TWI653512B - 電子束裝置及電子束之位置偏移修正方法 - Google Patents

電子束裝置及電子束之位置偏移修正方法 Download PDF

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Abstract

本發明之其中一個態樣之電子束裝置，其特徵為，係具備有：帶電量分布演算部，係使用將具有反曲點之第1指數函數和1次比例函數或者是收斂之第2指數函數中的至少其中一者之函數作了組合的依存於圖案密度之組合函數，來對於在將電子束照射至基板上的情況時之照射區域的帶電量分布進行演算；和位置偏移量演算部，係使用所得到的帶電量分布，來演算出起因於電子束之照射所形成的照射圖案之位置偏移量；和修正部，係使用位置偏移量，來對於照射位置進行修正；和柱體，係將電子束照射至被修正後的照射位置處。

Description

電子束裝置及電子束之位置偏移修正方法
本發明，係有關於電子束裝置及電子束之位置偏移修正方法，例如，係有關於使用電子束而在試料上描繪圖案之電子束描繪裝置以及方法。
擔負著半導體元件之細微化的進展之光微影技術，在半導體製造製程中，亦為唯一之產生圖案的極為重要之製程。近年來，伴隨著LSI之高積體化，對於半導體元件所要求之電路線寬幅亦係日益細微化。為了對於此些之半導體元件而形成所期望之電路圖案，係成為需要高精確度之原像圖案(亦稱作標線片或遮罩)。於此，電子線(EB：Electron beam)描繪技術，係本質性地具備有優良之解析度，而被使用在高精確度之原像圖案的生產中。 　　圖15，係為用以對於可變成形型電子線描繪裝置之動作作說明的概念圖。可變成形型電子線描繪裝置，係如同下述一般而動作。在第1光圈410處，係被形成有用以成形電子線330之矩形的開口411。又，在第2光圈420處，係被形成有用以將通過了第1光圈410之開口411的電子線330成形為所期望之矩形形狀的可變成形開口421。從荷電粒子源430所照射並通過了第1光圈410之開口411的電子線330，係藉由偏向器而被作偏向，並通過第2光圈420之可變成形開口421的一部分，再照射至被搭載於朝向特定之1個方向(例如，假設係為X方向)而連續性移動的平台上之試料340處。亦即是，能夠通過第1光圈410之開口411和第2光圈420之可變成形開口421之雙方的矩形形狀，係被描繪至被搭載於朝向X方向而連續性移動之平台上的試料340之描繪區域處。將使電子束通過第1光圈410之開口411和第2光圈420之可變成形開口421的雙方以作成任意形狀之方式，稱作可變成形方式(VSB方式)。 　　在對於遮罩等之基板照射電子束的情況時，起因於過去所照射了的電子束，照射位置及其周圍係會帶電。於先前技術中，作為對於此束照射位置偏移作修正之方法的其中一者，係周知有下述之方法：亦即是，係在基板上形成防帶電膜(CDL：Charge Dissipation Layer)，而防止基板表面之帶電。但是，此防帶電膜，基本上由於係具備有酸的特性，因此，當在基板上被塗布有化學放大型光阻的情況等之中，係並不合適。又，為了形成防帶電膜，係有必要設置新的設備，例如，在製造光罩的情況等時，其製造成本係會更進一步增大。因此，係希望能夠並不使用防帶電膜地來進行帶電效果之修正(CEC：charging effect correction)。另外，起因於帶電現象所導致的照射位置之位置偏移，係並不被侷限於電子束描繪裝置，在藉由電子束等之帶電粒子束來對於圖案進行檢查的檢查裝置等之使用有藉由將帶電粒子束照射至所瞄準的位置處所得到的結果之帶電粒子束裝置中，也同樣會發生。 　　因此，係提案有使用有帶電效果修正之手法的描繪裝置，該帶電效果修正之手法，係針對起因於該帶電現象所導致的位置偏移而求取出帶電量分布並算出束照射位置之修正量，再將束照射至基於該修正量所修正了的位置處(例如，參考日本特開2009-260250號公報、日本特開2011-040450號公報)。然而，因應於現今之微細化的傾向，係要求有更高的尺寸精確度，若是基於上述帶電效果修正，則會發生有在一部分的區域中無法達成充分之修正的問題。
本發明之其中一個態樣，係提供一種能夠亦包含有帶電效果修正會成為並非充分的一部分之區域地來對於起因於帶電現象所導致的位置偏移作修正之電子束裝置及電子束之位置偏移修正方法。 　　本發明之其中一個態樣的電子束裝置，其特徵為，係具備有：帶電量分布演算部，係使用將具有反曲點之第1指數函數和1次比例函數或者是收斂之第2指數函數中的至少其中一者之函數作了組合的依存於圖案密度之組合函數，來對於在將電子束照射至基板上的情況時之照射區域的帶電量分布進行演算；和位置偏移量演算部，係使用所得到的帶電量分布，來演算出起因於電子束之照射所形成的照射圖案之位置偏移量；和修正部，係使用位置偏移量，來對於照射位置進行修正；和柱體，係具備有放出電子束之放出源、和使前述電子束偏向之偏向器，並將電子束照射至被修正後的照射位置處。 　　本發明之另外一個態樣的電子束裝置，其特徵為，係具備有：帶電量分布演算部，係使用將具有極大點或極小點之第1指數函數和1次比例函數或者是於無限遠處而收斂之第2指數函數中的至少其中一者之函數作了組合的至少於變數中具有圖案密度之組合函數，來對於在將電子束照射至基板上的情況時之照射區域的帶電量分布進行演算；和位置偏移量演算部，係使用所得到的前述帶電量分布，來演算出起因於前述電子束之照射所形成的照射圖案之位置偏移量；和修正部，係使用前述位置偏移量，來對於照射位置進行修正；和柱體，係具備有放出電子束之放出源、和使前述電子束偏向之偏向器，並將電子束照射至被修正後的照射位置處。 　　本發明之其中一個態樣的電子束之位置偏移修正方法，其特徵為：係使用將具有極大點或極小點之第1指數函數和1次比例函數或者是於無限遠處而收斂之第2指數函數中的至少其中一者之函數作了組合的至少於變數中具有圖案密度之組合函數，來對於在將電子束照射至基板上的情況時之照射區域的帶電量分布進行演算；使用所得到的帶電量分布，來演算出起因於電子束之照射所形成的照射圖案之位置偏移量；使用位置偏移量，來對於照射位置進行修正，並將電子束照射至被修正後的照射位置處。 　　本發明之另外一個態樣的電子束裝置，其特徵為，係具備有：照射量分布演算部，係對於當將電子束照射至基板上的情況時之照射量分布作演算；和位置偏移量演算部，係使用類神經網路模型，來演算出基於前述照射量分布所致的照射圖案之位置偏移量，該類神經網路模型，係作為輸入輸出轉換函數，而使用將具有極大點或極小點之第1指數函數和1次比例函數或者是於無限遠處而收斂之第2指數函數中的至少其中一者之函數作了組合的至少於變數中具有圖案密度之組合函數；和修正部，係使用位置偏移量，來對於照射位置進行修正；和柱體，係具備有放出電子束之放出源、和使前述電子束偏向之偏向器，並將電子束照射至被修正後的照射位置處。 　　本發明之另外一個態樣的電子束之位置偏移修正方法，其特徵為：係對於當將電子束照射至基板上的情況時之照射量分布作演算；使用類神經網路模型，來演算出基於照射量分布所致的照射圖案之位置偏移量，該類神經網路模型，係作為輸入輸出轉換函數，而使用將具有極大點或極小點之第1指數函數和1次比例函數或者是於無限遠處而收斂之第2指數函數中的至少其中一者之函數作了組合的至少於變數中具有圖案密度之組合函數；使用位置偏移量，來對於照射位置進行修正，並將電子束照射至被修正後的照射位置處。
以下，在實施形態中，針對亦包含有帶電效果修正會成為並非充分的一部分之區域地來對起因於帶電現象所導致的位置偏移作修正之裝置以及方法作說明。 [實施形態1] 　　圖1，係為對於在實施形態1中之描繪裝置的重要部分構成之其中一例作展示之概念圖。在圖1中，描繪裝置100，係具備有描繪部150和控制部160。描繪裝置100，係為荷電粒子束描繪裝置之其中一例。又，描繪裝置100，係為荷電粒子束裝置之其中一例。描繪部150，係具備有電子鏡筒1和描繪室14。在電子鏡筒1內，係被配置有電子槍5、照明透鏡7、第1光圈8、投影透鏡9、偏向器10、第2光圈11、對物透鏡12、偏向器13、以及靜電透鏡15。又，在描繪室14內，係被配置有XY平台3。在XY平台3上，係被配置有成為描繪對象之試料2。在試料2中，係包含有在半導體製造之曝光中所使用的光罩或形成半導體裝置之半導體晶圓等。又，在被作描繪之光罩中，係包含有尚未被進行任何之描繪的空白光罩。當然的，在被進行描繪時，於試料上，係被形成有藉由電子束而感光的光阻膜。又，在XY平台3上，係在與試料2所被作配置的位置相異之位置處，被配置有平台位置測定用之反射鏡4。 　　控制部160，係具備有控制計算機110、120、平台位置檢測機構45、平台位置控制機構46、偏向控制電路130、記憶體142、磁碟裝置等之記憶裝置21、140、以及外部介面(I/F)電路146。控制計算機110、120、平台位置檢測機構45、平台位置控制機構46、偏向控制電路130、記憶體142、記憶裝置21、140、以及外部介面(I/F)電路146，係藉由未圖示之匯流排而被相互作連接。偏向控制電路130係被與偏向器10、13作連接。 　　在控制計算機110內，係被配置有描繪控制部30、圖案面積密度分布演算部31、劑量分布算出部32、照射量分布算出部33、重疊電子量分布算出部34、帶電量分布算出部(帶電量演算部)35、描繪經過時間演算部37、累積時間演算部38、以及位置偏移量分布演算部(位置偏移量演算部)36之類的功能。描繪控制部30、圖案面積密度分布演算部31、劑量分布算出部32、照射量分布算出部33、重疊電子量分布算出部34、帶電量分布算出部35、描繪經過時間演算部37、累積時間演算部38、以及位置偏移量分布演算部36之類的各「～部」，係包含處理電路(processing circuitry)，在該處理電路中，係包含有電性電路、電腦、處理器、電路基板、量子電路或者是半導體裝置等。