TWI636269B

TWI636269B - 過溫度偵測電路及其測試方法

Info

Publication number: TWI636269B
Application number: TW106143103A
Authority: TW
Inventors: 王惠琪
Original assignee: 朋程科技股份有限公司
Priority date: 2017-12-08
Filing date: 2017-12-08
Publication date: 2018-09-21
Also published as: TW201925808A

Abstract

一種過溫度偵測電路及其測試方法。過溫度偵測電路的測試方法包括以下步驟。透過測試電路於第一溫度下提供測試電流至過溫度偵測電路的第一電路。透過第一電路反應於測試電流而產生第一電壓。透過過溫度偵測電路的比較電路將第一電壓與第二電壓進行比較以得到比較結果。透過測試電路根據比較結果判斷是否調整測試電流。透過測試電路根據比較結果及測試電流來估測過溫度偵測電路的過溫度偵測點，其中第一溫度不等於過溫度偵測點。

Description

過溫度偵測電路及其測試方法

本發明是有關於一種偵測電路，且特別是有關於一種過溫度偵測電路及其測試方法。

電子裝置的積體電路元件通常具有過溫度保護電路，其中過溫度保護電路可在電子裝置或積體電路元件的溫度達到過溫度偵測點時啟動保護機制，以避免電子裝置或積體電路元件因溫度過高而損壞甚或發生危險。由此可知，過溫度保護電路能否正常運作乃是事關重大。

一般來說，過溫度保護電路的過溫度偵測點通常都很高(例如車用調節器的過溫度偵測點通常設計在175℃左右)，若要對過溫度保護電路進行功能測試，勢必得採用高溫測試的方法方能測試其過溫度偵測點是否介於所設計的溫度範圍之內。然而，一般積體電路元件測試時所須使用的探針卡(probe card)可能無法承受極高溫，使得高溫測試有其難度。除此之外，若要對積體電路元件中的過溫度保護電路進行高溫測試，勢必得將積體電路元件加熱並維持在特定溫度之後方能進行測試工作，如此之測試方法將會增加整體的測試成本及測試時間。因此，如何降低過溫度保護電路的測試難度、測試成本及測試時間，乃是本領域技術人員所面臨的重大課題之一。

有鑑於此，本發明提供一種過溫度偵測電路及其測試方法，可在常溫之下測試過溫度偵測電路的功能，以降低過溫度偵測電路的測試難度、測試成本及測試時間。

本發明的過溫度偵測電路包括第一電路、比較電路以及測試電路。第一電路用以反應於環境溫度而產生第一電壓。比較電路耦接第一電路以接收第一電壓，且將第一電壓與第二電壓進行比較以產生比較結果，並據以指示環境溫度是否達到過溫度偵測點。測試電路耦接比較電路以接收比較結果，且於測試模式下提供測試電流至第一電路。測試電路於環境溫度為第一溫度下根據比較結果來判斷是否調整測試電流，致使第一電路反應於測試電流的變化而改變第一電壓。測試電路於第一溫度下根據比較結果及測試電流來估測過溫度偵測點，其中第一溫度不等於過溫度偵測點。

本發明的過溫度偵測電路的測試方法包括以下步驟。透過測試電路於第一溫度下提供測試電流至過溫度偵測電路的第一電路。透過第一電路反應於測試電流而產生第一電壓。透過過溫度偵測電路的比較電路將第一電壓與第二電壓進行比較以得到比較結果。透過測試電路根據比較結果判斷是否調整測試電流。透過測試電路根據比較結果及測試電流來估測過溫度偵測電路的過溫度偵測點，其中第一溫度不等於過溫度偵測點。

基於上述，本發明所提出的過溫度偵測電路及其測試方法，可在第一溫度(例如常溫)之下估測出過溫度偵測電路的過溫度偵測點。因此，相較於將過溫度偵測電路置於高溫環境中以測量其過溫度偵測點的測試方法，本發明實施例所提出的過溫度偵測電路及其測試方法可有效降低過溫度偵測電路的測試難度、測試成本及測試時間。

