TWI639190B - 晶圓狀物件之液體處理用設備 - Google Patents
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- 239000007788 liquid Substances 0.000 title claims description 30
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims abstract description 40
- 230000002209 hydrophobic effect Effects 0.000 claims abstract description 15
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 25
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 19
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 17
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 6
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 6
- 229920001774 Perfluoroether Polymers 0.000 claims description 5
- 239000002066 nanopin film Substances 0.000 claims description 4
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 claims description 4
- 239000010453 quartz Substances 0.000 claims description 4
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 claims description 3
- 230000000717 retained effect Effects 0.000 claims 1
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 20
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 72
- 230000005661 hydrophobic surface Effects 0.000 description 5
- 230000005660 hydrophilic surface Effects 0.000 description 4
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000008367 deionised water Substances 0.000 description 2
- 229910021641 deionized water Inorganic materials 0.000 description 2
- POULHZVOKOAJMA-UHFFFAOYSA-N dodecanoic acid Chemical compound CCCCCCCCCCCC(O)=O POULHZVOKOAJMA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000012530 fluid Substances 0.000 description 2
- 230000005499 meniscus Effects 0.000 description 2
- 230000003075 superhydrophobic effect Effects 0.000 description 2
- 229910021503 Cobalt(II) hydroxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000005639 Lauric acid Substances 0.000 description 1
- 235000006508 Nelumbo nucifera Nutrition 0.000 description 1
- 240000002853 Nelumbo nucifera Species 0.000 description 1
- 235000006510 Nelumbo pentapetala Nutrition 0.000 description 1
