TWI641911B - 鈍化薄膜電晶體組件 - Google Patents

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Abstract

本發明提供一種製造供用於顯示器裝置中的鈍化薄膜電晶體組件之方法，所述方法包括：提供薄膜電晶體組件，其包括：基板、至少一個電極、介電質及半導體；提供成膜基質材料；及提供複數個非晶疏水性二氧化矽粒子，其平均粒徑為5nm至120nm，且根據ASTM E1131所測定，吸水率<2%；將所述成膜基質材料與所述複數個非晶疏水性二氧化矽粒子合併以形成複合物；且將所述複合物塗覆至所述薄膜電晶體組件以在其上形成阻擋膜，得到所述鈍化薄膜電晶體組件；其中所述半導體插在所述阻擋膜與所述基板之間。

Description

鈍化薄膜電晶體組件
本發明係關於供用於光學顯示器中的鈍化薄膜電晶體組件之領域。詳言之，本發明係關於一種製造供用於顯示器裝置中的鈍化薄膜電晶體組件之方法，所述方法包括：提供薄膜電晶體組件，其包括：基板、至少一個電極、介電質及半導體；提供成膜基質材料；且提供複數個非晶疏水性二氧化矽粒子，其平均粒徑PS 平均為5nm至120nm，且根據ASTM E1131所測定，吸水率<2%；將成膜基質材料與複數個非晶疏水性二氧化矽粒子合併以形成複合物；且將所述複合物塗覆至薄膜電晶體組件以在其上形成阻擋膜，得到鈍化薄膜電晶體組件；其中半導體插在阻擋膜與基板之間。
自從於1968年由RCA在多種光學裝置中初始研發出液晶顯示器(LCD)，已愈來愈多地採用液晶顯示器(LCD)。鑒於其不會直接發射任何光，將LCD與光源加以整合以形成光學裝置。在最新裝置設計中，將LCD與作為光源之發光二極體(LED)或有機發光二極體(OLED)加以整合。
LCD之一種特定變體為薄膜電晶體液晶顯示器(TFT LCD)。TFT LCD用於多種光學顯示器裝置中，其包含電腦監視器、電視、行動電話、顯示器、手持式視訊遊戲、個 人數位助理、導航工具、顯示投影儀及電子組合儀錶。
薄膜電晶體(TFT)為用於例如光晶體顯示器(LCD)及有機發光二極體(OLED)型裝置中的電子電路之基本構建塊。結構上，TFT通常包括支撐基板、閘電極、源電極、汲電極、半導體層及介電層。暴露於各種環境要素可對TFT之效能產生不利影響。具體而言，藉由所施加之閘電壓所測定，TFT中之半導體層具有暫態導電性。在使用期間，TFT中所併入之半導體層的電荷傳輸特性通常會在暴露於濕氣及氧氣後展現出劣化。因此，出於操作穩定性及延長之壽命，需要經由併入保護性阻擋層或囊封層來提供針對此類環境要素的TFT保護。
現有TFT鈍化材料(例如SiNx)係使用電漿增強式化學氣相沈積(PECVD)處理技術來沈積。此類PECVD技術需要相當大的資金投入及多個加工步驟。或者，將期望針對LCD及OLED顯示器應用中之TFT的較低成本之鈍化材料及經溶液處理之薄膜鈍化塗層以降低製造成本。
一個經溶液處理之薄膜鈍化塗佈方法由Birau等人揭示於美國專利第7,705,346號中。Birau等人揭示了一種有機薄膜電晶體，其包括基板、閘電極、半導體層及阻擋層；其中閘電極及半導體層位於基板與阻擋層之間；其中基板為電晶體之第一最外層且阻擋層為電晶體之第二最外層；且其中阻擋層包括聚合物、抗氧化劑及表面改質無機粒狀材料。
儘管如此，仍需要供用於TFT LCD，尤其併入有LED或OLED型光源之TFT LCD中的替代性阻擋層組合物及製造方法。
本發明提供一種製造供用於顯示器裝置中的鈍化薄膜電晶體組件之方法，所述方法包括：提供薄膜電晶體組件，其包括：基板、至少一個電極、介電質及半導體；提供成膜基質材料；且提供複數個非晶疏水性二氧化矽粒子，其平均粒徑PS 平均為5nm至120nm，且根據ASTM E1131所測定，吸水率<2%，其中複數個非晶疏水性二氧化矽粒子係藉由以下製備：提供複數個親水性二氧化矽粒子；提供水；提供醛醣；將複數個親水性二氧化矽粒子分散於水中以形成二氧化矽水分散液；將醛醣溶解於二氧化矽水分散液中以形成組合體；濃縮所述組合體以形成黏稠糖漿；在惰性氛圍中在500℃至625℃下將黏稠糖漿加熱4至6小時以形成焦化物；粉碎所述焦化物以形成粉末；在含氧氛圍中在>650℃至900℃下將粉末加熱1至2小時以形成複數個非晶疏水性二氧化矽粒子；將成膜基質材料與複數個非晶疏水性二氧化矽粒子合併以形成複合物；且將所述複合物塗覆至薄膜電晶體組件以在其上形成阻擋膜，得到鈍化薄膜電晶體組件；其中半導體插在阻擋膜與基板之間；其中根據ASTM F1249在38℃及100%相對濕度下所量測，阻擋膜之水蒸氣穿透率10.0公克．密耳/平方公尺．天。
本發明提供一種製造供用於顯示器裝置中的鈍化薄膜電晶體組件之方法，所述方法包括：提供薄膜電晶體組件，其包括：基板、至少一個電極、介電質及半導體；提供成膜基質材料；且提供複數個非晶疏水性二氧化矽粒子，藉由根據ISO 22412：2008之動態光散射測定，其平均粒徑PS 平均為5nm 至120nm；平均寬高比AR 平均 1.5，且多分散性指數PdI 0.275；且根據ASTM E1131所測定，吸水率<2%，其中複數個非晶疏水性二氧化矽粒子係藉由以下製備：提供複數個親水性二氧化矽粒子；提供水；提供醛醣；將複數個親水性二氧化矽粒子分散於水中以形成二氧化矽水分散液；將醛醣溶解於二氧化矽水分散液中以形成組合體；濃縮所述組合體以形成黏稠糖漿；在惰性氛圍中在500℃至625℃下將黏稠糖漿加熱4至6小時以形成焦化物；粉碎所述焦化物以形成粉末；在含氧氛圍中在>650℃至900℃下將粉末加熱1至2小時以形成複數個非晶疏水性二氧化矽粒子；將成膜基質材料與複數個非晶疏水性二氧化矽粒子合併以形成複合物；且將所述複合物塗覆至薄膜電晶體組件以在其上形成阻擋膜，得到鈍化薄膜電晶體組件；其中半導體插在阻擋膜與基板之間；其中根據ASTM F1249在38℃及100%相對濕度下所量測，阻擋膜之水蒸氣穿透率10.0公克．密耳/平方公尺．天。
本發明提供一種製造供用於顯示器裝置中的鈍化薄膜電晶體組件之方法，所述方法包括：提供薄膜電晶體組件，其包括：基板、至少一個電極、介電質及半導體；提供成膜基質材料，其中所提供之成膜基質材料為聚矽氧烷；且提供複數個非晶疏水性二氧化矽粒子，其平均粒徑PS 平均為5nm至120nm，且根據ASTM E1131所測定，吸水率<2%，其中複數個非晶疏水性二氧化矽粒子係藉由以下製備：提供複數個親水性二氧化矽粒子；提供水；提供醛醣；將複數個親水性二氧化矽粒子分散於水中以形成二氧化矽水分散液；將醛醣溶解於二氧化矽水分散液中以形成組合體；濃縮所述組合體 以形成黏稠糖漿；在惰性氛圍中在500℃至625℃下將黏稠糖漿加熱4至6小時以形成焦化物；粉碎所述焦化物以形成粉末；在含氧氛圍中在>650℃至900℃下將粉末加熱1至2小時以形成複數個非晶疏水性二氧化矽粒子；將成膜基質材料與複數個非晶疏水性二氧化矽粒子合併以形成複合物；且將所述複合物塗覆至薄膜電晶體組件以在其上形成阻擋膜，得到鈍化薄膜電晶體組件；其中半導體插在阻擋膜與基板之間；其中根據ASTM F1249在38℃及100%相對濕度下所量測，阻擋膜之水蒸氣穿透率10.0公克．密耳/平方公尺．天。