為讓本發明的上述特徵和優點能更明顯易懂，下文特舉實施例，並配合所附圖式作詳細說明如下。

100、200‧‧‧過溫度偵測電路

110‧‧‧第一電路

120‧‧‧第二電路

130‧‧‧比較電路

140‧‧‧偏壓電路

150‧‧‧測試電路

A、B‧‧‧點

CRST‧‧‧比較結果

Ibias‧‧‧偏壓電流

Ir1‧‧‧第一參考電流值

Ir2‧‧‧第二參考電流值

IRST‧‧‧判斷結果

Itst‧‧‧測試電流

L1、L1’、L2‧‧‧線段

OT‧‧‧過溫度偵測點

Q11、Q12、Q13‧‧‧第一電晶體

Q21、Q22、Q23、Q24‧‧‧第二電晶體

S400、S410、S420、S430、S440、S531、S532、S533、S534、S535、S641、S642、S643‧‧‧測試方法的步驟

T1‧‧‧第一溫度

TRST‧‧‧測試結果

V1‧‧‧第一電壓

V2‧‧‧第二電壓

下面的所附圖式是本發明的說明書的一部分，繪示了本發明的示例實施例，所附圖式與說明書的描述一起說明本發明的原理。

圖1是依照本發明一實施例所繪示的過溫度偵測電路的方塊示意圖。

圖2是依照本發明另一實施例所繪示的過溫度偵測電路的方塊示意圖。

圖3是圖2的第一電壓及第二電壓與環境溫度的關係示意圖。

圖4是依照本發明一實施例所繪示的測試方法的步驟流程圖。

圖5是依照本發明一實施例所繪示的圖4的步驟S430的細節步驟流程圖。

圖6是依照本發明一實施例所繪示的圖4的步驟S440的細節步驟流程圖。

為了使本發明的內容可以被更容易明瞭，以下特舉實施例做為本發明確實能夠據以實施的範例。另外，凡可能之處，在圖式及實施方式中使用相同標號的元件/構件，是代表相同或類似部件。

以下請參照圖1，圖1是依照本發明一實施例所繪示的過溫度偵測電路的方塊示意圖。過溫度偵測電路100可包括第一電路110、比較電路130以及測試電路150，但本發明並不以此為限。第一電路110用以反應於環境溫度而產生第一電壓V1。比較電路130耦接第一電路110以接收第一電壓V1，且將第一電壓V1與第二電壓V2進行比較以產生比較結果CRST，並據以指示環境溫度是否達到過溫度偵測點OT，以利外部電路可根據比較結果CRST來判斷是否啟動過溫度保護機制。在本發明的一實施例中，第二電壓V2可例如是固定電壓(即零溫度係數)或是負溫度係數電壓或是正溫度係數電壓，其端視實際應用或設計需求而定。

測試電路150耦接比較電路130以接收比較結果CRST，且於測試模式下可提供測試電流Itst至第一電路110以估測過溫度偵測點OT。更進一步來說，測試電路150可於環境溫度為第一溫度下根據比較結果CRST來判斷是否調整測試電流Itst，且第一電路110可反應於測試電流Itst的變化而改變第一電壓V1。除此之外，測試電路150可於第一溫度下根據比較結果CRST及測試電流Itst來估測過溫度偵測點OT，其中第一溫度不等於過溫度偵測點OT。在本發明的一實施例中，第一溫度可例如是常溫或室溫，但本發明不限於此。由於測試電路150可在第一溫度(例如常溫或室溫)下估測出過溫度偵測電路100的過溫度偵測點OT，因此無須將過溫度偵測電路100置於高溫環境中以測量其過溫度偵測點OT，故可有效降低過溫度偵測電路100的測試難度、測試成本及測試時間。

以下請參照圖2，圖2是依照本發明另一實施例所繪示的過溫度偵測電路的示意圖。溫度偵測電路200可包括第一電路110、第二電路120、比較電路130、偏壓電路140以及測試電路150，但本發明不限於此。圖2的第一電路110、比較電路130以及測試電路150分別類似於圖1的第一電路110、比較電路130以及測試電路150，故其運作可參考上述圖1的相關說明，在此不再贅述。

第二電路120耦接比較電路130。第二電路120可反應於環境溫度而產生第二電壓V2。偏壓電路140耦接第一電路110及第二電路120。偏壓電路140用以提供第一電路110及第二電路120運作所需的偏壓電流Ibias。

