TWI634656B - Ｏｌｅｄ顯示面板以及ｏｌｅｄ顯示面板的製造方法 - Google Patents

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Abstract

一種OLED顯示面板以及OLED顯示面板的製造方法，包括掃描線、資料線和電源線VDD，該掃描線和資料線定義以矩陣方式排列的多個像素組，每個像素組內具有兩個子像素，同一像素組內的兩個子像素連接同一電源線VDD並沿該電源線VDD鏡像排列，且同一像素組內的兩個子像素各自連接的資料線位於不同結構層上。一方面，可有效減少資料線之間發生短路的機率，且大幅度消除資料線之間的串擾；另一方面，也可基於現有設備和技藝條件縮小像素面積，提升OLED顯示面板的PPI，提高OLED顯示面板的解析度。

Description

OLED顯示面板以及OLED顯示面板的製造方法
本發明有關於顯示器技術領域，特別有關於一種OLED顯示面板以及OLED顯示面板的製造方法。
隨著資訊社會的發展，人們對顯示裝置的需求日益增長。為了滿足這種要求，各種平板顯示裝置如薄膜電晶體液晶顯示器(TFT-LCD)、等離子體顯示器(PDP)、有機發光二極體(OLED)顯示器都得到迅速的發展。在這些平板顯示裝置當中，OLED顯示器由於具有主動發光、對比度高、回應速度快、輕薄等諸多優點，正在逐步佔據平板顯示的主導地位。目前，OLED顯示器已經廣泛應用於手機、電視、電腦以及智慧手錶等各種高性能顯示領域中。
圖1為傳統的OLED顯示面板的像素電路圖。如圖1所示，在現有的OLED顯示面板中，最基本的像素電路包括開關電晶體T1、驅動電晶體T2和儲存電容Cs，該開關電晶體T1的閘極與掃描線Sn連接，該開關電晶體T1的源極與資料線Dm連接，該開關電晶體T1的汲極、驅動電晶體T2的閘極和儲存電容Cs的第一極板均連接於節點N1，該驅動電晶體T2的源極和儲存電容Cs的第二極板均與第一電源VDD連接，該驅動電晶體T2的汲極與該有機發光二極體OLED的陽極連接，該有機發光二極體OLED的陰極與第二電源VSS連接。藉由掃描線Sn打開該開關電晶體T1時， 資料線Dm提供的資料電壓經由該開關電晶體T1儲存到儲存電容Cs，從而控制該驅動電晶體T2產生電流，以驅動該有機發光二極體OLED發光。
隨著生活水準的不斷提高和生產力水準的日益改進，市場對高清晰、高解析度產品的追求也越來越迫切。然而，傳統的OLED顯示面板的解析度一般在250PPI以下(PPI表示每英寸所擁有的像素數目，PPI數值越高，代表顯示器能夠以越高的像素密度顯示圖像)，已經無法滿足人們對於高解析度顯示器的追求。這是因為解析度的提高要求同層間距比如相鄰資料線之間的距離縮小，然而目前的OLED中相鄰的像素單元的資料線通常設置在同一結構層上，基於現有的技藝條件(比如光蝕刻機的曝光限制)，很難進一步縮小相鄰資料線之間的距離，從而導致OLED顯示面板的解析度難以提高。除了光蝕刻機的曝光限制之外，資料線串擾和資料線短路也是生產高解析度的OLED必須解決的技術難題。資料線串擾是指兩條資料線之間的耦合，兩條資料線之間的互感和互容會引起資料線出現雜訊，研究發現，兩條資料線上電流強度相同時，兩條資料線間的距離越近，彼此之間的串擾效應越明顯。資料線短路是指兩條資料線之間彼此相連，使像素電極無法接收到正常信號而產生不良。在相同技藝條件下，兩條資料線間的距離越近，彼此之間發生短路的機率越大。
本發明的目的在於解決現有的有機發光顯示器的解析度低的問題。
本發明的另一目的在於消除有機發光顯示器的資料 線之間的串擾和短路現象。
為解決上述技術問題，本發明提供一種OLED顯示面板，包括形成於一基板上的掃描線、資料線和電源線，該掃描線和資料線定義以矩陣方式排列的多個像素組，每個像素組內具有兩個子像素，同一像素組內的兩個子像素連接同一電源線並沿該電源線鏡像排列，且同一像素組內的兩個子像素各自連接的資料線位於不同結構層上。
可選的，在所述的OLED顯示面板中，每個像素組內的兩個子像素分別為第一子像素和第二子像素，該第一子像素包括第一儲存電容，該第二子像素包括第二儲存電容。
可選的，在所述的OLED顯示面板中，該第一儲存電容的上極板和第二儲存電容的上極板位於不同結構層上。
可選的，在所述的OLED顯示面板中，該第一子像素還包括第一開關電晶體和第一驅動電晶體，該第二子像素還包括第二開關電晶體和第二驅動電晶體，該第一開關電晶體的源極連接第一資料線，該第二開關電晶體的源極連接第二資料線，該第一資料線、第二資料線和電源線相互平行，該掃描線與該電源線相互垂直，並且，該第一資料線和第二資料線、該第一儲存電容和第二儲存電容、該第一開關電晶體和第二開關電晶體、該第一驅動電晶體和第二驅動電晶體均沿該電源線鏡像對稱。
可選的，在所述的OLED顯示面板中，具體包括：矽島，形成於該基板上，用以作為該第一開關電晶體、第一驅動電晶體、第二開關電晶體以及第二驅動電晶體的主動層；閘絕緣層和第一通孔，該閘絕緣層形成於該基板和矽島上，該 第一通孔用於導通該第一開關電晶體的汲極和第一儲存電容的下極板以及該第二開關電晶體的汲極和該第二儲存電容的下極板；圖案化的第一金屬層，形成於該閘絕緣層上，用以作為掃描線、第一儲存電容的下極板、第二儲存電容的下極板、第一開關電晶體的閘極、第一驅動電晶體的閘極、第二開關電晶體的閘極和第二驅動電晶體的閘極；第一層間絕緣層和第二通孔，該第一層間絕緣層形成於該閘絕緣層以及圖案化的第一金屬層上，該第二通孔用於導通該第一資料線和第一開關電晶體的源極；圖案化的第二金屬層，形成於該第一層間絕緣層上，用以作為該第一資料線、第一開關電晶體的源極和第二儲存電容的上極板；第二層間絕緣層和第三通孔，該第二層間絕緣層形成於該第一層間絕緣層以及圖案化的第二金屬層上，該第三通孔用於導通第二資料線和第二開關電晶體的源極；圖案化的第三金屬層，形成於該第二層間絕緣層上，用以作為第二資料線、第二開關電晶體的源極和第一儲存電容的上極板；第三層間絕緣層和第四通孔，該第三層間絕緣層形成於該第二層間絕緣層以及圖案化的第三金屬層上，該第四通孔用於導通第一驅動電晶體的源極和汲極、第二驅動電晶體的源極和汲極、電源線、第一儲存電容的上極板以及第二儲存電容的上極板；圖案化的第四金屬層，形成於該第三層間絕緣層上，用以作為第一驅動電晶體的源極和汲極、第二驅動電晶體的源極和汲極、電源線；鈍化絕緣層和接觸孔，該鈍化絕緣層形成於該第三層間絕緣層 以及圖案化的第四金屬層上，該接觸孔用於導通該第一驅動電晶體的汲極與第一有機發光二極體的陽極、該第二驅動電晶體的汲極與第二有機發光二極體的陽極。
可選的，在所述的OLED顯示面板中，還包括一開口，該開口貫穿該第二層間絕緣層並正對該第一儲存電容的下極板。
可選的，在所述的OLED顯示面板中，該第一儲存電容的上極板和第二儲存電容的上極板位於相同結構層上。
可選的，在所述的OLED顯示面板中，具體包括：矽島，形成於該基板上，用以作為該第一開關電晶體、第一驅動電晶體、第二開關電晶體以及第二驅動電晶體的主動層；閘絕緣層和第一通孔，該閘絕緣層形成於該基板和矽島上，該第一通孔用於導通該第一開關電晶體的汲極和第一儲存電容的下極板以及該第二開關電晶體的汲極和該第二儲存電容的下極板；圖案化的第一金屬層，形成於該閘絕緣層上，用以作為掃描線、第一儲存電容的下極板、第二儲存電容的下極板、第一開關電晶體的閘極、第一驅動電晶體的閘極、第二開關電晶體的閘極和第二驅動電晶體的閘極；第一層間絕緣層和第二通孔，該第一層間絕緣層形成於該閘絕緣層以及圖案化的第一金屬層上，該第二通孔用於導通該第一資料線和第一開關電晶體的源極；圖案化的第二金屬層，形成於該第一層間絕緣層上，用以作為該第一資料線、第一開關電晶體的源極、第一儲存電容的上極板和第二儲存電容的上極板； 第二層間絕緣層和第三通孔，該第二層間絕緣層形成於該第一層間絕緣層以及圖案化的第二金屬層上，該第三通孔用於導通第二資料線和第二開關電晶體的源極；圖案化的第三金屬層，形成於該第二層間絕緣層上，用以作為第二資料線和第二開關電晶體的源極；第三層間絕緣層和第四通孔，該第三層間絕緣層形成於該第二層間絕緣層以及圖案化的第三金屬層上，該第四通孔用於導通第一驅動電晶體的源極和汲極、第二驅動電晶體的源極和汲極、電源線、第一儲存電容的上極板以及第二儲存電容的上極板；圖案化的第四金屬層，形成於該第三層間絕緣層上，用以作為第一驅動電晶體的源極和汲極、第二驅動電晶體的源極和汲極、電源線；鈍化絕緣層和接觸孔，該鈍化絕緣層形成於該第三層間絕緣層以及圖案化的第四金屬層上，該接觸孔用於導通該第一驅動電晶體的汲極與第一有機發光二極體的陽極以及該第二驅動電晶體的汲極與第二有機發光二極體的陽極。
