TWI637159B - 具有歧管之微流體裝置及相關方法 - Google Patents

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Abstract

一種裝置包括：包括一微流體裝置之一晶粒；圍繞該晶粒形成之一聚合物基板；及一獨立的流體歧管，其在該晶粒上方且在該基板之與該晶粒相同之一側上附著至該聚合物基板，該歧管遞送流體至該晶粒。

Description

具有歧管之微流體裝置及相關方法
本揭露內容有關於一種具有歧管之微流體裝置。
微流體裝置愈來愈多地用於量測來自流體樣本之參數。使每測試之成本降低及使用相對小樣本體積之能力係微流體裝置引起關注的因數中之兩個因數。
微流體裝置之領域使用電子裝置製造中所研發的技術且將該等技術應用於處置電及流體的裝置。除了流體處置及/或測試組件之外，微流體裝置亦可包括微機電系統(microelectromechanical system；MEMS)及/或電子組件。
一個挑戰係在微流體組件持續變小時將流體及電連接提供至微流體裝置。甚至注射器及類似裝置相比於微流體裝置情況下可用之微米尺度組件係相對大的。此外，經提供以用於測試之流體應代表樣本。因此，當研發微米尺度裝置時，捕獲氣泡及類似問題可成為挑戰。
一個解決方案係使用一界面以使流體在毫米尺度與微米尺度之間轉變。此界面可整合於矽晶粒中。此產生大於歸因於針對使用者之 流體連接的大小而另外需要之晶粒的晶粒。由於晶圓處理製程中可能存在晶粒缺陷，矽晶粒之成本隨尺寸而快速且非線性地增加。因此，併入流體導引及分佈的矽晶粒傾向於歸因於矽晶粒之大小的增加而更昂貴，該流體導引及分佈與較大尺度交互作用(諸如直接使用者交互作用)相容。雖然其他材料之基板可用於形成微電子、微流體及MEMS組件，但矽繼續給予使矽基板具有吸引力且廣泛使用的廣泛範圍之製程及性質。其他基板具有類似但與較大晶粒相關聯的顯著更低的成本。
另一方法係在封裝時黏著晶粒。封裝可包括各收納一晶粒之數個凹槽。此可允許(例如)在無整合式流體處置組件情況下使用較小晶粒。此等較小晶粒相較於較大晶粒成本較低。此方法仍包括額外工作以將流體提供至晶粒。一個限制係封裝上之晶粒與封裝之周圍表面之間的界面。若允許流體接觸晶粒之非表面層，則流體可與晶粒之電連接或短路元件相互作用，從而產生不穩定回應或不正確的效能。此等連接亦可充當可使意欲用於量測或其他用途之流體轉向的洩漏。
因此，此說明書揭示另一方法以將流體導引提供至晶粒。晶粒模製成複合結構。此允許晶粒與周圍基板直接接觸且避免基板與晶粒之間的間隙。晶粒可能包括或可能不包括上表面上之流體導引特徵。在一個實例中，晶粒包括晶粒之上表面上的一圖案化聚合物層。隨後將歧管附著在模製至基板上之晶粒上方。將晶粒模製於基板中避免晶粒與基板之間的間隙及/或不連續性，該等間隙及/或不連續性使得將流體自基板提供至晶粒或使流體自晶粒脫離更困難。
根據一個實例，一種裝置包括：包括一微流體裝置之一晶 粒；圍繞晶粒而形成之一聚合物基板；及一獨立的流體歧管，其在該晶粒上方且在基板之與晶粒相同之一側上附著至該聚合物基板，該歧管遞送流體至該晶粒。
在另一實例中，一種形成裝置之方法，該方法包括：在半導體晶粒中形成微流體裝置；圍繞晶粒形成聚合物基板；及在晶粒上方將獨立的歧管附著至基板，歧管提供通道以將流體傳導至晶粒之微流體裝置。
在另一實例中，一種裝置包括：包含微流體裝置之一晶粒；在基板與晶粒之間無任何間隙下圍繞該晶粒而形成之一聚合物基板，其中晶粒之頂面與聚合物基板之頂面共面；及一獨立的流體歧管，其由塑膠形成且附著至聚合物基板，歧管包含流體通道以將流體遞送至晶粒之微流體裝置。
如本說明書及隨附申請專利範圍中所使用，術語「毫米尺度」意指廣義地理解為涵蓋流體所接觸之所有尺寸皆大於100微米且小於100毫米的流體處置特徵。