本發明提供一種製造供用於顯示器裝置中的鈍化薄膜電晶體組件之方法，所述方法包括：提供薄膜電晶體組件，其包括：基板、至少一個電極、介電質及半導體；提供成膜基質材料，其中所提供之成膜基質材料為聚矽氧烷，其中所提供之聚矽氧烷具有以下平均成份式：(R3SiO3/2)a(SiO4/2)b
其中各R3獨立地選自C6-10芳基及C7-20烷芳基；其中各R7與R9獨立地選自氫原子、C1-10烷基、C7-10芳烷基、C7-10烷芳基及C6-10芳基；其中0a0.5；其中0.5b1；其中a+b=1；其中聚矽氧烷包括以下作為初始組分：(i)具有式R3Si(OR7)3之T單元；及(ii)具有式Si(OR9)4之Q單元；且提供複數個非晶疏水性二氧化矽粒子，其平均粒徑PS 平均為5nm至120nm，且根據ASTM E1131所測定，吸水率<2%，其中複數個非晶疏水性二氧化矽粒子係藉由以下製備：提供複數個親水性二氧化矽粒子；提供水；提供醛醣；將複數個親水性二氧化矽粒子分散於水中以形成二氧化矽水分散液；將醛 醣溶解於二氧化矽水分散液中以形成組合體；濃縮所述組合體以形成黏稠糖漿；在惰性氛圍中在500℃至625℃下將黏稠糖漿加熱4至6小時以形成焦化物；粉碎所述焦化物以形成粉末；在含氧氛圍中在>650℃至900℃下將粉末加熱1至2小時以形成複數個非晶疏水性二氧化矽粒子；將成膜基質材料與複數個非晶疏水性二氧化矽粒子合併以形成複合物；且將所述複合物塗覆至薄膜電晶體組件以在其上形成阻擋膜，得到鈍化薄膜電晶體組件；其中半導體插在阻擋膜與基板之間；其中根據ASTM F1249在38℃及100%相對濕度下所量測，阻擋膜之水蒸氣穿透率10.0公克．密耳/平方公尺．天。
本發明提供一種製造供用於顯示器裝置中的鈍化薄膜電晶體組件之方法，所述方法包括：提供薄膜電晶體組件，其包括：基板、至少一個電極、介電質及半導體；提供成膜基質材料；提供有機溶劑；且提供複數個非晶疏水性二氧化矽粒子，其平均粒徑PS 平均為5nm至120nm，且根據ASTM E1131所測定，吸水率<2%，其中複數個非晶疏水性二氧化矽粒子係藉由以下製備：提供複數個親水性二氧化矽粒子；提供水；提供醛醣；將複數個親水性二氧化矽粒子分散於水中以形成二氧化矽水分散液；將醛醣溶解於二氧化矽水分散液中以形成組合體；濃縮所述組合體以形成黏稠糖漿；在惰性氛圍中在500℃至625℃下將黏稠糖漿加熱4至6小時以形成焦化物；粉碎所述焦化物以形成粉末；在含氧氛圍中在>650℃至900℃下將粉末加熱1至2小時以形成複數個非晶疏水性二氧化矽粒子；將成膜基質材料、有機溶劑及複數個非晶疏水性二氧化矽粒子合併以形成複合物；且將所述複合物塗覆至薄膜 電晶體組件以在其上形成阻擋膜，得到鈍化薄膜電晶體組件；其中半導體插在阻擋膜與基板之間；其中根據ASTM F1249在38℃及100%相對濕度下所量測，阻擋膜之水蒸氣穿透率10.0公克．密耳/平方公尺．天。
本發明提供一種製造供用於顯示器裝置中的鈍化薄膜電晶體組件之方法，所述方法包括：提供薄膜電晶體組件，其包括：基板、至少一個電極、介電質及半導體；提供成膜基質材料；提供添加劑；且提供複數個非晶疏水性二氧化矽粒子，其平均粒徑PS 平均為5nm至120nm，且根據ASTM E1131所測定，吸水率<2%，其中複數個非晶疏水性二氧化矽粒子係藉由以下製備：提供複數個親水性二氧化矽粒子；提供水；提供醛醣；將複數個親水性二氧化矽粒子分散於水中以形成二氧化矽水分散液；將醛醣溶解於二氧化矽水分散液中以形成組合體；濃縮所述組合體以形成黏稠糖漿；在惰性氛圍中在500℃至625℃下將黏稠糖漿加熱4至6小時以形成焦化物；粉碎所述焦化物以形成粉末；在含氧氛圍中在>650℃至900℃下將粉末加熱1至2小時以形成複數個非晶疏水性二氧化矽粒子；將成膜基質材料、添加劑及複數個非晶疏水性二氧化矽粒子合併以形成複合物；且將所述複合物塗覆至薄膜電晶體組件以在其上形成阻擋膜，得到鈍化薄膜電晶體組件；其中半導體插在阻擋膜與基板之間；其中根據ASTM F1249在38℃及100%相對濕度下所量測，阻擋膜之水蒸氣穿透率10.0公克．密耳/平方公尺．天。
本發明提供一種根據本發明之方法製得的供用於顯示器裝置中的鈍化薄膜電晶體組件。
10‧‧‧基板
15‧‧‧閘電極
20‧‧‧閘極介電質
30‧‧‧半導體
40‧‧‧阻擋層
50‧‧‧源電極
60‧‧‧汲電極
100‧‧‧鈍化薄膜電晶體組件
圖1為根據本發明之鈍化薄膜電晶體組件的側視繪圖。
圖2為根據本發明之鈍化薄膜電晶體組件的側視繪圖。
圖3為根據本發明之鈍化薄膜電晶體組件的側視繪圖。
圖4為根據本發明之鈍化薄膜電晶體組件的側視繪圖。
經設計用於本發明之顯示器裝置中的鈍化薄膜電晶體組件併入有包含複數個非晶疏水性二氧化矽粒子之阻擋層，所述粒子具有低平均寬高比及窄粒徑PS 平均分佈，其由複數個親水性二氧化矽粒子(例如Stöber二氧化矽粒子)製備，其中複數個親水性二氧化矽粒子具有<120nm之粒徑、低平均寬高比AR 平均及低多分散性指數PdI，其在由所述複數個親水性二氧化矽粒子形成複數個非晶疏水性二氧化矽粒子期間得到保持。亦即，本發明之獨特方法使得複數個非晶疏水性二氧化矽粒子能夠由複數個親水性二氧化矽粒子形成，同時避免發生聚結且同時保持低平均寬高比AR 平均及低多分散性指數PdI。
較佳地，製造供用於本發明之顯示器裝置中的鈍化薄膜電晶體組件之方法包括：提供薄膜電晶體組件，其包括：基板、至少一個電極、介電質及半導體；提供成膜基質材料；且提供複數個非晶疏水性二氧化矽粒子，其平均粒徑為5nm至120nm(較佳地，10nm至110nm；更佳地，20nm至100nm；最佳地，25nm至90nm)(其中粒徑係使用熟知的低角度雷射光散射雷射繞射來量測)，且根據ASTM E1131所 測定，吸水率<2%，其中複數個非晶疏水性二氧化矽粒子係藉由以下製備：提供複數個親水性二氧化矽粒子(較佳地，其中所提供之複數個親水性二氧化矽粒子係使用Stöber合成法來製備)；提供水；提供醛醣(較佳地，其中所提供之醛醣為醛己醣；更佳地，其中醛醣為選自由以下組成之群的醛己醣：D-阿洛糖、D-阿卓糖、D-葡萄糖、D-甘露糖、D-古洛糖、D-艾杜糖、D-半乳糖、D-塔羅糖；再更佳地，其中醛醣為選自D-葡萄糖、D-半乳糖及D-甘露糖之醛己醣；最佳地，其中醛醣為D-葡萄糖)；將複數個親水性二氧化矽粒子分散於水中以形成二氧化矽水分散液；將醛醣溶解於二氧化矽水分散液中以形成組合體；濃縮所述組合體以形成黏稠糖漿；在惰性氛圍中在500℃至625℃下將黏稠糖漿加熱4至6小時以形成焦化物；粉碎所述焦化物以形成粉末(較佳地，藉由擠壓、粉磨及研磨中之至少一者粉碎焦化物以形成粉末)；在含氧氛圍中在>650℃至900℃下將粉末加熱1至2小時以形成複數個非晶疏水性二氧化矽粒子；將成膜基質材料與複數個非晶疏水性二氧化矽粒子合併以形成複合物；且將所述複合物塗覆至薄膜電晶體組件以在其上形成阻擋膜(較佳地，透明阻擋膜；更佳地，其中阻擋膜為透明阻擋膜，且其中如根據ASTM D1003-11e1所量測，阻擋膜之透射率T 透射 50%(再更佳地，T 透射 80%；最佳地，T 透射 90%))；，得到鈍化薄膜電晶體組件；其中半導體插在阻擋膜與基板之間；其中根據ASTM F1249在38℃及100%相對濕度下所量測，阻擋膜之水蒸氣穿透率10.0公克．密耳/平方公尺．天(較佳地，<10公克．密耳/平方公尺．天；更佳地，7.5公克．密耳/平方公尺．天；最佳地，5.0公克． 密耳/平方公尺．天)。