- 229910052599 brucite Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- ASKVAEGIVYSGNY-UHFFFAOYSA-L cobalt(ii) hydroxide Chemical compound [OH-].[OH-].[Co+2] ASKVAEGIVYSGNY-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 238000012777 commercial manufacturing Methods 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 229920001600 hydrophobic polymer Polymers 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 230000003278 mimic effect Effects 0.000 description 1
- 239000002086 nanomaterial Substances 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 1
- 229920003223 poly(pyromellitimide-1,4-diphenyl ether) Polymers 0.000 description 1
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 1
- 238000012876 topography Methods 0.000 description 1
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
- H01L21/306—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
- H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
- H01L21/68728—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by a plurality of separate clamping members, e.g. clamping fingers
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- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
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- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
- H01L21/67063—Apparatus for fluid treatment for etching
- H01L21/67075—Apparatus for fluid treatment for etching for wet etching
- H01L21/6708—Apparatus for fluid treatment for etching for wet etching using mainly spraying means, e.g. nozzles
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
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- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
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Abstract
在用於處理晶圓狀物件之設備及方法中，旋轉夾盤係配置成固持預定直徑的晶圓狀物件，使得晶圓狀物件朝向旋轉夾盤的表面分隔於旋轉夾盤之相對外周表面。該相對外周表面包含當晶圓狀物件定位於旋轉夾盤上時重疊晶圓狀物件之外周邊緣的第一表面；及徑向定位於第一表面的內側、且在晶圓狀物件定位於旋轉夾盤上時在位於晶圓狀物件之徑向內側且實質上與晶圓狀物件同心的介面處與第一表面會合的第二表面。第二表面實質上比第一表面更具有疏水性。
Description
本發明係關於晶圓狀物件之液體處理用方法及設備。