又，各「～部」，係亦可使用共通之處理電路(相同之處理電路)。或者是，係亦可使用相異之處理電路(各別之處理電路)。描繪控制部30、圖案面積密度分布演算部31、劑量分布算出部32、照射量分布算出部33、重疊電子量分布算出部34、帶電量分布算出部35、描繪經過時間演算部37、累積時間演算部38、以及位置偏移量分布演算部36內所需要的輸入資料或者是演算出的結果，係逐次被記憶在記憶體142中。 　　在控制計算機120內，係被配置有擊射資料產生部41以及位置偏移修正部(修正部)42之類的功能。擊射資料產生部41以及位置偏移修正部42之類的各「～部」，係包含處理電路，在該處理電路中，係包含有電性電路、電腦、處理器、電路基板、量子電路或者是半導體裝置等。又，各「～部」，係亦可使用共通之處理電路(相同之處理電路)。或者是，係亦可使用相異之處理電路(各別之處理電路)。在擊射資料產生部41以及位置偏移修正部42內所需要之輸入資料或者是演算後的結果，係逐次地被記憶在未圖示之記憶體中。 　　在偏向控制電路130內，係被配置有成形偏向器控制部43以及對物偏向器控制部44之類的功能。成形偏向器控制部43以及對物偏向器控制部44之類的各「～部」，係包含處理電路，在該處理電路中，係包含有電性電路、電腦、處理器、電路基板、量子電路或者是半導體裝置等。又，各「～部」，係亦可使用共通之處理電路(相同之處理電路)。或者是，係亦可使用相異之處理電路(各別之處理電路)。在成形偏向器控制部43以及對物偏向器控制部44內所需要之輸入資料或者是演算後的結果，係逐次地被記憶在未圖示之記憶體中。 　　又，被定義有用以進行描繪之複數之圖形圖案的描繪資料(布局資料)係從描繪裝置100之外部而被輸入，並被儲存在記憶裝置140中。 　　在圖1中，係記載有為了對於本實施形態1作說明時所必要之構成部分，除此以外之部分，係將記載省略。當然的，對於描繪裝置100而言，通常係具備有必要之其他的構成。 　　從電子槍5(放出源)所放出之電子束6，係藉由照明透鏡7而對於具有矩形之孔的第1光圈8全體作照明。於此，首先係將電子束6成形為矩形。之後，通過了第1光圈8之第1光圈像的電子束6，係藉由投影透鏡9而被投影在第2光圈11上。該第2光圈11上之第1光圈像的位置，係藉由以偏向控制電路130所控制的偏向器10而被作偏向控制，而能夠使束形狀和尺寸作改變(可變成形)。之後，通過了第2光圈11之第2光圈像的電子束6，係藉由對物透鏡12而被作對焦，並藉由以對物偏向器控制部44所控制的例如靜電型之偏向器13而被偏向，再照射至被可移動地作了配置的XY平台3上之試料2之所期望的位置處。XY平台3，係藉由平台控制機構46而被作驅動控制。又，XY平台3之位置，係藉由平台位置檢測機構45而被檢測出來。在平台位置檢測機構45處，例如，係包含有對於反射鏡4照射雷射並基於射入光與反射光之干涉來對於位置作測定的雷射測長裝置。靜電透鏡15，係對應於試料2之面的凹凸，來動態性對於電子束6之焦點位置作修正(動態對焦)。 　　圖2，係為用以對於在實施形態1中之平台移動的模樣作說明之圖。在對於試料2進行描繪的情況時，係一面使XY平台3例如朝向X方向作連續移動，一面對於將描繪(曝光)面之描繪區域(R)假想性分割成能夠使電子束6作偏向的短籤狀之複數之條帶區域(SR)的試料2，而將電子束6照射至試料2之1個的條帶區域上。XY平台3之X方向的移動，例如係設為連續移動，同時，電子束6之擊射位置亦係追隨於平台之移動。藉由使其進行連續移動，係能夠將描繪時間縮短。而，若是結束了1個的條帶區域之描繪，則係將XY平台3朝向Y方向作步進進送，並在X方向(此次係為相反方向)上進行下一個的條帶區域之描繪動作。藉由以蛇行的方式來進行各條帶區域之描繪動作，係能夠將XY平台3之移動時間縮短。又，在描繪裝置100處，在對於布局資料(描繪資料)進行處理時，係將描繪區域假想性分割成複數之框架區域，並針對各框架區域之每一者而分別進行資料處理。而，例如，在並不進行多重曝光的情況時，通常，框架區域與上述之條帶區域係成為相同的區域。在進行多重曝光的情況時，因應於多重度，框架區域與上述之條帶區域係成為會有所偏移。或者是，係將描繪區域假想性分割成與多重度相對應之會與條帶區域成為相同之區域的複數之框架區域，並針對各框架區域之每一者而分別進行資料處理。如此這般，試料2之描繪區域，係被假想性分割為成為複數之描繪單位區域的框架區域(條帶區域)，描繪部150，係針對該框架區域(條帶區域)之每一者而分別進行描繪。 　　圖3(a)～圖3(c)，係為對於針對在實施形態1之比較例中之束的照射區域之位置偏移量作了測定的結果之其中一例作展示之圖。在圖3(a)～圖3(c)中，縱軸係代表x方向之位置偏移量。橫軸係代表x方向之位置。在實施形態1之比較例中，係將電子束的照射區域之帶電量CE ，藉由下述之式(1)來作近似。在式(1)中，係使用圖案密度ρ、劑量分布D、照射量分布E(=ρD)以及係數d0 ，d1 ，d2 ，d3 來作定義。在圖3(a)中，係針對使用圖案密度ρ為5%之圖案來進行了測定的結果作展示。在圖3(b)中，係針對使用圖案密度ρ為10%之圖案來進行了測定的結果作展示。在圖3(c)中，係針對使用圖案密度ρ為25%之圖案來進行了測定的結果作展示。相較於圖案密度ρ為25%的情況，在圖案密度ρ為5%的情況以及圖案密度ρ為10%的情況中，依存於束之照射位置，位置偏移量係會增大。 　　圖4，係為對於在實施形態1之比較例中之束的照射區域之帶電量與圖案密度之關係以及帶電量之近似式的其中一例作展示之圖。束之照射區域的帶電量，係起因於圖案密度ρ之變化，而從帶電量為0起來逐漸地使帶電量增加並到達正的帶電量之峰值，並在峰值後而逐漸地減少，帶電量係從正而變為負，之後，以負的帶電量而收斂。但是，在實施形態1之比較例中，如同式(1)中所示一般，由於係藉由線性函數(1次比例函數)來將照射區域之帶電量CE 作近似，因此，如同圖4中所示一般，在正的帶電量之峰值附近(A部)與以負的帶電量而收斂之收斂區域(B部)之中間的密度區域中，近似精確度係為高，但是，在正的帶電量之峰值附近(A部)與以負的帶電量而收斂之收斂區域(B部)處，係會從實施形態1之比較例中的近似函數(式(1))而大幅度地乖離。因此，在藉由實施形態1之比較例所進行的帶電效果修正之手法中，若是以從近似函數而作了大幅度乖離的圖案密度來照射電子束6，則如同圖3(a)以及圖3(b)中所示一般，依存於束之照射位置，係會有成為導致位置偏移量增大的情形。相較於以負的帶電量而收斂之收斂區域(B部)，特別是在正的帶電量之峰值附近(A部)處的位置偏移量係會顯著地變大。 　　圖5，係為對於在實施形態1之比較例的改良例中之帶電量之近似式的其中一例作展示之圖。如同上述一般，由於在正的帶電量之峰值附近(A部)處的位置偏移量係顯著地變大，因此係對於實施形態1之比較例進行改良。如同圖5中所示一般，係以將從圖案密度ρ為0起直到正的帶電量之峰值位置為止之區域藉由其他的線性函數1(1次比例函數)來作定義的方式，而將照射區域之帶電量CE 的近似式藉由線性函數1和在實施形態1之比較例中所使用的線性函數2之組合函數來作定義。但是，就算是藉由該線性函數1和線性函數2之組合函數來作定義，在正的帶電量之峰值附近(A部)處，也依然會產生超過容許範圍之位置偏移量。因此，在實施形態1中，係作進一步的改良，而如同下述一般地來對於照射區域之帶電量CE 作近似。 　　圖6(a)～圖6(c)，係為用以對於在實施形態1中之束的照射區域之帶電量之近似式的構成作說明之圖。在圖6(a)中， 係對於代表圖案密度與帶電量之間之關係的形成帶電量之峰值(反曲點：極大點)之指數函數(峰值函數)的模型作展示。在圖6(b)中，係對於代表圖案密度與帶電量之間之關係的一次比例函數(線性函數)的模型作展示。在圖6(c)中，係對於代表圖案密度與帶電量之間之關係的帶電量為在無限遠處而收斂之指數函數(收斂函數)的模型作展示。在實施形態1中，係作為束之照射區域的帶電量之近似式，而使用將該峰值函數和線性函數以及收斂函數作了組合的組合函數。在實施形態1中之組合函數，係可藉由以下之式(2)來作定義。在式(2)中，係將在實施形態1之比較例中所展示的式(1)之第4項目的(d3 ×E)，置換為線性函數(d3 ×(ρD))和收斂函數(d4 ×(1-exp(d5 ×(ρD)))和峰值函數(d6 ×(ρD)exp(d7 ×(ρD))之和。在式(2)中，係使用圖案密度ρ、劑量分布D、照射量分布E(=ρD)以及係數d0 ，d1 ，d2 ，d3 、d4 、d5 、d6 、d7 來作定義。 　　圖7，係為對於在實施形態1中之束的照射區域之帶電量與圖案密度之關係以及帶電量之近似式的其中一例作展示之圖。束之照射區域的帶電量，係如同上述一般，起因於圖案密度ρ之變化，而從帶電量為0起來逐漸地使帶電量增加並到達正的帶電量之峰值，並在峰值後而逐漸地減少，帶電量係從正而變為負，之後，以負的帶電量而收斂。在圖7之A部處，正的帶電量之峰值，係於圖案密度ρ為3～7%之範圍中而產生。在實施形態1中，由於係如同式(2)中所示一般，藉由線性函數(d3 ×(ρD))和收斂函數(d4 ×(1-exp(d5 ×(ρD)))和峰值函數(d6 ×(ρD)exp(d7 ×(ρD))之組合，來將照射區域之帶電量CE 作近似，因此，如同圖7中所示一般，係能夠在正的帶電量之峰值附近(A部)處而將近似精確度提高。當然的，在從較正的帶電量之峰值附近而更後面起直到以負的帶電量來收斂之前的圖案密度區域中，近似精確度係為高。進而，在以負的帶電量而收斂的收斂區域(B部)處，係能夠將近似精確度提高。 　　圖8，係為對於使用在實施形態1中之帶電量之近似式來將依存於圖案密度之束的照射區域之帶電量作了近似的情況時之模擬結果作展示之圖。