TWI647773B - 量測用基板及量測方法 - Google Patents

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Abstract

一種用於量測關於用於在一裝置之操作期間處理生產基板的該裝置中之一條件之量測用基板，該量測用基板包含： 一本體，其具有與該裝置相容之尺寸； 嵌入於該本體中之複數個感測器模組，每一感測器模組包含： 一感測器，其經組態以產生一類比量測信號； 一類比轉數位轉換器，其用以自該類比量測信號產生數位量測資訊；及 一模組控制器，其經組態以輸出該數位量測資訊；及 一中心控制模組，其經組態以自該等模組控制器中之每一者接收該數位量測資訊且將該數位量測資訊傳達至一外部器件。

Description

量測用基板及量測方法
本發明係關於一種用於(例如)微影裝置、度量衡裝置或程序裝置中之量測用基板及量測方法。
微影裝置為將所要圖案施加至基板上(通常施加至基板之目標部分上)之機器。微影裝置可用於(例如)積體電路(IC)之製造中。在彼情況下，圖案化器件(其替代地被稱作光罩或倍縮光罩)可用以產生待形成於IC之個別層上之電路圖案。可將此圖案轉印至基板(例如，矽晶圓)上之目標部分(例如，包含晶粒之部分、一個晶粒或若干晶粒)上。通常經由成像至提供於基板上之輻射敏感材料(抗蝕劑)層上而進行圖案之轉印。一般而言，單一基板將含有經順次地圖案化之鄰近目標部分之網路。已知的微影裝置包括：所謂的步進器，其中藉由一次性將整個圖案曝光至目標部分上來輻照每一目標部分；及所謂的掃描器，其中藉由在給定方向(「掃描」方向)上經由輻射光束而掃描圖案同時平行或反平行於此方向而同步地掃描基板來輻照每一目標部分。亦有可能藉由將圖案壓印至基板上而將圖案自圖案化器件轉印至基板。
已將浸潤技術引入至微影系統中以使能夠改良較小特徵之解析度。在 浸潤微影裝置中，具有相對高折射率之液體之液體層***於該裝置之投影系統(經圖案化光束係通過該投影系統而朝向基板投影)與基板之間的空間中。液體最後覆蓋投影系統之最終透鏡元件下方的晶圓之部分。因此，經歷曝光的基板之至少部分浸潤於液體中。浸潤液體之效應係使能夠對較小特徵進行成像，此係由於曝光輻射在液體中相比於在氣體中將具有較短波長。(液體之效應亦可被視為增加系統之有效數值孔徑(NA)且亦增加聚焦深度)。
在商用浸潤微影中，液體為水。通常，水為高純度之蒸餾水，諸如通常用於半導體製造工場中之超純水(UPW)。在浸潤系統中，UPW常常被純化且其可在作為浸潤液體而供應至浸潤空間之前經歷額外處理步驟。除了可使用水作為浸潤液體以外，亦可使用具有高折射率之其他液體，例如：烴，諸如氟代烴；及/或水溶液。另外，已設想將除了液體以外之其他流體用於浸潤微影中。
在本說明書中，將在描述中參考局域化浸潤，其中浸潤液體在使用中被限制至最終透鏡元件與面向該最終元件之表面之間的空間。對向表面為基板之表面或與基板表面共面的支撐載物台(或基板台)之表面。(請注意，除非另有明確陳述，否則在下文中對基板W之表面的參考另外或在替代例中亦係指基板台之表面；且反之亦然)。存在於投影系統與載物台之間的流體處置結構用以將浸潤限制至浸潤空間。由液體填充之空間在平面圖上小於基板之頂部表面，且該空間相對於投影系統保持實質上靜止，而基板及基板載物台在下方移動。已設想其他浸潤系統，諸如非受限制浸潤系統(所謂的「全濕潤(all wet)」浸潤系統)及浴浸潤系統(bath immersion system)。
對浸潤微影之替代例為EUV微影，其中輻射光束係由(例如)具有在5 奈米至20奈米之範圍內之波長的EUV輻射而形成。可由(例如)電漿源或自由電子雷射產生EUV輻射。在EUV微影中，光束路徑(包括光罩及基板)被保持處於近真空中且主要使用反射光學元件。此係因為EUV輻射係由大多數材料強吸收。可存在低壓氫氣，(例如)以在使用電漿源時輔助清潔污染物。
當在微影裝置中曝光基板時，來自投影光束之能量係由基板吸收且因此基板變熱。加熱對於經曝光之目標部分係局域的，且因此，歸因於加熱之基板之任何熱膨脹可導致基板之失真。基板失真可導致(例如)順次層之間的疊對誤差，或甚至當使用多重圖案化技術(使用多次曝光)以曝光單一層時之同一區域之曝光。可發生之加熱取決於數個因素。此等因素可包括(在非限制性清單中)：諸如針對整個基板之曝光之持續時間或單次掃描之持續時間、感光層之細節，及(在浸潤型微影裝置中)在曝光期間之浸潤液體之流動速率。在EUV微影裝置中，局域加熱之問題可特別尖銳，此係因為近真空環境相比於浸潤型微影裝置中之浸潤液體而自基板傳導較少熱。然而，諸如存在於EUV微影裝置中之氣體流確實影響熱自基板之傳導。因此，難以預測可在曝光基板時發生的該基板之任何失真之性質及量值。因此，已憑經驗藉由量測測試曝光中之疊對誤差來判定失真。然而，運用此途徑，難以將由基板之熱失真造成之疊對誤差與來源於其他原因之疊對誤差分離。
由加利福尼亞米爾皮塔斯之科磊公司(KLA-Tencor)供應的熱測試基板(或晶圓)係已知的。此熱測試基板包括約10至100個負溫度係數溫度感測器。該等溫度感測器固定於300毫米矽晶圓中之各種點處。該等溫度感測器連接至位於基板中之中心的讀出電子產品。熱測試基板具有生產晶圓之近 似尺寸。熱測試基板係經由微影裝置予以處理，就好像其為生產基板一樣。熱測試基板週期性地記錄由負溫度係數溫度感測器記錄之溫度。然而，此熱測試基板並未提供足夠準確的資訊以滿足藉由對較小臨界尺寸之影像圖案之需要而強加的對疊對誤差之愈來愈嚴格限制。
舉例而言，需要提供用以在微影裝置正在操作中時使能夠準確量測該微影裝置內普遍存在的條件之手段。
根據本發明之一態樣，提供一種用於量測關於用於在一裝置之操作期間處理生產基板的該裝置中之一條件之量測用基板，該量測用基板包含：一本體，其具有相似於一生產基板之尺寸的尺寸，使得該量測用基板與該裝置相容；該本體中之複數個感測器模組，每一感測器模組包含：一感測器，其經組態以產生一類比量測信號，該感測器包含至少一溫度感測器或一應變感測器；一類比轉數位轉換器，其經組態以自該類比量測信號產生數位量測資訊；及一模組控制器，其經組態以輸出該數位量測資訊；及一中心控制模組，其經組態以自該等模組控制器中之每一者接收該數位量測資訊且將該數位量測資訊傳達至一外部器件。
根據本發明之一態樣，提供一種量測用於處理生產基板之一裝置中之條件的方法，該方法包含：將一量測用基板裝載至該裝置中，該量測用基板具有相似於一生產基板之尺寸的尺寸，使得該量測用基板與該裝置相容；該量測用基板具有一 中心控制模組及複數個感測器模組，每一感測器模組包含一感測器及一類比轉數位轉換器，該感測器包含至少一溫度感測器或一應變感測器；操作該感測器以產生一類比量測信號；使用該類比轉數位轉換器以將該類比量測信號轉換成數位量測資訊；將該數位量測資訊傳送至該中心控制模組；及將該數位量測資訊自該中心控制模組輸出至一外部器件。
