TWI649205B - 可撓性電子裝置 - Google Patents

Abstract

一種可撓性電子裝置，可包括可撓性基板、元件層和阻氣平坦層。元件層位於可撓性基板上，且具有上表面，上表面在膜層堆疊方向的最大高度差小於或等於900奈米。阻氣平坦層，覆蓋在元件層和可撓性基板上，且具有覆蓋面與相對覆蓋面的平坦面。阻氣平坦層的水氣穿透率小於或等於10^-2 公克/平方公尺-日。

Description

可撓性電子裝置

本發明是有關於一種電子裝置，且特別是有關於一種可撓性電子裝置。

相較於一般硬質封裝結構，可撓性電子裝置的應用更加廣泛。為了讓可撓性電子裝置具有較佳的阻隔水氣及氧氣之特性，已有技術提出具有阻氣材料層之可撓性電子裝置，以期提昇電子元件的信賴性(reliability)。

一般而言，習知的阻氣材料層可選用無機材料，例如以電漿輔助化學氣相沉積(Plasma-Enhanced Chemical Vapor Deposition, PECVD)和/或原子層沉積(Atomic Layer Deposition, ALD)等製程形成膜層，所得的阻氣材料層通常平坦化功能不佳。再者，習知的平坦層可選用有機材料，須考量阻氣能力不足的狀況。如何在不增加薄膜沉積製程之情況下改善平坦層的阻氣功效，實為研發者關注的問題之一。

本發明一實施例提供一種可撓性電子裝置，其可以解決傳統平坦層所存在的問題。

本發明一實施例提供一種可撓性電子裝置，其包括可撓性基板、元件層和阻氣平坦層。元件層位於可撓性基板上，且具有上表面，上表面在膜層堆疊方向的最大高度差小於或等於900奈米。第一阻氣平坦層，覆蓋在元件層和可撓性基板上，且具有覆蓋面與相對覆蓋面的平坦面。第一阻氣平坦層的水氣穿透率小於或等於10^-2 公克/平方公尺-日。

本發明另一實施例提供一種可撓性電子裝置，其包括第一面板、第二面板和貼附層。第一面板包括可撓性基板、元件層和阻氣平坦層。元件層，位於可撓性基板上。阻氣平坦層，覆蓋在元件層和可撓性基板上，且具有覆蓋面與相對覆蓋面的平坦面，阻氣平坦層具有富氧區與富氮區，富氧區靠近阻氣平坦層的覆蓋面，富氮區靠近阻氣平坦層的平坦面。貼附層，介於第一面板和第二面板之間，且接觸阻氣平坦層的平坦面和第二面板。

本發明一實施例中的可撓性電子裝置具有阻氣平坦層，而阻氣平坦層具有阻氣功能的富氮區。本發明實施例所述的阻氣平坦層可改善傳統平坦層的阻氣功能，進而可以由單一沉積膜層同時達成阻氣以及平坦化的功效。

為讓本發明能更明顯易懂，下文特舉實施例，並配合所附圖式作詳細說明如下。

在此以本發明實施例為參考，以便於更完整陳述本發明的概念，並配合所附圖式作詳細說明如下。在圖式與描述中所用的相同參考數字符號是指相同或相似元件。

圖1A到圖1C是根據本發明一實施例的可撓性電子裝置的製程的剖面圖。圖1A到圖1C繪示本發明應於觸控面板的態樣，意在方便說明本發明電子裝置100的結構，但本發明並不限於此。實際上，本發明之技術也可以應用於其他電子裝置，例如：液晶顯示面板、有機發光顯示面板、電泳顯示面板等其他電子裝置。

請先參考圖1A，首先，提供可撓性基板102，可撓性基板102的材料可以是有機材料或是無機材料。有機材料例如是聚亞醯胺(polyimide, PI)、聚碳酸酯(polycarbonate, PC)、聚醯胺(polyamide, PA)、聚對苯二甲酸乙二酯(polyethylene terephthalate, PET)、聚萘二甲酸乙二醇酯(polyethylene naphthalate, PEN)、聚乙烯亞胺(polyethylenimine, PEI)、聚氨酯(polyurethane, PU)、聚二甲基矽氧烷(polydimethylsiloxane, PDMS)、壓克力系(acrylate)聚合物例如是聚甲基丙烯酸甲酯(polymethylmethacrylate, PMMA)等、醚系(ether)聚合物例如是聚醚碸(polyethersulfone, PES)或聚醚醚酮(polyetheretherketone, PEEK)等、聚烯(polyolefin)或其他可撓性有機材料。無機材料例如是金屬或玻璃等其他具有可撓性之無機材料。