如同圖8中所示一般，可以得知，在圖案密度之全部範圍中，均能夠將近似精確度提高。 　　圖9，係為對於在實施形態1中之描繪方法的重要部分工程之其中一例作展示之流程圖。在圖9中，於實施形態1中之描繪方法，係實施圖案面積密度分布ρ(x，y)演算工程(S100)和劑量分布D(x，y)算出工程(S102)和照射量分布E(x，y)算出工程(S104)和重疊電子量分布F(x，y，σ)算出工程(S106)和描繪經過時間T(x，y)演算工程(S107)和累積時間t演算工程(S108)和帶電量分布C(x，y)算出工程(S109)和位置偏移量分布p(x，y)演算工程(S110)和偏向位置修正工程(S112)以及描繪工程(S114)之一連串的工程。 　　作為圖案面積密度分布ρ(x，y)算出工程(S100)，圖案面積密度分布演算部31，係從記憶裝置140而讀出描繪資料，並針對描繪區域(或者是框架區域)被以特定尺寸(網格尺寸)而假想分割成網格狀之後的複數之網格區域的各網格區域之每一者，而對於代表在描繪資料中所被定義的圖形圖案之配置比例之圖案密度ρ(x，y)進行演算。之後，作成各網格區域之每一者的圖案密度之分布ρ(x，y)。 　　作為劑量分布D(x，y)算出工程(S102)，劑量分布算出部32，係使用圖案密度分布ρ(x，y)，而算出各網格區域之每一者的劑量之分布D(x，y)。在劑量之演算中，若是進行由後方散射電子所致之近接效果修正，則為理想。劑量D，係可藉由以下之式(3)來作定義。在式(3)中，D0 係為基準劑量，η係為後方散射率。此些之基準劑量D0 以及後方散射率η，係藉由該描繪裝置100之使用者而被作設定。後方散射率η，係可對於電子束6之加速電壓、試料2之光阻膜厚與基底基板之種類、製程條件(例如，PEB條件或顯像條件)等作考慮並設定之。 　　作為照射量分布E(x，y)算出工程(S104)，照射量分布算出部33，係藉由將圖案密度分布ρ(x，y)之各網格值和劑量分布D(x，y)之相對應的網格值作乘算，來演算出各網格區域之每一者的照射量分布E(x，y)(亦稱作「照射強度分布」)。 　　作為重疊電子量分布F(x，y，σ)算出工程(S106)，重疊電子量分布算出部34(重疊帶電粒子量分布演算部)，係藉由將重疊電子之分布函數g(x，y)和藉由上述之照射量分布E(x，y)算出工程所算出的照射量分布E(x，y)進行卷積(convolution)來演算出重疊電子量分布F(x，y，σ)(重疊帶電粒子量分布)(=E・g)。以下，進行具體性的說明。 　　首先，代表重疊電子之擴散分布的分布函數g(x，y)，係能夠使用重疊效果之影響半徑σ，而藉由以下之式(4-1)來定義之。於此，作為其中一例，係使用有高斯分布。重疊電子量分布F(x，y，σ)，係可藉由以下之式(4-2)來定義之。作為描繪經過時間T(x，y)演算工程(S107)，描繪經過時間演算部37，係針對試料2上之各位置，而演算出從描繪開始時刻(開始布局之開頭或者是開頭框架之描繪的時刻)起直到實際進行描繪的時刻為止之經過時間T(x，y)。例如，當所符合之框架區域(條帶區域)係為第i個的第i框架區域的情況時，係將開始描繪開始位置S(0，0)之描繪的描繪開始時刻起而至對直到前1個的第i-1框架區域(條帶區域)為止之各位置(x，y)進行描繪為止的預測時間，作為經過時間T(x，y)而演算出來。 　　作為累積時間t演算工程(S108)，累積時間演算部38，係演算出將在已結束了描繪的成為描繪單位區域之例如框架區域(條帶區域)的描繪中所耗費之描繪時間作了累積的累積時間t。例如，現在，當所符合之框架區域係為第i個的第i框架區域的情況時，係算出將為了描繪第1框架區域所需的時間t(1)、為了描繪第2框架區域所需的時間t(2)、・・・為了描繪第i框架區域t(i)作了累積加算的加算值。藉由此，係能夠得到直到所符合之框架區域為止的累積時間t。 　　於此，現在，當對於正在進行處理之所符合之框架區域內而實際進行描繪的情況時，由於直到前1個的框架區域為止之描繪係已結束，因此，在直到前1個框架區域為止的框架區域內，被照射了電子束6之場所係成為帶電部分。故而，從所符合之框架區域的累積時間t而減去了身為帶電部分之直到前1個的框架區域為止之框架區域內之各位置(x，y)的描繪經過時間T(x，y)之後的差分值(t-T)，係成為對於帶電部分作了描繪之後的經過時間。 　　作為帶電量分布C(x，y)算出工程(S109)，帶電量分布算出部35，係使用照射量分布E(x，y)和重疊電子量分布F(x，y，σ)以及伴隨著時間的經過之帶電衰減量，而算出帶電量分布C(x，y)。 　　首先，假定了用以求取出帶電量分布C(x，y)之函數C(E，F，T，t)。具體而言，係分離為照射電子所會造成影響的變數CE (E)、和重疊電子所會造成影響的變數CF (F)、和經過時間所會造成影響的帶電衰減量CT (T，t)。函數C(E，F，T，t)，係藉由以下之式(5)來定義。如同上述一般，在實施形態1中，帶電量分布算出部35，係針對電子束被照射在基板2上的情況時之照射區域之帶電量分布CE (E)，而使用將具有帶電量之峰值(極大點或極小點)的峰值函數(第1指數函數)和線性函數(1次比例函數)以及使帶電量在無限遠處而收斂之收斂函數(第2指數函數)作了組合的至少於變數中具有圖案密度(依存於圖案密度)之組合函數(式(2))來進行演算。另外，係以會使峰值(極大點)具有正的帶電量的方式，來設定組合函數之係數。藉由此，係能夠將位置偏移為顯著的帶電量之峰值附近(A部)之近似精確度提高。另外，由於帶電量之峰值(極大值)係位置在圖案密度ρ為3～7%之範圍內，因此，係以配合於進行近似之實驗或者是模擬結果來使峰值(極大值)位置在圖案密度ρ為3～7%之範圍內的方式，來設定組合函數之係數。藉由此，係能夠將位置偏移為顯著的帶電量之峰值附近(A部)之近似精確度更進一步提高。進而，係以會以負的帶電量來收斂的方式，來設定組合函數之係數。藉由此，係能夠將可能會產生位置偏移之收斂部附近(B部)之近似精確度提高。 　　於此，雖係將峰值函數和線性函數以及收斂函數之3個的全部作組合，但是，係並不被限定於此。亦可使用將峰值函數和線性函數或者是收斂函數中之至少其中一者作了組合的依存於圖案密度之組合函數。藉由此，特別是能夠將位置偏移為顯著的帶電量之峰值附近(A部)之近似精確度提高。 　　另外，在上述之例中，雖係針對使用將具有帶電量之峰值(極大點)的峰值函數(第1指數函數)和線性函數(1次比例函數)以及使帶電量在無限遠處而以負的帶電量來收斂之收斂函數(第2指數函數)作了組合之組合函數的情況來作了說明，但是，係並不被限定於此。亦可為使用將具有負的帶電量之峰值(極小點)的峰值函數(第1指數函數)和線性函數(1次比例函數)以及使帶電量在無限遠處而以正的帶電量來收斂之收斂函數(第2指數函數)作了組合之組合函數的情況來作了說明，但是，係並不被限定於此。進而，若是以會使賦予極大點或極小點之輸入變數x會成為x＞0的方式來設定組合函數，則為理想。又，收斂場所，係並不被限定於無限遠。亦可為在特定之圖案密度之後而作收斂。例如，係亦可為圖案密度ρ為75%程度處而作收斂。 　　又，在式(5)中所被使用之依存於圖案面積密度ρ之帶電衰減量κ(ρ)，例如，係可藉由以下之式(6)來作近似。於此，式(6)係成為2次函數，但是，係並不被限定於此，亦可為更加高次之函數，亦可為低次之函數。又，在式(5)中所被使用之依存於圖案面積密度ρ之帶電衰減時間常數量λ(ρ)，例如，係可藉由以下之式(7)來作近似。於此，式(7)係成為2次函數，但是，係並不被限定於此，亦可為更加高次之函數，亦可為低次之函數。另外，關於式(5)～式(7)之各係數d0 、d1 、d2 、d3 、d4 、d5 、d6 、d7 、e1 、e2 、e3 、κ0 、κ1 、κ2 、λ0 、λ1 、λ2 ，係只要與上述之日本特開2009-260250號公報、日本特開2011-040450號公報同樣的，將實驗結果及/或模擬結果作擬合(近似)而求取出來即可。作為其中一例，具體而言，係如同下述一般地而求取出來。 　　首先，使用帶電衰減量κ和帶電衰減時間常數λ以及描繪經過時間t，各圖案面積密度ρ之帶電量C的衰減曲線，係可藉由以指數函數來表現的下式(8)而作近似。又，藉由針對圖案面積密度ρ(圖案面積率ρ)為25%、50%、75%以及100%的各情況，而將特定之帶電用圖案之緊接於描繪之後的測定位置與從描繪起而經過50分鐘之後的測定位置之間之差作擬合，係可得到藉由式(6)來作了近似的依存於圖案面積密度ρ之帶電衰減量κ(ρ)。 　　又，藉由針對圖案面積密度ρ(圖案面積率ρ)為25%、50%、75%以及100%的各情況，而將特定之帶電用圖案之從緊接於描繪之後起直到50分鐘之後為止的複數之時序處之測定位置與從描繪起而經過50分鐘之後的測定位置之間之各差作擬合，係可得到藉由式(7)來作了近似的依存於圖案面積密度ρ之帶電衰減時間常數λ(ρ)。 　　根據以上之結果，在被描繪了該特定之帶電用圖案之照射部的各位置(座標(x，y))處之帶電量C(x，y)，係可藉由下式(9)來作近似。而，如同上述一般，由於差分值(t-T)係成為對帶電部分作了描繪之後的經過時間，因此，使用有式(9)之CT (T，t)，係可變形為下式(10)。另外，在式(9)中，係基於帶電用圖案230內之帶電衰減量κ(ρ)係在所有的位置處而為均一的假定下，來進行估計。因此，隨著圖案面積密度ρ從25%而增加為75%，負的電荷衰減κ(ρ)之大小係增加，但是，在100%之圖案面積密度ρ處，負的電荷衰減κ(ρ)係再度減少。實際上，在對於會跨越複數之框架區域一般之特定之尺寸的帶電用圖案進行描繪的情況時，在最初被作描繪的場所與最後被作描繪的場所之間，係經過有相當長的時間。