TWI631100B - 用於製造含氧化銦層之調合物、製造彼等之方法及彼等之用途 - Google Patents

用於製造含氧化銦層之調合物、製造彼等之方法及彼等之用途 Download PDF

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Abstract

本發明關於一種液體調合物，其可藉由將至少一種銦烷氧化物化合物溶解在至少一種溶劑中所製造，該銦烷氧化物化合物可藉由在通式ROH之醇(其中R=烷基)存在下以相對於三鹵化銦為8：1至20：1之莫耳比反應三鹵化銦InX3(其中X=F、Cl、Br、I)與式R'2NH之二級胺(其中R'=烷基)而製備；製造彼等之方法；彼等用於製造含氧化銦或(半)導體層之用途；及使用本發明之調合物製造含氧化銦層的方法。

Description

用於製造含氧化銦層之調合物、製造彼等之方法及彼等之用途
本發明關於一種用於製造含氧化銦層之調合物、製造彼等之方法及彼等之用途。
利用壓力沉積法及其他液體沉積法製造半導體電子組件層由於此情況下之半導體沉積可以連續程序進行，因而使得可獲致遠低於許多其他方法(諸如化學氣相沉積(CVD))之製造成本。此外，在相對低處理溫度之情況下，亦變得可能在撓性基板上作業，及隨意地(尤其是在非常薄之層的情況下，特別是在氧化物半導體(oxidic semiconductor)之情況下)獲致印刷層的光學透明度。在此處及下文中，在通道長度為20μm、於閘極-源極電壓為50V及源極-汲極電壓為50V之組件的電荷載子遷移率為1至50cm2/Vs之層。
由於待藉由印刷法製造之組件層的材料關鍵性地決定個別層性質，此材料之選擇對於含有此組件層之每一組件 具有重要影響。印刷半導體層之重要參數為其個別電荷載子遷移率，及在其製造中所使用之可印刷前驅物的加工性及處理溫度。該等材料應具有良好電荷載子遷移率及可從溶液且在明顯低於500℃之溫度下製造，以適用於大量應用及基板。同樣需要將半導體層製成具有光學透明性以用於許多類型之應用。
由於氧化銦(氧化銦(III)，In2O3)具有在3.6與3.75eV之範圍的大能帶隙(於氣相沉積層上測得，H.S.Kim,P.D.Byrne,A.Facchetti,T.J.Marks；J.Am.Chem.Soc.2008,130,12580-12581)，其為前景極佳因此為理想的導體。厚度數百奈米的薄膜在550nm下大於90%的可見光譜中可另外具有高透明度。此外，可在極有序之氧化銦單晶中量得至高達160cm2/Vs之電荷載子遷移率。然而，迄今尚未能藉由從溶液處理獲致此等值(H.Nakazawa、Y.Ito、E.Matsumoto、K.Adachi、N.Aoki、Y.Ochiai；J.Appl.Phys.2006,100,093706，及A.Gupta、H.Cao、Parekh、K.K.V.Rao、A.R.Raju、U.V.Waghmare；J.Appl.Phys.2007,101,09N513)。
氧化銦尤其經常與氧化錫(IV)(SnO2)一起使用作為半導體混合氧化物ITO。因ITO層在可見光譜中具有較高傳導性並結合透明度之故，其特別應用之一係液晶顯示器(LCD)領域，尤其是作為「透明電極」。該等通常經摻雜之金屬氧化物層係主要藉由高成本氣相沉積方法在高度真空下工業製造。因塗覆ITO之基板的重要經濟利益之故， 目前存在一些含氧化銦層的塗覆方法，尤其是以溶膠-凝膠技術為基礎者。