在本發明的一實施例中，第一電路110可包括X個第一電晶體，此X個第一電晶體的每一者可為雙載子接面電晶體(bipolar junction transistor，簡稱BJT)，其中X為正整數，但本發明不限於此。然而為了便於說明，在本實施例中以X等於3為範例進行說明，至於X為其他正整數的實施例則可依據以下的說明而類推得知。因此，如圖2所示，第一電路110包括三個第一電晶體Q11~Q13，其中第一電晶體Q11~Q13依序串接，且串接在接地端GND與偏壓電路140之間。詳細來說，第一電晶體Q11(為第一級第一電晶體)的射極端耦接接地端GND。第一電晶體Q11的基極端與集極端相耦接並耦接至第一電晶體Q12(為第二級第一電晶體)的射極端。第一電晶體Q12的基極端與集極端相耦接並耦接至第一電晶體Q13(為最後一級第一電晶體)的射極端。第一電晶體Q13的基極端與集極端相耦接並耦接至偏壓電路140及測試電路150以接收偏壓電流Ibias及測試電流Itst。

在本發明的一實施例中，第二電路120可包括Y個第二電晶體，此Y個第二電晶體的每一者可為雙載子接面電晶體，其中Y為正整數，但本發明不限於此。然而為了便於說明，在本實施例中以Y等於4為範例進行說明，至於Y為其他正整數的實施例則可依據以下的說明而類推得知。因此，如圖2所示，第二電路120包括四個第二電晶體Q21~Q24，其中第二電晶體Q21~Q24依序串接，且串接在接地端GND與偏壓電路140之間。詳細來說，第二電晶體Q21(為第一級第二電晶體)的射極端耦接接地端GND。第二電晶體Q21的基極端與集極端相耦接並耦接至第二電晶體Q22(為第二級第二電晶體)的射極端。第二電晶體Q22的基極端與集極端相耦接並耦接至第二電晶體Q23(為第三級第二電晶體)的射極端。第二電晶體Q23的基極端與集極端相耦接並耦接至第二電晶體Q24(為最後一級第二電晶體)的射極端。第二電晶體Q24的基極端與集極端相耦接並耦接至偏壓電路140以接收偏壓電流Ibias。

在本發明的一實施例中，圖2所示的第一電晶體Q11~Q13的尺寸可彼此相同也可彼此不同，端視實際應用或設計需求而定。在本發明的一實施例中，圖2所示的第二電晶體Q21~Q24的尺寸可彼此相同也可彼此不同，端視實際應用或設計需求而定。

在本發明的一實施例中，圖2所示的第一電晶體Q11~Q13及第二電晶體Q21~Q24也可採用金氧半場效電晶體(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor，簡稱MOSFET)來實現，但本發明並不以此為限。

在本發明的一實施例中，圖2所示的第一電晶體Q11~Q13及第二電晶體Q21~Q24也可採用二極體(diode)來取代，但本發明並不以此為限。

在本發明的一實施例中，偏壓電路140可採用電流源電路來實現，但本發明並不以此為限。

在本發明的一實施例中，測試電路150可以是硬體、韌體或是儲存在記憶體而由微處理器或是微控制器所載入執行的軟體或機器可執行程式碼。若是採用硬體來實現，則測試電路150可以是由單一整合電路晶片所達成，也可以由多個電路晶片所完成，但本發明並不以此為限制。上述多個電路晶片或單一整合電路晶片可採用特殊功能積體電路(ASIC)或可程式化邏輯閘陣列(FPGA)來實現。而上述記憶體可以是例如隨機存取記憶體、唯讀記憶體或是快閃記憶體等等。

以下將針對過溫度偵測電路200的測試進行說明。為了便於說明，以下假設第一電晶體Q11~Q13的尺寸皆相同，第二電晶體Q21~Q24的尺寸皆相同，且第二電晶體Q21~Q24的每一者的射極面積是第一電晶體Q11~Q13的每一者的射極面積的M倍，其中M為正數。請合併參照圖2及圖3，圖3是圖2的第一電壓V1及第二電壓V2與環境溫度的關係示意圖，其中線段L1為正常模式下的第一電壓V1與環境溫度的關係，線段L2為正常模式或測試模式下的第二電壓V2與環境溫度的關係，而線段L1’為測試模式下經調整測試電流Itst後所得到的第一電壓V1與環境溫度的關係。