液體處理包含濕式蝕刻及濕式清理兩者，其中待處理晶圓的表面區域係以處理液體潤濕，且晶圓的一層係藉此移除，或雜質係藉此成功受到處理。用於液體處理的裝置係敘述於美國專利第4,903,717號中。在此裝置中，液體的分佈可由給予晶圓的旋轉運動所協助。
半導體晶圓的單一晶圓濕式處理典型地行進通過一系列處理模組，該等處理模組各含有一組如上述美國專利案中所述的旋轉夾盤。一典型處理階段稱為「晶邊蝕刻(bevel etch)」，且涉及蝕刻矽晶圓的背側以及晶圓的前或元件側之外周。在晶圓的外周，元件側的蝕刻僅達數毫米之受控制程度。
用以執行半導體晶圓之晶邊蝕刻的旋轉夾盤係敘述於共有的美國專利第7,172,674號中，且該旋轉夾盤的若干實施態樣係顯示於本案之圖1及2中。如圖1所示，依據柏努利原理，夾盤11藉由朝箭頭G之方向的氣流支撐晶圓W。因此，銷53橫向地限制晶圓W，而晶圓係藉著由晶圓下方之氣流產生的反向平衡壓力固持於夾盤。
夾盤11配備有環2，環2之上表面係與晶圓W之下側分隔一預定小間隙15。如圖2所示，當將蝕刻液體L分配至面朝上之晶圓W背側上時，其亦流動於晶圓W邊緣周圍，且被毛細管作用拉入間隙15中。蝕刻液體L的進入停止於形成彎液面M之環2的徑向內緣。作用於晶圓W的
元件或面朝下側的蝕刻之徑向範圍d係因此獲得定義、並由晶圓W與環2之間的重疊範圍所限制。
儘管此裝置可形成高度精確的斜切邊緣，但其中達到最佳結果的製程窗係相對狹窄。潛在影響晶邊蝕刻的品質及均勻性、及其自一晶圓至下一者的一致性之因素包含待自晶圓表面移除之材料的本質、蝕刻液體的組成及物理性質、處理溫度、間隙15之尺寸、受處理之晶圓的直徑、及夾盤的旋轉速度。
因此將期望提供在較廣製程窗上以高精確度及再現性執行晶邊蝕刻的方法及設備。
因此在一實施態樣中，本發明關於一種用於處理晶圓狀物件之設備，包含：一旋轉夾盤，配置成固持具有預定直徑之晶圓狀物件，使得晶圓狀物件之朝向旋轉夾盤的表面分隔於旋轉夾盤的相對外周表面。該相對外周表面包含：一第一表面，當晶圓狀物件定位於旋轉夾盤上時，第一表面與晶圓狀物件之外周邊緣重疊；及一第二表面，其徑向定位於第一表面的內側，且當晶圓狀物件定位於旋轉夾盤上時，第二表面在位於晶圓狀物件之徑向內側且實質上與晶圓狀物件同心的介面處與第一表面會合。該第二表面實質上比第一表面更具疏水性。
在依據本發明的設備之較佳實施例中，第二表面具有至少比第一表面之接觸角大30°的接觸角，較佳地至少比第一表面之接觸角大60°，更佳地至少比第一表面之接觸角大90°，再更佳地至少比第一表面之接觸角大120°。
在依據本發明的設備之較佳實施例中，旋轉夾盤包含一圓形系列之銷件，當晶圓狀物件定位於旋轉夾盤上時，該等銷件可移動至其中該等銷件接觸晶圓狀物件之邊緣的一關閉位置。該圓形系列之銷件的接觸表面形成具有預定直徑的一圓。
在依據本發明的設備之較佳實施例中，預定直徑為200mm、300mm或450mm。
在依據本發明的設備之較佳實施例中，當晶圓狀物件定位於旋轉夾盤上時，該介面係位於晶圓狀物件之外緣的徑向內側0.2-7mm、較佳地0.3-5mm、且更佳地0.5-4mm。
在依據本發明的設備之較佳實施例中，第二表面自該介面徑向朝內延伸經過至少1mm之距離。
在依據本發明的設備之較佳實施例中，第二表面具有一人工表面粗糙度，而賦予該第二表面超過150°之接觸角。
在依據本發明的設備之較佳實施例中，第一表面具有小於40°之接觸角，且第二表面具有大於100°之接觸角。
在依據本發明的設備之較佳實施例中，第一表面包含一石英材料。
在依據本發明的設備之較佳實施例中，第二表面包含過氟烷氧基聚合物。
在依據本發明的設備之較佳實施例中，第一及第二表面係形成於與旋轉夾盤之旋轉軸同軸地裝設於旋轉夾盤上的一環上。
在依據本發明的設備之較佳實施例中，第二表面包含奈米銷(nano-pin)薄膜，該奈米銷薄膜具有朝上突出之銷部，該等銷部在其頂端的寬度為小於10nm。
在依據本發明的設備之較佳實施例中，圓形系列之銷件的每一者包含偏心夾持部，該偏心夾持部可在該系列銷件樞轉時，自接合晶圓狀物件之徑向朝內位置移動至釋放晶圓狀物件之徑向朝外位置。
在依據本發明的設備之較佳實施例中，第二表面包含疏水性材料塗層。
在依據本發明的設備之較佳實施例中，第二表面由疏水性材料形成之結構元件的一面。
在另一實施態樣中，本發明關於一種用於處理晶圓狀物件之設備中的環，包含：一環狀結構部件，具有大致平坦之上表面，其中平坦上表面包含第一外周區域及第二區域，該第二區域係定位於第一外周區域
之徑向內側，並在實質上與該環狀結構部件之中心軸同心的介面處與第一外周區域會合。第二區域實質上比第一外周區域更具有疏水性。
在依據本發明的環之較佳實施例中，第二區域具有至少比第一外周區域之接觸角大30°的接觸角，較佳地至少比第一外周區域之接觸角大60°，更佳地至少比第一外周區域之接觸角大90°，再更佳地至少比第一外周區域之接觸角大120°。
在依據本發明的環之較佳實施例中，第一外周區域具有小於40°之接觸角，且第二區域具有大於100°之接觸角。