若是對於根據所觀測到的位置偏移量Y而假定為均一分布所求取出的帶電衰減量κ(ρ)而適用使帶電衰減之帶電衰減時間常數λ並設定修正後的帶電衰減量κ”(ρ)，且基於此修正後的帶電衰減量κ”(ρ)來求取出位置偏移量Y”，則Y”係會成為較Y更小。因此，係亦可使用會使位置偏移量Y”成為與原本之位置偏移量Y相等的修正式κ”=L(λ)・κ，來對於帶電衰減量κ(ρ)作修正。 　　例如，藉由使用複數之帶電衰減時間常數λ，並將對於在各帶電衰減時間常數λ下的κ”/κ進行了描繪的結果作擬合，係能夠得到修正式κ”=L(λ)・κ。例如，係可得到κ”=(1+3.1082・λ-1.0312 )・κ。 　　例如，當圖案面積密度ρ為75%的情況和為100%的情況時，係會有帶電衰減量發生逆轉的情況，但是，藉由此修正，該逆轉現象係被消除，修正後之帶電衰減量κ”(ρ)，係隨著圖案面積密度ρ增加為25%、50%、75%、100%，而依序增加或者是減少。 　　又，在實施形態1之模型中，首先，係忽視帶電衰減量CT (T，t)，照射區域的函數，係假定為變數CF (F)=0，亦即是假定為C(E，F，T，t)=CE (E)。另一方面，非照射區域的函數，係假定為變數CE (E)=0，亦即是假定為C(E，F)=CF (F)。又，係假定為照射區域內係均勻地帶電。亦即是，係假定為CE (E)=co 。此co ，係為常數，例如，係為1。 　　又，在非照射區域處，若是重疊電子量F變得越大，則帶電CF (F)係會飽和。因此，係將非照射區域之變數CF (F)設為如同下式(11)一般地來作表現。上式(11)中之α，係滿足0＜α＜1之條件。若依據本發明者之實驗，則係得知了，當α=0.3-0.4時，會成為最為接近實驗結果，而為合適。此合適之α的範圍，係可因應於所使用的電子束描繪裝置來作改變。 　　於此，針對如同上式(11)一般地來對於函數CF (F)作規定的理由作說明。 　　重疊電子量強度F，若是將4種類的圖案密度(100%、75%、50%、25%)中之圖案密度100%時的重疊電子量強度F設為F100 ，則在各圖案密度下之強度，係與圖案密度成正比地而分別成為F100 、0.75×F100 、0.5×F100 、0.25×F100 。但是，CF (F)係為未知的函數。因此，CF (F100 )、CF (0.75×F100 )、CF (0.5×F100 )、CF (0.25×F100 )之強度係不會成正比，並且會有在各圖案密度下而分布形狀互為相異的可能性。如此這般，若是在各圖案密度下之分布形狀為相異，則係必須要針對各圖案密度之每一者而分別規定CF (F)，在解析上係為不便。 　　因此，係針對任意之F，而設為就算是圖案密度有所改變也能夠得到相似形狀之分布形狀的函數CF (F)。亦即是，函數CF (F)，係以會滿足下式(12)之關係的方式來作了規定。在下式(12)中之a係為圖案密度，A係為常數。若是身為相似形狀之函數，則就算是CF (F)全體之強度並非為與圖案面積密度之變化成正比，分布形狀也不會改變。針對強度，係可藉由上述參數c0 、c1 之組合來作調整。故而，係並不需要針對各圖案密度之每一者而分別規定CF (F)，而僅需要對於1個的σ而規定1個的CF (F)即可，因此，係能夠使解析變得簡單。 　　接著，決定上述參數c0 、c1 、σi 之最適當的組合。針對照射區域，係假定co 之大小的階段形狀之帶電量分布CE (E)，並藉由將此帶電量分布CE (E)和預先所計算出的回應函數r(x)作卷積，來算出位置偏移量p0 (x)。 　　又，針對非照射區域，係假定某一α和重疊電子擴散半徑(以下稱作「重疊半徑」)σ，並計算出CF (F)。針對複數之重疊半徑σ而求取出此CF (F)。例如，重疊半徑σ，係在1mm～24mm之範圍內而以1mm之間隔來作假定。之後，使用相對於重疊半徑σ1 ～σi 之帶電量分布CF (F)和回應函數r，來求取出位置偏移量p1 (x)～pi (x)。 　　若是將此些之照射區域以及非照射區域的位置偏移量p(x)作合成，則係如同下次式(13)一般地來作表現。之後，求取出能夠使上式(13)最為良好地適合於實驗結果(擬合)之參數c0 、c1 、σ之組合。例如，針對光阻A、B、C，而求取出藉由擬合所求出的參數c0 、c1 、σ之最適當的組合。但是，係得知了：就算是在使用相同種類之光阻的情況時，亦同樣的，若是圖案密度為相異，則最適當的重疊半徑σ也會有所相異。物理性而言，較理想，重疊半徑σ係並不會依存於圖案密度而改變。又，雖然針對光阻A係能夠得到良好的擬合結果，但是針對光阻B、C係並無法得到如同光阻A一般之良好的擬合結果。若依據本發明者之檢討，則係推測到，此些之結果，係為起因於將照射部之帶電假定為CE (E)=c0 之平坦之變化一事所導致者。 　　因此，本發明者，係以針對照射區域之帶電量分布而亦將重疊電子之影響作記述的方式，來對於上述模型作了修正。在該模型中，於照射區域處之帶電量分布，係如同下式(14)一般地來作表現。但是，非照射部之帶電量分布，係設為與上述模型相同。針對修正後的模型，而求取出參數c0 、c1 、σ之組合。修正後之模型，重疊半徑σ係仍具備有圖案密度依存性。進而，基於各圖案密度而藉由擬合所求取出的c1 ，雖然係需要與下式(15)之曲線相重疊，但是，係得知了並不會重疊。因此，首先，係將非照射區域之帶電量分布CF (F)和重疊電子量強度F之間的關係，藉由如同下式(16)一般之多項式函數來作表現。在下式(16)中，f1 、f2 、f3 係為常數。接著，針對各圖案密度，而算出在y=0處之帶電量分布C(x，0)。另外，係並不被限定於y=0，藉由以2維來算出帶電量分布C(x，y)，係能夠使以下所進行的擬合之精確度提昇。 　　之後，求取出會使非照射區域之帶電量分布C(x，0)和上式(16)之CF (F)會最為擬合之最適當的重疊半徑σ。在重疊半徑σ為過小的情況或者是重疊半徑σ為過大的情況時，係無法得到良好的擬合結果。亦即是，若是重疊半徑σ變得過小或者是過大，則由於各圖案密度之資料係會相互遠離，因此係無法求取出上述之參數f1 、f2 、f3 。相對於此，若是最適當的重疊半徑σ被求取出來，則係能夠得到良好的擬合結果，而能夠求取出上述參數f1 、f2 、f3 。 　　接著，使用上述所求取出的最適當之重疊半徑σ，來求取出照射區域之重疊電子量分布F。之後，將照射區域之帶電量分布C(E，F)，使用照射量分布E和藉由上式(4-2)所求取出的重疊電子量分布F，來藉由如同下式(17)一般之多項式函數來作表現。在下式(17)中，係對於重疊電子所會影響的帶電量分布CFe (F)有所考慮。之後，求取出會使照射區域之帶電量分布C(x，0)和上式(17)之帶電量分布C(E，F)會最為擬合之參數d0 、d1 、d2 、d3 、d4 、d5 、d6 、d7 、e1 、e2 、e3 。 　　在此模型中，與上述之使用有相似形狀之函數的模型相異，就算是圖案密度有所改變，最適當的重疊半徑σ也不會改變。 　　而，若是在藉由上式(17)所展示的照射區域之帶電量分布C(E，F)處更進而加算起因於帶電衰減所導致的帶電量分布，則係能夠得到上述之式(5)。藉由此，係能夠對於帶電衰減量作修正。 　　作為位置偏移量分布p(x，y)演算工程(S110)，位置偏移量分布演算部36(位置偏移量演算部)，係使用所得到的帶電量分布C(x，y)，而演算出起因於電子束6之照射所形成的照射圖案之位置偏移量。具體而言，位置偏移量分布演算部36，係藉由對於帶電量分布C(x，y)之各帶電量C而將回應函數r(x，y)作卷積，而演算出起因於帶電量分布C(x，y)之各位置(x，y)之帶電量所導致的描繪位置(x，y)之位置偏移量P。假定出將此帶電量分布C(x，y)轉換為位置偏移量分布P(x，y)之回應函數r(x，y)。於此，將藉由帶電量分布C(x，y)之各位置所代表的帶電位置以(x’，y’)來作表現，並將現在正在進行資料處理之所符合的框架區域(例如，第i框架區域)之束照射位置以(x，y)來作表現。於此，束之位置偏移，由於係能夠作為從束照射位置(x，y)起直到帶電位置(x’，y’)為止之距離的函數來作表現，因此，係能夠將回應函數如同r(x-x’，y-y’)一般地來作記述。回應函數r(x-x’，y-y’)，係只要預先進行實驗，並以會與實驗結果相擬合的方式來預先求取出來即可。以下，在實施形態1中，(x，y)，係代表現在正在進行資料處理之所符合的框架區域之束照射位置。 　　而，位置偏移量分布演算部36，係根據所符合之框架區域的想要進行描繪之各位置(x，y)的位置偏移量P，來作成位置偏移量分布Pi(x，y)(或者是，亦稱作位置偏移量映射Pi(x，y))。所演算出的位置偏移量映射Pi(x，y)，係被儲存在記憶裝置21中，並且被輸出至控制計算機120處。 　　另一方面，在控制計算機120內，擊射資料產生部41，係從記憶裝置140而讀出描繪資料，並進行複數階段之資料變換處理，而產生描繪裝置100固有之格式的擊射資料。在描繪資料中所被定義的圖形圖案之尺寸，通常，係較描繪裝置100之能夠以1次的擊射所形成之擊射尺寸而更大。因此，在描繪裝置100內，係以會成為描繪裝置100之能夠以1次的擊射所形成之尺寸的方式，來將各圖形圖案分割成複數之擊射圖形(擊射分割)。又，係在各擊射圖形之每一者處，作為擊射資料，而定義有代表圖形種類的圖形碼、座標以及尺寸之類的資料。 　　作為偏向位置修正工程(S112)(位置偏移修正工程)，位置偏移修正部42(修正部)，係使用位置偏移量，來對於照射位置作修正。於此，係對於各位置之擊射資料作修正。具體而言，係在擊射資料之各位置(x，y)上，加算上對於位置偏移量映射Pi(x，y)所代表的位置偏移量作修正之修正值。修正值，例如，若是使用將位置偏移量映射Pi(x，y)所代表的位置偏離量之正負符號設為相反的符號之值，則為理想。