本發明還提供一種OLED顯示面板的製造方法，包括：在一基板上形成掃描線、資料線、電源線、由該掃描線和資料線定義以矩陣方式排列的多個像素組；其中，每個像素組內具有兩個子像素，同一像素組內的兩個子像素連接同一電源線並沿該電源線鏡像排列，且同一像素組內的兩個子像素各自連接的資料線位於不同結構層上。
可選的，在所述的OLED顯示面板的製造方法中，每 個像素組內的兩個子像素分別為第一子像素和第二子像素，該第一子像素包括第一儲存電容，該第二子像素包括第二儲存電容，該第一儲存電容的上極板和第二儲存電容的上極板位於不同結構層上，藉由兩次技藝形成。
可選的，在所述的OLED顯示面板的製造方法中，該第一子像素還包括第一開關電晶體和第一驅動電晶體，該第二子像素還包括第二開關電晶體和第二驅動電晶體，該第一開關電晶體的源極連接第一資料線，該第二開關電晶體的源極連接第二資料線，該第一資料線、第二資料線和電源線相互平行，該掃描線與該電源線相互垂直，並且，該第一資料線和第二資料線、該第一儲存電容和第二儲存電容、該第一開關電晶體和第二開關電晶體、該第一驅動電晶體和第二驅動電晶體均沿該電源線鏡像對稱。
可選的，在所述的OLED顯示面板的製造方法中，該OLED顯示面板具體藉由如下步驟形成：形成矽島，該矽島用以作為該第一開關電晶體、第一驅動電晶體、第二開關電晶體以及第二驅動電晶體的主動層；形成閘絕緣層和第一通孔，該閘絕緣層形成於該基板和矽島上，該第一通孔用於導通該第一開關電晶體的汲極和第一儲存電容的下極板以及該第二開關電晶體的汲極和該第二儲存電容的下極板；形成圖案化的第一金屬層，圖案化的第一金屬層形成於該閘絕緣層上，用以作為掃描線、第一儲存電容的下極板、第二儲存電容的下極板、第一開關電晶體的閘極、第一驅動電晶體的閘極、第二開關電晶體的閘極和第二驅動電晶體的閘極； 形成第一層間絕緣層和第二通孔，該第一層間絕緣層形成於該閘絕緣層以及圖案化的第一金屬層上，該第二通孔用於導通該第一資料線和第一開關電晶體的源極；形成圖案化的第二金屬層，圖案化的第二金屬層形成於該第一層間絕緣層上，用以作為該第一資料線、第一開關電晶體的源極和第二儲存電容的上極板；形成第二層間絕緣層和第三通孔，該第二層間絕緣層形成於該第一層間絕緣層以及圖案化的第二金屬層上，該第三通孔用於導通第二資料線和第二開關電晶體的源極；形成圖案化的第三金屬層，圖案化的第三金屬層形成於該第二層間絕緣層上，用以作為第二資料線、第二開關電晶體的源極和第一儲存電容的上極板；形成第三層間絕緣層和第四通孔，該第三層間絕緣層形成於該第二層間絕緣層以及圖案化的第三金屬層上，該第四通孔用於導通第一驅動電晶體的源極和汲極、第二驅動電晶體的源極和汲極、電源線、第一儲存電容的上極板以及第二儲存電容的上極板；形成圖案化的第四金屬層，圖案化的第四金屬層形成於該第三層間絕緣層上，用以作為第一驅動電晶體的源極和汲極、第二驅動電晶體的源極和汲極、電源線；鈍化絕緣層和接觸孔，該鈍化絕緣層形成於該第三層間絕緣層以及圖案化的第四金屬層上，該接觸孔用於導通該第一驅動電晶體的汲極與第一有機發光二極體的陽極以及該第二驅動電晶體的汲極與第二有機發光二極體的陽極。
可選的，在所述的OLED顯示面板的製造方法中，形 成該第二層間絕緣層之後，還形成一貫穿該第二層間絕緣層的開口，該開口正對該第一儲存電容的下極板。
可選的，在所述的OLED顯示面板的製造方法中，該第一儲存電容的上極板和第二儲存電容的上極板位於同一結構層上，藉由一次技藝形成。
可選的，在所述的OLED顯示面板的製造方法中，該OLED顯示面板具體藉由如下步驟形成：形成矽島，該矽島形成於該基板上，用以作為該第一開關電晶體、第一驅動電晶體、第二開關電晶體以及第二驅動電晶體的主動層；形成閘絕緣層和第一通孔，該閘絕緣層形成於該基板和矽島上，該第一通孔用於導通該第一開關電晶體的汲極和第一儲存電容的下極板以及該第二開關電晶體的汲極和該第二儲存電容的下極板；形成圖案化的第一金屬層，圖案化的第一金屬層形成於該閘絕緣層上，用以作為掃描線、第一儲存電容的下極板、第二儲存電容的下極板、第一開關電晶體的閘極、第一驅動電晶體的閘極、第二開關電晶體的閘極和第二驅動電晶體的閘極；形成第一層間絕緣層和第二通孔，該第一層間絕緣層形成於該閘絕緣層以及圖案化的第一金屬層上，該第二通孔用於導通該第一資料線和第一開關電晶體的源極；形成圖案化的第二金屬層，圖案化的第二金屬層形成於該第一層間絕緣層上，用以作為該第一資料線、第一開關電晶體的源極、第一儲存電容的上極板和第二儲存電容的上極板； 形成第二層間絕緣層和第三通孔，該第二層間絕緣層形成於該第一層間絕緣層以及圖案化的第二金屬層上，該第三通孔用於導通第二資料線和第二開關電晶體的源極；形成圖案化的第三金屬層，圖案化的第三金屬層形成於該第二層間絕緣層上，用以作為第二資料線和第二開關電晶體的源極；形成第三層間絕緣層和第四通孔，該第三層間絕緣層形成於該第二層間絕緣層以及圖案化的第三金屬層上，該第四通孔用於導通第一驅動電晶體的源極和汲極、第二驅動電晶體的源極和汲極、電源線、第一儲存電容的上極板以及第二儲存電容的上極板；形成圖案化的第四金屬層，圖案化的第四金屬層形成於該第三層間絕緣層上，用以作為第一驅動電晶體的源極和汲極、第二驅動電晶體的源極和汲極、電源線；形成鈍化絕緣層和接觸孔，該鈍化絕緣層形成於該第三層間絕緣層以及圖案化的第四金屬層上，該接觸孔用於導通該第一驅動電晶體的汲極與第一有機發光二極體的陽極以及該第二驅動電晶體的汲極與第二有機發光二極體的陽極。
在本發明提供的OLED顯示面板中，包括掃描線、資料線和電源線VDD，該掃描線和資料線定義以矩陣方式排列的多個像素組，每個像素組內具有兩個子像素，同一像素組內的兩個子像素連接同一電源線VDD並沿該電源線VDD鏡像排列，且同一像素組內的兩個子像素各自連接的資料線位於不同結構層上(即兩個子像素各自連接的資料線不在同一層)。一方面，由於本發明將同一像素組內兩個子像素對應連接的資料線設置在不同的結構層上，在不縮小像素面積的情況下，使同層相鄰的資料線之間的距離 增加一倍，使不在同一層相鄰的資料線之間由層間絕緣層隔離，可有效減少資料線之間發生短路的機率，且在使用中大幅度消除資料線之間的串擾，不但提高產品的成品率，而且提升產品的畫面品質。另一方面，由於同一像素組內兩個子像素對應連接的資料線設置在不同的結構層上，也可基於現有設備和技藝條件縮小像素面積，提升OLED顯示面板的PPI，提高OLED顯示面板的解析度。
進一步的，該第一儲存電容的上極板和第二儲存電容的上極板位於不同結構層上，藉由兩次技藝形成，比如該第一資料線和第二儲存電容的上極板一併形成，而第二資料線和第一儲存電容的上極板一併形成，即第一資料線和第一儲存電容的上極板不在同一層，第二資料線和第二儲存電容的上極板不在同一層，由此，有利於縮小同層的資料線和儲存電容上極板的間距，可進一步縮小像素面積，提升OLED顯示面板的PPI。
100‧‧‧基板
101‧‧‧緩衝層
111-1‧‧‧主動層、第一區段
111-2‧‧‧主動層、第二區段
112-1‧‧‧主動層、第三區段
112-2‧‧‧主動層、第四區段
113‧‧‧第五區段
114‧‧‧第六區段
120‧‧‧閘絕緣層
120a-1、120a-2‧‧‧第一通孔
140‧‧‧第一層間絕緣層
140a-1‧‧‧第二通孔
160‧‧‧第二層間絕緣層
160a-2‧‧‧第三通孔
160b‧‧‧開口
180‧‧‧第三層間絕緣層
180a、180a-1、180a-2、180a-3、180a-4‧‧‧第四通孔
200‧‧‧鈍化絕緣層
200a-1、200a-2‧‧‧接觸孔
221‧‧‧陽極
222‧‧‧陽極
C1‧‧‧第一儲存電容
C1-1‧‧‧下極板
C1-2‧‧‧上極板
C2‧‧‧第二儲存電容
C2-1‧‧‧下極板
C2-2‧‧‧上極板
D1‧‧‧第一資料線
D2‧‧‧第二資料線
D11‧‧‧汲極
D12‧‧‧汲極
D21‧‧‧汲極
D22‧‧‧汲極
G11‧‧‧閘極
G12‧‧‧閘極
G21‧‧‧閘極
G22‧‧‧閘極
S11‧‧‧源極
S12‧‧‧源極
S21‧‧‧源極
S22‧‧‧源極
Sn‧‧‧掃描線
T11‧‧‧第一開關電晶體
T12‧‧‧第一驅動電晶體
T21‧‧‧第二開關電晶體
T22‧‧‧第二驅動電晶體
VDD‧‧‧電源線