接著，在可撓性基板102上可選擇性的形成緩衝層104，緩衝層104可完整覆蓋可撓性基板102的上表面。緩衝層104的材料包括氮化矽、氮氧化矽或其組合，或其他透明緩衝材料，但本發明並不限於此。

在緩衝層104上可形成導電層106。導電層106的形成方法例如是沈積一層導電材料(未繪示)，再利用微影蝕刻製程圖案化導電材料，以定義出多個電極圖案。導電層106的材料可包括銦錫氧化物(indium tin oxide, ITO)、銦鋅氧化物(indium zinc oxide, IZO)、氧化鋁鋅(Al doped ZnO, AZO)、摻鎵氧化鋅(Ga doped zinc oxide, GZO)、鋅錫氧化物(Zinc-Tin Oxide, ZTO)、氟摻雜氧化錫fluorine-doped tin oxide, FTO)、氧化銦(In₂ O₃ )、氧化鋅(ZnO)、二氧化錫(SnO₂ )、氧化鈦(TiO₂ )、有機導電高分子或其他的透明導電材料，但本發明並不限於此。

在導電層106上形成絕緣層108。絕緣層108的形成方法例如是採用化學氣相沈積法( chemical vapor deposition, CVD )形成絕緣材料層（未繪示）之後，再利用微影蝕刻製程圖案化絕緣材料層，形成多個暴露出導電層106的開口。或例如是採用濕式塗佈製程形成絕緣層材料後，再利用微影蝕刻製程圖案化絕緣材料層，形成多個暴露出導電層106的開口。絕緣層108的材料包括含有酯基(ester group)的絕緣材料，例如是壓克力系樹脂等；或者是無機氧化物、無機氮化物或無機氮氧化物，例如是氧化矽、氮化矽、氮氧化矽。

在絕緣層108上形成金屬層110，金屬層110的形成方法例如是沈積方式形成金屬材料，再利用微影蝕刻製程圖案化金屬材料，以定義出金屬圖案。金屬層110可覆蓋部分的絕緣層108，並通過絕緣層108之開口與導電層106相接觸。

如圖1A所示，根據一實施例，元件層112的上表面沿膜層堆疊方向d最大高度差ΔH例如是小於或等於900奈米，較佳的是小於或等於600奈米，更佳的是小於或等於300奈米。形成在可撓性基板102上的元件層112是非平坦的膜層堆疊結構，使膜層堆疊方向d內部應力為0的假想連線(即中性軸neutral axis)N1呈現高低起伏。一般來說，特定位置的中性軸N1在膜層堆疊方向d的高度y̅可由(式1)表示：………..(式1)L_i 為特定位置的第i 膜層依楊氏係數對應的等效結構的長度，W_i 為特定位置的第i 膜層的厚度，H_i 為特定位置的第i 膜層在膜層堆疊方向中心點的高度。

由(式1)的計算結果，膜層堆疊高度較高的特定位置，例如是含圖樣層的區域，中性軸N1的高度y̅較高；膜層堆疊高度較低的特定位置，例如是不含圖樣層的區域，中性軸N1的高度y̅較低。也就是說，當電子裝置100未經平坦化之前，其中性軸N1有較大的高度y̅差。局部中性軸N1高度y̅差過大容易造成元件層112於撓曲過程時失效，例如是電性失效或物理特性(如阻氣功效)失效，在可撓性基板102和元件層112上形成平坦層，可達平坦化、降低中性軸的局部高度y̅差。

參考圖1B，於可撓性基板102和元件層112形成後，可以藉由溶液塗佈法(solution coating)，在可撓性基板102和元件層112上形成第一阻氣平坦結構114p。第一阻氣平坦結構114p的材料例如是包括聚矽氮烷(polysilazane)聚矽氧烷(polysiloxane)、聚矽氮氧烷(polysiloxazane)或其他適合的材料。元件層112的上表面沿膜層堆疊方向d最大高度差ΔH例如是小於或等於900奈米，較佳的是小於或等於600奈米，更佳的是小於或等於300奈米，第一阻氣平坦結構114p的形成可以達到平坦化。之後，使溶液塗佈的第一阻氣平坦結構114p固化。再對第一阻氣平坦結構114p進行電漿離子佈植（plasma-Based ion implantation, PBII）。上述電漿離子佈植所使用的氣體包括惰性氣體、H₂ 、N₂ 、O₂ 、F、Cl₂ ，電漿能量例如是-2kV以上，電漿處理的時間例如是100秒以上。