10‧‧‧浸潤空間
12‧‧‧液體限制結構
12a‧‧‧內部部分
12b‧‧‧外部部分
18‧‧‧氣體回收開口
20‧‧‧供應開口
21‧‧‧回收開口
23‧‧‧下方供應開口
24‧‧‧溢流開口/溢流回收件
25‧‧‧底部回收開口/多孔板/周圍回收開口
26‧‧‧氣刀開口
32‧‧‧底部回收開口/牽制開口
33‧‧‧液體彎液面
34‧‧‧供應開口
36‧‧‧通道
38‧‧‧通道
39‧‧‧內部周邊
40‧‧‧板
42‧‧‧中間回收件
60‧‧‧基板支撐裝置
100‧‧‧最終透鏡元件/最後透鏡元件(圖2、圖3)/感測器模組(圖4、圖5)
101‧‧‧第一感測器
102‧‧‧第二感測器
103‧‧‧放大器
104‧‧‧放大器
105‧‧‧類比轉數位轉換器
106‧‧‧類比轉數位轉換器
107‧‧‧模組控制器
108‧‧‧儲存器件
109‧‧‧模組介面
110‧‧‧資料匯流排
120‧‧‧本體
121‧‧‧表面氧化物層
150‧‧‧中心控制模組
151‧‧‧介面
152‧‧‧內部匯流排
153‧‧‧無線通信模組/介面
154‧‧‧微控制器
155‧‧‧儲存器件
156‧‧‧電力儲存器件
157‧‧‧電感性充電單元
300‧‧‧雙極電晶體
301‧‧‧n摻雜井
302‧‧‧發射極區
303‧‧‧n+區
304‧‧‧n+區
305‧‧‧p+區
306‧‧‧Al導體
307‧‧‧Al導體
308‧‧‧Al導體
309‧‧‧Al導體
320‧‧‧平坦化層
400‧‧‧雙極電晶體
401‧‧‧n摻雜深井
402‧‧‧p摻雜井
403‧‧‧n摻雜井
404‧‧‧發射極區
405‧‧‧p+區
406‧‧‧n+區
407‧‧‧p+區
408‧‧‧Al導體
409‧‧‧Al導體
410‧‧‧Al導體
411‧‧‧Al導體
420‧‧‧平坦化層
500‧‧‧控制器(圖1)/箔式應變計(圖8)
501‧‧‧導線
503‧‧‧端子
600‧‧‧下載站
601‧‧‧串列件
603‧‧‧介面
a‧‧‧長度
AD‧‧‧調整器
B‧‧‧輻射光束
BD‧‧‧光束遞送系統
C‧‧‧目標部分
CO‧‧‧聚光器
IF‧‧‧位置感測器
IL‧‧‧照明系統/照明器
IN‧‧‧積光器
M1‧‧‧光罩對準標記
M2‧‧‧光罩對準標記
MA‧‧‧圖案化器件/光罩
MT‧‧‧光罩支撐結構/光罩台
MW‧‧‧量測用基板
P1‧‧‧基板對準標記
P2‧‧‧基板對準標記
PM‧‧‧第一***件
PS‧‧‧投影系統
PW‧‧‧第二***件/第二***
SO‧‧‧輻射源
S1‧‧‧裝載
S2‧‧‧初步鑑定步驟
S3‧‧‧轉移
S4‧‧‧採取及記錄
S5‧‧‧曝光
S6‧‧‧停止
S7‧‧‧卸載
S8‧‧‧轉移
S9‧‧‧下載
S10‧‧‧分析
W‧‧‧基板
現在將參考隨附示意性圖式而僅作為實例來描述本發明之實施例，在該等圖式中，對應元件符號指示對應零件，且在該等圖式中：圖1示意性地描繪微影裝置；圖2示意性地描繪用於微影投影裝置中之兩個浸潤液體限制結構配置；圖3為示意性地描繪用於微影投影裝置中之另外兩個浸潤液體限制結構配置的側視橫截面圖；圖4描繪根據一實施例之量測用基板；圖5描繪根據一實施例之量測用基板之感測器模組；圖6描繪根據一實施例之量測用基板之感測器；圖7描繪根據一實施例之量測用基板之另一感測器；圖8描繪根據一實施例之量測用基板之另一感測器；圖9描繪根據一實施例之量測用基板之中心控制模組；圖10描繪在下載站中之根據一實施例的量測用基板；及圖11為根據一實施例之量測方法之流程圖。
圖1示意性地描繪可供使用本發明之一實施例的微影裝置。該裝置包括：照明系統(照明器)IL，其經組態以調節輻射光束B(例如，UV輻射或任何其他合適輻射)；光罩支撐結構(例如，光罩台)MT，其經建構以支撐圖案化器件(例如，光罩)MA，且連接至經組態以根據某些參數來準確地定位該圖案化器件之第一***件PM。該裝置亦包括基板台(例如，晶圓台)WT或「基板支撐件」，其經建構以固持基板(例如，抗蝕劑塗佈晶圓)W，且連接至經組態以根據某些參數來準確地定位該基板之第二***件PW。該裝置進一步包括投影系統(例如，折射投影透鏡系統)PS，其經組態以將由圖案化器件MA賦予至輻射光束B之圖案投影至基板W之目標部分C(例如，包括一或多個晶粒)上。
照明系統可包括用於導向、塑形或控制輻射的各種類型之光學組件，諸如折射、反射、磁性、電磁、靜電或其他類型之光學組件或其任何組合。
光罩支撐結構支撐(亦即，承載)圖案化器件。光罩支撐結構以取決於圖案化器件之定向、微影裝置之設計及其他條件(諸如，圖案器件是否被固持於真空環境中)之方式來固持圖案化器件。光罩支撐結構可使用機械、真空、靜電或其他夾持技術以固持圖案化器件。光罩支撐結構可為(例如)框架或台，其可根據需要而固定或可移動。光罩支撐結構可確保圖案化器件(例如)相對於投影系統處於所要位置。可認為本文中對術語「倍縮光罩」或「光罩」之任何使用皆與更一般之術語「圖案化器件」同義。
本文中所使用之術語「圖案化器件」應被廣泛地解譯為係指可用以在輻射光束之橫截面中向輻射光束賦予圖案以便在基板之目標部分中產生圖案的任何器件。應注意，例如，若被賦予至輻射光束之圖案包括相移特徵或所謂輔助特徵，則該圖案可不確切地對應於基板之目標部分中之所要圖 案。通常，被賦予至輻射光束之圖案將對應於目標部分中所產生之器件(諸如，積體電路)中之特定功能層。
圖案化器件可為透射的或反射的。圖案化器件之實例包括光罩、可程式化鏡面陣列及可程式化LCD面板。光罩在微影中係熟知的，且包括諸如二元、交變相移及衰減相移之光罩類型，以及各種混合光罩類型。可程式化鏡面陣列之一實例使用小鏡面之矩陣配置，該等小鏡面中之每一者可個別地傾斜，以便使入射輻射光束在不同方向上反射。傾斜鏡面在由鏡面矩陣反射之輻射光束中賦予圖案。
本文中所使用之術語「投影系統」應被廣泛地解譯為涵蓋適於所使用之曝光輻射或適於諸如浸潤液體之使用或真空之使用之其他因素的任何類型之投影系統，包括折射、反射、反射折射、磁性、電磁及靜電光學系統，或其任何組合。可認為本文中對術語「投影透鏡」之任何使用皆與更一般之術語「投影系統」同義。
如此處所描繪，裝置屬於透射類型(例如，使用透射光罩)。替代地，裝置可屬於反射類型(例如，使用如上文所提及之類型之可程式化鏡面陣列，或使用反射光罩)。