圖1是傳統的OLED顯示面板的像素電路圖；圖2a是本發明實施例一中OLED顯示面板的一個像素組形成矽島後的平面示意圖；圖2b是本發明實施例一中OLED顯示面板的第一子像素形成矽島後的剖面示意圖；圖2c是本發明實施例一中OLED顯示面板的第二子像素形成矽島後的剖面示意圖；圖3a是本發明實施例一中OLED顯示面板的一個像素組形成第一通孔後的平面示意圖； 圖3b是本發明實施例一中OLED顯示面板的第一子像素形成第一通孔後的剖面示意圖；圖3c是本發明實施例一中OLED顯示面板的第二子像素形成第一通孔後的剖面示意圖；圖4a是本發明實施例一中OLED顯示面板的一個像素組形成第一金屬層後的平面示意圖；圖4b是本發明實施例一中OLED顯示面板的第一子像素形成第一金屬層後的剖面示意圖；圖4c是本發明實施例一中OLED顯示面板的第二子像素形成第一金屬層後的剖面示意圖；圖5a是本發明實施例一中OLED顯示面板的一個像素組形成第二通孔後的平面示意圖；圖5b是本發明實施例一中OLED顯示面板的第一子像素形成第二通孔後的剖面示意圖；圖5c是本發明實施例一中OLED顯示面板的第二子像素形成第二通孔後的剖面示意圖；圖6a是本發明實施例一中OLED顯示面板的一個像素組形成第二金屬層後的平面示意圖；圖6b是本發明實施例一中OLED顯示面板的第一子像素形成第二金屬層後的剖面示意圖；圖6c是本發明實施例一中OLED顯示面板的第二子像素形成第二金屬層後的剖面示意圖；圖7a是本發明實施例一中OLED顯示面板的一個像素組形成第三通孔後的平面示意圖； 圖7b是本發明實施例一中OLED顯示面板的第一子像素形成第三通孔後的剖面示意圖；圖7c是本發明實施例一中OLED顯示面板的第二子像素形成第三通孔後的剖面示意圖；圖8a是本發明實施例一中OLED顯示面板的一個像素組形成第三金屬層後的平面示意圖；圖8b是本發明實施例一中OLED顯示面板的第一子像素形成第三金屬層後的剖面示意圖；圖8c是本發明實施例一中OLED顯示面板的第二子像素形成第三金屬層後的剖面示意圖；圖9a是本發明實施例一中OLED顯示面板的一個像素組形成第四通孔後的平面示意圖；圖9b是本發明實施例一中OLED顯示面板的第一子像素形成第四通孔後的剖面示意圖；圖9c是本發明實施例一中OLED顯示面板的第二子像素形成第四通孔後的剖面示意圖；圖10a是本發明實施例一中OLED顯示面板的一個像素組形成第四金屬層後的平面示意圖；圖10b是本發明實施例一中OLED顯示面板的第一子像素形成第四金屬層後的剖面示意圖；圖10c是本發明實施例一中OLED顯示面板的第二子像素形成第四金屬層後的剖面示意圖；圖11a是本發明實施例一中OLED顯示面板的一個像素組形成接觸孔後的平面示意圖； 圖11b是本發明實施例一中OLED顯示面板的第一子像素形成接觸孔後的剖面示意圖；圖11c是本發明實施例一中OLED顯示面板的第二子像素形成接觸孔後的剖面示意圖；圖12a是本發明實施例一中OLED顯示面板的一個像素組形成陽極後的平面示意圖；圖12b是本發明實施例一中OLED顯示面板的第一子像素形成陽極後的剖面示意圖；圖12c是本發明實施例一中OLED顯示面板的第二子像素形成陽極後的剖面示意圖；圖13a是本發明實施例二中OLED顯示面板的一個像素組形成矽島後的平面示意圖；圖13b是本發明實施例二中OLED顯示面板的第一子像素形成矽島後的剖面示意圖；圖13c是本發明實施例二中OLED顯示面板的第二子像素形成矽島後的剖面示意圖；圖14a是本發明實施例二中OLED顯示面板的一個像素組形成第一通孔後的平面示意圖；圖14b是本發明實施例二中OLED顯示面板的第一子像素形成第一通孔後的剖面示意圖；圖14c是本發明實施例二中OLED顯示面板的第二子像素形成第一通孔後的剖面示意圖；圖15a是本發明實施例二中OLED顯示面板的一個像素組形成第一金屬層後的平面示意圖； 圖15b是本發明實施例二中OLED顯示面板的第一子像素形成第一金屬層後的剖面示意圖；圖15c是本發明實施例二中OLED顯示面板的第二子像素形成第一金屬層後的剖面示意圖；圖16a是本發明實施例二中OLED顯示面板的一個像素組形成第二通孔後的平面示意圖；圖16b是本發明實施例二中OLED顯示面板的第一子像素形成第二通孔後的剖面示意圖；圖16c是本發明實施例二中OLED顯示面板的第二子像素形成第二通孔後的剖面示意圖；圖17a是本發明實施例二中OLED顯示面板的一個像素組形成第二金屬層後的平面示意圖；圖17b是本發明實施例二中OLED顯示面板的第一子像素形成第二金屬層後的剖面示意圖；圖17c是本發明實施例二中OLED顯示面板的第二子像素形成第二金屬層後的剖面示意圖；圖18a是本發明實施例二中OLED顯示面板的一個像素組形成第三通孔後的平面示意圖；圖18b是本發明實施例二中OLED顯示面板的第一子像素形成第三通孔後的剖面示意圖；圖18c是本發明實施例二中OLED顯示面板的第二子像素形成第三通孔後的剖面示意圖；圖19a是本發明實施例二中OLED顯示面板的一個像素組形成第三金屬層後的平面示意圖； 圖19b是本發明實施例二中OLED顯示面板的第一子像素形成第三金屬層後的剖面示意圖；圖19c是本發明實施例二中OLED顯示面板的第二子像素形成第三金屬層後的剖面示意圖；圖20a是本發明實施例二中OLED顯示面板的一個像素組形成第四通孔後的平面示意圖；圖20b是本發明實施例二中OLED顯示面板的第一子像素形成第四通孔後的剖面示意圖；圖20c是本發明實施例二中OLED顯示面板的第二子像素形成第四通孔後的剖面示意圖；圖21a是本發明實施例二中OLED顯示面板的一個像素組形成第四金屬層後的平面示意圖；圖21b是本發明實施例二中OLED顯示面板的第一子像素形成第四金屬層後的剖面示意圖；圖21c是本發明實施例二中OLED顯示面板的第二子像素形成第四金屬層後的剖面示意圖；圖22a是本發明實施例二中OLED顯示面板的一個像素組形成接觸孔後的平面示意圖；圖22b是本發明實施例二中OLED顯示面板的第一子像素形成接觸孔後的剖面示意圖；圖22c是本發明實施例二中OLED顯示面板的第二子像素形成接觸孔後的剖面示意圖；圖23a是本發明實施例二中OLED顯示面板的一個像素組形成陽極後的平面示意圖； 圖23b是本發明實施例二中OLED顯示面板的第一子像素形成陽極後的剖面示意圖；圖23c是本發明實施例二中OLED顯示面板的第二子像素形成陽極後的剖面示意圖。
本發明的核心思想在於，提供一種OLED顯示面板及其製造方法，該OLED顯示面板包括掃描線、資料線和電源線VDD，該掃描線和資料線定義以矩陣方式排列的多個像素組，每個像素組內具有兩個子像素，同一像素組內的兩個子像素連接同一電源線VDD並沿該電源線VDD鏡像排列，且同一像素組內的兩個子像素各自連接的資料線位於不同結構層上。如此一來，在不縮小像素面積的情況下，可使同層相鄰的資料線之間的距離增加一倍，使不同層相鄰的資料線之間由層間絕緣層隔離，有效減少資料線之間發生短路的機率，且可大幅度消除資料線之間的串擾。另外，由於同一像素組內兩個子像素對應連接的資料線設置在不同的結構層上，也可基於現有設備和技藝條件縮小像素面積，提升OLED顯示面板的PPI，進而提高OLED顯示面板的解析度。
以下結合附圖和具體實施例對本發明提出的OLED顯示面板以及OLED顯示面板的製造方法作進一步詳細說明。根據下面說明和請求項，本發明的優點和特徵將更清楚。需說明的是，附圖中各層薄膜厚度和區域大小形狀不反映OLED顯示面板的真實比例，目的只是示意性的說明本發明內容。
[實施例一]
圖12a是本發明實施例一中OLED顯示面板的一個像素組的平面示意圖，所反映的是兩個子像素的結構，圖12b是圖12a中第一子像素的剖面示意圖，圖12c是圖12a中第二子像素的剖面示意圖。
如圖12a、12b、12c所示，本實施例的OLED顯示面板的主體結構包括形成在基板100上的掃描線、資料線和電源線，該掃描線和資料線定義以矩陣方式排列的多個像素組，每個像素組內具有兩個子像素，同一像素組內的兩個子像素連接同一電源線VDD並沿該電源線VDD鏡像排列，且同一像素組內的兩個子像素各自連接的資料線位於不同結構層上。為便於說明本實施例的技術方案，如圖12a所示，本實施例將沿平行於紙面方向上下排列的兩個子像素分別稱為第一子像素和第二子像素，其中，位於下側的子像素稱為第一子像素，位於上側的子像素稱為第二子像素，與第一子像素的開關電晶體的源極連接的資料線稱為第一資料線D1，與第二子像素的開關電晶體的源極連接的資料線稱為第二資料線D2。
繼續參考圖12a、12b、12c，並結合2a至圖11c所示，該第一資料線D1位於第二層間絕緣層160下方(具體是在第一層間絕緣層140與第二層間絕緣層160之間)，該第一資料線D1藉由貫穿第一層間絕緣層140的通孔(這裡是指第二通孔140a-1)與第一開關電晶體的源極S11連接；該第二資料線D2位於第二層間絕緣層160上方(具體是在第二層間絕緣層160與第三層間絕緣層180之間)，該第二資料線D2藉由貫穿第一層間絕緣層140和第二層間絕緣層160的通孔(這裡是指第三通孔160a-2)與第二開關電晶體的源極S21連接；即，第一資料線D1和第二資料線D2分別位於 第二層間絕緣層160的兩側，第一資料線D1和第二資料線D2之間間隔設置一第二層間絕緣層160，第一資料線D1和第二資料線D2藉由不同深度的通孔與開關電晶體的源極連接。如此，在不縮小像素面積的情況下，使同層相鄰的資料線之間的距離增加一倍，不同層相鄰的資料線之間則由層間絕緣層(這裡具體是指第二層間絕緣層160)隔離，在生產中可有效減少資料線之間發生短路的機率，且在使用中大幅度消除資料線之間的串擾，不但提高產品的成品率，而且提升產品的畫面品質。當然，由於同一像素組內兩個子像素對應連接的資料線設置在不同的結構層上(同層相鄰的資料線之間的距離得以增大)，因此不必受限於現有設備和技藝條件，得以縮小像素面積，提升OLED顯示面板的PPI。