較佳地，在製造供用於本發明之顯示器裝置中的鈍化薄膜電晶體組件之方法中，所提供之薄膜電晶體組件包括：基板、至少一個電極、介電質及半導體。更佳地，在製造供用於本發明之顯示器裝置中的鈍化薄膜電晶體組件之方法中，所提供之薄膜電晶體組件包括：基板、源電極、汲電極、介電質及半導體；其中基板亦充當閘電極。最佳地，在製造供用於本發明之顯示器裝置中的鈍化薄膜電晶體組件之方法中，所提供之薄膜電晶體組件包括：基板、源電極、閘電極、汲電極、介電質及半導體。
在製造供用於本發明之顯示器裝置中的鈍化薄膜電晶體組件之方法中，一般熟習此項技術者將能夠選擇出適用作所提供的薄膜電晶體組件之基板的合適材料。較佳地，在製造供用於本發明之顯示器裝置中的鈍化薄膜電晶體組件之方法中，所提供的薄膜電晶體組件之基板可為不透明或透明的，其限制條件為基板展現出針對所給顯示器應用之必要的機械特性。更佳地，在製造供用於本發明之顯示器裝置中的鈍化薄膜電晶體組件之方法中，所提供的薄膜電晶體組件之基板係選自由以下組成之群：矽基板(例如矽晶圓)；玻璃基板及塑膠基板。再更佳地，在製造供用於本發明之顯示器裝置中的鈍化薄膜電晶體組件之方法中，所提供的薄膜電晶體組件之基板為選自由以下組成之群的塑膠基板：聚酯基板、聚碳酸酯基板及聚醯亞胺基板。
較佳地，在製造供用於本發明之顯示器裝置中的鈍化薄膜電晶體組件之方法中，所提供的薄膜電晶體組件之 基板可提供充當基板與閘電極兩者之雙重功能性。更佳地，在製造供用於本發明之顯示器裝置中的鈍化薄膜電晶體組件之方法中，所提供的薄膜電晶體組件之基板選自摻雜氧化矽之基板。較佳地，在製造供用於本發明之顯示器裝置中的鈍化薄膜電晶體組件之方法中，所提供的薄膜電晶體組件之基板為充當基板與閘電極兩者之n型高摻矽晶圓。
在製造供用於本發明之顯示器裝置中的鈍化薄膜電晶體組件之方法中，一般熟習此項技術者將能夠選擇出適用作所提供的薄膜電晶體組件之至少一個電極的合適材料。較佳地，在製造供用於本發明之顯示器裝置中的鈍化薄膜電晶體組件之方法中，所提供的薄膜電晶體組件之至少一個電極為導電材料。更佳地，在製造供用於本發明之顯示器裝置中的鈍化薄膜電晶體組件之方法中，所提供的薄膜電晶體組件之至少一個電極係選自由以下組成之群：金屬、導電聚合物、導電金屬合金及導電陶瓷。再更佳地，在製造供用於本發明之顯示器裝置中的鈍化薄膜電晶體組件之方法中，所提供的薄膜電晶體組件之至少一個電極係選自由以下組成之群：鋁、金、鉻、銅、鎢、銀、氧化銦錫、摻雜聚苯乙烯磺酸酯之聚(3,4-伸乙二氧基噻吩)(PSS-PEDOT)、碳奈米管、碳黑、石墨及石墨烯。
在製造供用於本發明之顯示器裝置中的鈍化薄膜電晶體組件之方法中，一般熟習此項技術者將能夠選擇出適用作所提供的薄膜電晶體組件之半導體的合適材料。較佳地，在製造供用於本發明之顯示器裝置中的鈍化薄膜電晶體組件之方法中，所提供的薄膜電晶體組件之半導體選自氧化 物(例如，SnO2、ZnO)；硫化物(例如多晶CdS)；矽(例如，非晶矽、低溫多晶矽)及有機半導體。更佳地，在製造供用於本發明之顯示器裝置中的鈍化薄膜電晶體組件之方法中，所提供的薄膜電晶體組件之半導體為選自由以下組成之群的有機半導體：蒽、稠四苯、稠五苯、苝、富勒烯(fullerene)、酞菁、寡聚噻吩、聚噻吩及其衍生物。
在製造供用於本發明之顯示器裝置中的鈍化薄膜電晶體組件之方法中，一般熟習此項技術者將能夠選擇出適用作所提供的薄膜電晶體組件之介電質的合適材料。較佳地，在製造供用於本發明之顯示器裝置中的鈍化薄膜電晶體組件之方法中，所提供的薄膜電晶體組件之介電質選自無機介電質(例如，氧化矽、氮化矽、氧化鋁、鈦酸鋇、鋯鈦酸鋇)、有機介電質(例如，聚酯、聚碳酸酯、聚(乙烯苯酚)、聚醯亞胺、聚苯乙烯、聚(烷基)丙烯酸酯、環氧化物)及其複合物(例如，含有金屬氧化物粒子填充劑之聚合物)。
較佳地，在製造供用於本發明之顯示器裝置中的鈍化薄膜電晶體組件之方法中，所提供的成膜基質材料係選自由以下組成之群：石蠟、聚烯烴、聚(烷基)丙烯酸酯、聚醯亞胺、聚酯、聚碸、聚醚酮、聚碳酸酯、聚矽氧烷及其混合物。更佳地，在製造供用於本發明之顯示器裝置中的鈍化薄膜電晶體組件之方法中，所提供之成膜基質材料為聚矽氧烷。再更佳地，在製造供用於本發明之顯示器裝置中的鈍化薄膜電晶體組件之方法中，所提供之成膜基質材料為由正矽酸四烷酯與苯基三烷氧基矽烷之組合形成的聚矽氧烷。最佳地，在製造供用於本發明之顯示器裝置中的鈍化薄膜電晶體組件之方法 中，所提供之成膜基質材料為由正矽酸四乙酯與苯基三甲氧基矽烷之組合形成的聚矽氧烷。
較佳地，在製造供用於本發明之顯示器裝置中的鈍化薄膜電晶體組件之方法中，所提供之成膜基質材料為具有以下平均成份式之聚矽氧烷：(R3 xSiO((4-x)/2))a(SiO4/2)b
其中各R3獨立地選自C6-10芳基及C7-20烷芳基；其中x為1至3；其中0a0.5(較佳地，0.05至0.25；更佳地，0.075至0.2；最佳地，0.09至0.15)；其中0.5b1(較佳地，0.75至0.99；更佳地，0.8至0.975；最佳地，0.85至0.92)；其中a+b=1。更佳地，在製造供用於本發明之顯示器裝置中的鈍化薄膜電晶體組件之方法中，所提供之成膜基質材料為具有以下平均成份式之聚矽氧烷：(R3SiO3/2)a(SiO4/2)b
其中各R3獨立地選自C6-10芳基及C7-20烷芳基；其中0a0.5(較佳地，0.05至0.25；更佳地，0.075至0.2；最佳地，0.09至0.15)；其中0.5b1(較佳地，0.75至0.99；更佳地，0.8至0.975；最佳地0.85至0.92)；其中a+b=1。再更佳地，在製造供用於本發明之顯示器裝置中的鈍化薄膜電晶體組件之方法中，所提供之成膜基質材料為具有以下平均成份式之聚矽氧烷：(R3SiO3/2)a(SiO4/2)b
其中各R3獨立地選自C6-10芳基及C7-20烷芳基；其中0a0.5(較佳地，0.05至0.25；更佳地，0.075至0.2；最佳地，0.09至0.15)；其中0.5b1(較佳地，0.75至0.99； 更佳地，0.8至0.975；最佳地，0.85至0.92)；其中a+b=1；其中聚矽氧烷包括以下作為初始組分：(i)具有式R3Si(OR7)3之T單元；及(ii)具有式Si(OR9)4之Q單元；其中各R7及R9獨立地選自氫原子、C1-10烷基、C7-10芳烷基、C7-10烷芳基及C6-10芳基。再更佳地，在製造供用於本發明之顯示器裝置中的鈍化薄膜電晶體組件之方法中，所提供之成膜基質材料為具有以下平均成份式之聚矽氧烷：(R3SiO3/2)a(SiO4/2)b