原則上，有兩種藉由印刷法製造氧化銦半導體的可能性：1)粒子概念，其中(奈米)粒子存在於可印刷分散液中，且在印刷操作之後利用燒結法將其轉化成所希望之半導體層，及2)前驅物概念，其中在印刷適當組成物之後，至少一種可溶性或可分散性中間物係轉化成含氧化銦層。相較於使用前驅物，粒子概念有兩個重大缺點：首先，粒子分散液具有膠體不穩定性，其使得必須使用分散添加劑(其不利於後續層之性質)；其次，許多可用粒子(例如因鈍化層所致)利用燒結僅不完全地形成層，使得該等層中仍發生一些微粒結構。在其粒子邊界，存在相當高粒子-粒子電阻，此降低電荷載子之遷移率及提高一般層之電阻。
目前有各種含前驅物調合物以供製造氧化銦層。如此，不僅可使用鋰鹽亦可使用銦烷氧化物(全同配位體化合物(homoleptic compound)，即，只具有銦及烷氧化物基團)作為溶液中之前驅物以供製造含氧化銦層。
例如，Marks等人描述在包含之InCl3及鹼性單乙醇胺(MEA)的含前驅物組成物之製造中的組分係作為溶於甲氧基乙醇中的溶液使用。在藉由旋塗施加該組成物之後，藉由在400℃熱處理而製造對應氧化銦層(H.S.Kim、P.D.Byrne、A.Facchetti、T.J.Marks；J.Am.Chem.Soc.2008,130,12580-12581及補充資訊)。
WO 2011/072887 A1描述用於製備銦(III)鹵化物二烷 氧化物(indium(III)halide dialkoxide)之方法及其用於製造含氧化銦層的用途。用於從銦(III)鹵化物二烷氧化物製造含氧化銦層之方法係揭示於WO 2011/073005 A2。
然而，於溶液中之銦(III)鹵化物二烷氧化物迄今仍未形成具有夠好之電性質的含氧化銦層。例如具有以下通式之化合物：In6O2X6(OR)6(R'CH(O)COOR")2(HOR)x(HNR"' 2)y、In7O2(OH)(OR)12X4(ROH)x及MxOy(OR)z[O(R'O)eH]aXbYc[R"OH]d之銦側氧基烷氧化物(Indium oxoalkoxide)形成較佳層性質，該等化合物係揭示於WO 2012/010427 A1、WO 2012/010464 A1及尚未公開之德國申請案DE 10 2012 209918。
雖然已知該等改良，但持續需要有關層形成性質及所獲得之層的性質之改良。特別的是，適用之前驅物應：- 能容易地處理，特別是在空氣中處理，- 能均勻地轉化成氧化物，- 能在極低溫下均勻地轉化成氧化物，- 形成具有優異電性質之層。
此複雜需求概要係由一種藉由溶解至少一種銦烷氧化物化合物所製造之液體調合物滿足，該銦烷氧化物化合物可藉由在通式ROH之醇(其中R=烷基)存在下令
- 三鹵化銦InX3(其中X=F、Cl、Br、I)
- 與相對於該三鹵化銦之莫耳比為8：1至20：1的式R'2NH之二級胺(其中R'=烷基)反應而製備。
可使用含有在反應中使用相對於三鹵化銦為8：1至15：1之莫耳比，更佳為8：1至12：1之莫耳比的二級胺所製備之銦烷氧化物化合物的調合物製造特別良好的層。