微影裝置可屬於具有兩個(雙載物台)或多於兩個基板台或「基板支撐件」(及/或兩個或多於兩個光罩台或「光罩支撐件」)之類型。在此等「多載物台」機器中，可並行地使用額外台或支撐件，或可對一或多個台或支撐件進行預備步驟，同時將一或多個其他台或支撐件用於曝光。
微影裝置亦可屬於如下類型：其中基板之至少一部分可由具有相對高折射率之液體(例如，水)覆蓋，以便填充投影系統與基板之間的空間。亦可將浸潤液體施加至微影裝置中之其他空間，例如，光罩與投影系統之間 的空間。浸潤技術可用以增加投影系統之數值孔徑。本文中所使用之術語「浸潤」並不意謂諸如基板之結構必須浸沒於液體中，而是僅意謂液體在曝光期間位於投影系統與基板之間。
參看圖1，照明器IL自輻射源SO接收輻射光束。舉例而言，當源為準分子雷射時，源及微影裝置可為分離實體。在此等狀況下，不認為源形成微影裝置之零件，且輻射光束係憑藉包括(例如)合適導向鏡面及/或光束擴展器之光束遞送系統BD而自源SO傳遞至照明器IL。在其他狀況下，舉例而言，當源為水銀燈時，源可為微影裝置之整體零件。源SO及照明器IL連同光束遞送系統BD(在需要時)可被稱作輻射系統。
照明器IL可包括經組態以調整輻射光束之角強度分佈之調整器AD。通常，可調整照明器之光瞳平面中之強度分佈的至少外部徑向範圍及/或內部徑向範圍(通常分別被稱作σ外部及σ內部)。另外，照明器IL可包括各種其他組件，諸如，積光器IN及聚光器CO。照明器可用以調節輻射光束，以在其橫截面中具有所要均一性及強度分佈。
輻射光束B入射於被固持於光罩支撐結構(例如，光罩台MT)上之圖案化器件(例如，光罩MA)上，且係藉由該圖案化器件而圖案化。在已橫穿光罩MA的情況下，輻射光束B傳遞通過投影系統PS，該投影系統PS將該光束聚焦至基板W之目標部分C上。憑藉第二***件PW及位置感測器IF(例如，干涉量測器件、線性編碼器或電容性感測器)，可準確地移動基板台WT，例如，以便使不同目標部分C定位於輻射光束B之路徑中。相似地，第一***件PM及另一位置感測器(其未在圖1中被明確地描繪)可用以(例如)在自光罩庫之機械擷取之後或在掃描期間相對於輻射光束B之路徑來準確地定位光罩MA。
一般而言，可憑藉形成第一***件PM之零件之長衝程模組(粗略定位)及短衝程模組(精細定位)來實現光罩台MT之移動。相似地，可使用形成第二***PW之零件之長衝程模組及短衝程模組來實現基板台WT或「基板支撐件」之移動。在步進器(相對於掃描器)之狀況下，光罩台MT可僅連接至短衝程致動器，或可固定。可使用光罩對準標記M1、M2及基板對準標記P1、P2來對準光罩MA及基板W。儘管如所說明之基板對準標記佔據專用目標部分，但該等標記可位於目標部分之間的空間中(此等標記被稱為切割道對準標記)。相似地，在多於一個晶粒提供於光罩MA上之情形中，光罩對準標記可位於該等晶粒之間。
控制器500控制微影裝置之總體操作，且特別執行下文進一步所描述之操作程序。控制器500可被體現為經合適程式化之一般用途電腦，其包含中央處理單元、揮發性及非揮發性儲存構件、一或多個輸入及輸出器件(諸如鍵盤及螢幕)、一或多個網路連接件，及至微影裝置之各種部分之一或多個介面。應瞭解，控制電腦與微影裝置之間的一對一關係係不必要的。一個電腦可控制多個微影裝置。多個經網路連接之電腦可用以控制一個微影裝置。控制器500亦可經組態以控制一微影製造單元(lithocell)或叢集(cluster)中之一或多個關聯程序器件及基板處置器件，該微影裝置形成該微影製造單元或叢集之部分。控制器500亦可經組態為從屬於微影製造單元或叢集之監督控制系統及/或工廠(fab)之總體控制系統。
下文進一步所描述之下載站(download station)600被提供為微影裝置之部分或為工廠中之其他處(可能接近於微影裝置或在中心部位處)的分離器件。下載站連接至控制器500、監督控制系統及/或工廠之總體控制系統。下載站可併有經程式化以分析自檢測基板獲得之資訊的電腦系統，或 可在其他處執行此分析。
用於在投影系統PS之最終透鏡元件與基板之間提供液體之配置可被分類為三個一般類別。此等類別為浴型配置、所謂的局域化浸潤系統及全濕潤浸潤系統。本發明特別係關於局域化浸潤系統。
在已針對局域化浸潤系統所提議之配置中，液體限制結構12沿著投影系統PS之最終透鏡元件與面向投影系統的載物台或台之對向表面之間的浸潤空間之邊界之至少一部分而延伸。台之對向表面如此被提及，此係因為台在使用期間移動且很少靜止。通常，台之對向表面為基板W、環繞該基板之基板台WT或此兩者的表面。
在一實施例中，如圖1所說明之液體限制結構12可沿著投影系統PS之最終透鏡元件100與基板台WT或基板W之間的浸潤空間之邊界之至少一部分而延伸。在一實施例中，密封件形成於液體限制結構12與基板W/基板台WT之表面之間。密封件可為非接觸式密封件，諸如氣體密封件16，或浸潤液體密封件。(全文據此以引用方式併入之歐洲專利申請公開案第EP-A-1,420,298號中揭示具有氣體密封件之系統)。
液體限制結構12經組態以將浸潤液體供應及限制至浸潤空間。可藉由液體入口而使液體進入至浸潤空間中，且可藉由液體出口而移除液體。
液體可由氣體密封件限制於浸潤空間中。在使用中，氣體密封件形成於液體限制結構12之底部與台之對向表面(亦即，基板W之表面及/或基板台WT之表面)之間。氣體密封件中之氣體在壓力下經由入口而被提供至液體限制結構12與基板W及/或基板台WT之間的間隙。該氣體經由與出口相關聯之通道被抽取。氣體入口上之過壓、出口上之真空位準及間隙之幾何形狀經配置使得在內部存在限制液體之高速氣體流。液體限制結構12與基 板W及/或基板台WT之間的液體上之氣體之力將液體限制於浸潤空間10中。全文據此以引用方式併入之美國專利申請公開案第US 2004-0207824號中揭示此系統。
其他浸潤液體限制結構12可供本發明之實施例使用，諸如圖3中所描繪之配置。
圖2及圖3展示可存在於液體限制結構12之變化中之不同特徵。圖2所說明及下文所描述之配置可應用於上文所描述及圖1所說明之微影裝置。分別針對該圖之底部左側及底部右側上之特徵來展示兩個不同配置。除非另有提及，否則兩個設計共用共同特徵。除非有不同描述，否則該等設計可共用與上文所描述之特徵相同的特徵中之一些。可如所展示或根據需要而個別地或組合地選擇本文中所描述之特徵。