如本說明書及隨附申請專利範圍中所使用，術語「微米尺度」意指廣義地理解為涵蓋具有小於1000微米且大於100奈米之至少一個尺寸的流體處置特徵。舉例而言，具有10毫米之寬度的由100微米分離的一對板將取得微米尺度流體組件資格，此係因為該對板具有在敍述範圍內的至少一個尺寸。
如本說明書及隨附申請專利範圍中所用，術語「流體界面」意指廣義地理解為用以將流體自流體進入位置移動至晶粒上之微流體裝置的一批流體分佈組件。
100‧‧‧裝置
110‧‧‧基板
120‧‧‧晶粒
130‧‧‧歧管
300‧‧‧方法
310‧‧‧在半導體晶粒中形成微流體裝置
320‧‧‧圍繞晶粒形成聚合物基板
330‧‧‧將獨立的歧管於晶粒上方附著至基板，歧管提供通道以將流體傳導至晶粒之微流體裝置
440‧‧‧圖案化聚合物層
550‧‧‧黏著劑
860‧‧‧襯墊
附圖說明本文所述之原理的各種實例且為說明書之一部分。所說明之實例僅出於說明而給出，且不限制申請專利範圍之範疇。
圖1係符合所揭示實施之一裝置的截面圖。
圖2係符合所揭示實施之一裝置的俯視圖。
圖3係展示符合所揭示實施之一方法的流程圖。
圖4係符合所揭示實施之一裝置的截面圖。
圖5A及圖5B係符合所揭示實施之一裝置的截面圖及俯視圖。
圖6係符合所揭示實施之一裝置的截面圖。
圖7係符合所揭示實施之程序流程。
圖8A及圖8B係符合所揭示實施之一裝置的截面圖及俯視圖。
圖9A及圖9B係符合所揭示實施之一裝置的截面圖及俯視圖。
在所有圖式中，相同的參考標號指定類似但不必相同的元件。
現轉向各圖，圖1係符合所揭示實施之一裝置(100)的截面圖。圖1展示一裝置(100)，其包括：包括微流體裝置之一晶粒(120)；圍繞晶粒而形成之一聚合物基板(110)；及一獨立的流體歧管(130)，其於晶粒(120)上方且在基板(110)的與晶粒(120)相同之側上附著至該聚合物基板(110)，該歧管(130)遞送流體至晶粒(120)。
晶粒(120)包括一微流體裝置以及流體及電佈線以使微流體裝置及其組件起作用。相對於基板(110)，僅圖1中之晶粒的上表面被完全暴露。晶粒之此暴露表面收納由歧管遞送的流體。
微流體裝置包括廣泛之多種功能及用途。微流體裝置之少數代表性實例包括：酶促感測器、pH感測器、導電率感測器、流體泵、蛋白感測器、液體吸收度、透射及反射感測器、蛋白分離器、細胞構形偵測器及細胞計數系統。
基板(110)圍繞晶粒(120)而形成。基板(110)為晶粒(120)提供支撐以及提供超出晶粒(120)的用於歧管(130)從而與歧管相互作用之區域。基板(110)提供至晶粒(120)之平滑過渡區。晶粒(120)與基板(110)之間不存在間隙。
在一個實例中，基板(110)及晶粒(120)形成共面頂面。然而，晶粒可相對於基板表面凹陷或凸出的。基板(110)與晶粒(120)之間的平坦縫隙促進使用歧管(130)形成橫越縫隙之流體通道。此允許縫隙與通道之間的歧管(130)避免洩漏。因此，歧管(130)之附著部分可在不損失流體的情況下延伸越過縫隙。
基板(110)可為聚合物。基板可為複合物。基板可為異質的或均質的。基板可為熱塑性塑膠，例如聚乙烯(PE、HDPE、LDPE)、聚丙烯(PP)、聚碳酸酯(PC)、聚醯亞胺、聚醚醚酮(PEEK)、聚苯乙烯(PS)、聚醯胺等。基板可為熱固性聚合物，例如環氧樹脂、聚胺甲酸酯或聚酯。其他合適聚合物可視裝置(100)之所需透射率、機械強度及成本參數而為恰當的。
晶粒(120)可為單一晶粒(120)或多晶粒。晶粒(120)可由半導體形成，例如由矽形成。晶粒(120)可形成於非半導體上，例如聚合物、玻璃上等。
詞語晶粒(die)作為單數及複數形式兩者用於此說明書及關聯申請專利範圍中。其他複數形式(dice及dies)亦於此項技術中辨識。除非附有界定晶粒之數目(例如多個、單個或複數個)的修飾符，否則術語晶粒應理解為指單個晶粒且允許多晶粒。舉例而言，大多數圖展示一晶粒但允許使用多晶粒。