基於本發明目的，本情況中之銦烷氧化物化合物為具有至少一個銦原子及至少一個烷氧基(alkoxide radical)的化合物，其可藉由上述在醇存在下之三鹵化物與二級胺的反應製備。可由本發明方法獲得之該等溶解的化合物的結構測定有其困難。然而，假設所得之化合物為含鹵素銦側氧基烷氧化物化合物。此類型之固態結構能利用X射線結構分析測定。假設該等化合物之相似結構亦存在溶液中。銦側氧基烷氧化物係由側氧基橋接且可以離子形式存在之銦團簇，其中不由側氧基配位之價係至少部分由烷氧基配位。在可藉由本發明方法獲得之銦烷氧化物化合物的情況中，假設在合成之後此等經常以鹽形式存在，特別是以由陽離子配位之含鹵素的銦側氧基烷氧化物陰離子形式存在。
特佳之製程產物為具有以下通式之銦烷氧化物化合物[In6(O)(OR)12X6]2-Am z(ROH)x(其中R=烷基，X=F、Cl、Br、I，A=陽離子，z=陽離子價，m．z=2且x=0至10，其尤其可使用為9：1至10：1之比的二級胺製備。該化合物可由醇分子ROH配位，及該反應中亦可能存在其他溶劑。
典型陽離子為銨離子[NHyR4-y]+，較佳為式[NH2R2]+ 之銨離子。
特佳之化合物為[In6(O)(OMe)12Cl6]2-[NH2R2]+ 2(MeOH)2，其可藉由使用InCl3、Me2NH(後者之比為9：1至10：1)及MeOH(甲醇)製備。此經由X射線結構分析測定之結構係示於圖1。
本發明之調合物較佳含有重量百分比以該調合物之總質量為基準計為0.1至10重量%，較佳為0.5至5重量%，尤佳為1至2重量%之銦烷氧化物化合物，以特別獲致良好半導體層。
本發明之配方進一步包含至少一種溶劑。為了獲係特別良好之調合物，該至少一種溶劑較佳係選自由以下所組成之群組：一級、二級、三級及芳族醇類(該等醇類特佳為甲醇、乙醇、丁醇、四氫糠醇及酚)、醚類(特佳者為具有式ROCH2CH(R')OR"(其中R=-H或-C1-C10烷基，R'=-H或-CH3且R"=-H或-C1-C10-烷基)之二醇醚及環醚，特別是2-甲氧基乙醇、1-甲氧基-2-丙醇、四氫呋喃以及苯基甲基醚)、酯類(特佳者為羧酸酯及乳酸烷酯，特別是乙酸丁酯、乙酸1-甲氧基-2-丙酯(PGMEA)、苯甲酸乙酯、二乙酸乙二醇酯、乳酸乙酯及乳酸丁酯)、芳族烴類(特佳者為甲苯及二甲苯)以及腈類(特佳者為乙腈)。
該至少一種溶劑較佳係選自由以下所組成之群組：甲醇、乙醇、丁醇、四氫糠醇、酚、2-甲氧基乙醇、1-甲氧基-2-丙醇、四氫呋喃、苯基甲基醚、乙酸丁酯、乙酸1-甲氧基-2-丙酯(PGMEA)、苯甲酸乙酯、二乙酸乙二醇 酯、乳酸乙酯、乳酸丁酯、甲苯、二甲苯及乙腈。
本發明之調合物更佳係包含至少兩種，又更佳係至少三種選自由上述溶劑種類所組成之群組的溶劑。
本發明之調合物較佳包含至少三種溶劑，其中一者係選自由以下所組成之群組：乳酸乙酯、苯基甲基醚、四氫糠醇、乙酸丁酯、二乙酸乙二醇酯及苯甲酸乙酯，且其他二者在SATP條件下之沸點差異為至少30℃。特佳結果可利用對應調合物獲得。
最佳結果可使用包含乙醇、1-甲氧基-2-丙醇及四氫糠醇三種溶劑之調合物獲致。
本發明之調合物較佳含有重量百分比以塗覆組成物之總質量為基準計為90至99.9重量%，較佳為95至99.5重量%，特佳為98至99重量%的溶劑。
此外，本發明之組成物可包含添加劑，特別是濕潤添加劑(特別是界面活性劑)、消泡劑、交聯添加劑、表面張力添加劑及整平劑以獲致有利性質。若存在添加劑，其重量百分比以塗覆組成物之總質量為基準計為少於5重量%，較佳為少於2重量%。然而，本發明之組成物較佳不包含任何其他添加劑，即，其只使用溶劑及銦烷氧化物化合物製造。
為獲致特別良好之性質，該調合物基本上無水，即，具有少於200ppm之H2O。此外，更佳係使用基本上無水之溶劑及化合物製造調合物。