圖2展示圍繞最後透鏡元件之底部表面的限制結構12。最後透鏡元件100具有倒截頭圓錐形形狀。截頭圓錐形形狀具有平面底部表面及圓錐形表面。截頭圓錐形形狀自平面表面突起且具有底部平面表面。底部平面表面為最後透鏡元件之底部表面的光學活性部分，投影光束可傳遞通過該光學活性部分。限制結構環繞截頭圓錐形形狀之至少部分。限制結構具有面朝向截頭圓錐形形狀之圓錐形表面的內部表面。內部表面及圓錐形表面具有互補形狀。限制結構之頂部表面係實質上平面的。限制結構可圍繞最後透鏡元件之截頭圓錐形形狀而配合。液體限制結構之底部表面為實質上平面的，且在使用中，底部表面可平行於台及/或晶圓之對向表面。底部表面與對向表面之間的距離可在30微米至500微米之範圍內，理想地在80微米至200微米之範圍內。
液體限制結構12延伸為相比於最後透鏡元件100較接近於晶圓W及晶 圓台WT之對向表面。因此，浸潤空間10被界定於液體限制結構12之內部表面、截頭圓錐形部分之平面表面與對向表面之間。在使用期間，浸潤空間10被填充有液體。液體填充透鏡與液體限制結構12之間的互補表面之間的緩衝空間之至少部分，在一實施例中填充互補內部表面與圓錐形表面之間的浸潤空間10之至少部分。
通過形成於液體限制結構12之表面中的開口將液體供應至浸潤空間10。可通過液體限制結構之內部表面中的供應開口20供應該液體。替代地或另外，自形成於液體限制結構12之下表面中的下方供應開口23供應液體。下方供應開口可環繞投影光束之路徑，且其可由呈陣列形式之一系列開口形成。液體經供應以填充浸潤空間10，使得在投影系統下方通過該空間之流為層狀。在液體限制結構12下方自下方供應開口23供應液體會另外防止氣泡進入至浸潤空間10中。液體之此供應充當液體密封件。
可自形成於內部表面中之回收開口21回收液體。通過回收開口21的液體之回收可藉由施加負壓而進行；通過回收開口21之回收係由於通過空間之液體流的速度；或該回收可由於此兩者。當以平面圖進行檢視時，回收開口21可位於供應開口20之相對側上。另外或替代地，可通過位於液體限制結構12之頂部表面上的溢流開口24回收液體，如右側配置中所展示。應注意，(若存在)溢流可圍繞液體限制結構之頂部、圍繞投影光束之路徑而延伸。
另外或替代地，可通過底部回收開口25、32自液體限制結構12下方回收液體。彎液面33形成於液體限制結構12與對向表面之間，且其充當液體空間與氣態外部環境之間的邊界。底部回收開口可為可以單相流回收液體之多孔板25。彎液面可在對向表面相對於液體限制結構之相對移動期間遍 及多孔板之表面自由地移動。替代地，底部回收開口25可用以將液體彎液面33固持(或「牽制」)至液體限制結構12。底部回收開口可為回收液體所通過之一系列牽制開口32。牽制開口32可以雙相流回收液體。
氣刀開口26相對於液體限制結構12之內部表面視情況徑向地向外。可通過氣刀開口26以高速度供應氣體以輔助將浸潤液體限制於在浸潤空間12中。經供應氣體可含濕氣且其可含有二氧化碳。經供應氣體可基本上由二氧化碳及水蒸氣組成。用於回收通過氣刀開口26所供應之氣體的氣體回收開口18自氣刀開口26徑向地向外。
圖3描繪液體限制結構12之另外兩個配置。分別針對該圖之底部左側及底部右側上之特徵來展示兩個不同配置。除非另有提及，否則兩個設計共用共同特徵。為圖2所共有的圖3所展示之兩個配置之特徵共用相同元件符號。液體限制結構12具有與截頭圓錐形形狀之圓錐形表面互補的內部表面。液體限制結構12之下表面相比於截頭圓錐形形狀之底部平面表面較接近於對向表面。
通過形成於液體限制結構12之內部表面中的供應開口將液體供應至浸潤空間10。供應開口34係朝向內部表面之底部而定位，可能位於截頭圓錐形形狀之底部表面下方。供應開口34位於內部表面上，在投影光束之路徑周圍隔開。
自浸潤空間10通過液體限制結構12之下表面中的回收開口25回收液體。隨著對向表面在液體限制結構12下方移動，彎液面33可在與對向表面之移動相同的方向上遍及回收開口25之表面而遷移。回收開口25可由多孔部件形成。可以單相回收液體。在一實施例中，以二相流回收液體。在液體限制結構12內之腔室35中接收二相流，其中將該二相流分離成液體及氣 體。通過分離通道36、38自腔室35回收液體及氣體。
液體限制結構12之下表面的內部周邊39延伸至遠離內部表面之空間中以形成板40。內部周邊形成可經設定大小以匹配於投影光束之形狀及大小的小孔徑。該板可用以在其任一側隔離液體。經供應液體朝向孔徑向內流動、流動通過內部孔徑，且接著在板下方朝向周圍回收開口25徑向地向外流動。
在一實施例中，液體限制結構12可呈兩個部分：內部部分12a及外部部分12b。出於方便起見，在圖3之右側部分中展示此配置。兩個部分可在平行於對向表面之平面中彼此相對地移動。內部部分可具有供應開口34且內部部分可具有溢流回收件24。外部部分12b可具有板40及回收開口25。內部部分可具有用於回收在兩個部分之間流動之液體的中間回收件42。
在基板之曝光期間，來自輻射光束B之能量係由基板吸收，從而導致基板之局域加熱及熱失真。在預測此局域加熱對疊對之影響方面存在各種困難，該等困難源於在預測基板之溫度改變及所得失真兩方面的困難。已知熱測試晶圓提供關於在曝光期間發生的溫度改變之一些資訊，但本發明人已判定出此資訊不足以支援藉由成像於基板上之特徵之大小之所要縮減而激勵的疊對之所要改良。可藉由現有晶圓獲得之資訊提供在準確度及解析度中之至少一者上不足之資料集。微影程序之客戶要求意謂工具在效能方面(諸如在疊對方面)具有不斷增加之規格。因此，需要用以促進達成此等改良之規格的診斷工具。
因此，本發明提議在用於處理基板之裝置(例如微影裝置)中使用且具有改良型架構之量測用基板。該量測用基板具有尺寸與裝置相容之本體，複數個感測器模組及一中心控制模組嵌入於該本體中。每一感測器模組包 含一類比感測器及一類比轉數位轉換器。類比轉數位轉換器自由感測器輸出之類比量測信號產生數位量測資訊。藉由每一感測器模組中之模組控制器將該數位量測資訊輸出至中心控制模組以供輸出至外部器件。藉由在每一感測器模組中本端地執行類比轉數位轉換，可在無雜訊的情況下獲得數位量測資訊，否則可在分散之感測器與中央控制器之間的長通信線中拾取雜訊。在微影裝置之基板載物台中，雜訊之源為由在曝光期間加速基板支撐裝置60所需之強大電磁馬達產生的高位準之電磁雜訊。
在一實施例中，一儲存器件包括於每一感測器模組中以用於本端儲存數位量測資訊。該儲存器件可為簡單暫存器。此暫存器可允許多個感測器模組進行同時量測，接著將該等量測非同步地傳送至中心控制模組。儲存器件可為可儲存複數個量測之較大記憶體，例如，非揮發性記憶體，諸如NAND快閃記憶體，或揮發性記憶體，諸如DRAM。較大記憶體可允許在微影裝置中之測試程序待留存於感測器模組中期間獲得所有量測。可在量測用基板處於不具有或遠離高位準之電磁雜訊之環境中時將量測自記憶體傳送至中心控制模組。