藉由此，在電子束6被作照射的情況時，由於其之照射目標的座標係被作修正，因此，藉由對物偏向器13而被作了偏向的偏向位置係成為被作修正。擊射資料，係以會依據擊射順率來作排列的方式，而被定義在資料檔案中。 　　作為描繪工程(S114)，在偏向控制電路130內，係依據擊射順序，而使成形偏向器控制部43，針對各擊射圖形之每一者，而根據在擊射資料中所定義之圖形種類以及尺寸，來演算出用以將電子束6作可變成形之成形偏向器10的偏向量。於同一時期中，對物偏向器控制部44，係演算出用以偏向至照射該擊射圖形之試料2上的位置處之偏向器13之偏向量。換言之，對物偏向器控制部44(偏向量演算部)，係演算出將電子束偏向至被作了修正之後的照射位置處之偏向量。之後，電子鏡筒1(柱)，係對於修正後的照射位置而照射電子束。具體而言，被配置在電子鏡筒1(柱)內之偏向器13，係藉由因應於所演算出的偏向量來使電子束作偏向，而對於修正後的照射位置照射電子束。藉由此，描繪部150，係在試料2之被作了帶電修正後的位置處描繪圖案。 　　圖10，係為對於在實施形態1中之描繪方法的重要部分工程之另外一例作展示之流程圖。在圖10中，代替圖9之劑量分布D(x，y)算出工程(S102)，係無關於圖案密度分布ρ(x，y)地而使用固定之劑量分布D(x，y)，除此之外，係與圖9相同。 　　如同上述一般，若依據實施形態1，則係能夠包含有帶電效果修正會成為並非充分的圖案密度之一部分之區域地，來對起因於帶電現象所導致的位置偏移作修正。其結果，係能夠將束照射至高精確度之照射位置處。故而，係能夠在高精確度之照射位置處形成束的照射圖案。 [實施形態2] 　　在實施形態1中，雖係針對對於使用有單一束之描繪裝置而適用了帶電效果修正的情況來作了說明，但是，係並不被限定於此。在實施形態2中，係針對對於使用有多重束之描繪裝置而適用了帶電效果修正的情況來作說明。 　　圖11，係為對於在實施形態2中之描繪裝置的構成作展示之概念圖。在圖11中，描繪裝置300，係具備有描繪部350和控制部360。描繪裝置300，係為多重帶電粒子束描繪裝置之其中一例，並且亦為多重帶電粒子束曝光裝置之其中一例。描繪部350，係具備有電子鏡筒102和描繪室103。在電子鏡筒102內，係被配置有電子槍201、照明透鏡202、成形光圈陣列構件203、遮沒光圈陣列機構204、縮小透鏡205、限制光圈構件206、對物透鏡207、靜電透鏡212、以及偏向器208、209。在描繪室103內，係被配置有XY平台105。在XY平台105上，於進行描繪(曝光)時，係被配置有成為描繪對象基板之遮罩等的試料101。在試料101中，係包含有在製造半導體裝置時所使用之曝光遮罩、或者是被製造出半導體裝置之半導體基板(矽晶圓)等。又，在試料101中，係包含有被塗布了光阻之尚未被進行任何之描繪的空白光罩。在XY平台105上，係更進而被配置有XY平台105之位置測定用的反射鏡210。 　　控制部360，係具備有控制計算機110、120、記憶體112、偏向控制電路130、數位、類比轉換(DAC)放大單元132、134、平台控制機構138、平台位置測定器139、外部介面(I/F)電路146、以及磁碟裝置等之記憶裝置21、140、142。控制計算機110、120、記憶體112、偏向控制電路130、平台控制機構138、平台位置測定器139、外部介面(I/F)電路146以及記憶裝置21、140、142，係藉由未圖示之匯流排而被相互作連接。在記憶裝置140(記憶部)中，係從描繪裝置300之外部而被輸入有描繪資料並作儲存。在偏向控制電路130處，係經由未圖示之匯流排而被連接有DAC放大單元132、134以及遮沒光圈陣列機構204。平台位置測定器139，係將雷射光照射至XY平台105上之反射鏡210處，並受光從反射鏡210而來之反射光。之後，利用射入光與反射光之干涉的資訊，來測定出XY平台105之位置。 　　控制計算機110內之構成，係與圖1相同。在控制計算機120內，係被配置有擊射資料產生部41以及照射量調變部47之類的功能。擊射資料產生部41以及照射量調變部47之類的各「～部」，係包含處理電路，在該處理電路中，係包含有電性電路、電腦、處理器、電路基板、量子電路或者是半導體裝置等。又，各「～部」，係亦可使用共通之處理電路(相同之處理電路)。或者是，係亦可使用相異之處理電路(各別之處理電路)。在擊射資料產生部41以及照射量調變部47內所需要之輸入資料或者是演算後的結果，係逐次地被記憶在未圖示之記憶體中。 　　於此，在圖11中，係記載有為了對於實施形態2作說明時所必要之構成。對於描繪裝置300而言，通常係亦可具備有必要之其他的構成。 　　於成形光圈陣列構件203處，係以特定之配列節距而將縱(y方向)p列×橫(x方向)q列(p，q≧2)之孔(開口部)形成為矩陣狀。例如，係在縱橫(x，y方向)上被形成有512×512列之孔。各孔，係均被形成為相同尺寸形狀之矩形。遮沒光圈陣列機構204，係於與成形光圈陣列構件203之被形成為矩陣狀之複數之孔相對應的位置處，開口有使多重束之各束作通過的通過孔(開口部)。又，在各通過孔之近旁位置處，係包夾著所對應之通過孔而分別配置有遮沒偏向用之控制電極以及對向電極之組(遮沒器：遮沒偏向器)。又，在各通過孔的近旁處，係被配置有對於控制電極施加偏向電壓之控制電路(邏輯電路)。對向電極係被作接地連接。通過各通過孔之電子束，係分別獨立地藉由被施加至成對之控制電極與對向電極之組處的電壓而被作偏向。藉由此偏向而進行遮沒控制。使多重束中之所對應之束分別作遮沒偏向。藉由被配置在各通過孔之每一者處的控制電極與對向電極之組以及其控制電路，來構成個別遮沒機構。如此這般，複數之遮沒器，係進行通過了成形光圈陣列構件203之複數之孔(開口部)之後的多重束中之各別所對應的束之遮沒偏向。 　　在實施形態1中，係使用上述之由個別遮沒控制用之各控制電路所致的束ON/OFF控制，來進行各束之遮沒控制。在實施形態2中之描繪動作，係如同在圖2中所作了說明一般，於各條帶區域處而被進行。 　　從電子槍201(放出源)所放出之電子束200，係藉由照明透鏡202而略垂直地對於成形光圈陣列構件203全體作照明。在成形光圈陣列構件203處，係被形成有矩形之複數的孔(開口部)，電子束200，係對於包含有複數之孔的全部孔之區域作照明。被照射至複數之孔的位置處之電子束200的各一部分，係藉由分別通過此成形光圈陣列構件203之複數之孔，而形成例如矩形形狀之複數之電子束(多重束)20a～e。此些多重束20a～e，係通過遮沒光圈陣列機構204之分別所對應的遮沒器(第1偏向器：個別遮沒機構)內。此些遮沒器，係藉由偏向控制電路130以及個別遮沒機構之控制電路而被作控制，並分別至少在對於個別所通過之電子對應束20所設定之描繪時間(照射時間)中而保持束ON、OFF之狀態。換言之，遮沒光圈陣列機構204，係對於多重束之照射時間作控制。 　　通過了遮沒光圈陣列機構204後之多重束20a～e，係藉由縮小透鏡205而被縮小，並朝向被形成在限制光圈構件206處之中心的孔而前進。於此，藉由遮沒光圈陣列機構204之遮沒器而作了偏向的電子束20a，其位置係從限制光圈構件206(遮沒光圈構件)之中心的孔而偏離，並被限制光圈構件206所遮沒。另一方面，並未藉由遮沒光圈陣列機構204之遮沒器而作偏向的電子束20b～e，係如圖11中所示一般，通過限制光圈構件206之中心的孔。如此這般，限制光圈構件206，係將藉由個別遮沒機構而以成為束OFF之狀態的方式來作了偏向之各束作遮沒。並且，藉由從成為束ON起直到成為束OFF為止所形成的通過了限制光圈構件206之束，來形成1次之擊射的各束。通過了限制光圈構件206之多重束20，係藉由對物透鏡207而作了對焦，並成為所期望之縮小率的圖案像，再藉由被從DAC放大單元134而來之偏向電壓所控制的偏向器208以及被從DAC放大單元132而來之偏向電壓所控制的偏向器209，來使通過了限制光圈構件206之各束(多重束20全體)整批地偏向至相同方向處，並照射至各束之在試料101上的各別之照射位置處。又，例如當XY平台105正在作連續移動時，係以使束之照射位置追隨於XY平台105之移動的方式，來藉由偏向器208而進行控制。在一次中被作了照射的多重束20，理想上，係會成為以在成形光圈陣列構件203之複數之孔的配列節距上乘上了上述之所期望之縮小率後的節距來作並排。如此這般，電子鏡筒102(柱)，係將藉由電子束所構成的多重束照射至試料101上。XY平台105，係藉由平台控制機構138而被作驅動控制。又，XY平台105之位置，係藉由平台位置檢測器139而被檢測出來。在平台位置檢測器139處，例如，係包含有對於反射鏡210照射雷射並基於射入光與反射光之干涉來對於位置作測定的雷射測長裝置。靜電透鏡212，係對應於試料101之面的凹凸，來動態性對於多重束20之焦點位置作修正(動態對焦)。 　　圖12，係為對於在實施形態2中之多重束的照射區域與描繪對象像素之其中一例作展示之圖。在圖12中，條帶區域332，例如，係以多重束之束尺寸來分割成網格狀之複數的網格區域。該些各網格區域，係成為描繪對象像素336(單位照射區域、或者是描繪位置)。描繪對象像素336之尺寸，係並不被限定於束尺寸，亦可為無關於束尺寸地而以任意之大小所構成者。例如，係亦能夠以束尺寸之1/n(n為1以上之整數)的尺寸來構成之。在圖12之例中，例如，係針對將試料101之描繪區域在y方向上而以與能夠以1次之多重束20的照射來進行照射之照射區域334(描繪場)的尺寸實質性相同之寬幅尺寸來分割成複數之條帶區域332的情況作展示。另外，條帶區域332之寬幅，係並不被限定於此。若是身為照射區域334之n倍(n為1以上之整數)的尺寸，則為理想。又，在照射區域334內，係展示有能夠藉由1次的多重束20之擊射來進行照射的複數之像素328(束之描繪位置)。