本發明進一步提供一種製造本發明之調合物的方法， 其中至少一種上述銦烷氧化物化合物係與至少一種溶劑混合。
用以製造本發明之調合物的銦烷氧化物化合物係利用其中在通式ROH之醇(其中R=烷基)存在下令
- 三鹵化銦InX3(其中X=F、Cl、Br、I)
- 與相對於該三鹵化銦之莫耳比為8：1至20：1的式R'2NH之二級胺(其中R'=烷基)反應之方法而製備。
式InX3之三鹵化銦為熟習本領域之人士已知且可在市面購得。
式R'2NH(其中R'=烷基)之二級胺同樣為先前技術。烷基R'較佳為式CnH2n+1(其中n=1至10)之直鏈、支鏈或環狀C1至C10烷基。二級胺或二種二級胺之兩個R'基團亦可一起形成烷基CnH2n。對應之可用化合物為例如二甲胺、二乙胺、二丙胺、吡咯啶、哌啶及吡咯。較佳之R'基團為甲基、乙基、正丙基及異丙基。最佳地，R'基團為甲基，原因係此形成特別良好之產率及特別安定的化合物。
作為醇ROH，較佳係使用具有式CnH2n+1(其中n=1至10)之直鏈、支鏈或環狀C1至C10烷基者。此處，較佳之R基團亦為甲基、乙基、正丙基及異丙基。R基團最佳為甲基。
烷氧化銦較佳係以所有組分之總質量為基準計為0.1至50重量%，特佳為1至25重量%，最佳為2至10重量%的比例用於該方法。
三鹵化銦可溶解(即，解離)或以分子等級與溶劑分子/ 醇分子錯合，或分散於液相中。
醇ROH較佳係以所有組分之總質量為基準計為50至99.9重量%，特佳為75至99重量%，最佳為80至96重量%的比例用於該方法。
該方法之反應混合物可進一步包括至少一種相對於反應為惰性之液態溶劑或分散液介質，即，在反應條件下不與三鹵化銦反應之溶劑/分散介質或不同溶劑/分散介質的混合物。較佳係使用非質子性溶劑，特別是選自由非質子性非極性溶劑組成之群組的溶劑，即，烷類、經取代烷類、烯類、炔類、芳族化合物(不具或具有脂族或芳族取代基)、鹵化烴類及四甲基矽氧烷；及由非質子性極性溶劑組成之群組，即醚類、芳族醚類、經取代之醚類、酯類或酸酐類、酮類、三級胺類、硝甲烷、DMF(二甲基甲醯胺)、DMSO(二甲亞碸)及碳酸丙二酯。
若此種對於反應為惰性之液體溶劑或分散液介質存在於反應混合物中，其比例以所有組分之總質量為基準計較佳為1至50重量%，特佳為1至25重量%，尤佳為1至10重量%。
二級胺較佳地係以相對於三鹵化銦為8：1至15：1之莫耳比，更佳為8：1至12：1之莫耳比用於反應中，原因係可以特別高產率製備具有特別適於層製造的銦烷氧化物化合物。
本發明之方法較佳係藉由最初將三鹵化銦載入醇ROH來進行。該二級胺係以氣態形式、液態形式或作為 溶劑中之溶液(尤其是包含ROH作為溶劑)來添加。
添加同樣較佳係在SATP條件(25℃及1.013巴)下進行。
由於反應可以此方式特別容易受控制且形成特別良好的銦烷氧化物化合物，二烷基胺係以每小時與每莫耳鹵化銦為0.5至5莫耳，較佳係小時與每莫耳鹵化銦為1.15至2.60莫耳之速率添加。
反應混合物更佳係在該方法中添加所有組分之後予以加熱。反應混合物較佳係在1至10小時期間加熱至40至70℃之溫度。反應混合物更佳係在1至5小時之時間加熱至45至60℃之溫度。然後將該反應混合物冷卻。
在反應已完成時，將通常沉澱之產物或產物混合物與反應組成物之其他成分分離。此較佳係藉由過濾進行。此外，分離之產物混合物較佳係經乾燥及利用適當溶劑清洗。