如所指示，基板(110)可圍繞多晶粒形成。不同晶粒(120)可使用相同或不同製程形成。不同晶粒(120)可具有相同或不同厚度。使晶粒(120)與其相關材料及製程混合並匹配之能力提供裝置(100)之設計及實施上的靈活性。舉例而言，正向及負向下拉網狀物可易於在無額外晶粒(120)處理層情況下整合於一常見設計中。晶粒(120)可在形成基板(110)之前在功能上予以評估以限制脫落。
歧管(130)在毫米尺度組件與微米尺度流體組件之間提供一界面。在一些設計中，提供由微流體裝置使用之無氣泡的較小體積流體可成為一個挑戰，該等氣泡可干擾微流體裝置之功能。處置及施配次毫升體積之流體可類似地為具挑戰性的。在一個實例中，歧管於較大容積中或經由較大特徵(諸如入口埠)收納流體。入口埠可為整合於歧管(130)中之金屬及/或陶瓷組件。入口埠可為歧管(130)之聚合物部分。
在一個實例中，歧管(130)為單塊組件。歧管可經模製、鑄造及/或熱成型。歧管(130)可為模製組件。舉例而言，歧管(130)可經轉注模製(transfer mold)。歧管(130)可經射出模製。射出模製提供每部件成本及部件間減小之變化的相對優勢。歧管(130)可為鑄造組件。(例如)使用環氧樹脂之鑄造係一種具成本效益之方法以在提交模具之前生產 原型部件及測試設計。在一個實例中，三維列印部件用於形成聚矽氧陰模。隨後，聚矽氧模具用於生產鑄造部件。此方法給予快速且低廉地形成及測試設計之能力。
歧管(130)可藉由熱成型形成。熱成型給予將熱塑性部件重塑成最終形狀之能力。儘管熱成型部件之深度通常比可在諸如具有相對較小尺寸之歧管(130)的設計中藉由模製達成的深度薄，但熱成型相比於射出模製可提供更快回應及更簡單的模具設計。儘管熱成型中之多種材料選項相比於射出模製不太寬廣，但合適之機械及表面性質通常用相比於射出模製減少的資本成本及周轉時間達成。
歧管(130)可為層狀結構。歧管(130)可由用黏著劑層合在一起之數個材料層形成。在一個實例中，材料為聚合物薄片。將聚合物薄片用作層狀材料允許快速及具成本效益的切割、衝壓或雷射切割。黏著劑可在切割之前或在切割之後塗覆。黏著劑可塗覆至基板，且切割薄片施加在黏著劑上方。歧管(130)可包括用以促進對準的對準特徵，例如對準銷、窗、引導件、規尺等。層狀歧管(130)可經裝配且隨後施加至基板(110)。層狀歧管(130)可裝配在基板(110)上。
歧管(130)可包括額外作用中元件或組件。舉例而言，歧管(130)可包括透鏡、窗、電極、導體、過濾器等。此等作用中元件可添加功能性、輔助晶粒(120)上之組件的操作，及/或添加額外能力至裝置(100)。歧管中包括作用中元件可減少晶粒(120)生產操作中製程操作的數目。此可具有降低最終裝置(100)之成本的優勢。將晶粒(120)及歧管(130)之生產分離的能力可為廢料減少及/或成本降低提供機會。此可歸因 於在整合至裝置(100)中之前識別缺陷組件之能力。
歧管(130)可包括儲集器。儲集器可用來保存流體。儲集器可含有溶解於所提供流體中之固體材料。在歧管(130)中可使用多種不同通道尺寸以製備流體及將流體分佈至晶粒(120)。
圖2係符合所揭示實施之一裝置(100)的俯視圖。裝置(100)展示具有晶粒(120)之基板(110)。歧管(130)係在晶粒(120)及基板(110)兩者的頂部上。歧管(130)之邊緣橫越晶粒(120)與基板(110)之間的過渡區。
類似地，歧管(130)中之流體路徑橫越晶粒(120)與基板(110)之間的過渡區(點線)。換言之，在圖2之實例中，歧管之至少一部分遠離晶粒地附著至基板，以使得自歧管至晶粒的流體途徑包括基板之頂面的一部分作為歧管與晶粒之間的流體界面之部分。
圖3係展示符合所揭示實施之一方法(300)的流程圖。該方法包括：在半導體晶粒(120)中形成(310)微流體裝置；圍繞晶粒(120)形成(320)聚合物基板(110)；及在晶粒(120)上方將獨立的歧管(130)附著(330)至基板(110)，歧管(130)提供通道以將流體傳導至晶粒(120)之微流體裝置。