請同時參考圖1A和圖1B，由前述的平坦化製程，可使圖1A的中性軸N1調整為圖1B的中性軸N2。中性軸N2相對中性軸N1有較低的高低起伏，故能避免電子裝置在撓曲過程失效。

再參考圖1C，前述的電子裝置100中第一阻氣平坦結構114p經電漿離子佈植後，第一阻氣平坦結構114p從上部開始向下形成氮原子濃度梯度遞減之分佈，而形成第一阻氣平坦層114。

更細而言，在圖1C中，第一阻氣平坦層114的上表面為平坦的第一平坦面114c，第一阻氣平坦層114的下表面為覆蓋可撓性基板102或/和元件層112的第一覆蓋面114d。第一阻氣平坦層114中靠近第一平坦面114c的區域為第一富氮區114a。前述的電漿離子佈植可形成氮原子濃度梯度，第一富氮區114a具有較高的氮原子濃度，其材料例如是聚矽氮氧烷。

藉由第一阻氣平坦層114中第一富氮區114a的材料阻氣特性，使第一阻氣平坦層114的水氣穿透率例如是小於或等於10^-2 公克/平方公尺-日，較佳的是小於或等於10^-5 公克/平方公尺-日。第一阻氣平坦層114可同時具有平坦化功效以及阻氣功效。第一阻氣平坦層114中靠近第一覆蓋面114d的區域為第一富氧區114b。值得一提的是，考量電子裝置100可撓曲，第一阻氣平坦層114的楊氏係數可例如是3 Gpa~10 Gpa。

由於前述的電漿離子佈植形成氮原子濃度梯度，第一富氧區114b具有較高的氧原子濃度。第一富氧區114b可以和例如含有酯基(ester group)的絕緣層108有較佳的附著性。

圖2是根據本發明另一實施例的可撓性電子裝置的剖面圖。請參考圖2，電子裝置200包括可撓性基板102、元件層112、第一阻氣平坦層114、載具202和離型層204。在圖2中，可撓性基板102和元件層112以簡圖呈現，藉此簡化相同或相似的說明，其細部結構請參考圖1A到圖1C的示例。

載具202設置在可撓性基板102的下方，至少一離型層204介於載具202與可撓性基板102之間，載具202可完全覆蓋可撓性基板102的下表面。第一阻氣平坦層114設置在可撓性基板102和元件層112的上方，第一阻氣平坦層114的第一覆蓋面114d可完全覆蓋元件層112的上表面。在一實施例中，第一阻氣平坦層114可進一步延伸覆蓋元件層112的側壁，甚或覆蓋至可撓性基板102裸露的表面及/或側壁。

可撓性基板102與元件層112位在第一阻氣平坦層114與載具202之間。第一阻氣平坦層114於靠近第一平坦面114c的區域為第一富氮區114a，如前所述，第一富氮區114a具有優良的阻氣特性，可使第一阻氣平坦層114同時具有平坦化功效以及阻氣功效。

圖3是根據本發明另一實施例的可撓性電子裝置的剖面圖。請參考圖3，圖3中電子裝置300的實施例與圖2中電子裝置200的實施例類似，因此相同元件以相同標號表示，且在此不予贅述。電子裝置300中，第一阻氣平坦層114的第一富氮區114a位於第一阻氣平坦層114靠近第一平坦面114c的區域以及側壁。圖3的第一富氮區114a例如是以電漿離子佈植在第一阻氣平坦層114的第一平坦面114c與側壁而形成。在一實施例中，第一富氮區114a在第一阻氣平坦層114的第一覆蓋面114d可以覆蓋元件層112的側壁，甚或是進一步延伸覆蓋可撓性基板102裸露的表面及/或側壁。第一阻氣平坦層114的第一富氧區114b、可撓性基板102與元件層112被包覆在第一阻氣平坦層114的第一富氮區114a與載具202之間。