在一實施例中，儲存器件另外或替代地包括於中心控制模組中。中心控制模組中之儲存器件可經組態以儲存關於藉由許多感測器進行之許多量測之量測資訊。在使用中心控制模組中之單一儲存器件的情況下，製造成本可低於在每一感測器模組中提供分離之儲存器件之製造成本。
在一實施例中，將放大器(例如運算放大器)提供於每一感測器模組中以在類比轉數位轉換之前放大類比量測信號。放大器可增加量測之敏感度及/或動態範圍。
本發明之量測用基板提供搭配不同類型之感測器實用的架構。在一實 施例中，感測器為溫度感測器。溫度感測器允許在藉由裝置進行之程序期間直接量測基板之任何溫度波動。在一實施例中，溫度感測器為雙極電晶體。雙極電晶體可形成於本體中或本體上，且因此直接量測本體自身之溫度。雙極電晶體為小且準確的器件，使得可獲得高度局域化量測。
在一實施例中，溫度感測器為負溫度係數感測器。負溫度係數感測器無法直接形成於本體中，但必須固定至本體。因此，在負溫度係數感測器與本體之間件存在某些熱阻。所得溫度量測不準確或需要較多時間來進行量測。出現誤差或延遲，此係因為負溫度係數感測器與基板為了相對準確量測而應獲得熱平衡。
在一實施例中，感測器為允許直接量測由基板經歷之應變的應變感測器。此應變感測器避免自溫度改變預測熱膨脹方面的任何可能不準確度。應變感測器可為電阻回應於經施加應變而改變的電阻性應變感測器。電阻性應變感測器係熟知的且高度準確。應變感測器可為雙極電晶體。雙極電晶體本質上對溫度及應變兩者敏感，但可經設計為對應變不敏感。對溫度及應變兩者敏感之雙極電晶體及僅對溫度敏感之雙極電晶體之組合可用以將應變之效應與溫度之效應隔離。如上文所指示之關於作為溫度感測器之雙極電晶體之優點同樣適用於作為應變感測器之雙極電晶體。
在一實施例中，感測器為嵌入於量測用基板之本體中之溫度敏感電阻器，例如熱敏電阻。熱敏電阻可在100ms之量測時間內提供約100μK之溫度解析度。熱敏電阻可由矽化多晶矽形成且具有為約0.3%/K之溫度係數。熱敏電阻可與具有相同標稱電阻之參考電阻器一起配置於惠斯登電橋中以達成約100μK之解析度。
在一實施例中，將兩個應變感測器提供於每一感測器模組中以便量測 在平行於量測用基板之主表面之兩個正交方向(例如，微影裝置之X方向及Y方向)上的應變。
在一實施例中，感測器模組包含溫度感測器及應變感測器兩者。在感測器模組中具有兩種類型之感測器會允許直接量測溫度與應變之間的關係且可用以校準基板中之溫度誘發之應變之模型。亦有可能將機械誘發之應變與熱誘發之應變分離。
本發明之一實施例為量測用於處理生產基板之裝置中之條件的方法。將尺寸與生產基板相容之量測用基板裝載至該裝置中。量測用基板具有嵌入於其中之一中心控制模組及複數個感測器模組，每一感測器模組包含一感測器及一類比轉數位轉換器。感測器經操作以產生類比量測信號，且類比轉數位轉換器將類比量測信號轉換成數位量測資訊。將數位量測資訊傳送至中心控制模組且將數位量測資訊自中心控制模組輸出至外部器件。此方法允許歸因於本端類比轉數位轉換而在無來自電磁雜訊之干擾的情況下獲得數位量測資訊，此情形避免長通信路徑之需要。
本發明之該方法可用於操作以執行通常對生產基板進行之程序之至少部分，同時進行量測以直接量測在該程序期間之溫度改變之微影裝置中。可在該程序期間採取複數個量測以便量測時間及空間中之溫度或其他條件。
圖4描繪根據本發明之一實施例之量測用基板MW。量測用基板MW包含與微影裝置相容之本體120。舉例而言，本體可為直徑為300毫米的實質上圓形平面本體。該本體可滿足對於生產基板之厚度及扁平度之標準規格，使得該本體可被裝載且經處理就好像其為標準程序基板一樣。理想地，量測用基板MW抵抗浸潤液體且抵抗投影光束。量測用基板MW可具備橫 越其整個頂部表面的用以提供對浸潤液體之抵抗的平坦化層。平坦化層可幫助確保量測用基板滿足程序基板之扁平度規格。
複數個感測器模組100形成於或嵌入於本體120中。感測器模組100可以柵格(或2維陣列)之形式而配置，且可鄰接或隔開或為此兩者之組合。理想地，感測器模組100橫越本體120之實質上整個區域而安置。感測器模組120可具有平行於本體120之表面的小於5毫米(例如，為約1毫米)之尺寸。
在一實施例中，基板具有全部遍及晶圓而分佈之許多感測器。可選擇特定感測器以量測關於特定應用之參數。感測器陣列之分佈可經設計為適合特定量測。因而，當感測器模組100經選擇為待在操作中時，可切斷選定的其他感測器模組。可出於各種原因選擇不同數目個感測器及遍及感測基板之特定部位處之感測器，該等原因可能包括(在非限制性清單中)：使感測器位置與特定表面之特徵匹配、最小化由量測用基板產生之熱、聚焦於表面之特定部分上、在感測器故障之情況下實現冗餘、針對一特定應用或實驗而最佳化感測晶圓之解析度及準確度，等等。
舉例而言，選定感測器可經選擇以與工具之操作組件之特徵(諸如，液體限制結構之浸潤佔據面積)匹配。可僅遍及量測用基板之受限制表面(諸如在量測用基板之邊緣處)來選擇感測器。此配置可適合於在操作期間量測基板邊緣處之溫度，該基板邊緣在浸潤工具中在通過該基板邊緣處之台回收流體時將經歷間斷的流體流。藉由最小化或最佳化可操作感測器(此係因為感測器產生熱)，通過量測用基板之操作而產生之熱被限制至熱量測所必需之彼等組件。
在具有遍及量測用基板MW之表面而分佈之可選擇感測器模組的情況下，可變化每單位面積感測器之數目(亦即，感測器之密度)，且因此可變 化解析度。因此，可選擇感測器使能夠根據量測用基板之應用而變化量測用基板之解析度。在具有可選擇感測器陣列的情況下，單一量測用基板可適用於不同用途，而並不依賴於針對不同用途必須開發不同量測用基板。
替代地，所有感測器在量測程序期間皆在操作中，但僅下載來自選定感測器之資料且將該等資料用於分析。
在一實施例中，本體120為矽基板，且感測器模組100係在本體120之上部表面中藉由標準CMOS程序而直接形成。中心控制模組150控制量測用基板之總體操作。儘管被描繪為大於感測器模組120，但中心控制模組150可較小且位於任何地方。相似地，儘管被描繪為位於本體120之中心且被稱作「中心」，但中心控制模組150可位於本體120之任何方便的部位。中心控制模組150可位於本體之與感測器模組相對的表面上。
圖5更詳細地描繪感測器模組100。感測器模組100包括第一感測器101及第二感測器102。第一感測器101可為溫度感測器。第二感測器102可為應變感測器。感測器之其他形式係可能的。感測器模組100可包括僅一個感測器。感測器模組100可包括多於兩個感測器。開關(圖中未繪示)可經提供以使能夠啟動或撤銷啟動感測器模組100。