可用於製造本發明調合物之特別良好的銦烷氧化物化合物係當在分離及可能地乾燥及/或溶劑之後所獲的產物或產物混合物再結晶時形成。再結晶較佳係在該化合物之合成中亦使用的醇ROH中進行。再結晶較佳係藉由將分離之產物或產物混合物溶解於沸騰醇中，然後在-30至0℃之溫度下再結晶來進行。將上澄液溶劑丟棄，而結晶產物可用於進一步用途。
本發明之化合物特別有利地適用於尤其是經由濕式化學方法進行的具有經改良電性質之含氧化銦塗層的製造。 由於大體上尋求具有非常低結晶傾向之物質作為金屬氧化物的前驅物，此改善令人意外。然而，本發明之化合物經常為已具有微晶結構之團簇化合物。所希望之金屬氧化物層應具有之非晶形特徵而非結晶特徵的傾向，以具有特定良好電性質。與預期相反的，使用本發明之化合物可製造特別均勻的層。
在此情況下，用於含氧化銦塗層係指氧化銦層及基本上由氧化銦及其他金屬及/或金屬氧化物組成之層。就本發明目的而言，氧化銦層為從所提及之銦烷氧化物製造的金屬層及基本上包含銦原子或離子，該等銦原子或離子基本上以氧化物形式存在。隨意地，氧化銦層亦隨意地包括來自不完全轉化之某些比例的鹵素或烷氧化物及/或氮、氫及/或碳。類似狀態亦適用於基本上包含氧化銦及其他金屬及/或金屬氧化物之層，但其條件係進一步包括其他金屬及/或金屬氧化物。
此外，本發明調合物具有可特別容易用於製造電子組件之導電性或半導體氧化銦塗層，特別是用於製造(薄膜)電晶體、二極體或太陽能電池的令人意外之優點。
本發明另外提供一種製造含氧化銦層之方法，其中將本發明之調合物施加至(隨意地經預塗覆或預處理)的基板，隨意地利用熱及/或電磁輻射乾燥及轉化。
本發明方法中所使用之基板較佳為選自由玻璃、矽、二氧化矽、金屬氧化物或過渡金屬氧化物或聚合材料(特別是PE、PEN、PI或PET)組成之基板。
在塗覆之後且在轉化之前，該經塗覆基板亦可經乾燥。熟習本領域之人士已習知用於該目的之適當方法及條件。然而，經塗覆之基板不一定必須在轉化前乾燥。
本發明之組成物特別適用於選自以下之塗覆方法印刷法(特別是快乾/凹版印刷、噴墨印刷、(反轉)套版印刷、數位套版印刷及網版印刷)、噴淋法(噴塗)、旋轉塗覆法(「旋塗」)、浸塗法(「浸塗」)之方法，及其他液相塗覆法，諸如縫模塗布法、狹縫塗布、淋幕式塗布法及刮刀法。
將所製造之結構或層轉化成氧化銦層或含氧化銦層或氧化銦結構或含氧化銦結構可藉由熱途徑及/或利用入UV、IR或VIS輻射進行。
然而，當溫度為20℃至550℃時可獲致特別良好結果，較佳係使用100至400℃，特佳係使用150至350℃以供轉化。
此外，作為替代或者是除此之外，可使用電磁輻射(特別是UV輻射)轉化所應用之調合物。較佳係使用具有在160至300nm範圍之波長的電磁輻射來轉化。轉化較佳可利用在250至258及180至190nm之範圍中具有顯著輻射分量的UVO輻射進行，該輻射可例如利用特定汞蒸汽燈產生。亦可使用來自準分子燈或準分子雷射之轉化，特別是使用在160至190nm之範圍的波長之輻射。
當所施加之調合物係利用熱(特別是在100至400℃，特佳為150至350℃之溫度)及利用電磁輻射(特別是具有 在160至300nm之範圍的波長之電磁輻射)轉化時，形成特別良好的層。
通常使用從數秒至數小時之轉化時間。轉化時間通常為1秒至24小時，較佳為10秒至2小時，更佳為1分鐘至40分鐘，特佳為1分鐘至20分鐘。
亦可在熱處理之前藉由使在塗覆步驟之後所獲得之層與水及/或過氧化氫接觸來協助轉化，如此該層先在進行熱轉化之前的中間步驟中轉化成金屬氫氧化物。