該方法(300)包括在半導體晶粒(120)中形成(310)微流體裝置。晶粒(120)可包括複數個微流體裝置。晶粒(120)可包括流體處置組件及/或感測器。晶粒(120)可包括多個微流體組件。晶粒(120)可包括電子組件或微機電組件。
該方法(300)包括圍繞該晶粒(120)形成(320)一聚合物基 板(110)。此方法允許該晶粒(120)及該基板(110)直接接觸而在其之間無間隙。因此，當一歧管(130)橫越晶粒(120)與基板(110)之間的界面置放時，有可能在不產生洩漏的情況下進行此操作。
該方法(300)包括使獨立的歧管(130)在晶粒(120)上方附著(330)至基板(110)，歧管(130)提供通道以將流體傳導至晶粒(120)之微流體裝置。在一個實例中，歧管(130)包括在置放在晶粒(120)及基板(110)上方之面上的通道。流體可被提供至基板(110)上方之通道，且隨後在自基板(110)至晶粒(120)之通道中流動。流體可藉由形成於歧管(130)中之通道的壁容納。此類型通道之一個優勢係用於在歧管之表面中形成所暴露通道的模具比用於在歧管(130)中形成內部通道的模具簡單。內部通道可包括插銷、多個射注或多層歧管總成(130)以便提供所需分佈。使用更簡單之模具可減少原型設計時間以及製造成本。使用晶粒(120)及基板(110)表面來提供通道之壁且容納流體作為至晶粒(120)中之裝置的流體轉接(transit)可有助於簡化歧管設計。
圖4係符合所揭示實施之一裝置(100)的截面圖。在此實例中，晶粒在其頂面上包括微米尺度流體通路，該頂面鄰近於歧管且形成於薄膜電路上方，流體通路用以將流體自歧管傳達至微流體裝置之組件。如圖4中所示，裝置包括基板(110)中之晶粒(120)。晶粒(120)在晶粒(120)之頂面的就在薄膜電路上方之一部分上方具有一圖案化聚合物層(440)。圖案化聚合物層(440)用於促進晶粒(120)與歧管(130)之間的流體導引。圖案化聚合物層(440)可為複數個層。
在一個實例中，圖案化聚合物層(440)係經微影圖案化的 輻射敏感材料層或感光性材料(諸如聚合物)層。在一個實例中，圖案化聚合物層(440)係SU-8。輻射敏感聚合物可為正型或負型敏感層。輻射暴露(例如，紫外光)可交聯及/或以其他方式顯現為難以移除輻射敏感聚合物層之暴露或未暴露部分。
在圖案化感光性聚合物層之後，層之數個部分可藉由化學、機械、電漿及/或其他方法移除以在晶粒(120)之上表面上產生聚合物圖案。圖案可包括微流體特徵或流體處置元件。舉例而言，圖案可包括通道以將流體導向至晶粒(120)的數個部分。圖案可包括標準化界面以與常見歧管(130)設計相互作用。圖案化聚合物層(440)可包括對準特徵。單一歧管設計(130)可與多種不同晶粒(120)設計一起使用。在另一實例中，多種歧管(130)設計與常見晶粒(120)設計一起使用以產生多種裝置(100)。藉由混合晶粒(120)與歧管(130)定製最終裝置的能力可減少庫存部件之數目與其相關成本。
在一個實例中，圖案化聚合物層(440)隨晶粒(120)之佔據面積共同延伸。在一個實例中，圖案化聚合物層(440)覆蓋少於晶粒(120)之頂面的全部。此可允許歧管(130)與晶粒(120)之間的直接流動。在第三實例中，圖案化聚合物層(440)延伸超出晶粒(120)在基板(110)之一部分上方的佔據面積。舉例而言，晶粒(120)可藉由基板(110)包覆模製，隨後晶粒(120)-基板(110)總成可具有形成於總成上方之圖案化聚合物層(440)。