其中各R3為C6芳基；其中0a0.5(較佳地，0.05至0.25；更佳地，0.075至0.2；最佳地，0.09至0.15)；其中0.5b1(較佳地，0.75至0.99；更佳地，0.8至0.975；最佳地，0.85至0.92)；其中a+b=1；其中聚矽氧烷包括以下作為初始組分：(i)具有式R3Si(OR7)3之T單元；及(ii)具有式Si(OR9)4之Q單元；其中各R7為C1烷基；且其中各R9為C2烷基。
較佳地，在製造供用於本發明之顯示器裝置中的鈍化薄膜電晶體組件之方法中，所提供之複數個非晶疏水性二氧化矽粒子之平均粒徑PS 平均為5nm至120nm(較佳地，10nm至110nm；更佳地，20nm至100nm；最佳地，25nm至90nm)(其中粒徑係使用熟知的低角度雷射光散射雷射繞射來量測)，且根據ASTM E1131所測定，吸水率<2%。更佳地，在製造供用於本發明之顯示器裝置中的鈍化薄膜電晶體組件之方法中，藉由根據ISO 22412：2008之動態光散射測定，所提供之複數個非晶疏水性二氧化矽粒子之平均粒徑為5nm至120nm(較佳地，10nm至110nm；更佳地，20nm至100 nm；最佳地，25nm至90nm)，且多分散性指數PdI 0.275(較佳地，0.05至0.275；更佳地，0.1至0.25；最佳地，0.15至0.2)；且根據ASTM E1131所測定，吸水率<2%。
較佳地，在製造供用於本發明之顯示器裝置中的鈍化薄膜電晶體組件之方法中，藉由根據ISO 22412：2008之動態光散射測定，所提供之複數個非晶疏水性二氧化矽粒子之平均寬高比AR 平均 1.5。更佳地，在製造供用於本發明之顯示器裝置中的鈍化薄膜電晶體組件之方法中，藉由根據ISO 22412：2008之動態光散射測定，所提供之複數個非晶疏水性二氧化矽粒子之平均寬高比AR 平均 1.25。最佳地，在製造供用於本發明之顯示器裝置中的鈍化薄膜電晶體組件之方法中，藉由根據ISO 22412：2008之動態光散射測定，所提供之複數個非晶疏水性二氧化矽粒子之平均寬高比AR 平均 1.1。
較佳地，在製造供用於本發明之顯示器裝置中的鈍化薄膜電晶體組件之方法中，所提供之複數個非晶疏水性二氧化矽粒子包括至少兩個非晶疏水性二氧化矽粒子群，其中各非晶疏水性二氧化矽粒子群具有不同平均粒徑。更佳地，在製造供用於本發明之顯示器裝置中的鈍化薄膜電晶體組件之方法中，所提供之複數個非晶疏水性二氧化矽粒子包括第一非晶疏水性二氧化矽粒子群及第二非晶疏水性二氧化矽粒子群；其中第一非晶疏水性二氧化矽粒子群係由第一複數個親水性二氧化矽粒子製備，且其中第二非晶疏水性二氧化矽粒子群係由第二複數個親水性二氧化矽粒子製備；其中第一非晶疏水性二氧化矽粒子群具有平均粒徑PS平均-第一；其中第二非晶疏水性二氧化矽粒子群具有平均粒徑PS平均-第二；其中 PS平均-第一>PS平均-第二；且其中PS平均-第二/PS平均-第一 0.4。
較佳地，在製造供用於本發明之顯示器裝置中的鈍化薄膜電晶體組件之方法中，以阻擋膜之總重量計，複數個非晶疏水性二氧化矽粒子佔阻擋膜之5wt%至90wt%(較佳地，15wt%至80wt%；更佳地，25wt%至75wt%；最佳地，50wt%至70wt%)。
較佳地，在製造供用於本發明之顯示器裝置中的鈍化薄膜電晶體組件之方法中，根據ASTM E1131所測定，所提供之複數個親水性二氧化矽粒子之吸水率>2%。更佳地，在製造供用於本發明之顯示器裝置中的鈍化薄膜電晶體組件之方法中，所提供之複數個親水性二氧化矽粒子係使用Stöber合成法製備。再更佳地，在製造供用於本發明之顯示器裝置中的鈍化薄膜電晶體組件之方法中，所提供之複數個親水性二氧化矽粒子係使用Stöber合成法製備，其中二氧化矽粒子係經由使用氨作為形態催化劑使矽酸烷酯(例如，正矽酸四乙酯)在水性醇溶液(例如水-乙醇溶液)中水解來形成。參見例如Stöber等人，《單分散二氧化矽球體在微法尺寸範圍內之受控生長(Controlled Growth of Monodisperse Silica Spheres in the Micron Size Range)》，《膠體與界面科學雜誌(JOURNAL OF COLLOID AND INTERFACE SCIENCE)》，第26卷，第62-69頁(1968)。
較佳地，在製造供用於本發明之顯示器裝置中的鈍化薄膜電晶體組件之方法中，所提供之水為去離子水與蒸餾水中之至少一者以限制附帶雜質。更佳地，在製造供用於本發明之顯示器裝置中的鈍化薄膜電晶體組件之方法中，所提 供之水經去離子且經蒸餾以限制附帶雜質。
較佳地，在製造供用於本發明之顯示器裝置中的鈍化薄膜電晶體組件之方法中，所提供之醛醣為醛己醣。更佳地，在製造供用於本發明之顯示器裝置中的鈍化薄膜電晶體組件之方法中，所提供之醛醣為醛己醣；其中醛己醣係選自由以下組成之群：D-阿洛糖、D-阿卓糖、D-葡萄糖、D-甘露糖、D-古洛糖、D-艾杜糖、D-半乳糖、D-塔羅糖及其混合物。再更佳地，在製造供用於本發明之顯示器裝置中的鈍化薄膜電晶體組件之方法中，所提供之醛醣為醛己醣；其中醛己醣係選自由以下組成之群：D-葡萄糖、D-半乳糖、D-甘露糖及其混合物。最佳地，在製造供用於本發明之顯示器裝置中的鈍化薄膜電晶體組件之方法中，所提供之醛醣為醛己醣；其中醛醣為D-葡萄糖。
較佳地，在製造供用於本發明之顯示器裝置中的鈍化薄膜電晶體組件之方法中，使用熟知技術將複數個親水性二氧化矽粒子分散於水中以形成二氧化矽水分散液。更佳地，在製造供用於本發明之顯示器裝置中的鈍化薄膜電晶體組件之方法中，使用音波處理將複數個親水性二氧化矽粒子分散於水中。
較佳地，在製造供用於本發明之顯示器裝置中的鈍化薄膜電晶體組件之方法中，使用熟知技術將所提供之醛醣溶解於二氧化矽水分散液中以形成組合體。更佳地，在製造供用於本發明之顯示器裝置中的鈍化薄膜電晶體組件之方法中，使用音波處理將醛醣溶解於二氧化矽水分散液中以形成組合體。
較佳地，在製造供用於本發明之顯示器裝置中的鈍化薄膜電晶體組件之方法中，使用熟知技術濃縮組合體以形成黏稠糖漿。更佳地，在製造供用於本發明之顯示器裝置中的鈍化薄膜電晶體組件之方法中，使用傾析及蒸發技術濃縮組合體以形成黏稠糖漿。最佳地，在製造供用於本發明之顯示器裝置中的鈍化薄膜電晶體組件之方法中，藉由傾析及旋轉蒸發濃縮組合體以形成黏稠糖漿。
較佳地，在製造供用於本發明之顯示器裝置中的鈍化薄膜電晶體組件之方法中，在惰性氛圍中在500℃至625℃下將黏稠糖漿加熱4至6小時以形成焦化物。更佳地，在製造供用於本發明之顯示器裝置中的鈍化薄膜電晶體組件之方法中，在惰性氛圍中在500℃至625℃下將黏稠糖漿加熱4至6小時以形成焦化物；其中惰性氛圍選自以下之群，所述群選自氮氣氛圍、氬氣氛圍及其混合氛圍。再更佳地，在製造供用於本發明之顯示器裝置中的鈍化薄膜電晶體組件之方法中，在惰性氛圍中在500℃至625℃下將黏稠糖漿加熱4至6小時以形成焦化物；其中惰性氛圍選自以下之群，所述群選自氮氣氛圍與氬氣氛圍。最佳地，在製造供用於本發明之顯示器裝置中的鈍化薄膜電晶體組件之方法中，在惰性氛圍中在500℃至625℃下將黏稠糖漿加熱4至6小時以形成焦化物；其中惰性氛圍為氮氣氛圍。