如前所述，第一富氮區114a具有優良的阻氣特性，電子裝置300的第一富氮區114a相對電子裝置200的第一富氮區114a更具有側壁阻氣功效。電子裝置300的第一阻氣平坦層114具有平坦化功效以及比電子裝置200的第一阻氣平坦層114更佳的阻氣功效。

圖4是根據本發明另一實施例的可撓性電子裝置的剖面圖。請參考圖4，圖4中電子裝置400的實施例與圖2中電子裝置200的實施例類似，因此相同元件以相同標號表示，且在此不予贅述。電子裝置400更包括第二阻氣平坦層402。第二阻氣平坦層402的上表面為平坦的第二平坦面402c，第二阻氣平坦層402的下表面為接觸第一阻氣平坦層114的第一平坦面114c、元件層112的第二覆蓋面402d。第二阻氣平坦層402中靠近第一平坦面114c的區域為第二富氧區402b。如第一阻氣平坦層114電漿離子佈植方法形成氮原子濃度梯度，第二富氮區402a具有較高的氮原子濃度，其材料例如是聚矽氮氧烷。第二阻氣平坦層402中靠近第二覆蓋面402d的區域為第二富氧區402b。如第一阻氣平坦層114電漿離子佈植方法形成氮原子濃度梯度，第二富氧區402b具有較低的氮原子濃度或不具有氮原子，其材料例如是聚矽氮氧烷或聚矽氧烷，而具有較高的氧原子濃度。

藉由第二阻氣平坦層402中第二富氮區402a的材料阻氣特性，使第二阻氣平坦層402的水氣穿透率例如是小於或等於10^-2 公克/平方公尺-日，較佳的是小於或等於10^-5 公克/平方公尺-日。第二阻氣平坦層402和第一阻氣平坦層114可以包括相同的材料，以相同的製程形成。

如前所述，第二富氮區402a和第一富氮區114a都具有優良的阻氣特性，因此，電子裝置400的第一阻氣平坦層114和第二阻氣平坦層402具有平坦化功效以及阻氣功效。

圖5是根據本發明另一實施例的可撓性電子裝置的剖面圖。請參考圖5，圖5中電子裝置500的實施例與圖4中電子裝置400的實施例類似，因此相同元件以相同標號表示，且在此不予贅述。電子裝置500中，第一阻氣平坦層114的第一富氮區114a位於第一阻氣平坦層114靠近第一平坦面114c的區域以及側壁；第二阻氣平坦層402的第二富氮區402a位於第二阻氣平坦層402靠近第二平坦面402c的區域以及側壁。

圖5的第一富氮區114a例如是以電漿離子佈植在第一阻氣平坦層114的第一平坦面114c與側壁而形成。在一實施例中，第一富氮區114a在第一阻氣平坦層114的第一覆蓋面114d可以覆蓋元件層112的側壁，甚或是進一步延伸覆蓋可撓性基板102裸露的表面及/或側壁。第一阻氣平坦層114的第一富氧區114b、可撓性基板102與元件層112被包覆在第一阻氣平坦層114的第一富氮區114a與載具202之間。而第二富氮區402a例如是以電漿離子佈植在第二阻氣平坦層402的第二平坦面402c與側壁而形成。在一實施例中，第二富氮區402a在第二阻氣平坦層402的第二覆蓋面402d可以覆蓋元件層112的側壁，甚或是進一步延伸覆蓋可撓性基板102裸露的表面及/或側壁。第二阻氣平坦層402的第二富氧區402b、第一阻氣平坦層114、元件層112被包覆在第二阻氣平坦層402的第二富氮區402a與載具202之間。

如前所述，電子裝置500的第二富氮區402a和第一富氮區114a都具有優良的阻氣特性，相對電子裝置400的第二富氮區402a和第一富氮區114a更具有側壁阻氣功效。電子裝置500的第一阻氣平坦層114和第二阻氣平坦層402具有平坦化功效以及比電子裝置400的第一阻氣平坦層114和第二阻氣平坦層402更佳的阻氣功效。

圖6是根據本發明另一實施例的可撓性電子裝置的剖面圖。請參考圖6，圖6中電子裝置600的實施例與圖1C中電子裝置100的實施例類似，因此相同元件以相同標號表示，且在此不予贅述。電子裝置600更包括設置在第一阻氣平坦層114的第一平坦面114c上方的貼附層602。第一富氮區114a可以和例如含有環氧基(epoxy group)的貼附層602有較佳的附著性，所以貼附層602可以是包括含有環氧基的材料。另外，圖6雖未繪示，應理解到貼附層602也可以設置在第二阻氣平坦層402的第二平坦面402c上方，同樣能達到前述功效。