圖5A及圖5B係符合所揭示實施之一裝置的截面圖及俯視圖。圖5A及圖5B展示具有晶粒(120)之裝置(100)。晶粒由基板(110) 包圍。晶粒(120)之上表面的一部分藉由圖案化聚合物層(440)覆蓋。在一個實例中，圖案化聚合物層(440)覆蓋晶粒(120)之上表面的全部。歧管(130)覆蓋圖案化聚合物層(440)的一部分及基板(110)的一部分。在一個實例中，圖案化聚合物層(440)延伸超出晶粒(120)之佔據面積且在基板(110)之一部分上方延伸。歧管之邊緣橫越圖案化聚合物層(440)與基板(110)之間的界面。歧管(130)中之通道的邊緣橫越圖案化聚合物層(440)與基板(110)之間的界面。
歧管(130)可包括用於收納流體的在歧管頂部或側面上之埠。埠可為金屬埠。埠可為陶瓷埠。埠可為聚合物埠。埠可包括一管路。歧管(130)可包括金屬、塑膠及/或陶瓷管路。埠可包括呂埃(luer)或類似配件。歧管可包括連接至圖案化聚合物層(440)之埠以將流體經由圖案化聚合物層(440)提供至晶粒(120)。歧管(130)在接觸基板(110)及圖案化聚合物層(440)的歧管之面中包括一通道。晶粒(120)與基板(110)之間的過渡區應為平滑的且連續性的，以使得穿過通道之流體被容納且不洩漏。
在一個實例中，晶粒(120)與基板(110)之間的平滑無間隙界面係圍繞晶粒(120)形成基板(110)的結果。此避免基板(110)與晶粒(120)之間的間隙或必須進行次要間隙填充操作。在一個實例中，基板(110)與晶粒(120)之間的無間隙界面藉由在基板(110)中鑄造晶粒(120)來達成。在另一實例中，無間隙界面藉由圍繞晶粒(120)包覆模製基板(110)來達成。在第三實例中，晶粒(120)與基板(110)之間的無間隙界面藉由圍繞晶粒(120)壓縮模製基板(110)來產生。
圖6係符合所揭示實施之一截面圖。圖展示由基板(110)包圍之晶粒(120)。黏著劑(550)已塗覆於歧管(130)與基板(110)之間。黏著劑(550)已塗覆於歧管(130)與晶粒(120)之間。黏著劑(550)尚未塗覆於歧管(130)之數個部分與晶粒(120)之間。在一些狀況下，黏著劑(550)可能不會塗覆於歧管(130)之一些部分與基板(110)之間
黏著劑(550)可為一元黏著劑。黏著劑(550)可為二元黏著劑。黏著劑可塗覆至歧管(130)。黏著劑(550)可塗覆至晶粒(120)。黏著劑(550)可塗覆至基板(110)。黏著劑(550)可為壓敏黏著劑。黏著劑(550)可為用紫外光可固化之黏著劑。黏著劑(550)可經熱固化。黏著劑(550)可在室溫下固化。
在一個實例中，黏著劑(550)作為固體塗覆，且隨後接合至鄰近表面。舉例而言，黏著劑可為環氧樹脂預成形體。黏著劑(550)可作為液體、糊狀物、漿料、乳液、凝膠、懸浮液及/或流體而塗覆。
在一個實例中，黏著劑(550)在晶粒(120)、基板(110)及/或歧管(130)之表面上圖案化。對準歧管(130)及晶粒(120)之表面與基板(110)之表面，且隨後使該等表面接觸。黏著劑可用於形成通道或類似流體處置組件之壁或其他部分。
圖7係符合所揭示實施之程序流程。程序流程展示所描述原理可如何實施的一實例。
左上隅角之第一影像展示晶粒(120)附著操作。晶粒(120)置放於臨時接合膠帶上。膠帶係在一載體上。載體可提供硬度。載體可促進處置及/或模製。膠帶可為雙面的。膠帶可經塑形以提供裝置(100)之所 需最終形狀。
右上隅角之第二影像展示基板(110)在晶粒(120)上方之壓縮模製。膠帶防止基板(110)浸潤晶粒(120)之特徵。壓縮模製可為鑄造操作。壓縮模製可為射出模製操作。圍繞晶粒(120)模製基板(110)提供晶粒(120)與基板(110)之間的光滑無間隙界面。膠帶可有助於使基板(110)與晶粒(120)之間的界面平滑及平齊。
左中影像展示載體及臨時接合膠帶之移除。臨時接合膠帶在高溫烘烤製程或UV照射情況下失去其黏著強度及/或黏性。基板(110)及晶粒(120)已被倒置且現面朝上。
右中影像展示將黏著劑(550)施配至基板(110)及晶粒(120)上。在一個實例中，黏著劑(550)作為較小滴及/或點施配。黏著劑塗覆至基板(110)及晶粒(120)之數個部分，且不塗覆至基板(110)及晶粒(120)的其他部分。
