multiple-quantum-well blue light-emitting diodes
TWI660523B (zh) 磊晶層的修復方法及使用該方法修復的光電元件
EP4052284A1 (en) Method to improve the performance of gallium-containing light-emitting devices
CN105513948B (zh) 一种砷化镓材料表面的改性方法
Li et al. A mild electrochemical sulfur passivation method for GaAs (100) surfaces
TWI224818B (en) Method for oxidizing a silicon wafer at low-temperature and apparatus for the same
Li et al. Stability of hydrogen incorporated in ZnO nanowires by plasma treatment
CN111063739A (zh) 基于SiO2电流阻挡层的氮化铝CAVET器件及制作方法
JP2022505673A (ja) 超低漏洩電流を伴うマイクロｌｅｄ
Kang et al. Effect of prepared GaAs surface on the sulfidation with (NH 4) 2 S x solution
Chen et al. Blue-green reflection-mode GaAlAs photocathodes
TWI821665B (zh) 微型發光二極體特徵之預清洗及封裝
US11201049B2 (en) Thiourea organic compound for gallium arsenide based optoelectronics surface passivation
CN112420871B (zh) 台面型铟镓砷探测器芯片及其制备方法
WO2015004767A1 (ja) 太陽電池の製造方法
CN112951911A (zh) 增强型GaN基高电子迁移率晶体管及其制备方法
CN104064638A (zh) Led透明导电层的粗化方法及真空设备
US10490676B2 (en) Method of manufacturing oxidation layer for solar cell
Liu et al. P‐11.8: GaN‐Based Micro‐LED Sidewall Defect Reduction via Plasma Pre‐Treatment and Atomic Layer Deposition
Khizar et al. Optical-output power degradation of AlGaN-based deep-UV light emitting diodes by plasma treatment
JP6360250B2 (ja) 太陽電池の製造方法