具體的，如圖12a和圖12b所示，該第一子像素包括第一開關電晶體T11、第一驅動電晶體T12和第一儲存電容C1。該第一開關電晶體T11包括閘極G11、源極S11、汲極D11、主動層111-1(即矽島的第一區段)。該第一驅動電晶體T12包括閘極G12、源極S12、汲極D12、主動層111-2(即矽島的第二區段)。該第一儲存電容C1包括第一極板(即下極板C1-1)、第二極板(即上極板C1-2)以及形成於下極板C1-1和上極板C1-2之間的第一層間絕緣層140。其中，該第一開關電晶體T11的閘極G11與掃描線Sn連接(二者實際上為一體結構)，該第一開關電晶體T11的源極S11與第一資料線D1連接(二者實際上為一體結構)，該第一開關電晶體T11的汲極D11、第一儲存電容C1的第一極板(即下極板C1-1)、第一驅動電晶體T12的閘極G12連接，該第一驅動電晶體T12的源極S12和第一儲存電容C1的第二極板(即上極板C1-2) 均與電源線VDD連接，該第一驅動電晶體T12的汲極D12與第一有機發光二極體的陽極221連接。該掃描線Sn用於向第一開關電晶體T11提供開啟或關斷電壓，該第一驅動電晶體T12用於控制第一資料線D1向第一有機發光二極體提供資料電壓。
具體的，如圖12a和圖12c所示，該第二子像素包括第二開關電晶體T21、第二驅動電晶體T22和第二儲存電容C2。該第二開關電晶體T21包括閘極G21、源極S21、汲極D21、主動層112-1(即矽島的第三區段)。該第二驅動電晶體T22包括閘極G22、源極S22、汲極D22、主動層112-2(即矽島的第四區段)。該第二儲存電容C2包括第一極板(即下極板C2-1)、第二極板(即上極板C2-2)以及形成於下極板C2-1和上極板C2-2之間的第一層間絕緣層140。其中，該第二開關電晶體T21的閘極G21與掃描線Sn連接(二者實際上為一體結構)，該第二開關電晶體T21的源極S21與第二資料線D2連接(二者實際上為一體結構)，該第二開關電晶體T21的汲極D21、第二儲存電容C2的第一極板(即下極板C2-1)、第二驅動電晶體T22的閘極G22連接，該第二驅動電晶體T22的源極S22和第二儲存電容C2的第二極板(即上極板C2-2)均與電源線VDD連接，該第二驅動電晶體T22的汲極D22與第二有機發光二極體的陽極222連接。該掃描線Sn用於向第二開關電晶體T21提供開啟或關斷電壓，該第二驅動電晶體T22用於控制第二資料線D2向第二有機發光二極體提供資料電壓。
繼續參考圖10a、11a、12a，該第一資料線D1、第二資料線D2和電源線VDD相互平行，掃描線Sn則與該電源線VDD相互垂直，且該第一資料線D1和第二資料線D2沿電源線VDD鏡 像對稱。同時，該第一儲存電容C1和第二儲存電容C2沿電源線VDD鏡像對稱，該第一開關電晶體T11和第二開關電晶體T21沿電源線VDD鏡像對稱，該第一驅動電晶體T12和第二驅動電晶體T22沿電源線VDD鏡像對稱。具體的，本實施例中，該第一儲存電容C1的下極板C1-1和第二儲存電容C2的下極板C2-1均為長方形且面積相同並沿電源線VDD鏡像對稱，該第一儲存電容C1的上極板C1-2和第二儲存電容C2的上極板C2-2均為長方形且面積相同並沿電源線VDD鏡像對稱。
重點參考圖2a、2b、2c所示，該OLED顯示面板還包括矽島，該矽島形成於該基板100上，用以作為第一開關電晶體T11、第一驅動電晶體T12、第二開關電晶體T21以及第二驅動電晶體T22的主動層。
重點參考圖3a、3b、3c所示，該OLED顯示面板還包括閘絕緣層120以及第一通孔120a-1、120a-2，該閘絕緣層120形成於該基板100和矽島上，該第一通孔120a-1、120a-2貫穿該閘絕緣層120，該第一通孔120a-1用於導通第一開關電晶體T11的汲極D11和第一儲存電容C1的下極板C1-1，該第一通孔120a-2用於導通第二開關電晶體T21的汲極D21和第二儲存電容C2的下極板C2-1。
重點參考圖4a、4b、4c所示，該OLED顯示面板還包括圖案化的第一金屬層，圖案化的第一金屬層形成於該閘絕緣層120上，用以作為第一開關電晶體T11的閘極G11、第一驅動電晶體T12的閘極G12、第二開關電晶體T21的閘極G21、第二驅動電晶體T22的閘極G22、掃描線Sn、第一儲存電容C1的第一電極(即 下極板)C1-1和第二儲存電容C2的第一電極(即下極板)C2-1。
重點參考圖5a、5b、5c所示，該OLED顯示面板還包括第一層間絕緣層140以及第二通孔140a-1，該第一層間絕緣層140形成於該閘絕緣層120以及圖案化的第一金屬層上，該第二通孔140a-1用於導通第一資料線D1和第一開關電晶體T11的源極S11。
重點參考圖6a、6b、6c所示，該OLED顯示面板還包括圖案化的第二金屬層，圖案化的第二金屬層形成於該第一層間絕緣層140上，用以作為第一資料線D1、第一開關電晶體T11的源極S11和第二儲存電容C2的第二電極(即上極板C2-2)。
重點參考圖7a、7b、7c所示，該OLED顯示面板還包括第二層間絕緣層160以及第三通孔160a-2，該第二層間絕緣層160形成於該第一層間絕緣層140以及圖案化的第二金屬層上，該第三通孔160a-2用於導通第二資料線D2和第二開關電晶體T21的源極S21。進一步的，該OLED顯示面板還包括開口160b，該開口160b貫穿該第二層間絕緣層160並正對該第一儲存電容C1的下極板C1-1。
重點參考圖8a、8b、8c所示，該OLED顯示面板還包括圖案化的第三金屬層，圖案化的第三金屬層形成於該第二層間絕緣層160上以及該開口160b，用以作為第二資料線D2、第二開關電晶體T21的源極S21和第一儲存電容C1的第二電極(即上極板C1-2)。
重點參考圖9a、9b、9c所示，該OLED顯示面板還包括第三層間絕緣層180以及第四通孔180a、180a-1、180a-2、 180a-3、180a-4，該第三層間絕緣層180形成於該第二層間絕緣層160以及圖案化的第三金屬層上，該第四通孔180a、180a-1、180a-2、180a-3、180a-4用於導通第一驅動電晶體T12的源極和汲極、第二驅動電晶體T22的源極和汲極、電源線VDD、第一儲存電容C1的上極板C1-2以及第二儲存電容C2的上極板C2-2。
重點參考圖10a、10b、10c所示，該OLED顯示面板還包括圖案化的第四金屬層，圖案化的第四金屬層形成於該第三層間絕緣層180上，用以作為第一驅動電晶體T12的源極S12和汲極D12、第二驅動電晶體T22的源極S22和汲極D22、電源線VDD。
重點參考圖11a、11b、11c所示，該OLED顯示面板還包括鈍化絕緣層200以及接觸孔200a-1、200a-2，該鈍化絕緣層200形成於該第三層間絕緣層180以及圖案化的第四金屬層上，該接觸孔200a-1用於導通該第一驅動電晶體T12的汲極與第一有機發光二極體的陽極221，該接觸孔200a-2用於導通該第二驅動電晶體T22的汲極與第二有機發光二極體的陽極222。
以下結合本發明OLED顯示面板實施例一製造過程的平面俯視圖和剖面示意圖，進一步說明本實施例的技術方案，在以下說明中，本發明所稱的光蝕刻技藝包括光蝕刻膠塗覆、遮罩、曝光、刻蝕和光蝕刻膠剝離等技藝，光蝕刻膠以正性光蝕刻膠為例。
圖2a是本發明實施例一中OLED顯示面板的一個像素組形成矽島後的平面示意圖，圖2b是本發明實施例一中OLED顯示面板的第一子像素形成矽島後的剖面示意圖，圖2c是本發明實施例一中OLED顯示面板的第二子像素形成矽島後的剖面示意圖。
首先，如圖2a、2b、2c所示，提供一基板100。該基板100通常為透明基板，具體的，該透明基板可為硬質基板或可撓式基板，例如透明玻璃基板或透明塑膠基板。該透明基板的形狀可為平面、曲面或其他不規則形狀。應理解的是，該透明基板的材質以及形狀在此不做限制。
接著，繼續參考圖2a、2b、2c所示，在該基板100上形成矽島。其中，形成矽島的具體過程包括：採用化學氣相沉積(CVD)技藝在該基板100上形成一非晶矽層(a-Si)；對該非晶矽層採用準分子雷射退火(ELA)、固相晶化(SPC)或金屬誘導結晶(MIC)等技藝方法，將其轉化成多晶矽層(P-Si)；進行第一道光蝕刻技藝，圖案化該多晶矽層形成矽島。該矽島用以作為第一開關電晶體T11的主動層、第一驅動電晶體T12的主動層、第二開關電晶體T21的主動層以及第二驅動電晶體T22的主動層。具體而言，該矽島對應於該第一開關電晶體T11、第一驅動電晶體T12、第二開關電晶體T21和第二驅動電晶體T22各自的源極和汲極位置。