第一感測器101及第二感測器102輸出類比量測信號。第一感測器及第二感測器連接至各別放大器103、104。放大器103、104放大各別類比量測信號。放大器103、104理想地儘可能接近第一感測器101及第二感測器102使得在放大之前拾取最小雜訊。放大器103、104可為運算放大器。
類比轉數位轉換器105、106自放大器103、104接收經放大類比量測信號且自其產生數位量測資訊。理想地，類比轉數位轉換器105、106儘可能接近放大器103、104而定位以最小化在類比轉數位轉換之前所拾取的雜 訊之量。
模組控制器107自類比轉數位轉換器105、106接收數位量測資訊且將其導向至儲存器件108。模組控制器可為任何方便類型之可程式化微控制器。儲存器件108可為非揮發性記憶體，諸如NAND快閃記憶體，或揮發性記憶體，諸如DRAM或SRAM。在讀出模式中，模組控制器107自儲存器件108讀出數位量測資訊且將其提供至模組介面109以供傳輸至資料匯流排110。可在傳輸數位量測資訊之前將誤差偵測及/或校正程式碼添加至該數位量測資訊。感測器模組100可在立即讀出模式中操作，其中將進行之每一量測直接輸出至資料匯流排110上。在此模式中，儲存器件108可為較簡單暫存器。感測器模組100可在批量讀出模式中操作，其中將量測收集成批量，將該等批量(例如)回應於輪詢請求而在延遲之後輸出至資料匯流排110上。在此模式中，儲存器件108理想地具有儲存多個量測批量之容量。
在一實施例中，感測器101、102在1赫茲至100赫茲之範圍內的取樣速率下進行量測。亦可在低於1赫茲之速率下進行量測，例如以監視微影裝置之組件之長期穩定性。在類比轉數位轉換之後，每一量測可僅需要單一位元組或可在儲存有後設資料(諸如誤差偵測及/或校正程式碼、時間戳記及感測器識別符的情況下)需要若干位元組。因此，將看到，儲存器件108至多需要具有幾十或幾百千位元組之容量。
可易於運用(例如)CMOS程序之習知技術而在本體中製造構成感測器模組100之所有組件。
資料匯流排110可為呈環或軸輻式配置之串列匯流排或並列匯流排。為了最小化感測器上方之佈線層之數目，可在本體120之底面上形成資料匯流排且藉由貫穿基板通孔將資料匯流排連接至感測器模組。
圖6描繪可用作本發明之一實施例中之溫度及/或應變感測器的雙極電晶體300，其亦可被稱作雙極接面電晶體。圖6誇示垂直尺度：形成於本體之原始表面上方的器件之部分極薄。但可將平坦化層320提供於雙極電晶體300上方以確保量測用基板之上部表面符合所要扁平度準則。
雙極電晶體300屬於基板類型且包含n摻雜井301，該n摻雜井形成於為p型之本體120中。發射極區302形成為n摻雜井301內之p+區。基座係由n摻雜井301之邊界處之n+區303、304形成，且源極/集電極係由鄰近於n+區304但與該n+區304絕緣的p+區305形成。可藉由Al導體306至309通過表面氧化物層121中之孔而進行至發射極基座及源極區/集電極區之連接。雙極電晶體300之順向電壓係與溫度成比例且可藉由已知電路予以量測以實現為約1mK至10mK之解析度之溫度量測。
雙極電晶體有利地用於直接量測本體之溫度，而不介入如在運用負溫度係數感測器之情況下出現的熱阻。雙極電晶體亦可針對相同功率消耗提供比負溫度係數溫度感測器更好約10倍的解析度。雙極電晶體可有利，此係因為比可使用負溫度係數感測器所達成更高的密度的雙極感測器可存在於量測用基板之本體上。因此，儘管雙極電晶體相比於負溫度係數感測器通常具有較不良之精度，但可達成較高解析度。在使用每單位面積較大數目個感測器的情況下，溫度量測之準確度亦可改良。
圖7描繪亦可用作本發明之一實施例中之溫度及/或應變感測器的垂直NPN類型之雙極電晶體400。圖7誇示垂直尺度：形成於本體之原始表面上方的器件之部分極薄。但可將平坦化層420提供於雙極電晶體400上方以確保量測用基板之上部表面符合所要扁平度準則。
雙極電晶體400包含n摻雜深井401，該n摻雜深井形成於為p型之本體 120中。p摻雜井402及n摻雜井403形成於n摻雜深井401內。發射極區404形成為p摻雜井402內之n+區。基座係由p摻雜井402之邊界處之p+區405、407形成，且源極/集電極係由n摻雜井403內之n+區406形成。可藉由Al導體408至411通過氧化物層121中之孔而進行至發射極基座及源極區/集電極區之連接。雙極電晶體400之順向電壓係與溫度成比例且可藉由已知電路予以量測以實現為約1mK至10mK之解析度之溫度量測。
圖8描繪可用作感測器101或102之箔式應變計500。此感測器為可用於量測用基板MW中之應變感測器之實例。箔式應變計500包含以鋸齒形配置而佈置之導線501，該導線具有在待量測應變之方向上對準之多個平行長度。導線501被囊封於黏接至本體120之表面之箔式封裝中。本體120之任何變形將造成鋸齒形配置之長度a改變，例如增加。將長度a之改變乘以導線之平行長度之數目，以得到導線501之總長度改變，使得發生導線501之電阻之可量測改變。端子503連接至感測器模組。
箔式應變計500可具有約50微米之厚度及約50平方毫米之面積。因此，箔式應變計很可能比將雙極電晶體用作感測器之感測器模組大得多，使得在低於溫度之解析度下量測應變。
根據本發明之一實施例之量測用基板亦可具備如2015年7月15日申請之歐洲專利申請案15177120.1中所描述之一或多個成像器件及一或多個壓力感測器兩者，該申請案之全文據此係以引用方式併入。可包括感測器之其他相關形式。
圖9更詳細地描繪嵌入於本體120中之中心控制模組150，該中心控制模組(例如)使用CMOS程序而被直接製造至基板中。中心控制模組150可位於本體120之與感測器模組100相對之側上。在一實施例中，中心控制模組 可足夠小使得其可位於感測器模組100之陣列內，其(例如)依據每一感測器在規則週期性陣列中之部位而不干擾該陣列中之感測器之分佈。
中心控制模組150包含介面151。該介面與資料匯流排110及內部匯流排152連接。內部匯流排152亦連接至無線通信模組153、微控制器154及儲存器件155。藉由電力儲存器件156供應電力。電力儲存器件可連接至電感性充電單元157。
圖11描繪量測用基板MW之使用方法。
以與裝載抗蝕劑塗佈基板以供曝光確切相同之方式將量測用基板MW裝載(S1)至微影裝置中。視需要，量測用基板MW可在裝載至微影裝置中之前用感光性抗蝕劑來塗佈。感光性抗蝕劑在本發明之方法中並不起作用，但經提供以使由量測用基板經歷之條件儘可能地接近由生產基板經歷之條件。藉由基板處置器將量測用基板MW置放至基板台WT上。
一旦裝載至微影裝置中且置放於基板台WT上，量測用基板MW就可經受某些初步鑑定步驟(S2)(例如，扁平度量測)以驗證量測用基板MW且檢驗其將不會損害微影裝置。然而，無需應用如通常對生產基板執行之完整預特性化程序。理想地，對量測用基板執行與針對生產基板相同之溫度調節程序。