此外，所施加之塗覆組成物的轉化可在標準大氣壓力水含量下進行。
藉由本發明方法所獲得之層的品質可藉由在轉化步驟之後結合熱處理及氣體處理(使用H2或O2)、電漿處理(Ar、N2、O2或H2電漿)、微波處理、雷射處理(使用在UV、VIS或IR範圍之波長)、UV光、紅外輻射或臭氧處理而獲得進一步改善。
圖1顯示本發明之最佳化合物[In6(O)(OMe)12Cl6]2-[NH2R2]+ 2(MeOH)2的結構，其係藉由X射線結構分析測定。
以下實例說明本發明標的物且其本身不具限制效果。
本發明實施例 合成
在30l之無殘留水分的反應器中，在保護性氣體氣氛下藉由攪拌將1.30kg之氯化銦(III)(InCl3，5.9莫耳)懸浮在17.38kg之乾燥甲醇中。在室溫下利用質量流控制器計量加入二甲胺(2.57kg，57莫耳)(0.86kg/h，約4小時)，其過程中可觀察到稍微放熱反應。然後，使反應混合物在50℃加熱2小時，冷卻至室溫及過濾之。過濾器殘留物係以4×500ml之經乾燥之甲醇清洗，且在減壓下(0.1毫巴)乾燥8小時。將該材料溶解於沸騰甲醇中且於-20℃結晶出來。
製造調合物
將所獲得之材料以50mg/ml之濃度溶解於1-甲氧基-2-丙醇中。所獲得之濃縮物係如下調配：1份濃縮物對2份1-甲氧基-2-丙醇對1份乙醇。於此調合物中另外添加3重量%之四氫糠醇(THFA)。所使用之所有溶劑均為無水的(<200ppm H2O)，且混合係在惰性條件(同樣為無水)下進行。所獲得之調合物最終經過200nm PTFE過濾器過濾。
塗覆
以100μl上述調合物濕潤邊緣長度為約15mm且約200nm厚之氧化矽塗層及ITO/金所構成的指狀結構之經摻雜矽基板。然後以2000rpm進行旋塗(30秒)。在此塗覆操作之後立刻以來自汞蒸汽燈之在150至300nm之波 長範圍的UV輻射照射經塗覆基板10分鐘。該基板隨後係在熱板上以350℃之溫度的加熱1小時。在轉化之後，可於套手工作箱中在2VDS下測定μFET場效移動性之值(線性範圍)為=14cm2/Vs。
對照實例 合成
在500ml之無殘留水分的圓底燒瓶中，在保護氣體氣氛下藉由攪拌將5.0g之氯化銦(III)(InCl3，22.5毫莫耳)溶解於250ml乾燥甲醇中，留下<10重量%(以秤入之量為基準計)之InCl3殘留物。二甲胺鹼(5.0g，對應於111毫莫耳)之計量添加係利用質量流控制器來確保，且在5小時期間於室溫下以根據InCl3為基準的化學計量之量添加該鹼，觀察到在開始時有些微放熱反應。隨後，該溶液完全蒸發，以250ml之乾燥甲醇收集殘留固體，在保護氣體(N2)下過濾該混合物，以乾燥甲醇清洗多次(10次操作)及在減壓(<10毫巴)下於室溫乾燥12小時。產物產率為>80莫耳%之氯二甲氧化銦(III)(indium(III)chlordimethoxide)。
製造調合物
將所獲得之材料以50mg/ml之濃度溶解於1-甲氧基-2-丙醇中。所獲得之濃縮物係如下調配：1份濃縮物對2份1-甲氧基-2-丙醇對1份乙醇。於此調合物中另外添加3 重量%之四氫糠醇(THFA)。所使用之所有溶劑均為無水的(<200ppm H2O)，且混合係在惰性條件(同樣為無水)下進行。所獲得之調合物最終經過200nm PTFE過濾器過濾。
塗覆