較佳地，在製造供用於本發明之顯示器裝置中的鈍化薄膜電晶體組件之方法中，使用熟知技術粉碎焦化物以形成粉末。更佳地，在製造供用於本發明之顯示器裝置中的鈍化薄膜電晶體組件之方法中，藉由擠壓、粉磨、碾磨及研磨中 之至少一者粉碎焦化物以形成粉末。最佳地，在製造供用於本發明之顯示器裝置中的鈍化薄膜電晶體組件之方法中，藉由擠壓粉碎焦化物以形成粉末。
較佳地，在製造供用於本發明之顯示器裝置中的鈍化薄膜電晶體組件之方法中，在含氧氛圍中在>650℃至900℃下將粉末1至2小時以形成複數個非晶疏水性二氧化矽粒子。更佳地，在製造供用於本發明之顯示器裝置中的鈍化薄膜電晶體組件之方法中，在含氧氛圍中在>650℃至900℃下將粉末1至2小時以形成複數個非晶疏水性二氧化矽粒子；其中含氧氛圍為空氣。
較佳地，在製造供用於本發明之顯示器裝置中的鈍化薄膜電晶體組件之方法中，使用熟知技術將成膜基質材料與複數個非晶疏水性二氧化矽粒子合併以形成複合物。更佳地，在製造供用於本發明之顯示器裝置中的鈍化薄膜電晶體組件之方法中，藉由攪拌與音波處理中之至少一者將成膜基質材料與複數個非晶疏水性二氧化矽粒子合併以形成複合物。最佳地，在製造供用於本發明之顯示器裝置中的鈍化薄膜電晶體組件之方法中，藉由音波處理將成膜基質材料與複數個非晶疏水性二氧化矽粒子合併以形成複合物。
較佳地，在製造供用於本發明之顯示器裝置中的鈍化薄膜電晶體組件之方法中，使用熟知技術將複合物塗覆至薄膜電晶體組件以在其上形成阻擋膜，得到鈍化薄膜電晶體組件；其中半導體插在阻擋膜與基板之間。更佳地，在製造供用於本發明之顯示器裝置中的鈍化薄膜電晶體組件之方法中，使用選自由以下組成之群的方法將複合物塗覆至薄膜電 晶體組件以形成阻擋膜：旋塗、浸塗、滾塗、噴塗、層壓、刀片刮抹及印刷。最佳地，在製造供用於本發明之顯示器裝置中的鈍化薄膜電晶體組件之方法中，使用旋塗將複合物塗覆至薄膜電晶體組件以形成阻擋膜。
較佳地，在製造供用於本發明之顯示器裝置中的鈍化薄膜電晶體組件之方法中，根據ASTM F1249在38℃及100%相對濕度下所量測，阻擋膜之水蒸氣穿透率10.0公克．密耳/平方公尺．天。更佳地，在製造供用於本發明之顯示器裝置中的鈍化薄膜電晶體組件之方法中，根據ASTM F1249在38℃及100%相對濕度下所量測，阻擋膜之水蒸氣穿透率10(更佳地，7.5；最佳地，5.0)公克．密耳/平方公尺．天。最佳地，在製造供用於本發明之顯示器裝置中的鈍化薄膜電晶體組件之方法中，根據ASTM F1249在38℃及100%相對濕度下所量測，阻擋膜之水蒸氣穿透率5公克．密耳/平方公尺．天。
較佳地，在製造供用於本發明之顯示器裝置中的鈍化薄膜電晶體組件之方法中，阻擋膜為透明阻擋膜。更佳地，在製造供用於本發明之顯示器裝置中的鈍化薄膜電晶體組件之方法中，阻擋膜為透明阻擋膜；其中如根據ASTM D1003-11e1所量測，透明阻擋膜之透射率T 透射 50%(更佳地，T 透射 80%；最佳地，T 透射 90%)。最佳地，在製造供用於本發明之顯示器裝置中的鈍化薄膜電晶體組件之方法中，阻擋膜為透明阻擋膜；其中如根據D1003-11e1所量測，透明阻擋膜之透射率T 透射 90%。
較佳地，在製造供用於本發明之顯示器裝置中的 鈍化薄膜電晶體組件之方法中，阻擋膜為透明阻擋膜；其中如根據ASTM D1003-11e1所量測，透明阻擋膜之透射率T 透射 50%，且根據ASTM F1249在38℃及100%相對濕度下所量測，水蒸氣穿透率10.0公克．密耳/平方公尺．天。更佳地，在製造供用於本發明之顯示器裝置中的鈍化薄膜電晶體組件之方法中，阻擋膜為透明阻擋膜；其中如根據ASTM D1003-11e1所量測，透明阻擋膜之透射率T 透射 80%，且根據ASTM F1249在38℃及100%相對濕度下所量測，水蒸氣穿透率<10公克．密耳/平方公尺．天。最佳地，在製造供用於本發明之顯示器裝置中的鈍化薄膜電晶體組件之方法中，阻擋膜為透明阻擋膜；其中如根據ASTM D1003-11e1所量測，透明阻擋膜之透射率T 透射 90%，且根據ASTM F1249在38℃及100%相對濕度下所量測，水蒸氣穿透率5公克．密耳/平方公尺．天。
較佳地，在製造供用於本發明之顯示器裝置中的鈍化薄膜電晶體組件之方法中，阻擋膜之厚度為10nm至25微米(較佳地，75nm至10微米；更佳地；250nm至5微米；最佳地，700nm至2.5微米)。
較佳地，在製造供用於本發明之顯示器裝置中的鈍化薄膜電晶體組件之方法中，所述方法進一步包括：提供添加劑；其中將添加劑與成膜基質材料及複數個非晶疏水性二氧化矽粒子合併以形成複合物。更佳地，在製造供用於本發明之顯示器裝置中的鈍化薄膜電晶體組件之方法中，所述方法進一步包括：提供添加劑，其中添加劑係選自由以下組成之群：促進劑、抗氧化劑、折射率調節劑(例如，TiO2)、非反應性稀釋劑、黏度調節劑(例如，增稠劑)、強化材料、填充 劑、界面活性劑(例如，潤濕劑、分散劑)、折射率調節劑、非反應性稀釋劑、消光劑、著色劑(例如，顏料、染料)、穩定劑、螯合劑、調平劑、黏度調節劑、調熱劑、光學分散劑(例如，光散射粒子)及其混合物；其中將添加劑與成膜基質材料及複數個非晶疏水性二氧化矽粒子合併以形成複合物。最佳地，在製造供用於本發明之顯示器裝置中的鈍化薄膜電晶體組件之方法中，所述方法進一步包括：提供添加劑，其中添加劑係選自由以下組成之群：促進劑、抗氧化劑(例如，二苯基酮、三嗪、苯并***、亞磷酸鹽、衍生物及其混合物)、折射率調節劑(例如，TiO2)、非反應性稀釋劑、黏度調節劑(例如，增稠劑)、強化材料、填充劑、界面活性劑(例如，潤濕劑、分散劑)、折射率調節劑、非反應性稀釋劑、消光劑、著色劑(例如，顏料、染料)、穩定劑、螯合劑、調平劑、黏度調節劑、調熱劑、光學分散劑(例如光散射粒子)及其混合物；其中將添加劑與成膜基質材料及複數個非晶疏水性二氧化矽粒子合併以形成複合物；且其中以阻擋層之總重量計，添加劑佔阻擋層之0.1wt%至10wt%(更佳地，0.1wt%至5wt%)。