在又另一實施態樣中，本發明關於一種處理晶圓狀物漸得方法，其涉及將晶圓狀物件定位於旋轉夾盤上；以及供應親水性蝕刻液體至晶圓狀物件之外周與旋轉夾盤之相對外周表面之間的間隙中。該相對外周表面包含：與晶圓狀物件之外周邊緣重疊的一第一表面；及一第二表面，其徑向定位於第一表面的內側，且在位於晶圓狀物件之徑向內側且實質上與晶圓狀物件同心的介面處與第一表面會合。該第二表面實質上比第一表面更具疏水性，以限制液體蝕刻劑的徑向朝內進入，藉此在朝向第一表面之區域中選擇性地蝕刻晶圓狀物件，而不在朝向第二表面之區域中蝕刻物件。
在依據本發明的方法之較佳實施例中，第二表面具有至少比第一表面之接觸角大30°的接觸角，較佳地至少比第一表面之接觸角大60°，更佳地至少比第一表面之接觸角大90°，再更佳地至少比第一表面之接觸角大120°。
在依據本發明的方法之較佳實施例中，旋轉夾盤包含一圓形系列之銷件，當晶圓狀物件定位於旋轉夾盤上時，該等銷件可移動至其中該等銷件接觸晶圓狀物件之邊緣的一關閉位置。該圓形系列之銷件的接觸表面形成具有預定直徑的一圓。
在依據本發明的方法之較佳實施例中，晶圓狀物件具有200mm、300mm或450mm之直徑。
在依據本發明的方法之較佳實施例中，該介面係位於晶圓狀物件之外緣的徑向內側0.2-7mm、較佳地0.3-5mm、且更佳地0.5-4mm。
在依據本發明的方法之較佳實施例中，第二表面自該介面徑向朝內延伸經過至少1mm之距離。
在依據本發明的方法之較佳實施例中，第二表面具有一人工表面粗糙度，而賦予該第二表面超過150°之接觸角。
在依據本發明的方法之較佳實施例中，第一表面具有小於40°之接觸角，且第二表面具有大於100°之接觸角。
在依據本發明的方法之較佳實施例中，第一表面包含一石英材料。
在依據本發明的方法之較佳實施例中，第二表面包含過氟烷氧基聚合物。
在依據本發明的方法之較佳實施例中，第一及第二表面係形成於與旋轉夾盤之旋轉軸同軸地裝設在旋轉夾盤上的一環上。
在依據本發明的方法之較佳實施例中，第二表面包含奈米銷薄膜，該奈米銷薄膜具有朝上突出之銷部，該等銷部在其頂端的寬度為小於10nm。
1‧‧‧夾盤
2‧‧‧環
11‧‧‧夾盤
15‧‧‧間隙
16‧‧‧齒輪
20‧‧‧環
21‧‧‧材料(第一表面)
22‧‧‧噴嘴
23‧‧‧塗層
24‧‧‧噴嘴
25‧‧‧第一表面
26‧‧‧噴嘴
27‧‧‧第二表面
28‧‧‧噴嘴
30‧‧‧噴嘴頭
40‧‧‧中空軸馬達
42‧‧‧安裝板
44‧‧‧框架
50‧‧‧上液體分配器
53‧‧‧銷
G‧‧‧箭頭
L‧‧‧蝕刻液體
M‧‧‧彎液面
W‧‧‧晶圓
在參考隨附圖式的前提下閱讀以下的本發明之較佳實施例的詳細敘述之後，本發明之其他目標、特徵及優點將變得更加明顯，在隨附圖式中：圖1為用於在半導體晶圓上執行晶邊蝕刻的先前技術旋轉夾盤之示意立體側視圖；圖2為圖1的夾盤之毛細環的細節；圖3為自依據本發明第一實施例之夾盤上方的立體圖；圖4為通過圖3繪示之夾盤的局部軸向剖面，其係沿圖3之線IV-IV取得，而晶圓在如以虛線指示的位置；圖5為圖4中標出的細節V之放大圖；且圖6為依據本發明之設備的另一實施例、類似圖5者之視圖。
現參照圖式，圖3及4繪示朝一預定方向將晶圓固持於其上的旋轉夾盤1，在該預定方向上較佳地使主要表面設置成水平或在水平的±20°內。旋轉夾盤1可例如為依據柏努利原理操作的夾盤，如敘述於例如美國專利第4,903,717號中者。
夾盤1包含一系列夾持銷，在此實施例中數量為六個，標示為10-1至10-6。夾持銷10-1至10-6防止晶圓橫向滑離夾盤。在此實施例中，夾持銷10-1至10-6的上部亦提供用於晶圓W之下方支撐，且因此夾盤不需要依據柏努利原理操作，且不需要將其用來在晶圓下方供應氣體緩衝。尤其，每一夾持銷包含自圓柱銷基部、大致沿相關於圓柱銷基部之旋轉軸偏移之一軸而垂直延伸的最高夾持部。再者，如以下更加詳細地敘述，上夾持部各包含設計成容納晶圓周緣的橫向凹部或切除部。
夾持銷10-1至10-6朝上突出通過形成於環20中的孔，其將於以下更加詳細地敘述。環20係藉由一系列柱件(未顯示)裝設至夾盤1，而一柱件較佳地位於夾持銷10-1至10-6之各對之間。
夾持銷10-1至10-6係設有偏心裝設之握爪。夾持銷係藉由與所有夾持銷緊密嚙合之鋸齒齒輪16而共同繞其圓柱軸旋轉。偏心之握爪係因此一同移動於其中晶圓W被固定的徑向內關閉位置至其中晶圓W被釋放的徑向外開啟位置之間。夾持銷10-1至10-6可製成如共有之美國專利申請案第12/668,940號(對應WO 2009/010394號)所述、或如2009年12月18日提出申請之共有的美國專利申請案第12/642,117號所述。夾持銷10-1至10-6因此包含與晶圓W接觸、自裝設用於繞其中心軸之樞軸運動的基部突出之偏心最高部份。尤其，環狀齒輪16係置中於夾盤上本體之下側上，且經由其外周齒輪齒同時與形成於各銷10-1至10-6之基部上的齒輪齒嚙合。銷10-1至10-6係繞旋轉夾盤1的外周平均分佈，而設置至少三個、較佳地六個此銷。