詳細來說，根據圖2可知，第一電壓V1可根據第一電晶體Q11~Q13的每一者的基極-射極電壓(base-emitter voltage)VBE1以及第一電晶體Q11~Q13的數量X來決定，亦即V1=X×VBE1。由於基極-射極電壓VBE1為負溫度係數的電壓，因此第一電壓V1亦為負溫度係數的電壓，如圖3的線段L1(或線段L1’)所示。另外，根據雙載子接面電晶體在主動模式下的電流電壓公式即可得到如式(1)所示的第一電壓V1，其中NF為順向模式理想因子(forward mode ideality factor)，VT為熱電壓(Thermal Voltage)，IS為第一電晶體Q11~Q13的飽和電流，N為測試電流Itst與偏壓電流Ibias之總和與偏壓電流Ibias的比值。

類似地，第二電壓V2可根據第二電晶體Q21~Q24的每一者的基極-射極電壓VBE2以及第二電晶體Q21~Q24的數量來決定，亦即V2=Y×VBE2。由於基極-射極電壓VBE2為負溫度係數的電壓，因此第二電壓V2亦為負溫度係數的電壓，如圖3的線段L2所示。另外，根據雙載子接面電晶體在主動模式下的電流電壓公式即可得到如式(2)所示的第二電壓V2。將式(2)與式(1)進行減法運算，即可得到第二電壓V2與第一電壓V1的電壓差值Vd，如式(3)所示。而電壓差值Vd的溫度系數△Vd可根據式(4)來計算，其中Tk為絕對溫度。

詳細來說，於正常模式下，測試電路150為禁能狀態(亦即測試電流Itst為0或是比值N為1)，當環境溫度上升至大於或等於過溫度偵測點OT時，第二電壓V2小於或等於第一電壓V1，致使比較電路120的輸出(即比較結果CRST)發生轉態(例如由邏輯0轉變為邏輯1)，如圖3的點A所示。

相對地，於測試模式下，測試電路150為致能狀態。為了在第一溫度T1下估測出過溫度偵測點OT，測試電路150可藉由提供並調整測試電流Itst(亦即調整比值N)，以讓第一電路110反應於測試電流Itst的改變而輸出改變後的第一電壓V1(如圖3的線段L1’所示)，致使第二電壓V2於第一溫度T1時小於或等於改變後的第一電壓V1，如圖3的點B所示。而測試電路150後續則可根據測試電流Itst的大小來估測過溫度偵測點OT。

舉例來說，在此假設順向模式理想因子NF為1.06，偏壓電流Ibias為4微安培(uA)，數量Y為4，數量X為3，比值M為4，飽和電流IS為0.6飛安培(fA)，且熱電壓VT於攝度0℃時為23.55毫伏(mV)。於正常模式下(亦即比值N為1)，將比值N為1以及上述各參數代入式(3)及式(4)，則可分別得到於攝度0℃下的電壓差值Vd約為0.426V以及溫度系數△Vd約為-2.43mV/℃。因此於正常模式下，電壓差值Vd降至0V的溫度約為175℃(亦即0.426V÷2.43mV/℃≒175℃)，換句話說，過溫度偵測電路200的過溫度偵測點OT約為175℃。

另一方面，於測試模式下，在測試電流Itst被調整以使比值N為80的情況下，將比值N為80以及上述各參數代入式(3)及式(4)，則可分別得到於攝度0℃下的電壓差值Vd約為0.098V以及溫度系數△Vd約為-3.63mV/℃，故電壓差值Vd降至0V的溫度約為27℃(亦即0.098V÷3.63mV/℃≒27℃)。因此，在環境溫度為27℃的情況下，可將測試模式下的比值N為80對應至正常模式下的過溫度偵測點OT為175℃。

由此可知，設計者可於環境溫度為27℃下，預先對具有不同過溫度偵測點OT的過溫度偵測電路進行測試以得到對應的比值N，並據以建立一查找表。如此一來，當在環境溫度為27℃下對過溫度偵測電路200進行量產測試時，測試電路150可根據測試電流Itst的大小來計算出比值N，並於上述查找表中查找出對應於比值N的過溫度偵測點OT。