在雙站微影裝置中，將量測用基板MW轉移(S3)至曝光站ES。量測用基板開始採取及記錄(S4)量測。對於正常生產基板執行一組曝光(S5)。量測用基板停止(S6)採取量測。
一旦已收集所有所要量測，就以與生產基板相同之方式自裝置卸載(S7)量測用基板MW。然而，將量測用基板MW轉移(S8)至下載站600，而非將該等量測發送至塗佈顯影系統以供處理，圖10描繪該下載站600之實 施例。在下載站600處，可經由介面153而自儲存器件155下載(S9)經儲存量測之資料。介面153可使用串列件601經由諸如Wi-Fi(TM)或藍芽(TM)之無線通信技術而連接至下載站中之介面603。電力儲存器件156可(例如)經由無線感應充電系統而在下載站處再充電。替代地，量測用基板MW之下部表面可具備既用於自儲存器件155下載影像及/或量測之資料又用於對電力儲存器件156充電的電接點。
接著分析(S10)經下載資料以識別關於已被檢測之物件的任何故障或問題。經下載資料之分析可為手動、自動，或手動程序與自動程序之組合。自動分析可包括圖案辨識或與參考資料之比較。
在本發明之一實施例中，將量測用基板與一微影裝置一起使用，該微影裝置在未考慮量測用基板的情況下經設計使得當量測用基板在該微影裝置中時並未向該微影裝置提供特定構件以與該量測用基板通信或控制該量測用基板。因此，量測用基板理想地進行自主操作。在本發明之一實施例中，量測用基板經組態以一在其在裝載至微影裝置中之前被接通就記錄量測，且繼續直至其被卸載且連接至下載站600為止。然而，此可需要具有大容量之儲存器件155或可需要限制取樣速率。
在一實施例中，量測用基板經程式化以針對可相對於所包括時脈或起始事件而界定的特定時間段記錄量測。用於量測記錄之時間段經預定為與量測用基板通過微影裝置之移動之預定程式的時序匹配。
在一實施例中，量測用基板經組態以判定其何時經正確地定位以開始捕捉量測。可提供其他感測器以使得量測用基板能夠判定其在微影裝置內之部位。
在一實施例中，微影裝置具備用於當量測用基板裝載於基板台上時與 量測用基板通信之通信器件。通信構件可為無線通信構件(例如，Wi-Fi(TM)或藍芽(TM))，或經由量測用基板之底面的有線連接。若可提供有線連接，則亦可將電力提供至量測用基板，從而避免需要在量測用基板中提供電力儲存器件156。通信器件可經修整至現有微影裝置。
若通信器件提供於微影裝置中，則該通信器件可用以指示量測用基板開始捕捉量測且亦下載所捕捉之量測資料。在一實施例中，與曝光並行地下載及分析由量測用基板捕捉之資料。此允許一偵測到問題就進行矯正措施。
儘管上文已關於使用量測用基板以量測微影裝置中普遍存在之條件來描述本發明，但量測用基板亦可用以量測另一裝置(諸如度量衡裝置)中普遍存在之條件。根據本發明之一實施例之量測用基板可用於塗佈顯影系統之程序器件中，其限制條件為：量測用基板能夠承受塗佈顯影系統中普遍存在之條件，例如高溫。根據一實施例之量測用基板可用於測試床或部分裝置中。
儘管在本文中可特定地參考微影裝置在IC製造中之使用，但應理解，本文中所描述之微影裝置可具有其他應用，諸如，製造整合式光學系統、用於磁疇記憶體之導引及偵測圖案、平板顯示器、液晶顯示器(LCD)、薄膜磁頭，等等。熟習此項技術者應瞭解，在此等替代應用之內容背景中，可認為本文中對術語「晶圓」或「晶粒」之任何使用分別與更一般之術語「基板」或「目標部分」同義。可在曝光之前或之後在(例如)塗佈顯影系統(通常將抗蝕劑層施加至基板且顯影經曝光抗蝕劑之工具)、度量衡工具及/或檢測工具中處理本文中所提及之基板。適用時，可將本文中之揭示內容應用於此等及其他基板處理工具。另外，可將基板處理多於一次，例如， 以便產生多層IC，使得本文中所使用之術語基板亦可指已經含有一個或多個經處理層之基板。
本文中所使用之術語「輻射」及「光束」涵蓋所有類型之電磁輻射，包括紫外線(UV)輻射(例如，具有為或約436奈米、405奈米、365奈米、248奈米、193奈米、157奈米或126奈米之波長)。術語「透鏡」在內容背景允許時可指包括折射及反射光學組件的各種類型之光學組件中之任一者或其組合。
雖然上文已描述本發明之特定實施例，但應瞭解，可以與所描述方式不同之其他方式來實踐本發明。
在一實施例中，存在用於量測關於用於在一裝置之操作期間處理生產基板的該裝置中之條件之量測用基板。該量測用基板包含：一本體、複數個感測器模組及一中心控制模組。該本體具有相似於一生產基板之尺寸的尺寸，使得該量測用基板與該裝置相容。該複數個感測器模組在該本體中。每一感測器模組包含：一感測器，其經組態以產生一類比量測信號；一類比轉數位轉換器，其經組態以自該類比量測信號產生數位量測資訊；及一模組控制器，其經組態以輸出該數位量測資訊。該中心控制模組經組態以自該等模組控制器中之每一者接收該數位量測資訊且將該數位量測資訊傳達至一外部器件。
每一感測器模組可進一步包含經組態以儲存該數位量測資訊之一儲存器件。每一感測器模組可進一步包含經組態以放大該類比量測信號之一放大器。該中心控制模組可進一步包含經組態以儲存該數位量測資訊之一中心儲存器件。每一感測器模組可進一步包含經組態以放大該類比量測信號之一放大器。
一感測器包含一溫度感測器。該溫度感測器可包含一雙極電晶體。該感測器可包含一應變感測器。該應變感測器包含一雙極電晶體。該應變感測器可包含一電阻性感測器。
一感測器模組可包含經組態以量測在一第一方向上之應變之一第一應變感測器，及經組態以量測在一第二方向上之應變之一第二應變感測器。該第二方向可正交於該第一方向。該感測器模組可包含一溫度感測器及一應變感測器。該量測用基板可包含多於100個感測器模組。該感測器可嵌入於該本體中。
在本發明之實施例中，存在量測用於處理生產基板之一裝置中之條件的方法。該方法包含：裝載、操作、使用、傳送及輸出。在裝載中，將一量測用基板裝載至該裝置中，該量測用基板具有相似於一生產基板之尺寸的尺寸，使得該量測用基板與該裝置相容。該量測用基板具有一中心控制模組及複數個感測器模組。每一感測器模組包含一感測器及一類比轉數位轉換器。在操作中，該感測器經操作以產生一類比量測信號。在使用中，使用該類比轉數位轉換器以將該類比量測信號轉換成數位量測資訊。在傳送中，將該數位量測資訊傳送至該中心控制模組。且在輸出中，將該數位量測資訊自該中心控制模組輸出至一外部器件。
該裝置可為一微影裝置。該方法可進一步包含在該輸出之前自該裝置卸載該量測用基板。可在該裝置執行用於處理基板之一程序之至少一部分的同時執行操作該感測器。可在用於處理基板之一程序之部分期間執行該操作該感測器複數次。