較佳地，在製造供用於本發明之顯示器裝置中的鈍化薄膜電晶體組件之方法中，所述方法進一步包括：提供有機溶劑；其中有機溶劑與成膜基質材料及複數個非晶疏水性二氧化矽粒子合併以形成複合物。更佳地，在製造供用於本發明之顯示器裝置中的鈍化薄膜電晶體組件之方法中，所述方法進一步包括：提供有機溶劑，其中有機溶劑係選自由以下組成之群：萜品醇、二丙二醇甲醚乙酸酯、二丙二醇單甲醚、丙二醇正丙醚、二丙二醇正丙醚、環己酮、丁基卡必醇、丙二醇 單甲醚乙酸酯、二甲苯及其混合物；且其中將有機溶劑與成膜基質材料及複數個非晶疏水性二氧化矽粒子合併以形成複合物。再更佳地，在製造供用於本發明之顯示器裝置中的鈍化薄膜電晶體組件之方法中，所述方法進一步包括：提供有機溶劑，其中有機溶劑係選自由以下組成之群：萜品醇、二丙二醇甲醚乙酸酯、丙二醇單甲醚乙酸酯及其混合物；且其中將有機溶劑與成膜基質材料及複數個非晶疏水性二氧化矽粒子合併以形成複合物。最佳地，在製造供用於本發明之顯示器裝置中的鈍化薄膜電晶體組件之方法中，所述方法進一步包括：提供有機溶劑，其中有機溶劑為丙二醇單甲醚乙酸酯；且其中將有機溶劑與成膜基質材料及複數個非晶疏水性二氧化矽粒子合併以形成複合物。
較佳地，在製造供用於本發明之顯示器裝置中的鈍化薄膜電晶體組件之方法中，所述方法進一步包括：在將複合物塗覆至基板表面之後對複合物加以烘烤以移除任何殘餘有機溶劑。更佳地，在製造供用於本發明之顯示器裝置中的鈍化薄膜電晶體組件之方法中，所述方法進一步包括：在將複合物塗覆至基板表面之後在高溫(例如，70℃至340℃)下將複合物烘烤至少10秒至5分鐘以移除任何殘餘或有機溶劑。
較佳地，在製造供用於本發明之顯示器裝置中的鈍化薄膜電晶體組件之方法中，所述方法進一步包括：藉由例如熱退火、熱梯度退火及溶劑蒸氣退火之任何已知退火技術使阻擋膜退火。更佳地，在製造供用於本發明之顯示器裝置中的鈍化薄膜電晶體組件之方法中，所述方法進一步包括：藉由熱退火技術使阻擋膜退火。再更佳地，在製造供用於本發明之 顯示器裝置中的鈍化薄膜電晶體組件之方法中，所述方法進一步包括：藉由在200℃至340℃(更佳地，200℃至300℃；最佳地，225℃至300℃)之溫度下加熱0.5分鐘至2天之時間段(更佳地，0.5分鐘至2小時；再更佳地，0.5分鐘至0.5小時；最佳地，0.5分鐘至5分鐘)使阻擋膜退火。最佳地，在製造供用於本發明之顯示器裝置中的鈍化薄膜電晶體組件之方法中，所述方法進一步包括：在無氧氛圍(亦即，[O2]<5ppm)中使阻擋膜退火。
根據本發明方法製備之鈍化薄膜電晶體組件可以各種組態提供。參見例如圖1至圖4，其中不同鈍化薄膜電晶體組件(100)組態經描繪包括基板(10)、閘電極(15)、閘極介電質(20)、半導體(30)、阻擋層(40)、源電極(50)及汲電極(60)。應注意，在一些組態，諸如圖3中所描繪之組態中，單一材料可充當基板(10)與閘電極(15)兩者。
現將在以下實例中詳細描述本發明之一些實施例。
實例1至實例5 複數個親水性二氧化矽粒子之製備
在實例1至實例5中之每一者中使用以下程序製備複數個親水性二氧化矽粒子。以表1中所指出之量將去離子水及氨水溶液(0.5莫耳)稱量至具有攪拌棒之250mL燒杯中。使燒杯之內含物攪拌1分鐘，隨後將正矽酸四乙酯與乙醇之溶液(實例1至實例2)添加至燒杯中或將如表1中所指出之溶液添加至燒杯中。隨後用塑膠膜密封燒杯且使內含物攪拌持續表1中所指出之反應時間。隨後對燒杯之內含物 進行離心。移除上清液且固體沈降物用實驗室勺砸碎。產物複數個親水性二氧化矽粒子隨後用水洗滌三次且隨後在150℃至200℃下之烘箱中乾燥5小時。隨後藉由根據ISO 22412：2008之動態光散射測定產物複數個親水性二氧化矽粒子之平均粒徑。實例1至實例5中之每一者中所製備的產物複數個親水性二氧化矽粒子之平均粒徑報導於表1中
實例6 複數個非晶疏水性二氧化矽粒子之製備
使用以下程序由根據實例4製備之複數個親水性二氧化矽粒子來製備複數個非晶疏水性二氧化矽粒子。用音波處理將根據實例4製備的複數個親水性二氧化矽粒子之樣品(1.8g)分散至100mL去離子水中以形成分散液。隨後用音波處理向分散液中添加葡萄糖(28g)以形成組合體。隨後在旋轉蒸發器中濃縮組合體以形成黏稠糖漿。隨後在氮氣氛圍下在600℃下之管形爐中將黏稠糖漿加熱5小時以提供黑色發泡體狀材料。隨後藉由瑪瑙研缽(agate mortar)研磨黑色發泡體狀材料，且隨後在馬弗爐(muffle furnace)中在空氣下在800℃下加熱1.5小時以產生複數個非晶疏水性二氧化矽粒子。複數個非晶疏水性二氧化矽粒子具有2.63g/cm3之密 度、1.1wt%之水溶性及在300℃下持續1小時0.04wt%之重量損失。
實例7 聚烷氧基矽氧烷(PAOS)成膜基質材料之製備
根據以下程序製備聚烷氧基矽氧烷(PAOS)成膜基質材料。在配備有機械攪拌器及與蒸餾橋連接之30cm分餾器的1L三頸圓底燒瓶中，在氬氣氛圍下將正矽酸四乙酯(104g，0.5mol)與乙酸酐(51g，0.5mol)及三甲基矽氧化鈦(0.3g)混合。在劇烈攪拌下將混合物加熱至135℃。將由燒瓶內含物之反應所產生的乙酸乙酯持續餾出。繼續加熱直至乙酸乙酯之蒸餾停止為止。之後，將產物聚烷氧基矽氧烷(PAOS)成膜基質材料冷卻至室溫且真空乾燥5小時。在150℃下使用真空達成揮發性化合物之完全移除。提供丙二醇單甲醚乙酸酯有機溶劑。將產物聚烷氧基矽氧烷(PAOS)成膜基質材料添加至丙二醇單甲醚乙酸酯中以得到聚烷氧基矽氧烷於有機溶劑中之20wt%溶液。
實例8 聚烷氧基矽氧烷共聚物(PAOS-Ph)成膜基質材料之製備
根據以下程序製備由正矽酸四乙酯及苯基三甲氧基矽烷形成之聚烷氧基矽氧烷共聚物(PAOS-Ph)成膜基質材料。在配備有機械攪拌器及與蒸餾橋連接之30cm分餾器的1L三頸圓底燒瓶中，在氬氣氛圍下將苯基三甲氧基矽烷(16.34g，0.082mol)及正矽酸四乙酯(153.54g，0.738mol)與乙酸酐(20.91g，0.205mol)及三甲基矽氧化鈦(0.15g)混合。在劇烈攪拌下將混合物加熱至135℃。將由燒瓶內含物 之反應所產生的乙酸乙酯持續餾出。繼續加熱直至乙酸乙酯之蒸餾停止為止。之後，將產物聚烷氧基矽氧烷共聚物(PAOS-Ph)冷卻至室溫且真空乾燥5小時。在150℃下使用真空達成揮發性化合物之完全移除。提供丙二醇單甲醚乙酸酯有機溶劑。將產物聚烷氧基矽氧烷共聚物(PAOS-Ph)成膜基質材料添加至丙二醇單甲醚乙酸酯中以得到聚烷氧基矽氧烷共聚物於有機溶劑中之20wt%溶液。
比較實例C1至比較實例C2及實例9至實例10 阻擋膜製備
在聚醯亞胺膜(杜邦(DuPont)Kapton®聚醯亞胺膜)上形成阻擋膜。將聚醯亞胺膜切成直徑為10cm之圓塊，隨後使用雙面膠將其黏著至矽晶圓。隨後用清潔室拭布及異丙醇對所暴露之聚醯亞胺膜表面進行清潔，隨後加以鼓風乾燥。在比較實例C1至比較實例C2中之每一者中，藉由將複數個親水性二氧化矽粒子(購自西格瑪-奧德里奇公司之Ludox® HS-40膠態二氧化矽)分別添加至實例7及實例8之產物中來形成複合物，其中二氧化矽粒子在所形成之複合物中的體積分率為60%。在實例9至實例10中之每一者中，藉由將根據實例6製備之複數個非晶疏水性二氧化矽粒子分別添加至實例7及實例8之產物中來形成複合物，其中二氧化矽粒子在所形成之複合物中的體積分率為60%。隨後用0.20μm PTFE針筒過濾器過濾複合物，滴落塗佈且刮塗至所暴露之聚醯亞胺膜表面上。隨後在240℃下在熱板上將經阻擋膜塗佈之聚醯亞胺膜基板烘烤2小時。隨後自矽晶圓剝離經阻擋膜塗佈之聚醯亞胺膜基板用於另一測試。藉由截面SEM偵測 阻擋膜之厚度。根據ASTM F1249用MOCON測定通過阻擋膜之水蒸氣穿透率(WVTR)。結果報導於表2中。