換言之，相鄰之像素328之間的節距，係成為多重束之各束間的節距。在圖12之例中，係藉由被相鄰之4個的像素328所包圍並且包含有4個的像素328中之1個的像素328之正方形的區域，來構成1個的格(grid)329。在圖12之例中，係針對各格329為藉由4×4之像素所構成的情況作展示。 　　例如，若是藉由偏向器208，而使照射區域334被固定於試料101上之1點處(追蹤控制)，則相同之束係藉由偏向器209而一面在格329內之行或列上橫移一面進行各擊射。之後，若是格329內之行或列的像素336群之照射結束，則係將追蹤控制重置，並將照射區域334例如作1個像素336之量的偏移而作固定(追蹤控制)。此時，負責格329之束，係以使用與前一次之束相異之束的方式而被作控制。藉由反覆進行此動作，條帶區域332內之所有的像素336係成為照射對象。之後，藉由將多重束中之任意之束對於必要之像素336作照射，作為全體係成為描繪所期望之圖形圖案。 　　圖13，係為對於在實施形態2中之描繪方法的重要部分工程之其中一例作展示之流程圖。在圖13中，於實施形態2中之描繪方法，係代替偏向位置修正工程(S112)而實施照射量調變工程(S113)，除此之外，係與圖9相同。以下，除了以下所說明之點以外，其他內容係與實施形態1相同。 　　從圖案面積密度分布ρ(x，y)演算工程(S100)起直到位置偏移量分布p(x，y)演算工程(S110)為止的各工程之內容，係與實施形態1相同。在實施形態1中，為了對於位置偏移作修正，係對於被定義在擊射資料中之各擊射圖形的照射位置(座標)作修正，並以會偏向至被修正後之位置處的方式來演算出偏向量。另一方面，在實施形態2中，係使用多重束，而藉由對於必要之像素336的束照射之有無以及照射量之調整，來形成圖案。進而，束偏向，係使用偏向器208、209來以多重束全體而整批地作偏向。因此，對於個別之束的偏向位置作修正一事係為困難。因此，在實施形態2中，係藉由將起因於帶電而發生有位置偏移之像素336以及該像素336之周邊的像素之照射量作調變，來對於在照射後所被形成的照射圖案(像素圖案)之位置作修正。 　　於此，擊射資料產生部41，係演算出對於各像素336之照射時間。照射時間，係可藉由將被定義於劑量分布D(x，y)中之劑量除以電流密度J，而求取出來。 　　作為照射量調變工程(S113)，照射量調變部47(修正部之其中一例)，係參照位置偏移量分布(映射)所代表的位置偏移量，來以使照射了多重束20後的結果會成為在應修正之照射位置處被形成有照射圖案的方式，而將照射在被照射有多重束中之所對應之束的像素336(照射單位區域)和該像素336之周邊之像素336處的各別之照射量作調變。 　　圖14(a)和圖14(b)，係為用以對於在實施形態2中之位置偏移修正方法的其中一例作說明之圖。在圖14(a)之例中，係針對被照射至座標(x，y)之像素處的束a’為在+x、+y側處發生有位置偏移的情況作展示。為了將藉由發生有該位置偏移之束a'所形成的圖案之位置偏移如同圖14(b)一般地而修正至與座標(x，y)之像素相合致的位置處，係可藉由將作了偏移之量的照射量分配至與作了偏移的周圍之像素之方向相反側的像素處，來進行修正。在圖14(a)之例中，係只要使偏移至座標(x，y+1)之像素處之量的照射量，被分配至座標(x，y-1)之像素處即可。係只要使偏移至座標(x+1，y)之像素處之量的照射量，被分配至座標(x-1，y)之像素處即可。係只要使偏移至座標(x+1，y+1)之像素處之量的照射量，被分配至座標(x-1，y-1)之像素處即可。 　　照射量調變部47，係因應於起因於該像素(x，y)之束的位置偏移所導致之發生了偏移的面積之比例，來演算出該像素(x，y)之束的調變率和該像素(x，y)之周圍之像素(x，y-1)(x-1，y)(x-1，y-1)之束的調變率。具體而言，針對束發生偏移而使束之一部分作了重疊的周圍之像素之每一者，來將作了偏移之量的面積(重疊了的束之部分的面積)除以束的面積，並將此作為對於位置在與重疊了的像素相反側處之像素的分配量(束之調變率)而演算出來。 　　在圖14(a)之例中，朝向座標(x，y+1)之像素而作了偏移的面積比，係可藉由(x方向束尺寸-x方向偏移量)×y方向偏移量/(x方向束尺寸×y方向束尺寸)而演算出來。故而，為了進行修正而應分配至座標(x，y-1)之像素處的分配量(束之調變率)U，係可藉由(x方向束尺寸-x方向偏移量)×y方向偏移量/(x方向束尺寸×y方向束尺寸)而演算出來。 　　在圖14(a)之例中，朝向座標(x+1，y+1)之像素而作了偏移的面積比，係可藉由x方向偏移量×y方向偏移量/(x方向束尺寸×y方向束尺寸)而演算出來。故而，為了進行修正而應分配至座標(x-1，y-1)之像素處的分配量(束之調變率)V，係可藉由x方向偏移量×y方向偏移量/(x方向束尺寸×y方向束尺寸)而演算出來。 　　在圖14(a)之例中，朝向座標(x+1，y)之像素而作了偏移的面積比，係可藉由x方向偏移量×(y方向束尺寸-y方向偏移量)/(x方向束尺寸×y方向束尺寸)而演算出來。故而，為了進行修正而應分配至座標(x-1，y)之像素處的分配量(束之調變率)W，係可藉由x方向偏移量×(y方向束尺寸-y方向偏移量)/(x方向束尺寸×y方向束尺寸)而演算出來。 　　其結果，成為並未被分配而殘留之量的座標(x，y)之像素的束之調變率D，係可藉由1-U-V-W而演算出來。 　　之後，照射量調變部47，係藉由將所得到的調變率乘以所對應之像素的照射量(照射時間)，而進行像素336之照射量調變。 　　作為描繪工程(S114)，電子鏡筒102(柱)，係對於對象像素336和該像素336之周邊的像素336而分別照射被作了調變後的照射量之束。藉由此，描繪部350，係在試料101之被作了帶電修正後的位置處描繪圖案。 　　如同上述一般，若依據實施形態2，則就算是在使用有多重束的情況時，亦能夠包含有以帶電效果修正會成為並非充分的圖案密度ρ來進行了束之照射的一部分之區域地，來對起因於帶電現象所導致的位置偏移作修正。其結果，係能夠將束照射至高精確度之照射位置處。 [實施形態3] 　　在上述之各實施形態中，雖係實施有帶電量分布等之演算處理，但是，係並不被限定於此。在實施形態3中，係針對使用類神經網路模型來並不進行帶電量分布等之演算處理地而直接對於位置偏移分布進行演算之構成作說明。 　　圖16，係為對於在實施形態3中之描繪裝置的重要部分構成之其中一例作展示之概念圖。在圖16中，控制部160，係具備有控制計算機110、120、平台位置檢測機構45、平台位置控制機構46、偏向控制電路130、記憶體142、磁碟裝置等之記憶裝置140、144、以及外部I/F電路146。控制計算機110、120、平台位置檢測機構45、平台控制機構46、偏向控制電路130、記憶體142、記憶裝置140、144、以及外部I/F電路146，係藉由未圖示之匯流排而被相互作連接。在控制計算機110內，係被配置有描繪控制部30、圖案面積密度分布演算部31、劑量分布算出部32、照射量分布算出部33、NN演算部39、以及位置偏移量分布演算部36。關於其他構成，係與圖1相同。 　　描繪控制部30、圖案面積密度分布演算部31、劑量分布算出部32、照射量分布算出部33、NN演算部39、以及位置偏移量分布演算部36之類的各「～部」，係包含處理電路，在該處理電路中，係包含有電性電路、電腦、處理器、電路基板、量子電路或者是半導體裝置等。又，各「～部」，係亦可使用共通之處理電路(相同之處理電路)。或者是，係亦可使用相異之處理電路(各別之處理電路)。描繪控制部30、圖案面積密度分布演算部31、劑量分布算出部32、照射量分布算出部33、NN演算部39、以及位置偏移量分布演算部36內所需要的輸入資料或者是演算出的結果，係逐次被記憶在記憶體142中。 　　圖17，係為對於在實施形態3中之描繪方法的重要部分工程之其中一例作展示之流程圖。在圖17中，於實施形態3中之描繪方法，係實施類神經網路演算工程(S90)和圖案面積密度分布ρ(x，y)演算工程(S100)和劑量分布D(x，y)算出工程(S102)和照射量分布E(x，y)算出工程(S104)和位置偏移量分布p(x，y)演算工程(S111)和偏向位置修正工程(S112)以及描繪工程(S114)之一連串的工程。 　　作為類神經網路演算工程(S90)，NN演算部39，係使用類神經網路模型，而使用評價圖案之照射量分布E和評價圖案之實際的位置偏移量分布p，而學習權重係數g(j，i)以及權重係數R(k，j)。 　　圖18，係為對於在實施形態3中之類神經網路的構成之其中一例作展示之概念圖。一般而言，人腦係被視為由多數之類神經(神經細胞)所成的大規模之網路，類神經網路係為將此作了模型化者。如同圖18中所示一般，針對輸入層與中間層之相互之層之間的權重係數g(j，i)、和中間層與輸出層之相互之層之間的權重係數R(k，j)，係以使認定為理想之教師資料和實際所得到的輸出之間之平方誤差會成為最小的方式，而求取出來。具體而言，在各層的節點間，將從輸入層側之節點而來的輸出值作了附加權重乘積和演算的合計值，藉由輸入輸出轉換函數來作轉換，並作為對於輸出側之輸入值而使其傳播。之後，基於最終輸出層之輸出結果，來形成位置偏移量之分布資料。而，在類神經網路模型中，係將以會成為最小誤差值的方式來改變權重係數一事，稱作學習。 　　圖19，係為對於在實施形態3中之評價圖案的映射構成之其中一例作展示之概念圖。在圖19中，係設定照射區域、和包圍照射區域之非照射區域，並在照射區域內配置評價圖案。之後，將照射區域和非照射區域之全體區域，藉由在x、y方向上而各為自然數m+1根之格線，來分割成m×m個的網格狀之複數之網格區域。故而，m×m個的網格區域中，中心部之n×n個的網格區域係成為照射區域。