以100μl上述調合物濕潤邊緣長度為約15mm且約200nm厚之氧化矽塗層及ITO/金所構成的指狀結構之經摻雜矽基板。然後以2000rpm進行旋塗(30秒)。在此塗覆操作之後立刻以來自汞蒸汽燈之在150至300nm之波長範圍的UV輻射照射經塗覆基板10分鐘。該基板隨後係在熱板上以350℃之溫度的加熱1小時。在轉化之後，可於套手工作箱中在2VDS下測定μFET場效移動性之值(線性範圍)為=8cm2/Vs。

Claims (14)

  1. 一種液體調合物，其可藉由將至少一種銦烷氧化物化合物溶解於至少一種溶劑所製造，該銦烷氧化物化合物可藉由在通式ROH之醇(其中R=烷基)存在令- 三鹵化銦(InX3其中X=F、Cl、Br、I)- 與相對於該三鹵化銦之莫耳比為8：1至20：1的式R'2NH之二級胺(其中R'=烷基)反應而製備，其中該化合物具有通式[In6(O)(OR)12X6]2-Am z(ROH)x其中R=烷基，X=F、Cl、Br、I，A=陽離子，z=陽離子價，m．z=2且x=0至10。
  2. 如申請專利範圍第1項之調合物，其中該化合物具有通式[In6(O)(OMe)12Cl6]2-[NH2R2]+ 2(MeOH)2。
  3. 如申請專利範圍第1至2項中任一項之調合物，其包含根據該調合物之總質量計為0.1至10重量%之比例的銦烷氧化物化合物。
  4. 如申請專利範圍第1至2項中任一項之調合物，其中該至少一種溶劑係選自由以下所組成之群組：一級、二級、三級及芳族醇類、醚類、酯類、芳族烴類及腈類。
  5. 如申請專利範圍第1至2項中任一項之調合物，其中該至少一種溶劑係選自由以下所組成之群組：甲醇、乙醇、丁醇、四氫糠醇、酚、2-甲氧基乙醇、1-甲氧基-2-丙醇、四氫呋喃、苯基甲基醚、乙酸丁酯、乙酸1-甲氧基-2-丙酯(PGMEA)、苯甲酸乙酯、二乙酸乙二醇酯、乳酸乙酯、乳酸丁酯、甲苯、二甲苯及乙腈。
  6. 如申請專利範圍第5項之調合物，其包含至少三種溶劑，其中一者係選自由以下所組成之群組：乳酸乙酯、苯基甲基醚、四氫糠醇、乙酸丁酯、二乙酸乙二醇酯及苯甲酸乙酯，且其他二者在SATP條件下之沸點差異為至少30℃。
  7. 如申請專利範圍第1至2項中任一項之調合物，其包含乙醇、1-甲氧基-2-丙醇及四氫糠醇三種溶劑。
  8. 如申請專利範圍第1至2項中任一項之調合物，其基本上不含水。
  9. 一種用於製造如申請專利範圍第1至8項中任一項之調合物的方法，其中可藉由將至少一種銦烷氧化物化合物與至少一種溶劑混合，該銦烷氧化物化合物可藉由在通式ROH之醇(其中R=烷基)存在下令- 三鹵化銦(InX3其中X=F、Cl、Br、I)- 與相對於該三鹵化銦之莫耳比為8：1至20：1的式R'2NH之二級胺(其中R'=烷基)反應而製備。
  10. 一種如申請專利範圍第1至8項中任一項之調合物的用途，其係用於製造含氧化銦層。
  11. 一種如申請專利範圍第1至8項中任一項之調合物的用途，其係用於製造電子組件之半導體層或導電層。
  12. 一種如申請專利範圍第1至8項中任一項之調合物的用途，其係用於製造(薄膜)電晶體、二極體或太陽能電池。
  13. 一種用於製造含氧化銦層之方法，其中將如申請專利範圍第1至8項中任一項之調合物施用於基板且藉由熱及/或電磁輻射予以轉化。
  14. 如申請專利範圍第13項之方法，其中該施用之調合物係藉由熱及電磁輻射予以轉化。
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