圖7是根據本發明另一實施例的可撓性電子裝置的剖面圖。圖7繪示本發明應用於觸控面板及顯示面板的態樣，意在方便說明本發明的電子裝置700的結構，但本發明並不限於此。另外，圖7教示的電子裝置700在製程過程，可將裝置、膜層上下倒置，有關方向的術語，如「之上」、「之下」、「上表面」、「下表面」等，將配合圖式作對應的解釋。

請參考圖7，電子裝置700包括第一面板702、貼附層602和第二面板704。第一面板702和第二面板704例如可分別以觸控面板和顯示面板為例。第一面板702包括可撓性基板102、元件層112和阻氣平坦層706，而元件層112例如是包括緩衝層104、導電層106、絕緣層108和金屬層110等觸控面板的膜層。可撓性基板102和元件層112的結構、材料及製作方法，可參考前文說明，相同或相似內容於下文中不再贅述。

如圖7所示，並同時參照圖1A，可撓性基板102和元件層112具有非平坦的膜層堆疊設計。電子裝置700在膜層堆疊方向d內部應力為0的假想連線(或稱中性軸)會呈現高低起伏。電子裝置700特定位置的中性軸在膜層堆疊方向d的高度y̅可由(式1)表示：………..(式1)L_i 為特定位置的第i 膜層依楊氏係數對應的等效結構的長度，W_i 為特定位置的第i 膜層的厚度，H_i 為特定位置的第i 膜層在膜層堆疊方向中心點的高度。

由(式1)的計算方式可以推得：在含有圖樣層區域的特定位置，可具有較高的膜層堆疊高度，亦具有較高的中性軸高度y̅；反之，在不含有圖樣層區域的特定位置，可具有較低的膜層堆疊高度，亦具有較低的中性軸高度y̅。也就是說，當電子裝置700未經平坦化之前，電子裝置700的中性軸具有局部較大的高度y̅差。局部中性軸高度y̅差過大容易造成電子裝置700於撓曲過程時失效，例如是電性失效或物理特性(如阻氣功效)失效而在可撓性基板102和元件層112上形成阻氣平坦層706，可達平坦化、降低中性軸的局部高度y̅差。

欲調整中性軸的變動，阻氣平坦層706和圖樣層的楊氏係數越接近越佳，但考量電子裝置700若欲具備可撓曲性，阻氣平坦層706的楊氏係數可例如是3 Gpa~10 Gpa。

電子裝置700的第一面板702的製程過程，可同時參考圖1A到圖1C和圖6，下文有關方向的敘述，以圖1A到圖1C和圖6為準。

請參考圖7，同時參考圖1B，於可撓性基板102和元件層112形成後，可以藉由溶液塗佈法，在可撓性基板102和元件層112上形成阻氣平坦層706的材料例如是包括聚矽氮烷、聚矽氧烷、聚矽氮氧烷或其他適合的材料，可具有良好的平坦化功效。阻氣平坦層706形成膜層的製程，可完整覆蓋可撓性基板102的上表面和/或元件層112的上表面。元件層112的上表面沿膜層堆疊方向d最大高度差ΔH例如是小於或等於900奈米，較佳的是小於或等於600奈米，更佳的是小於或等於300奈米。待溶液塗佈的阻氣平坦層706固化後，對阻氣平坦層706進行電漿離子佈植，將氮原子植入阻氣平坦層706，以提升阻氣平坦層706的阻氣功效。

請參考圖7，同時參考圖1C，前述的電子裝置700中阻氣平坦層706經電漿離子佈植後，阻氣平坦層706從上部開始向下形成氮原子濃度梯度遞減。阻氣平坦層706的上表面為平坦面706c，阻氣平坦層706的下表面覆蓋可撓性基板102或/和元件層112之上的覆蓋面706d。阻氣平坦層706中靠***坦面706c的區域為富氮區706a。