例如，將x、y方向上之40×40個的網格區域中之中心部之20×20個的網格區域設為照射區域。上述之圖3中的測定結果，係為藉由對於圖19之評價圖案之縱方向中央部附近而於橫方向上一直線地作了測定所得到的結果。 　　圖20，係為對於在實施形態3中之複數之評價圖案的布局之其中一例作展示之概念圖。描繪裝置100，係在被塗布有光阻之評價基板300上，如同圖20中所示一般地，描繪圖案面積密度為相異之複數之評價圖案302。在圖20之例中，係描繪圖案面積密度ρ為3%、5%、10%、15%、20%、25%、50%、75%以及100%之9種類的評價圖案302。在描繪後，將評價基板300顯像，並進行灰化，藉由此，係能夠得到各評價圖案302之光阻圖案。之後，對於各評價圖案302之光阻圖案的位置進行測定。或者是，係亦可進而將各評價圖案302之光阻圖案作為遮罩，並對於下層之例如鉻(Cr)等的遮光膜進行蝕刻。於該情況中，係只要對於被作了蝕刻的遮光膜之位置進行測定即可。測定位置，係只要對於各格線之交叉點進行測定即可。故而，測定資料，係可針對各評價圖案302之每一者，而對於x、y方向之各者來針對(m+1)×(m+1 )個的位置而獲得之。作為評價圖案302，例如，若是使用線與空間(line and space)圖案等，則為理想。針對該複數之評價圖案，於x、y方向之各者上，作成使m×m個的網格區域之各網格的個別之網格區域的照射量與(m+1)×(m+1)個的位置偏移量相互成對之教師資料，並從描繪裝置100之外部來輸入，而儲存在記憶裝置144中。 　　之後，NN演算部39，係從記憶裝置144而讀出教師資料，並作為類神經網路模型之輸入層的各資料而使用照射量分布E(i)之資料，並且作為輸出層之各資料而使用評價圖案之實際的位置偏移量p(k)之資料，來演算出權重係數g(j，i)以及權重係數R(k，j)。係只要從實際所得到的位置偏移量分布p(k)之資料來進行反向傳播(back propagation)即可。所演算出的權重係數g(j，i)以及權重係數R(k，j)，係被暫時性地記憶在記憶裝置144中。係只要因應於學習來使其依序被作更新即可。 　　於此，作為權重係數g(j，i)之核心(kernel)，係使用有分布函數g。故而，對於類神經網路模型之中間層的輸入值，係相當於重疊電子量分布F之資料，又，從中間層而來之輸出值，係相當於帶電量分布C之資料。進而，作為中間層之輸入輸出轉換函數，係使用將具有極大點或極小點之第1指數函數和1次比例函數或者是於無限遠處而收斂之第2指數函數中的至少其中一者之函數作了組合的至少於變數中具有圖案密度之組合函數。具體而言，作為中間層之輸入輸出轉換函數，係使用有上述之式(2)或者是式(5)之組合函數。此些之式之中，於式(2)(或者是式(5))中，係包含有將帶電量之峰值(極大點或極小點)的峰值函數(第1指數函數)和線性函數(1次比例函數)以及使帶電量在無限遠處而收斂之收斂函數(第2指數函數)作了組合之至少於變數中具有圖案密度的組合函數。 　　當組合函數為使用收斂函數(第2指數函數)的情況並且峰值函數(第1指數函數)為具有正的極大點的情況時，係以會在收斂函數(第2指數函數)處而以負的值來作收斂的方式，來設定組合函數之係數。相反的，當組合函數為使用收斂函數(第2指數函數)的情況並且峰值函數(第1指數函數)為具有負的極小點的情況時，係以會在收斂函數(第2指數函數)處而以負的值來作收斂的方式，來設定組合函數之係數。 　　NN演算部39，係針對9種類的評價圖案，而依序進行演算處理，藉由此來進行學習，並將權重係數g(j，i)以及權重係數R(k，j)一般化。另外，針對各評價圖案，由於係得到有x方向之位置偏移分布和y方向之位置偏移分布，因此，輸出層p(k)之節點數係成為(m+1)2 之2倍。於此，如同上述一般，在帶電量分布C之計算中，係於照射區域與非照射區域處而將計算式有所改變。故而，關於為了得到權重係數R(k，j)而使用的輸入輸出轉換函數，亦同樣的，較理想，係準備照射區域用之輸入輸出轉換函數和非照射區域用之輸入輸出轉換函數，並在藉由照射區域之輸入資料和非照射區域之輸入資料來進行演算時，將輸入輸出轉換函數作變更(將節點作變更)。照射量分布E(i)之資料，係並不僅是藉由位置於照射區域處之n×n個的網格區域所構成，而是藉由包含有位置在其周圍之非照射區域處的網格區域之m×m個的網格區域所構成。故而，NN演算部39，係只要根據照射量分布E(i)之資料的輸入值來對於照射區域和非照射區域作判斷即可。例如，當輸入值為0的情況時，係將該網格區域判斷為非照射區域節點，當輸入值並非為0的情況時，係將該網格區域判斷為照射區域節點。係只要因應於該節點，來選擇中間層之輸入輸出轉換函數即可。換言之，針對在照射量分布中而照射量為0之位置，係作為非照射區域，而被適用於類神經網路模型中。 　　圖案面積密度分布ρ(x，y)演算工程(S100)和劑量分布D(x，y)算出工程(S102)以及照射量分布E(x，y)算出工程(S104)之內容，係與實施形態1相同。 　　作為位置偏移量分布p(x，y)演算工程(S111)，NN演算部39(位置偏移量演算部)，係使用類神經網路模型，來演算出基於照射量分布E所致之位置偏移量p，該類神經網路模型，係使用有將具有極大點或極小點之第1指數函數和1次比例函數或者是於無限遠處而收斂之第2指數函數中的至少其中一者之函數作了組合的至少於變數中具有圖案密度之組合函數。具體而言，NN演算部39，係對於使用有被儲存在記憶裝置144中之最新的權重係數g(j，i)以及權重係數R(k，j)的類神經網路模型之輸入層，而輸入照射量分布E之資料，並且從輸出層而輸出位置偏移量分布p(x，y)之資料。照射量分布E，由於係為針對描繪區域(或者是框架區域)之全體所作成者，因此，係只要針對能夠輸入至輸入層中之資料數的每一者而逐次進行演算即可。此時，NN演算部39，係只要根據照射量分布E之資料的輸入值來對於照射區域和非照射區域作判斷即可。例如，當輸入值為0的情況時，係將該網格區域判斷為非照射區域節點，當輸入值並非為0的情況時，係將該網格區域判斷為照射區域節點。係只要因應於該節點，來選擇中間層之輸入輸出轉換函數即可。換言之，針對在照射量分布中而照射量為0之位置，係作為非照射區域，而被適用於類神經網路模型中。之後，位置偏移量分布演算部36，係使用從類神經網路模型之輸出層所輸出的資料，來基於照射量分布E而演算出(作成)位置偏移量p。藉由使用類神經網路模型，係能夠代替在實施形態1、2中所作了說明的重疊電子量分布F(x，y，σ，dx)算出工程(S106)和帶電量分布C(x，y)算出工程(S109)之各演算。又，藉由在中間層之輸入輸出轉換函數中如同式(5)中所示一般地亦加入描繪經過時間T和累積時間t之項目，並作成經過有相同的描繪經過時間T和累積時間t的描繪有評價圖案之評價基板，再對於該些之位置偏移量進行測定，並對於測定結果進行學習，係亦能夠代替描繪經過時間T(x，y)演算工程(S107)和累積時間t演算工程(S108)之各演算。 　　以下，基於圖18來對於具體性的計算手法作說明。另外，為了方便，係僅針對x之位置偏移量的計算作記載，但是，關於y之位置偏移量的計算，係亦為相同。首先，假設相當於最初之框架描繪的輸入層E，係為從i=4而開始者。亦即是，i＜4之E(1)、E(2)、E(3)係成為非照射區域之輸入層節點。又，假設最初之框架描繪的正下方之輸出層p，係為k=3。p(3)由於係為較最初的框架描繪而更之前，因此係成為p(3)=0。第1框架之正上方的p(4)，由於相當於第1框架之輸入層係作為E(4)而被作描繪，因此，係透過類神經網路來對於位置偏移作計算。此時，相當於第1框架之中間層C(4)，係改變為作為照射區域節點之功用。 　　將相當於接下來的第2框架描繪之輸入層，設為E(5)。同樣的，中間層之C(5)係改變為作為照射區域之功用，第2框架之正上方的p(5)係透過類神經網路而被作計算。此時，已完成描繪的輸入層E(4)、中間層C(4)之功用係仍舊殘留。另一方面，輸出層p(4)之位置偏移，由於係已在第1框架描繪時而確定，因此，在第2框架之描繪後係並不需要再度進行計算。 　　如同上述一般，係只要藉由將框架描繪一直持續進行至照射區域之最後，來對於與照射區域相對應之所有的輸出層節點之位置偏移量作計算即可。 　　偏向位置修正工程(S112)和描繪工程(S114)的各工程之內容，係與實施形態1相同。 　　如同上述一般，若依據實施形態3，則藉由使用類神經網路模型，係能夠並不進行重疊電子量分布F(x，y，σ，dx)和帶電量分布C(x，y)之演算地來從照射量分布而直接性得到位置偏移量分布。故而，係能夠將計算程式更加單純化，並且能夠更高精確度地對於位置偏移作修正。其結果，係能夠將束照射至高精確度之照射位置處。 　　另外，實施形態3中之使用有類神經網路模型之位置偏移量之演算，係並不被限定於實施形態1之使用有單一束的描繪裝置，而亦能夠針對實施形態2之使用有多重束之描繪裝置來作適用。 　　以上，係一面參考具體例一面針對實施形態作了說明。但是，本發明，係並不被限定於此些之具體例。起因於帶電現象所導致的照射位置之位置偏移，係並不被侷限於電子束描繪裝置。本發明，係可對於藉由電子束來對於圖案進行檢查的檢查裝置等之使用有藉由將電子束照射至所瞄準的位置處所得到的結果之電子束裝置作適用。 　　又，針對裝置構成或控制手法等之對於本發明之說明而言並非為直接必要的部份等，係省略記載，但是，係可適宜選擇所需要之裝置構成或控制手法並使用之。例如，針對控制描繪裝置100之控制部構成，雖係省略記載，但是，當然的，係適宜選擇所需要之控制部構成並作使用。例如，圖1等之中的控制計算機110、120，係亦可更進而經由未圖示之匯流排，來與成為記憶裝置之其中一例的RAM(隨機存取記憶體)、ROM、磁碟(HD)裝置、身為輸入手段之其中一例的鍵盤(K/B)、滑鼠、成為輸出手段之其中一例的監視器、印表機、或者是成為輸入輸出手段之其中一例的FD、DVD、CD等作連接。 　　除此之外，具備有本發明之要素並且可為同業者所適宜進行設計變更的所有之電子束裝置以及電子束之位置偏移修正方法，均係被包含在本發明之範圍內。 　　雖係針對本發明之數種實施形態作了說明，但是，該些實施形態，係僅為作為例子所提示者，而並非為對於本發明之範圍作限定者。此些之新穎的實施形態，係可藉由其他之各種形態來實施，在不脫離本發明之要旨的範圍內，係可進行各種之省略、置換、變更。此些之實施形態或其之變形，亦係被包含在發明之範圍及要旨內，並且亦係被包含在申請專利範圍所記載之發明及其均等範圍中。
