TWI645246B - 相移光罩基底及其製造方法、與相移光罩之製造方法 - Google Patents
相移光罩基底及其製造方法、與相移光罩之製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- TWI645246B TWI645246B TW104124432A TW104124432A TWI645246B TW I645246 B TWI645246 B TW I645246B TW 104124432 A TW104124432 A TW 104124432A TW 104124432 A TW104124432 A TW 104124432A TW I645246 B TWI645246 B TW I645246B
- Authority
- TW
- Taiwan
- Prior art keywords
- phase shift
- film
- phase
- layer
- main layer
- Prior art date
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/26—Phase shift masks [PSM]; PSM blanks; Preparation thereof
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/0005—Production of optical devices or components in so far as characterised by the lithographic processes or materials used therefor
- G03F7/001—Phase modulating patterns, e.g. refractive index patterns
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
- H01L21/033—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising inorganic layers
- H01L21/0334—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising inorganic layers characterised by their size, orientation, disposition, behaviour, shape, in horizontal or vertical plane
- H01L21/0337—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising inorganic layers characterised by their size, orientation, disposition, behaviour, shape, in horizontal or vertical plane characterised by the process involved to create the mask, e.g. lift-off masks, sidewalls, or to modify the mask, e.g. pre-treatment, post-treatment
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2014-167355 | 2014-08-20 | ||
JP2014167355A JP6396118B2 (ja) | 2014-08-20 | 2014-08-20 | 位相シフトマスクブランク及びその製造方法、並びに位相シフトマスクの製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
TW201610558A TW201610558A (zh) | 2016-03-16 |
TWI645246B true TWI645246B (zh) | 2018-12-21 |
Family
ID=55582551
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
TW104124432A TWI645246B (zh) | 2014-08-20 | 2015-07-28 | 相移光罩基底及其製造方法、與相移光罩之製造方法 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP6396118B2 (ja) |
KR (2) | KR102078430B1 (ja) |
TW (1) | TWI645246B (ja) |
Families Citing this family (18)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101801101B1 (ko) * | 2016-03-16 | 2017-11-27 | 주식회사 에스앤에스텍 | 위상반전 블랭크 마스크 및 포토 마스크 |
JP6803172B2 (ja) * | 2016-08-19 | 2020-12-23 | 株式会社エスケーエレクトロニクス | フォトマスクブランクス、それを用いたフォトマスクおよびフォトマスクの製造方法 |
JP6740107B2 (ja) * | 2016-11-30 | 2020-08-12 | Hoya株式会社 | マスクブランク、転写用マスク及び半導体デバイスの製造方法 |