重點參考圖2a所示，本實施例中，該矽島包括第一區段111-1、第二區段111-2、第三區段112-1、第四區段112-2、第五區段113以及第六區段114，上述六部分均大致呈條狀，且上述第一區段111-1、第二區段111-2、第三區段112-1、第四區段112-2、第五區段113沿X方向延伸，而第六區段114沿Y方向延伸。其中，第一區段111-1和第三區段112-1為獨立的條狀結構，第一區段111-1用以作為第一子像素中第一開關電晶體T11的主動層，第三區段112-1用以作為第二子像素中第二開關電晶體T21的主動層，並且，第一區段111-1和第三區段112-1鏡像對稱。第五區段 113位於第二區段111-2和第四區段112-2之間，第二區段111-2和第四區段112-2鏡像對稱，第六區段114連接第二區段111-2、第四區段112-2、第五區段113的一端以形成「山」字形結構，第二區段111-2、第四區段112-2、第五區段113、第六區段114共同作為第一驅動電晶體T12和第二驅動電晶體T22的主動層(即第五區段113為兩個驅動電晶體所共用)。應當認識到，在本發明其它實施例中，該矽島的形狀可以做一些適當的變化，例如，第一驅動電晶體T12和第二驅動電晶體T22的主動層還可以是兩個開口方向相同的「U」型結構(即第一驅動電晶體T12和第二驅動電晶體T22並不共用主動層)，本發明並不限制矽島的具體形狀。
較佳的，如圖2b和圖2c所示，在基板100上形成矽島之前，先在該基板100上形成緩衝層101，該緩衝層101採用的材料例如為氮化矽或氧化矽。在基板100上形成矽島之後，進行第二道光蝕刻技藝，以對該矽島的預定區域進行離子注入，如圖2a中虛線框所示，本實施例是對第一開關電晶體T11的汲極區域和第二開關電晶體T21的汲極區域進行離子注入，以使其導通性能更好。
圖3a是本發明實施例一中OLED顯示面板的一個像素組形成第一通孔後的平面示意圖，圖3b是本發明實施例一中OLED顯示面板的第一子像素形成第一通孔後的剖面示意圖，圖3c是本發明實施例一中OLED顯示面板的第二子像素形成第一通孔後的剖面示意圖。
如圖3a、3b、3c所示，採用化學氣相沉積(CVD)技藝在該矽島和未被覆蓋的緩衝層101上形成閘絕緣層120，並進 行第三道光蝕刻技藝，在該閘絕緣層120中開設第一通孔120a-1、120a-2，該第一通孔120a-1位於該矽島的第一區段111-1的一端，用於連接後續形成的第一開關電晶體T11的汲極D11和第一儲存電容C1的下極板C1-1，該第一通孔120a-2位於該矽島的第三區段112-1的一端，用於連接後續形成的第二開關電晶體T21的汲極D21和第二儲存電容C2的下極板C2-1。本實施例中，該閘絕緣層120採用的材料例如為氧化物、氮化物或氧氮化合物，當然，該閘絕緣層120亦可採用其它絕緣材料，本發明對此並不予限制。
圖4a是本發明實施例一中OLED顯示面板的一個像素組形成第一金屬層(第四道光蝕刻技藝)後的平面示意圖，圖4b是本發明實施例一中OLED顯示面板的第一子像素形成第一金屬層後的剖面示意圖，圖4c是本發明實施例一中OLED顯示面板的第二子像素形成第一金屬層後的剖面示意圖。
接著，如圖4a、4b、4c所示，採用濺射或蒸發技藝在該閘絕緣層120上形成第一金屬層，並進行第四道光蝕刻技藝，圖案化該第一金屬層，分別形成第一開關電晶體T11的閘極G11、第一驅動電晶體T12的閘極G12、第二開關電晶體T21的閘極G21、第二驅動電晶體T22的閘極G22、掃描線Sn、第一儲存電容C1的第一電極(即下極板)C1-1和第二儲存電容C2的第一電極(即下極板)C2-1。該第一金屬層可以採用Cr、W、Ti、Ta、Mo、Al、Cu等金屬或合金的單層膜，也可以採用由多層金屬薄膜構成的複合薄膜。
重點參考圖4a所示，本實施例中，第一儲存電容C1的第一電極(即下極板)C1-1和第二儲存電容C2的第一電極(即 下極板)C2-1對稱分佈，較佳的，二者的形狀均為長方形且面積相同。如圖4b和圖4c所示，該第一開關電晶體T11的汲極D11與第一儲存電容C1的下極板C1-1藉由第一通孔120a-1連接，該第二開關電晶體T21的汲極D21與第二儲存電容C2的下極板C2-1藉由第一通孔120a-2連接。需要說明的是，該第一驅動電晶體T12的閘極G12與第一儲存電容C1的下極板C1-1實際上是一體結構(如圖4a所示)，但為了便於下文說明第一驅動電晶體T12和第一儲存電容C1各自的結構特性，在圖4b中二者未連成一體；同理，該第二驅動電晶體T22的閘極G22與第二儲存電容C2的下極板C2-1實際上也是一體結構(如圖4a所示)，但為了便於下文說明第二驅動電晶體T22和第二儲存電容C2各自的結構特性，在圖4c中二者未連成一體。
圖5a是本發明實施例一中OLED顯示面板的一個像素組形成第二通孔(第五道光蝕刻技藝)後的平面示意圖，圖5b是本發明實施例一中OLED顯示面板的第一子像素形成第二通孔後的剖面示意圖，圖5c是本發明實施例一中OLED顯示面板的第二子像素形成第二通孔後的剖面示意圖。
如圖5a、5b、5c所示，採用化學氣相沉積(CVD)技藝形成第一層間絕緣層140，並進行第五道光蝕刻技藝，在該第一層間絕緣層140和閘絕緣層120中開設第二通孔140a-1，該第二通孔140a-1位於第一開關電晶體T11的源極位置，用於導通後續形成的第一資料線D1和第一開關電晶體T11的源極S11。具體而言，該第二通孔140a-1位於該矽島的第一區段111-1的另一端，並且，該第二通孔140a-1貫穿該第一區段111-1上方的第一層間絕緣 層140和閘絕緣層120。本實施例中，該第一層間絕緣層140採用的材料例如為氧化物、氮化物或氧氮化合物，當然，該第一層間絕緣層140亦可採用其它絕緣材料，本發明對此並不予限制。
圖6a是本發明實施例一中OLED顯示面板的一個像素組形成第二金屬層(第六道光蝕刻技藝)後的平面示意圖，圖6b是本發明實施例一中OLED顯示面板的第一子像素形成第二金屬層後的剖面示意圖，圖6c是本發明實施例一中OLED顯示面板的第二子像素形成第二金屬層後的剖面示意圖。
如圖6a、6b、6c所示，採用濺射或蒸發技藝在該第一層間絕緣層140上形成第二金屬層，並進行第六道光蝕刻技藝，圖案化第二金屬層，以形成第一資料線D1、第一開關電晶體T11的源極S11和第二儲存電容C2的第二電極(即上極板C2-2)。該第二金屬層可以採用Cr、W、Ti、Ta、Mo、Al、Cu等金屬或合金的單層膜，也可以採用由多層金屬薄膜構成的複合薄膜。重點參考圖6a所示，本實施例中，該第一資料線D1與第二儲存電容C2的上極板C2-2相互平行，該第一資料線D1和第一開關電晶體T11的源極S11實際上是一體結構，第二儲存電容C2的上極板C2-2的形狀為長方形，且該第二儲存電容C2的上極板C2-2位於第二儲存電容C2的下極板C2-1的正上方，至此，第二儲存電容C2已經形成，其由下極板C2-1、上極板C2-2以及位於二者之間的第一層間絕緣層140共同構成。
圖7a是本發明實施例一中OLED顯示面板的一個像素組形成第三通孔(第七道光蝕刻技藝)後的平面示意圖，圖7b是本發明實施例一中OLED顯示面板的第一子像素形成第三通孔 後的剖面示意圖，圖7c是本發明實施例一中OLED顯示面板的第二子像素形成第三通孔後的剖面示意圖。
如圖7a、7b、7c所示，採用化學氣相沉積(CVD)的方法形成第二層間絕緣層160，並進行第七道光蝕刻技藝，在該第二層間絕緣層160、第一層間絕緣層140和閘絕緣層120中開設第三通孔160a-2，該第三通孔160a-2位於第二開關電晶體T21的源極位置，用於導通後續形成的第二資料線D2和第二開關電晶體T21的源極S21。具體而言，該第三通孔160a-2位於該矽島的第三區段112-1的另一端，即，該第三通孔160a-2貫穿該矽島的第三區段112-1上方的第二層間絕緣層160、第一層間絕緣層140和閘絕緣層120。本實施例中，該第二層間絕緣層160採用的材料例如為氧化物、氮化物或氧氮化合物，當然，該第二層間絕緣層160亦可採用其它絕緣材料，本發明對此並不予限制。
較佳方案中，為了使第一儲存電容C1和第二儲存電容C2的電容值相同，形成第三通孔160a-2之後，進行第八道光蝕刻技藝，在該第二層間絕緣層160中形成正對第一儲存電容C1的下極板C1-1的開口160b，即去除第一儲存電容C1的下極板C1-1上方的第二層間絕緣層160，以使第一儲存電容C1和第二儲存電容C2的介質層厚度相同，也就是說，使第一儲存電容C1和第二儲存電容C2均採用第一層間絕緣層140作為介質層。可以理解的是，本發明並不限定第三通孔160a-2和開口160b形成順序，在本發明其它實施例中也可在形成第三通孔160a-2之前形成該開口160b。進一步的，形成開口160b的步驟並不是必須的，亦可採用其它方式例如增大第一儲存電容的極板面積等方式使第一儲存電容C1和 第二儲存電容C2的電容值相同。