儘管並未顯示在圖中，旋轉夾盤可被處理腔室圍繞，該處理腔室可為如共有之美國專利第7,837,803號(對應WO 2004/084278號)中敘述的多階層處理腔室。如相關於美國專利第6,536,454號之圖4所述，旋轉夾
盤可藉由相對靜止之圍繞腔室軸向地移動夾盤、或相對靜止之夾盤軸向地移動圍繞腔室而定位於選定階層。
如圖4中更詳細顯示，分配組件包含非轉動(靜止)噴嘴頭30，其噴嘴如以下所述穿過加熱組件之蓋件。在此實施例中，四個噴嘴22、24、26、28突出通過噴嘴頭。饋給這些噴嘴的管路係各連接至不同的流體源。舉例來說，噴嘴22可供應去離子水，中央噴嘴24可供應乾氮氣，且噴嘴26可供應處理液體。噴嘴22、24、26、28係導向晶圓的面朝下表面。
旋轉夾盤1係裝設至中空軸馬達40之轉子(示意地顯示於圖4)，且靜止之噴嘴頭30穿過旋轉夾盤1之中央開口。中空軸馬達40之靜子係裝設至安裝板42(示意性顯示於圖3中)。噴嘴頭30及安裝板42係裝設至相同的靜止框架44(示意性顯示於圖3中)。
上液體分配器50自上方供應處理液體，且可結合複數不同的液體分配噴嘴以供分配各種不同的處理液體，例如在共有之美國專利第7,891,314號(對應WO 2006/008236號)中所述。上液體分配器50較佳地可在晶圓W之徑向上移動，以於晶圓W在旋轉夾盤上旋轉時，幫助散佈處理液體於晶圓W之整個朝上表面的範圍中。
環20包含具有顯著不同可潤濕性的表面，以利用不同於上述先前技術之方式限制面向夾盤的晶圓表面之蝕刻範圍。在繪示之實施例中，此為晶圓W之朝下表面；然而，本發明亦適用於其中晶圓自旋轉夾盤本體朝下懸吊的夾盤，在該情形中，晶邊蝕刻係執行於朝上的晶圓表面上。在任一情形中，其皆將為晶圓的元件側或前側。
已知之夾盤11係針對固持特定直徑之晶圓而設計。因此，銷10-1至10-6的夾持表面在位於其徑向內關閉位置時形成該直徑的圓形。目前商業製造中之晶圓用的夾盤係設計成固持200mm或300mm之晶圓，而450mm之晶圓將為下一世代。
因此，參照圖5及6，環20將在一實施例中以相對親水材料21形成，且在其徑向內表面上設有相對疏水塗層23。舉例來說，環20可由高度親水的石英形成，且在其內周設有高度疏水性的過氟烷氧基(PFA)聚合物之塗層23。
於此使用的用語可潤濕性、親水性及疏水性可藉由討論中之表面的接觸角以量化方式表示。一般而言，疏水性表面在空氣存在的情況下與水形成大於90°的接觸角，而親水性表面在空氣存在的情況下與水形成小於90°的接觸角。
於此所稱之接觸角係理解為意指在空氣大氣壓下的討論中之表面與5μl之去離子水滴之間、當一分鐘後利用測角器及商業上可取得之影像分析軟體加以量測的靜接觸角。如此量測的接觸角上之變異性小，且於不同表面在接觸角差異方面加以特性化時完全去除。
第一表面21、25可由任何相對親水性之材料形成。較佳地，第一表面具有小於90°之接觸角，一般將其視為親水性表面的定義；然而，在第二表面具有實質上更大接觸角的前提下，第一表面可具有大於90°之接觸角。
在圖6中，第二表面27為形成環20之一部分之結構元件的面，且係由疏水性聚合物製成，例如由DuPont以VESPEL®商標銷售之該等級的聚亞醯胺。
第一及第二表面的接觸角係不只藉由該等表面之材料、且亦藉由該等表面的表面形貌來判定。舉例來說，經設計的表面可模擬「蓮花效應」，且呈現超過150°(超疏水性)且甚至超過160°(極疏水性)之接觸角。在該情形中，材料本身可在呈平滑薄膜狀態時為親水性，但在形成為將空氣限制在任何接觸之液體下方的奈米結構(nanostructure)時呈現極疏水性表面。
具有經設計奈米銷結構之表面的實例為經沉積的利用月桂酸加以塗佈之水鎂石類鈷氫氧化物(BCH,Co(OH)1.13Cl0.09(CO3)0.9．0.05H2O)薄膜，如J.Am.Chem.Soc.2005,127,13458-13459中的Hosono等人之「Superhydrophobic Perpendicular Nanopin Film by the Bottom-Up Process」所述。
環20係於前述實施例中結合所謂的「雙側」夾盤加以說明，該夾盤為設有夾持銷以使不同處理流體可同時或依序施加至晶圓的兩側之夾盤。然而，本發明的其他較佳實施例使用上述之環20結合在柏努利原理上操作的夾盤，在該情形中，此夾盤可如相關於圖1及美國專利第7,172,674
號所述者，除了圖1之環20將由上述之環20取代，且環20與晶圓W之間之蝕刻液體的表現將如相關於圖5及6而非圖2所述者。