1‧‧‧電子鏡筒
2‧‧‧試料
3‧‧‧XY平台
4‧‧‧反射鏡
5‧‧‧電子槍
6‧‧‧電子束
7‧‧‧照明透鏡
8‧‧‧第1光圈
9‧‧‧投影透鏡
10‧‧‧偏向器
11‧‧‧第2光圈
12‧‧‧對物透鏡
13‧‧‧偏向器
14‧‧‧描繪室
15‧‧‧靜電透鏡
20‧‧‧多重束
20a‧‧‧電子束
20b‧‧‧電子束
20c‧‧‧電子束
20d‧‧‧電子束
20e‧‧‧電子束
21‧‧‧記憶裝置
30‧‧‧描繪控制部
31‧‧‧圖案面積密度分布演算部
32‧‧‧劑量分布算出部
33‧‧‧照射量分布算出部
34‧‧‧重疊電子量分布算出部
35‧‧‧帶電量分布算出部
36‧‧‧位置偏移量分布演算部
37‧‧‧描繪經過時間演算部
38‧‧‧累積時間演算部
39‧‧‧NN演算部
41‧‧‧擊射資料產生部
42‧‧‧位置偏移修正部
43‧‧‧成形偏向器控制部
44‧‧‧對物偏向器控制部
45‧‧‧平台位置檢測機構
46‧‧‧平台控制機構
47‧‧‧照射量調變部
100‧‧‧描繪裝置
101‧‧‧試料
102‧‧‧電子鏡筒
103‧‧‧描繪室
105‧‧‧XY平台
110‧‧‧控制計算機
112‧‧‧記憶體
120‧‧‧控制計算機
130‧‧‧偏向控制電路
132‧‧‧數位、類比轉換放大單元
134‧‧‧數位、類比轉換放大單元
138‧‧‧平台控制機構
139‧‧‧平台位置測定器
140‧‧‧記憶裝置
142‧‧‧記憶體
144‧‧‧記憶裝置
146‧‧‧外部介面電路
150‧‧‧描繪部
160‧‧‧控制部
200‧‧‧電子束
201‧‧‧電子槍
202‧‧‧照明透鏡
203‧‧‧成形光圈陣列構件
204‧‧‧遮沒光圈陣列機構
205‧‧‧縮小透鏡
206‧‧‧限制光圈構件
207‧‧‧對物透鏡
208‧‧‧偏向器
209‧‧‧偏向器
210‧‧‧反射鏡
212‧‧‧靜電透鏡
300‧‧‧描繪裝置
302‧‧‧評價圖案
328‧‧‧像素
329‧‧‧格
330‧‧‧電子線
332‧‧‧條帶區域
334‧‧‧照射區域
336‧‧‧描繪對象像素
340‧‧‧試料
350‧‧‧描繪部
360‧‧‧控制部
410‧‧‧第1光圈
411‧‧‧開口
420‧‧‧第2光圈
421‧‧‧可變成形開口
430‧‧‧荷電粒子源
R‧‧‧描繪區域
SR‧‧‧條帶區域
圖1，係為對於在實施形態1中之描繪裝置的重要部分構成之其中一例作展示之概念圖。 　　圖2，係為用以對於在實施形態1中之平台移動的模樣作說明之圖。 　　圖3(a)～圖3(c)，係為對於針對在實施形態1之比較例中之束的照射區域之位置偏移量作了測定的結果之其中一例作展示之圖。 　　圖4，係為對於在實施形態1之比較例中之束的照射區域之帶電量與圖案密度之關係以及帶電量之近似式的其中一例作展示之圖。 　　圖5，係為對於在實施形態1之比較例的改良例中之帶電量之近似式的其中一例作展示之圖。 　　圖6(a)～圖6(c)，係為用以對於在實施形態1中之束的照射區域之帶電量之近似式的構成作說明之圖。 　　圖7，係為對於在實施形態1中之束的照射區域之帶電量與圖案密度之關係以及帶電量之近似式的其中一例作展示之圖。 　　圖8，係為對於使用在實施形態1中之帶電量之近似式來將依存於圖案密度之束的照射區域之帶電量作了近似的情況時之模擬結果作展示之圖。 　　圖9，係為對於在實施形態1中之描繪方法的重要部分工程之其中一例作展示之流程圖。 　　圖10，係為對於在實施形態1中之描繪方法的重要部分工程之另外一例作展示之流程圖。 　　圖11，係為對於在實施形態2中之描繪裝置的構成作展示之概念圖。 　　圖12，係為對於在實施形態2中之多重束的照射區域與描繪對象像素之其中一例作展示之圖。 　　圖13，係為對於在實施形態2中之描繪方法的重要部分工程之其中一例作展示之流程圖。 　　圖14(a)和圖14(b)，係為用以對於在實施形態2中之位置偏移修正方法的其中一例作說明之圖。 　　圖15，係為用以對於可變成形型電子線描繪裝置之動作作說明的概念圖。 　　圖16，係為對於在實施形態3中之描繪裝置的重要部分構成之其中一例作展示之概念圖。 　　圖17，係為對於在實施形態3中之描繪方法的重要部分工程之其中一例作展示之流程圖。 　　圖18，係為對於在實施形態3中之類神經網路的構成之其中一例作展示之概念圖。 　　圖19，係為對於在實施形態3中之評價圖案的映射構成之其中一例作展示之概念圖。 　　圖20，係為對於在實施形態3中之複數之評價圖案的布局之其中一例作展示之概念圖。

Claims (9)

  1. 一種電子束裝置，其特徵為，係具備有：帶電量分布演算部，係使用將具有反曲點之第1指數函數和1次比例函數或者是收斂之第2指數函數中的至少其中一者之函數作了組合的依存於圖案密度之組合函數，來對於在將電子束照射至基板上的情況時之照射區域的帶電量分布進行演算；和位置偏移量演算部，係使用所得到的前述帶電量分布，來演算出起因於前述電子束之照射所形成的照射圖案之位置偏移量；和修正部，係使用前述位置偏移量，來對於照射位置進行修正；和柱體，係具備有放出電子束之放出源、和使前述電子束偏向之偏向器，並將電子束照射至被修正後的照射位置處，前述反曲點，係為極大點或極小點，係以會使前述極大點具有正的帶電量的方式或者是以會使前述極小點具有負的帶電量的方式，來設定前述組合函數之係數。
  2. 一種電子束裝置，其特徵為，係具備有：帶電量分布演算部，係使用將具有極大點或極小點之第1指數函數和1次比例函數或者是於無限遠處而收斂之第 2指數函數中的至少其中一者之函數作了組合的至少於變數中具有圖案密度之組合函數，來對於在將電子束照射至基板上的情況時之照射區域的帶電量分布進行演算；和位置偏移量演算部，係使用所得到的前述帶電量分布，來演算出起因於前述電子束之照射所形成的照射圖案之位置偏移量；和修正部，係使用前述位置偏移量，來對於照射位置進行修正；和柱體，係具備有放出電子束之放出源、和使前述電子束偏向之偏向器，並將電子束照射至被修正後的照射位置處，係以會使前述極大點具有正的帶電量的方式或者是以會使前述極小點具有負的帶電量的方式，來設定前述組合函數之係數。
  3. 如申請專利範圍第2項所記載之電子束裝置，其中，當前述組合函數為使用前述第2指數函數的情況時，係以會在最大圖案密度處而以負的帶電量來作收斂的方式，來設定前述組合函數之係數。
  4. 如申請專利範圍第2項所記載之電子束裝置，其中，係以會使前述極大點位置於前述圖案密度為3~7%之範圍內的方式，來設定前述組合函數之係數。
  5. 一種電子束之位置偏移修正方法，其特徵為：係使用將具有極大點或極小點之第1指數函數和1次比例函數或者是於無限遠處而收斂之第2指數函數中的至少其中一者之函數作了組合的至少於變數中具有圖案密度之組合函數，來對於在將電子束照射至基板上的情況時之照射區域的帶電量分布進行演算；使用所得到的前述帶電量分布，來演算出起因於前述電子束之照射所形成的照射圖案之位置偏移量；使用前述位置偏移量，來對於照射位置進行修正；將電子束照射至被修正後的照射位置處，係以會使前述極大點具有正的帶電量的方式或者是以會使前述極小點具有負的帶電量的方式，來設定前述組合函數之係數。
  6. 一種電子束裝置，其特徵為，係具備有：照射量分布演算部，係對於當將電子束照射至基板上的情況時之照射量分布作演算；和位置偏移量演算部，係使用類神經網路模型，來演算出基於前述照射量分布所致的照射圖案之位置偏移量，該類神經網路模型，係作為輸入輸出轉換函數，而使用將具有極大點或極小點之第1指數函數和1次比例函數或者是於無限遠處而收斂之第2指數函數中的至少其中一者之函數作了組合的至少於變數中具有圖案密度之組合函數；和修正部，係使用前述位置偏移量，來對於照射位置進 行修正；和柱體，係具備有放出電子束之放出源、和使前述電子束偏向之偏向器，並將電子束照射至被修正後的照射位置處。
  7. 如申請專利範圍第6項所記載之電子束裝置，其中，當前述組合函數為使用前述第2指數函數的情況並且前述第1指數函數為具有正的前述極大點的情況時，係以會在前述第2指數函數處而以負的值來作收斂的方式，來設定前述組合函數之係數。
  8. 如申請專利範圍第6項所記載之電子束裝置，其中，當前述組合函數為使用前述第2指數函數的情況並且前述第1指數函數為具有負帶電的前述極小點的情況時，係以會在前述第2指數函數處而以負帶電的值來作收斂的方式，來設定前述組合函數之係數。
  9. 一種電子束之位置偏移修正方法，其特徵為：係對於當將電子束照射至基板上的情況時之照射量分布作演算；使用類神經網路模型，來演算出基於前述照射量分布所致的照射圖案之位置偏移量，該類神經網路模型，係作為輸入輸出轉換函數，而使用將具有極大點或極小點之第1指數函數和1次比例函數或者是於無限遠處而收斂之第2 指數函數中的至少其中一者之函數作了組合的至少於變數中具有圖案密度之組合函數；使用前述位置偏移量，來對於照射位置進行修正；將電子束照射至被修正後的照射位置處。
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