本文中所描述之任何控制器可在一或多個電腦程式由位於微影裝置之至少一個組件內之一或多個電腦處理器讀取時各自或組合地可操作。該 等控制器可各自或組合地具有用於接收、處理及發送信號之任何合適組態。一或多個處理器經組態以與該等控制器中之至少一者通信。舉例而言，每一控制器可包括用於執行包括用於上文所描述之方法之機器可讀指令的電腦程式之一或多個處理器。控制器可包括用於儲存此等電腦程式之資料儲存媒體，及/或用以收納此等媒體之硬體。因此，控制器可根據一或多個電腦程式之機器可讀指令而操作。
本發明之一或多個實施例可應用於任何浸潤微影裝置，尤其但非獨占式地為上文所提及之彼等類型，且無論浸潤液體係以浴之形式被提供、僅提供於基板之局域化表面區域上，抑或非受限制。在一非受限制配置中，浸潤液體可遍及基板及/或基板台之表面而流動，使得基板台及/或基板之實質上整個未覆蓋表面濕潤。在此非受限制浸潤系統中，液體供應系統可不限制浸潤液體或其可提供一定比例的浸潤液體限制，但不提供浸潤液體之實質上完全限制。
應廣泛地解釋本文中所預期之液體供應系統。在某些實施例中，液體供應系統可為將浸潤液體提供至投影系統與基板及/或基板台之間的空間之機構或結構組合。液體供應系統可包含一或多個結構、一或多個流體開口(包括一或多個液體開口、一或多個氣體開口或用於二相流之一或多個開口)之組合。該等開口可各自為通向浸潤空間之入口(或來自流體處置結構之出口)或離開浸潤空間之出口(或通向流體處置結構之入口)。在一實施例中，空間之表面可為基板及/或基板台之部分，或空間之表面可完全地覆蓋基板及/或基板台之表面，或空間可包覆基板及/或基板台。液體供應系統可視情況進一步包括一或多個元件以控制浸潤液體之位置、量、品質、形狀、流動速率或任何其他特徵。
以上之描述意欲為說明性而非限制性的。因此，對於熟習此項技術者將顯而易見，可在不脫離下文所闡明之申請專利範圍之範疇的情況下對如所描述之本發明進行修改。

Claims (17)

  1. 一種量測用基板，用於量測關於用於在一裝置之操作期間處理生產基板的該裝置中之一條件(condition)，該量測用基板包含：一本體，其具有相似於一生產基板之尺寸的尺寸，使得該量測用基板與該裝置相容；該本體中之複數個感測器模組，該複數個感測器模組經配置於一二維陣列中，每一感測器模組包含：一感測器，其經組態以產生一類比量測信號，該感測器包含至少一溫度感測器或一應變(strain)感測器；一類比轉數位轉換器，其經組態以自該類比量測信號產生數位量測資訊；一模組控制器，其經組態以輸出該數位量測資訊；及一中心控制模組，其經組態以自該等模組控制器中之每一者接收該數位量測資訊，且將該數位量測資訊傳達(communicate)至一外部器件。
  2. 一種量測用基板，其用於量測關於(pertaining)用於在一裝置之操作期間處理生產基板的該裝置中之一條件(condition)，該量測用基板包含：一本體，其具有相似於一生產基板之尺寸的尺寸，使得該量測用基板與該裝置相容；藉由一標準CMOS程序所形成的該本體中之複數個感測器模組，每一感測器模組包含：一感測器，其經組態以產生一類比量測信號，該感測器包含至少一溫度感測器或一應變(strain)感測器，其中該感測器嵌入(embedded in)於該本體中；一類比轉數位轉換器，其經組態以自該類比量測信號產生數位量測資訊；及一模組控制器，其經組態以輸出該數位量測資訊；及一中心控制模組，其經組態以自該等模組控制器中之每一者接收該數位量測資訊，且將該數位量測資訊傳達(communicate)至一外部器件。
  3. 如請求項1或2之量測用基板，其中每一感測器模組進一步包含經組態以儲存該數位量測資訊之一儲存器件。
  4. 如請求項1或2之量測用基板，其中每一感測器模組進一步包含經組態以放大該類比量測信號之一放大器。
  5. 如請求項1或2之量測用基板，其中該中心控制模組進一步包含經組態以儲存該數位量測資訊之一中心儲存器件。
  6. 如請求項3之量測用基板，其中每一感測器模組進一步包含經組態以放大該類比量測信號之一放大器。
  7. 如請求項1或2之量測用基板，其中該溫度感測器包含一雙極電晶體。
  8. 如請求項1或2之量測用基板，其中該應變感測器包含至少一雙極電晶體或一電阻性感測器。
  9. 如請求項1或2之量測用基板，其中一感測器模組包含：一第一應變感測器，其經組態以量測在一第一方向上之應變；及一第二應變感測器，其經組態以量測在一第二方向上之應變，該第二方向正交於該第一方向。
  10. 如請求項1或2之量測用基板，其中一感測器模組包含一溫度感測器及一應變感測器。
  11. 如請求項1或2之量測用基板，其包含多於100個感測器模組。
  12. 如請求項1之量測用基板，其中該感測器嵌入於該本體中。
  13. 一種量測用於處理生產基板之一裝置中之條件的方法，該方法包含：將一量測用基板裝載至該裝置中，該量測用基板具有相似於一生產基板之尺寸的尺寸，使得該量測用基板與該裝置相容；該量測用基板具有一中心控制模組及複數個感測器模組，該複數個感測器模組經排列為一二維陣列，每一感測器模組包含一感測器及一類比轉數位轉換器，該感測器包含至少一溫度感測器或一應變感測器；操作該感測器以產生一類比量測信號；使用該類比轉數位轉換器以將該類比量測信號轉換成數位量測資訊；將該數位量測資訊傳送至該中心控制模組；及將該數位量測資訊自該中心控制模組輸出至一外部器件。
  14. 一種量測用於處理生產基板之一裝置中之條件的方法，該方法包含：將一量測用基板裝載至該裝置中，該量測用基板具有相似於一生產基板之尺寸的尺寸，使得該量測用基板與該裝置相容；該量測用基板具有一中心控制模組及複數個感測器模組，其中該複數個感測器模組係藉由一標準CMOS程序所形成，每一感測器模組包含一感測器及一類比轉數位轉換器，該感測器包含至少一溫度感測器或一應變感測器，其中該感測器嵌入於該本體中；操作該感測器以產生一類比量測信號；使用該類比轉數位轉換器以將該類比量測信號轉換成數位量測資訊；將該數位量測資訊傳送至該中心控制模組；及將該數位量測資訊自該中心控制模組輸出至一外部器件。
  15. 如請求項13或14之方法，其中該裝置為一微影裝置。
  16. 如請求項13或14之方法，其進一步包含在該輸出之前自該裝置卸載該量測用基板。
  17. 如請求項13或14之方法，其中在該裝置執行用於處理基板之一程序之至少一部分的同時執行操作該感測器。
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