在使用上，相對於以上討論之先前技術，當液體L到達親水性表面21、25與疏水性表面23、27之間的介面時，停止相對親水性之蝕刻液體L的進入，且液體L因此無法到達環20之徑向內緣。已發現此技術容許在比以上討論之先前技術更廣的製程窗範圍內的優異且可再現之晶邊蝕刻。因此，在圖5及6中，蝕刻範圍為晶圓W與僅親水性表面21、25之間的重疊部份。距離「a」為0.2-7mm、較佳地為0.3-5mm、且更佳地為0.5-4mm。圖5及6中標示之距離「b」為疏水性表面23、27之徑向範圍。該距離並非關鍵性，但較佳地大於1mm。再者，疏水性表面不需要延伸直至環20或環20被實現於其中之其他此種夾盤結構的徑向內緣。
儘管本發明已相關於其各種較佳實施例而加以說明，但應瞭解該等實施例係僅為了說明本發明而提供，且不應用作限制由隨附請求項之真實範疇及精神所賦予之保護範圍的託辭。
Claims (30)
- 一種用於處理晶圓狀物件之設備，包含：一旋轉夾盤，配置成固持具有一預定直徑之一晶圓狀物件，使得該晶圓狀物件之朝向該旋轉夾盤的一表面分隔於該旋轉夾盤的一相對外周表面；其中該旋轉夾盤之該相對外周表面包含：一第一表面，當該晶圓狀物件定位於該旋轉夾盤上時，該第一表面與該晶圓狀物件之一外周邊緣重疊；及一第二表面，徑向定位於該第一表面的內側，且當該晶圓狀物件定位於該旋轉夾盤上時，該第二表面在位於該晶圓狀物件之徑向內側且與該晶圓狀物件同心的介面處與該第一表面會合；該第二表面係比該第一表面更具疏水性，且防止蝕刻液體流動於該晶圓狀物件與該第二表面之間；該第一表面及該第二表面係形成於用以繞該旋轉夾盤之旋轉軸轉動而裝設於該旋轉夾盤上的一環上；該環包含複數孔，且連接至該旋轉夾盤之結構的複數銷延伸通過該環的該複數孔，並接觸該晶圓狀物件。
- 如申請專利範圍第1項之用於處理晶圓狀物件之設備，其中該第二表面具有至少比該第一表面之水接觸角大30°的水接觸角。
- 如申請專利範圍第1項之用於處理晶圓狀物件之設備，其中該第二表面具有至少比該第一表面之水接觸角大60°的水接觸角。
- 如申請專利範圍第1項之用於處理晶圓狀物件之設備，其中該第二表面具有至少比該第一表面之水接觸角大90°的水接觸角。
- 如申請專利範圍第1項之用於處理晶圓狀物件之設備，其中該第二表面 具有至少比該第一表面之水接觸角大120°的水接觸角。
- 如申請專利範圍第1項之用於處理晶圓狀物件之設備，其中該旋轉夾盤包含一圓形系列之銷件，當該晶圓狀物件定位於該旋轉夾盤上時，該等銷件可移動至其中該等銷件接觸該晶圓狀物件之該外周邊緣的一關閉位置，且該圓形系列之銷件的接觸表面定義具有該預定直徑的一圓。
- 如申請專利範圍第1項之用於處理晶圓狀物件之設備，其中該預定直徑為200mm、300mm、或450mm。
- 如申請專利範圍第1項之用於處理晶圓狀物件之設備，其中當該晶圓狀物件定位於該旋轉夾盤上時，該介面係位於該晶圓狀物件之該外周邊緣的徑向內側0.2-7mm。
- 如申請專利範圍第1項之用於處理晶圓狀物件之設備，其中當該晶圓狀物件定位於該旋轉夾盤上時，該介面係位於該晶圓狀物件之該外周邊緣的徑向內側0.3-5mm。
- 如申請專利範圍第1項之用於處理晶圓狀物件之設備，其中當該晶圓狀物件定位於該旋轉夾盤上時，該介面係位於該晶圓狀物件之該外周邊緣的徑向內側0.5-4mm。
- 如申請專利範圍第1項之用於處理晶圓狀物件之設備，其中該第二表面自該介面徑向朝內延伸經過至少1mm之距離。
- 如申請專利範圍第1項之用於處理晶圓狀物件之設備，其中該第二表面具有一人工表面粗糙度，而賦予超過150°之水接觸角。
- 如申請專利範圍第1項之用於處理晶圓狀物件之設備，其中該第一表面 具有小於40°之水接觸角，且該第二表面具有大於100°之水接觸角。
- 如申請專利範圍第1項之用於處理晶圓狀物件之設備，其中該第一表面包含一石英材料。
- 如申請專利範圍第1項之用於處理晶圓狀物件之設備，其中該第二表面包含一過氟烷氧基聚合物。
- 如申請專利範圍第1項之用於處理晶圓狀物件之設備，其中該第二表面包含奈米銷(nano-pin)薄膜，該奈米銷薄膜具有朝上突出之銷部，該等銷部在其頂端的寬度為小於10nm。
- 如申請專利範圍第1項之用於處理晶圓狀物件之設備，其中該第二表面防止該蝕刻液體從該第一表面與該晶圓狀物件之間的區域徑向朝內流至該第二表面與該晶圓狀物件之間的區域，且該蝕刻液體為一親水性液體。
- 如申請專利範圍第1項之用於處理晶圓狀物件之設備，其中該環的一部份係由一親水性材料形成，該相對外周表面延伸經過該環的該部份，且該第二表面為該環上的一疏水性塗層，並延伸經過該環的該部份。
- 如申請專利範圍第1項之用於處理晶圓狀物件之設備，其中該環的一第一環狀部份係由一親水性材料形成，該環的一第二環狀部份係由一疏水性材料形成，並在該環之該第一環狀部份的徑向內側，該第一表面延伸經過該環的該第一環狀部份，且該第二表面延伸經過該環的該第二環狀部份。