以下請合併參照圖2~圖4，圖4是依照本發明一實施例所繪示的測試方法的步驟流程圖，可用於圖2的過溫度偵測電路200(或圖1的過溫度偵測電路100)。首先，於步驟S400中，可透過測試電路150於第一溫度T1下提供測試電流Itst至第一電路110。接著，於步驟S410中，可透過第一電路110反應於測試電流Itst而產生第一電壓V1。然後，於步驟S420中，可透過比較電路130將第一電壓V1與第二電壓V2進行比較以得到比較結果CRST。接著，於步驟S430中，可透過測試電路150根據比較結果CRST判斷是否調整測試電流Itst。之後，於步驟S440中，可透過測試電路150根據比較結果CRST及測試電流Itst來估測過溫度偵測電路200的過溫度偵測點OT。

以下針對步驟S430的細節進行說明。如圖5所示，步驟S430可包括以下細節步驟。於步驟S531中，根據比較結果CRST判斷第二電壓V2與第一電壓V1的電壓差值Vd是否小於或等於零。若步驟S531的判斷結果為否，則判斷測試電流Itst是否大於或等於一臨界電流值，如步驟S533所示。若步驟S533的判斷結果為是，表示測試電路150所能提供的測試電流Itst已達極限但仍無法估測出過溫度偵測點OT，故可透過測試電路150輸出測試結果TRST以指示過溫度偵測電路200為異常(亦即不良品)，如步驟S534所示，且在步驟S534之後結束此次測試。相對地，若步驟S533的判斷結果為否，則可透過測試電路150將測試電流Itst調升一預設幅度，如步驟S535所示，且在步驟S535完成之後，重新回到步驟S410。

另外，若步驟S531的判斷結果為是，則停止調整測試電流Itst，如步驟S532所示，並於步驟S532之後執行步驟S440，亦即根據此時的測試電流Itst的大小來估測過溫度偵測點OT。

在本發明的一實施例中，步驟S440可包括以下細節步驟：透過測試電路150根據測試電流Itst的大小來計算出比值N，並於查找表中查找出對應於比值N的過溫度偵測點OT，但本發明不限於此。

在本發明的另一實施例中，也可根據測試電流Itst與第一參考電流值Ir1以及第二參考電流值Ir2的大小關係，來估測過溫度偵測點OT是否位於一溫度範圍之內，從而判斷過溫度偵測電路200是否正常，其中上述溫度範圍可依實際應用或設計需求來設定。詳細來說，如圖6所示，步驟S440可包括以下細節步驟。首先，於步驟S641中，可判斷測試電流Itst是否大於第二參考電流值Ir2且小於第一參考電流值Ir1，以取得判斷結果IRST，其中第一參考電流值Ir1大於第二參考電流值Ir2，第一參考電流值Ir1對應於上述溫度範圍的上限溫度值，且第二參考電流值Ir2對應於上述溫度範圍的下限溫度值。若步驟S641的判斷結果IRST為是，表示過溫度偵測點OT位於上述溫度範圍內，故可透過測試電路150輸出測試結果TRST以指示過溫度偵測電路200為正常(亦即良品)，如步驟S642所示，並在步驟S642之後結束此次測試。相對地，若步驟S641的判斷結果IRST為否，表示過溫度偵測點OT位於上述溫度範圍之外，故可透過測試電路150輸出測試結果TRST以指示過溫度偵測電路200為異常(亦即不良品)，如步驟S643所示，並在步驟S643之後結束此次測試。

舉例來說，在測試過程中，假設過溫度偵測電路200的過溫度偵測點OT位於170℃至180℃之間將被認定為良品，而低於170℃或高於180℃將被認定為不良品，其中對應於180℃(或第一參考電流值Ir1)的比值N為40，且對應於170℃(或第二參考電流值Ir2)的比值N為30。於上述情況下，若步驟S440中的測試電流Itst所對應的比值N為30~40中的任一數值，則測試電路150可判斷過溫度偵測電路200的過溫度偵測點OT是位於170℃至 180℃之間而認定溫度偵測電路200為良品。若步驟S440中的測試電流Itst所對應的比值N不為30~40中的任一數值，則測試電路150可判斷過溫度偵測電路200的過溫度偵測點OT是低於170℃或高於180℃而認定溫度偵測電路200為不良品。