前述的電漿離子佈植可形成氮原子濃度梯度，富氮區706a具有較高的氮原子濃度，其材料例如是聚矽氮氧烷。藉由阻氣平坦層706中富氮區706a的材料阻氣特性，使阻氣平坦層706的水氣穿透率例如是小於或等於10^-2 公克/平方公尺-日，較佳的是小於或等於10^-5 公克/平方公尺-日。阻氣平坦層706可同時具有平坦化功效以及阻氣功效。阻氣平坦層706中靠近覆蓋面706d的區域為富氧區706b。前述的電漿離子佈植可形成氮原子濃度梯度，富氧區706b具有較低的氮原子濃度或不具有氮原子，其材料例如是聚矽氮氧烷或聚矽氧烷，而具有較高的氧原子濃度。富氧區706b可以和含有酯基的絕緣層108或金屬層110有較佳的附著性，所以絕緣層108可以包括含有酯基的材料。

請參考圖7，同時參考圖6，電子裝置700包括設置在阻氣平坦層706的平坦面706c上方的貼附層602。富氮區706a可以和例如含有環氧基的貼附層602有較佳的附著性，所以貼附層602可以是包括含有環氧基的材料。

如圖7所示，電子裝置700經前述製程後可進行上下倒置。電子裝置700的貼附層602相對貼附於阻氣平坦層706的另一表面和第二面板704上，使電子裝置700的第一面板702和第二面板704藉由貼附層602彼此黏接。

本發明實施例提供一種可撓性電子裝置具有阻氣平坦層，而阻氣平坦層具有阻氣功能的富氮區。本發明實施例所述的阻氣平坦層可改善傳統平坦層的阻氣功能，進而可以由單一沉積膜層達成阻氣以及平坦化的功效。

此外，阻氣平坦層的富氮區可與含環氧基的貼附層有較佳的附著性；阻氣平坦層的富氧區可與含酯基的絕緣層或金屬層有較佳的附著性。本發明實施例的阻氣平坦層能提供穩定元件結構的功效。

雖然本發明已以實施例揭露如上，然其並非用以限定本發明，任何所屬技術領域中具有通常知識者，在不脫離本發明的精神和範圍內，當可作些許的更動與潤飾，故本發明的保護範圍當視後附的申請專利範圍及其均等範圍所界定者為準。

100、200、300、400、500、600、700‧‧‧電子裝置

102‧‧‧可撓性基板

104‧‧‧緩衝層

106‧‧‧導電層

108‧‧‧絕緣層

110‧‧‧金屬層

112‧‧‧元件層

114‧‧‧第一阻氣平坦層

114a‧‧‧第一富氮區

114b‧‧‧第一富氧區

114c‧‧‧第一平坦面

114d‧‧‧第一覆蓋面

114p‧‧‧第一阻氣平坦結構

202‧‧‧載具

204‧‧‧離型層

402‧‧‧第二阻氣平坦層

402a‧‧‧第二富氮區

402b‧‧‧第二富氧區

402c‧‧‧第二平坦面

402d‧‧‧第二覆蓋面

602‧‧‧貼附層

702‧‧‧第一面板

704‧‧‧第二面板

706‧‧‧阻氣平坦層

706a‧‧‧富氮區

706b‧‧‧富氧區

706c‧‧‧平坦面

706d‧‧‧覆蓋面

d‧‧‧膜層堆疊方向

ΔH‧‧‧最大高度差

N1、N2‧‧‧中性軸

圖1A至圖1C是根據本發明一實施例的可撓性電子裝置的製程的剖面圖。 圖2是根據本發明另一實施例的可撓性電子裝置的剖面圖。 圖3是根據本發明另一實施例的可撓性電子裝置的剖面圖。 圖4是根據本發明另一實施例的可撓性電子裝置的剖面圖。 圖5是根據本發明另一實施例的可撓性電子裝置的剖面圖。 圖6是根據本發明另一實施例的可撓性電子裝置的剖面圖。 圖7是根據本發明另一實施例的可撓性電子裝置的剖面圖。

Claims (16)