- 一種用於處理晶圓狀物件之設備中的環，該晶圓狀物件係由一旋轉夾盤固持，該環包含：一環狀結構部件，配置成連接至該旋轉夾盤並固持於該旋轉夾盤與該晶圓狀物件之間，其中該環狀結構部件包含一平坦上表面及複數孔，其中該平坦上表面包含一第一外周區域及一第二區域，且其中該第二區域係定位於該第一外周區域之徑向內側，並在一介面處與該第一外周區域會合；及該介面，其中該介面係與該環狀結構部件之中心軸同心，該第一外周區域及該第二區域為平坦的，該第一外周區域係與該第二區域共平面，且該第二區域比該第一外周區域更具有疏水性，並防止蝕刻液體流動於該晶圓狀物件與該第二區域之間，且連接至該旋轉夾盤之結構的複數銷延伸通過該環狀結構部件的該複數孔，並接觸該晶圓狀物件。
- 如申請專利範圍第20項之用於處理晶圓狀物件之設備中的環，其中該第二區域具有至少比該第一外周區域之水接觸角大30°的水接觸角。
- 如申請專利範圍第20項之用於處理晶圓狀物件之設備中的環，其中該第二區域具有至少比該第一外周區域之水接觸角大60°的水接觸角。
- 如申請專利範圍第20項之用於處理晶圓狀物件之設備中的環，其中該第二區域具有至少比該第一外周區域之水接觸角大90°的水接觸角。
- 如申請專利範圍第20項之用於處理晶圓狀物件之設備中的環，其中該第二區域具有至少比該第一外周區域之水接觸角大120°的水接觸角。
- 如申請專利範圍第20項之用於處理晶圓狀物件之設備中的環，其中該 第一外周區域具有小於40°之水接觸角，且該第二區域具有大於100°之水接觸角。
- 如申請專利範圍第20項之用於處理晶圓狀物件之設備中的環，其中該第二區域防止該蝕刻液體從該第一外周區域與該晶圓狀物件之間的區域徑向朝內流至該第二區域與該晶圓狀物件之間的區域。
- 如申請專利範圍第20項之用於處理晶圓狀物件之設備中的環，其中該環及該晶圓狀物件係藉由該旋轉夾盤轉動。
- 如申請專利範圍第20項之用於處理晶圓狀物件之設備中的環，其中該環的一部份係由一親水性材料形成，該平坦上表面延伸經過該環之該部份，且該第二區域為該環上的一疏水性塗層，並延伸經過該環的該部份。
- 如申請專利範圍第20項之用於處理晶圓狀物件之設備中的環，其中該環的一第一環狀部份係由一親水性材料形成；該環的一第二環狀部份係由一疏水性材料形成，並在該環的該第一環狀部份之徑向內側；該第一外周區域延伸經過該環的該第一環狀部份；且該第二區域延伸經過該環的該第二環狀部份。
- 一種用於處理晶圓狀物件之設備，包含：如申請專利範圍第20項的該環；該旋轉夾盤；及一馬達，用以使該環及該晶圓狀物件轉動。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US13/569,923 | 2012-08-08 | ||
| US13/569,923 US20140041803A1 (en) | 2012-08-08 | 2012-08-08 | Method and apparatus for liquid treatment of wafer shaped articles |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| TW201413812A TW201413812A (zh) | 2014-04-01 |
| TWI639190B true TWI639190B (zh) | 2018-10-21 |
Family
ID=50065287
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| TW102128489A TWI639190B (zh) | 2012-08-08 | 2013-08-08 | 晶圓狀物件之液體處理用設備 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US20140041803A1 (zh) |
| KR (1) | KR20140020210A (zh) |
| TW (1) | TWI639190B (zh) |
Families Citing this family (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US9093482B2 (en) * | 2012-10-12 | 2015-07-28 | Lam Research Ag | Method and apparatus for liquid treatment of wafer shaped articles |
| US10707099B2 (en) | 2013-08-12 | 2020-07-07 | Veeco Instruments Inc. | Collection chamber apparatus to separate multiple fluids during the semiconductor wafer processing cycle |