值得一提的是，圖2的第一電晶體Q11~Q13中的任一者發生短路或斷路，或是第二電晶體Q21~Q24中的任一者發生短路或斷路，皆有可能會讓過溫度偵測電路200的過溫度偵測點OT落在上述溫度範圍之外。因此，透過本發明的上述測試方法，不僅可測試出過溫度偵測點OT是否過高或過低，還可測試第一電晶體Q11~Q13或第二電晶體Q21~Q24是否發生短路或斷路。

綜上所述，本發明實施例所提出的過溫度偵測電路及其測試方法，可在第一溫度(例如常溫)之下估測出過溫度偵測電路的過溫度偵測點，並據以測試過溫度偵測電路的功能是否正常。因此，相較於將過溫度偵測電路置於高溫環境中以測量其過溫度偵測點的測試方法，本發明實施例所提出的過溫度偵測電路及其測試方法可有效降低過溫度偵測電路的測試難度、測試成本及測試時間。

雖然本發明已以實施例揭露如上，然其並非用以限定本發明，任何所屬技術領域中具有通常知識者，在不脫離本發明的精神和範圍內，當可作些許的更動與潤飾，故本發明的保護範圍當視後附的申請專利範圍所界定者為準。

Claims

一種過溫度偵測電路，包括：一第一電路，用以反應於一環境溫度而產生一第一電壓；一比較電路，耦接該第一電路以接收該第一電壓，且將該第一電壓與一第二電壓進行比較以產生一比較結果，並據以指示該環境溫度是否達到一過溫度偵測點；以及一測試電路，耦接該比較電路以接收該比較結果，且於一測試模式下提供一測試電流至該第一電路，其中該測試電路於該環境溫度為一第一溫度下根據該比較結果來判斷是否調整該測試電流，致使該第一電路反應於該測試電流的變化而改變該第一電壓，且該測試電路於該第一溫度下根據該比較結果及該測試電流來估測該過溫度偵測點，其中該第一溫度不等於該過溫度偵測點。
如申請專利範圍第1項所述的過溫度偵測電路，其中於該測試模式及該第一溫度下：當該比較結果表示該第二電壓與該第一電壓之間的一電壓差值小於或等於零時，該測試電路停止調整該測試電流，且測試電路根據該測試電流來估測該過溫度偵測點，當該比較結果表示該電壓差值大於零時，該測試電路判斷該測試電流是否大於或等於一臨界電流值，若該測試電流大於或等於該臨界電流值，該測試電路輸出一測試結果以指示該過溫度偵測電路為異常，若該測試電流小於該臨界電流值，該測試電路將該測試電流調升一預設幅度。
如申請專利範圍第2項所述的過溫度偵測電路，其中：當該比較結果表示該電壓差值小於或等於零時，該測試電路於一查找表中查找出對應於該測試電流的一溫度值而得到該過溫度偵測點。
如申請專利範圍第1項所述的過溫度偵測電路，其中於該測試模式及該第一溫度下：當該比較結果表示該第二電壓與該第一電壓之間的一電壓差值小於或等於零時，該測試電路根據該測試電流與一第一參考電流值以及一第二參考電流值的大小關係，來估測該過溫度偵測點是否位於一溫度範圍內以及判斷該過溫度偵測電路是否正常。
如申請專利範圍第4項所述的過溫度偵測電路，其中：該測試電路判斷該測試電流是否大於該第二參考電流值且小於該第一參考電流值，以取得一判斷結果，其中該第一參考電流值大於該第二參考電流值，該第一參考電流值對應於該溫度範圍的一上限溫度值，且該第二參考電流值對應於該溫度範圍的一下限溫度值，若該判斷結果為是，該測試電路判斷該過溫度偵測點位於該溫度範圍內，並輸出一測試結果以指示該過溫度偵測電路為正常；以及若該判斷結果為否，該測試電路判斷該過溫度偵測點位於該溫度範圍外，並輸出該測試結果以指示該過溫度偵測電路為異常。
如申請專利範圍第1項所述的過溫度偵測電路，更包括：一第二電路，耦接該比較電路，用以反應於該環境溫度而產生該第二電壓；以及一偏壓電路，耦接該第一電路及該第二電路，用以提供該第一電路及該第二電路運作所需的一偏壓電流。