圖8a是本發明實施例一中OLED顯示面板的一個像素組形成第三金屬層(第九道光蝕刻技藝)後的平面示意圖，圖8b是本發明實施例一中OLED顯示面板的第一子像素形成第三金屬層後的剖面示意圖，圖8c是本發明實施例一中OLED顯示面板的第二子像素形成第三金屬層後的剖面示意圖。
如圖8a、8b、8c所示，採用濺射或蒸發技藝在該第二層間絕緣層160上形成第三金屬層，並進行第九道光蝕刻技藝，圖案化第三金屬層，以形成第二資料線D2、第二開關電晶體T21的源極S21和第一儲存電容C1的第二電極(即上極板C1-2)。本實施例中，該第一資料線D1和第一儲存電容C1的上極板C1-2不在同一層(即位於不同結構層)，該第二資料線D2和第二儲存電容C2的上極板C2-2不在同一層(即位於不同結構層)，由此，有利於縮小同層間距(這裡是指同層的資料線和儲存電容上極板的間距)，進而縮小像素面積，提升OLED顯示面板的PPI，提高OLED顯示面板的解析度。該第三金屬層可以採用Cr、W、Ti、Ta、Mo、Al、Cu等金屬或合金的單層膜，也可以採用由多層金屬薄膜構成的複合薄膜。重點參考圖8a所示，本實施例中，第一儲存電容C1的第二電極(即上極板C1-2)和第二儲存電容C2的第二電極(即上極板C2-2)對稱分佈，較佳的，二者的形狀均為長方形。重點參考圖8b和圖8c所示，該第二資料線D2與第一儲存電容C1的上極板C1-2相互平行，該第二資料線D2和第二開關電晶體T21的源極S21實際上是一體結構，且該第一儲存電容C1的上極板C1-2位於其下極板C1-1的正上方。並且，第一儲存電容C1的下極板C1-1 和第二儲存電容C2的下極板C2-1面積相同，第一儲存電容C1的上極板C1-2和第二儲存電容C2的上極板C2-2面積相同。
圖9a是本發明實施例一中OLED顯示面板的一個像素組形成第四通孔(第十道光蝕刻技藝)後的平面示意圖，圖9b是本發明實施例一中OLED顯示面板的第一子像素形成第四通孔後的剖面示意圖，圖9c是本發明實施例一中OLED顯示面板的第二子像素形成第四通孔後的剖面示意圖。
如圖9a、9b、9c所示，採用化學氣相沉積(CVD)的方法形成第三層間絕緣層180，並進行第九道光蝕刻技藝，在該第三層間絕緣層180中開設第四通孔180a、180a-1、180a-2、180a-3、180a-4，用於導通第一驅動電晶體T12的源極和汲極、第二驅動電晶體T22的源極和汲極、電源線VDD、第一儲存電容C1的上極板C1-2以及第二儲存電容C2的上極板C2-2。
具體而言，該第四通孔180a位於第一驅動電晶體T12和第二驅動電晶體T22的源極位置，貫穿矽島的第五區段113(即主動層113)上方的閘絕緣層120、第一層間絕緣層140、第二層間絕緣層160和第三層間絕緣層180。該第四通孔180a-1位於第一驅動電晶體T12的汲極位置，貫穿矽島的第二區段111-2(即主動層111-2)上方的閘絕緣層120、第一層間絕緣層140、第二層間絕緣層160和第三層間絕緣層180。該第四通孔180a-2位於第二驅動電晶體T22的汲極位置，貫穿矽島的第四區段112-2(即主動層112-2)上方的閘絕緣層120、第一層間絕緣層140、第二層間絕緣層160和第三層間絕緣層180。該第四通孔180a-3位於第一儲存電容C1上方，貫穿第一儲存電容C1的上極板C1-2上方的第三層間絕緣層 180。該第四通孔180a-4位於第二儲存電容C2上方，貫穿第二儲存電容C2的上極板C2-2上方的第二層間絕緣層160和第三層間絕緣層180。本實施例中，該第三層間絕緣層180採用的材料例如為氧化物、氮化物或氧氮化合物，當然，該第三層間絕緣層180亦可採用其它絕緣材料，本發明對此並不予限制。
圖10a是本發明實施例一中OLED顯示面板的一個像素組形成第四金屬層後的平面示意圖，圖10b是本發明實施例一中OLED顯示面板的第一子像素形成第四金屬層後的剖面示意圖，圖10c是本發明實施例一中OLED顯示面板的第二子像素形成第四金屬層後的剖面示意圖。
如圖10a、10b、10c所示，採用濺射或蒸發技藝在該第三層間絕緣層180上形成第四金屬層，並進行第十一道光蝕刻技藝，圖案化第四金屬層，以形成第一驅動電晶體T12的源極S12和汲極D12、第二驅動電晶體T22的源極S22和汲極D22、電源線VDD。該第四金屬層可以採用Cr、W、Ti、Ta、Mo、Al、Cu等金屬或合金的單層膜，也可以採用由多層金屬薄膜構成的複合薄膜。重點參考圖10a所示，本實施例中，該第四金屬層位於該第一儲存電容C1和第二儲存電容C2上方，並且，該電源線VDD、第一驅動電晶體T12的源極S12、第二驅動電晶體T22的源極S22實際上是一體結構，更具體地說，第一驅動電晶體T12和第二驅動電晶體T22共用源極，並且，第一驅動電晶體T12的汲極D12與第二驅動電晶體T22的汲極D22沿電源線VDD鏡像對稱，同樣，第一儲存電容C1和第二儲存電容C2也沿電源線VDD鏡像對稱。
圖11a是本發明實施例一中OLED顯示面板的一個像 素組形成接觸孔後的平面示意圖，圖11b是本發明實施例一中OLED顯示面板的第一子像素形成接觸孔後的剖面示意圖，圖11c是本發明實施例一中OLED顯示面板的第二子像素形成接觸孔後的剖面示意圖。
如圖11a、11b、11c所示，採用化學氣相沉積(CVD)的方法在該電源線VDD以及未被電源線VDD覆蓋的第三層間絕緣層180上形成鈍化絕緣層200，並進行第十二道光蝕刻技藝，在該鈍化絕緣層200中形成接觸孔200a-1、200a-2，該接觸孔200a-1、200a-2位於該第一驅動電晶體T12和第二驅動電晶體T22的汲極位置，具體是貫穿該第一驅動電晶體T12和第二驅動電晶體T22的汲極上方的鈍化絕緣層200。本實施例中，該鈍化絕緣層200採用的材料例如為氧化物、氮化物或氧氮化合物，當然，該鈍化絕緣層200亦可採用其它絕緣材料，本發明對此並不予限制。
接著，如圖12a、12b、12c所示，採用濺射或蒸發技藝在該鈍化絕緣層170上形成一電極層，並進行第十三道光蝕刻技藝，圖案化該電極層，以形成第一有機發光二極體的陽極221和第二有機發光二極體的陽極222，該第一有機發光二極體的陽極221藉由該接觸孔200a-1與第一驅動電晶體T12的汲極D12電性連接，該第二有機發光二極體的陽極222藉由該接觸孔200a-2與第二驅動電晶體T22的汲極D22電性連接。該電極層可以採用氧化銦錫、氧化鋅、氧化銦鋅、銀、金或鋁中的一種或多種。
繼續參考圖12b所示，該第一驅動電晶體T12的源極S12藉由該第四通孔180a與其主動層112-1實現電性連接，同時該第一驅動電晶體T12的源極S12藉由該第四通孔180a-3與該電源 線VDD和第一儲存電容C1的第二電極(即上極板C1-2)實現電性連接。
繼續參考圖12c所示，該第二驅動電晶體T22的源極S22藉由該第四通孔180a與其主動層112-2實現電性連接，同時該第二驅動電晶體T22的源極S22藉由該第四通孔180a-4與該電源線VDD和第二儲存電容C2的第二電極(即上極板C2-2)實現電性連接。
進一步的，形成第一有機發光二極體的陽極221和第二有機發光二極體的陽極222之後，還可採用常規技藝形成像素限定層，後續還可採用常規技藝形成發光層和陰極，以完成OLED設備製備，在此不再贅述。
綜上，在本實施例所述的OLED顯示面板中，兩個子像素為一組，並根據電源線VDD鏡像排列，且同一像素組內的兩個子像素各自連接的資料線位於不同結構層上。可在不縮小像素面積的情況下，使同層相鄰的資料線之間的距離增加一倍，使不同層相鄰的資料線之間由層間絕緣層隔離，有效減少資料線之間發生短路的機率，且在使用中大幅度消除資料線之間的串擾，不但提高產品的成品率，而且提升產品的畫面品質。再者，由於同一像素組內兩個子像素對應連接的資料線設置在不同的結構層上，也可基於現有設備和技藝條件縮小像素面積，提升OLED顯示面板的PPI，提高OLED顯示面板的解析度。此外，本實施例中第一資料線D1和第一儲存電容C1的上極板C1-2不在同一層，第二資料線D2和第二儲存電容C2的上極板C2-2不在同一層，比如該第一資料線D1和第二儲存電容C2的上極板C2-2一併形成，而第二資料線D2和 第一儲存電容C1的上極板C1-2一併形成，由此，有利於縮小同層的資料線和儲存電容上極板的間距，進而縮小像素面積，提升OLED顯示面板的PPI，提高OLED顯示面板的解析度。
[實施例二]
本實施例中，第一儲存電容C1的上極板C1-2和第二儲存電容C2的上極板C2-2是一體結構，藉由一次技藝形成。