實例11至實例12 複數個非晶疏水性二氧化矽粒子之製備
使用以下程序由根據實例5製備之複數個親水性二氧化矽粒子來製備複數個非晶疏水性二氧化矽粒子。在實例11至實例12中之每一者中，用音波處理將根據實例5製備的複數個親水性二氧化矽粒子之樣品(1.8g)分散至100mL去離子水中以形成分散液。隨後用音波處理以表3中所指出之量向分散液中添加葡萄糖以形成組合體。隨後在旋轉蒸發器中濃縮組合體以形成黏稠糖漿。隨後在氮氣氛圍下在600℃下之管形爐中將黏稠糖漿加熱5小時以提供發泡體狀材料。隨後藉由瑪瑙研缽研磨發泡體狀材料，且隨後在馬弗爐中在空氣下在800℃下加熱1.5小時以產生複數個非晶疏水性二氧化矽粒子。
實例13至實例16 粒徑及分佈分析
隨後將根據實例11至實例12形成之複數個非晶疏水性二氧化矽粒子分散於如表3中所鑑別之有機溶劑中以形成分散液。藉由根據ISO 22412.2008之動態光散射使用 Malvern Instruments Zetasizer量測複數個非晶疏水性二氧化矽粒子之平均粒徑及多分散性指數。結果提供於表3中。

Claims (10)

  1. 一種製造供用於顯示器裝置中的鈍化薄膜電晶體組件之方法，所述方法包括：提供薄膜電晶體組件，其包括：基板、至少一個電極、介電質及半導體；提供成膜基質材料；及，提供複數個非晶疏水性二氧化矽粒子，其平均粒徑PS 平均 為5nm至120nm，且根據ASTM E1131所測定，吸水率<2%，其中所述複數個非晶疏水性二氧化矽粒子係藉由以下製備：提供複數個親水性二氧化矽粒子；提供水；提供醛醣；將所述複數個親水性二氧化矽粒子分散於所述水中以形成二氧化矽水分散液；將所述醛醣溶解於所述二氧化矽水分散液中以形成組合體；濃縮所述組合體以形成黏稠糖漿；在惰性氛圍中在500℃至625℃下將所述黏稠糖漿加熱4至6小時以形成焦化物；粉碎所述焦化物以形成粉末；在含氧氛圍中在650℃至900℃下將所述粉末加熱1至2小時以形成所述複數個非晶疏水性二氧化矽粒子；將所述成膜基質材料與所述複數個非晶疏水性二氧化 矽粒子合併以形成複合物；且，將所述複合物塗覆至所述薄膜電晶體組件以在其上形成阻擋膜，得到所述鈍化薄膜電晶體組件；其中所述半導體插在所述阻擋膜與所述基板之間；其中根據ASTM F1249在38℃及100%相對濕度下所量測，所述阻擋膜之水蒸氣穿透率10.0公克．密耳/平方公尺．天。
  2. 如申請專利範圍第1項所述的方法，其中所提供之所述成膜基質材料為聚矽氧烷。
  3. 如申請專利範圍第2項所述的方法，其中所提供之所述聚矽氧烷具有平均成份式：(R3SiO3/2)a (SiO4/2)b其中所述聚矽氧烷包括以下作為初始組分：(i)具有式R3Si(OR7)3之T單元；及，(ii)具有式Si(OR9)4之Q單元，其中各R3獨立地選自C6-10芳基及C7-20烷芳基；其中各R7與R9獨立地選自氫原子、C1-10烷基、C7-10芳烷基、C7-10烷芳基及C6-10芳基；其中0a0.5；其中0.5b1；其中a+b=1。
  4. 如申請專利範圍第3項所述的方法，其中R3為C6芳基；其中R7為C1烷基；且其中R9為C2烷基。
  5. 如申請專利範圍第1項所述的方法，其中藉由根據ISO 22412：2008之動態光散射測定，所述複數個非晶疏水性二氧化矽粒子之平均粒徑PS 平均 為5nm至120nm；平均寬高比AR 平均 1.5，且多分散性指數PdI 0.275。
  6. 如申請專利範圍第1項所述的方法，其中所提供之所述複數個親水性二氧化矽粒子係使用Stöber合成法來製備。
  7. 如申請專利範圍第1項所述的方法，其中所提供之所述醛醣為醛己醣。
  8. 如申請專利範圍第1項所述的方法，所述方法進一步包括：提供有機溶劑；且，其中將所述有機溶劑與所述成膜基質材料及所述複數個非晶疏水性二氧化矽粒子合併以形成所述複合物。
  9. 如申請專利範圍第1項所述的方法，所述方法進一步包括：提供添加劑；其中將所述添加劑與所述成膜基質材料及所述複數個非晶疏水性二氧化矽粒子合併以形成所述複合物。
  10. 一種根據如申請專利範圍第1項所述的方法製得之鈍化薄膜電晶體組件，其供用於顯示器裝置中。
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Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20190048199A1 (en) * 2016-03-31 2019-02-14 Dow Global Technologies Llc Method of making hydrophobic silica particles
CN111416039A (zh) * 2019-01-07 2020-07-14 纽多维有限公司 制剂和层

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW531897B (en) * 2002-04-18 2003-05-11 Ind Tech Res Inst Method of forming thin film transistor on plastic substrate
CN1877879A (zh) * 2005-06-06 2006-12-13 施乐公司 有机电子器件的阻挡层
WO2013183254A1 (ja) * 2012-06-08 2013-12-12 パナソニック株式会社 薄膜トランジスタ及び薄膜トランジスタの製造方法
TW201425526A (zh) * 2012-10-04 2014-07-01 Merck Patent Gmbh 用於有機電子裝置之鈍化層

Family Cites Families (28)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH1149960A (ja) * 1997-08-06 1999-02-23 Toshiba Silicone Co Ltd コンフォーマルコーティング剤
JP2003119409A (ja) * 1998-11-04 2003-04-23 Matsushita Electric Ind Co Ltd シリカ系被膜形成用溶液及びその製造方法、並びにシリカ系被膜及びその製造方法
DE10138490A1 (de) * 2001-08-04 2003-02-13 Degussa Hydrophobe Fällungskieselsäure mit hohem Weißgrad und extrem niedriger Feuchtigkeitsaufnahme
KR101052960B1 (ko) * 2004-04-29 2011-07-29 엘지디스플레이 주식회사 반투과형 폴리실리콘 액정표시소자 제조방법