1. 一種可撓性電子裝置，包括： 可撓性基板； 元件層，位於所述可撓性基板上，且具有上表面，其中所述上表面在膜層堆疊方向的最大高度差小於或等於900奈米；以及 第一阻氣平坦層，覆蓋在所述元件層和所述可撓性基板上，且具有第一覆蓋面與相對所述第一覆蓋面的第一平坦面，其中所述第一阻氣平坦層的水氣穿透率小於或等於10^-2公克/平方公尺-日。
2. 如申請專利範圍第1項所述的可撓性電子裝置，其中所述第一阻氣平坦層具有第一富氧區與第一富氮區，所述第一富氧區靠近所述第一阻氣平坦層的所述第一覆蓋面，所述第一富氮區靠近所述第一阻氣平坦層的所述第一平坦面。
3. 如申請專利範圍第2項所述的可撓性電子裝置，更包括： 載具，位於所述可撓性基板與所述元件層上；以及 離型層，介於所述可撓性基板和所述載具之間， 其中，所述第一阻氣平坦層覆蓋所述元件層的所述上表面及/或側壁，且覆蓋在所述載具上，所述元件層位於所述第一阻氣平坦層與所述載具之間。
4. 如申請專利範圍第3項所述的可撓性電子裝置，其中所述第一富氮區更包括所述第一阻氣平坦層的側壁。
5. 如申請專利範圍第3項所述的可撓性電子裝置，更包括： 第二阻氣平坦層，覆蓋在所述第一阻氣平坦層上，且具有第二覆蓋面與相對所述第二覆蓋面的第二平坦面，所述第二阻氣平坦層具有第二富氧區與第二富氮區，所述第二富氧區靠近所述第二阻氣平坦層的所述第二覆蓋面，所述第二富氮區靠近所述第二阻氣平坦層的所述第二平坦面，其中所述第二阻氣平坦層的水氣穿透率小於或等於10^-2公克/平方公尺-日。
6. 如申請專利範圍第5項所述的可撓性電子裝置，其中所述第二阻氣平坦層覆蓋元件層的所述上表面與側壁以及所述第一阻氣平坦層的所述第一平坦面與側壁且覆蓋在所述載具上，所述元件層以及所述第一阻氣平坦層被包覆在所述第二阻氣平坦層與所述載具之間。
7. 如申請專利範圍第6項所述的可撓性電子裝置，其中所述第二富氮區更包括所述第二阻氣平坦層的側壁。
8. 如申請專利範圍第2項所述的可撓性電子裝置，更包括： 貼附層，位於所述第一阻氣平坦層的所述第一平坦面上。
9. 如申請專利範圍第8項所述的可撓性電子裝置，其中： 所述貼附層的材料包括環氧基材料； 所述第一阻氣平坦層的所述第一富氮區的材料包括聚矽氮氧烷，且接觸所述貼附層； 所述元件層具有包括酯基材料的絕緣層；以及 所述第一阻氣平坦層的所述第一富氧區的材料包括聚矽氮氧烷或聚矽氧烷，且接觸所述絕緣層。
10. 如申請專利範圍第1項所述的可撓性電子裝置，其中所述第一阻氣平坦層的楊氏係數介於3 Gpa至10 Gpa。
11. 一種可撓性電子裝置，包括： 第一面板，包括 可撓性基板； 元件層，位於所述可撓性基板上；以及 阻氣平坦層，覆蓋在所述元件層和所述可撓性基板上，且具有覆蓋面與相對所述覆蓋面的平坦面，所述阻氣平坦層具有富氧區與富氮區，所述富氧區靠近所述阻氣平坦層的所述覆蓋面，所述富氮區靠近所述阻氣平坦層的所述平坦面； 第二面板；以及 貼附層，介於所述第一面板和所述第二面板之間，且接觸所述阻氣平坦層的所述平坦面和所述第二面板。
12. 如申請專利範圍第11項所述的可撓性電子裝置，其中： 所述貼附層的材料包括環氧基材料； 所述阻氣平坦層的所述富氮區的材料包括聚矽氮氧烷； 所述元件層具有包括酯基材料的絕緣層；以及 所述阻氣平坦層的所述富氧區的材料包括聚矽氮氧烷或聚矽氧烷，且接觸所述絕緣層。
13. 如申請專利範圍第11項所述的可撓性電子裝置，其中所述元件層具有上表面，所述上表面在膜層堆疊方向的最大高度差小於或等於900奈米。
14. 如申請專利範圍第11項所述的可撓性電子裝置，其中所述阻氣平坦層的水氣穿透率小於或等於10^-2公克/平方公尺-日。
15. 如申請專利範圍第11項所述的可撓性電子裝置，其中所述阻氣平坦層的楊氏係數介於3 Gpa至10 Gpa。
16. 如申請專利範圍第11項所述的可撓性電子裝置，其中所述第一面板為觸控面板，且所述第二面板為顯示面板。