如圖19a、20a、21a所示，該第一資料線D1、第二資料線D2和電源線VDD相互平行，該掃描線Sn與該電源線VDD相互垂直，並且，該第一資料線D1和第二資料線D2沿電源線VDD鏡像對稱，該第一儲存電容C1和第二儲存電容C2沿電源線VDD鏡像對稱，該第一開關電晶體T11和第二開關電晶體T21沿電源線VDD鏡像對稱，該第一驅動電晶體T12和第二驅動電晶體T22沿電源線VDD鏡像對稱。
具體的，本實施例中，該第一儲存電容C1的上極板C1-2和第二儲存電容C2的上極板C2-2是一體結構且為長方形，該第一儲存電容C1的下極板C1-1和第二儲存電容C2的下極板C2-1亦為長方形。
以下結合本發明TFT-LCD陣列基板實施例一製造過程的平面俯視圖和剖面示意圖，進一步說明本實施例的技術方案。
圖13a是本發明實施例二中OLED顯示面板的一個像素組形成矽島後的平面示意圖，圖13b是本發明實施例二中OLED顯示面板的第一子像素形成矽島後的剖面示意圖，圖13c是本發明實施例二中OLED顯示面板的第二子像素形成矽島後的剖面示意 圖。
如圖13a、13b、13c所示，提供一基板100。接著，在該基板100上形成矽島。該矽島用以作為第一開關電晶體T11的主動層、第一驅動電晶體T12的主動層、第二開關電晶體T21的主動層以及第二驅動電晶體T22的主動層。本實施例中，在基板100上形成矽島之前，先在該基板100上形成緩衝層101。較佳的，在基板100上形成矽島之後，進行第二道光蝕刻技藝，以對該矽島的預定區域進行離子注入。
圖14a是本發明實施例二中OLED顯示面板的一個像素組形成第一通孔後的平面示意圖，圖14b是本發明實施例二中OLED顯示面板的第一子像素形成第一通孔後的剖面示意圖，圖14c是本發明實施例二中OLED顯示面板的第二子像素形成第一通孔後的剖面示意圖。
如圖14a、14b、14c所示，採用化學氣相沉積(CVD)技藝在該矽島和未被覆蓋的緩衝層101上形成閘絕緣層120，並進行第三道光蝕刻技藝，在該閘絕緣層120中開設第一通孔120a-1、120a-2。
圖15a是本發明實施例二中OLED顯示面板的一個像素組形成第一金屬層後的平面示意圖，圖15b是本發明實施例二中OLED顯示面板的第一子像素形成第一金屬層後的剖面示意圖，圖15c是本發明實施例二中OLED顯示面板的第二子像素形成第一金屬層後的剖面示意圖。
如圖15a、15b、15c所示，採用濺射或蒸發技藝在該閘絕緣層120上形成第一金屬層，並進行第四道光蝕刻技藝，圖案 化第一金屬層，分別形成第一開關電晶體T11的閘極G11、第一驅動電晶體T12的閘極G12、第二開關電晶體T21的閘極G21、第二驅動電晶體T22的閘極G22、掃描線Sn、第一儲存電容C1的第一電極(即下極板)C1-1和第二儲存電容C2的第一電極(即下極板)C2-1。
圖16a是本發明實施例二中OLED顯示面板的一個像素組形成第二通孔後的平面示意圖，圖16b是本發明實施例二中OLED顯示面板的第一子像素形成第二通孔後的剖面示意圖，圖16c是本發明實施例二中OLED顯示面板的第二子像素形成第二通孔後的剖面示意圖。
如圖16a、16b、16c所示，採用化學氣相沉積(CVD)技藝形成第一層間絕緣層140，並進行第五道光蝕刻技藝，在該第一層間絕緣層140和閘絕緣層120中開設第二通孔140a-1，該第二通孔140a-1位於第一開關電晶體T11的源極位置，用於導通後續形成的第一資料線D1和第一開關電晶體T11的源極S11。
圖17a是本發明實施例二中OLED顯示面板的一個像素組形成第二金屬層後的平面示意圖，圖17b是本發明實施例二中OLED顯示面板的第一子像素形成第二金屬層後的剖面示意圖，圖17c是本發明實施例二中OLED顯示面板的第二子像素形成第二金屬層後的剖面示意圖。
如圖17a、17b、17c所示，採用濺射或蒸發技藝在該第一層間絕緣層140上形成第二金屬層，並進行第六道光蝕刻技藝，圖案化第二金屬層，以形成第一資料線D1、第一開關電晶體T11的源極S11、第一儲存電容C1的第二電極(即上極板C1-2) 和第二儲存電容C2的第二電極(即上極板C2-2)。
重點參考圖17a所示，本實施例與實施例一區別在於，第一儲存電容C1的上極板C1-2和第二儲存電容C2的上極板C2-2是一體結構，藉由一次技藝形成，由於同時形成第一儲存電容C1和第二儲存電容C2的上極板，無需額外形成開口以確保一儲存電容C1和第二儲存電容C2的電容值相等，相比於實施例一的方案可簡化技藝，降低成本。
圖18a是本發明實施例二中OLED顯示面板的一個像素組形成第三通孔後的平面示意圖，圖18b是本發明實施例二中OLED顯示面板的第一子像素形成第三通孔後的剖面示意圖，圖18c是本發明實施例二中OLED顯示面板的第二子像素形成第三通孔後的剖面示意圖。
如圖18a、18b、18c所示，採用化學氣相沉積(CVD)的方法形成第二層間絕緣層160，並進行第七道光蝕刻技藝，在該第二層間絕緣層160、第一層間絕緣層140和閘絕緣層120中開設第三通孔160a-2，該第三通孔160a-2位於第二開關電晶體T21的源極位置，用於導通後續形成的第二資料線D2和第二開關電晶體T21的源極S21。
圖19a是本發明實施例二中OLED顯示面板的一個像素組形成第三金屬層後的平面示意圖，圖19b是本發明實施例二中OLED顯示面板的第一子像素形成第三金屬層後的剖面示意圖，圖19c是本發明實施例二中OLED顯示面板的第二子像素形成第三金屬層後的剖面示意圖。
如圖19a、19b、19c所示，採用濺射或蒸發技藝在該 第二層間絕緣層160上形成第三金屬層，並進行第八道光蝕刻技藝，圖案化第三金屬層，以形成第二資料線D2以及第二開關電晶體T21的源極S21，本實施例中，該第二資料線D2與第二開關電晶體T21的源極S21為一體結構。
圖20a是本發明實施例二中OLED顯示面板的一個像素組形成第四通孔後的平面示意圖，圖20b是本發明實施例二中OLED顯示面板的第一子像素形成第四通孔後的剖面示意圖，圖20c是本發明實施例二中OLED顯示面板的第二子像素形成第四通孔後的剖面示意圖。
如圖20a、20b、20c所示，採用化學氣相沉積(CVD)的方法形成第三層間絕緣層180，並進行第八道光蝕刻技藝，在該第三層間絕緣層180中開設第四通孔180a、180a-1、180a-2、180a-3、180a-4，用於導通第一驅動電晶體T12的源極和汲極、第二驅動電晶體T22的源極和汲極、電源線VDD、第一儲存電容C1的上極板C1-2以及第二儲存電容C2的上極板C2-2。
圖21a是本發明實施例二中OLED顯示面板的一個像素組形成第四金屬層後的平面示意圖，圖21b是本發明實施例二中OLED顯示面板的第一子像素形成第四金屬層後的剖面示意圖，圖21c是本發明實施例二中OLED顯示面板的第二子像素形成第四金屬層後的剖面示意圖。
如圖21a、21b、21c所示，採用濺射或蒸發技藝在該第三層間絕緣層180上形成第四金屬層，並進行第十道光蝕刻技藝，圖案化第四金屬層，以形成第一驅動電晶體T12的源極S12和汲極D12、第二驅動電晶體T22的源極S22和汲極D22、電源線 VDD。
圖22a是本發明實施例二中OLED顯示面板的一個像素組形成接觸孔後的平面示意圖，圖22b是本發明實施例二中OLED顯示面板的第一子像素形成接觸孔後的剖面示意圖，圖22c是本發明實施例二中OLED顯示面板的第二子像素形成接觸孔後的剖面示意圖。
如圖22a、22b、22c所示，採用化學氣相沉積(CVD)的方法在該電源線VDD以及未被電源線VDD覆蓋的第三層間絕緣層180上形成鈍化絕緣層200，並進行第十一道光蝕刻技藝，在該鈍化絕緣層200中形成接觸孔200a，該接觸孔200a位於該第一驅動電晶體T12和第二驅動電晶體T22的汲極位置，具體是貫穿該第一驅動電晶體T12和第二驅動電晶體T22的汲極上方的鈍化絕緣層200。
圖23a是本發明實施例二中OLED顯示面板的一個像素組形成陽極後的平面示意圖，圖23b是本發明實施例二中OLED顯示面板的第一子像素形成陽極後的剖面示意圖，圖23c是本發明實施例二中OLED顯示面板的第二子像素形成陽極後的剖面示意圖。
如圖23a、23b、23c所示，採用濺射或蒸發技藝在該鈍化絕緣層200上形成一電極層，並進行第十二道光蝕刻技藝，圖案化電極層，以形成第一有機發光二極體的陽極221和第二有機發光二極體的陽極222，該第一有機發光二極體的陽極221藉由該接觸孔200a與第一驅動電晶體T12的汲極D12電性連接，該第二有機發光二極體的陽極222藉由該接觸孔200a與第二驅動電晶體T22 的汲極D22電性連接。
進一步的，形成第一有機發光二極體的陽極221和第二有機發光二極體的陽極222之後，還可採用常規技藝形成像素限定層，後續還可採用常規技藝形成發光層和陰極，以完成OLED設備製備，在此不再贅述。