| WO2016049251A1 (en) | 2014-09-24 | 2016-03-31 | The Broad Institute Inc. | Delivery, use and therapeutic applications of the crispr-cas systems and compositions for modeling mutations in leukocytes |
| US20180040502A1 (en) * | 2016-08-05 | 2018-02-08 | Lam Research Ag | Apparatus for processing wafer-shaped articles |
| US20180096879A1 (en) * | 2016-10-05 | 2018-04-05 | Lam Research Ag | Spin chuck including edge ring |
| US11342215B2 (en) | 2017-04-25 | 2022-05-24 | Veeco Instruments Inc. | Semiconductor wafer processing chamber |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| TW201220390A (en) | 2010-09-27 | 2012-05-16 | Dainippon Screen Mfg | Substrate processing apparatus and substrate processing method |
Family Cites Families (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1372186B1 (de) * | 2000-10-31 | 2008-12-10 | Sez Ag | Vorrichtung zur Flüssigkeitsbehandlung von scheibenförmigen Gegenständen |
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| JP4043455B2 (ja) * | 2004-05-28 | 2008-02-06 | 東京エレクトロン株式会社 | 液処理装置及び液処理方法 |
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| US20090317590A1 (en) * | 2006-07-05 | 2009-12-24 | Postech Academy-Industry Foundation | Method for fabricating superhydrophobic surface and solid having superhydrophobic surface structure by the same method |
| JP5312923B2 (ja) * | 2008-01-31 | 2013-10-09 | 大日本スクリーン製造株式会社 | 基板処理装置 |
-
2012
- 2012-08-08 US US13/569,923 patent/US20140041803A1/en not_active Abandoned
-
2013
- 2013-08-08 KR KR1020130094167A patent/KR20140020210A/ko not_active Application Discontinuation
- 2013-08-08 TW TW102128489A patent/TWI639190B/zh active
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| TW201220390A (en) | 2010-09-27 | 2012-05-16 | Dainippon Screen Mfg | Substrate processing apparatus and substrate processing method |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR20140020210A (ko) | 2014-02-18 |
| TW201413812A (zh) | 2014-04-01 |
| US20140041803A1 (en) | 2014-02-13 |
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