JP6983641B2 (ja) * | 2017-01-16 | 2021-12-17 | Hoya株式会社 | 表示装置製造用の位相シフトマスクブランク、表示装置製造用の位相シフトマスクの製造方法、並びに表示装置の製造方法 |
JP7176843B2 (ja) * | 2017-01-18 | 2022-11-22 | Hoya株式会社 | 表示装置製造用の位相シフトマスクブランク、表示装置製造用の位相シフトマスクの製造方法、並びに表示装置の製造方法 |
KR102170424B1 (ko) * | 2017-06-28 | 2020-10-27 | 알박 세이마쿠 가부시키가이샤 | 마스크 블랭크스, 위상 시프트 마스크, 하프톤 마스크, 마스크 블랭크스의 제조 방법, 및 위상 시프트 마스크의 제조 방법 |
JP7037919B2 (ja) * | 2017-11-14 | 2022-03-17 | アルバック成膜株式会社 | マスクブランク、ハーフトーンマスクおよびその製造方法 |
JP6998181B2 (ja) * | 2017-11-14 | 2022-02-04 | アルバック成膜株式会社 | マスクブランク、位相シフトマスクおよびその製造方法 |
JP7073246B2 (ja) * | 2018-02-27 | 2022-05-23 | Hoya株式会社 | 位相シフトマスクブランク、位相シフトマスクの製造方法、及び表示装置の製造方法 |
JP2021170128A (ja) * | 2019-10-01 | 2021-10-28 | 信越化学工業株式会社 | ハーフトーン位相シフト型フォトマスクブランク及びハーフトーン位相シフト型フォトマスク |
KR102273211B1 (ko) * | 2020-08-25 | 2021-07-05 | 에스케이씨솔믹스 주식회사 | 블랭크 마스크 및 이를 이용한 포토마스크 |
KR102400199B1 (ko) * | 2020-12-31 | 2022-05-18 | 에스케이씨솔믹스 주식회사 | 반도체 소자 제조 장치 |
KR102349366B1 (ko) * | 2021-03-31 | 2022-01-07 | 에스케이씨솔믹스 주식회사 | 반도체 소자 제조 장치 |
JP7329031B2 (ja) * | 2020-12-31 | 2023-08-17 | エスケー エンパルス カンパニー リミテッド | ブランクマスク及びそれを用いたフォトマスク |
KR102349367B1 (ko) * | 2020-12-31 | 2022-01-07 | 에스케이씨솔믹스 주식회사 | 반도체 소자 제조 장치 |
KR102349368B1 (ko) * | 2021-02-25 | 2022-01-07 | 에스케이씨솔믹스 주식회사 | 반도체 소자 제조 장치 |
KR102368448B1 (ko) * | 2021-02-10 | 2022-02-25 | 에스케이씨솔믹스 주식회사 | 반도체 소자 제조 장치 |
TW202347011A (zh) * | 2022-04-15 | 2023-12-01 | 日商尼康股份有限公司 | 相位移遮罩底板、相位移遮罩、及其等之製造方法 |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
TW200406640A (en) * | 2002-10-31 | 2004-05-01 | Taiwan Semiconductor Mfg | AlSixoy as a new bi-layer high transmittance attenuating phase shifting mask material for 193 nanometer lithography |
US7029802B2 (en) * | 2003-06-16 | 2006-04-18 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company | Embedded bi-layer structure for attenuated phase shifting mask |
JP2011013283A (ja) * | 2009-06-30 | 2011-01-20 | Ulvac Seimaku Kk | 位相シフトマスクの製造方法、フラットパネルディスプレイの製造方法及び位相シフトマスク |
JP2014145920A (ja) * | 2013-01-29 | 2014-08-14 | Hoya Corp | マスクブランク、転写用マスク、マスクブランクの製造方法、転写用マスクの製造方法、および半導体デバイスの製造方法 |
Family Cites Families (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3115185B2 (ja) * | 1993-05-25 | 2000-12-04 | 株式会社東芝 | 露光用マスクとパターン形成方法 |
JP2911610B2 (ja) * | 1995-07-19 | 1999-06-23 | ホーヤ株式会社 | パターン転写方法 |
JP3748989B2 (ja) * | 1997-06-23 | 2006-02-22 | Hoya株式会社 | ハーフトーン型位相シフトマスク及びハーフトーン型位相シフトマスクブランクの製造方法 |
JP2983020B1 (ja) * | 1998-12-18 | 1999-11-29 | ホーヤ株式会社 | ハーフトーン型位相シフトマスクブランク及びハーフトーン型位相シフトマスク |
JP2003195479A (ja) * | 2001-12-28 | 2003-07-09 | Hoya Corp | ハーフトーン型位相シフトマスクブランク、及びハーフトーン型位相シフトマスクの製造方法 |