左下影像展示歧管(130)至基板(110)及晶粒(120)之附著。黏著劑將歧管(130)緊固至晶粒(120)及基板(110)。
圖8A及圖8B係符合所揭示實施之一裝置(100)的截面圖及俯視圖。裝置(100)包括包圍晶粒(120)之基板(110)。歧管(130)藉由襯墊(860)與基板(110)及晶粒(120)連接。
襯墊(860)可為將歧管(130)連接至基板(110)及晶粒(120)之可壓縮層。襯墊(860)可包括黏著劑(550)。襯墊(860)可自基板(110)及/或晶粒(120)可移除。
圖9A及圖9B係符合所揭示實施之一裝置(100)的截面圖 及俯視圖。裝置(100)包括包圍晶粒(120)之基板(110)。圖案化聚合物層(440)覆蓋晶粒(120)的一部分。歧管(130)藉由襯墊(860)與基板(110)及圖案化聚合物層(440)連接。
已呈現先前描述內容以說明及描述所描述原理之實例。此描述並不意欲為窮盡性的或將此等原理限於所揭示的任何精確形式。鑒於上述教示，許多修改及變化係可能的。

Claims (15)

  1. 一種用於量測來自流體樣本之參數的裝置，其包含：包含一微流體裝置之一晶粒；圍繞該晶粒形成之一聚合物基板；及一獨立的流體歧管，其在該晶粒上方且在該基板之與該晶粒相同之一側上附著至該聚合物基板，該歧管遞送流體至該晶粒。
  2. 如申請專利範圍第1項之裝置，其中該晶粒包含形成於薄膜電路上方之微米尺度的流體通路，所述流體通路將流體自該歧管傳達至該微流體裝置之組件。
  3. 如申請專利範圍第1項之裝置，其中該聚合物基板在無間隙的情況下圍繞該晶粒形成。
  4. 如申請專利範圍第1項之裝置，其中該晶粒之一頂面與該基板之一頂面共面。
  5. 如申請專利範圍第1項之裝置，其中該歧管由模製塑膠形成。
  6. 如申請專利範圍第1項之裝置，其中該歧管包含由一金屬、塑膠或陶瓷形成之一管路。
  7. 如申請專利範圍第1項之裝置，其進一步包含該晶粒與該歧管之間的微影圖案化材料的一微流體導引層，以將流體自該歧管導引至該晶粒中之該微流體裝置的相對應部分。
  8. 如申請專利範圍第1項之裝置，其中該歧管之至少一部分遠離該晶粒地附著至該基板，以使得自該歧管至該晶粒的一流體途徑包括該基板之一頂面的一部分，其作為該歧管與該晶粒之間的一流體界面之部分。
  9. 一種形成用於量測來自流體樣本之參數的一裝置之方法，該方法包含：在一半導體晶粒中形成一微流體裝置；圍繞該晶粒形成一聚合物基板；及在該晶粒上方將一獨立的歧管附著至該基板，該歧管提供通道以將流體傳導至該晶粒之該微流體裝置。
  10. 如申請專利範圍第9項之方法，其中該聚合物基板在無間隙的情況下包圍該晶粒。
  11. 如申請專利範圍第9項之方法，其中該聚合物基板之一頂面與該晶粒之一頂面共面。
  12. 如申請專利範圍第9項之方法，其進一步包含射出模製塑膠以形成該歧管。
  13. 如申請專利範圍第9項之方法，其進一步包含：將該半導體晶粒置放在支撐於一載體上的一釋放膠帶上；圍繞該晶粒模製該基板；在使該歧管附著至該基板之前移除該載體及該釋放膠帶。
  14. 如申請專利範圍第9項之方法，其進一步包含形成：該晶粒中之微米尺度的流體通路；及將該晶粒之所述微米尺度的流體通路與該歧管之毫米尺度的流體通道對準。
  15. 一種用於量測來自流體樣本之參數的裝置，其包含：包含一微流體裝置之一晶粒；一聚合物基板，其在該基板與該晶粒之間無任何間隙的情況下圍繞該晶粒而形成，其中該晶粒之一頂面與該聚合物基板之一頂面共面；及一獨立的流體歧管，其由塑膠、金屬或陶瓷形成且附著至該聚合物基板，該歧管包含流體通道以遞送流體至該晶粒之該微流體裝置。
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