如申請專利範圍第6項所述的過溫度偵測電路，其中：該第一電路包括X個第一電晶體，該X個第一電晶體的每一者為雙載子接面電晶體，該X個第一電晶體依序串接，且串接在一接地端與該偏壓電路之間，其中該X個第一電晶體中的第一級第一電晶體的射極端耦接該接地端，該X個第一電晶體中除了最後一級第一電晶體之外的每一級第一電晶體的基極端與集極端相耦接並耦接至下一級第一電晶體的射極端，且該X個第一電晶體中的該最後一級第一電晶體的基極端與集極端相耦接並耦接至該偏壓電路及該測試電路，其中X為正整數；以及該第二電路包括Y個第二電晶體，該Y個第二電晶體的每一者為雙載子接面電晶體，該Y個第二電晶體依序串接，且串接在該接地端與該偏壓電路之間，其中該Y個第二電晶體中的第一級第二電晶體的射極端耦接該接地端，該Y個第二電晶體中除了最後一級第二電晶體之外的每一級第二電晶體的基極端與集極端相耦接並耦接至下一級第二電晶體的射極端，且該Y個第二電晶體中的該最後一級第二電晶體的基極端與集極端相耦接並耦接至該偏壓電路，其中Y為正整數。
如申請專利範圍第7項所述的過溫度偵測電路，其中：該第二電壓與該第一電壓之間的電壓差值依據下式決定：，，其中 Vd為該電壓差值， NF為順向模式理想因子， VT為熱電壓， Ibias為該偏壓電流， IS為該第一電晶體的飽和電流， M為該第二電晶體的射極面積與該第一電晶體的射極面積的比值， N為該測試電流與該偏壓電流之和與該偏壓電流的比值。
一種過溫度偵測電路的測試方法，包括：透過一測試電路於一第一溫度下提供一測試電流至該過溫度偵測電路的一第一電路；透過該第一電路反應於該測試電流而產生一第一電壓；透過該過溫度偵測電路的一比較電路將該第一電壓與一第二電壓進行比較以得到一比較結果；透過該測試電路根據該比較結果判斷是否調整該測試電流；以及透過該測試電路根據該比較結果及該測試電流來估測該過溫度偵測電路的一過溫度偵測點，其中該第一溫度不等於該過溫度偵測點。
如申請專利範圍第9項所述的測試方法，其中所述透過該測試電路根據該比較結果判斷是否調整該測試電流的步驟包括：當該比較結果表示該第二電壓與該第一電壓之間的一電壓差值小於或等於零時，停止調整該測試電流；當該比較結果表示該電壓差值大於零時，判斷該測試電流是否大於或等於一臨界電流值；若該測試電流大於或等於該臨界電流值，則指示該過溫度偵測電路為異常；以及若該測試電流小於該臨界電流值，則將該測試電流調升一預設幅度。
如申請專利範圍第9項所述的測試方法，其中所述根據該比較結果及該測試電流來估測該過溫度偵測點的步驟包括：當該比較結果表示該第二電壓與該第一電壓之間的一電壓差值小於或等於零時，透過該測試電路於一查找表中查找出對應於該測試電流的一溫度值而得到該過溫度偵測點。
如申請專利範圍第9項所述的測試方法，其中所述根據該比較結果及該測試電流來估測該過溫度偵測點的步驟包括：當該比較結果表示該第二電壓與該第一電壓之間的一電壓差值小於或等於零時，透過該測試電路根據該測試電流與一第一參考電流值以及一第二參考電流值的大小關係，來估測該過溫度偵測點是否位於一溫度範圍內以及判斷該過溫度偵測電路是否正常。
如申請專利範圍第12項所述的測試方法，其中所述根據該測試電流與該第一參考電流值以及該第二參考電流值的大小關係，來估測該過溫度偵測點是否位於該溫度範圍內以及判斷該過溫度偵測電路是否正常的步驟包括：透過該測試電路判斷該測試電流是否大於該第二參考電流值且小於該第一參考電流值，以取得一判斷結果，其中該第一參考電流值大於該第二參考電流值，該第一參考電流值對應於該溫度範圍的一上限溫度值，且該第二參考電流值對應於該溫度範圍的一下限溫度值；若該判斷結果為是，該過溫度偵測點位於該溫度範圍內，並透過該測試電路指示該過溫度偵測電路為正常；以及若該判斷結果為否，該過溫度偵測點位於該溫度範圍外，並透過該測試電路指示該過溫度偵測電路為異常。