JP4049372B2 (ja) * | 2002-10-23 | 2008-02-20 | Hoya株式会社 | ハーフトーン型位相シフトマスクブランクスの製造方法 |
JP2006317665A (ja) * | 2005-05-12 | 2006-11-24 | Shin Etsu Chem Co Ltd | 位相シフトマスクブランクおよび位相シフトマスクならびにこれらの製造方法 |
WO2007029826A1 (ja) * | 2005-09-09 | 2007-03-15 | Hoya Corporation | フォトマスクブランクとその製造方法、及びフォトマスクの製造方法、並びに半導体装置の製造方法 |
KR101415653B1 (ko) | 2012-11-12 | 2014-07-04 | 주식회사 에스앤에스텍 | 마스크 블랭크 및 그의 제조 방법과 포토마스크 |
-
2014
- 2014-08-20 JP JP2014167355A patent/JP6396118B2/ja active Active
-
2015
- 2015-07-27 KR KR1020150106044A patent/KR102078430B1/ko active IP Right Grant
- 2015-07-28 TW TW104124432A patent/TWI645246B/zh active
-
2018
- 2018-06-11 KR KR1020180066810A patent/KR20180070530A/ko active Application Filing
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
TW200406640A (en) * | 2002-10-31 | 2004-05-01 | Taiwan Semiconductor Mfg | AlSixoy as a new bi-layer high transmittance attenuating phase shifting mask material for 193 nanometer lithography |
US7029802B2 (en) * | 2003-06-16 | 2006-04-18 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company | Embedded bi-layer structure for attenuated phase shifting mask |
JP2011013283A (ja) * | 2009-06-30 | 2011-01-20 | Ulvac Seimaku Kk | 位相シフトマスクの製造方法、フラットパネルディスプレイの製造方法及び位相シフトマスク |
JP2014145920A (ja) * | 2013-01-29 | 2014-08-14 | Hoya Corp | マスクブランク、転写用マスク、マスクブランクの製造方法、転写用マスクの製造方法、および半導体デバイスの製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR102078430B1 (ko) | 2020-02-17 |
TW201610558A (zh) | 2016-03-16 |
KR20160022767A (ko) | 2016-03-02 |
KR20180070530A (ko) | 2018-06-26 |
JP6396118B2 (ja) | 2018-09-26 |
JP2016045233A (ja) | 2016-04-04 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
TWI645246B (zh) | 相移光罩基底及其製造方法、與相移光罩之製造方法 | |
KR102297223B1 (ko) | 위상 시프트 마스크 블랭크 및 그 제조 방법, 위상 시프트 마스크 및 그 제조 방법과 표시 장치의 제조 방법 | |
KR102246114B1 (ko) | 위상 시프트 마스크 블랭크 및 그 제조 방법, 위상 시프트 마스크의 제조 방법, 및 표시 장치의 제조 방법 | |
TWI651584B (zh) | 相位偏移光罩基底及其製造方法、與相位偏移光罩之製造方法 | |
TWI718263B (zh) | 相位偏移光罩基底、相位偏移光罩及顯示裝置之製造方法 | |
TWI813644B (zh) | 相移光罩基底、相移光罩之製造方法、及顯示裝置之製造方法 | |
TW201821898A (zh) | 光罩基底、光罩基底之製造方法、及使用其等之光罩之製造方法、以及顯示裝置之製造方法 | |
KR20100082718A (ko) | 블랭크 마스크, 이를 이용하는 포토 마스크 및 이를 제조하는 방법 | |
TWI758382B (zh) | 相移光罩基底、相移光罩之製造方法、及顯示裝置之製造方法 | |
TWI808927B (zh) | 相位偏移光罩基底及使用其之相位偏移光罩之製造方法、與顯示裝置之製造方法 | |
TWI828864B (zh) | 光罩基底、光罩之製造方法、及顯示裝置之製造方法 | |
JP7303077B2 (ja) | マスクブランクスの製造方法及びフォトマスクの製造方法、マスクブランクス及びフォトマスク | |
JP7254470B2 (ja) | 位相シフトマスクブランク、位相シフトマスクの製造方法、及び表示装置の製造方法 | |
JP2017219865A (ja) | 表示装置製造用の位相シフトマスクブランク、表示装置製造用の位相シフトマスク、及び表示装置の製造方法 |