綜上，在實施例二所述的OLED顯示面板中，兩個子像素為一組，並根據電源線VDD鏡像排列，且同一像素組內的兩個子像素各自連接的資料線位於不同結構層上。可在不縮小像素面積的情況下，使同層相鄰的資料線之間的距離增加一倍，使不同層相鄰的資料線之間由層間絕緣層隔離，有效減少資料線之間發生短路的機率，且在使用中大幅度消除資料線之間的串擾，不但提高產品的成品率，而且提升產品的畫面品質。再者，由於同一像素組內兩個子像素對應連接的資料線設置在不同的結構層上，也可基於現有設備和技藝條件縮小像素面積，提升OLED顯示面板的PPI，提高OLED顯示面板的解析度。同時，該第一儲存電容C1的上極板C1-2和第二儲存電容C2的上極板C2-2藉由一次技藝形成，可簡化製作技藝，降低成本。
需要說明的是，本說明書中各個實施例採用遞進的方式描述，每個實施例重點說明的都是與其他實施例的不同之處，各個實施例之間相同相似部分互相參見即可。對於實施例公開的結構而言，由於與實施例公開的方法相對應，所以描述的比較簡單，相關之處參見方法部分說明即可。
上述描述僅是對本發明較佳實施例的描述，並非對本發明範圍的任何限定，本發明領域的普通技術人員根據上述揭示內 容做的任何變更、修飾，均屬於請求項的保護範圍。

Claims (8)

  1. 一種OLED顯示面板，其包括形成於一基板上的一掃描線、一資料線和一電源線，該掃描線和該資料線定義以矩陣方式排列的多個像素組，每個像素組內具有兩個子像素，同一像素組內的兩個子像素連接同一該電源線並沿該電源線鏡像排列，且同一像素組內的兩個子像素各自連接的該資料線位於不同結構層上，其中，每個像素組內的兩個子像素分別為一第一子像素和一第二子像素，該第一子像素包括一第一儲存電容，該第二子像素包括一第二儲存電容，該第一儲存電容的上極板和該第二儲存電容的上極板位於不同結構層上。
  2. 如請求項1之OLED顯示面板，其中，該第一子像素還包括一第一開關電晶體和一第一驅動電晶體，該第二子像素還包括一第二開關電晶體和一第二驅動電晶體，該第一開關電晶體的源極連接一第一資料線，該第二開關電晶體的源極連接一第二資料線，該第一資料線、該第二資料線和該電源線相互平行，該掃描線與該電源線相互垂直，並且，該第一資料線和該第二資料線、該第一儲存電容和該第二儲存電容、該第一開關電晶體和該第二開關電晶體、該第一驅動電晶體和該第二驅動電晶體均沿該電源線鏡像對稱。
  3. 如請求項2之OLED顯示面板，其中，該OLED顯示面板具體包括：一矽島，形成於該基板上，用以作為該第一開關電晶體、該第一驅動電晶體、該第二開關電晶體以及該第二驅動電晶體的一主動層；一閘絕緣層和多個第一通孔，該閘絕緣層形成於該基板和該矽島上，該多個第一通孔中之一個用於導通該第一開關電晶體的汲極和該第一儲存電容的下極板以及該多個第一通孔中之另一個用於導通該第二開關電晶體的汲極和該第二儲存電容的下極板；圖案化的一第一金屬層，形成於該閘絕緣層上，用以作為該掃描線、該第一儲存電容的下極板、該第二儲存電容的下極板、該第一開關電晶體的閘極、該第一驅動電晶體的閘極、該第二開關電晶體的閘極和該第二驅動電晶體的閘極；一第一層間絕緣層和一第二通孔，該第一層間絕緣層形成於該閘絕緣層以及圖案化的該第一金屬層上，該第二通孔用於導通該第一資料線和該第一開關電晶體的源極；圖案化的一第二金屬層，形成於該第一層間絕緣層上，用以作為該第一資料線、該第一開關電晶體的源極和該第二儲存電容的上極板；一第二層間絕緣層和一第三通孔，該第二層間絕緣層形成於該第一層間絕緣層以及圖案化的該第二金屬層上，該第三通孔用於導通該第二資料線和該第二開關電晶體的源極；圖案化的一第三金屬層，形成於該第二層間絕緣層上，用以作為該第二資料線、該第二開關電晶體的源極和該第一儲存電容的上極板；一第三層間絕緣層和多個第四通孔，該第三層間絕緣層形成於該第二層間絕緣層以及圖案化的該第三金屬層上，該多個第四通孔中之第一個與第二個用於導通該第一驅動電晶體的源極和汲極、該多個第四通孔中之第一個與第三個用於導通該第二驅動電晶體的源極和汲極、該多個第四通孔中之第四個與第五個用於導通該電源線、該多個第四通孔中之第四個用於導通該第一儲存電容的上極板以及該多個第四通孔中之第五個用於導通該第二儲存電容的上極板；圖案化的一第四金屬層，形成於該第三層間絕緣層上，用以作為該第一驅動電晶體的源極和汲極、該第二驅動電晶體的源極和汲極、該電源線；一鈍化絕緣層和多個接觸孔，該鈍化絕緣層形成於該第三層間絕緣層以及圖案化的該第四金屬層上，該多個接觸孔中之一個用於導通該第一驅動電晶體的汲極與一第一有機發光二極體的陽極以及該多個接觸孔中之另一個用於導通該第二驅動電晶體的汲極與一第二有機發光二極體的陽極。
  4. 如請求項3之OLED顯示面板，其中，該OLED顯示面板還包括一開口，該開口貫穿該第二層間絕緣層並正對該第一儲存電容的下極板。
  5. 一種OLED顯示面板的製造方法，其包括下列步驟：在一基板上形成一掃描線、一資料線、一電源線、由該掃描線和該資料線定義的以矩陣方式排列的多個像素組；其中，每個像素組內具有兩個子像素，同一像素組內的兩個子像素連接同一該電源線並沿該電源線鏡像排列，且同一像素組內的兩個子像素各自連接的該資料線位於不同結構層上，其中，每個像素組內的兩個子像素分別為一第一子像素和一第二子像素，該第一子像素包括一第一儲存電容，該第二子像素包括一第二儲存電容，該第一儲存電容的上極板和第二儲存電容的上極板位於不同結構層上。
  6. 如請求項5之OLED顯示面板的製造方法，其中，該第一子像素還包括一第一開關電晶體和一第一驅動電晶體，該第二子像素還包括一第二開關電晶體和一第二驅動電晶體，該第一開關電晶體的源極連接一第一資料線，該第二開關電晶體的源極連接一第二資料線，該第一資料線、該第二資料線和該電源線相互平行，該掃描線與該電源線相互垂直，並且，該第一資料線和該第二資料線、該第一儲存電容和該第二儲存電容、該第一開關電晶體和該第二開關電晶體、該第一驅動電晶體和該第二驅動電晶體均沿該電源線鏡像對稱。
  7. 如請求項6之OLED顯示面板的製造方法，其中，該OLED顯示面板藉由如下步驟形成：形成一矽島，該矽島用以作為該第一開關電晶體、該第一驅動電晶體、該第二開關電晶體以及該第二驅動電晶體的一主動層；形成一閘絕緣層和多個第一通孔，該閘絕緣層形成於該基板和該矽島上，該多個第一通孔中之一個用於導通該第一開關電晶體的汲極和該第一儲存電容的下極板以及該多個第一通孔中之另一個用於導通該第二開關電晶體的汲極和該第二儲存電容的下極板；形成圖案化的一第一金屬層，圖案化的該第一金屬層形成於該閘絕緣層上，用以作為該掃描線、該第一儲存電容的下極板、該第二儲存電容的下極板、該第一開關電晶體的閘極、該第一驅動電晶體的閘極、該第二開關電晶體的閘極和該第二驅動電晶體的閘極；形成一第一層間絕緣層和一第二通孔，該第一層間絕緣層形成於該閘絕緣層以及圖案化的該第一金屬層上，該第二通孔用於導通該第一資料線和該第一開關電晶體的源極；形成圖案化的一第二金屬層，圖案化的該第二金屬層形成於該第一層間絕緣層上，用以作為該第一資料線、該第一開關電晶體的源極和該第二儲存電容的上極板；形成一第二層間絕緣層和一第三通孔，該第二層間絕緣層形成於該第一層間絕緣層以及圖案化的該第二金屬層上，該第三通孔用於導通該第二資料線和該第二開關電晶體的源極；形成圖案化的一第三金屬層，圖案化的該第三金屬層形成於該第二層間絕緣層上，用以作為該第二資料線、該第二開關電晶體的源極和該第一儲存電容的上極板；形成一第三層間絕緣層和多個第四通孔，該第三層間絕緣層形成於該第二層間絕緣層以及圖案化的該第三金屬層上，該第四通孔中之第一個與第二個用於導通該第一驅動電晶體的源極和汲極、該第四通孔中之第一個與第三個用於導通該第二驅動電晶體的源極和汲極、該第四通孔中之第四個與第五個用於導通該電源線、該第四通孔中之第四個用於導通該第一儲存電容的上極板以及該第四通孔中之第五個用於導通該第二儲存電容的上極板；形成圖案化的一第四金屬層，圖案化的該第四金屬層形成於該第三層間絕緣層上，用以作為該第一驅動電晶體的源極和汲極、該第二驅動電晶體的源極和汲極、該電源線；形成一鈍化絕緣層和多個接觸孔，該鈍化絕緣層形成於該第三層間絕緣層以及圖案化的該第四金屬層上，該多個接觸孔中之一個用於導通該第一驅動電晶體的汲極與一第一有機發光二極體的陽極以及該多個接觸孔中之另一個用於導通該第二驅動電晶體的汲極與一第二有機發光二極體的陽極。
  8. 如請求項7之OLED顯示面板的製造方法，其中，形成該第二層間絕緣層之後，還形成貫穿該第二層間絕緣層的一開口，該開口正對該第一儲存電容的下極板。
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