KR20060061880A (ko) * 2004-12-02 2006-06-08 엘지.필립스 엘시디 주식회사 유기전계발광표시장치 및 그 제조방법
US8343880B2 (en) * 2004-12-15 2013-01-01 Uop Llc Process for preparing a dielectric interlayer film containing silicon beta zeolite
KR100637204B1 (ko) * 2005-01-15 2006-10-23 삼성에스디아이 주식회사 박막 트랜지스터, 그 제조 방법 및 이를 구비한 평판 표시장치
US20070259475A1 (en) * 2006-05-04 2007-11-08 Basf Aktiengesellschaft Method for producing organic field-effect transistors
US7988057B2 (en) * 2006-11-28 2011-08-02 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Memory device and semiconductor device
CN101542394B (zh) * 2006-11-30 2012-10-31 东丽株式会社 感光性硅氧烷组合物、由其形成的固化膜及具有固化膜的元件
DE102007055879A1 (de) * 2007-12-19 2009-06-25 Wacker Chemie Ag Hydrophobierung von Kieselsäuren und oxidierenden Bedingungen
JPWO2009144920A1 (ja) * 2008-05-29 2011-10-06 ルネサスエレクトロニクス株式会社 シリル化多孔質絶縁膜の製造方法、半導体装置の製造方法、およびシリル化材料
JP5243881B2 (ja) * 2008-08-05 2013-07-24 花王株式会社 中空シリカ粒子の製造方法
CN103928476A (zh) * 2008-10-03 2014-07-16 株式会社半导体能源研究所 显示装置及其制造方法
CN101767790B (zh) * 2008-12-31 2012-01-25 中国石油化工股份有限公司 一种双孔分布氧化硅的合成方法
KR101291320B1 (ko) * 2009-03-23 2013-07-30 한국전자통신연구원 유기 박막 트랜지스터 및 그 형성방법
DE102009023378B4 (de) * 2009-05-29 2013-11-28 Globalfoundries Dresden Module One Limited Liability Company & Co. Kg Wiederherstellung einer hydrophoben Oberfläche empfindlicher dielektrischer Materialen mit kleinem ε in Mikrostrukturbauelementen
JP2011100975A (ja) * 2009-10-09 2011-05-19 Jsr Corp 発光素子、発光素子の製造方法、及び発光素子保護層形成用組成物
WO2011065144A1 (ja) * 2009-11-27 2011-06-03 Jsr株式会社 組成物、硬化体および電子デバイス
US20110162705A1 (en) * 2010-01-06 2011-07-07 Popa Paul J Moisture resistant photovoltaic devices with elastomeric, polysiloxane protection layer
CN103717688A (zh) * 2011-07-22 2014-04-09 H.B.富勒公司 在电子器件上使用的反应性热熔粘合剂
WO2013150997A1 (ja) * 2012-04-02 2013-10-10 コニカミノルタ株式会社 ガスバリア性フィルムおよび電子デバイス
FR2992558B1 (fr) * 2012-06-29 2014-06-20 Oreal Procede pour former un motif colore sur les fibres keratiniques avec une composition comprenant un polymere filmogene hydrophobe, au moins un solvant volatil et au moins un pigment.
JP6403676B2 (ja) * 2013-09-13 2018-10-10 東亞合成株式会社 有機ケイ素化合物含有熱硬化性組成物及びその硬化物
WO2015089750A1 (en) * 2013-12-18 2015-06-25 L'oreal Composition of pickering emulsion comprising low amount of alcohol
CN105047831B (zh) * 2015-09-14 2017-06-13 上海天马有机发光显示技术有限公司 一种封装薄膜、显示器件及其封装方法
JP6827270B2 (ja) * 2016-03-28 2021-02-10 株式会社ジャパンディスプレイ 半導体装置の作製方法
US20190048199A1 (en) * 2016-03-31 2019-02-14 Dow Global Technologies Llc Method of making hydrophobic silica particles

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW531897B (en) * 2002-04-18 2003-05-11 Ind Tech Res Inst Method of forming thin film transistor on plastic substrate
CN1877879A (zh) * 2005-06-06 2006-12-13 施乐公司 有机电子器件的阻挡层
WO2013183254A1 (ja) * 2012-06-08 2013-12-12 パナソニック株式会社 薄膜トランジスタ及び薄膜トランジスタの製造方法
TW201425526A (zh) * 2012-10-04 2014-07-01 Merck Patent Gmbh 用於有機電子裝置之鈍化層

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